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del Istmo.
ESPECIALIDAD:
Ing. Elctrica
MATERIA:
Tecnologa de los materiales
TEMA:
Conduccin elctrica de los materiales
CATEDRATICO:
Ing. Martnez Martnez Tomas
ALUMNOS:
Jimnez Santiago Heber Geovanni.
Domnguez Anota Luis Alberto. Vargas Luis
Pablo Elas. Zarate Jimnez Jos de Jess.
Morales Manuel Josefina.
SEMESTRE:
GRUPO:
U
INTRODUCCIN
los ncleos de los tomos adyacentes. Esta influencia es tal que cada estado
atmico diferente se divide o desdoblan en una serie de estados electrnicos
distintos pero muy prximo en el slido que forma lo que se denomina una banda
de energa de los electrones. El grado de desdoblamiento depende de la
separacin interatmica y empieza con los niveles electrnicos ms exteriores,
puede que los primeros en alterarse a medida que los tomos coalescen. Dentro
de cada banda, los estados de energa son discretos, aunque la diferencia de
energa entre los estados adyacentes es muy pequea. En la separacin de
equilibrio, la formacin de banda no puede ocurrir en los subniveles de electrones
cercanos al ncleo. Adems, puede producir intervalos prohibidos entre las
bandas de energa adyacente; normalmente, la energa localizada en estos
intervalos de banda no est disponible para que los electrones la ocupen. El
mtodo convencional de representar las estructuras de las bandas de energa en
los slidos.
Las propiedades elctricas de un material solido son consecuencia de su
estructura de banda electrnica, es decir, de la organizacin de las bandas
electrnicas ms exteriores y de la manera como estn ocupadas por los
elementos.
El cobre, cada tomo de cobre tiene un electrn 4s; sin embargo, para un slido
de N tomos, la banda 4s es capaz de acomodar 2N electrones. Por lo siguiente,
slo la mitad de las posiciones de los electrones estn ocupadas dentro de la
banda 4s.
El magnesio tiene esta estructura de banda. Cada tomo aislado de Mg tiene dos
electrones 3s. sin embargo, cuando se forma el slido, las bandas 3s y 3p se
traslapan. En este caso y a 0 K, la energa del Fermi se toma como la energa por
debajo de la cual, para N tomos, estn llenos N estados, con dos electrones por
estado.
Las dos estructura de banda ltimas son similares; una banda (la banda de
valencia) que est completamente llena con electrones est separada de una
banda de conduccin vaca, y entre ellas queda un intervalo prohibido de energa.
En los materiales muy puros, los electrones no tienen un intervalo. La diferencia
entre las dos estructuras de bandas radican en la magnitud del intervalo prohibido
de energa; en los materiales que son aislantes, el intervalo prohibido es
relativamente ancho, mientras que en los semiconductores en estrecho. La
energa de Fermi para estas dos estructuras de bandas se localiza en el intervalo
prohibido de energa --cerca del centro.
Conduccin en trminos de los modelos de bandas y de enlaces atmicos.
En este punto la discusin, es fundamental entender otro concepto, a saber, que
solamente los electrones con energas mayores que la energa de Fermi pueden
ser solicitados y acelerados en presencia de un campo elctrico. Estos son los
electrones que participan en el proceso de conduccin, que se denominan
electrones libres. En los semiconductores y aisladores se encuentra otra entidad
electrnica con carga denominada hueco. Los huecos tienen energas menores
que Ef y tambin participan en la conduccin electrnica. La conductividad
elctrica es una funcin directa del nmero de electrones libres y de huecos.
Adems, la distincin entre conductores y no conductores (aisladores y
semiconductores) radica en el nmero de electrones libres y huecos portadores de
la carga.
Metal
Para que un electrn llegue a ser libre, debe ser excitado o promovido hacia uno
de los estados de energa vacos y disponibles por encima de Ef. Para metales
que tengan alguna de las dos estructuras de banda.
Aislantes y semiconductores
En el caso de los aislantes y los semiconductores, no existen estados vacos
contiguos a la parte superior de la banda de valencia que est llena. Por lo tanto,
para hacerse libres, los electrones deben superar el intervalo prohibido de energa
para acceder a los estados vacos en la parte inferior de la banda de conduccin.
Esto es posible solo si se suministra al electrn la energa equivalente a la
diferencia entre estos dos estados, que aproximadamente igual a la energa del
intervalo prohibido Eg. En muchos materiales este intervalo prohibido tiene un
MOVIMIENTO ELECTRONICO
La poca o elevada conductividad elctrica se explica en funcin de la
densidad de electrones libres.
Los slidos con enlaces metlicos (metales) contienen electrones libres
para moverse a travs de una red de iones positivos relativamente fijos,
cuando se aplica un campo elctrico, se ejerce una fuerza sobre los
electrones libres, en consecuencia, en virtud de su carga negativa
experimentan una aceleracin en la direccin opuesta a la del campo
elctrico. No todos los electrones de cada tomo se aceleran por la
accin de un campo elctrico, el nmero de electrones que pueden
participar en la conduccin elctrica en determinado material se
relaciona con la distribucin de los estados electrnicos o niveles de
energa, y por lo tanto con la amera en que estos estados sean ocupados
por los electrones. De acuerdo a la mecnica cuntica no existe
interaccin de un electrn acelerado y los tomos en una red cristalina
perfecta. En tales circunstancias, todos los electrones libres deben de
acelerarse siempre que se aplique el campo elctrico, lo que dara lugar
a una corriente elctrica que aumenta con el tiempo, la corriente
adquiere un valor constante en el instante en que le es aplicado un
campo elctrico lo cual indica que existe la fuerza de friccin que tiene
la accin de contrarrestar la aceleracin que proviene del campo
externo. Esta fuerza de friccin resulta de la interaccin de los
electrones con los defectos de la red cristalina, incluyendo tomos de
impurezas, vacantes, tomos intersticiales, dislocaciones e incluso las
vibraciones trmicas de los tomos mismos.
Cada fenmeno de dispersin hace que un electrn pierda energa
cintica y cambie la direccin de su movimiento.
Existe un movimiento neto de electrones en la direccin opuesta al
campo elctrico, y este flujo de carga es la corriente elctrica.
El fenmeno de dispersin se manifiesta como una resistencia al paso de
la corriente elctrica. Se utilizan varios parmetros para describir el
grado de esta dispersin, entre ellos (velocidad de arrastre y
movilidad de un electrn).
---velocidad de arrastre= depende de la movilidad de los electrones y
de la intensidad del campo elctrico.
La velocidad de arrastre ud representa la velocidad promedio del electrn
en direccin a la fuerza opuesta por el campo aplicado y es
directamente proporcional al campo elctrico,
La constante de
proporcionalidad
se conoce
como movilidad electrnica y es un indicador de la frecuencia de los
fenmenos de dispersin, sus unidades son metros cuadrados por voltiosegundo ( m2/V-s)
LEY DE OHM
Dependencia estructural de la resistencia.
Una de las caractersticas elctricas ms importantes de un material solido es la
facilidad con que transmite una corriente elctrica. La Ley de Ohm relaciona la
corriente I, o sea, el paso de carga por unidad de tiempo, con el voltaje aplicado V
como sigue:
V=IR
donde R es la resistencia del material a travs del cual pasa la corriente. Las
unidades de V, I y R son voltios (J/C), amperios (C/s) y ohmios (V/A),
respectivamente. El valor R depende de la configuracin de la probeta y en
muchos materiales es independiente de la corriente. La resistividad es
independiente de la geometra de la probeta pero est relacionada con la R
mediante la expresin
= RA/L
CONCLUSION