Cdigo de colores de las resistencias

Los resistores son fabricados en una gran variedad de formas y tamaos.

En las ms grandes, el valor del resistor se imprime directamente en el cuerpo del mismo, pero en
los ms pequeos no es posible. Para poder obtener con facilidad el valor de la resistencia / resistor
se utiliza el cdigo de colores
Sobre estos resistores se pintan unas bandas de colores. Cada color representa un nmero que
se utiliza para obtener el valor final del resistor.

Significado de las bandas de colores de una resistencia / resistor

- Las dos primeras bandas indican las dos primeras cifras del valor del resistor.
- La tercera banda indica cuantos ceros hay que aumentarle al valor anterior para obtener el valor
final
de
la
resistor.
- La cuarta banda nos indica la tolerancia y si hay quinta banda, sta nos indica su confiabilidad
Ejemplo: Si un resistor tiene las siguiente bandas de colores:

El resistor tiene
un
valor
de
2400,000
Ohmios
El
valor
mximo
de
este resistor es:
El
valor
mnimo
de
este resistor es:
- El resistor puede tener cualquier valor entre el mximo y mnimo calculados.

+/5
25200,000
22800,000

Los colores de las bandas de los resistores no indican la potencia que puede disipar, pero el tamao
que tiene la resistor da una idea de la disipacin mxima que puede tener.
Los
resistores comerciales disipan
1/4
watt,
1/2
watt,
A mayor tamao del resistor, ms disipacin de potencia (calor).

watt,

watts,

etc..

ESTRUCTURA DE UN ELEMENTO SEMICONDUTOR

Diodos semiconductores de silicio de diferentes tipos

y.tamaos, identificados en el circuito impreso de
este.dispositivo electrnico con las letras D (para diodos
con.funciones diferentes) y DZ (para el diodo Zener).

Un diodo semiconductor de estado slido consta de dos partes, formadas por cristales de silicio (Si) de
diferente polaridad. Un cristal de silicio en estado puro constituye un elemento qumico tetravalente por
estar compuesto por tomos de valencia +4, pero para obtener dos cristales semiconductores de
polaridad diferente es necesario doparlos durante el proceso de produccin del diodo, aadindole a
la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de impurezas pertenecientes a
tomos de otros elementos qumicos (tambin semiconductores), pero de valencias diferentes para
cada una de las partes que formarn el diodo, con sus correspondientes polaridades.
Para fabricar un diodo, primeramente uno de los cristales de silicio se dopa aadindole, como
impureza, un elemento qumico de valencia +3 (trivalente) como el galio (Ga), por ejemplo. Al final del
proceso se obtiene un semiconductor tipo-p, con polaridad positiva (P), que presentar defecto o

falta de electrones en la ltima rbita de los tomos de galio aadidos como impurezas. En esas
rbitas se formarn huecos en aquellos lugares que deban estar ocupados por los electrones
faltantes.
A continuacin, el otro cristal de silicio, que inicialmente es igual al empleado en el proceso anterior, se
dopa tambin durante el proceso de fabricacin del diodo, pero aadindole esta vez impurezas
pertenecientes a tomos de otro elemento qumico tambin semiconductor, pero de valencia +5
(pentavalente) como, por ejemplo, antimonio (Sb). Una vez finalizado este otro proceso de dopado se
obtiene un semiconductor tipo-n, con polaridad negativa (N), caracterizado por presentar exceso de
electrones libres en la ltima rbita de los tomos de antimonio aadidos como impurezas. (Ver
Qu.son
los
semiconductores).

Representacin grfica de dos elementos semiconductores de cristal de silicio (Si), simplificados

de.forma esquemtica. A.- Semiconductor de silicio de conduccin tipo-p, o sea, de polaridad
positiva.(P). En su estructura molecular se puede observar que en los lugares que deban ocupar los
electrones.lo
que
encontramos
son
huecos.
Cuando conectamos una batera a los extremos de un cristal semiconductor positivo, se establece
un.flujo de huecos en sentido opuesto al flujo de electrones que proporciona la fuente de energa
elctrica..En la ilustracin se puede observar tambin que mientras el flujo de electrones o corriente
electrnica.se establece del polo negativo al polo positivo de la batera, el flujo de huecos, por el
contrario,
se.establece
en
el sentido
inverso
a
travs
del
cristal
de
silicio.
B.- Semiconductor de silicio de conduccin tipo-n, de polaridad negativa (N), con exceso
de.electrones libres en su estructura molecular. Si a este tipo de semiconductor negativo le
conectamos.una batera, el flujo electrnico se establecer en el mismo sentido de circulacin de la
propia fuente de.suministro elctrico, o sea, del polo negativo al polo positivo