UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL

PERODO ACADMICO: OCTUBRE/2014 MARZO/2015

Cuestionario de reactivos Quinto

Industrial A
Estudiantes:
Hugo Paucar
Juan Diego Moya
Diego Crdova
1. Ordene los siguientes pasos para que el transistor BJT entre
en funcionamiento.
a) Los electrones libres del emisor atraviesan la zona de deflexin, se
recombinan con los huecos, entonces fluyen a travs de la resistencia
RB, generando una corriente IB.

b) La fuente VBB supera los 0.7V en el caso del Silicio, y los 0,3V si
el material es el Germanio, el diodo se encuentra polarizado en
directa.
c) Parte de los electrones que no se pueden recombinar en la base,
pasan al colector, debido a que stos se ven atrados por el terminal
positivo de Vcc, entonces se genera una corriente Ic.
A.
B.
C.
D.

abc
cab
bac
bca

Cuando VBB, supera la barrera de los 0.7v, empiezan a fluir electrones a

travs de RB, generando una corriente IB, parte de los electrones que pasan
al colector, fluyen a travs de Rc, generando una corriente Ic.

2. Seale la respuesta correcta.

El DIAC es un dispositivo equivalente a dos diodos zener:
a)
b)
c)
d)

Conectados en paralelo en la misma direccin.

Conectados en serie en direccin opuesta.
Conectados en paralelo en direccin opuesta.
Conectados en serie en la misma direccin.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en paralelo, pero

orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha superado
el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.

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1.) Complete el siguiente enunciado

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicial-mente. Esto
signica que no existe ningn voltaje aplicado en:
A.)
B.)
C.)
D.)

Colector
Gate
Emisor
Surtidor

Respuesta: B
Justificacin:
Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de
bloqueo hasta cero.

2.) Complete el siguiente enunciado

El DIAC es un diodo de disparo
A.)
B.)
C.)
D.)

Unidireccional
Direccional
Bidireccional
Invertido

Respuesta: C
Justificacin:
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin).

1. Como se comporta el DIAC?

a) Como diodos zener conectados en paralelo pero orientados en
forma opuesta
b) Como un BJT en serie pero orientados en forma opuesta
c) Como un MOSFETS conectados en paralelo pero orientados en
forma opuesta
d) Como diodos zener conectados en serie pero orientados en forma
opuesta
RESPUESTA: literal d
JUSTIFICACION:

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El DIAC se comporta como diodos zener conectados en serie pero

orientados en formas opuestas debido a que la conduccin se da cuando se
ha superado el valor de la tensin del zener que est conectado en sentido
opuesto.

2. Cules son las condiciones de uso del IGBT?

a) Alto ciclo de trabajo, alta frecuencia, aplicaciones de alta tensin,
alta potencia
b) Bajo ciclo de trabajo, baja frecuencia, aplicaciones de alta tensin,
alta potencia
c) Bajo ciclo de trabajo, baja frecuencia, aplicaciones de baja tensin,
baja potencia
d) Bajo ciclo de trabajo, alta frecuencia, aplicaciones de alta tensin,
baja potencia
RESPUESTA: literal b
JUSTIFICACION
El literal b) expresa las condiciones adecuadas en las que puede trabajar un
IGBT

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Preguntas de Potencia Grupo 2

Nombres: Beln Morales, Kelvin Prez, Fabin Bao
1. De qu manera se da la desactivacin o apagado de un SCR en un
circuito
a) Eliminar la seal de la compuerta
b) Interrupcin de la corriente de nado o conmutacin forzada
c) Eliminar la seal del ctodo
d) Elevar el voltaje de nodo a ctodo
R = b: interrupcin de la corriente de nado o conmutacin forzada
2. Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P
_____________ y el MOSFET de canal N ____________
a) Conduce, no conduce
b) Conduce, conduce
c) No conduce, conduce
d) No conduce, no conduce
R = a: Conduce, no conduce
3. La tensin en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un
valor que va de __________
a)
b)
c)
d)

3 a 5 Voltios
0.1 a 0.9 Voltios
1 a 2 Voltios
0.3 a 0.7 Voltios
R = c: 1 a 2 Voltios

4. Caractersticas de los SCR

a) Sensibles a las corrientes estticas, capa de
b) Dispositivo de tres zonas o capas, bajo nivel de dopado, resistentes ,
ecientes
c) Interruptor casi ideal, soporta tensiones altas, amplicador ecaz,
controla grandes potencias.
d) Es bidireccional, conduccin cuando se inyecta corriente a la compuerta,
interruptor capaz de conmutar en corriente alterna.
R = c: Interruptor casi ideal, soporta tensiones altas, amplicador ecaz,
controla grandes potencias.

5. El TRIAC comunta del modo de corte al modo de conduccin cuando se

inyecta corriente a la
a) nodo 1 (MT1)
b) MT1 Y MT2
c) nodo 2 (MT2)
d) Compuerta (G)
R = d: Compuerta (G); porque se controla por la compuerta

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6. Diversos tipos de tiristores (control de encendido)

a) Transformadores
b) Convertidores AC/DC, DC/AC, DC/DC, etc.
c) SCR, GTO, TRIAC, MOSFET
d) BJT, FET, IGBT
R = d: SCR, GTO, TRIAC, MOSFET
Estos dispositivos para lograr la conmutacin del modo de
apagado al modo de encendido se lo realiza normalmente por una
seal externa de control
7. Cul es la caracterstica de control de un GTO.
a) Se encienden aplicando un pulso positivo corto a las compuertas y
se apagan por aplicacin de pulso negativo corto a las compuertas
b) Requiere conmutacin forzada
c) Eliminar la seal del ctodo
d) Eliminar la seal del nodo
R= a: Se encienden aplicando un pulso positivo corto a las
compuertas y se apagan por aplicacin de pulso negativo corto a
las compuertas

CUESTIONARIO
Estudiante:
Guamn lvaro
a)
b)
c)
d)
1.

1910
1990
1900
1901
En qu ao tiene sus inicios la electrnica de potencia

Justificacin
La electrnica de potencia tiene sus inicios en el ao 1990, con la
introduccin del recticador de arco de mercurio
2. Seale cul de las siguientes es una funcin del capacitor.
a)
b)
e)
f)

Consume energa
Varia la tensin
Almacena energa
Es un circuito de proteccin
Justificacin

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Un condensador, es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y

electrnica, capaz de almacenar energa sustentando un campo
elctrico

CUESTIONARIO GRUPO 3
Integrantes: Carrillo Johanna
Curso: Quinto A I
Chiliquinga Fabricio
Fecha: 02/12/2014
Pico Franklin

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Zurita Alejandro
CUESTIONARIO
1) Empareje segn corresponda la clasificacin de los Sistemas
Electrnicos de Potencia
a) Convertidor CA/CC
1) Inversores
b) Convertidor CC/CC
2) Reguladores de
alterna
c) Convertidor CC/CA
3) Recticador
d) Convertidor CA/CA
4) Reguladores de
Continua
A) a1, b2, c3, d4
B) a3, b4, c2, d1
C) a3, b4, c1, d2
D) a4, b3,c2, d1
Respuesta: C, los sistemas electrnicos de potencia se clasican en
Convertidor CA/CC (Recticador), Convertidor CC/CC (regulador de continua),
Convertidor CC/CA (Inversor), Convertidor CA/CA (regulador de alterna)
2) Que significan las siglas PNP en un transistor bipolar o BJT
A) Menor nmero de huecos
B) Mayor nmero de electrones libres
C) Menor nmero de electrones libres
D) Mayor nmero de huecos
Respuesta: B, las siglas PNP del transistor bipolar o BJT signica que el
dispositivo tiene un mayor nmero de electrones libres.
3) Empareje segn corresponda todos los estados de conduccin
de las uniones del transistor
Modo de funcionamiento Pol. Base-Emisor
1) Activo directo
a) Inversa (VBE
V)
2) Activo inverso
b) Directa (VBE
V)
3) Cortado
c) Directa (VBE
V)
4) Saturado
d) Inversa (VBE
V)
A) 1b, 2d, 3c, 4a
B) 1c, 2a, 3d, 4b
C) 1d, 2b, 3c, 4a
D) 1a, 2d, 3b, 4c
Respuesta: A, por el Modelo Ebers-Moll que tiene una descripcin general del
transistor til para todas las conguraciones del mismo.

4) Que significan las siglas IFSM en un transistor bipolar o BJT

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A) Intensidad de pico repetitivo

B) Intensidad media nominal
C) Intensidad directa
D) Intensidad directa de pico no repetitiva
Respuesta: D, Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo
pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10
ms.
5) Cmo se llaman las partes del transistor BJT?
A) Base
B) Colector
C) Puerta
D) Emisor
E) Compuerta
Respuesta: A, B, D: Fsicamente el transistor BJT consta de tres patitas que
son base, colector y emisor
6) Seleccione el concepto adecuado de un SCR
A) Es un semiconductor conmutativo ideal
B) Es un semiconductor de 4 capas
C) Es un conductor total de 4 capas
D) Es un conmutador ideal
Respuesta: B: El SCR es un dispositivo semiconductor de 4 capas que
funciona como un conmutador casi ideal
7) Complete el siguiente enunciado
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicial-mente. Esto
signica que no existe ningn voltaje aplicado en:
A.)
Colector
B.)
Gate
C.)
Emisor
D.)
Surtidor
Respuesta: B: Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde
el valor de bloqueo hasta cero.
8) Complete el siguiente enunciado
El DIAC es un diodo de disparo
A.)
Unidireccional
B.)
Direccional
C.)
Bidireccional
D.)
Invertido
Respuesta: C: El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente
diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado.

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PREGUNTAS DE POTENCIA
INTEGRANTES:
WILLIAN PALATE
OSCAR PILLLA
JIMMMY SANGOLQUIZA
CARLOS GALARZA
1.

El IGBT es controlado por:

a) Corriente
b) Tensin
c) Ninguna
d) Ambas

RESPUESTA:
1)
2)
3)
4)

a
b
c
d

2.
a)
b)
c)
d)

Como se comporta el DIAC al momento de dispararse.

Resistencia
Capacitor
Diodo
Mosfet

RESPUESTA:
1)
2)
3)
4)

a
b
c
d

3.

Cules son los tipos de cargar existentes

a) Cargas Capacitivas
b) Cargas Controladas
c) Cargas Resistivas
d) Cargas Inductivas

RESPUESTA:
1)
2)
3)
4)
4.

a, c, d
b, a
c ,d, a
d, b, c

Cules son las caractersticas generales del TRIAC

a) Interruptor casi ideal
b) capacitivas
c) Amplificador eficaz
d) Controladas
e) Relativa rapidez

RESPUESTA:
1)
2)
3)
4)

a, c, d
b, a
a, c, e
d, b ,c

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5.
a)
b)
c)
d)
e)
f)

Cules son regiones del mosfet

Regin de corte
Drenador
Regin lineal
Fuente
Regin de saturacin
Regin de ruptura

RESPUESTA:
1)
2)
3)
4)
5)
6.
a)
b)
c)
d)

a, c, d
b, a
a, c, e
d, b ,c
a, c e, f

Cules son los tipos de DIAC

DIAC de tres capas
DIAC regulares
DIAC de cuatro capas
DIAC abiertos

RESPUESTA:
1) a, c, d
2) b, a
3) a, c

7.- Las regiones operativas del transistor BJT son:

a)
b)
c)
d)
e)

Regin de corte
Regin de saturacin
Zona ohmica
Regin activa
Voltaje Umbral

1.1) abc

1.2) abd

1.3) ace 1.4) bce

Respuesta 1.2) abd

8- la electrnica de potencia fundamentalmente se constituye por:
a)
b)
c)
d)

Circuito
Circuito
Circuito
Circuito

2.1) ab

de
de
de
de

control
potencia
control de calor
control de iluminacin

2.2) ac

Respuesta: 2.1) ab

2.3) ad 2.4) bc

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