Fotodetetores

Ana Azevedo, 58663

Sara Barros, 61908

Dispositivo eletrnico constitudo

por um material semicondutor
(normalmente silcio) que possui
uma juno semicondutora e cuja
propriedade a de fazer variar a sua
resistncia eltrica em funo da
intensidade da luz (nmero de
fotes) nela incidente.

So normalmente usados na leitura

de cdigos de barras (pela sua
rapidez de resposta) e para acionar
alguns dispositivos eletrnicos como
alarmes e portas eltricas.

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 Photo

multipliers: Produzem corrente

eltrica na presena de luz;

Pyroelectric

detectors: Convertem luz em

corrente eltrica usando como processo
intermdio a converso da emisso fotes em
calor;

Photodiodes:

PIN photodiode (mais comuns);

Avalanche photodiode.

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Composto por duas regies N e P separadas por um

material intrnseco (i) levemente n-dopado.
Tipicamente o semicondutor de silcio, no entanto
pode tambm ser de germnio ou arseneto de glio,
por exemplo.
A estrutura polarizada inversamente, criando
grande regio de depleo e correspondente campo
eltrico.

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Num fotododo ideal por cada foto incidente na

regio de absoro seria originado um par
electro-lacuna na regio de depleo.
Num fotodetector PIN real a eficincia da
converso (designada por eficincia quntica)
inferior a 1.

- eficincia quntica
R - responsividade
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A eficincia quntica a rcio entre os

fotes que permitiram a gerao de corrente
eltrica e todos os fotes incidentes.
Geralmente num fotodetetor PIN, a
eficincia quntica de aproximadamente
80%.

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 Relao

entre a corrente produzida no dodo

PIN e a potncia de luz incidente.

Pela anlise das expresses da responsividade e eficincia

quntica possvel concluir que a corrente eltrica produzida
est intimimamente ligada ao comprimento de onda da
radiao incidente.
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Os eletres deslocam-se do lado P do dodo at a

juno PI. Os fotes incidem nos tomos da
parte I transferindo eletres para a banda de
conduo e criando lacunas na banda de
valncia. Estas lacunas recebem os eletres
provenientes do lado P.

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Estes novos portadores negativos absorvem a

energia dos fotes so transferidos para a banda
de conduo. Desta forma, cria-se uma corrente
eltrica que s pode ocorrer devido incidncia
de fotes na regio de depleo do dodo PIN.

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 Elevada

sensibilidade para determinados

comprimentos de onda;
Largura de banda e tempos de resposta
adequados aos ritmos binrios usados;
Introduo de pouco rudo;
Fraca sensibilidade a variaes de
temperatura;
Fcil acoplamento fibra;
Tempos de vida mdio longos;
Baixo custo.
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A empresa electrnica mouser electronics possui

fotododos PIN de diversos fabricantes. Sero
especificados alguns modelos de fotododos PIN
adequados deteo de luz visvel e as
caractersticas destacadas pelos fabricantes.

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 De

acordo com os dados obtidos foi possvel

concluir que os fabricantes do maior
destaque s seguintes caractersticas:

Sensibilidade;
Resistncia;
Linearidade;
Tempo de resposta;
Temperatura.

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 http://radio.lx.it.pt/STG/STG0405acetatos1

1.pdf
http://www3.fsa.br/localuser/Eletronica/fer
is/Apostilas/ComOpt-p2.pdf
http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/foto/foto
diodo2.htm
http://pt.mouser.com/Optoelectronics/Optic
al-Detectors-and-Sensors/Photodiodes/_/N6jjuh

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