El DIODO LED

Introduccin
Diodo, componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo
sentido. Los diodos ms empleados en los circuitos electrnicos actuales son los
diodos fabricados con material semiconductor. El ms sencillo, el diodo con punto
de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. En los diodos de
germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de cristal van
montados dentro de un pequeo tubo de vidrio y conectados a dos cables que se
suel-dan
a
los
extremos
del
tubo.
Los diodos de unin constan de una unin de dos tipos diferentes de material
semiconduc-tor. El diodo Zener es un modelo especial de diodo de unin, que utiliza
silicio, en el que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la corriente
que la atraviesa. Debido a esta caracterstica, los diodos Zener se utilizan como
reguladores de tensin. Por otra parte, en los diodos emisores de luz (LED, acrnimo
ingls de Light-Emitting Diode), una tensin aplicada a la unin del semiconductor
da como resultado la emisin de energa luminosa. Los LED se utilizan en paneles
numricos como los de los relojes digitales electrnicos y calculadoras de bolsillo.
Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan en la actualidad tres
aproximacio-nes:

La primera aproximacin es la del diodo ideal, en la que se considera que el

diodo no tiene cada de tensin cuando conduce en sentido positivo, por lo
que esta primera aproximacin considerara que el diodo es un cortocircuito
en sentido positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito
abierto
cuando
su
polarizacin
es
inversa.

En la segunda aproximacin, consideramos que el diodo tiene una cada de

tensin cuando conduce en polarizacin directa. Esta cada de tensin se ha
fijado en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que la segunda
aproximacin pueda representarse como un interruptor en serie con una
fuente
de
0.7
V.

La tercera aproximacin aproxima ms la curva del diodo a la real, que es

una curva, no una recta, y en ella colocaramos una resistencia en serie con
la
fuente
de
0.7
V.
V=0,7+IR

Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los
diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia
de capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es de menor
longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad de tipos, slo
algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamao, pues
es funcin de la potencia que pueden disipar. Es caracterstico encontrarse un aillo
en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene
sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un
anillo en el cuerpo, prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en
ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms prximo a la anda de color ms
gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la

"a". Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los
diodos LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segn sea
la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms largo que el
ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana.
Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro en
modo hmetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de nodo a
ctodo, aparecen lecturas del orden de 20-30 Omega;. Si se invierten los
terminales, estas lecturas son del orden de 200-300 K Omega; para el Ge, y de
varios M Omega; Para el SI. Si con el multitester utilizamos el modo de prueba de
diodos, obtenemos el valor de la tensin de codo del dispositivo. Con ello
conseguimos identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que
est hecho (0.5-0.7 V para el de SI, 0.2-0.4 para el germanio y 1.2-1.5 para la
mayora de los LED.

Tipos de Diodos
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales
deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan
y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios
como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones negativos y
positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de Agotamiento por la ausencia
de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
- No hay polarizacin (Vd = 0 V).
- Polarizacin directa (Vd > 0 V).
- Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el

material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es
cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material tipo

N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y
reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD
0.7 V para diodos de Silicio.
Id = I mayoritarios - Is
Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de
iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos descubiertos
en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones inyectados por la
terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar
que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera
tan grande que los portado-res mayoritarios no podrn superar, esto significa que la
corriente Id del diodo ser cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios
que estarn entrando a la regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto
la corriente Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se
denomina corriente de saturacin inversa
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura)
en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial
de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en

la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente
ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de germanio.
El general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: En la
zona di-recta se puede considerar como un generador de tensin continua, tensin
de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza
en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la
tensin inversa de disyuncin (zona Inversa) se produce un aumento drstico de la
corriente que puede llegar a destruir al dispositivo. Este diodo tiene un am-plio
margen de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de nivel,
proteccin con-tra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores,
bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el
fabricante):
1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR
mx o VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces)
que la mxima que este va a soportar.
2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente,
repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), he de ser mayor (del
orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de
ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
En la figura N01, podemos observar la representacin grfica o smbolo
para este tipo de diodo.

Figura N01

Curva Diodo Real

Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de Id y la
polaridad de Vd, encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo
a como se define con la ley de Ohm es:

Donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la corriente

en sentido directo a travs del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito
para la regin de conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente

inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en
la que no hay conduccin.

EL DIODO ZENER

La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo

polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para
trabajar en la regin Zener.

Figura N02
De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado
para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo). Es importante
mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula
variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de impurezas
agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a
-200 V y potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo
el cual cuando ha alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un
"switch" o interruptor que se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de
voltaje
o
en
fuentes.

Figura N03
En el circuito que se muestra en la figura N03, se desea proteger la carga contra
sobre voltajes, el mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se
elige un diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el
voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.
De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes
rasgos es la siguiente:
En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensin continua
(tensin de codo). En la zona de disrupcin, entre la tensin de codo y la tensin
zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la
zona de disrupcin se puede considerar como un generador de tensin de valor Vf=
-Vz.
El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de
disrupcin.
Podemos distinguir:

1.
2.

3.
4.

Vz nom,Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja

adecuadamente el zener).
Iz min: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de
la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupcin
(Vz min).
Iz max: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la
cual el dispositivo se destruye (Vz max).
Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

En la grfica N01, se puede observar la curva caracterstica de este tipo de diodo.

Grfica N01
Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las
siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas
por
el
fabricante):
1. Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa
mayor o igual a Iz min.
2. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max.
3. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del
doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se
encuentra polarizado. El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta
2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20
mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y electrones
(al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa que posee un
electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una
parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge
el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por
esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro
Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Figura N03
Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo,
mbar, azul y algunos otros.
Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos
hayan sido producidos en el mismo lote. Tambin hay que tener en cuenta otro tipo
de tolerancias como los resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de
98W o de 102W o tal vez si ser exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar
ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o tal vez a 10V.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento
anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de
codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la
tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED),
rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a
la cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de sealizacin, instrumentacin,
optoaclopadores, etc.
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el
fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que
suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se
utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese
no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy vlida.
En la figura N04, se muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.

Figura N04
El diodo LED puede ser tratado de manera anloga a un diodo normal. Sin embargo
conviene tener en cuenta que los diodos LED no estn fabricados de silicio mono
cristalino, ya que el silicio mono cristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a
ello, la tensin de polarizacin directa Vd depende del material con el que est
fabricado el diodo.
El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz
emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso de fabricacin
principalmente de los dopados.

FOTODIODOS
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente
continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir,
son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de
luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en
receptores pticos de comunicaciones.

Representacin grfica de un Fotodiodo y su correspondientes curvas

caractersticas
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares
electrn - hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del
diodo rectificador de silicio en el que, solamente existe generacin trmica de
portadores de carga. La generacin luminosa, tiene una mayor incidencia en los
portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo conduzca
ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la
incidencia de luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas
corrientes de fugas de valor IS. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores
minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de
portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de porta-dores
minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal
y como se ve en la figura anterior.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin
luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del
dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de
generacin luminosa.

Corte transversal de un fotodiodo comercial

DIODOS DE EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como
detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos
voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica

LOS VARACTORES
Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se
utilizan como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.
A mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero,
cuando la capa de agotamiento es ms delgada. Cuanto ms alto es el voltaje
inverso aplicado, ms estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la
capacitancia disminuye. Estos diodos tambin reciben el nombre de diodos Varicap.
El smbolo del diodo varactor se muestra abajo con una representacin del
diagrama.
Cuando un voltaje inverso es aplicado a la juncin PN, los agujeros en la regin P se
atraen a la terminal del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la terminal
del ctodo, creando una regin de poca corriente. Esta es la regin de agotamiento,
son esencialmente desprovistos de porta-dores y se comportan como el dielctrico
de
un
condensador.
La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l
aumenta; y puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor
dielctrico, la capacitancia de la juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la
juntura PN aumenta. En la grfica, se observa la variacin de la capacidad con
respecto
al
voltaje.

En la grfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se

disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea
utilizado tambin como generador armnico.
Las consideraciones importantes del varactor son:
a) Valor de la capacitancia.
b) Voltaje.
c) Variacin en capacitancia con voltaje.
d) Voltaje de funcionamiento mximo.
e) Corriente de la salida.
LOS DIODOS VARISTOR
O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber
picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando
aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor
muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los
componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material nohomogneo (Carburo de silicio).
CARACTERISTICAS:
1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin
fcil del componente correcto para una aplicacin especfica.
2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del
componente.
3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante
que ocurre.
4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin
de circuitera en conmutacin digital.
6. Alto grado de aislamiento.

Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la

forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de
corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de
corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la
forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos
siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor
me-dido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o
ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un
fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.

Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas

larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los
fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en
el varistor con 1 mA.

Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser
disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:
1. La amplitud de la corriente.
2. El voltaje correspondiente al pico de corriente.
3. La duracin del impulso.
4. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo
entre 100% y 50% del pico de corriente.
5. La no linealidad del varistor.
A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia
generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por
la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de
pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial,
o
bien
sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor
medio (t2)

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF)
muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se
utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de
portadores
calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un
material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico,
cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando
este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad
del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el
resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo
Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un
semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita
generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los
portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el
semiconductor, el ctodo.
En una deposicin de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones
del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de transicin

en
la
ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos mate-riales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la
de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene
un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la
tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin,
en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

EL DIODO LASER
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las
caractersticas de un diodo lser son:
1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite
fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar
un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

Corte

esquemtico

de

la

emisin

de

luz

en

diodos

LED

lser

Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz
monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin
puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para
aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos:
Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin
digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos
musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos
prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas
absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada
hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es
reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero
digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida
en informacin analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra
historia que debe de ser contada en otra ocasin.

SIMBOLOGA