Porque el silicio es el mejor conductor y el germanio

El germanio es un semimetal blanco plateado, duro y quebradizo miembro del grupo

carbono de los elementos. Sus propiedades fsicas son similares a las del silicio. Otros
elementos del grupo carbono son relativamente comunes, pero el germanio slo se
encuentra en pequesimas cantidades en algunos carbonos fsiles y como un
componente menor en algunos minerales, el principal siendo argirodita, un sulfuro
doble de plata y germanio. Su abundancia en la corteza terrestre es de 1,8ppm. Para
obtener el germanio, se calienta el mineral con cido clorhdrico, para obtener el tetra
cloruro de germanio, GeCl4, este reacciona con el agua formando el dixido GeO2 que
se reduce a germanio elemental mediante hidrgeno o carbn.
El germanio es estable al aire y en el agua y slo le afecta el cido ntrico. Es un mal
conductor de electricidad pero sus propiedades semiconductoras son excepcionales y se
emplea principalmente en ese rea. Tambin se emplea como elemento de aleacin en la
fabricacin de aleaciones especficas y como adicin al vidrio en la fabricacin de
dispositivos infrarrojos.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la
de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms
utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del
oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio
tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones
de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus
cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces
covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente
energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red
cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el
enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo
positivo.
Como ya conocemos, ni los tomos de Silicio, ni los de germanio en su
forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto,
no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se comportan
como materiales aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la
dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de
tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento
perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla
Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia),

estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro

de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de
silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del
antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la
estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco
tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro
de la estructura cristalina del material semiconductor.