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Trasporto dei portatori

allequilibrio termico gli elettroni in banda di conduzione (le


lacune in banda di valenza) si muovono per agitazione
termica
3
energia termica = kT (k costante di Boltzmann)
2
1
3
2
mn vth = kT vth = velocit termica 107 cm sec a 300 K
2
2

in equilibrio termico il moto casuale


e la corrente totale nulla
gli eventi di diffusione (scattering) hanno diversa origine

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Meccanismi di scattering

scattering da fononi: gli atomi vibrano intorno alle


posizioni reticolari. In meccanica quantistica le vibrazioni
sono quantizzate (fononi). Il trasferimento di energia
dagli elettroni al reticolo chiamato scattering fononico.
scattering da impurezze ionizzate (importante ad elevate
concentrazioni di drogaggio)
scattering da impurezze neutre (trascurabile)
scattering elettrone-elettrone e elettrone-lacuna
(importante ad elevate concentrazioni di portatori)
scattering da difetti cristallini (importatnte in materiali
policristallini)
scattering di superficie (importante in dispositivi tipo
MOS, molto sottili).

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Libero cammino medio

distanza media tra le collisioni = libero cammino medio lm


lm da 10nm a 1 m in Si
vth = velocit termica 107 cm sec a 300 K
105 cm
c 7
1 psec
10 cm sec

La maggior parte dei processi di ricombinazione e


trasporto avvengono su tempi liberi medi (o liberi cammini
medi) molto pi lunghi di 1 psec permette di trattare le
situazioni di non-equilibrio come perturbazioni
dellequilibrio termico

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Moto di trascinamento

applicando un campo elettrico , una forza -q agir


sullelettrone (+q sulla lacuna) nellintervallo di tempo che
intercorre tra due urti
eguagliando limpulso (forza x tempo), acquisito
dallelettrone tra due urti, alla sua quantit di moto
q c
q c = mn vn vn =
da cui vn = n
mn

cm 2
q c
n =
mobilit dell ' elettrone

i
mn
V
sec

analogamente v p = p

moto microscopico
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moto macroscopico

Moto di trascinamento

la mobilit legata direttamente al tempo libero medio tra


collisioni c , che determinato dai vari meccanismi di

scattering

il moto degli elettroni, in media, avviene lungo una direzione


opposta ad (moto di trascinamento drift)

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Mobilit

La relazione lineare tra ed , vale solo per campi


relativamente deboli
Per campi elevati vd vth e vd satura al valore

vsat = velocit limitata dallo scattering


107 cm sec per elettroni in Si
6 106 cm sec per lacune in Si
Il campo critico a cui avviene la saturazione vale
c = 2 104 V cm = 2 V m

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Velocit di saturazione

questo fatto diventa importante con la progressiva


diminuzione di dimensioni dei dispositivi !
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Velocit di saturazione

dipende anche da altri fattori come temperatura


e drogaggio (scattering)
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Trasporto dei portatori

la probabilit di scattering in un intervallo dt vale dt = dt c


se i meccanismi di scattering agiscono indipendentemente
dt = dt i , poich
i

due meccanismi
di scattering:
impurezze T3/2
fononi T-3/2

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si ha

=
i

Effetto del drogaggio su

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Corrente elettrica

sotto lazione del campo elettrico si ha un flusso di


corrente
I n = A qvi = qAnvdn = qAnn
i

analogamente I p = qApvdp = qAp p


I A = J = ( I n + I p ) A = q ( n n + p p )
L V
R= =
poich = V L
A I
1
1
V L
=
=
=
I A q ( n n + p p )

= resistivit (ohmcm)
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= conducibilit (ohm-1cm-1)

Resistivit del silicio

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