Dispositivos Electronicos

Escuela Politcnica Nacional
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

IEE445 Dispositivos Electrnicos

Materia: IEE445 Dispositivos Electrnicos
Profesor: Ricardo LLugsi Caar, Ing. MSc.
Objetivo
Revisar los conceptos abordados hasta la fecha en la materia.
Ricardo LLugsi Caar

Captulo 1: EL DIODO SEMICONDUCTOR
1.1 Estudio de los elementos semiconductores

La mayora de dispositivos electrnicos son fabricados con materiales semiconductores,
conductores y aislantes. El Silicio es el material semiconductor mayormente utilizado para la
implementacin de dispositivos semiconductores y circuitos integrados. Otro tipo de
materiales semiconductores son utilizados para aplicaciones ms especializadas, por ejemplo
el galio arsnico es utilizado para la implementacin de dispositivos de alta velocidad y para
comunicaciones pticas.
Semiconductores intrnsecos
Un tomo est compuesto de: un ncleo (protones + y neutrones) y electrones (-) que giran
alrededor del ncleo del tomo. Los electrones son distribuidos en varias capas ubicadas a
diferentes distancias del ncleo (la energa del electrn aumenta conforme el radio de la
rbita se incrementa). Los electrones en la capa superficial son llamados electrones de
valencia, y la cantidad de estos determina la actividad qumica de un material. Los elementos
en la tabla peridica pueden ser agrupados de acuerdo a la cantidad de electrones de
valencia. En la Tabla. 1 se aprecian los semiconductores ms comnmente utilizados.
Tabla. 1. Elementos ms comnmente usados de la Tabla peridica
El Silicio (Si) y el Germanio (Ge) se encuentran en el grupo IV y son elementos

semiconductores, mientras que el galio arsnico se encuentra en el grupo III y IV,
semiconductores compuestos. En la Fig. 1, se aprecia la interaccin de los tomos con
cuatro electrones de valencia. Ya que los tomos de silicio se aproximan entre s, los
electrones interactan para formar cristales. La estructura final del cristal presenta una
configuracin de tetraedro en la que cada tomo de silicio tiene cuatro vecinos cercanos.
Ricardo LLugsi Caar

Fig. 1. (a) 5 tomos de silicio sin interaccin, cada uno con 4 tomos de valencia, (b) configuracin de
tetraedro, (c) representacin bidimensional de los enlaces covalentes.
Los electrones de valencia son compartidos entre tomos formando enlaces covalentes. El
germanio, galio arsnico y otros materiales semiconductores presentan la misma
configuracin tetradrica. Una propiedad importante de este tipo de enrejado es que los
electrones de valencia estn siempre disponibles en el borde exterior del cristal de silicio de
forma que tomos adicionales pueden ser adheridos para formar largas estructuras de cristal.
(a)
(b)
(c)
Fig. 2. (a) Representacin bidimensional del cristal de silicio a T=0K, (b) ruptura de los enlaces covalentes
para
, (c) representacin bidimensional del cristal de silicio mostrando movimiento de los agujeros
de carga positiva.
Se puede decir que un material aislante presenta un bandgap en el rango de 3 a 6 eV,

mientras que un semiconductor presenta un bandgap en el orden de 1 eV. Un material
conductor presenta un nmero grande de electrones libres a temperatura ambiente.
El flujo neto de electrones libres en un semiconductor produce corriente. Adicionalmente un
electrn de valencia que tiene una cierta energa trmica y es adyacente a un estado vaco
puede moverse a esa posicin. Al realizar este movimiento este electrn aparece como si una
Ricardo LLugsi Caar

carga positiva se moviera a travs del semiconductor. Esta partcula cargada positivamente
es llamada agujero. En un semiconductor dos tipos de partculas contribuyen a la corriente:
el electrn (carga negativa) y el agujero (carga positiva).
La concentracin de electrones y agujeros ( # / cm 3 ) es un parmetro muy importante en las
caractersticas de un material semiconductor debido a que esto influye directamente en la
magnitud de la corriente elctrica. Un conductor intrnseco es un material semiconductor de
cristal sencillo sin otro tipo de tomos dentro del cristal. En un material intrnseco la
densidad de electrones y agujeros es igual. Por lo tanto la notacin ni es la concentracin
intrnseca de portadoras para los electrones libres, as como la cantidad de agujeros:
3
2
ni BT e
Eg
2 KT
Donde B es una constante relacionada al material semiconductor especfico, Eg es la energa

de bandgap (eV), T es la temperatura en K, y k es la constante de Boltzmann
6 eV
86 10
. Los valores de B y Eg para algunos semiconductores estn dados en la
K
Tabla. 2.
Tabla. 2. Constantes de semiconductores
Semiconductores extrnsecos
Debido a que la concentracin de electrones y agujeros en un conductor intrnseco es
relativamente pequea, por lo que solo pequeas corrientes son obtenibles. Sin embargo esta
concentracin puede ser incrementada mediante la adicin de ciertas impurezas. Las
impurezas entran en el cristal y reemplaza uno de los tomos semiconductores (el tomo de
impureza no posee la misma estructura de valencia). Por ejemplo las impurezas que pueden
ser insertadas en el caso del silicio son las que pertenecen al grupo III y V de la tabla de
elementos (ver Tabla. 1).
Ricardo LLugsi Caar

En la Fig. 3, se aprecia una rejilla de Silicio dopada con un tomo de fsforo, el fsforo
presenta 5 electrones de valencia, 4 de ellos satisfacen los requerimientos de covalencia y el
5to electrn (donador de impureza) de valencia tiene la suficiente energa trmica para
romper el enlace por lo que es libre para moverse a travs del cristal y contribuye a la
corriente en el semiconductor. Al proceso anterior se le conoce como dopamiento. Un
semiconductor que contiene tomos donadores de impureza es llamado tipo n (carga
negativa).
Fig. 3. Representacin bidimensional de una rejilla de silicio dopado con un tomo de fsforo.
En el grupo III el elemento ms utilizado para el dopamiento del silicio es el Boro. Cuando
el tomo de Boro reemplaza al tomo de Silicio sus 3 electrones de valencia son utilizados
para satisfacer los requerimientos del enlace de covalencia para 3 de los 4 tomos del silicio
(ver Fig. 4), esto deja un enlace libre, por lo que a temperatura ambiente los electrones de
valencia de silicio adyacentes tienen suficiente energa trmica para moverse dentro de esta
posicin (por lo tanto un agujero ha sido creado). Debido a que el tomo de Boro acepta un
electrn de valencia, el boro es llamado aceptante de impureza. Los tomos aceptantes
conducen a la creacin de agujeros sin que haya electrones generados. Este proceso tambin
es llamado dopaje y es utilizado para controlar la concentracin de agujeros en un
semiconductor. Un semiconductor que contiene tomos aceptantes de impureza es llamado
semiconductor tipo p.
Ricardo LLugsi Caar

Fig. 4. Representacin bidimensional de una rejilla de silicio dopada con un tomo de boro.
Los materiales que contienen tomos de impureza son llamados semiconductores extrnsecos
o semiconductores dopados. El proceso de dopamiento (control del proceso de concentracin
de electrones y agujeros) determina la conductividad y la corriente en el material.
Para el equilibrio trmico (relacin entre agujeros y electrones) en un semiconductor se tiene
que:
n 0 p 0 ni2
Donde n0 es la concentracin de electrones en equilibrio termal, p 0 es la concentracin de

agujeros en equilibrio termal y ni es la concentracin de portadora intrnseca. A temperatura
ambiente (T=300K) cada tomo donador emite un electrn libre para el semiconductor. Si la
concentracin de donadores N d es mucho ms grande que la concentracin intrnseca se
puede aproximar a:
n0 N d
Por lo que la concentracin de agujeros es:

p0
ni2
Nd
Similarmente a temperatura ambiente cada tomo acepta un tomo de valencia creando un

agujero. Si la concentracin de aceptantes N a es mucho ms grande que la concentracin
intrnseca se puede decir que:
Ricardo LLugsi Caar

p0 N a
Por lo que la concentracin de electrones es:

n0
ni2
Na
En un semiconductor tipo n, los electrones son llamados portadores mayoritarios debido a

que ellos son superiores en nmero a los agujeros que son denominados por lo tanto como
portadores minoritarios. En un semiconductor tipo p se tiene el efecto opuesto.
La juntura tipo PN
La verdadera capacidad de un semiconductor ocurre cuando las regiones p y n estn
colocadas adyacentes entre s formando una juntura PN. Es necesario tener siempre en
cuenta que en la mayora de circuitos electrnicos el material semiconductor es simplemente
un cristal con una regin dopada tipo p y una regin dopada adyacente dopada para ser de
tipo n (ver Fig. 5).
Fig. 5. Juntura tipo PN. A la izquierda se aprecia la geometra simplificada de la juntura mientras que a la
derecha se ve el perfil de dopamiento idealmente uniforme.
La interface ubicada en x=0 es denominada juntura metalrgica. Un gradiente de gran

densidad en ambas concentraciones de electrones y agujeros ocurre a lo largo de esta juntura.
Inicialmente existe una difusin de agujeros desde la regin p hacia la regin n, y as mismo,
una difusin de electrones desde la regin n a la regin p. (ver Fig. 6). El flujo de electrones
desde la regin p deja al descubierto iones aceptantes negativamente cargados y el flujo de
electrones desde la regin n deja al descubierto iones donadores cargados positivamente.
Ricardo LLugsi Caar

Fig. 6. A la izquierda difusin inicial de electrones y agujeros en la juntura metlica, estableciendo un

equilibrio termal. A la derecha (a) regin de espacio de carga y campo elctrico, (b) potencial a travs de la
juntura.
La accin antes descrita genera una separacin de carga que establece un campo elctrico
orientado en direccin desde la carga positiva a la negativa.
Si no se aplica voltaje en la juntura, la difusin de agujeros y electrones cesa eventualmente.
La direccin del campo elctrico inducido causar que la fuerza resultante repela la difusin
de agujeros desde la regin p y la difusin de electrones de la regin n. el equilibrio termal
ocurre cuando la fuerza producida por el campo elctrico y la fuerza producida por el
gradiente de densidad se encuentran exactamente balanceados.
La regin de carga positiva y la regin de carga negativa comprenden la regin de espacio de
carga o regin de deplexin, de la juntura PN, en la cual esencialmente no existe
movimiento de electrones o agujeros. Debido al campo elctrico en la regin de espacio de
carga, existe una diferencia de potencial a travs de la regin. Esta diferencia de potencial es
llamada barrera de potencial empotrada o voltaje empotrado y est determinado por:
Vbi
kT N a N d
ln
e ni2
N N
VT ln a 2 d
ni
kT
, k= constante de Boltzman, T= temperatura absoluta, e= magnitud de la
e
carga electrnica, y N a y N d son los aceptantes netos y la concentracin de donadores en
Donde: VT
las regiones p y n respectivamente. El parmetro VT es llamado voltaje trmico y es

aproximadamente VT 0.026V a temperatura ambiente (T=300K).
La diferencia de potencial, o barrera de potencial, a travs de la regin de deplexin no
puede ser medido por un voltmetro porque se generan nuevas barreras de potencial entre las
Ricardo LLugsi Caar

puntas de prueba del voltmetro y el semiconductor cancelndose as el efecto de Vbi . En

esencia el voltaje Vbi se mantiene en equilibrio, por lo que no se genera corriente. Sin
embargo la magnitud de Vbi se vuelve importante cuando se aplica un voltaje de forwardbias.
Reverse-biased en juntura PN
Cuando un voltaje positivo VR es aplicado a la regin n de una juntura PN, como se muestra en
la Fig. 7, se induce un campo elctrico E A en el semiconductor. La direccin de este campo
aplicado es el mismo que el campo elctrico en la regin de deplexin. Debido a que el campo
elctrico en el rea fuera de la regin de deplexin son esencialmente cero la magnitud del
campo elctrico en la regin de deplexin incrementa por sobre el valor del equilibrio trmico.
Este campo elctrico incrementado impide que los agujeros en la regin p y a los electrones en la
regin n, de forma que no existe corriente a travs de la juntura pn. Por definicin la polaridad
del voltaje aplicado se denomina reverse bias.
Fig. 7. Reverse bias en una juntura PN
Cuando el campo elctrico en la regin de deplexin incrementa, el nmero de cargas positivas y

negativas tambin incrementa. Si la concentracin de dopaje no es cambiada, el incremento en la
carga solo ocurre si es que en la zona W de la regin de deplexin incrementa. Un incremento
en el voltaje reverse-bias VR genera un incremento en el ancho W de la regin de deplexin.
En este punto es necesario mencionar que con la aplicacin del voltaje reverse bias y la
existencia de cargas positivas y negativas en la regin de deplexin se genera una capacitancia
de juntura (o capacitancia de capa de deplexin) que puede ser descrita de la siguiente forma:
Ricardo LLugsi Caar

V
C j C j 0 1 R
Vbi
1 / 2
Donde C j 0 es la capacitancia de juntura con voltaje aplicado igual a cero. Estas caractersticas de
capacitancia-voltaje son muy tiles a la hora de trabajar con circuitos resonantes sintonizables
elctricamente. Los diodos que son fabricados especficamente para este propsito son llamados
Diodos Varactores (Oscilador Hartley).
Forward-biased en la juntura PN
Si un voltaje positivo vD es aplicado a la regin p, la barrera de potencial decrece (ver Fig. 8). El
campo elctrico E A inducido por el voltaje aplicado est en direccin opuesta al equilibrio
trmico del campo elctrico de la zona de deplexin.
Fig. 8 forward bias
El resultado de la accin antes mencionada es que el campo elctrico de la zona de deplexin es

menor que el valor de equilibrio. Esto perturba el delicado balance entre la difusin y la fuerza
del campo elctrico. Los electrones (portadores mayoritarios en la regin n) se difunden a la
regin p y lo mismo ocurre con los agujeros (portadores mayoritarios en la regin p) se difunden
en la regin n. ste proceso continua siempre y cuando el voltaje V D sea aplicado por lo que la
corriente se genera dentro del semiconductor.
Este voltaje de polaridad es conocido como forward bias V D debe ser menor que la barrera de
potencial Vbi .
Ricardo LLugsi Caar
10

Relacin ideal de corriente y voltaje
Como se muestra en la Fig. 9, al aplicar voltaje en una juntura PN resulta en una cada de la
concentracin de portadores minoritarios, lo que causa una difusin de corriente. La relacin
terica entre el voltaje y la corriente en la juntura PN est dada por:
vD
nV
i D I S e T 1
El parmetro I S es la corriente de saturacin de reverse bias. Para la juntura PN de silicio,

valores tpicos de I S estn en el rango de 1015 a 1013 A. el parmetro n es usualmente llamado
el coeficiente de emisin o factor de idealidad, este valor est en el rango de 1 n 2 .
Diodo de juntura PN
En la Fig. 9 se aprecia la caracterstica de corriente-voltaje de una juntura de tipo PN. Para el
caso de polarizacin directa la corriente aparece como una funcin exponencial de voltaje. Se
puede decir que una ligera variacin en el voltaje de polarizacin incrementa resulta en una gran
variacin de la corriente de polarizacin.
Ricardo LLugsi Caar
11

Fig. 9. Caracterstica de voltaje-corriente de un diodo para
En la Fig. 10 se aprecia el smbolo del diodo as como la direccin de la corriente y el voltaje de

polaridad. El diodo puede ser considerado como un interruptor que en polarizacin inversa acta
como si el interruptor estuviera abierto mientras que para el caso de la polarizacin directa el
interruptor estara cerrado.
Fig. 10. (a) Representacin del diodo como semiconductor, (b) Smbolo del diodo e identificacin.
Teniendo en cuenta que I S y VT son variables dependientes de la temperatura se puede decir

que las caractersticas del diodo tambin variarn dependiendo de la temperatura (ver Fig. 11).
Ricardo LLugsi Caar
12

Fig. 11. Caracterstica de polarizacin directa vs temperatura
Para el caso del silicio existe una variacin de alrededor de 2 mV/C.
Voltaje de ruptura (breakdown)
Cuando una juntura pn es polarizada inversamente el campo elctrico en la zona de deplexin se

incrementa. En este caso el campo elctrico puede llegar a ser tan grande que los enlaces
covalentes pueden romperse formando pares electrones-agujeros. Los electrones se precipitan a
la regin n y los agujeros a la regin p por el campo elctrico por lo que se genera una corriente
de polarizacin inversa (reverse bias current). Este mecanismo de ruptura se denomina efecto
Zener. El voltaje en el que la ruptura depende de los parmetros de fabricacin del diodo
(usualmente en el rango de 50 a 200 V o superiores). Una juntura de tipo PN usualmente es
valorada en trminos de su voltaje pico inverso (Peak Inverse Voltage, PIV). El PIV de un diodo
nunca debe ser excedido en la operacin de un circuito si se busca evitar la ruptura. Los diodos
Zener son fabricados con voltajes especficos de ruptura y son diseados para operar en la regin
de ruptura.
Ricardo LLugsi Caar
13

Fig. 12. Fenmeno de rectificacin en el diodo. (a) Circuito, (b) seal de entrada sinusoidal, (c) circuito
equivalente para
VI 0 , (d) circuito equivalente para VI 0 ; y, (e) seal de salida rectificada.
1.5 Aplicaciones
1.5.1 Rectificador de media onda y de onda completa tipo puente integrado
Una de las ms importantes aplicaciones de un diodo es la capacidad de rectificacin, es decir,

convertir el voltaje AC en voltaje DC. El sistema de rectificacin es un importante elemento en
toda fuente de alimentacin en cualquier equipo, por lo que, la fiabilidad de la fuente de
alimentacin es una pieza clave en la operacin de dichos equipos. Un rectificador opera
bsicamente en una sola direccin y puede dividirse en dos clases: rectificador de media onda y
rectificador de onda completa.
Rectificador de media onda
En un rectificador de media onda solamente la mitad del ciclo de voltaje es utilizado, mientras
que la otra mitad (generalmente el ciclo negativo) se descarta. Para llevar a cabo este tipo de
rectificacin solo es necesario el uso de un diodo (ver Fig. 13). Durante la operacin de
rectificacin, la mitad del ciclo positivo de la seal sinusoidal hace que el nodo del diodo se
Ricardo LLugsi Caar
14

polarice positivamente en comparacin del ctodo. Se dice entonces que el diodo est polarizado
directamente por lo que la corriente pasa a travs del diodo y el ciclo positivo de la seal de
entrada se reproduce en la resistencia de carga RL. En el caso del ciclo negativo se tiene que la
onda sinusoide polarice negativamente el nodo con respecto al ctodo, lo que implica que el
diodo se polariza de forma inversa por lo que se dice que no existe una corriente atravesando el
diodo ya que el voltaje de salida es cero (tener en cuenta la corriente de polarizacin inversa
(reverse bias current)).
Fig. 13. Rectificacin de media onda
Es necesario decir que en este caso se puede llevar a cabo un anlisis en base a dos modelos:
ideal y de cada de voltaje constante (ver Fig. 14).
Ricardo LLugsi Caar
15

Fig. 14. (a) modelo de diodo ideal, (b) modelo de cada de voltaje constante
Para el caso del modelo de cada de voltaje existe un trmino denominado ngulo de conduccin
C (ver Fig. 14 (b)). El ngulo de conduccin es la parte del ciclo de la seal en el que el diodo
conduce.
En este punto cabe decir que el voltaje DC promedio Vdc (average DC component) est dado por
(ver Fig. 15):
Ricardo LLugsi Caar
16

Fig. 15. Modelo de cada constante de voltaje
Para el caso del modelo de cada constante de voltaje se puede decir que:
El ngulo de conduccin puede definirse como:
Ricardo LLugsi Caar
17

El voltaje DC promedio Vdc es:
Para el caso ideal se tiene que:
Rectificador de media onda con filtro capacitivo
Ricardo LLugsi Caar
18

Con el propsito de encontrar una salida estable para el rectificador de media onda a
continuacin se hace uso de un capacitor conectado en paralelo a la resistencia de carga como se
muestra en la Fig. 16.
Fig. 16. Rectificador de media onda con filtro capacitivo.
La operacin de este circuito puede analizarse considerando la siguiente seal sinusoide (Fig.
17):
Fig. 17. (a) Seal de entrada y salida en el circuito
Para
Se puede decir que el diodo est en estado ON por lo que la corriente fluye hacia R y C, es
decir, C est cargndose con un voltaje igual a:
Para
El diodo pasa a un estado OFF lo que hace que la capacitancia se descargue describiendo la
siguiente ecuacin:
Ricardo LLugsi Caar
19

Fig. 17. (b) Circuito con filtro capacitivo
Rectificador de onda completa
El rectificador de onda completa o puente rectificador es un circuito que busca convertir el

voltaje AC en voltaje DC utilizando ambas mitades de los ciclos de la seal AC. El circuito de
puente rectificador se muestra en la Fig. 18.
Fig. 18. Puente rectificador
Bsicamente este circuito presenta 4 diodos conectados en forma de puente. El voltaje de entrada
AC es aplicado a la diagonal opuesta a los terminales del puente. La resistencia de carga es
conectada entre los otros dos terminales del puente. Para el ciclo positivo de la entrada de voltaje
AC los diodos D1 y D2 conducen la corriente mientras que los diodos D3 y D4 permanecen
inactivos (estado OFF). Los diodos conductores estarn en serie con la carga haciendo que la
corriente fluya a travs de RL. Para el ciclo negativo del voltaje AC de entrada los diodos D3 y
D4 estarn en esta ocasin en serie con la resistencia de carga haciendo que la corriente fluya por
Ricardo LLugsi Caar
20

RL en la misma direccin que el anterior medio ciclo (ver Fig. 19). De esta forma la onda
bidireccional es convertida en una onda unidireccional.
Fig. 19. (a) Operacin del puente rectificador
Fig. 19. (b) Operacin del puente rectificador
En este caso el voltaje DC promedio Vdc es igual a:
Ricardo LLugsi Caar
21

Ejercicio sobre rectificacin
Objetivo del ejercicio: comparar los voltajes y la relacin de transformacin de dos circuitos
rectificadores de onda completa.
Considrese los rectificadores mostrados en la Fig. 20. Asmase que el voltaje de entrada es de
120 V (rms), 60 Hz, que el pico deseado de voltaje es de 9 V y que el voltaje de corte del diodo
es de 0.7V.
Fig. 20. (a) Rectificador con tap central, (b) rectificador con puente de diodos
Solucin:
Para el caso (a) se tiene que el voltaje pico v0 max 9V implica que el valor de v S es:
v S max v0 max V 9V 0.7V 9.7V
Para una onda sinusoidal, se tiene que el valor rms es:

v S ,rms
Ricardo LLugsi Caar
9.7V
6.86V
2
22

La relacin de vueltas del devanado primario en relacin al secundario es por lo tanto:

N1 120V
17.5
N 2 6.86V
PIV v R max 2vS max V 29.7V 0.7V 18.7V
Para el caso (b) se tiene que el voltaje pico v0 max 9V implica que el voltaje del devanado
secundario v S es:
v S max v0 max 2V 9V 20.7 V 10.4V
Para una seal sinusoidal el valor rms es:

vS ,rms
10.4V
7.35V
2
La relacin de vueltas del devanado primario en relacin al secundario es por lo tanto:

N1 120V
16.3
N 2 7.35V
1
PIV v R max v S max V 10.4 0.7V 9.7V
Con el anlisis de este caso se demuestra que el rectificador de puente de diodo presenta ms
ventajas que el rectificador con transformador de tap central. En el caso del rectificador de tap
central se requiere un transformador con el doble de vueltas que en el caso del puente
rectificador esto bsicamente porque solo la mitad del devanado es utilizado en cada ciclo del
rectificador de tap central. Adicionalmente en el caso del rectificador de puente de diodos
solamente se considera la mitad del valor de voltaje de pico inverso obtenido en el caso del
rectificador con tap central para evitar el voltaje de ruptura.
Aplicacin del filtro capacitivo en un rectificador de onda completa
El voltaje pico inverso (PIV) o voltaje inverso mximo (PRV) es el voltaje inverso mximo que ocurre cuando el
pico del ciclo de la seal de entrada aparece (diodo est polarizado inversamente).
Ricardo LLugsi Caar
23

Para este caso se dice que la descarga del capacitor no llega a ser tan dramtica como en el caso
del rectificador de media onda, ver Fig. 21.
Fig. 21. Voltaje de salida para un circuito rectificador de onda completa con filtro capacitivo
Y que para poder llevar a cabo una buena aproximacin, el voltaje de salida, que es el voltaje a
travs del circuito RC puede presentar la siguiente relacin:
vo t VM e
t'
VM e
t'
RC
Donde t ' el periodo de tiempo considerado despus de que la salida ha alcanzado su valor pico, y
RC es la constante de tiempo del circuito. Considerando que el voltaje de salida ms pequeo es:
V L VM e
T'
RC
Donde T ' es el tiempo de descarga.

El voltaje de rizado (ripple) Vr se define como la diferencia entre VM y VL , y es determinado
como sigue a continuacin:
T'
Vr VM VL VM 1 e RC
Normalmente se busca que el tiempo de descarga T ' sea pequeo en comparacin a la constante
de tiempo es decir T ' RC . Expandiendo la exponencial en series y manteniendo los trminos
lineales de la expansin, se tiene que:
Ricardo LLugsi Caar
24

T'
RC
T'
RC
El voltaje de rizado puede ser escrito como:

T'
Vr VM
RC
Ya que el tiempo de descarga T ' depende de la constante de tiempo RC, la ecuacin anterior es
difcil de resolver, sin embargo, el efecto de rizado es pequeo por lo que puede llevar a cabo la
siguiente aproximacin T ' T p de forma que:
Tp
Vr VM
RC
Donde Tp es el tiempo entre los valores pico de la seal de voltaje de salida, para un rectificador
de onda completa Tp es la mitad del periodo de la seal (para un rectificador de media onda Tp
corresponde al periodo completo). Por lo que se puede relacionar a Tp con la frecuencia de
operacin del circuito:
1
2Tp
El voltaje de rizado es entonces:
Vr
VM
2 fRC
Circuitos recortadores (Clippers) y elevadores (Clampers)
A pesar de que la rectificacin es una de las aplicaciones ms conocidas de los diodos, existen
otras aplicaciones que permiten modificar la forma de ciertas seales (ej. sinusoidales) para
obtener una respuesta determinada. Los circuitos que permiten modificar la seal a travs del uso
de diodos se denominan clipping (recorte) y clamping (sujecin o elevacin).
Ricardo LLugsi Caar
25

Clippers
Los circuitos de Clipping (conocidos tambin como: recortadores, limitadores, selectores de
amplitud o rebanadores) son utilizados para remover una cierta parte de la seal por sobre o por
debajo cierto nivel (recordar el circuito rectificador de media y onda completa). Para recortar una
seal con una cierta referencia a cero es necesario agregar una fuente DC en serie a un diodo.
Dependiendo de la direccin del diodo y la polaridad de la batera, el circuito recortar la seal
del diodo en el semi-ciclo positivo o negativo.
Sin considerar una fuente de voltaje el circuito bsicamente implica la conduccin o no de una
seal dependiendo de si est directamente o inversamente polarizado. Es necesario decir que
cuando vi 0 el diodo conduce, en este caso el diodo de la Fig. 1, cortocircuita la salida de
voltaje ( vo 0 ). Cuando vi 0 el diodo no trabaja por lo que el circuito se considera abierto, es
decir el voltaje a travs de la resistencia R es cero y el voltaje de la salida es igual al voltaje de la
entrada v o vi .
Fig. 1. 1er caso de recortador sin fuente
Cuando se agrega una batera en serie con el diodo, ocurre que el diodo no operar en semiciclo
positivo a menos que vi v B (es un diodo polarizado). Esto traslada el nivel de referencia hacia
arriba y corta la seal a v B mientras que en el semiciclo negativo vi v B la seal pasa entera.
Fig. 2. 1er caso de recortador con fuente

Ricardo LLugsi Caar
26

Al invertir el diodo de la posicin descrita en la figura anterior se obtiene que a) en el caso de no

utilizar una batera, la porcin positiva de la onda de entrada pasar completamente mientras que
la negativa ser obviada, b) en el caso de utilizar una fuente de voltaje en serie al diodo se tendr
que el diodo conducir cuando vi v B , esto significa que el nivel de referencia es desplazado a
v B y la seal de entrada solo aparecer a la salida cuando vi v B .
Fig. 3. Desplazamiento de nivel en recortador.
Ahora, en el caso de que el diodo se encuentre en una polarizacin directa pero la polaridad de
la fuente sea cambiada (ver Fig. 4) se obtiene en cambio que la lgica anterior se mantiene pero
est ahora en sentido negativo, es decir, ahora el nivel de referencia es trasladado a v B , es decir
se tendr que v o vi para vi v B .
Fig. 4. Inversin de recorte
Finalmente para el caso en que se invierta la polarizacin de la fuente y el diodo de forma que
sigan una misma polaridad pero inversa al circuito de la Fig. 2, se tiene que el voltaje de
referencia ahora ha sido desplazado a v B , es decir, la seal de salida ser vi siempre y cuando
v i v B .
Ricardo LLugsi Caar
27

Fig. 5. Recorte con diodo y fuente en misma polaridad.
Ejercicios:
(a)
(b)
Fig. 5. Ejercicios de Recortador. (a) Recortador simple, (b) Voltaje de Thevenin.
Circuitos elevadores (Clamper)
Ricardo LLugsi Caar
28

Los circuitos de clamping tambin conocidos como: regeneradores, o elevadores con capacitor,
desplazan la seal de entrada a un nuevo nivel de referencia de voltaje. Mientras que los
recortadores limitan la parte de la seal que alcanza un cierto umbral (referencia de voltaje), en
el caso de los clampers la salida del circuito es la seal de entrada desplazada totalmente hasta
un cierto valor.
Fig. 5. Idea del proceso de elevacin
Teniendo en cuenta el circuito de la Fig. 5, se tiene que si vin v B , entonces el diodo conduce,
por lo que R est en paralelo con un cortocircuito, la corriente fluye a travs del resistor y el
capacitor se carga hasta un voltaje VC v B vin . El voltaje mximo en el capacitor estar
directamente relacionado a la mxima oscilacin de la entrada dada por: VC v m v B . Despus
de que el capacitor est totalmente cargado ste acta como una fuente en serie al circuito
(evidentemente en condiciones adecuadas de la constante de tiempo de carga RC). Despus de
que el proceso de estabilizacin es completado (ver Fig. 6) la salida del voltaje es igual a:
Fig. 6. Estabilizacin en un circuito clamping.
Ricardo LLugsi Caar
29

Nota: Ntese que la Fig. 6, es un ejemplo y no est relacionado con la Fig. 5.
Fig. 7. Voltaje de salida en un circuito clamper
Ejercicios:
Ricardo LLugsi Caar
30

Fig. 5. Ejercicios de sujetador de seales.
Captulo 2: DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES

2.1 Diodo zener
Como se mencion anteriormente el voltaje de polarizacin inversa reverse-bias no puede
incrementarse de forma desmesurada, ya que en cierto punto una ruptura (voltaje de ruptura)
ocurre y la corriente de polarizacin inversa se incrementa rpidamente. La caracterstica de
corriente-voltaje incluyendo la ruptura se muestra en la Fig. 2.1.
Fig. 2.1 Caracterstica de corriente-voltaje (incluyendo efectos de ruptura)
Ricardo LLugsi Caar
31

Un diodo puede ser diseo de forma tal que pueda proveer de un voltaje de ruptura especfico
VZo . Es necesario decir que a pesar de que el voltaje de ruptura aparece con un valor negativo en
la Fig. 2.1, este valor se da como una cantidad positiva.
Existen varias consecuencias que ocurren al alcanzar la ruptura, entre las ms dainas se
encuentran los efectos del calor producidos por el gran flujo de corriente y por lo tanto la falla
del diodo debido a la potencia disipada. Sin embargo los diodos pueden operar en la regin de
ruptura siempre y cuando el diseo de este dispositivo permita limitar la corriente a un valor
sostenible por el diodo. Tal diodo puede ser utilizado como una constante de voltaje de
referencia en un circuito, es decir, el voltaje de ruptura permitir mantener un cierto voltaje
constante para un amplio rango de corriente y temperatura. Este diodo es denominado Zener.
Fig. 2.2. Clarence Melvin Zener
El diodo Zener fue desarrollado por William B. Shockley y otros cientficos en Laboratorios
Bell. El diodo Zener recibe su nombre del efecto descrito por el Dr. Clarence Zener, Fsico
estadounidense que public uno de los ms famosos artculos conocidos en electrnica en 1934
en el que se describe el efecto tnel.
El smbolo del diodo Zener se describe en la Fig. 2.3, el voltaje VZ es el voltaje de ruptura del
Zener, y la corriente I Z es la corriente de polarizacin inversa cuando el diodo est operando en
la regin de ruptura.
Fig. 2.3. Smbolo del diodo Zener.
Problema:
Ricardo LLugsi Caar
32

Considere el circuito de la Fig. 2.4, asuma que el voltaje de ruptura del Zener es VZ 5.6V y que
la resistencia de ste es r 0 . La corriente en el diodo est limitada a 3 mA.
Fig. 2.4 Circuito serie Zener.
Circuitos con diodos Zener

Como se vio anteriormente el voltaje de ruptura del Zener es bsicamente constante sobre un
amplio rango de corriente en polarizacin inversa. Esto hace que el diodo Zener sea muy til a la
hora de pensar en voltajes regulados, o circuitos con voltaje constante. El diodo Zener es parte de
la idea fundamental de fuentes reguladas de voltaje pero en la actualidad existen otro tipo de
diseos que hacen posible la obtencin de voltajes especficos.
En la Fig. 2.5 se aprecia un circuito regulador de voltaje con diodo Zener. En este caso el voltaje
de salida puede permanecer constante, incluso cuando la resistencia de carga y el voltaje de
entrada varen.
Fig. 2.5. Circuito regulador de voltaje con diodo Zener.
En este caso se puede determinar primero la resistencia de entrada Ri . sta resistencia

bsicamente limita la corriente que va a fluir a travs del diodo es decir permite desfogar el
exceso de voltaje entre VPS y VZ , de lo anterior se puede decir que:
Ricardo LLugsi Caar
33

Ri
VPS VZ VPS VZ
II
IZ IL
Ahora asumiendo que la resistencia del Zener es igual a cero (diodo ideal), se obtiene la corriente
del diodo I Z :
IZ
En donde I L
VPS VZ
IL
Ri
VZ
, y las variables son el voltaje de la fuente VPS y la corriente de carga I L .
RL
Para mantener la operacin del diodo (regin de ruptura) y mantener niveles adecuados de
disipacin de potencia es necesario que:
1. La corriente en el diodo sea mnima I Z min cuando la corriente de la carga sea mxima
I L max y el voltaje de la fuente sea mnimo VPS min .
2. La corriente en el diodo sea mxima I Z max cuando la corriente de la carga sea mnima
I L min y el voltaje de la fuente sea mximo VPS max .

Teniendo en mente las anteriores especificaciones se puede decir que:
Ri
VPS min VZ
I Z min I L max
Ri
VPS max VZ
I Z max I L min
Igualando as dos ecuaciones se tiene que:
VPS min VZ I Z max I L min VPS max VZ I Z min I L max

Con el propsito de resolver la anterior expresin se asume que I Z min 0.1I Z max , con lo que se
obtiene que:
I Z max
Ricardo LLugsi Caar
I L max VPS max VZ I L min VPS min VZ

VPS min 0.9VZ 0.1VPS max
34

Utilizando la expresin para mxima corriente obtenida en la relacin anterior se puede

determinar la potencia mxima requerida por el Zener, es decir combinando las ecuaciones antes
mencionadas se puede obtener la resistencia de entrada Ri .
Ejercicio:
Se pretende disear un circuito regulador de voltaje para alimentar a la radio de un automvil
(ver Fig. 2.6) que opera a 9Vdc, desde la batera propia del vehculo que puede variar entre 11 a
13.6V. Se menciona tambin que la corriente en el radio variar entre 0 (off) a 100mA (full
volumen).
Fig. 2.6. Circuito regulador de voltaje para alimentacin de radio en un vehculo.
Resistencia Zener y regulacin porcentual

Hasta el prrafo anterior se asumi que la resistencia del diodo Zener es cero, sta es una
presuncin del caso ideal, sin embargo en la realidad el diodo Zener si presenta una resistencia
interna que da como resultado que el voltaje de salida sea una funcin de la corriente del diodo o
de la corriente de carga del circuito.
En la Fig. 2.7 se muestra el circuito equivalente del regulador de voltaje de la Fig. 2.5. En este
caso se puede apreciar que es debido a la resistencia del Zener que el voltaje de salida mximo
no permanece constante. A pesar de que este valor de voltaje no sea constante de hecho los
valores mnimos y mximos del voltaje de salida se pueden calcular. La figura de mrito en un
regulador de voltaje es denominada porcentaje de regulacin y se define de la siguiente forma:
% Re gulacion
VL max VL min
VL ( no min al )
Donde VL ( no min al ) es el valor nominal de la salida de voltaje. A medida que el porcentaje de

regulacin se acerque a cero por ciento, el circuito se aproxima a un comportamiento de
regulador de voltaje ideal.
Ricardo LLugsi Caar
35

Fig. 2.7. Circuito regulador de voltaje con diodo Zener y resistencia Zener
Ejercicio.
Determinar el porcentaje de regulacin de un regulador de voltaje considerando el circuito
descrito en la Fig. 2.6. Asuma que la resistencia del Zener es rZ 4 . El voltaje de salida
nominal es VL ( no min al ) 9V
Anlisis de junturas p-n para Fuentes pticas
Con el propsito de analizar los efectos pticos en materiales semiconductores, especialmente
los fenmenos producidos en la juntura p-n, es necesario primeramente analizar la estructura de
bandas de energa para semiconductores intrnsecos (ver Fig. 1).
(a)
(b)
Fig. 1. Estructura de bandas de energa para un semiconductor intrnseco a temperaturas sobre el cero absoluto.
(b) Distribucin de probabilidad de Fermi-Dirac correspondiente a (a).
Ricardo LLugsi Caar
36

En la Fig. 1(a) se aprecian que las bandas de valencia y conduccin estn separadas por una
franja de energa o brecha energtica E g cuyo ancho vara dependiendo del material utilizado.
En la Fig. 1(a) se aprecia el paso de los electrones desde la banda de valencia a la banda de
conduccin (proceso de excitacin trmica sobre el cero absoluto). El movimiento de los
electrones descrito anteriormente deja agujeros o huecos en la banda de valencia. Estos
electrones trmicamente excitados en la banda de conduccin y los agujeros dejados en la banda
de valencia permiten la conduccin a travs del semiconductor. Dependiendo del semiconductor
utilizado se podr decir que uno de los dos: electrones o agujeros son los portadores mayoritarios
o minoritarios.
Para un semiconductor en equilibrio trmico la ocupacin del nivel de energa es descrito con la
funcin de de distribucin de Fermi-Dirac. Consecuentemente la probabilidad PE de que un
electrn gane suficiente energa trmica a una temperatura absoluta T, de forma tal que se pueda
encontrar a este electrn ocupando un nivel de energa E en particular, est dado por la
distribucin de Fermi-Dirac:
PE
1
1 e
E EF
KT
(1.1)
Donde:
K:
Constante de Boltzmann
EF :
Energa de Fermi o nivel de Fermi2.
En la Fig. 1(b) se aprecia que para un semiconductor intrnseco la energa de Fermi se encuentra
al centro de la brecha energtica, esto indica que hay una pequea probabilidad de que existan
electrones ocupando niveles de energa al fondo de la banda de conduccin y lo mismo para los
agujeros con respecto a la banda de valencia.
Para el caso de los semiconductores extrnsecos se tiene un proceso de dopamiento que
bsicamente consiste en la adicin de impurezas (otro tipo de material) en el semiconductor. Si
se tienen ms electrones libres se dice que existe un donante de impureza, mientras que, si existe
una mayor cantidad de agujeros se tiene un aceptante de impurezas (ver Fig. 2).
La Energa de Fermi recibe su nombre del fsico Enrico Fermi y permite describir el principio de exclusin de
Pauli (dos fermiones (electrones) no pueden ocupar simultneamente el mismo estado cuntico), es decir, permite
entender por qu cuando un sistema posee varios electrones, estos ocupan niveles de energa mayores a medida que
los niveles inferiores de energa se van llenando.
Ricardo LLugsi Caar
37

(a)
(b)
Fig. 2. Diagrama de banda de energa: (a) semiconductor tipo-n, (b) semiconductor tipo-p
En la Fig. 2, se aprecia que para el caso de los donadores de impureza los niveles de energa
formados estn debajo de la banda de conduccin, mientras que, para el caso de los aceptantes de
impureza los niveles de energa estn sobre la banda de valencia.
Cuando los donadores de impureza son agregados al semiconductor, los electrones excitados son
elevados desde los niveles del donador a la banda de conduccin para crear un exceso de
portadores de carga negativa por lo que se dice que este semiconductor es de tipo-n (siendo
entonces los electrones los portadores mayoritarios). Se dice tambin para el caso anterior que la
energa de Fermi es elevada por sobre la posicin del centro de la brecha energtica E g .
Cuando los aceptantes de impureza son agregados, los electrones trmicamente excitados son
elevados de la banda de valencia al nivel del aceptante de impurezas dejando un exceso de
portadores de carga positiva en la banda de valencia y creando as un semiconductor tipo-p
(siendo entonces los agujeros los portadores mayoritarios). Para el caso anterior se dice que la
energa de Fermi est por debajo del centro de la brecha energtica E g .
Un diodo de juntura p-n se forma con la unin de semiconductores tipo-p y tipo-n contiguos,
actuando como un solo cristal (ver Fig. 3(a)). Es as que una delgada regin de deplexin o capa
es formada en la juntura de los dos semiconductores, esto debido bsicamente a que existe una
recombinacin de portadoras que deja libre de cargas mviles (electrones y agujeros) a esa rea.
La discusin anterior desemboca en que se establece una barrera de potencial entre las regiones
tipo-p y tipo-n lo cual restringe la inter-difusin de portadoras mayoritarias desde sus respectivas
regiones (ver Fig. 3(b)). En la ausencia de un voltaje externo aplicado al diodo no existe flujo de
corriente ya que la barrera de potencial no permite un flujo de portadores de una regin a otra.
Cuando la juntura est en equilibrio la energa de Fermi para los semiconductores tipo-p y tipo-n
es el mismo como se muestra en la Fig. 3(b).
Ricardo LLugsi Caar
38

Fig. 3. (a) Portadores de impurezas y carga en la juntura p-n, (b) Diagrama de energa correspondiente a (a).
El ancho de la regin de deplexin y as la magnitud de la barrera de potencial es dependiente de

la concentracin de portadora (dopaje) en las regiones p y n, y, del voltaje externo aplicado al
diodo. Cuando un voltaje positivo es aplicado a la regin tipo-p con respecto a la regin tipo-n,
tanto la zona de deplexin como la barrera de potencial resultante se reducen y se dice que el
diodo est directamente polarizado, es decir. Los electrones de la regin tipo-n y los agujeros de
la regin tipo-p pueden fluir fcilmente a travs de la juntura hacia la regin opuesta.
Curiosamente esta recombinacin de electrones y agujeros produce luz en el semiconductor.
Emisin espontnea de luz
El incremento en la concentracin de portadores minoritarios en la regin opuesta, en
polarizacin directa, conduce a que en el diodo p-n se recombinen portadoras a travs de la
brecha de energa. Este proceso es mostrado en la Fig. 4, en donde un semiconductor con una
brecha de energa directa (momentum del electrn), que puede normalmente carecer de
electrones en la banda de conduccin de un material tipo-p, o que, normalmente puede carecer de
agujeros en la banda de valencia del material tipo-n es poblada gracias a la inyeccin de
portadoras que se recombinan por toda la brecha de energa. La energa liberada por la
recombinacin de electrones y agujeros es aproximadamente igual a la brecha de energa E g .
Ricardo LLugsi Caar
39

Fig. 4 (a). Juntura p-n con polarizacin directa produciendo emisin espontnea de fotones
Fig. 4 (b). Juntura p-n con polarizacin directa produciendo emisin espontnea de fotones
El exceso de portadoras generadas es por lo tanto reducido mediante la recombinacin,

mencionada anteriormente, en la brecha de energa. Es necesario tener en cuenta en este punto
que la recombinacin antes mencionada puede ser radiativo o no radiativo.
En el caso de recombinacin no radiativa la energa liberada es disipada en forma de vibraciones
que generan calor, mientras que, la recombinacin radiativa desemboca en la creacin de un
fotn, cuya frecuencia obedece a la relacin matemtica descrita en la ecuacin 1.2, donde la
energa es aproximadamente igual a la energa de la brecha energtica.
E g hf
hc
(1.2)
Donde:
c:
Velocidad de la luz en el vaco
Ricardo LLugsi Caar
40

Longitud de onda
h:
Constante de Planck
f :
Frecuencia de la seal
Substituyendo apropiadamente los valores de h y c, en la ecuacin 1.2, se puede decir que:
1.24
Eg
(1.3)
Donde est descrita en m y E g en eV.

La emisin espontnea de luz descrita anteriormente es conocida como electroluminiscencia.
Cabe destacar que la luz es emitida en la posicin en que la recombinacin de portadores toma
lugar, en principio en la juntura del diodo, aunque la recombinacin puede ocurrir en cualquier
parte a lo largo del diodo (portadoras difusas) ver Fig. 5. Es necesario decir en este punto
tambin que: la cantidad de radiacin de luz, la recombinacin y el rea de emisin dentro de la
estructura del diodo es dependiente del material semiconductor y la fabricacin del dispositivo.
Fig. 5. Ilustracin de la recombinacin de portadoras que dan lugar a la emisin espontnea de luz en la juntura
p-n del diodo.
El lser
Ricardo LLugsi Caar
41

Con el propsito de analizar el comportamiento de los semiconductores a la hora de analizar la

generacin de luz, es necesario conocer ciertos parmetros que van relacionados con el tipo de
semiconductor y la brecha de energa resultante (ver Tabla 1).
Tabla 1. Semiconductores con brecha de energa directa e indirecta.
Es necesario destacar que la brecha de energa puede ser directa o indirecta, es decir depende del
momentum de energa en el semiconductor y consecuentemente el tipo de transicin que se
tenga.
(a)
(b)
Fig. 1. Diagramas de momentum de energa mostrando el tipo de transicin: (a) semiconductor con brecha de
energa directa, b) semiconductor con brecha de energa indirecta.
El concepto de emisin espontnea (revisado anteriormente) puede ser extendido a emisin

estimulada va populacin inversa. Este concepto se explica teniendo en cuenta: 1) la
Ricardo LLugsi Caar
42

probabilidad de que un rayo de luz emitido espontneamente choque con una partcula3 no
excitada; y, 2) el nmero de partculas no excitadas por unidad de volumen del medio (el mismo
tipo de relacin mencionado anteriormente existe para el caso de partculas ya excitadas).
Cuando el nmero de partculas excitadas por unidad de volumen exceden al nmero de
partculas no excitadas, la posibilidad de amplificacin del rayo reflejado es mayor por lo que se
menciona que el semiconductor ha vencido sus prdidas (atenuacin), comenzando as una
emisin estimulada sostenida.
Por lo tanto, la condicin necesaria para que exista una emisin sostenida en un lser, es que
exista un sistema de bombeo de energa que permita tener un supervit de partculas en el
semiconductor. A esta condicin se la conoce como poblacin inversa.
La poblacin inversa puede ser obtenida en una juntura tipo p-n mediante un dopaje pesado
(conocido como dopaje degenerativo) en ambos materiales. El dopaje pesado en el material tipop con aceptantes de impurezas provoca un nivel bajo de energa de Fermi o un lmite entre los
estados de energa llenos o vacos dentro de la banda de valencia. Similarmente el dopaje
degenerativo de tipo-n provoca un nivel de energa de Fermi para entrar en la banda de
conduccin del material (ver Fig. 2).
Existen tres partculas que pueden recombinarse para producir luz: el electrn, el hueco y los fonones.
Ricardo LLugsi Caar
43

Fig. 2. Juntura degenerada p-n: (a) Sin voltaje de polarizacin, (b) con voltaje de polarizacin directo.
Cuando existe un voltaje de polarizacin directo adecuado se tiene que la separacin de los
niveles de Fermi es ms grande que la energa de recombinacin electrn-agujero hf en la regin
activa, de esta forma la emisin estimulada es obtenida en esta rea.
En este tipo de semiconductor se tiene una regin activa (que se produce al inyectar una alta
densidad de portadoras) cerca de la zona de deplexin que contiene electrones y agujeros
(poblacin degenerada producida por el dopaje). Para esta regin la condicin de emisin
estimulada de la ecuacin 1.1 es satisfecha por la radiacin electromagntica de frecuencia
Eg
E E Fv
f Fc
. Por lo tanto cualquier radiacin de esta frecuencia es confinada en la
h
h
regin activa para entonces ser amplificada. En general el dopaje degenerativo es el que
diferencia una juntura tipo p-n que puede proveer emisin estimulada de una que solo provee
emisin espontnea (LED).
E g hf
hc
(1.1)
Es necesario decir que la concentracin de impurezas dentro de un semiconductor provoca

diferencias en las bandas de energa algo muy diferente a lo que ocurre en un semiconductor
intrnseco. Por ejemplo para una alta concentracin de donadores (nivel de energa) en el galio
arsnico, el nivel del donador de impureza forma una banda que se funde en la banda de
conduccin. Estos estados de energa a veces denominados como estados de banda de cola (band
tail) se extienden hasta por dentro de la brecha de energa. La transicin de lser4 puede tener
lugar en una de estas etapas. Ms an la transicin puede terminar en alguno de los estados del
aceptante, que debido a su alta concentracin tambin se extiende como una banda dentro de la
brecha de energa. De esta forma las transiciones lser pueden ocurrir a niveles de energa
menores que la brecha de energa E g . Cuando las transiciones de este tipo son dominantes el
pico de energa de la generacin lser es menor que la banda de energa. As la longitud de
energa de lser puede variar dentro del semiconductor electroluminiscente utilizado para
fabricar la juntura lser a travs de la variacin de la concentracin de impurezas. Por ejemplo la
longitud de onda del galio arsnico puede variar entre 0.85 y 0.95 m , a pesar de que el mejor
desempeo se obtiene usualmente en la banda de 0.88 a 0.91 m . Sin embargo es necesario
4
Despus de que los electrones colisionan entre s (despus de la aplicacin de un campo elctrico) se produce la
emisin del lser. Al producirse el fenmeno anterior se obtiene que los tomos son excitados pasando del estado
fundamental al excitado, subiendo a otros niveles (con un mayor de tomos excitados se tienen mayor nmero de
colisiones). La transicin entre niveles de energa descritos anteriormente se denominan transicin lser.
Ricardo LLugsi Caar
44

considerar adicionalmente una realimentacin ptica para permitir una oscilacin de lser.
Usualmente esta realimentacin se consigue implementando una cavidad ptica (Fabry-Prot),
ver Fig. 3, sta estructura se obtiene puliendo las caras de la juntura del diodo para que stas
acten como espejos, cada borde de la juntura es pulido o rajado y los lados son dejados speros
para prevenir la emisin de luz no deseada y de esta forma evitar el desperdicio de inversin de
poblacin.
Fig. 3(a). Diagrama esquemtico de un laser de inyeccin de homojuntura GaAS con una cavidad Fabry-Prot.
Fig. 3(b). Representacin esquemtica de un lser de inyeccin de AlGaAs.
En este punto se puede mencionar que para estructuras altamente confinadas la densidad de
corriente de umbral con la que se produce emisin estimulada J th puede ser relacionada al
coeficiente de ganancia de umbral g th (ver Fig. 4) a travs de la relacin:
g th J th
Ricardo LLugsi Caar
(1.2)
45

Donde:
Constante especfica para cada dispositivo.
La densidad de corriente de umbral puede ser descrita como sigue:

J th
1
1 1
ln

2 L r1 r2
(1.3)
Una vez conseguida la densidad de corriente de umbral la corriente de umbral puede ser definida
como:
I th J th A
(1.4)
Siendo A el rea de la cavidad ptica.
Fig. 4. Caracterstica ideal de corriente vs salida de luz para un lser de inyeccin (injection laser)
Ya que para un semiconductor los espejos son formados por un plano dielctrico y no tienen
recubrimiento, las reflectividades de los espejos r1 y r2 pueden ser calculadas utilizando las
relaciones de reflexin de Fresnel.
n 1
r1 r2 r
n 1
(1.5)
Materiales semiconductores
Los materiales semiconductores utilizados para fuentes pticas suelen cumplir con varios
criterios entre los cuales se pueden mencionar las siguientes:
Ricardo LLugsi Caar
46

1. Formacin de la juntura p-n: Los materiales deberan permitir por s mismo la formacin
de junturas p-n con caractersticas adecuadas para la inyeccin de portadoras.
2. Electroluminiscencia eficiente: Los dispositivos fabricados deben tener una alta
probabilidad de transiciones radiativas y por lo tanto una alta eficiencia cuntica interna.
De esta forma los materiales utilizados deberan ser materiales con brechas de energa
directas o indirectas con centros de impureza apropiados.
3. Emisin de longitudes de onda tiles: Los materiales deben emitir luz en una longitud de
onda til para ser utilizadas en fibras pticas y detectores (0.8 a 1.7 m ). Idealmente
estos materiales deben permitir una variacin de brecha de energa con un dopaje
apropiado y fabricacin con el propsito de que la emisin pueda ser conseguida a una
longitud de onda especfica.
Investigaciones iniciales de materiales de electroluminiscencia para LEDs en los 60s se centr en
la brecha de energa directa con aleaciones de semiconductores que incluan compuestos como:
Galio arsnico (GaAS) y fosfuro de galio (GaP) y el Fosfuro de galio y arsnico ( GaAs x P1 x ). El
Galio arsnico otorga una electroluminiscencia eficiente sobre una banda de longitud de onda
(0.88 a 0.91 m ) y fue el primer material utilizado para implementar lsers a baja temperatura
para la primera generacin de sistemas de comunicaciones de fibra ptica.
Tabla 2. Sistemas de materiales comnmente utilizados en la fabricacin de fuentes electroluminiscentes para
sistemas de fibra ptica.
Eficiencia
Un definicin til de eficiencia es la eficiencia cuntica diferencial externa nD la cul es la
relacin entre la tasa de salida de fotones dada un incremento en el nmero de electrones
inyectados. Si Pe es la potencia ptica emitida desde el dispositivo, I es la corriente, e es la carga
del electrn y hf es la energa del fotn, por lo que:
Ricardo LLugsi Caar
47

Pe
dPe
hf
nD
I
dI E g
d
e
d
(1.6)
Donde E g es la brecha de energa expresada en eV. Ya que nD es muchas veces referida como
la envolvente de la eficiencia cuntica, para un lser semiconductor ste usualmente presenta un
valor en el rango de 40% al 60%. Adicionalmente la eficiencia cuntica interna de un lser
semiconductor ni , definida como el nmero de fotones producidos en la cavidad del lser para el
nmero de electrones inyectados, puede ser relativamente alta, ubicndose en el rango de 50% a
100%.
ni
# fotones _ producidos
# electrones _ inyectados
(1.7)
La eficiencia cuntica interna est relacionada con la eficiencia cuntica externa de la siguiente
forma:
n D ni
1
2 L
1
1
ln
r1 r2
(1.8)
Donde:
Coeficiente de prdida de la cavidad del lser.
L:
Longitud de la cavidad del lser.
r1 , r2 : Reflectividad de los espejos.

En este punto es necesario hablar de la eficiencia total (eficiencia cuntica externa) nT :
Pe
P
# fotones _ salida
hf
nT
e
I
IE g
# electrones _ inyectados
e
Ricardo LLugsi Caar
(1.9)
48

Ya que la potencia emitida Pe cambia linealmente cuando la corriente inyectada I es ms grande

que la corriente de umbral I th , entonces:
I
nT n D 1 th
I
(1.10)
La eficiencia de potencia externa que un dispositivo (o eficiencia del dispositivo) n ep , tiene para
convertir la seal elctrica en seal ptica est dada por:
nep
Pe
P
100 e 100%
P
IV
(1.11)
Donde P=IV es la potencia de entrada elctrica

Finalmente teniendo en cuenta la ecuacin 1.9, la eficiencia total puede ser escrita como sigue:
nep nT
Eg
V
100%
(1.12)
Filtros
Introduccin
Un filtro es un circuito (o una red de elementos) que permite aislar o eliminar a la salida del
circuito una parte del espectro de frecuencias que se ingresan al mismo (ver Fig. 1). Al tener en
cuenta lo anterior se puede decir que dicho circuito puede ser caracterizado con una funcin de
V
transferencia de voltaje H v j o , ya que H v j es un valor complejo ste presenta una
Vi
magnitud y una fase, es por esto que los filtros adems de presentar un cambio en el espectro de
frecuencias tambin presentan una diferencia de fase entre las seales de entrada y salida del
filtro. Ahora con el propsito de facilitar en anlisis de los filtros, a continuacin se hace uso de
la funcin de transferencia de lazo abierto (Open loop), H vo , que simplemente se denota como
H . Al utilizar la funcin de transferencia se tiene que la salida del circuito ser determinada
por:
y H x
Ricardo LLugsi Caar
(1.1)
49

Fig. 1. Funcin de transferencia
A manera de comentario se puede decir que considerando que la salida de un circuito est
determinada por la funcin de transferencia del mismo, se puede decir que por lo tanto una
configuracin en cascada tambin permitir modificar la salida total de un sistema.
Tipos de filtros:
Considerando la respuesta en frecuencia que tenga un filtro se puede decir que existen 4 tipos:
pasa-bajo, pasa-alta, pasa-banda y rechaza banda. Adicionalmente considerando la tcnica de
implementacin del filtro se puede decir tambin que existen 3 tipos de filtros: pasivos, activos y
digitales.
Clasificacin de filtros considerando la respuesta en frecuencia

Filtros Pasa-bajos
Este tipo de filtros presenta la respuesta en frecuencia mostrada en la Fig. 2.
(a)
(b)
Fig. 2. Respuesta de frecuencia del Filtro pasa-bajos: a) ideal, b) real
Se puede decir por lo tanto que: modH 1 si C y modH 0 si C . La

frecuencia a la cual el filtro no deja pasar ms componentes de frecuencia se denomina
frecuencia de corte (cut-off frequency).
Ricardo LLugsi Caar
50

Filtro Pasa-altos
(a)
(b)
Fig. 3. Respuesta de frecuencia del Filtro pasa-altos: a) ideal, b) real
Para este tipo de filtro se puede decir por lo tanto que: modH 0 si C y
modH 1 si C .
Filtros Pasa-banda
(a)
(b)
Fig. 4. Respuesta de frecuencia del Filtro pasa-banda: a) ideal, b) real
Para este tipo de filtro se puede decir por lo tanto que: modH 1 si C1 C 2 y
modH 0 si C1 y C 2 .
Ricardo LLugsi Caar
51

Filtros Rechaza-banda
(a)
(b)
Fig. 5. Respuesta de frecuencia del Filtro rechaza banda: a) ideal, b) real
Para este tipo de filtro se puede decir por lo tanto que: modH 0 si C1 C 2 y
modH 1 si C1 y C 2 . Se puede mencionar que los filtros pasa-bajos y pasa-altos
son de gran utilidad ya que a partir de estos dos los filtros pasa-banda y rechaza-banda pueden
ser implementados, ver Fig. 6.
Fig. 6. Implementacin de filtro pasa-banda con un filtro pasa-altas y un filtro pasa-bajos conectados en serie.
En el caso de la Fig. 6, se tiene que la funcin de transferencia H Total total que es el producto
de las funciones de transferencia correspondientes a cada filtro conectado en serie.
Ricardo LLugsi Caar
52

H Total H pasa altas * H pasa bajos
(1.2)
Al inspeccionar nuevamente la Fig. 6, se puede mencionar que mientras ms se acerque la

respuesta real del filtro a la respuesta ideal, el comportamiento del mismo ser mejor. Para
conseguir esto el orden5 del filtro resulta ser alto y por lo tanto ms difcil de realizar en la parte
analgica. Una forma de compensar el problema de tener filtros con un orden alto es el uso de
filtros con un orden bajo conectados en cascada (serie).
En la prctica los lmites que delimitan las frecuencias de corte de los filtros no son
puntualmente determinables ya que H vara continuamente desde su valor mximo hasta
cero. Es por eso que la frecuencia de corte se determina considerando los puntos de media
potencia (-3dB), ver Fig. 7.
Fig. 7. Determinacin de la frecuencia de corte en la prctica
Por lo tanto se puede decir que los puntos de corte se localizan cuando la magnitud de H es
reducida a
1
0.7 de su mximo valor.
2
Clasificacin de filtros considerando la tcnica de implementacin
Filtros pasivos
En este tipo de filtros se hace uso de componentes bsicos de electrnica como son: resistores,
capacitores e inductancias (bobinas).
El orden del filtro representa el grado del polinomio de la funcin de transferencia que caracteriza al filtro.
Ricardo LLugsi Caar
53

Filtros RL pasa-bajos (sin carga)

En la Fig. 8, se aprecia un circuito RL que acta como filtro pasa-bajos.
Fig. 8. Circuito RL, filtro pasa-bajos
Para el caso en el que no existe impedancia de carga (funcin de transferencia en lazo abierto),
Vo puede ser encontrado considerando la frmula del divisor de voltaje de la siguiente manera:
Vo
R
Vi
R j L
(1.3)
De aqu se tiene que:
H j
Vo
R
Vi R jL
1
1 j
(1.4)
Por lo que se puede decir que:

H j
1
L
1
(1.5)
En la ecuacin 1.5 se aprecia claramente que H j es mximo cuando el denominador es lo

ms pequeo, es decir 0 , y H j se reduce cuando aumenta. Por lo tanto es claro que
el circuito solo deja pasar las componentes bajas de frecuencia y bloquea las componentes de
alta frecuencia.
Nota: Las componentes de baja y alta frecuencia se definen desde la frecuencia de corte del
filtro.
Ricardo LLugsi Caar
54

Para encontrar la frecuencia de corte en este caso es necesario notar que H j max 1 ocurre
cuando 0 , o alternativamente
d H j
d
maximiza, con lo que se obtiene lo siguiente:
0 para encontrar 0 con lo que H j se
H j max 1
H j c
(1.6)
1
1
H j max
2
2
1
L
1 C
R
(1.7)
1
2
L
1 C 2
R
2
C L
R
Por lo que:
R
L
H j
1
(1.8)
1
j
(1.9)
La impedancia de entrada del circuito es igual a:
Zi
Vi
jL R
Ii
(1.10)
Es necesario mencionar que la impedancia de entrada del circuito depende de la frecuencia .

Por motivos de acoplamiento (impedancia de entrada del filtro sea mayor que la impedancia de
las etapas previas al filtro) se hace que Z i min R . Con esto se garantiza un adecuado voltaje de
acoplamiento para todas las frecuencias (o para todos los posibles valores de Z i ).
Ricardo LLugsi Caar
55

La impedancia de salida se obtiene omitiendo la fuente y encontrando la impedancia equivalente

del circuito:
Z o jL || R
(1.11)
De igual forma que en el caso anterior se analizan ciertas condiciones para acoplamiento, pero en
este caso impedancia de salida debe ser mucho menor que la impedancia de entrada de la
siguiente etapa al filtro. Para que lo anterior se cumpla se debe hacer que Z i max R .
Filtro pasa-bajos RL (con carga)

Los parmetros de un filtro RL con carga puede ser encontrados como se lo hizo en el caso del
filtro pasa-bajos RC.
Funcin de transferencia de Voltaje:
H j
En donde: C
Vo
Vi
1
j
(1.12)
R || R L
L
Para el caso de las impedancias se tiene que:

Z i jL R || R L con Z i
Z o jL || R con Z o
min
max
R || RL
R
(1.13)
(1.14)
En este caso el impacto de agregar la carga al circuito consiste en el traslado de la frecuencia de

corte a valores ms bajos. La ganancia del filtro no es afectada. Al tener R Z o o
RL Z o
max
R se tiene que el filtro se comporta igual que un filtro sin carga.
Decibeles y ploteo de Bode
Ricardo LLugsi Caar
56

El uso de decibelios se debe a que histricamente los equipos de audio responden a la variacin
de amplitud de una seal de forma logartmica. De hecho en la parte de audio el sonido que
aparece como doblemente ms fuerte en realidad implica 10 veces la potencia utilizada.
Vo
Vi
20 log10
dB
Vo
Vi
(1.15)
Otra razn se debe a que en casos de conexiones en cascada, el uso de decibeles para realizar
operaciones suma de funciones de transferencia, facilita en gran forma la obtencin de la
respuesta en frecuencia global de un sistema.
H T j H 1 j H 2 j ...
20 log10 H T j 20 log10 H 1 j 20 log10 H 2 j ...
H T j dB H 1 j dB H 2 j dB ...
(1.16)
(1.17)
(1.18)
Finalmente al utilizar decibeles se tiene que las curvas obtenidas son ms fciles de analizar ya
que las asntotas son graficadas ms suavemente.
Los diagramas de Bode son grficos que analizan la magnitud y la fase de la funcin de
transferencia de un sistema (en este caso del filtro), ver Fig. 9.
Ricardo LLugsi Caar
57

Fig. 9. Diagramas de Bode. Magnitud y fase de
H j .
Filtro pasa-bajos General de primer orden

El caso analizado anteriormente es parte de una familia de filtros pasa-bajos de primer orden6. En
general la funcin de transferencia de un filtro pasa-bajo de primer orden puede describirse de la
siguiente forma:
H j
K
j
1
(1.19)
El mximo valor de H j K es denominado ganancia de filtro. Ntese que el exponente de
en el denominador es +1 de forma que H j decrece con la frecuencia (es decir se tiene un

filtro pasa-bajos):
H j
H j
Para el filtro RL con K=1 se tiene que C
K

1
C

tan 1
K
C
K
(1.20)
(1.21)
R
, por el contrario si K es negativo, se tiene un
L
desplazamiento de fase de 180.
Filtro pasa-bajos RC (sin carga)
Primer orden significa que
Ricardo LLugsi Caar
aparece en el denominador con un exponente de 1 o -1.

58

Fig. 10. Filtro RC pasa-bajos
En la Fig. 10 se aprecia un circuito serie RC que acta como filtro pasa-bajos. Considerando la
funcin de transferencia de lazo abierto se tiene que:
1
1
j C
(1.22)
Vo
Vi
Vi
1
1 jRC
R
j C
H j
1
1 jRC
(1.23)
Al analizar la estructura de la funcin de transferencia del filtro se tiene que sta obedece al caso
1
general del filtro pasa-bajos de primer orden. Es decir en este caso K=1 y C
.
RC
Como en el caso de los filtros RL, la impedancia de entrada y salida obedecen a ciertas
condiciones que se describen a continuacin:
Zi R
1
con Z i
j C
Z o R ||
1
con Z o
j C
min
max
(1.24)
(1.25)
Filtros RC pasa-bajos (con carga)

En la Fig. 11, se aprecia un circuito RL con carga que acta como filtro pasa-bajos.
Ricardo LLugsi Caar
59

Fig. 11. Filtro pasa-bajos con carga
En este caso la funcin de transferencia puede describirse de la siguiente forma:

1
R'
|| RL
V0
j C
R
H j
Vi
1
1 j R ' C
R
|| R L
j C
(1.26)
Siendo R' R || RL
La frecuencia de corte se define como sigue:
1
1
R ' C R || R L C
R'
H j R
j
1
(1.27)
(1.28)
Del anlisis anterior se puede concluir que al agregar la carga al circuito la ganancia del filtro se
R'
reduce ya que K 1 y adicionalmente la frecuencia de corte se traslada a una frecuencia
R
ms alta ya que R' R || RL R .
La impedancia de entrada y salida se definen como sigue:
Zi R
Ricardo LLugsi Caar
j C
|| RL con Z i
min
(1.29)
60

Z o R ||
H j
con Z o
j C
ZL
H o j
ZL Zo
max
RL
R L R ||
1
1 jRC
(1.30)
(1.31)
j C
Del proceso anterior se puede concluir finalmente que mientras R L Z o o RL Z o
max
R,
entonces R ' R por lo que el filtro RC con carga se describe exactamente como un filtro sin
carga.
Filtro pasa-altos de primer orden

En general la funcin de transferencia de voltaje de un filtro pasa-altos de primer orden tiene la
siguiente forma:
H j
1
K
j C
(1.32)
Ntese que el exponente de en el denominador es -1 por lo que H j es constante para

altas frecuencias. El mximo valor de H j K se denomina ganancia de filtro.
H j
H j
Ricardo LLugsi Caar

1 C

tan 1 C
K

K
(1.33)
(1.34)
61

Fig. 12. Diagrama de Bode de un filtro pasa-altos de primer orden con K=1.
Filtros pasa-altos RC
Para el caso de los filtros pasa-altos RC se tiene que:
H j
Vo
Vi
R
R
1
j C
j
RC
Es necesario notar que para el filtro descrito anteriormente se tiene que: K 1 y C
Ricardo LLugsi Caar
Zi R
1
con Z i
j C
Z o R ||
1
con Z o
j C
min
max
(1.35)
1
.
RC
(1.36)
(1.37)
62

Filtros pasa-altos RL
Para el caso de los filtros pasa-altos RL se tiene que:
H j
1
1
j C
(1.38)
Es necesario notar que para el filtro descrito anteriormente se tiene que C

Z i R jL con Z i
min
Z o R || jL con Z o
max
R
.
L
(1.39)
(1.40)
Filtro pasa-banda de segundo orden

Un filtro pasa-banda permite el paso de un cierto rango de frecuencias que tiene las siguientes
propiedades:
l :
Frecuencia de corte baja.
u :
Frecuencia de corte alta.
0 l u :
Frecuencia central.
B u l :
Ancho de banda.
0
B
Factor de calidad.
Fig. 13. Filtro Pasa-banda

Ricardo LLugsi Caar
63

Bsicamente un filtro pasa-banda de segundo orden incluye dos etapas de almacenamiento (dos
capacitores, dos inductores o uno de cada uno). La funcin de transferencia para un filtro pasabanda de segundo orden puede ser descrito como sigue:
H j
H j
0
1 Q 2
H j
El valor mximo de voltaje de H j C
(1.41)
1 jQ
0
(1.42)
tan 1 Q
K
0
K
1
H j max
2
2
Q C 0
0 C
2
(1.43)

1 Q C 0
0 C

Q C 0 1
0 C
C2 02
C 0
Q
(1.44)
Teniendo en cuenta que la ecuacin anterior es una combinacin de dos ecuaciones cuadrticas
se tiene que:
l 0 1
Ricardo LLugsi Caar
1
0
2
2Q
4Q
(1.45)
64

u 0 1
1
0
2
2Q
4Q
(1.46)
Fig. 14. Diagrama de Bode de un filtro de segundo orden
Filtro Pasa-banda RLC serie
Fig. 15. Circuito serie RLC
Para el circuito de la Fig. 15, se tiene que:
H j
Ricardo LLugsi Caar
Vo
Vi
R
R j L
1
j C
(1.47)
65

H j
R
1
R j L
(1.48)
Con el propsito de definir los parmetros: K, 0 , u y l se puede transformar la funcin de

transferencia en la funcin de transferencia del filtro pasa-banda de segundo orden:
H j

1 jQ
0
0
(1.49)
Dividiendo la funcin de transferencia del filtro RLC serie para R se tiene que:
H j
1
1
L
1 j
R RC
(1.50)
Comparando la funcin de transferencia de la ecuacin anterior se puede decir que K=1, ahora
para encontrar Q y 0 se puede notar que la parte imaginaria del denominador tiende dos
trminos uno positivo y otro negativo. Comparando estos trminos con los de la ecuacin general
para el filtro pasa-banda de segundo orden se tiene que:
L
R
(1.51)
Obtenindose:
0
Q 0
L
R
(1.52)
1
RC
(1.53)
1
RC
(1.54)
Obtenindose:
Q 0
Resolviendo las ecuaciones anteriores se puede decir que:
Ricardo LLugsi Caar
66

1
LC
0
Q
0
R
L
L
R 2C
(1.55)
(1.56)
Filtros Activos
Introduccin
Como se mencion anteriormente, los filtros bsicamente tienen varias aplicaciones como:
filtrado de audio (baja frecuencia) y seleccin de frecuencias portadoras (altas frecuencias), antialiasing, filtros de ruido, aislamiento de frecuencia de lnea (60Hz), etc.
Los filtros tambin pueden tener la capacidad de trabajar exclusivamente con la componente de
fase de una seal, es decir pueden agregar desplazamientos de fase lineal y as modificar la
constante de retraso de tiempo (constant time delay). Estos filtros son denominados Pasa-todo
(all-pass).
(a)
(b)
Fig. 1. Ejemplo de implementacin. (a) Filtro pasabajo de segundo orden pasivo. (b) Filtro pasabajo de segundo
orden Activo.
Ricardo LLugsi Caar
67

Fig. 2. Variacin del comportamiento un filtro pasabajo con diferentes ordenes.
Se puede decir que para frecuencias pertenecientes a la regin de alta frecuencia los filtros
suelen ser implementados teniendo como base el uso de inductores, resistores y capacitores
(Filtros RLC). Mientras que para el caso de bajas frecuencias (frecuencias menores al 1 MHZ) se
hace uso de filtros activos, esto bsicamente porque a baja frecuencia elementos como el
inductor se vuelven voluminosos y dificiles de implementar.
Los filtros activos bsicamente pueden ser implementados con el uso de amplificadores,
pudiendo utilizarse en este sentido: Transitores de unin bipolar (BJT), transistores de Efecto de
Campo (FET) o Amplificadores Operacionales (Op. Amp.), ver Fig. 1.
Clasificacin del Filtro en funcin de la respuesta en frecuencia II

Filtros Pasa-bajo de Butterworth
Es un filtro diseado para brindar una respuesta bastante plana hasta alcanzar la frecuencia de
corte. En este tipo de filtro la distribucin de polos se hace sobre una circunferencia. Fue
implementado por primera vez en 1930 por el ingeniero Britnico y fsico Stephen Butterworth.
Es muy utilizado adems en la implementacin de filtros antialiasing en aplicaciones de
conversin de datos en donde la precisin en los niveles de seal debe ser muy buena.
Ricardo LLugsi Caar
68

Fig. 3. Respuesta de amplitud de filtro pasa-bajos de Butterworth vs frecuencia normalizada
f
fC .
Filtros Pasa-bajo de Tschebyscheff

Los filtros de Tschebyscheff buscan implementar una respuesta en frecuencia altamente
pronunciada en baja frecuencia. En este tipo de filtro la distribucin de los polos se realiza sobre
una elipse (ceros en el eje imaginario). Este filtro recibe su nombre de la derivacion del
polinomio de Pafnuty Chebyshev. En este tipo de filtro se tienen rizados (ripples) en los bordes
del filtro, se dice entonces que mientras ms alto sea el rizado entonces ms alto ser el rolloff7
del filtro.
Trmino utilizado para describir cuan aguda es la pendiente de una funcin de transferencia, en el punto de corte.
Ricardo LLugsi Caar
69

Fig. 4. Anlisis del factor de Rolloff
Es necesario acotar en este punto que con el incremento del orden del filtro, la influencia de la
magnitud del ripple en el rolloff del filtro disminuye.
Fig. 5. Anlisis de rizados en un Filtro pasa-bajos de Tschebyscheff.
En la Fig. 5, se aprecia que se puede conseguir un rolloff rpido si se permite la aparicin de

rizado.
Ricardo LLugsi Caar
70

Fig. 6. Respuesta de frecuencia para un Filtro pasa-bajos de Tschebyscheff
Filtros Pasa-bajo de Bessel
Fig. 7. Comparacin de respuesta en frecuencia de filtros pasabajos de cuarto orden.
Ricardo LLugsi Caar
71

El filtro de Bessel bsicamente provee una respuesta de fase lineal sobre un amplio rango de
frecuencias. Cabe destacar que dicha respuesta en frecuencia no es tan plana como en el caso del
filtro Butterworth y el rolloff de este filtro no es tn marcado como en el caso del filtro
Tschebyscheff.
Filtros activos
Filtro Pasa-bajo de primer orden
En la Fig. 8 se aprecian las coniguraciones de filtro pasa-bajos de primer orden en configuracin
de no-inversor y de inversor.
(a)
(b)
Fig. 8. Filtro pasa-bajos de primer orden: (a) no-inversor, (b) inversor.
Con el proposito de disear filtros pasabajos es necsario utilizar la funcin de transferencia de

una sola etapa:
H i s
A0
1 a1 S bi S 2
(1.1)
Considerando que para un filtro de primer orden, el coeficiente b es cero bi 0 se tiene que:
H s
A0
1 a1 S
(1.2)
Nota: Las etapas de filtrado de primer y segundo orden constituyen los bloques constructivos
para filtros de ordenes ms altos.
Ricardo LLugsi Caar
72

Teniendo en cuenta la ecuacin 1.2 y las funciones de transferencia de ambos circuitos, se

pueden escribir las siguientes relaciones para la configuracin sin inversin (ecuacin 1.3) y para
la configuracin con inversin (ecuacin 1.4):
R2
R3
H s
1 C R1C1 S
1
R2
R1
H s
1 C R2 C1 S
(1.3)
(1.4)
Nota: El signo negativo implica un desfase de 180, entre la seal de entrada al circuito y la
seal de salida.
Relacionando las ecuaciones 1.3 y 1.4 con la ecuacin 1.2, se tiene para la configuracin sin
inversin las ecuaciones 1.5 y 1.6 y para la configuarcin con inversin las ecuaciones 1.7 y 1.8.
R1
a1
C C1
R2 R3 A0 1
R2
(1.5)
(1.6)
a1
C C1
(1.7)
R2
A0
(1.8)
R1
Nota: El coeficiente a1 se obtiene de las tablas indicadas en el Anexo (Tablas de coeficientes

para filtros).
Filtros pasa-bajos de segundo orden

Para disear un circuito pasa-bajos de segundo orden existen dos topologas que pueden
implementarse: Topologa de Sallen-Key, ver Fig. 9(a) y ecuacin 1.9; y, topologa de Multiple
Feedback (MFB), ver Fig. 9(b) y ecuacin 1.10.
Ricardo LLugsi Caar
73

Topologa de Sallen-key
(a)
(b)
Fig. 9. (a) Filtro general pasa-bajos de Sallen-Key, (b) Filtro de ganancia unitaria pasa-bajos de Sallen-Key.
H S
A0
1 C C1 R1 R2 1 A0 R1C 2 S C2 R1 R2 C1C 2 S 2
H S
1
1 C C1 R1 R2 S C2 R1 R2 C1C 2 S 2
(1.9)
(1.10)
Nuevamente como en el caso de filtros pasa-bajos de primer orden, comparando las ecuaciones
1.9 y 1.10 con la ecuacin 1.1 se tiene que:
A0 1
(1.11)
a1 C C1 R1 R2
(1.12)
b1 C2 R1 R2 C1C 2
(1.13)
Asumiendo los valores de los capacitores C1 y C2 , se puede decir que:

R1, 2
a1C 2 a12 C 22 4b1C1C 2

4f C C1C 2
(1.14)
Con el propsito de obtener los valores reales de la raz, C2 debe satisfacer la siguiente
condicin:
C 2 C1
Ricardo LLugsi Caar
4b1
a12
(1.15)
74

Topologa de Multiple Feedback

La topologa de MFB, ver Fig. 10, es utilizada cuando se requiere un factor de calidad (Q) alto y
una alta ganancia.
Fig. 10. Filtro pasa-bajos MFB de segundo orden
La funcin de transferencia del filtro mostrado en la figura anterior es la siguiente:
H S
R2
R1
R R
1 C C1 R2 R3 2 3 S C2 R2 R3C1C 2 S 2
R1
A0
R2
R1
(1.16)
(1.17)
R R
a1 C C1 R2 R3 2 3
R1
(1.18)
b1 C2 R2 R3C1C 2
(1.19)
Nuevamente asumiendo los valores de los capacitores C1 y C2 , se puede decir que:

R2
Ricardo LLugsi Caar
a1C 2 a12 C 22 4b1C1C 2 1 A0

4f C C1C 2
(1.20)
75

R2
A0
(1.21)
b1
4 f C1C 2 R2
(1.22)
R1
R3
2
C
Con el propsito de obtener los valores reales de la raz, R2 y C2 debe satisfacer la siguiente
condicin:
C 2 C1
4b1 1 A0
a12
(1.23)
Filtro Pasa-Altos de primer orden

En la Fig. 11, se aprecian los filtros pasa-altos de primer orden de no-invertido e invertido.
(a)
(b)
Fig. 11. Filtro pasa-altos de primer orden: (a) no-invertido, (b) invertido.
Las funciones de transferencia para los circuitos se describen a continuacin (con signo negativo
la respuesta del filtro invertido).
R2
R3
H S
1
1
1
.
C R1C1 S
(1.24)
R2
R1
H S
1
1
1
.
C R1C1 S
(1.25)
Ricardo LLugsi Caar
76

Con el proposito de disear filtros pasa-altos es necsario utilizar la funcin general de

transferencia:
H s
A
b
a
i 1 S1 S i2
(1.26)
Donde: A es la ganancia de pasa-banda.

Ya que la ecuacin anterior determina la funcin de transferencia en cascada, la funcin
transferencia de una sola etapa es:
H s
A
b
a
1 1 i2
S S
(1.27)
Considerando que para un filtro de primer orden, el coeficiente bi 0 se tiene que:

H s
A0
a
1 1
S
(1.28)
Nota: Las etapas de filtrado de primer y segundo orden constituyen los bloques constructivos
para filtros de ordenes ms altos.
Teniendo en cuenta lo anterior se puede escribir lo siguiente:
A 1
R2
R3
R2
R1
(1.29)
(1.30)
Para este caso el coeficiente a1 es el mismo para ambos circuitos:
a1
1
C R1C1
(1.31)
Asumiendo un valor de C1 se puede concluir que:
Ricardo LLugsi Caar
77

R1
1
C a1C1
(1.32)
R2 R3 A 1
(1.33)
R2 R1 A
(1.34)
Filtros pasa-altas de segundo Orden

Topologa Sallen-Key
Fig. 12. Filtro Sallen-Key pasa-altos
La funcin de transferencia del circuito descrito en la figura anterior es:
H S
R C C 2 R1C 2 1 1
1
1
2
1 2 1
S C R1 R2 C1C 2 S 2
C R1 R2 C1C 2
R4
R3
(1.35)
(1.36)
Nota: La topologa de ganancia unitaria descrita en la Fig. 13, es utilizada en filtros con Q bajos
y con alta ganancia.
Ricardo LLugsi Caar
78

Fig. 13. Filtro pasa-altos de ganancia unitaria de Sallen-Key
Utilizando el concepto de ganancia unitaria 1 y C1 C 2 C se tiene lo siguiente:

H S
1
2 1
1
1
1
2
2
C R1C S C R1 R2 C S 2
A 1
(1.38)
2
C R1C
(1.39)
1
R1 R2 C 2
(1.40)
a1
b1
(1.37)
2
C
Asumiendo un valor de C se puede entonces decir que:

R1
1
f C a1C
(1.41)
R2
1
4f C b1C
(1.42)
Topologa de Mltiple Feedback
Ricardo LLugsi Caar
79

Fig. Filtro MFB de segundo-orden
Para este caso los valores de resistores y capacitores se invierten. Por lo que asumiendo los
valores de C y C2 se obtiene que:
1 2 A
2f C a1C
(1.43)
a1
2f C b1C 2 1 2 A
(1.44)
R1
R2
Nota: En este caso la tolerancia de los capacitores es mucha importancia a la hora de realizar el
diseo del filtro.
1) En la Fig. 1 se aprecia la configuracin de filtro pasa-bajos en configuracin de noinversor y de inversor, asuma una ganancia DC unitaria A0 1 y Disee un filtro pasabajo
a) de primer orden y b) de 3er orden para una frecuencia de corte de 1 kHz considerando
un filtro Bessel en los dos casos.
(a)
Ricardo LLugsi Caar
(b)
80

Fig. 1. Filtro pasa-bajos de primer orden: (a) no-inversor, (b) inversor.
Solucin:
Para el caso de la Fig. 1(b), asumiendo un valor de capacitancia C1 47nF , se tiene que:
a) Filtros de Bessel 1er orden
R1
a1
1
3.38k
3
C C1 2 1 10 Hz 47 10 9 F
b) Filtros de Bessel 3er orden
R1
a1
0.756
2.56k
3
C C1 2 1 10 Hz 47 10 9 F
Ntese que si se asume una ganancia unitaria para el caso de la Fig. 1(a), se puede decir que el
circuito se simplifica de la siguiente forma:
Fig. 2. Filtro no inversor de primer orden con ganancia unitaria
2) En la Fig. 3 se aprecia la configuracin de filtro pasa-bajos de segundo order en

configuracin de Sallen Key en ganancia unitaria. Disear un filtro pasabajo tomando en
cuenta la configuracin anterior para una frecuencia de corte de 3 kHz considerando un
filtro Tschebyscheff con un ripple pasbanda de 3dB.
Fig. 3. Filtro de ganancia unitaria pasa-bajos de Sallen-Key.
Ricardo LLugsi Caar
81

Solucin:
De la tabla 6 en el archivo de tabla de coeficientes para filtros, se tiene que: a1 1.0650 y
b1 1.9305 , asumiendo C1 22nF se tiene que:

C 2 C1
R1, 2
4b1
41.9305 150nF
22 10 9 nF
2
a1
1.065 2
a1C 2 a12 1.065 150 10 9
4 1.9305 22 10 9 150 10 9
4 3 10 3 22 10 9 150 10 9
1.26k ,1.30k
El circuito final se demuestra en la Fig. 4.
Fig. 4. Filtro pasa-bajos de Tschebyscheff con ganancia unitaria de segundo orden con ripple de 3dB
3) Disear un filtro pasa-altas Bessel de 3er orden con ganancia unitaria tomando en
cuenta una frecuencia de corte de 1 kHz.
Solucin:
Recordando que se pueden conseguir filtros de orden alto colocando en serie filtros de bajo
orden se puede decir que el filtro de 3er orden se alcanzar tomando en cuenta un filtro de 2do
orden y uno de 1er orden como sigue:
Filtro 1
Filtro 2
Ricardo LLugsi Caar
ai
0.756
0.9996
bi
0
0.4772
82

Filtro 1.
Asumiendo C1 100nF .
R1
1
1
2.1k
3
2f C a1C1 2 10 Hz 0.756 100 10 9 F
Filtro 2.
Asumiendo C 100nF .
R1
R2
1
1
3.18k
3
f C a1C 10 Hz 0.756 100 10 9 F
1
1
1.67k
3
4f C b1C 4 10 Hz 100 10 9 F 0.4772
Fig. 5. Filtro pasa-altas de ganancia unitaria de 3er orden
El transistor
El transistor (Fig. 1(b)) es un dispositivo que permite llevar a cabo tareas de switching o
amplificacin. Fue desarrollado inicialmente en Bell Telephone Laboratories a finales de 1940
por Bardeen, Brattain y Schockley pero su forma comercial solo apareci 1958 (circuito
integrado). Este dispositivo desplaz inmediatamente al trodo, ver Fig. 1 (a), (dispositivo
dominante hasta los 40s) debido a varias razones entre las que se cuenta que: no necesitaba de
circuitera de tubo que requiera calefaccin para poder operar y su tamao (consecuencia del
punto anterior) lo haca muy manejable desde el punto de vista tcnico de implementacin.
Ricardo LLugsi Caar
83

Fig. 1. Smbolos para: (a) Triodo (Cathode, Grid, Plate) y (b) Transistor N-P-N
Un transistor puede ser conectado con 4 diferentes formas de polarizacin pero bsicamente una
de ellas puede permitir la tarea de amplificacin, dicha configuracin se presenta en la Fig. 2. Al
conectar la juntura Base-Emisor en forma directa y la juntura Base-Colector de forma inversa se
puede obtener el modo de operacin en regin activa (en donde el transistor se comportar de
forma lineal).
Fig. 2. Polarizacin de Transistor

A manera de comentario es necesario decir que la combinacin de semiconductores en el
transistor determinar si el mismo es un NPN o PNP. En cualquiera de los dos casos anteriores se
supone que el semiconductor ubicado en el medio de la configuracin es de corta longitud.
Es necesario mencionar tambin que al polarizar inversamente la juntura Base-Colector no
existir movimiento de electrones y agujeros, por lo que no habr corriente de fuga entre base y
colector, es decir, la conexin base y colector est aislada de la conexin base emisor.
Anlisis de corriente en el Transistor
Ricardo LLugsi Caar
84

Al conectar el transistor con la polarizacin indicada en la Fig. 2, se tiene que juntura BaseEmisor est directamente polarizada por lo que los electrones pasarn desde el emisor a la base.
Es necesario decir tambin que el dopamiento del semiconductor del emisor es extremadamente
ms alto que el de la base, por lo que al polarizar la juntura Base-Emisor y a pesar de que exista
movimiento de electrones entre la base y el emisor, existir una cantidad de electrones que son
atrados por el campo elctrico en la base (ver Fig. 3) pero que al no poder ingresar en la misma
son succionados al colector debido al campo aplicado entre base y colector (electrn carga
negativa es atrado al potencial positivo de la polarizacin Base-Colector).
Fig. 3. Flujo de electrones y agujeros en un transistor NPN polarizado para operar en la regin
activa.
Corriente de emisor
Ya que la juntura Base-Emisor es polarizada de forma directa se puede esperar por tanto la
aparicin de una corriente a travs de dicha juntura. La corriente mencionada anteriormente tiene
una caracterstica exponencial como se muestra en la siguiente ecuacin:
VBE
VnVBE
T
i E I S e 1 I S e nVT
(1.1)
Siendo I S la corriente de saturacin que tiene un valor tpico entre 10 12 y 10 15 .

Corriente de Colector
Debido a que la concentracin de dopamiento en el emisor es mucho mayor que la concentracin
de dopamiento en la regin de base, y teniendo en cuenta adicionalmente el campo elctrico
aplicado entre base y colector, se puede mencionar que los electrones del emisor fluyen hacia el
Ricardo LLugsi Caar
85

colector produciendo una corriente que es bsicamente dominada por el voltaje entre BaseEmisor y es independiente del voltaje Base-Colector. La corriente de colector es proporcional a
la corriente del emisor por lo que la corriente de colector puede escribirse de la siguiente manera:
iC F i E F I S e
VBE
VT
(1.2)
Donde: F se denomina ganancia de corriente de base comn (usualmente cercano a 1).

Corriente de Base
Ya que la juntura de Base-Emisor es polarizada de forma directa, los agujeros de la base fluyen a
travs de la juntura Base-Emisor hacia el emisor. Sin embargo estos agujeros no contribuyen
formalmente a la corriente de colector sino ms bien constituyen una parte de la corriente de
base. Adicionalmente se tiene una corriente de recombinacin que es bsicamente el producto de
la recombinacin de agujeros y electrones en la base. La suma de las dos corrientes anteriores
presenta una caracterstica exponencial del voltaje de Base-Emisor que puede escribirse de la
siguiente manera:
iB e
VBE
VT
(1.3)
Nota: Si la concentracin de electrones en el emisor tipo-n es mucho ms grande que la

concentracin de agujeros en la base tipo-p, entonces el nmero de electrones inyectados dentro
de la base ser mucho ms grande que el nmero de agujeros inyectados dentro del emisor.
Adicionalmente si el ancho de la base es pequeo entonces el nmero de electrones que se
recombina en la base ser muy pequea, por lo que la corriente de base ser mucho ms pequea
que la corriente de colector.
Ganancia de corriente de emisor comn
Ricardo LLugsi Caar
86

Fig. 4. Caracterstica de voltaje vs corriente de circuito de base comn.

Ya que la tasa de flujo de electrones y la corriente producida en colector, por dicho flujo, son una
funcin exponencial del voltaje Base-Emisor, significa que la corriente de colector y la corriente
de base estn linealmente relacionadas de la siguiente forma:
iC
F
iB
(1.4)
I
iB F S e V
F
v BE
T
(1.5)
El parmetro es denominado ganancia de corriente de emisor comn. Idealmente se puede

decir que (usalmente en el rango de 50 a 300) es constante para cualquier transistor.
Relaciones de Corriente
Teniendo en mente la Fig. 5, se pueden citar algunas relaciones de corriente para el transistor.
Ricardo LLugsi Caar
87

Fig. 5. Configuracin de emisor comn para un transistor NPN.

Si se considera al transistor como un simple nodo, entonces la ley de corriente de Kirchhoff
determina que:
i E iC i B
(1.6)
Si el transistor es polarizado para actuar en la regin activa, se tiene que:
iC iB
(1.7)
Substituyendo la ecuacin 1.7 en 1.6 se tiene que:

iC
1
iE
(1.8)
Considerando la ecuacin 1.2, se puede escribir que:
F
1 F
(1.9)
El parmetro F es denominado ganancia de corriente en base comn y se dice que es siempre

un poco menor que 1. Asumiendo un valor de F 100 en la ecuacin 1.9 se tiene que
F 0.99 (cercano a 1).
Ricardo LLugsi Caar
88

Anexos
Tablas de coeficientes para filtros
En la siguiente tabla se muestran los coeficientes para los filtros: Butterworth, Bessel y
Tschebyscheff (en este caso considerando los ripples para filtro pasa-banda de: 0.5 dB, 1 dB,
2dB y 3dB).
Notacin:
n:
Orden de Filtro.
Nmero parcial del Filtro.
i:
ai , bi :
Coeficientes del Filtro.
ki :
Relacin entre la frecuencia de corte parcial de un filtro f Ci con respecto a la
frecuencia de corte total del filtro f C . sta relacin es utilizada para determinar el ancho de
banda de ganancia unitaria de un amplificador operacional.
Qi :
Es el factor de calidad parcial del filtro.
fi
:
Es la relacin utilizada para prueba de filtros pasa-todo, donde f i es la frecuencia
fC
en donde un filtro de segundo orden tiene una fase de 180 y 90 para el caso de un filtro pasatodo.
Retraso de grupo normalizado para un filtro pasa-todo.
Tgr 0 :
Ricardo LLugsi Caar
89

Tabla 1. Coeficientes para Filtros de Bessel
Ricardo LLugsi Caar
90

Tabla 2. Coeficientes para Filtros de Butterworth
Ricardo LLugsi Caar
91

Tabla 3. Coeficientes para Filtro de Tschebyscheff para ripple de 0.5 dB
Ricardo LLugsi Caar
92

Tabla 4. Coeficientes para Filtro de Tschebyscheff para ripple de 1 dB
Ricardo LLugsi Caar
93

Ricardo LLugsi Caar
94

Ricardo LLugsi Caar
95

Tabla 7. Coeficientes para un filtro pasa-todo
Ricardo LLugsi Caar
96

Bibliografa:
[1] D. Neamen. Microelectronics: Circuit Analysis and Design. 4th edition. McGraw Hill. 2010
[2] Transistor Theory Ilustrated. IBM Customer Engineering Manual of Instruction. 1959.
[3] J. Senior. Optical Fiber Communications. Principles and Practice. Pearson-Prentice Hall. 3rd
Edition. 2009.
[4] A. Rezazadeh. Optical Communications Notes. The University of Manchester. 2013.
[5] H. Robledo. Caractersticas Fundamentales Fsicas, pticas y Operatorias del Lser para el
Clnico. http://www.centrolaservigo.com/pdf/LibroLaserCapitulo1.pdf
[6] F. Najmabadi. Circuit Theory Fundamentals. University of California (San Diego). 2012.
[7] J.Escudero, M.Parada, F.Simn. Filtros. Universidad de Sevilla. 2006
[8] T. Kugelstadt. Active Filter Design Techniques. Texas Instruments.
[9] S. Smith. The Scientist and Engineer's Guide to Digital Signal Processing. 2nd edition.
California Technical Publishing. 2010.
[10] Square-Root Raised Cosine Signals (SRRC).
http://www.navipedia.net/index.php/Square-Root_Raised_Cosine_Signals_%28SRRC%29
Ricardo LLugsi Caar
97

Dispositivos Electronicos

Caricato da

Informazioni sul documento

Titolo originale

Copyright

Formati disponibili

Condividi questo documento

Condividi o incorpora il documento

Opzioni di condivisione

Hai trovato utile questo documento?

Questo contenuto è inappropriato?

Copyright:

Formati disponibili

Dispositivos Electronicos

Caricato da

Copyright:

Formati disponibili

Escuela Politcnica Nacional

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Politcnica Nacional

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Captulo 1: EL DIODO SEMICONDUCTOR

1.1 Estudio de los elementos semiconductores

Tabla. 1. Elementos ms comnmente usados de la Tabla peridica

El Silicio (Si) y el Germanio (Ge) se encuentran en el grupo IV y son elementos

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Se puede decir que un material aislante presenta un bandgap en el rango de 3 a 6 eV,

Escuela Politcnica Nacional

Donde B es una constante relacionada al material semiconductor especfico, Eg es la energa

Tabla. 2. Constantes de semiconductores

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Donde n0 es la concentracin de electrones en equilibrio termal, p 0 es la concentracin de

Por lo que la concentracin de agujeros es:

Similarmente a temperatura ambiente cada tomo acepta un tomo de valencia creando un

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Por lo que la concentracin de electrones es:

En un semiconductor tipo n, los electrones son llamados portadores mayoritarios debido a

La interface ubicada en x=0 es denominada juntura metalrgica. Un gradiente de gran

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Fig. 6. A la izquierda difusin inicial de electrones y agujeros en la juntura metlica, estableciendo un

las regiones p y n respectivamente. El parmetro VT es llamado voltaje trmico y es

Escuela Politcnica Nacional

puntas de prueba del voltmetro y el semiconductor cancelndose as el efecto de Vbi . En

Fig. 7. Reverse bias en una juntura PN

Cuando el campo elctrico en la regin de deplexin incrementa, el nmero de cargas positivas y

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Fig. 8 forward bias

El resultado de la accin antes mencionada es que el campo elctrico de la zona de deplexin es

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Relacin ideal de corriente y voltaje

El parmetro I S es la corriente de saturacin de reverse bias. Para la juntura PN de silicio,

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

Fig. 9. Caracterstica de voltaje-corriente de un diodo para

En la Fig. 10 se aprecia el smbolo del diodo as como la direccin de la corriente y el voltaje de

Teniendo en cuenta que I S y VT son variables dependientes de la temperatura se puede decir

Escuela Politcnica Nacional

Fig. 11. Caracterstica de polarizacin directa vs temperatura

Para el caso del silicio existe una variacin de alrededor de 2 mV/C.

Voltaje de ruptura (breakdown)

Cuando una juntura pn es polarizada inversamente el campo elctrico en la zona de deplexin se

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional

VI 0 , (d) circuito equivalente para VI 0 ; y, (e) seal de salida rectificada.

1.5.1 Rectificador de media onda y de onda completa tipo puente integrado

Una de las ms importantes aplicaciones de un diodo es la capacidad de rectificacin, es decir,

Rectificador de media onda

Escuela Politcnica Nacional

Fig. 13. Rectificacin de media onda

Ricardo LLugsi Caar

Escuela Politcnica Nacional