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DE LOS JFET
rea de EET
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Derechos Reservados
Titular del Derecho: INACAP
N de inscripcin en el Registro de Propiedad Intelectual # ___ . ____ de fecha ___-___-___.
INACAP 2002.
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INDICE
Construccin y Caractersticas de los JFET.
Relaciones de Corrientes y Voltajes..
Aplicacin de la Ecuacin de Shockley.
El JFET v/s El Transistor (BJT)...
Polarizacin del JFET...
Modelo Simple del JFET en Seal Pequea
Mosfet.....
Construccin bsica de un Mosfet de tipo decremental de un
empobrecimiento.....................................................................................
Operacin y Caractersticas bsicas del Mosfet de empobrecimiento....
Manejo de los Mosfet
Cmos.......
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a) Estructura
b) Simbologa
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fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura 1,
debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.
Ecc. (1)
El trmino cuadrado de la ecuacin dar como resultado una relacin no lineal
entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente con el
incremento de los valores de VGS.
Para el anlisis de cd , ser ms fcil y directo en general aplicar un enfoque ms
grfico que matemtico. Sin embargo, el enfoque grfico requerir una grfica de
la ecuacin anterior para representar el dispositivo y una grfica de la ecuacin de
la red relacionando las mismas variables. La solucin est definida por el punto de
interseccin de las dos curvas. Es importante tener en cuenta cuando se aplique el
enfoque grfico, que las caractersticas del dispositivo no se afectarn por la red
en la que se emplea el dispositivo. La ecuacin de la red puede cambiar junto con
la interseccin entre las dos curvas, pero la curva de transferencia definida por la
ecuacin de Shockley (1 ) no se afecta. Por lo tanto, podemos decir que las
caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley se
mantienen sin afectarse por la red en la que se emplea el dispositivo.
La curva de transferencia puede obtenerse utilizando la ecuacin de Shockley.
En la figura 6 se suministran dos grficas con la escala vertical en miliamperes.
Para cada grfica. Una es la grfica de ID contra VDS, mientras que la otra es de
ID contra VGS. Si observamos las curvas, se puede trazar una lnea horizontal
desde la regin de saturacin denotada por VGS = 0 V hasta el eje de ID . El nivel
de corriente resultante para ambas grficas es IDSS. El punto de interseccin
sobre la curva de ID contra VGS se encontrar como se ilustra, ya que el eje
vertical se define como VGS = O V. En resumen: Cuando VGS = 0 V, ID = IDSS.
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o bien
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I ds ? I D ? I DSS ? 1 ?
Vgg 2
VP
I ds ? I D ? I DSS ? 1 ?
VGS 2
VP
o bin
I ds ? I DSS ? 1 ?
I ds ? I D ? I DSS ? 1 ?
VGS 2
o
VP
bien
Ids? Rs 2
VP
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Vth ?
Vdd ? R 2
R1? R 2
VGS 2
VP
gm ?
?I D
? VGS
Ecuacin 1, luego:
gm ?
?I D
?VGS
? 2 ? I DSS ? 1 ?
VGS
VP
?? ?
gm ? gmo ? 1 ? VVGSP
Ecc2.
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1
Vp
MOSFET
En general hay dos tipos de FET: JFET y MOSFET. Los MOSFET adems se
dividen en tipo decremental o empobrecimiento y tipo incremental o
enrriquecimiento. Los trminos decremental e incremental definen sus modos
bsicos de operacin, mientras que la palabra MOSFET significa transistor de
efecto de campo de metal xido semiconductor (metal-oxide-semiconductor-fieldeffect transistor). Puesto que existen diferencias en las caractersticas y
operacin de cada tipo de MOSFET.
El MOSFET tipo decremental, que parece tener caractersticas similares a las de
un JFET entre el corte y la saturacin para IDSS, pero luego tiene el rasgo
adicional de las caractersticas que se extienden dentro de la regin de polaridad
opuesta para VGS.
Construccin bsica de un MOSFET de tipo decremental o de
empobrecimiento.
La construccin bsica de un MOSFET de tipo decremental de canal n se
esquematiza en la figura 13. Una "plancha" de material tipo p se forma en una
base de silicio y se le denomina sustrato. Es el cimiento sobre el que se
construir el dispositivo. En algunos casos el sustrato se conecta internamente
con la terminal fuente, sin embargo, muchos dispositivos discretos suministran una
terminal adicional denominada SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales,
como el que aparece en la figura 13. Las terminales de fuente y drenaje se
conectan a travs de contactos metlicos a las regiones con dopado tipo n unidas
mediante un canal n, como se muestra en la figura.
La compuerta tambin se conecta a una superficie de contacto metlico pero
permanece aislada del canal n por una capa muy delgada aislante de dixido de
silicio (SiO2) conocido como un dielctrico. El hecho de que la capa de SiO2 sea
una capa aislante revela el hecho siguiente: No hay una conexin elctrica directa
entre la terminal de compuerta y el canal para un MOSFET. Adems la capa
aislante de SiO2 en la construccin del MOSFET es la que cuenta para la muy
conveniente alta impedancia de entrada del dispositivo.
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a) Estructura
b) Simbologa
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a) Estructura
b) Simbologa
I D ? K ? ?VGS ? VGSth ?
Ecc. 3
Donde K es una constante que depende de cada MOSFET. El circuito de
polarizacin ms caracterstico para un MOSFET de enriquecimiento canal N se
muestra en la siguiente figura#17.
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