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ELECTRNICA Y LABORATORIO
Consulta
Tema: Transistores FET
PROFESOR:
ING. MENDEZ GARCIA ARMANDO
ESTUDIANTE:
Llumiguano Solano Henry Agustn
SEPTIEMBRE FEBRERO / 2014
TRANSISTOR FET
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada
bastante baja.
Explicacin de la combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la
configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una
corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el
diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los
huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del
material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
Modelo de transistor
FET canal n
Modelo de transistor
FET canal p
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).
APLICACIN
PRINCIPAL VENTAJA
USOS
Amplificador de RF
Bajo ruido
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV,equipos
para comunicaciones
Amplificador con
CAG
Amplificador
cascodo
Baja capacidad de
entrada
Instrumentos de medicin,
equipos de prueba
Troceador
Ausencia de deriva
Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas
de tono
Oscilador
Mnima variacin de
frecuencia
Generadores de frecuencia
patrn, receptores
ID=IDSS(1VGS/Vp)2
Donde:
Id = (Vds, Vgs)