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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y


ELCTRICA
UNIDAD ZACATENCO"
DEPARTAMENTO ELCTRICO
LABORATORIO DE ELECTRNICA II

PRACTICA No.6
TRANSISTOR

GRUPO: 5EV4

MONO-UNIN

(UJT)

EQUIPO:

CRUZ DE LA CRUZ CSAR


FIDEL..2011301158
ESTRELLA CAMPOS ALBERTO.
.2011300269
KELLER DE LA ROSA KEVIN
OBET..2011301804

Profesor: MONTERO CORZO SARAN

FECHA DE REALIZACIN: 12 de octubre


1

FECHA DE ENTREGA : 19 de octubre de 2012

NDICE DEL CONTENIDO

OBJETIVO
DE
LA
PRACTICA..
PAG. 3

INSTRUMENTOS
Y
ACCESORIOS...PAG.
4

MARCO
TERICO...
...PAG. 5

PROCEDIMIENTO
Y
TABLAS
RESULTADOSPAG. 9

DE

DIAGRAMAS
VIRTUALES
...PAG. 12

CONCLUSIONES
...PAG. 14

BIBLIOGRAFA
..PAG. 17

ANEXOS...
...PAG. 18

OBJETIVOS

Entender la forma de operar del transistor mono unin como


dispositivo de relajacin y determinar sus parmetros

Observar y graficar las formas de onda de salida de un oscilador


de relajacin UJT.

Observar la estabilidad con temperatura de un oscilador de


relajacin ujt

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1
1
1
1
5
1
2
1
1
2
1

mas
1 protoboard

fuente de tensin variable de Dc


osciloscopio de doble trazo
multmetro
puntas de osciloscopio no atenuado
fusibles tipo americano 0.5 a 250v
porta fusible americano tipo automotriz
transistores 2n2646
resistencia de 100,470 y 1k ohm a 0.5w
potencimetro de 1M
potencimetros de 10k
capacitor de 0.01f , 0.047f , 0.1 f , 0.47 f y 1 f a 50vdc o

MARCO TERICO

TRANSISTOR MONOUNION (UJT).

El transistor monojuntura (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo


de conmutacin del tipo ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en
muchos circuitos industriales, incluyendo temporizadores, osciladores,
generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control de
puerta para SCR y TRIACs.
Desde el punto de vista del funcionamiento, no hay similitud entre el
emisor de un UJT y el emisor de un transistor bipolar. En realidad, los
nombres de las terminales obedecen a su funcionamiento interno, el
cual considera la accin de los portadores de carga, pero el
funcionamiento interno del dispositivo no es de importancia para
nosotros.
Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto
valor denominado voltaje de pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede
fluir corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una
pequea cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el
circuito E a B1 es prcticamente un cortocircuito, y la corriente fluye
instantneamente de un terminal a otro. En la mayora de los circuitos
con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de corta duracin, y el UJT
rpidamente regresa al estado de CORTE.

El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar


seales de disparo en los SCR. En la fig.1 se muestra un circuito bsico
de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E,
base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las
caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases
RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el
voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la
resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto.
La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el
voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un
valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1
a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2
es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al
punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se
repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande
como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente
independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n

El transistor monounin es un dispositivo de tres terminales formado por


una barra de
silicio de tipo n poco dopada con dos contactos de base. Las bases se
pegan en los extremos
de la superficie y se une una barra de material tipo p a la superficie
opuesta. La frontera de la
barra de tipo p forma una unin p-n entre sta y el silicio de tipo n. De la
unin p-n simple se
origina el trmino "monounin".

El UJT proporciona una regin de resistencia negativa en su curva


caracterstica.
El comportamiento fsico interno del dispositivo se basa en la
modulacin de la
Conductividad del material semiconductor entre la unin y la base B1.
En funcionamiento
estacionario si se aplica una diferencia de potencial positiva VBB entre
las bases B1 y B2 de la barra de tipo n, aparece una diferencia de
potencial entre la unin y B1 que se representa de forma sencilla como
VBB, donde es menor que la unidad. Si VE < VBB, la unin p-n de
emisor est inversamente polarizada y por el terminal de emisor fluye
nicamente una pequea corriente inversa de prdidas. Si VE > VBB +
VD, donde VD es la cada de tensin en el diodo, la unin se polariza
directamente y se produce una inyeccin de huecos en la barra
semiconductora de tipo n. En esta situacin un aumento de la
conductividad produce una disminucin de la resistencia de la barra
entre la unin y B1, provocando por tanto una disminucin de la tensin
en la unin (que pasar a estar por debajo de VBB), con el
consiguiente aumento de IE y de la conductividad al aumentar la
inyeccin de huecos. As el proceso se repite y es sta la razn de que
se hable de una zona de resistencia incremental negativa en las
caractersticas de emisor del dispositivo (dV/dI < 0) pues la corriente de
emisor aumenta mientras VE disminuye. El proceso termina cuando la
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conductividad alcanza un valor tal que un incremento de IE no supone


un incremento de dicha conductividad; a esa situacin corresponde la
regin de saturacin de las caractersticas de emisor (dV/dI > 0). En esta
zona el transistor se comporta como un simple diodo.

La curva caracterstica del UJT nos muestra que existe una zona de
resistencia
negativa en la que el transistor adems es estable. Esto hace que se
suela utilizar como
oscilador. Un ejemplo de utilizacin del UJT es el oscilador de relajacin
que se muestra en la siguiente figura. Este circuito es el bloque bsico
en muchos circuitos osciladores y de sintona con UJT. Al aplicar la fuente
de alimentacin V, el condensador C se carga a travs de R3 a una
tensin suficientemente grande en emisor como para disparar al UJT a
conduccin. Esto provoca que la unin E-B1 se polarice directamente y la
caracterstica de emisor cae a la regin de resistencia incremental
negativa. El condensador se descarga a travs del emisor, apareciendo
un pulso positivo en la salida B1. Cuando se produce la conduccin la
tensin en B2 disminuye, provocando por tanto un pulso negativo en B2.

PROCEDIMIENTO

1. Cada uno de nosotros verificamos el buen estado de los


transistores, para hacerlo nos apoyamos con el probador de diodos
del multmetro digital. Una tomadas las mediciones en las
terminales del dispositivo anotamos los resultados obtenidos de la
siguiente manera:

Los resultados para el buen estado del dispositivo debern ser


los siguientes:

Punta Positiva
Emisor
Emisor
Base 1
Base 2
Base 2

Punta Negativa
Base 1
Base 2
Emisor
Emisor
Prueba con hmetro
Base 1

Lectura
Continuidad
Continuidad
Abierto
Abierto
k

2. Obtencin de la Forma de Onda en las Terminales del


Circuito Oscilador y Compresin de los Estados de Corte y
Saturacin.
2.1.
Implementamos el circuito de la figura mostrada a
continuacin.

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2.2.
Sin conectar la fuente de Voltaje (VBB) al circuito, se ajust el
voltaje de la fuente a un valor de 10v.
2.3.
Mientras un compaero desenergiz la fuente de VBB, otro
compaero ajust la posicin de los potencimetros de 1M y
10k a una posicin intermedia (50%).
2.4.
Una vez realizado lo anterior, procedimos a conectar el
circuito elaborado a la fuente de VBB. Y despus energizamos el
circuito.
2.5.
Pudimos observar la forma de onda con ayuda del
osciloscopio en los puntos: B1, B2 y E; con respecto al punto de
referencia. Al finalizar este paso, un compaero se dedic a
determinar los parmetros de Voltaje (Vp y Vv).
2.6.
Modificamos la posicin de los potencimetros a su valor
mnimo, hasta un punto en el cual ya dej de existir la oscilacin.
Una vez hecha la modificacin, un compaero midi la corriente
que circulaba por el circuito, mientras otro tomaba la lectura de
voltaje con el multmetro en el punto de Emisor-Referencia.

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2.7.
Despus modificamos la posicin de los potencimetros a su
valor mximo, de la misma manera en la cual dejara de existir
oscilacin. Al finalizar lo anterior, observamos la lectura entregada
por el ampermetro y se midi el voltaje en el mismo punto,
Emisor-Referencia.
2.8.
Repita el mismo procedimiento (2.1) para un voltaje VBB igual
a 20v.

3. Determinacin de la Frecuencia de Oscilacin Mediante la


Variacin de la Capacitancia.
3.1.
Con el circuito implementado en la seccin 1.3 (tensin de
polarizacin de 20v), intercambie el capacitor y anote los
incrementos de tiempo en la tabla de valores, para el perfil de la
onda de salida en Base 1 (B1) como se muestra en la siguiente
figura:

CE

0.01

0.1

0.012

0.04
7
0.029

t2

[F]

0.052

0.4
7
0.29

0.620

9.66

19.2

144

840

104.2

52.08

6.94

1.613

[mS
]
[mS
]
[Hz]

t1

3.44

289.1

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SIMULACIN

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CONCLUSIONES

Estrella campos Alberto


Por qu se forma la resistencia con coeficiente negativo del
transistor?
Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es
decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a
B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su
resistencia interna con un comportamiento similar a la de una
resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor
esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

A que se debe que la frecuencia de los disparos de B1 varie con


la variacin del capacitor?
Porque el UJT dispara cuando el capacitor alcanza el Voltaje Pico, ahora
el capacitor se carga de acuerdo a la formula Re * Ce asi que el tiempo
en que se carga el capacitor es dependiente de su capacitancia y de la
resistencia que se le conecte y es por esto que los disparos son en
diferentes tiempos y la frecuencia varia.

Cul es la razn de que T2 sea tan pequeo?


En esta practica se observo el funcionamiento del circuito de seal de
pulso agudo y como es que de acuerdo al capacitor implementado en el
circuito la frecuencia de los pulso puede variar. No se presento ninguna
inconveniencia en la realizacin de la practica y se pudieron observar los
resultados esperados.

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Keller de la rosa kevin obet


Esta practica me fue muy til para poder comprender el funcionamiento
del ujt y poder observar que forma de onda nos proporciona y ver que
diferencias hay en el momento que se le colocan diferentes capacitores
al circuito y tambin cuando se le va variando la tensin al circuito ,
tambin logre entender todo lo que se vio en clase
Por qu se forma la resistencia con coeficiente negativo del transistor?
Por qu todo tiene que ver con la corriente que le estamos aplicando a
nuestro circuito que es lo que hace que nuestro transistor entre en
funcionamiento y haga el disparo o que el mismo transistor se encuentre
abierto , esto pasa por que el transistor llega a un punto en que su
resistencia cae bruscamente y asi es como entra en conduccin.
A que se debe que la frecuencia de los disparos de B1 vari con la
variacin del capacitor?
Por qu el transistor va disparar en diferentes instantes dependiendo del
tiempo que tarde en cargarse el capacitor que se encuentra en el
circuito y de la resistencia que se tenga conectada , tambin puede
variar del voltaje que se esta aplicando al circuito , por ello varia la
frecuencia en el circuito.
Cul es la razn de que T2 sea tan pequeo?
T2 es pequea por que es el tiempo que tarda en descargarse el
capacitor.

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Cruz de la Cruz Csar Fidel


Por qu se forma la resistencia con coeficiente negativo del
transistor?
Si la tensin que circula por el emisor es suficiente para poder polarizar
el diodo, este disminuye normalmente o bruscamente la resistencia R1,
comportndose omo similar a una resistencia negativa. En esta regin,
la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y la
corriente de valle (Ip e Iv).

A que se debe que la frecuencia de los disparos de B1 vare con


la variacin del capacitor?
Cuando el capacitor alcanza una tensin equivalente al valor pico (Vp),
el UJT se dispara o entra en funcionamiento. El capacitor, al ceder su
voltaje obtenido, vuelve a cargarse, pero ahora no directamente; si no
con la frmula (Re*Ce) as que el tiempo en que se carga el capacitor es
dependiente de su capacitancia y de la resistencia que se le conecte. Por
esa razn la frecuencia vara.

Cul es la razn de que T2 sea tan pequeo?


Supongo que se debe al tamao y funcionamiento de cada capacitor
utilizado, es por eso que en esta sesin se apreci que T2 era muy
pequeo.

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BIBLIOGRAFA.

http://www.portaleso.com/usuarios/Toni/web_electronica_3/electronica_in
dice.html
http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_potencia/index.ph
p?option=com_content&view=article&id=49&Itemid=80
ELECTRONICA DE POTENCIA
CONVERSION CA/CC
PRIMERA PARTE
Angel Vernav
A-4.32.2- Electrnica IV
E-4.30.2- Electrnica II
Ing. Angel Vernav
Prof. Titular del Area Electrnica de Potencia.
Actualizacin ao 2002.
Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniera y Agrimensura
Universidad Nacional de Rosario

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