CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Caractersticas de los Semiconductores de Potencia

Mateo Quizhpi

ResumenPower semiconductors must be specially designed

to withstand high voltage and current values. That is, each device
has essential features to make it work properly. Some devices
have features of voltage or currente on and off for better control
of the same, and there are others in wich these parameters are
fixed.
Index TermsEncendido, Apagado, Voltaje, Corriente, Potencia.

I.

I NTRODUCCIN

N ocasiones anteriores hemos estudiado a los diferentes

dispositivos semiconductores presentes en la electrnica
convencional, pero ahora se proceder al estudio de estos
dispositivos como elementos de control, los cuales ya manejan
valores de voltaje y corriente muy elevados, y debido a estos
grandes valores, aparecen otros parmetros de estudio en los
diferentes sistemas, para lo cual existe un gran campo de
estudio y se comenzar dando una breve descripcin de las
caractersticas de estos dispositivos.

II.

D ESARROLLO

Valores que definen un componente:

1. Tensin Inversa: Tensin que puede soportar sin daarse.
a) Tensin Mxima en Continua.
b) VRRM : Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
(Tensin de Pico Repetitivo).
c) VRSM : Maximum Non Repetitive Peak Reverse
Voltage (Tensin de Pico No Repetitivo).
2. Tensin Directa: Cada de tensin en conduccin.
a) VF o VD o VCEsat : Forward Voltage.
3. Corriente Directa:
a) IF (Avg) : Average Forward Current (Corriente Media Mxima).
b) IF (RM S) : Maximum RMS Current (Corriente Eficaz Mxima).
c) IF RM : Maximum Repetitive Peak Forward Current
(Corriente de Pico Repetitivo).
d) IF SM : Maximum Non Repetitive Peak Forward
Current (Corriente de Pico no Repetitivo).
4. Otros lmites:
a) Potencia Mxima.
b) Temperatura Mxima en la Unin.
c) Avalancha Secundaria.
Dispositivos de Potencia
Diodo de Potencia
Mateo Quizhpi, estudiante de Ingeniera Elctrica, Universidad Politcnica
Salesiana, Cuenca, Ecuador, e-mail: fquizhpic@est.ups.edu.ec.

Figura 1.

rea de Operacin Segura - Diodo

1. Caractersticas Estticas
a) Parmetros de Bloqueo: Polarizacin Inversa.
1) VRW M : Tensin Inversa de trabajo, es aquella
tensin continua que es capaz de soportar el
diodo sin peligro de avalancha.
2) VRRM : Tensin Inversa de Pico Repetitivo,
mxima tensin que puede soportar por un
tiempo indefinido si la duracin del pico es
menor a 1ms y con una frecuencia de repeticin
menor a 100 Hz.
3) VRSM : Tensin Inversa de Pico nico, mxima
tensin inversa que puede soportar solo una vez
por cada 10 minutos.
4) VBD : Tensin de Ruptura, valor de tensin
capaz de producir el efecto avalancha.
5) IR : Corriente inversa o corriente de fuga.
b) Parmetros de Conduccin: Polarizacin Directa.
1) VD : Tensin en Directa.
2) IF W (AV ) : Intensidad Media Nominal, valor
medio de la mxima intensidad de pulsos sinusoidales que puede soportar el diodo.
3) IF RM : Intensidad de Pico Repetitivo, es aquella que puede soportar cada 20 ms con una
duracin de pico de 1 ms.
4) IF SM : Intensidad de Pico No Repetitivo, mximo pico de intensidad soportable.
5) Modelos Estticos.
2. Caractersticas Dinmicas
a) Von : Tensin Directa, cada de tensin en el diodo
en funcionamiento.
b) VF : Tensin de Recuperacin Directa, tensin mxima mientras est encendido.
c) ta : Tiempo de Almacenamiento, tiempo que tarda
la corriente en llegar al pico negativo desde su paso
por cero.
d) tb : Tiempo de Cada, tiempo que tarda el pico
negativo de la corriente en anularse.

CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

e) trr : Tiempo de Recuperacin Inversa, es la suma

de ta y tb .
f ) Qrr : Carga Elctrica Desplazada, rea negativa de
la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
g) Irr : Intensidad de Pico Negativo.
3. Potencia
a) Potencia mxima disipable.
b) Potencia media disipable.
c) PF RM : Potencia inversa de pico repetitivo.
d) PF SM : Potencia inversa de pico no repetitivo.

Figura 2.

Caractersticas Estticas Diodo

Transistores de Potencia
Existen tres tipos de Transistores de Potencia:
1. Transistor de Unin Bipolar (BJT):
a) ICAV : Intensidad Media de Colector, valor medio
de la corriente que puede circular por dicho terminal.
b) ICM : Intensidad Mxima de Colector.
c) V(BR)CBO : Tensin de Ruptura Colector-Base,
tensin de ruptura entre colector-base, a una especificada corriente de colector, con el emisor abierto.
d) V(BR)CEO : Tensin de Ruptura Colector-Emisor
con Base abierta a una especificada corriente de
Colector.
e) V(BR)CER : Tensin de Ruptura Colector-Emisor
con resistencia entre base y emisor, a una especificada corriente de colector.
f ) V(BR)CES : Tensin de Ruptura Colector-Emisor
con la base en corto con el emisor, a una especificada a una corriente de colector.
g) V(BR)CBV : Tensin de Ruptura Colector-Emisor
con aplicacin de tensin inversa entre base y
emisor.
h) V(BR)CEX : Tensin de Ruptura Colector-Emisor
con resistencia y tensin entre base y emisor,
polarizado directa o inversamente.
i) V(BR)EBO : Tensin de Ruptura Emisor-Base con
el colector abierto, por lo general es de 5 V.

j) Curvas de la Primera y Segunda Ruptura: la primera es un fenmeno elctrico que se manifiesta

al llegar a un nivel mximo de campo elctrico en
la juntura, y la segunda es un fenmeno trmico,
originado por la concentracin de corriente en una
regin del transistor, lo cual provoca daos al
elemento.
k) Curvas de Potencia Mxima.
l) SOA: rea de Operacin Segura, indica los parmetros seguros de operacin, tales como:
1) ICM : Intensidad Mxima (lnea horizontal).
2) VCEO : Tensin Mxima (lnea vertical).
3) Potencia Mxima (lnea oblicua superior).
4) La Segunda Ruptura (lnea oblicua inferior).

Figura 3.

rea de Operacin Segura - BJT

2. Transistor de Efecto Campo (MOSFET): debido a la

forma constructiva de estos elementos, existe un diodo
interno entre Drenaje y Fuente, por lo que se lo debe
tomar en cuenta para la aplicacin deseada.
a) IDAV : Intensidad Media de Drenador, valor medio de la corriente que puede circular por dicho
terminal.
b) IDM : Intensidad Mxima o Dranador.
c) V(BR)DSS : Tensin de Ruptura Drenaje-Fuente, a
una corriente especificada de Drenaje y con la
compuerta en corto con la fuente.
d) Tensin Mxima Compuerta Fuente, depende del
espesor de la capa dielctrica (xido de silicio),
esta aproximadamente entre 20 V.
e) RDS(on) : Resistencia en Conduccin DrenajeFuente, limita la mxima corriente y determina la
disipacin de potencia.
f ) VDS(on) : Tensin Drenaje-Fuente en conduccin.
g) IDR : Intensidad Continua de Drenaje Inversa, mximo valor de corriente continua que puede soportar el diodo interno a una especificada temperatura.
h) IDRM : Corriente de Drenaje Pulsante Inversa, valor mximo de pico de la corriente inversa pulsante.
i) Tensin de Conduccin Directa del Diodo, tensin
directa del diodo entre drenaje y fuente.
j) SOA: rea de Operacin Segura, es similar a la de
un BJT, pero con la diferencia de que no existe la
limitacin por segunda ruptura.

CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

IGM : Corriente Mxima.

PGM : Potencia Mxima.
PGAV : Potencia Media.
VGT : Tensin Puerta-Ctodo para le encendido.
VGN T : Tensin residual mxima que no enciende ningn
elemento.
8. IGT : Corriente de Puerta para el encendido.
9. IGN T : Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento.
3.
4.
5.
6.
7.

Caractersticas Dinmicas

Figura 4.

rea de Operacin Segura - MOSFET

3. Transistor de Puerta Aislada (IGBT), combina la capacidad de manejar grandes corrientes de colector y las
ventajas de entrada de un Mosfet.
Caractersticas Dinmicas
1. td : Tiempo de Retardo, tiempo que se demora la seal
de salida en alcanzar el 10 % de su valor final desde que
es aplicada una seal en la entrada.
2. tr : Tiempo de Subida, tiempo que tarda la seal de salida
en tomar el valor entre el 10 % y 90 % de su valor final.
3. ts : Tiempo de Almacenamiento, tiempo que tarda la
seal de salida en disminuir desde el 90 % hasta su valor
final una vez eliminada la seal de entrada.
4. tf : Tiempo de Cada, tiempo que tarda la seal entre el
90 % y 10 % de su valor final.
Tiristores
Al igual que los transistores podemos diferenciar tres tipos de
Tiristores:
1. SCR: Rectificador Controlado de Silicio.
2. TRIAC: Triodo Semiconductor AC.
3. GTO: Gate Turn-Off.
Caractersticas Estticas
1. VRW M : Tensin Inversa de Pico de Trabajo.
2. VDRM : Tensin Directa de Pico Repetitiva.
3. VT : Tensin Directa.
4. IT AV : Corriente Directa Media.
5. IT RM S : Corriente Directa Eficaz.
6. IDRM : Corriente Directa de Fugas.
7. IRM M : Corriente Inversa de Fugas.
8. IH : Corriente de Mantenimiento.
Caractersticas Trmicas
1. Tj : Temperatura de la Unin.
2. Tstg : Temperatura de Almacenamiento.
3. Rcd : Resistencia Trmica Contenedor-Disipador.
4. Rjc : Resistencia Trmica Unin-Contenedor.
5. Rja : Resistencia Trmica Unin-Ambiente.
Caractersticas de Control: determinan las propiedades del
circuito de mando que mejor respuesta entregue a las condiciones de mando.
1. VGF M : Tensin Directa Mxima.
2. VGRM : Tensin Inversa Mxima.

1. VRSM : Tensin Inversa de Pico no Repetitiva, es una

tensin transitoria que esta dentro de este tipo.
2. Impulsos de Corriente: son curvas que dan la cantidad
de ciclos en los que se puede tolerar una corriente de
pico dada.
3. ngulos de Conduccin.

Figura 5.

ngulos y Potencia en un SCR.

Caractersticas de Conmutacin
1. ton : Tiempo de Encendido, tiempo que tarda el tiristor
en pasar de corte a conduccin, y por lo tanto la suma
de td y tr .
a) td : Tiempo de Retardo, tiempo que tarda la corriente de puerta desde el 50 % de su valor final
hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de
su valor mximo.
b) tr : Tiempo de Subida, tiempo que tarda la corriente
de nodo en pasar del 10 % al 90 % de su valor
mximo.
2. tof f : Tiempo de Apagado, tiempo que tarda el tiristor
en pasar de conduccin a corte, y por lo tanto es la suma
de trr y tgr .
a) trr : Tiempo de Recuperacin Inversa, tiempo en
el que las cargas acumuladas en la conduccin se
eliminan parcialmente.
b) tgr : Tiempo de Recuperacin de Puerta, tiempo
en el que un nmero muy reducido de cargas se
recombinan por difusin, permitiendo que la puerta
retome el control del dispositivo.
rea de Disparo Seguro
1. Curva A y B: lmites superior e inferior de la tensin
puerta-ctodo en funcin de la corriente de puerta.
2. Curva C: Tensin directa de pico admisible VGF .
3. Curva D: Potencia media mxima.

CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

[4] Arpi D,. Semiconductores de Potencia, Universidad Politcnica

Salesiana.

Figura 6.

rea de Disparo Seguro

III.

C ONCLUSIONES

Al desarrollar el trabajo investigativo se observ la gran

cantidad de parmetros que pueden definir el correcto funcionamiento de los diferentes dispositivos de potencia, tal vez
uno de los parmetros que antes no lo teniamos muy presente
para el diseo de circuitos, eran los tiempos de encendido y
apagado, es decir la frecuencia a la que puede funcionar cada
dispositivo, ya que ahora se disear circuitos en donde estos
elementos funcionarn como interruptores se debe tener muy
encuenta estos tiempos.
La disipacin de potencia y la temperatura son parmetros
que juegan otro papel fundamental para el correcto funcionamiento, para este mbito se debe tener conocimientos en
cuanto a diseo de Disipadores de Calor para dispositivos de
potencia y as garantizar un trabajo completo y seguro.
IV.

Diodo
BJT
MOSFET
IGBT
SCR
TRIAC
GTO

Polaridad
UNI
UNI
UNI
UNI
UNI
BI
UNI

P RIMER A PNDICE
Vmax
10 KV
1,5 KV
1 KV
2 KV
50 KV
800 V
3 KV

Imax
5 KA
750 A
100 A
500 A
3 KA
25 A
2 KA

fmax
1 KHz*
10 KHz
1 MHz
80 KHz
1 KHz
1 KHz
1 KHz

Cuadro I
VALORES DE T ENSIN , C ORRIENTE Y F RECUENCIA DE LOS
D ISPOSITIVOS DE P OTENCIA
*Los diodos rpidos pueden trabajar hasta 100 KHz, pero son de menor
potencia.

V.

R EFERENCIAS

[1] Lpez S., Sarmiento R,. Dispositivos Semiconductores de Potencia,

Escuela Tcnica Superior de Ingenieros Industriales, Universidad de las
Palmas de Gran Canaria.
[2] Galiano A,. El Transistor en Circuitos de Potencia.
[3] Aguilar D,. El Tiristor, Escuela Politcnica Superior, Universidad de
Jan.

Flavio Mateo Quizhpi Cuesta Naci en CuencaEcuador en 1993. Bachiller Tcnico Industrial en
Instalaciones, Equipos y Mquinas Elctricas por la
Unidad Educativa Tcnico Salesiano. Actualmente,
estudiante de Ingeniera Elctrica en la Universidad
Politcnica Salesiana.