Notas de Aula - Semicondutores

Universidade Federal do Piau
Centro de Tecnologia
Departamento de Engenharia Eltrica
',6326,7,926
(/(751,&26
Semicondutores
Prof. Marcos Zurita

zurita@ufpi.edu.br
www.ufpi.br/zurita
Teresina - 2012
Semicondutores
- Bases da Teoria de Eletrnica de Estado Slido -
2
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita
1. Materiais Semicondutores
2. Nveis de Energia
3. Gerao e Recombinao de Portadores
4. Mobilidade dos Portadores
5. Dopagem
6. Balano de Cargas em SC Dopados
7. Fluxo de Corrente num Semicondutor
Bibliografia
3
1. Materiais Semicondutores
4
Condutividade 1m1
Materiais Semicondutores
tm condutividade:
Maior que um isolante;

Menor que um metal;
Com a particularidade de ter
sua condutividade ajustvel
por meio da adio de
impurezas (dopagem).
Quartzo
-16
10
Isolantes
10-18
10-14
Porcelana
10-12
10-10
Vidro
10-8
10-6
Semicondutores
Arseneto de Glio
-4
10
Silcio
10-2
1
Germnio
102
Silcio Dopado
Condutores
104
106
Metais
108
5
Tipos de Ligaes Entre tomos
Metal ligao metlica
envolve o compartilhamento de
eltrons livres na estrutura cristalina.
Semicondutor ligao covalente
ligao na qual um ou mais pares de

eltrons so compartilhados por dois
tomos.
Isolante ligao inica
10-6 .cm
ligao na qual um ou mais eltrons

de um tomo so removidos e anexados a outro tomo, resultando em ons
positivos e negativos que se atraem
mutuamente.
10-5 a 106
.cm
quando
dopado
108 .cm
Ligao Covalente
ligao qumica na qual um ou mais pares de eltrons so

compartilhados por dois tomos
Ex: Silcio Cristal Covalente.
Z=14: 10 eltrons fortemente presos ao ncleo
7
Alguns elementos e compostos semicondutores:
Elementares:
Compostos:
IV: 6L*H
V:6QFLQ]D
IV-IV: 6L*H6L&
III-V: *D$V*D3$O$V$O3,Q6E,Q$V
II-VI:=Q6=Q6H=Q7H&G6&G6H&G7H
8
Semicondutores Intrnsecos e Extrnsecos
Semicondutores Intrnsecos: so semicondutores em

elevado grau de pureza obtidos atravs de processos
avanados de refinamento.
Atualmente, a produo de transistores e circuitos
integrados requer tipicamente semicondutores com
grau de pureza de 99,999999999% (1 parte em 10
bilhes).
Semicondutores Extrnsecos: so semicondutores
intrnsecos que sofreram a adio controlada de
impurezas (dopagem), a fim de terem suas propriedades
eltricas alteradas.
9
Cristais de Silcio e Germnio Pr-Refinados
Silcio
Germnio
10
A estrutura cristalina de um material pode ser:
Amorfa
Monocristalina
Policristalina
Semicondutores Bsicos (Si, Ge, GaAs):
Estrutura Monocristalina ou Policristalina elevado grau

de ordem atmica.
11
Todas as 3 formas cristalinas dos SC so utilizadas em

microeletrnica na fabricao de componentes: cada
uma delas possui propriedades eltricas distintas.
Corte Lateral de um Transistor MOS (imagem obtida por TEM)
Polisilcio Policristalino
xido de Silcio Amorfo
Substrato de Si Monocristalino
12
Estrutura Cristalina
A maior parte dos semicondutores se cristalizam em arranjo

cbico.
Mais especificamente em:
Diamante
Blenda de zinco
13
2. Nveis de Energia
14
Eltrons das Camadas Mais Internas:

fortemente ligados ao ncleo atmico, no
sofrendo pertubaes durante reaes qumicas
ou interaes normais entre tomos.
Eltrons de Valncia: fracamente presos ao

ncleo atmico, grande participao nas reaes
qumicas.
rbita do Eltron: quanto mais alta, maior o

nvel de energia potencial do eltron em relao
ao ncleo.
15
Princpio da Excluso de Pauli:

2 frmions no podem existir em estados
qunticos de energia idnticos.
Aplicado a tomos isolados 2 eltrons em um

tomo no podem ter nmeros qunticos idnticos.
Aplicado a slidos 2 eltrons em um slido no

podem ter estados de energia idnticos.
16
Equao de Schrdinger: restringe a existncia

de eltrons nveis de energia discretos.
Em um tomo isolado isto resulta na existncia de

nveis qunticos de energia
d
f
p
d
f
precisos e determinveis
s
p
f
d
para os eltrons de cada
s
p
elemento qumico, dando
d
s
p
origem camadas, subd
s
camadas e orbitais.
p
Energia
p
s
s
1
2
3
4
5
6
Nmero quntico principal (n)
17
No caso dos slidos, a soluo mtua para os

princpios de Pauli e Schrdinger a existncia de
bandas de energia.
Banda de Energia: faixa de valores de energia que
eltrons com os mesmos nmeros qunticos podem
assumir num slido.
Em sistemas atmicos, a energia dos eltrons est
restrita a um conjunto limitado de valores.
18
Ex: Bandas de Energia em tomos de Hidrognio
medida que dois tomos se aproximam para formar

uma molcula, a energia dos orbitais varia:
spins paralelos
Energia
nvel 1s
spins anti-paralelos
Distncia entre tomos
19
Para um cristal slido, onde h diversas interaes entre

eltrons e ncleos de vrios tomos vizinhos, haver
tambm a formao de um nmero maior de subnveis
eletrnicos.
nvel 3s
nvel 2p
Energia
nvel 2s
nvel 1s
Distncia de
equilbrio do cristal

20
Quando os diversos tomos se aproximam para formar

um cristal, os subnveis se multiplicam, dando origem
no mais a nveis discretos de energia para os eltrons,
mas a intervalos chamados bandas de energia.
Bandas
de energia
permitidas
Energia
nvel 3s
Banda proibida
Banda proibida
Banda proibida
nvel 2p
nvel 2s
nvel 1s
21
A configurao das bandas de energia e o tamanho das

bandas proibidas, definem o comportamento eltrico de
cada material.
Este comportamento mais particularmente definido
pelas bandas de valncia e de conduo.
Banda de Valncia (BV): ltima banda de energia
ocupada por eltrons.
eltrons de valncia definem a valncia do elemento

qumico.
Banda de Conduo (BC): nvel energtico permitido,

imediatamente acima da banda de valncia.
eltrons livres podem se movimentar no material

conduzindo corrente eltrica.
22
Gap: (do ingls, intervalo), termo frequentemente utilizado na fsica de

semicondutores para referir-se ao
intervalo que separa a BV da BC.
Energia de Ionizao (Eg): a
energia necessria para que um
eltron atravesse o gap, isto saia
da BV para a BC:
Banda de
conduo
EC
gap
Eg
EV
Banda de
valncia
Eg E C E V
(Eq. 1.1)
Onde:
EC = Nvel mais baixo de energia da banda de conduo.

EV = Nvel mais elevado de energia da banda de valncia.
23
(a, b) Condutores: configurao das BV e BC conforme:

(a) eltrons disponveis para conduo na BV. Ex.: Cu.
(b) as BV e BC se sobrepem. Ex.: Mg.
(c) Isolantes: elevado gap entre a BV e a BC (Eg > 2 eV).
(d) Semicondutores: pequeno gap entre a BV e BC (Eg < 2 eV).
Banda
vazia
Banda
vazia
Ef
gap
Estados vazios
Estados
preenchidos
(a)
Ef
Banda de
conduo
vazia
gap
Banda
preenchida
(b)
Banda de
conduo
vazia
Eg>2eV
Banda de
valncia
preenchida
(c)
gap
Eg<2eV
Banda de
valncia
preenchida
(d)
24
3. Gerao e Recombinao
de Portadores
25
Materiais Semicondutores
zero Kelvin: todos os eltrons de valncia esto na
camada mais externa do tomo, com nveis de energia
associados BV no h eltrons na BC (isolante).
temperatura ambiente: muitos eltrons da BV

ganham energia suficiente atravessar o gap e passar
para a BC, o material comporta-se como condutor (mau).
Banda de
conduo
EC
EV
gap
Banda de
valncia
eltrons livres
para conduzir
corrente eltrica
Eg=EC -EV
eltrons de
valncia ligados
estrutura atmica
Material
Eg (27 C)
Isolante tpico
>5 eV
Germnio (Ge)
0,67 eV
Silcio (Si)
1,10 eV
Arseneto de Glio (GaAs)
1,41 eV
Antimoneto de ndio (InSb)
0,20 eV
26
Cada eltron que salta da BV para a BC deixa uma

lacuna na banda de valncia, havendo portanto a
formao de um par eltron-lacuna.
Gerao de Portadores: a gerao pares eltronlacuna em um cristal semicondutor.
Portadores:
Carga negativa: eltrons livres (q = -1 eV)

Carga positiva: lacunas (q = +1 eV)
Cada eltron liberado torna-se livre para movimentar-se

pela rede cristalina.
Ao mesmo tempo, cada lacuna gerada uma possvel
receptora de eltrons livres.
27
O eltron da BV liberado para a BC estabelecia uma

ligao covalente entre seu tomo de origem e um
tomo vizinho a gerao de um par eltron-lacuna
desfaz uma ligao covalente do cristal.
Recombinao: quando um eltron-livre retido em

uma lacuna, refazendo a ligao covalente.
28
temperatura ambiente os eltrons livres so gerados

constantemente devido energia trmica.
Como a taxa de gerao de eltrons livres igual taxa de
recombinao, se a temperatura no variar, o nmero mdio
de eltrons-livres permanecer constante.
Concentrao Intrnseca de Portadores (ni):
concentrao mdia de eltrons-livres, igual concentrao
mdia de lacunas, ou seja:
n pni
logo,
(Eq. 1.2)
pnni
(Eq. 1.3)
Onde:
n = concentrao mdia de eltrons livres (1/cm3)

p = concentrao mdia de lacunas (1/cm3)
29
A Concentrao Intrnseca de Portadores (ni) num SC

pode ser determinada pela equao:
2
3 Eg kT
n i BT e
(Eq. 1.4)
Onde:
Eg = energia necessria para quebrar uma ligao covalente (gap)
B = parmetro do material (cm-6K-1/3)
k = constante de Boltzmann (8,62 x10-5 eV/K)

T = temperatura em Kelvin
Eg (eV)
B (cm-3K-1/3)
ni (cm-3)
Silcio (Si)
1,10
2,48 x1031
1,5 x1010
Germnio (Ge)
0,67
4,136 x1030
2,5 x1013
Arseneto de Glio (GaAs)
1,41
1,5 x1010
1,5 x1010
Material
Valores para T=300K
30
Conforme a Eq. 1.4, nota-se que

quanto mais alta a temperatura,
maior a concentrao de portadores
no SC, portanto, maior sua condutividade.
Ainda assim, 27C a condutividade
de um SC puro ainda muito baixa,
no sendo nem um bom condutor
nem um bom isolante.
ni vs T para o Silcio
T (C)
27
50
100
150
200
ni (cm-3)
1,5 x1010
1,7 x1011
3,5 x1012
3,6 x1013
2,4 x1014
Concentrao Intrnseca de Portadores (cm-3)
31
5. Mobilidade dos Portadores
32
Em um SC intrnseco a corrente eltrica formada por

eltrons-livres e lacunas (portadores).
A mobilidade () dos portadores num SC uma medida
da facilidade com a qual os portadores se movem
atravs da rede cristalina. Seu valor dado por:
v E
(Eq. 1.5)
Onde:
v = velocidade de deriva dos portadores

E = campo eltrico aplicado
33
Velocidade de Deriva:
Portadores Negativos (vn ou ve):

Originada pelo movimento dos eltrons-livres na estrutura
do material.
Limitada pelas colises dos eltrons com a rede cristalina.
No Silcio puro da ordem de 1300 cm2/volt-s.

Portadores Positivos (vp ou vh):
Originada pelo movimento das lacunas na estrutura do
material.
Limitada pelo movimento dos eltrons-livres e por eltrons
de valncia de tomos vizinhos s lacunas.
A complexidade do seu movimento torna-a tipicamente 2 a 3
vezes mais baixa que a dos portadores negativos.
No Silcio puro da ordem de 480 cm2/volt-s.

34
Tendo-se em conta a quantidade de portadores de carga

disponveis num SC (n e p), bem como suas respectivas
mobilidades atravs do material (), possvel expressar
a Condutividade de um SC () por:
q n n p p
(Eq. 1.6)
Onde:
q = carga elementar de um eltron (1,6 x10-19 C)

n e p = contrao de eltrons-livres e lacunas, respectivamente
n e p = mobilidade dos portadores negativos e positivos,

respectivamente.
35
Conforme as Eq. 1.2 e 1.6, possvel expressar a

Condutividade de um SC Intrnseco (i) por:
i qni n p
(Eq. 1.7)
importante observar que o efeito da temperatura est

implcito na Eq 1.7, pois tanto ni quanto a mobilidade dos
portadores so fatores dependentes da temperatura.
A condutividade de um SC tambm pode ser expressa
diretamente a partir da temperatura por:
Eg 2kT
0 e
(Eq. 1.8)
Onde 0 uma constante caracterstica de cada material.

36
6. Dopagem
37
Dopagem: o processo de adio controlada de

impurezas (dopantes) em um semicondutor intrnseco
transformando-o num semicondutor extrnseco.
A dopagem tem por objetivo alterar as propriedades
eltricas originais do SC intrnseco.
Notavelmente a dopagem acarreta na alterao da
condutividade do material.
Existem dois tipos de semicondutores extrnsecos:
Tipo n
Tipo p
38
Semicondutores Tipo n
So semicondutores extrnsecos que possuem eltronslivres em excesso.
Criados pela dopagem do SC com
tomos pentavalentes (5 eltrons
de valncia) tais como Sb, As, P.
O dopante mantm as 4 ligaes
covalentes com a estrutura mas
deixa um eltron adicional, dissociado de ligaes covalentes.
tomos Doadores: so dopantes
pentavalentes (doam um eltron excedente ao SC).
39
Efeito da Dopagem por tomos Doadores
O eltron excedente adicionado pelo tomo doador requer

pouca energia para saltar da BV para a BC, pois no precisa
quebrar uma ligao covalente para isto.
Em outras palavras, o nvel de
Banda de
energia ocupado pelo 5 eltron
conduo
(Ed) situa-se pouco abaixo da
EC
Eg = EC - Ed
energia da BC (EC).
Ed
Por essa razo, o gap de
Nvel de energia
EV
energia para esses eltrons
do doador (Ed)
Banda de
(Eg=EC-Ed ) bem menor
valncia
que o dos eltrons nativos
do SC.
Eg do SC puro = 1,1 eV (Si); 0,66 eV (Ge)
40
Como o gap de energia dos eltrons excedentes muito

pequeno, pode-se considerar que temperatura
ambiente (300K) todos eles esto na BC, sendo portanto
eltrons-livres.
Ex: Efeito de um tomo de Sb em 107 tomos de Si:
A concentrao de portadores no Si intrnseco ( 300K)

de aproximadamente 1 eltron-livre a cada 1012 tomos.
Se o doparmos com 1 tomo de Antimnio (Sb) para cada
10 milhes de tomos de Silcio, a concentrao de
portadores aumenta com a razo 1012/107=105, isto
100.000 vezes!
Uma pequena concentrao de dopante suficiente

para grandes alteraes nas propriedades eltricas
dos semicondutores!
41
Semicondutor Tipo p
So semicondutores extrnsecos que possuem lacunas
em excesso.
Criado pela dopagem do SC com
tomos trivalentes (3 eltrons
de valncia) tais como B, Ga, In.
O dopante estabelece apenas 3
ligaes covalentes com a estrutura deixando uma lacuna capaz
de aceitar eltrons-livres.
tomos Aceitadores: so
dopantes trivalentes (aceitam um eltron-livre do SC,
tambm chamados tomos receptores).
42
Efeito da Dopagem por tomos Aceitadores
A lacuna adicionada pelo tomo aceitador ocupa um nvel de

energia (Ea) pouco acima da energia da BV (EV).
Em outras palavras, essa lacuna requer pouca energia para
capturar um eltron da BV do
Banda de
SC.
conduo
Por essa razo, o gap de
EC
Nvel de energia
energia para as lacunas
do aceitador (Ea)
do elemento dopante
Ea
Eg = Ea - EV
aceitador (Eg=Ea-EV ) bem
EV
Banda de
menor que o do SC puro.
valncia
Eg do SC puro = 1,1 eV (Si); 0,66 eV (Ge)
43
Portadores Majoritrios e Minoritrios
Num SC extrnseco o nmero de portadores (eltrons ou

lacunas) adicionados pelos elementos dopantes muito
maior do que os originrios do SC intrnseco (ni).
SC Tipo n:
N D ni
(Eq. 1.9)
N A ni
(Eq. 1.10)
SC Tipo p:
Onde: ND e NA a concentrao de tomos doadores e
aceitadores, respectivamente.
Por outro lado, a quantidade de portadores de carga

oposta aos adicionados pelo dopante praticamente no
varia em relao do SC intrnseco.
44
Portadores Majoritrios: so os mais abundantes num

SC dopado, portanto, do mesmo tipo dos portadores
adicionados pela impureza.
SC Tipo n: eltrons-livres
SC Tipo p: lacunas
Portadores Minoritrios: so os mais escassos num

SC dopado, portanto, de carga oposta dos portadores
adicionados pela impureza.
SC Tipo n: lacunas
SC Tipo p: eltrons-livres
45
ons Doadores e Receptores
ons Doadores: quando um

tomo doador perde seu 5
eltron de valncia para o SC,
tornando-se um on positivo.
A concentrao de ons
doadores referida por ND+.
ons Receptores: quando

um tomo receptor ganha
um 4 eltron na BV, tornando
-se um on negativo.
A concentrao de ons
receptores referida por NA-.
46
7. Balano de Cargas em
Semicondutores Dopados
47
Balano de Cargas num SC Tipo n
Em situao de equilbrio trmico, a densidade mdia de

eltrons-livres (nn) e de lacunas (pn) de um SC tipo n ainda
obedece Eq. 1.3, isto :
2
n n p nni
(Eq. 1.11)
Sendo n e p as densidades mdias de eltrons-livres e de

lacunas originais do SC intrnseco, temos que:
n nn N D
e
p n pn
(Eq. 1.12)
(Eq. 1.13)
logo
n n pn N D
(Eq. 1.14)
48
Uma vez que temperatura ambiente a densidade de

eltrons-livres adicionados pelo dopante (ND+) muito maior
que ni, a Eq. 1.14 pode ser aproximada por:
n n N D
(Eq. 1.15)
Com base nas Eqs. 1.11 e 1.15 possvel estabelecer a

relao entre as concentraes de equilbrio das cargas
(portadores) de um SC tipo n como:
p n
n2i
(Eq. 1.16)
ND
49
Balano de Cargas num SC Tipo p
De maneira anloga do SC tipo n, em situao de equilbrio

trmico, a densidade mdia de eltrons-livres (np) e de
lacunas (pp) de um SC tipo p obedece relao:
2
n p p p ni
(Eq. 1.17)
Sendo n e p as densidades mdias de eltrons-livres e de

lacunas originais do SC intrnseco, temos que:
p p pN A
e
n p n p
(Eq. 1.18)
(Eq. 1.19)
logo
p p n p N A
(Eq. 1.20)
50
Uma vez que temperatura ambiente a densidade de

lacunas adicionadas pelo dopante (NA-) muito maior que ni,
a Eq. 1.20 pode ser aproximada por:
p p N A
(Eq. 1.21)
Com base nas Eqs. 1.17 e 1.21 possvel estabelecer a

relao entre as concentraes de equilbrio das cargas
(portadores) de um SC tipo p como:
n p
ni2
N
(Eq. 1.22)
51
Condutividade dos SC Dopados:
Como o nmero de portadores majoritrios muito

maior que os originrios do SC intrnseco (Eqs. 1.15 e
1.21), razovel aproximarmos a Eq. 1.6 para os dois
tipos possveis de SC dopados:
Tipo n:
N D ni
n q n N D
(Eq. 1.23)
Tipo p:
N A ni
pq p N A
(Eq. 1.24)
52
8. Fluxo de Corrente num

Semicondutor
53
Conduo de corrente num SC

Depende basicamente de dois fatores:
Quantidade de portadores de carga;
Mecanismos de transporte das cargas:
Deriva;
Difuso.
Corrente de Deriva: a corrente gerada pela aplicao
de um campo eltrico externo. Sua densidade (J) pode
ser calculada diretamente a partir da lei de Ohm:
J E
(Eq. 1.25)
54
Aplicando as Eq. 1.23 e 1.24 Eq. 1.25, determina-se a

densidade de corrente de deriva para os dois tipos de
SC extrnsecos, isto :
der
der
Tipo n:
J n q n N D E
Tipo p:
J p q p N A E
(Eq. 1.26)
(Eq. 1.27)
Logo, a corrente que flui atravs da seo reta de rea

A, perpendicular direo do fluxo de portadores, :
der
der
Tipo n:
I n q n N D EA
Tipo p:
I p q p N A EA
(Eq. 1.28)
(Eq. 1.29)
A corrente de deriva o tipo de corrente dominante em

resistores e transistores MOSFET.
55
Corrente de Difuso: a corrente resultante da

diferena de concentrao de portadores de carga em
regies adjacentes do SC.
Num SC puro os portadores movem-se continuamente, e
de forma aleatria, devido energia trmica presente.
Caso haja uma regio de maior concentrao de
portadores, nela tambm haver uma frequncia maior
de colises.
Uma regio onde a frequncia de colises mais
elevada difunde naturalmente os portadores para
regies de menor concentrao, tornando sua
distribuio uniforme.
56
A corrente de difuso devido aos eltrons livres e

lacunas dada por:
dif
I n q D n
Eltrons-livres:
dif
dn
A
dx
I p q D p
Lacunas:
dp
A
dx
(Eq. 1.30)
(Eq. 1.31)
Onde:
Dn, Dp = coeficientes de difuso dos eltrons e das lacunas.

dn/dx, dp/dx = gradiente de concentrao dos e- e lacunas no ponto x.
A= rea da seo reta perpendicular direo do fluxo de portadores
A corrente de difuso a principal determinante na operao

dos diodos e transistores TBJ, embora a corrente de deriva
tambm esteja presente em ambos.
57
Tenso termodinmica (VT): (ou tenso trmica) trata-se

de um importante parmetro caracterstico dos dispositivos
semicondutores. Ela estabelece uma relao entre os
coeficientes de difuso e suas respectivas mobilidades:
V T
Dn D p k T

Volts
n p
q
(Eq. 1.32)
Onde:
k = Constante de Boltzmann (1,38 x10-23 J/K)

T = temperatura em Kelvin
q = carga do eltron (1,6 x10-19 C)
O processo de difuso depende da energia trmica:

A zero Kelvin no h difuso!
58
Corrente Total
Num SC sujeito correntes de deriva e difuso, a

corrente total determinada pela soma de cada uma das
componentes, logo:
dn
(Eq. 1.33)
Eltrons-livres: I nqAn n ED n
dx
I p qA p p ED p
Lacunas:
Corrente Total:
dp
dx
I Total I n I p
(Eq. 1.34)
(Eq. 1.35)
59
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,

Dispositivos Eletrnicos e Teoria de
Circuitos, 8 Edio, Prentice Hall, 2004.
David Comer, Donald Comer, Fundamentos de
Projeto de Circuitos Eletrnicos, LTC, 2005.
M. Razeghi, Fundamentals of Solid State
Engineering, 3 ed., Springer, 2009.
Simon M. Sze, Physics of Semiconductor
Devices, 2 ed., John Wiley & Sons, 1981.
W. D. Callister, Cincia e Engenharia de
Materiais: Uma Introduo, 5 ed., LTC, 2002.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics,
7 ed., John Wiley & Sons, 1996.
60

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Universidade Federal do Piau

Prof. Marcos Zurita

Maior que um isolante;

Tipos de Ligaes Entre tomos

Metal ligao metlica

Semicondutor ligao covalente

ligao na qual um ou mais pares de

Isolante ligao inica

ligao na qual um ou mais eltrons

Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

ligao qumica na qual um ou mais pares de eltrons so

Z=14: 10 eltrons fortemente presos ao ncleo

Alguns elementos e compostos semicondutores:

Semicondutores Intrnsecos e Extrnsecos

Semicondutores Intrnsecos: so semicondutores em

Cristais de Silcio e Germnio Pr-Refinados

Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

A estrutura cristalina de um material pode ser:

Semicondutores Bsicos (Si, Ge, GaAs):

Estrutura Monocristalina ou Policristalina elevado grau

Todas as 3 formas cristalinas dos SC so utilizadas em

xido de Silcio Amorfo

A maior parte dos semicondutores se cristalizam em arranjo

Mais especificamente em:

Eltrons das Camadas Mais Internas:

Eltrons de Valncia: fracamente presos ao

rbita do Eltron: quanto mais alta, maior o

Princpio da Excluso de Pauli:

Aplicado a tomos isolados 2 eltrons em um

Aplicado a slidos 2 eltrons em um slido no

Equao de Schrdinger: restringe a existncia

Em um tomo isolado isto resulta na existncia de

No caso dos slidos, a soluo mtua para os

Ex: Bandas de Energia em tomos de Hidrognio

medida que dois tomos se aproximam para formar

Para um cristal slido, onde h diversas interaes entre

Distncia entre tomos

Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Quando os diversos tomos se aproximam para formar

Distncia entre tomos

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A configurao das bandas de energia e o tamanho das

eltrons de valncia definem a valncia do elemento

Banda de Conduo (BC): nvel energtico permitido,

eltrons livres podem se movimentar no material

Gap: (do ingls, intervalo), termo frequentemente utilizado na fsica de

EC = Nvel mais baixo de energia da banda de conduo.

(a, b) Condutores: configurao das BV e BC conforme:

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temperatura ambiente: muitos eltrons da BV

Arseneto de Glio (GaAs)

Antimoneto de ndio (InSb)

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Cada eltron que salta da BV para a BC deixa uma

Carga negativa: eltrons livres (q = -1 eV)

Cada eltron liberado torna-se livre para movimentar-se

O eltron da BV liberado para a BC estabelecia uma

Recombinao: quando um eltron-livre retido em

temperatura ambiente os eltrons livres so gerados

n = concentrao mdia de eltrons livres (1/cm3)

A Concentrao Intrnseca de Portadores (ni) num SC

Eg = energia necessria para quebrar uma ligao covalente (gap)

B = parmetro do material (cm-6K-1/3)