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Eletrnica

Rodrigo Cardozo Fuentes

Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria

Santa Maria - RS
2010

Presidncia da Repblica Federativa do Brasil


Ministrio da Educao
Secretaria de Educao a Distncia
Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria
Este Caderno foi elaborado em parceria entre o Colgio Tcnico Industrial de Santa
Maria e a Universidade Federal de Santa Catarina para o Sistema Escola Tcnica
Aberta do Brasil e-Tec Brasil.
Equipe de Elaborao
Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria/CTISM

Comisso de Acompanhamento e Validao


Universidade Federal de Santa Catarina/UFSC

Coordenador Institucional
Paulo Roberto Colusso/CTISM

Coordenao de Designer Instrucional


Beatriz Helena Dal Molin/UNIOESTE

Professor-autor
Rodrigo Cardozo Fuentes/CTISM

Designers Intrucionais
Helena Maria Maullmann/UFSC
Jorge Hermenegildo/CEFET-SC

Equipe Tcnica
Ana Claudia Pavo Siluk/CTISM
Carlos Gustavo Hoelzel/CTISM
Leila Maria Arajo Santos/CTISM
Silvia Nascimento/CTISM
Volnei Matte/CTISM

WEB Designers
Beatriz Wilges/UFSC
Superviso de Projeto Grfico
Ana Carine Garca Montero/UFSC

Reviso Pedaggica
Andressa Rosemrie de Menezes Costa/CTISM
Francine Netto Martins Tadielo/CTISM
Iza Neuza Teixeira Bohrer/CTISM
Marcia Migliore Freo/CTISM
Mnica Paliarini/CTISM

Diagramao
Joo Ricardo Zattar/UFSC
Lus Henrique Lindner/UFSC

Reviso Textual
Daiane Siveris/CTISM
Lourdes Maria Grotto de Moura/CTISM
Vera da Silva Oliveira/CTISM

Coordenao Institucional
Araci Hack Catapan/UFSC

Reviso
Lcia Locatelli Flores/UFSC

Coordenao do Projeto
Silvia Modesto Nassar/UFSC

Reviso Tcnica
Eduardo Lehnhart Vargas/CTISM
Ilustrao e Diagramao
Andr Krusser Dalmazzo/CTISM
Clarissa Felkl Prevedello/CTISM
Leandro Felipe Aguilar Freitas/CTISM
Marcel Jacques/CTISM
Mariana Rotilli/CTISM
Rafael Cavalli Viapiana/CTISM

Ficha catalogrfica elaborada por Maristela Eckhardt - CRB-10/737


Biblioteca Central da UFSM
F954e

INSTITUTO
FEDERAL
RIO GRANDE
DO SUL

Fuentes, Rodrigo Cardozo


Eletrnica / Rodrigo Cardozo Fuentes. Santa
Maria : Universidade Federal de Santa Maria, Colgio
Tcnico Industrial de Santa Maria, Curso Tcnico em
Automao Industrial, 2009.
83 p. : il. ; 21 cm.
1. Eletrnica 2. Fsica dos materiais 3. Circuitos eletrnicos
4. Programa Escola Aberta do Brasil I. Universidade Federal
de Santa Maria. Curso Tcnico em Automao Industrial.
CDU 621.38
CDU 658.56

Apresentao e-Tec Brasil


Prezado estudante,
Bem-vindo ao e-Tec Brasil!
Voc faz parte de uma rede nacional pblica de ensino, a Escola Tcnica
Aberta do Brasil, instituda pelo Decreto n 6.301, de 12 de dezembro 2007,
com o objetivo de democratizar o acesso ao ensino tcnico pblico, na modalidade a distncia. O programa resultado de uma parceria entre o Ministrio da Educao, por meio das Secretarias de Educao a Distancia (SEED)
e de Educao Prossional e Tecnolgica (SETEC), as universidades e escolas
tcnicas estaduais e federais.
A educao a distncia no nosso pas, de dimenses continentais e grande
diversidade regional e cultural, longe de distanciar, aproxima as pessoas ao
garantir acesso educao de qualidade, e promover o fortalecimento da
formao de jovens moradores de regies distantes, geogracamente ou
economicamente, dos grandes centros.
O e-Tec Brasil leva os cursos tcnicos a locais distantes das instituies de ensino e para a periferia das grandes cidades, incentivando os jovens a concluir
o ensino mdio. Os cursos so ofertados pelas instituies pblicas de ensino
e o atendimento ao estudante realizado em escolas-polo integrantes das
redes pblicas municipais e estaduais.
O Ministrio da Educao, as instituies pblicas de ensino tcnico, seus
servidores tcnicos e professores acreditam que uma educao prossional
qualicada integradora do ensino mdio e educao tcnica, capaz de
promover o cidado com capacidades para produzir, mas tambm com autonomia diante das diferentes dimenses da realidade: cultural, social, familiar,
esportiva, poltica e tica.
Ns acreditamos em voc!
Desejamos sucesso na sua formao prossional!
Ministrio da Educao
Janeiro de 2010
Nosso contato
etecbrasil@mec.gov.br

e-Tec Brasil

Indicao de cones
Os cones so elementos grcos utilizados para ampliar as formas de
linguagem e facilitar a organizao e a leitura hipertextual.
Ateno: indica pontos de maior relevncia no texto.

Saiba mais: oferece novas informaes que enriquecem o


assunto ou curiosidades e notcias recentes relacionadas ao
tema estudado.
Glossrio: indica a denio de um termo, palavra ou expresso
utilizada no texto.
Mdias integradas: sempre que se desejar que os estudantes
desenvolvam atividades empregando diferentes mdias: vdeos,
lmes, jornais, ambiente AVEA e outras.
Atividades de aprendizagem: apresenta atividades em
diferentes nveis de aprendizagem para que o estudante possa
realiz-las e conferir o seu domnio do tema estudado.

e-Tec Brasil

Sumrio
Palavra do professor-autor

Apresentao da Disciplina

11

Projeto Institucional

13

Aula 1 Introduo eletrnica

15

Aula 2 Fsica dos materiais


2.1 A estrutura do tomo

19
19

2.2 Materiais condutores

20

2.3 Materiais isolantes

20

2.4 Material semicondutor

20

2.5 Estudo dos semicondutores

21

2.6 Impurezas

22

Aula 3 O Diodo semicondutor


3.1 O diodo semicondutor de juno

27
27

3.2 Polarizao do diodo

29

3.3 Curva caracterstica de um diodo

30

3.4 Especicaes de um diodo

31

Aula 4 Circuitos retificadores


4.1 Onda senoidal

33
33

4.2 Circuito reticador de meia onda

35

4.3 Circuito reticador de onda completa

36

4.4 Circuito reticador de onda completa em ponte

38

Aula 5 Tipos especiais de diodos


5.1 Diodo emissor de luz

41
41

5.2 Fotodiodo

42

5.3 Diodo zener

43

Aula 6 Fontes de alimentao


6.1 O transformador

47
47

6.2 Circuitos reticadores

49

e-Tec Brasil

6.3 O capacitor de ltragem

50

6.4 Regulador de tenso com diodo zener

54

Aula 7 O Transistor bipolar


7.1 Funcionamento do transistor bipolar
7.2 Transistor no polarizado

59

7.3 Polarizao do transistor NPN

59

7.4 Polarizao do transistor PNP

61

7.5 Montagem bsica com transistor

62

7.6 O modelo de Ebers-Moll

64

7.7 Polarizao em corrente contnua de transistores

65

7.8 O transistor operando como chave

68

7.9 O transistor operando como fonte de corrente

69

7.10 O transistor operando como amplicador

69

Aula 8 Tiristores
8.1 A estrutura PNPN

e-Tec Brasil

57
58

75
75

8.2 SCR

76

8.3 TRIAC

78

8.4 Acionando o gatilho dos tiristores

79

Aula 9 Introduo aos circuitos integrados


9.1 Classicao dos circuitos integrados

81
82

9.2 Tipos de encapsulamento dos CIs

84

Referncias

90

Currculo do professor-autor

91

Eletrnica

Palavra do professor-autor
So evidentes a evoluo e a melhoria na qualidade de vida das sociedades
nestes ltimos cinquenta anos. Dentre as razes dessa evoluo destacamse as reas relacionadas tecnologia como telecomunicaes, informtica,
diagnsticos atravs de imagens na medicina e a automao industrial como
grande alavanca dos sistemas produtivos e da qualidade. Essa evoluo tem
como base a eletrnica, que proporcionou as condies necessrias para a
atual revoluo tecnolgica. Destaca-se a inveno do transistor semicondutor em 1947, considerada uma das maiores do sculo XX, que possibilitou
a produo de equipamentos portteis alimentados por pilhas e baterias.
Podemos citar como exemplo o velho radinho transistorizado. Destaca-se
ainda a inveno do circuito integrado, que proporcionou grandes avanos
na miniaturizao e na conabilidade dos equipamentos eletrnicos, de fundamental importncia na rea da microeletrnica.
Neste curso de eletrnica bsica vamos apresentar os fundamentos bsicos
da eletrnica, para possibilitar ao educando o ingresso no mundo fascinante
dos materiais semicondutores. Nosso estudo inicia-se na fsica dos semicondutores, evoluindo para os primeiros dispositivos como os diodos, transistores, tiristores e circuitos integrados. Em cada unidade so desenvolvidas as
teorias dos circuitos eletrnicos pertinentes e necessrias a cada assunto e,
para tanto, fundamental a compreenso dos princpios da eletricidade e
de suas leis.
Caro estudante, nosso objetivo proporcionar a voc uma nova viso sobre
a eletrnica, possibilitando-lhe percorrer um caminho cheio de novidades,
desaos, desenvolvendo as suas habilidades neste campo da tecnologia.
Rodrigo Cardozo Fuentes

e-Tec Brasil

Apresentao da disciplina
Este material didtico constitui a base terica do estudo da disciplina de Eletrnica. Na aula 1, vamos estudar o que a Eletrnica e alguns dos principais
fatos histricos que marcaram a evoluo da Eletrnica at a atualidade. Na
aula 2, estudaremos a estrutura atmica, as partculas eltricas bsicas e as
caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores. Na aula
3, estudaremos o diodo de juno semicondutor que o componente mais
simples da Eletrnica, mas de grande importncia para a compreenso dos
dispositivos mais complexos. Na aula 4, ser estudada uma das principais
aplicaes dos diodos semicondutores, trata do processo de reticao da
energia eltrica. Na aula 5, sero estudados trs tipos especiais de diodos
com ampla aplicao prtica nos equipamentos eletrnicos. Na aula 6, vamos estudar a forma adequada de suprir os circuitos eletrnicos com energia
eltrica, garantindo o seu correto funcionamento. Na aula 7, estudaremos
uma das maiores invenes do sculo XX, que impulsionou toda a evoluo
da Eletrnica: o transistor semicondutor. Na aula 8, vamos estudar uma famlia de componentes semicondutores de estrutura um pouco mais complexa, apresentando at quatro camadas semicondutoras que so os chamados
tiristores. Por m, na aula 9, estudaremos as principais caractersticas dos
circuitos integrados, tambm chamados de microchips, componentes que
esto presentes em inmeros equipamentos de nosso dia a dia.
O tema Eletrnica no se esgota nas unidades abordadas neste caderno.
Portanto, fundamental a consulta bibliograa especca para um maior
aprofundamento do assunto.

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e-Tec Brasil

Projeto instrucional
Disciplina: Eletrnica
Ementa: Introduo eletrnica, fsica dos materiais, diodo semicondutor,
circuitos reticadores, tipos especiais de diodos, fontes de alimentao, transistor bipolar, tiristores e introduo aos circuitos integrados.
OBJETIVOS DE
APRENDIZAGEM

MATERIAIS

CARGA
HORRIA
(horas)

1. Introduo
eletrnica

- Compreender o conceito de Eletrnica.


- Conhecer as principais descobertas
que contriburam para a evoluo da
Eletrnica.
- Conhecer algumas aplicaes prticas
da Eletrnica.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

2. Fsica dos
materiais

- Compreender a estrutura do tomo e


suas partculas elementares.
- Reconhecer as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores de eletricidade.
- Compreender os processos de dopagem de semicondutores com a inteno
de produzir cristais eletricamente
polarizados.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

3. O Diodo semicondutor

- Compreender a estrutura bsica do


diodo semicondutor de juno.
- Reconhecer as curvas caractersticas
de operao do diodo semicondutor de
juno.
- Empregar os termos tcnicos adequados e os dados necessrios a especificao do diodo semicondutor.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

4. Circuitos retificadores

- Compreender o processo de transformao da corrente alternada em


corrente contnua pela aplicao dos
diodos semicondutores.
- Reconhecer os tipos de processos de
retificao e suas respectivas caractersticas.
- Empregar corretamente as equaes
matemticas que descrevem os processos de retificao.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

04

AULA

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e-Tec Brasil

OBJETIVOS DE
APRENDIZAGEM

MATERIAIS

CARGA
HORRIA
(horas)

5. Tipos especiais
de diodos

- Conhecer novos componentes eletrnicos baseados no diodo semicondutor


de juno.
- Compreender as suas aplicaes
prticas.
- Aplicar corretamente as equaes
matemticas pertinentes ao dimensionamento e operao destes componentes.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

08

6. Fontes de
alimentao

- Compreender a operao e os
principais componentes das fontes de
alimentao.
- Aplicar corretamente as equaes
matemticas que descrevem a operao
dos circuitos eletrnicos.
- Compreender e aplicar corretamente
as leis fundamentais da eletricidade, do
magnetismo e do eletromagnetismo.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

10

7. O Transistor
bipolar

- Conhecer o transistor de juno


bipolar, componente que revolucionou a
tecnologia.
- Compreender o funcionamento e a
operao do transistor em diversas
aplicaes prticas.
- Aplicar corretamente as leis e as
equaes que descrevem a operao do
transistor nos circuitos eletrnicos.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

10

8. Tiristores

- Conhecer os tiristores, que so dispositivos eletrnicos formados por quatro


camadas semicondutoras.
- Compreender o processo de conduo
e disparo dos tiristores.
- Conhecer as principais aplicaes
desses componentes, relacionadas
automao industrial.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

08

9. Introduo aos
circuitos integrados

- Conhecer os circuitos integrados ou


microchips e as suas vantagens quando
utilizados em equipamentos mais
complexos.
- Conhecer a classificao dos microchips
quanto aplicao, grau de integrao e
forma de encapsulamento.

- Ambiente virtual: plataforma


moodle;
- Apostila Didtica;
- Recursos de apoio: links de
leitura complementar indicados
na apostila.

08

AULA

e-Tec Brasil

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Eletrnica

Aula 1 Introduo eletrnica

Objetivos da aula
Compreender o conceito de Eletrnica.
Conhecer as principais descobertas que contriburam para a evoluo da Eletrnica.
Conhecer algumas aplicaes prticas da Eletrnica.

Introduo
Nesta aula vamos estudar o que a Eletrnica e alguns dos principais fatos
histricos que marcaram a evoluo da Eletrnica at a atualidade.
http://pt.wikipedia.org/wiki/Eletr%C3%B4nica#Hist.C3.B3rico
Eletrnica o campo da cincia e da engenharia que estuda a forma de
controlar a energia eltrica atravs de dispositivos e meios condutores ou
semicondutores. A compreenso dos conceitos fundamentais da Eletrnica,
dos principais dispositivos e circuitos edica a base tcnica necessria formao do tcnico industrial. A seguir elencaremos uma srie de fatos que
contriburam para o atual estgio da Eletrnica.
A Eletrnica tem como um dos marcos iniciais a descoberta dos raios catdicos por Hittorf em 1869 e, com a vericao, em 1886, da existncia dos
raios positivos cujo estudo logo revelou a sua natureza corpuscular. A teoria
eletromagntica de Maxwell previa, por meio de clculos, a existncia de
ondas eletromagnticas. Hertz as detectou e estudou em 1888. A deteco
dessas ondas tornou-se fcil graas ao chamado coerenciador de Branly. Em
1895, Popov inventou a antena, o que permitiu a Marconi a realizao, no
mesmo ano, de uma transmisso de sinais de telegraa sem o (TSF) atravs
de uma distncia de vrias dezenas de quilmetros. Pode-se dizer que essa
foi a primeira aplicao prtica da Eletrnica. A inveno das vlvulas Eletrnicas, o diodo (Fleming, 1904) e o triodo (Lee De Forest, 1906) permitiram

Aula 1 - Introduo eletrnica

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e-Tec Brasil

a produo permanente de ondas, sua amplicao, sua modulao e sua


recepo, tornando possvel a radiodifuso. O emprego de clulas fotoeltricas e o oscilgrafo de raios catdicos, inventado em 1897 por Braun, permitiram a criao do cinema falado, da televiso, do microscpio eletrnico,
do radar e de outros.
Atualmente, so as novas invenes da tecnologia as condicionantes do desenvolvimento da Eletrnica. A fase da miniaturizao dos equipamentos
comearam aps a descoberta do transistor por Bardeen, Brattain e Shockley em 1947 e a utilizao dos semicondutores (Figura 1.1). Nos anos 60,
desenvolveu-se a fabricao de vrios transistores em um mesmo substrato
de silcio, os chamados wafers (Figura 1.1). Surge, ento, a integrao de
componentes eletrnicos em larga escala, diminuindo o tamanho e o custo
dos equipamentos, e aumentando consideravelmente a sua conabilidade.
O desenvolvimento da integrao permitiu a implantao, sobre uma s pea
de silcio, de sistemas mais complexos, assim como a diminuio dos custos.
Isso explica a revoluo tecnolgica iniciada ao longo dos anos 70, com o
aparecimento dos microprocessadores. No incio dos anos 80, desenvolvese uma nova fase com o tratamento automtico da palavra, que confere s
mquinas voz (sntese automtica) e audio (reconhecimento automtico),
ao passo que os avanos realizados nos reconhecimentos de formas levam
feitura de mquinas de capacidade anloga do olho humano.
A aplicao da Eletrnica estende-se a numerosas tcnicas e campos: udio,
vdeo, informtica, telecomunicaes, tratamento de sinais, eletrnica mdica, automao, eletrodomsticos, entretenimento, etc.

Figura 1.1: Wafer e cilindro de silcio puro


Fonte: http://www.fxconsult.com.br

e-Tec Brasil

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Eletrnica

Resumo
Nessa aula estudamos o conceito de Eletrnica, os principais fatos histricos
que contriburam para a sua evoluo da Eletrnica e alguns exemplos de
aplicao prtica.

Atividades de aprendizagem
1. O que Eletrnica?
2. Qual a importncia da Eletrnica na sua vida cotidiana?
3. Qual o principal elemento qumico utilizado atualmente na Eletrnica?
4. Qual a descoberta que possibilitou a miniaturizao e o desenvolvimento
de equipamentos eletrnicos portteis?

Aula 1 - Introduo eletrnica

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e-Tec Brasil

Aula 2 Fsica dos materiais

Objetivos
Compreender a estrutura do tomo e suas partculas elementares.
Reconhecer as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e
semicondutores de eletricidade.
Compreender os processos de dopagem de semicondutores com a
inteno de produzir cristais eletricamente polarizados.

Introduo
A estrutura atmica e a compreenso das partculas eltricas bsicas so
fundamentais para o entendimento da Eletrnica. Nesta aula vamos conhecer essas partculas e as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e
semicondutores. Vamos compreender o processo que transforma um cristal
semicondutor puro em um cristal com cargas eltricas positivas ou negativas,
constituindo assim, a base para o desenvolvimento de toda a Eletrnica.

2.1 A estrutura do tomo


O tomo formado basicamente por trs tipos de partculas elementares:
eltrons, prtons e nutrons (Figura 2.1). A carga do eltron de polaridade
negativa, enquanto a do prton positiva. Os eltrons giram em torno do
ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num mximo de sete. Em cada
tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela
que participa das reaes qumicas. Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si
pelos seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material tem uma
innidade de caractersticas, mas em Eletrnica uma especial: o comportamento quanto passagem de corrente eltrica. Em relao a esta caracterstica pode-se dividir os materiais em trs tipos: os condutores, os isolantes
e os semicondutores.

Aula 2 - Fsica dos materiais

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e-Tec Brasil

Figura 2.1: tomo

2.2 Materiais condutores


So materiais que permitem com facilidade a passagem de corrente eltrica.
Quanto mais fcil for a passagem de corrente eltrica, melhor condutor o
material. O que caracteriza o material como um bom condutor o fato de
os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando
grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um
eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido torna-se um eltron livre.

2.3 Materiais isolantes


So materiais que possuem uma resistividade eltrica muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seus tomos, sendo que poucos eltrons conseguem
desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres.
Consegue-se um maior efeito isolante nas substncias compostas como a
borracha, a mica , a baquelite, os termoplsticos, etc.

2.4 Material semicondutor


Materiais isolantes podem conduzir eletricidade?

e-Tec Brasil

20

Eletrnica

Os semicondutores so materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria podendo apresentar caractersticas de isolante e condutor.
Como exemplos tm-se o germnio e o silcio. So estes os materiais de
maior importncia na Eletrnica atual, pois a partir deles so obtidos diversos
dispositivos que sero estudados neste curso.

2.5 Estudo dos semicondutores


Os tomos de germnio e silcio tm uma camada de valncia com quatro
eltrons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si,
formam uma estrutura cristalina (Figura 2.2), ou seja, so substncias cujos
tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa
estrutura, cada tomo busca a sua estabilidade, unindo-se a quatro outros
tomos vizinhos. Atravs de ligaes covalentes, cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de
modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.

Figura 2.2: Estrutura cristalina

Se na estrutura cristalina com germnio ou silcio no fosse possvel romper as ligaes covalentes, teramos como resultado um material totalmente isolante. No entanto, com o aumento da temperatura, algumas ligaes
covalentes recebem energia suciente para se romperem, fazendo com que
os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no
interior do cristal, tornando-se eltrons livres.

Aula 2 - Fsica dos materiais

21

e-Tec Brasil

Figura 2.3: Formao de um eltron livre e de uma lacuna

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo
era neutro e um eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de
lacuna, sendo tambm conhecida como buraco (Figura 2.3). As lacunas no
tm existncia real, pois so apenas espaos vazios provocados por eltrons
que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma ligao
covalente rompida, surge simultaneamente um eltron livre e uma lacuna.
Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma
lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Tanto
os eltrons como as lacunas sempre surgem e desaparecem aos pares. Podese armar que o nmero de lacunas sempre igual ao de eltrons livres.
Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os eltrons livres se movem em direo ao polo positivo e as lacunas
por consequncia se movem em direo ao polo negativo.

2.6 Impurezas
Os cristais de silcio ou germnio so encontrados na natureza misturados
com outros elementos. Por causa da diculdade de se controlarem as caractersticas desses cristais realiza-se um processo de puricao do cristal.
Em seguida, so injetadas impurezas na ordem de uma para cada milho de
tomos do cristal, com a inteno de alterar a produo de eltrons livres e

e-Tec Brasil

22

Eletrnica

lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois
tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.
http://pt.wikipedia.org/wiki/ Dopagem_eletr%C3%B4nica

2.6.1 Impureza doadora


So adicionados tomos pentavalentes (com cinco eltrons na camada de
valncia. Ex.: Fsforo e antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de
um tomo de silcio dentro do cristal, absorvendo as suas quatro ligaes
covalentes; ca um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente
(uma pequena energia suciente para torn-lo livre).

2.6.2 Impureza aceitadora


So adicionados tomos trivalentes (tem trs eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro, alumnio e glio) ao cristal semicondutor. O tomo trivalente
entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal, absorvendo trs das
suas quatro ligaes covalentes. Isso signica que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.
Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou
excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores:
a) Semicondutor tipo N:
O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor
tipo N, onde N est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero s lacunas num semicondutor tipo N, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios (Figura
2.4).

Aula 2 - Fsica dos materiais

23

e-Tec Brasil

Figura 2.4: Cristal tipo N

b) Semicondutor tipo P:
O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor
tipo P, onde P est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em
nmero os eltrons livres num semicondutor tipo P, as lacunas so chamadas
portadores majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios (Figura
2.5).

Figura 2.5: Cristal tipo P

e-Tec Brasil

24

Eletrnica

Resumo
Nessa aula estudamos a fsica dos materiais, identicando as principais partculas que compem o tomo e suas respectivas caractersticas eltricas.
Identicamos as caractersticas dos materiais isolantes, condutores e semicondutores. No estudo dos materiais semicondutores, compreendemos o
processo de dopagem que confere ao cristal uma polaridade positiva ou
negativa. Estes cristais polarizados tm relevante interesse para a Eletrnica,
pois formam a base de todos os dispositivos eletrnicos. Nas prximas aulas
estudaremos diversos dispositivos eletrnicos e alguns de seus circuitos de
aplicao.

Atividades de aprendizagem
1. Quais so as partculas eletricamente carregadas de um tomo?
2. O que caracteriza um material condutor?
3. O que caracteriza um material no condutor?
4. O que caracteriza um material semicondutor?
5. O que uma estrutura cristalina?
6. O que o processo de dopagem de semicondutores?
7. Como se obtm um cristal semicondutor tipo N?
8. Como se obtm um cristal semicondutor tipo P?

Aula 2 - Fsica dos materiais

25

e-Tec Brasil

Aula 3 O Diodo semicondutor

Objetivos
Compreender a estrutura bsica do diodo semicondutor de juno.
Reconhecer as curvas caractersticas de operao do diodo semicondutor de juno.
Empregar os termos tcnicos adequados e os dados necessrios a
especicao do diodo semicondutor.

Introduo
O diodo de juno semicondutor o componente mais simples da Eletrnica. formado pela unio de dois cristais eletricamente polarizados. Nesta
aula vamos estudar este importante componente. Vamos compreender tambm a sua operao em um circuito eltrico, em que capaz de controlar de
forma direcional o uxo de corrente eltrica.

3.1 O diodo semicondutor de juno


Com a unio de um cristal tipo P e um cristal tipo N, obtm-se uma juno
PN, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de
juno (Figura 3.1).

Figura 3.1: Estrutura bsica de um diodo semicondutor de juno

Aula 3 - O Diodo semicondutor

27

e-Tec Brasil

Devido repulso mtua entre os eltrons livres do lado N, os eltrons espalham-se em todas as direes. Alguns atravessam a juno e se combinam
com as lacunas (Figura 3.2). Cada vez que um eltron atravessa a juno, cria
um par de ons, a lacuna desaparece, e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo), enquanto o tomo do cristal N que
perdeu o eltron, torna-se um on positivo.

Figura 3.2: Combinaes de eltrons livres e lacunas

Os ons esto xos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente.


medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno ca sem
eltrons livres e sem lacunas. Chamamos essa regio de zona de depleo
(Figura 3.3).

Figura 3.3: Zona de depleo

Materiais isolantes podem conduzir eletricidade?


Alm de certo ponto, a zona de depleo age como uma barreira, impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da zona

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28

Eletrnica

de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno, at que se


atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da zona de depleo
chamada de barreira de potencial. Na temperatura de 25C, esta barreira
de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio. O smbolo mais usual para o
diodo mostrado na Figura 3.4.

Figura 3.4: Smbolo do diodo

3.2 Polarizao do diodo


Polarizar um diodo signica aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Se conectarmos uma bateria aos terminais do diodo, haver uma
polarizao direta, caso o polo positivo da bateria for colocado em contato
com o material tipo P, e o polo negativo em contato com o material tipo N.

3.2.1 Polarizao direta


No material tipo N os eltrons so repelidos pelo polo negativo da bateria
e empurrados para a juno. No material tipo P, as lacunas tambm so repelidas pelo terminal positivo e tendem a penetrar na juno. Isso diminui a
zona de depleo. Para haver uxo livre de eltrons, a tenso da bateria tem
de sobrepujar o efeito da zona de depleo. ento estabelecido um uxo
de corrente eltrica atravs do dispositivo.

3.2.2 Polarizao reversa


Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno PN, isto , ligando o
polo positivo da bateria no material tipo N e o polo negativo no material
tipo P, a juno ca polarizada inversamente. No material tipo N os eltrons
so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo
ocorre com as lacunas do material do tipo P. Podemos dizer que, nesta condio, o potencial eltrico da bateria aumenta a zona de depleo, tornando
praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de um cristal para o
outro.

Aula 3 - O Diodo semicondutor

29

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3.3 Curva caracterstica de um diodo


A curva caracterstica de um diodo um grco que relaciona cada valor
da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo
(Figura 3.5).

Figura 3.5: Curva caracterstica do diodo semicondutor

3.3.1 Curva na polarizao direta


A curva de operao do diodo no uma reta como no caso de um resistor,
portanto o diodo um componente no linear (Figura 3.6).
http://pt.wikipedia.org/wiki/ Dopagem_eletr%C3%B4nica

Figura 3.6: Polarizao direta do diodo

a) Tenso de joelho:
Aplicando-se a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at
que se ultrapasse a barreira de potencial. medida que a tenso aplicada
no diodo aproxima-se do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas
comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a
qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso joelho (no silcio aproximadamente 0,7V).

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30

Eletrnica

3.3.2 Curva na polarizao reversa do diodo


O diodo polarizado reversamente conduz uma corrente eltrica extremamente pequena (corrente de fuga). Aumentando-se a tenso reversa aplicada sobre o diodo, em um determinado momento, atinge-se a tenso de
ruptura a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente, causando a destruio do diodo semicondutor (Figura 3.7).

Figura 3.7: Polarizao reversa do diodo

3.4 Especificaes de um diodo


Para a correta especicao de um diodo so fundamentais dois parmetros:
IFAV Corrente mdia mxima em conduo direta (A).
URRM Mxima tenso reversa repetitiva de pico (V).
A no observncia destes parmetros nos circuitos eletrnicos causa a destruio do componente. Veja na Figura 3.8 um exemplo de especicao de
um diodo.

Aula 3 - O Diodo semicondutor

31

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Figura 3.8: Diodo de baixa potncia

Resumo
Nessa aula estudamos o diodo semicondutor de juno. Foi possvel observar que se trata do dispositivo mais simples da Eletrnica, pois formado
pela juno de apenas dois cristais com polaridades opostas. Apesar de sua
simplicidade, amplamente utilizado, j que tem como caracterstica controlar o uxo de corrente eltrica atravs de sua juno, permitindo assim
a circulao de corrente eltrica apenas no sentido de nodo para ctodo.
Na aula seguinte estudaremos os circuitos reticadores que so as principais
aplicaes dos diodos semicondutores de juno.

Atividades de aprendizagem
1. O que um diodo semicondutor de juno?
2. Como chamado o terminal positivo do diodo?
3. Como chamado o terminal negativo do diodo?
4. O que zona de depleo?
5. O que a polarizao de um diodo?
6. Qual o comportamento do diodo quando diretamente polarizado?
7. Qual o comportamento do diodo quando reversamente polarizado?
8. Quais os principais parmetros na especicao de um diodo?

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32

Eletrnica

Aula 4 Circuitos retificadores

Objetivos
Compreender o processo de transformao da corrente alternada
em corrente contnua pela aplicao dos diodos semicondutores.
Reconhecer os tipos de processos de reticao e suas respectivas
caractersticas.
Empregar corretamente as equaes matemticas que descrevem
os processos de reticao.

Introduo
comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias como forma de prover
energia eltrica. Entretanto, a utilizao da energia eltrica em corrente alternada nas residncias e indstrias uma alternativa econmica mais vivel.
Para a utilizao dessa forma de energia, torna-se necessrio um circuito
que converta a tenso alternada em tenso contnua, de forma compatvel
com os circuitos eletrnicos. O diodo um componente fundamental nessa
transformao.

4.1 Onda senoidal


A onda senoidal um sinal eltrico produzido em todos os geradores de
energia eltrica em corrente alternada. a mesma tenso disponvel em
qualquer tomada de energia residencial ou industrial (Figura 4.1).

Aula 4 - Circuitos retificadores

33

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Figura 4.1: Onda senoidal

Frequncia angular a taxa de variao temporal de algum ngulo = 2..f


A equao 4.1 representa a onda senoidal.

Onde:
u(t) = tenso instantnea (V)
UP = tenso de pico (V)
= velocidade angular (rad/s)
= ngulo de defasagem (rad)
f = frequncia (Hz)
Algumas maneiras de se referir aos valores da onda:
Valor de pico UP Valor mximo que a onda atinge em um perodo;

Valor de pico a pico (UPP) Diferena entre o mximo e mnimo que a onda
atinge UPP = UP - (- UP) = 2 UP
Valor ecaz (Urms) (Root Mean Square) Valor indicado pelo voltmetro
quando na escala de corrente alternada (CA).

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34

Eletrnica

A relao entre tenso de pico e tenso ecaz representada pela equao


4.2.

Valor mdio a quantidade indicada em um voltmetro quando na escala


de corrente contnua (CC). O valor mdio utilizado para grandezas expressas em CC.

4.2 Circuito retificador de meia onda


O circuito reticador de meia onda converte a tenso de entrada CA numa
tenso contnua pulsante. Esse processo de converso de CA para CC conhecido como reticao (Figura 4.2).

Figura 4.2: Circuito retificador de meia onda

Durante o semiciclo positivo, o diodo est ligado no sentido direto e age


como uma chave fechada. Pela lei das malhas, toda a tenso da fonte incide sobre a carga. Durante o semiciclo negativo, o diodo est polarizado
reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica
circulando, no h tenso sobre o resistor, e toda a tenso da fonte aplicada sobre o diodo. Este circuito conhecido como reticador de meio ciclo
porque somente o semiciclo positivo estar presente na carga (gura 4.3).

Aula 4 - Circuitos retificadores

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Figura 4.3: Tenso retificada na carga

O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao reticador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo
e, normalmente chamado de resistor de carga, ou simplesmente de carga.
a) Valor CC ou valor mdio:
A tenso mdia de um reticador de meia onda medida por um voltmetro,
calculada pela equao 4.3:

4.3 Circuito retificador de onda completa


A Figura 4.4 mostra um circuito reticador de onda completa com duas
fontes CA. Observe a tomada central entre as duas fontes. Por causa dessa
tomada, o circuito equivalente a dois reticadores de meia onda. O reticador superior retica o semiciclo positivo da tenso da fonte superior,
enquanto o reticador inferior retica o semiciclo positivo da fonte inferior.

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36

Eletrnica

Figura 4.4: Circuito retificador de onda completa

As duas tenses denominadas de U1 e U2 na Figura 4.4 so idnticas em


amplitude e fase. Quando a fonte superior positiva, D1 est diretamente
polarizado e conduz, mas D2 est reversamente polarizado. Analogamente,
quando a fonte inferior positiva, D2 conduz e D1 est reversamente polarizado. Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o
resistor de carga (Figura 4.5).

Figura 4.5: Tenso retificada na carga

a) CC ou valor mdio:
A tenso mdia de um reticador de onda completa equivale ao dobro da
tenso de sada de um reticador de meia onda, pois agora o circuito opera
com um ciclo completo da tenso alternada.

Aula 4 - Circuitos retificadores

37

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b) Frequncia de sada:
A frequncia de sada no circuito de onda completa o dobro da frequncia
de entrada. Supondo que a tenso de entrada tenha uma frequncia de
60Hz, a onda reticada ter uma frequncia de 120Hz o que corresponde a
um perodo de 8,33ms.

4.4 Circuito retificador de onda completa


em ponte
Na Figura 4.6 mostra-se um reticador de onda completa em ponte. Utilizando-se quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso de duas fontes.
Durante o semiciclo positivo da tenso U, o diodo D3 recebe um potencial
positivo em seu nodo, e o D2 um potencial negativo no ctodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem enquanto os diodos D1 e D4 cam reversamente polarizados. O resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U.
Durante o semiciclo negativo da tenso U, o diodo D4 recebe um potencial
positivo em seu nodo, e o diodo D1 um potencial negativo no terminal ctodo, devido inverso da polaridade de U. Os diodos D1 e D4 conduzem, e
os diodos D2 e D3 cam reversamente polarizados.
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido, caracterizando, portanto, uma tenso Ucc contnua.

Figura 4.6: Circuito retificador em ponte

O valor de Ucc obtido conforme equao 4.4.

Resumo
Nessa aula, estudamos os circuitos reticadores, os quais so as principais
aplicaes dos diodos semicondutores de juno. Os circuitos reticadores

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38

Eletrnica

realizam a converso da energia eltrica de forma alternada, produzida pelas


mquinas das usinas geradoras, para a forma contnua, utilizada nos circuitos eletrnicos em geral. Na aula seguinte, conheceremos outros tipos de
diodos com suas respectivas aplicaes.

Atividades de aprendizagem
1. Qual a principal aplicao do diodo semicondutor?
2. O que signica valor de pico de uma onda senoidal?
3. Explique o comportamento do diodo em um circuito reticador de meia
onda.
4. Explique o funcionamento do circuito reticador de onda completa com
duas fontes senoidais de energia.
5. Explique o funcionamento do circuito reticador de onda completa em
ponte.

Aula 4 - Circuitos retificadores

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Aula 5 Tipos especiais de diodos

Objetivos
Conhecer novos componentes eletrnicos baseados no diodo semicondutor de juno.
Compreender as suas aplicaes prticas.
Aplicar corretamente as equaes matemticas pertinentes ao dimensionamento e operao destes componentes.

Introduo
Nesta aula sero estudados trs tipos especiais de diodos com ampla aplicao prtica nos equipamentos eletrnicos. O primeiro componente a ser
estudado o LED, utilizado para sinalizar ou converter eletricidade em luz.
Posteriormente ser estudado o FOTODIODO, que realiza a operao inversa
do LED, ou seja, transforma sinais luminosos em eletricidade. Por ltimo, o
DIODO ZENER com ampla aplicao em circuitos estabilizadores de tenso.

5.1 Diodo emissor de luz


O diodo emissor de luz (LED) o que polarizado diretamente emite luz visvel
(amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha (invisvel).
Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material
opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo, veja a Figura
5.2. amplamente utilizado como elemento sinalizador em equipamentos
devido a sua longa vida til, baixa tenso de acionamento e alta ecincia. A
polarizao do LED similar ao diodo comum, porm sempre em srie com
um resistor limitador de corrente, conforme a Figura 5.1. O LED simbolizado com setas apontando para fora como smbolo de luz irradiada.
http://saber.sapo.cv/wiki/Diodo#Tipos_de_diodos_ semicondutores
Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica
(ULED) de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA (IL).

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

41

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Figura 5.1: Circuito de polarizao do LED

Figura 5.2: Vista interna do LED

5.2 Fotodiodo
um diodo com uma janela transparente que torna sua pastilha semicondutora sensvel luz (Figura 5.3). O fotodiodo opera reversamente polarizado.
Quando uma energia luminosa incide numa juno PN, injeta mais energia

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42

Eletrnica

nos eltrons de valncia e, com isso, gera mais eltrons livres. Quanto mais
intensa for a luz na juno, maior ser a corrente reversa no fotodiodo.
O fotodiodo tem grande aplicao nos sistemas de comunicao de dados
por meio luminoso, por se tratar de um excelente conversor de luz em sinal
eltrico.

Figura 5.3: Fotodiodo

5.3 Diodo zener


O diodo zener construdo especialmente para trabalhar na regio da tenso de ruptura. A Figura 5.4 mostra a curva caracterstica do diodo zener. A
sua representao grca est indicada na Figura 5.5.
Tabela do diodo zener: http://www.esquemas.org/Zeners.htm

Figura 5.4: Curva caracterstica do diodo zener

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

43

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Figura 5.5: Smbolo do diodo zener

O diodo zener comporta-se como um diodo comum quando polarizado diretamente. Nas suas aplicaes prticas o zener deve ser polarizado reversamente e conectado em srie com um resistor limitador de corrente, veja a
Figura 5.6.

Figura 5.6: Circuito de operao do diodo zener

Figura 5.7: Reta de Carga do Diodo Zener

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Eletrnica

a) Diodo zener ideal:


O diodo zener ideal comporta-se como uma chave fechada para tenses
positivas ou tenses negativas menores que UZ. Ele se comportar como
uma chave aberta para tenses negativas entre zero e UZ, conforme representado na sua curva caracterstica da Figura 5.7.
b) Corrente mxima no zener:
A corrente mxima que o diodo zener suporta depende da potncia e da
tenso do diodo.

Resumo
Nessa aula, estudamos o diodo LED que tem como nalidade emitir luz onde
for necessrio sinalizar ou produzir um sinal luminoso, o FOTODIODO, dispositivo capaz de converter informaes luminosas em sinais eltricos e, por
ltimo, estudamos as caractersticas do DIODO ZENER, dispositivo que se
aplica aos diversos sistemas de regulao de tenso e, em especial, s fontes
de alimentao que sero estudadas na aula a seguir.

Atividades de aprendizagem
1. O que um LED?
2. Quais as principais aplicaes do LED?
3. O que um fotodiodo?
4. Quais as principais aplicaes do fotodiodo?
5. O que um diodo zener?
6. Quais as aplicaes do diodo zener?

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

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Aula 6 Fontes de alimentao

Objetivos
Compreender a operao e os principais componentes das fontes
de alimentao.
Aplicar corretamente as equaes matemticas que descrevem a
operao dos circuitos eletrnicos.
Compreender e aplicar corretamente as leis fundamentais da eletricidade, do magnetismo e do eletromagnetismo.

Introduo
Conforme estudado at este momento, os componentes eletrnicos necessitam de um suprimento de energia eltrica para o seu correto funcionamento. Esse suprimento de energia pode ser proveniente de baterias ou pilhas.
Entretanto, muitos equipamentos destinam-se a aplicaes residenciais ou
industriais cuja principal fonte de energia a rede eltrica de corrente alternada. Nesta aula estudaremos a forma de converter a energia das redes eltricas em energia adequada operao de um circuito eletrnico. Essa fonte
de energia composta por diversos componentes: transformador, circuito
reticador, capacitor de ltragem e circuito regulador de tenso. Cada componente ser estudado separadamente a seguir e, ao nal da aula, teremos
a integrao de todas as partes.

6.1 O transformador
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 50 UCC, enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma
ser de 127 Urms ou 220 Urms. Logo, a primeira etapa de processamento da
energia o rebaixamento do nvel de tenso. O componente utilizado para
essa tarefa o transformador que opera segundo os princpios do eletromagnetismo. O transformador constitudo por duas bobinas (chamadas
de enrolamentos) unidas magneticamente por um ncleo. A energia ui de
uma bobina para outra pelo uxo magntico.

Aula 6 - Fontes de alimentao

47

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Na Figura 6.1 observa-se um exemplo de transformador utilizado em fontes


de energia de baixa potncia.

Figura 6.1: Transformador monofsico de baixa potncia

Na Figura 6.2 a tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de


enrolamento primrio e a tenso de sada, ao enrolamento secundrio.

Figura 6.2: Representao grfica de um transformador e transformador com vrias


tenses

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Eletrnica

No transformador ideal:

onde:
U1 tenso no primrio;
U2 tenso no secundrio;
N1 nmero de espiras no enrolamento primrio;
N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio.
A corrente eltrica no transformador ideal :

6.2 Circuitos retificadores


So circuitos que utilizam diodos semicondutores os quais convertem a energia eltrica alternada em corrente contnua. Observe na Figura 6.3, o circuito
reticador meia onda, na Figura 6.4, o circuito reticador onda completa e,
na Figura 6.5, o circuito reticador onda completa em ponte.

Figura 6.3: Transformador e circuito retificador meia onda

Aula 6 - Fontes de alimentao

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Figura 6.4: Transformador de tap central e circuito retificador onda completa

Figura 6.5: Transformador e circuito retificador onda completa em ponte

6.3 O capacitor de filtragem


Componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas
por um material isolante, chamado dieltrico (ver gura 6.6).

Figura 6.6: Capacitor eletroltico

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Eletrnica

Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado, haver uma distribuio de cargas e, aps certo tempo, as tenses na bateria e no capacitor
sero as mesmas, deixando de circular corrente eltrica em direo ao capacitor (ver Figura 6.7).
Se o capacitor for desconectado da bateria, as cargas eltricas acumuladas
permanecem no capacitor, sendo, portanto, mantida a diferena de potencial no capacitor.
Os capacitores apresentam as seguintes caractersticas:
- Armazena grandes cargas eltricas em suas placas;
- Ope-se a variaes de tenso eltrica;
- A capacidade de armazenar cargas depende da sua capacitncia;
- Capacitncia medida em Farads (F) e seus submltiplos, F, nF, pF.
a) Carga e descarga do capacitor:
Suponha que o capacitor esteja descarregado e, em t = 0s, a chave do circuito da Figura 6.7 fechada. Inicia-se o processo de carga, e a tenso nos
terminais do capacitor cresce at atingir a tenso da fonte de energia.

Figura 6.7: Processo de carga do capacitor

Na descarga do capacitor, ele est carregado e a chave fechada. A corrente


atravs do resistor decrescer conforme a Figura 6.8.

Aula 6 - Fontes de alimentao

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Figura 6.8: Processo de descarga do capacitor

6.3.1 A operao do capacitor de filtragem


A tenso de sada de um reticador sobre um resistor de carga pulsante.
Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir
de zero at o valor de pico e, depois, diminui retornando a zero. No entanto, a tenso de uma fonte de alimentao deve ser estvel. Para obter esse
tipo de tenso reticada na carga, torna-se necessrio o uso de ltro. O tipo
mais comum de ltro para circuitos reticadores o ltro com capacitor. O
capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga. Para entendermos o
funcionamento do ltro, supe-se o diodo como ideal e que, antes de ligar
o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado.
Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta
o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de
pico UP. Veja as Figuras 6.9, 6.10a e 6.10b.

Figura 6.9: Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo

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Eletrnica

Figura 6.10a: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo

Figura 6.10b: Circuito retificador de onda completa com filtro capacitivo

Logo aps o pico positivo o diodo para de conduzir, o que signica uma
chave aberta. Isso devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP.
Como a tenso no secundrio ligeiramente menor que UP, o diodo ca
reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo aberto, o capacitor
se descarrega por meio do resistor de carga. A idia do ltro a de que o
tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo da tenso
de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte de
sua carga durante o tempo que o diodo estiver em aberto. O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio for maior que
a tenso no capacitor. Ele conduzir desse ponto at a tenso no secundrio
atingir o valor de pico UP.
A Figura 6.11 mostra a tenso reticada e ltrada sobre a carga. A tenso
na carga uma tenso contnua mais estvel. A diferena para uma tenso
contnua pura uma pequena ondulao (Ripple), causada pela carga e descarga do capacitor. Quanto menor a ondulao, maior ser o valor mdio da
tenso na carga. Uma forma de reduzir a ondulao optar pelo uso de um
reticador de onda completa, no qual a frequncia de ondulao o dobro.

Aula 6 - Fontes de alimentao

53

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Figura 6.11: Tenso retificada e filtrada

Pode-se relacionar a tenso de ondulao nas equaes F.3 e F.4, onde:


URipple = tenso de ondulao pico a pico (V);
ICC = corrente CC mdia na carga (A);
UCC = tenso CC mdia na carga (V);
UP = tenso de pico (V);
f = frequncia de ondulao (Hz);
C = capacitncia (F).
A escolha de um capacitor de ltro depende, ento, do valor da tenso de
ondulao. Como regra prtica, estipula-se a tenso de ondulao em 10%
da tenso de pico da onda senoidal.

6.4 Regulador de tenso com diodo zener


O circuito regulador de tenso com o diodo zener proporciona para carga
uma tenso constante mesmo com variaes de tenso na entrada (Us). Esse
um requisito essencial para as cargas Eletrnicas que no suportam grandes variaes de tenso para o seu correto funcionamento. O circuito regulador de tenso deve ser projetado para a condio mais severa de operao,

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54

Eletrnica

tendo como principal componente a ser projetado o resistor srie (RS). Veja
a Figura 6.12.

Figura 6.12: Regulador de tenso zener

US Tenso de entrada;
IZ Corrente no zener;
RS Resistncia srie;
UZ Tenso zener e tenso na carga.
a) Clculo do resistor RS:
Para o correto projeto do resistor srie (RS), devem-se observar duas condies extremas de operao:
1. Condio em que a fonte US est em seu valor mximo e a carga com
uma corrente mnima. Nessa condio a corrente sobre o zener ser limitada a um mximo de 90%, e ser denido o valor mnimo de RS.

2. Condio em que a fonte US est em seu valor mnimo e a carga com


uma corrente mxima. Nessa condio a corrente sobre o zener ser limitada a um mnimo de 10%, e ser denido o valor mximo de RS.
O valor de resistor srie a ser selecionado deve estar compreendido entre o
valor mnimo e o mximo. Se, por ventura, o valor mnimo for maior que o
mximo, deve-se adotar um diodo zener de maior potncia, recalculando o
resistor srie RS. Veja a Figura 6.13.

Aula 6 - Fontes de alimentao

55

e-Tec Brasil

Figura 6.13: Fonte de alimentao com circuito estabilizador de tenso

Resumo
Nessa aula, estudamos o transformador, responsvel pelo rebaixamento da
tenso alternada da rede eltrica para os nveis exigidos dos equipamentos
eletrnicos; os circuitos reticadores com diodos que convertem a energia alternada em energia na forma contnua; o circuito de ltragem com capacitor
que reduz as ondulaes e proporciona uma tenso mais estvel; e por m,
o circuito estabilizador de tenso com diodo zener, capaz de produzir uma
tenso estvel para os sensveis circuitos dos equipamentos eletrnicos. As
operaes conjuntas dessas etapas de processamento de energia constituem
as fontes de alimentao para os circuitos eletrnicos.

Atividades de aprendizagem
1. O que uma fonte de alimentao?
2. Qual o equipamento utilizado para rebaixar tenses em corrente alternada?
3. Qual a nalidade dos circuitos reticadores?
4. Qual a vantagem da reticao em onda completa comparada reticao em meia onda?
5. Qual a nalidade do capacitor de ltro?
6. O que ocorre com o nvel da tenso reticada quando adicionamos o
capacitor de ltro?
7. Qual a nalidade do regulador de tenso com diodo zener?

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Eletrnica

Aula 7 O Transistor bipolar

Objetivos
Conhecer o transistor de juno bipolar, componente que revolucionou a tecnologia.
Compreender o funcionamento e a operao do transistor em diversas aplicaes prticas.
Aplicar corretamente as leis e as equaes que descrevem a operao do transistor nos circuitos eletrnicos.

Introduo
Existe uma innidade de sinais eltricos cujos nveis de intensidade so extremamente baixos. Como exemplo, podem-se citar as correntes eltricas
que circulam no corpo humano, o sinal de sada de uma cabea de gravao, elementos sensores, etc. Para transform-los em sinais teis, torna-se
necessrio amplic-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento
principal nessa tarefa. Em 1947, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa
em relao s vlvulas, para realizar as funes de amplicao, deteco,
oscilao, comutao, etc. A partir desse marco, o desenvolvimento da Eletrnica foi imenso (Figura 7.1).
Dentre todos os transistores, o bipolar o mais comum, o qual semelhante
ao diodo estudado anteriormente. A principal diferena que o transistor
formado por duas junes PN, enquanto o diodo por apenas uma.

Aula 7 - O Transistor bipolar

57

e-Tec Brasil

Figura 7.1: Os inventores John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley e; O primeiro transistor

7.1 Funcionamento do transistor bipolar


O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutores dopados. Dois cristais tipo N e um tipo P ou dois cristais tipo P e um tipo N. O primeiro chamado de transistor NPN e o segundo, de PNP. Veja a Figura 7.2.

Figura 7.2: Estrutura do transistor bipolar NPN e PNP

Cada um dos trs cristais que compem o transistor bipolar recebe o nome
relativo sua funo. O cristal do centro chamado de base, pois comum
aos outros dois cristais, levemente dopado e muito no. O cristal da extremidade esquerda recebe o nome de emissor, por emitir portadores de carga,
fortemente dopado e, nalmente, o ltimo cristal tem o nome de coletor
por receber os portadores de carga, possui uma dopagem mdia. Apesar de
a Figura 7.2 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si
no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor e a base e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor
se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado

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58

Eletrnica

diodo emissor base e o da direita de coletor base. Nessa aula estudaremos o


funcionamento do transistor NPN. A anlise do transistor PNP similar do
NPN, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so
lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isso signica tenses e correntes invertidas se comparadas com o NPN.

7.2 Transistor no polarizado


A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas zonas de depleo. Cada zona tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V
(silcio) em 25C. Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as
zonas de depleo tm larguras diferentes. Quanto maior a largura, menor
a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e
medianamente na regio do coletor.

7.3 Polarizao do transistor NPN


As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente, conforme a polaridade da tenso aplicada em seus terminais.

7.3.1 Polarizao direta


Na Figura 7.3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo base-emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o diodo base-coletor. Os eltrons livres entram
no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O
uxo de corrente eltrica intenso nas duas junes.

Figura 7.3: Polarizao direta das duas junes

7.3.2 Polarizao reversa


Na Figura 7.4 os diodos base-emissor e base-coletor cam reversamente polarizados. A corrente eltrica que circula pelas duas junes muito pequena
(corrente de fuga).

Aula 7 - O Transistor bipolar

59

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Figura 7.4: Polarizao reversa das duas junes

7.3.3 Polarizao direta reversa


Na Figura 7.5 o diodo base-coletor est reversamente polarizado e diodo
base-emissor diretamente polarizado. Espera-se uma corrente de fuga no
diodo base-coletor e uma intensa corrente no diodo base-emissor. No entanto, isso no acontece, nos dois diodos as correntes so elevadas.

Figura 7.5: Polarizao direta e reversa das funes

No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo base-emissor,


os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso
entre base e emissor (Ube) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor
penetram na regio da base. Esses eltrons na base podem retornar ao polo
negativo da bateria B1, ou atravessar a juno base-coletor, atingindo a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so
chamados de corrente de recombinao. Ela pequena, porque a base
pouco dopada. Como a base muito na, grande parte dos eltrons da base
atravessam a juno base-coletor. Essa juno, polarizada reversamente, diculta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas)
para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem diculdade
a zona de depleo e penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so
fortemente atrados para o polo positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo base-emissor, injetada uma

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60

Eletrnica

alta corrente em direo base. Na base uma pequena parcela da corrente,


por recombinao, retorna ao polo negativo da bateria B1 e o restante da
corrente ui para o coletor e da para o polo positivo da bateria B2.
Obs.: Considerar a tenso coletor-base (Ucb) bem maior que a tenso emissor-base (Ube). Veja a Figura 7.6.

Figura 7.6: Fluxo de eltrons

7.4 Polarizao do transistor PNP


No transistor PNP as regies dopadas so contrrias s do transistor NPN.
Isso signica que as lacunas so portadoras majoritrias no emissor em vez
dos eltrons livres. O funcionamento descrito a seguir: O emissor injeta
lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula em direo ao coletor.
Por essa razo, a corrente de coletor quase igual do emissor. A corrente
de base muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor NPN pode ser convertido para uso de transistor PNP. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de
alimentao dos diodos e capacitores polarizados. O funcionamento do circuito ser idntico ao modelo com transistor NPN. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados sero sempre com transistores
NPN.

Figura 7.7: Correntes nos transistores NPN e PNP respectivamente

Aula 7 - O Transistor bipolar

61

e-Tec Brasil

A Figura 7.7 mostra os smbolos que representam os transistores NPN e PNP,


respectivamente. A diferenciao entre os tipos de transistores na representao grca feita pela seta no pino do emissor. A direo da seta mostra
o uxo de corrente convencional e tambm o sentido das correntes convencionais Ib, Ic e Ie.
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes que
chegam a um n igual soma de todas as correntes que partem desse
mesmo n. Considerando o transistor como um nico n, e aplicando-se a
lei de correntes de Kirchhoff, obtm-se a equao 7.1.

A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base


chamada de ganho de corrente, designado pelo parmetro CC:

Em geral, mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual corrente de coletor.

7.5 Montagem bsica com transistor


Na Figura 7.8 o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao
emissor. Nesse caso, denomina-se o circuito como emissor comum. Alm da
montagem em emissor comum, existe a montagem em coletor e em base
comuns. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que
contm a tenso Ube e a malha da direita, com a tenso Uce. Aplicando-se
a lei das malhas de tenso de Kirchhoff, obtm-se as equaes G.3 e G.4.

e-Tec Brasil

62

Eletrnica

Figura 7.8: Polarizao do transistor em emissor comum

Na juno base-emissor, temos um diodo diretamente polarizado. Isso nos


leva a uma relao entre Ib e Ube, ou seja, para cada Ib existe uma tenso Ube
correspondente. Naturalmente, essa curva semelhante curva do diodo de
juno diretamente polarizado. Veja Figura 7.9.

Figura 7.9: Relao entre Ib e Ube

Na Figura 7.10 pode-se visualizar a relao entre a corrente de base IB, a


corrente de coletor IC e a tenso entre os terminais de coletor e emissor UCE.
Essa Figura 7.10 fundamental na determinao do ponto de operao do
transistor que pode se encontrar em trs regies distintas:

Aula 7 - O Transistor bipolar

63

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a) Regio de corte: nessa regio, a corrente de base e de coletor so praticamente nulas e a tenso entre os terminais de coletor e emissor praticamente igual a da fonte de alimentao do circuito;
b) Regio ativa ou linear: nessa regio, a corrente de base apresenta um
valor determinado, conforme as diferentes curvas do grco. A corrente
de coletor determinada no eixo das ordenadas e o valor de tenso entre
os terminais de coletor e emissor, no eixo das abcissas;
c) Regio de saturao: essa regio denida pelo contorno esquerda do
grco, onde a corrente de coletor apresenta valores elevados, enquanto
a tenso entre o coletor e o emissor relativamente pequena.

Figura 7.10: Ponto de operao do transistor

7.6 O modelo de Ebers-Moll


Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se diculdade em
trabalhar com o transistor em nvel de malhas. Uma opo utilizar um circuito equivalente para o transistor, usando componentes mais simples como
fontes e resistores.
O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente ao transistor, vlido apenas para a operao na regio ativa, ou seja, o diodo base-emissor polarizado diretamente; o diodo base-coletor polarizado reversamente e a tenso do
diodo base-coletor menor que a tenso de ruptura do dispositivo. Observe a
Figura 7.5. O modelo faz algumas simplicaes:
Ube = 0,7V

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64

Eletrnica

Despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistncia de espalhamento da base.

Figura 7.11: Modelo Ebers-Moll

7.7 Polarizao em corrente contnua de


transistores
Um circuito transistorizado pode ter uma innidade de aplicaes e os transistores para cada funo tm um ponto de funcionamento correto. Estudaremos, a seguir, a forma de estabelecer o ponto de operao ou quiescente
de um transistor, isto , como polariz-lo.
a) Reta de carga:
A Figura 7.12 mostra um circuito com polarizao de emissor comum. O
desao consiste em saber os valores de correntes e tenses nos diversos
componentes. Uma forma de soluo o uso da reta de carga.

Aula 7 - O Transistor bipolar

65

e-Tec Brasil

Figura 7.12: Polarizao do transistor em emissor comum

Usa-se a reta de carga em transistores para obter as correntes Ic e Uce, considerando a existncia de um resistor de coletor Rc. A anlise da malha formada pela fonte de tenso Ucc, Rc e Uce (ver equao 7.6) leva-nos a determinao da corrente Ic:

Nessa equao, existem duas incgnitas Ic e Uce. A soluo desse impasse


utilizar o grco Ic x Uce. Com o grco em mos (Figura 7.13), podemos
calcular os extremos da reta de carga:
Fazendo: UCE = 0 IC = UCC / RC, determinamos o ponto sobre o eixo das
ordenadas;
Fazendo: IC = 0 UCE = UCC, determinamos o ponto sobre o eixo das abcissas.

A partir da denio desses dois pontos, temos a reta de carga para este
circuito.

Denida uma corrente de base Ib, obtemos os valores de Ic e Uce sobre a reta
de carga.

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66

Eletrnica

Exemplo:
Vamos denir a reta de carga para o circuito da Figura 7.12 e determinar os
valores de IC e UCE de operao do transistor.
Os dois pontos necessrios para denir a reta de carga so:
UCE = 0 IC = UCC / RC = 15/1500 = 10mA ponto no eixo das ordenadas.
IC = 0 UCE = UCC = 15V ponto sobre o eixo das abcissas.

A corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB e denida por:


Ib = (15-0,7) / 500.000 = 30A.

Figura 7.13: Reta de carga na curva do transistor

Aps traar a reta de carga na curva do transistor, chega-se aos valores de Ic


= 6mA e Uce = 5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto
quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de Ib. Um aumento na corrente de base Ib aproxima o transistor da regio de saturao, e uma diminuio
de Ib leva o transistor regio de corte (ver a gura 7.13).
O ponto onde a reta de carga intercepta a curva Ib = 0 conhecido como
corte. Nesse ponto a corrente de base zero e a corrente do coletor muito
pequena (Iceo). A interseo da reta de carga e a curva Ib = Ib (SAT) so chamadas saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima. Ver Figura 7.14.

Aula 7 - O Transistor bipolar

67

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Figura 7.14: Regio de operao do transistor

7.8 O transistor operando como chave


Uma das operaes mais comuns para o transistor bipolar operar como
uma chave controlada, isto , um dispositivo capaz de permitir ou no a conduo da corrente eltrica. Se o transistor for levado a uma operao na regio de saturao ir se comportar como uma chave fechada do coletor para
o emissor. Permitir assim, a passagem de corrente entre estes terminais. Por
outro lado, quando o transistor est na regio de corte, como uma chave
aberta. Todo esse processo depende, exclusivamente, da intensidade de corrente na base do transistor.
a) Corrente de base:
A corrente de base controla a posio da chave. Se Ib for zero, a corrente
de coletor prxima de zero e o transistor est em corte (chave aberta). Se
Ib for Ib (SAT) ou maior, a corrente de coletor mxima e o transistor satura.
Saturao fraca signica que o transistor est levemente saturado, isto , a
corrente de base apenas suciente para operar o transistor na extremidade
superior da reta de carga. Saturao signica dispor de corrente na base suciente para saturar o transistor para todas as variaes de valores de cc. No
pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de
pequeno sinal tem um cc maior do que 10. Portanto, uma boa orientao
de projeto para a saturao forte de considerar um cc (SAT) = 0,1.CC,
ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um
dcimo do valor saturado da corrente de coletor.

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68

Eletrnica

7.9 O transistor operando como fonte de


corrente
A Figura 7.15 mostra um transistor operando como fonte de corrente. Ele
tem um resistor de emissor Re entre o emissor e o ponto comum. A corrente
de emissor circula por esse resistor, produzindo uma queda de tenso de
Ie.Re.

Figura 7.15: Transistor operando como fonte de corrente

A soma das tenses da malha de entrada :

Logo:

Como Ube, Ubb, e Re so aproximadamente constantes, a corrente no emissor constante, independentemente decc, Rc ou da corrente de base.

7.10 O transistor operando como amplificador


Antes de o transistor amplicar pequenos sinais ele deve estar devidamente
polarizado na regio ativa de operao. O circuito mais usado em ampli-

Aula 7 - O Transistor bipolar

69

e-Tec Brasil

cadores chamado de polarizao por divisor de tenso conforme a Figura


7.16. A principal vantagem desse circuito a independncia da sua operao em relao a variaes do ganho do transistor (cc). Nesse circuito
xa-se uma tenso na base do transistor, via os resistores R1 e R2. Deve-se
ter ateno para que o valor da corrente (I) em R1 seja bem maior que a
corrente de base (Ib).
Dessa forma, a corrente Ib no inuenciar na tenso sobre R2. Como regra
prtica considera-se a corrente I, 20 vezes maior que Ib. Para a anlise da
tenso em UR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso. Supondo
I >> Ib:

Figura 7.16: Polarizao por divisor de tenso

Aps obter o valor de UR2 torna-se simples o clculo de Ie. Deve-se utilizar a
equao das tenses da malha formada pela base e emissor do transistor:
UR2 = URe + Ube
Como URe = Ie .Re

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70

Eletrnica

Analisando as tenses da malha de sada formada pelo coletor e emissor do


transistor:
UCC = Rc.Ic + Uce + Re.Ic
E considerando Ie = Ic
Tem-se: UCC = Ic (Rc + Re)+ Uce

Notar que o ganho do transistor cc no aparece na frmula da corrente


de coletor. Isso quer dizer que o circuito imune a variaes em cc, o que
implica um ponto de operao estvel. Por isso, a polarizao por divisor de
tenso amplamente utilizada.
a) Dicas de projeto:
Considerar:
Uce = 0,5.UCC
URe = 0,1.UCC
R2 0,1cc.Re
b) Amplicadores de sinal emissor comum:
http://pt.wikipedia.org/wiki/Amplificador
Pode-se, ento, considerar os transistores devidamente polarizados com seu
ponto de operao prximo ao meio da reta de carga para uma mxima
excurso do sinal de entrada sem distoro. Ao injetar um pequeno sinal
CA base do transistor, ele se somar s tenses contnuas de polarizao
e induzir utuaes na corrente de coletor de mesma forma e frequncia.
Ele ser chamado de amplicador linear (ou de alta-delidade - Hi-Fi) se no
mudar a forma do sinal na sada. Desde que a amplitude do sinal de entrada
seja pequena, o transistor usar somente uma pequena parte da reta de

Aula 7 - O Transistor bipolar

71

e-Tec Brasil

carga, e a operao ser linear. Caso o sinal de entrada apresente elevada amplitude, as utuaes ao longo da reta de carga levaro o transistor
a condies de saturao. Um circuito amplicador mostrado na Figura
7.17. A polarizao por divisor de tenso. A entrada do sinal acoplada
base do transistor via o capacitor C1, e a sada do sinal acoplada carga RL
atravs do capacitor C2. O capacitor funciona como uma chave aberta para
corrente contnua e como chave fechada para a corrente alternada. Essa
ao permite obter um sinal CA de um estgio para outro, sem perturbar a
polarizao CC de cada estgio.

Figura 7.17: Amplificador de sinal emissor comum

Esta etapa amplicadora de pequenos sinais apresenta as seguintes caractersticas:


- Elevado ganho de tenso para pequenos sinais;
- Independncia com relao s variaes de ganho do transistor;
- Inverso da fase do sinal de sada.

Resumo
Nessa aula conhecemos um dos maiores inventos da atualidade, o transistor
bipolar, que um componente que proporcionou uma verdadeira revoluo tecnolgica. de fundamental importncia a compreenso por parte
do tcnico industrial do funcionamento e da operao do transistor, pois se

e-Tec Brasil

72

Eletrnica

trata do elemento bsico tanto em um pequeno rdio porttil como no processador de um moderno computador. Nessa aula aprendemos a forma de
operao do transistor em diversas situaes: operando como chave esttica, como fonte de corrente e como amplicador de pequenos sinais. Na aula
seguinte, estudaremos dispositivos eletrnicos que possuem mais de trs
camadas semicondutoras em sua estrutura, e que desempenham funes
importantes no acionamento de equipamentos eltricos.

Atividades de aprendizagem
1. O que um transistor de juno bipolar?
2. Quais as caractersticas fsicas do cristal da base?
3. Quais as caractersticas fsicas do cristal do coletor?
4. Quais as caractersticas fsicas do cristal do emissor?
5. Como se determina a corrente de emissor em um transistor devidamente
polarizado?
6. O que ganho de corrente de um transistor?
7. Quais as caractersticas da regio de corte?
8. Quais as caractersticas da regio de saturao?
9. Quais as caractersticas da regio de operao ativa?
10. Qual a nalidade do modelo de Ebers-Moll?
11. Explique a operao do transistor como chave.
12. Quais as caractersticas de uma etapa amplicadora tipo emissor comum?

Aula 7 - O Transistor bipolar

73

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Aula 8 Tiristores

Objetivos
Conhecer os tiristores, que so dispositivos eletrnicos formados
por quatro camadas semicondutoras.
Compreender o processo de conduo e disparo dos tiristores.
Conhecer as principais aplicaes desses componentes, relacionadas automao industrial.

Introduo
Os tiristores so componentes eletrnicos com estrutura cristalina de quatro
camadas. So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, utilizados
para acionar cargas como: motores, eletroms, aquecedores e conversores
de corrente alternada em corrente contnua. Nesta aula sero estudados os
componentes denominados SCR e TRIAC.

8.1 A estrutura PNPN


Tiristor um componente eletrnico de silcio cuja estrutura apresenta quatro camadas dopadas na seguinte sequncia PNPN. Este componente apresenta trs terminais:
a) Terminal do material tipo P externo que denominado de nodo (A);
b) Terminal do material tipo N externo que denominado ctodo (K);
c) Terminal da camada tipo P, interna, denominado gatilho (G).
Aplicando-se uma tenso positiva no nodo em relao ao ctodo, polarizam-se diretamente as duas junes extremas do componente. Nesta situao no ocorre conduo de corrente eltrica atravs do componente,
at que a camada interna tipo P (gatilho) receba uma tenso positiva. Essa

Aula 8 - Tiristores

75

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tenso positiva no terminal de gatilho desencadeia a conduo de corrente


por todas as camadas do dispositivo. Ver Figura 8.1.

Figura 8.1: A estrutura de quatro camadas - PNPN

8.2 SCR
O SCR (Sillicon Controlled Recticier) um diodo reticador controlado. Ele
possui trs terminais A (nodo), K (ctodo) e o terminal de controle G (gate).
Para a entrada em conduo do SCR necessrio que seus terminais A e K
estejam diretamente polarizados e que seja aplicado um pulso de tenso
positiva no terminal G. Satisfeita essa condio, estabelecida uma corrente
atravs do dispositivo (entre os terminais A e K). Essa corrente deve apresentar um valor mnimo chamado corrente de manuteno (valor informado
nas folhas de dados dos componentes). Uma vez estabelecido esse processo,
mesmo sem tenso positiva no terminal de controle G, o dispositivo permanece conduzindo. A extino desse processo ocorre quando o dispositivo
passar a ser polarizado reversamente e a corrente atravs do dispositivo for
menor que a corrente de manuteno.
Na Figura 8.2 observa-se a curva caracterstica de operao do SCR e seu
respectivo smbolo, utilizado nos esquemas eletrnicos.

e-Tec Brasil

76

Eletrnica

Figura 8.2: Curva de operao do SCR

Na Figura 8.3 observa-se uma aplicao prtica do SCR em que realizado


o controle do ngulo de disparo do componente. Pode-se variar a potncia
entregue carga resistiva variando-se o valor da resistncia R ligada ao terminal de gatilho do SCR.

Aula 8 - Tiristores

77

e-Tec Brasil

Figura 8.3: Circuito de controle de fase com SCR

8.3 TRIAC
O TRIAC um tiristor de estrutura mais complexa contendo diversas regies
PNPN que atuam como dois SCRs interligados em antiparalelo. Essa estrutura permite que o TRIAC opere no controle de cargas em corrente alternada.
Na Figura 8.4 observa-se o smbolo grco do TRIAC e seu circuito equivalente a partir de dois SCRs.

Figura 8.4: TRIAC

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78

Eletrnica

Na Figura 8.5 est representado o diagrama esquemtico de um circuito de


controle do ngulo de fase que permite controlar toda a faixa de potncia
desenvolvida na carga. Esse circuito muito utilizado no controle do brilho
produzido por lmpadas incandescentes, ou no controle da velocidade de
rotao de motores universais.

Figura 8.5: Circuito de aplicao do TRIAC

8.4 Acionando o gatilho dos tiristores


Os tiristores podem ser acionados ou disparados em seu terminal de gatilho
de dois modos: pela aplicao de corrente contnua ou pelos pulsos de tenso.
O disparo por aplicao de corrente contnua usado no acionamento de
cargas por longos perodos como lmpadas, calefatores, eletroms, motores, em sistemas de controle tipo liga-desliga e cclicos. Nesses casos mantm-se continuamente a alimentao de gatilho. Apesar do consumo de
energia alm do necessrio e o consequente aquecimento da juno, isso
simplica o circuito de acionamento.
O disparo por pulsos de tenso aplicado em controles de ngulo de fase,
podendo controlar a potncia de cargas como lmpadas ou a velocidade
de motores universais (ver Figura 8.5). Nesses, a cada ciclo da tenso CA
de alimentao, gerada uma tenso defasada por uma ou duas redes de
atraso, formadas por resistores e capacitores. Quando a tenso o nvel de

Aula 8 - Tiristores

79

e-Tec Brasil

tenso necessrio ao disparo do TRIAC, num dado ngulo de fase, o tiristor


acionado, energizando a carga. O processo se repete a cada ciclo. Variando
o valor do resistor, varia-se a poro do ciclo em que alimentada a carga
(ngulo de conduo do tiristor), variando a tenso ecaz, e a potncia na
carga.

Resumo
Nessa aula estudamos os dois principais componentes que apresentam quatro camadas de semicondutores. O SCR um diodo reticador, controlado atravs de um terminal de gatilho e o TRIAC corresponde a uma chave
esttica, controlada para o acionamento de cargas em corrente alternada.
Esses componentes tero grande importncia em sua formao por serem
amplamente utilizados nos modernos conversores estticos e controles de
mquinas eltricas.

Atividades de aprendizagem
1. O que um tiristor?
2. Qual a nalidade do terminal de gatilho nos tiristores?
3. O que um SCR?
4. O que um TRIAC?
5. Quais os mtodos de disparo dos tiristores?

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80

Eletrnica

Aula 9 Introduo aos circuitos integrados


Objetivos
Conhecer os circuitos integrados ou microchips e as suas vantagens quando utilizados em equipamentos mais complexos.
Conhecer a classicao dos microchips quanto aplicao, grau
de integrao e forma de encapsulamento.

Introduo
Os circuitos integrados, tambm chamados de microchips, so circuitos eletrnicos funcionais, constitudos por um conjunto de transistores, diodos,
resistncias e capacitores, fabricados sobre uma nica pastilha semicondutora de silcio. Foram desenvolvidos a partir da dcada de 60 em importantes
laboratrios americanos e rapidamente difundidos no uso militar, espacial e
domstico. Atualmente pode-se encontrar um microchip em cartes pessoais, relgios eletrnicos ou modernos computadores pessoais.
http://www.youtube.com/watch?v=DUjLjGCZV4M

Figura 9.1: Vista interna superior de um circuito integrado (CI)

Aula 9 - Introduo aos circuitos integrados

81

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http://www.lsi.usp.br/~chip/index.html
O circuito integrado (CI) propriamente dito chama-se pastilha (chip, em ingls) e muito pequeno, observe a Figura 9.1. O tamanho externo do circuito integrado deve-se ao seu invlucro e s ligaes do chip aos terminais
externos.
Vantagens dos CIs em relao aos circuitos com componentes discretos:
- Reduo de custos, peso e tamanho;
- Aumento da conabilidade;
- Maior velocidade de trabalho;
- Menor consumo de energia;
- Facilidade de manuteno;
- Simplicidade na produo industrial.

9.1 Classificao dos circuitos integrados


Os circuitos integrados podem ser classicados de diversas formas, considerando sua aplicao prtica, nmero de componentes integrados na sua
pastilha de silcio, tipo de encapsulamento, ou seja, a sua proteo externa.
Vejamos a seguir estas classicaes.

9.1.1 Quanto sua aplicao


Os circuitos integrados lineares ou analgicos produzem sinais contnuos em
funo dos sinais que lhe so aplicados nas suas entradas. As funes dos
CIs analgicos so a amplicao, gerao ou manipulao de pequenos
sinais eltricos. Destacam-se, nesse grupo de circuitos integrados, os amplicadores operacionais.
Os circuitos integrados digitais operam segundo a lgebra booleana, realizando operaes lgicas. Nessas operaes lgicas so manipulados valores
discretos de tenso que representam os dgitos 0 (zero) e 1 (um).
a) Sinal analgico: sinal que tem uma variao contnua ao longo do tempo
(Figura 9.2).

e-Tec Brasil

82

Eletrnica

Figura 9.2: Sinal analgico

b) Sinal digital: sinal que tem uma variao por saltos de uma forma descontnua (Figura 9.3).

Figura 9.3: Sinal digital

9.1.2 Quanto ao seu grau de integrao


O grau de integrao refere-se ao nmero de componentes que o circuito
integrado (CI) contm em sua pastilha semicondutora:
a) SSI (Small Scale Integration) Integrao em pequena escala: So os CIs
com menos componentes. Podem dispor de at 30 dispositivos por pastilha (chip).

Aula 9 - Introduo aos circuitos integrados

83

e-Tec Brasil

b) MSI (Medium Scale Integration) Integrao em mdia escala: Corresponde aos CIS com 30 a 1.000 dispositivos por pastilha (esses circuitos
incluem decodicadores, contadores, etc.).
c) LSI (Large Scale Integration) Integrao em grande escala: Contm milhares de componentes 1.000 at 100.000 dispositivos por pastilha (estes
circuitos normalmente efetuam funes lgicas complexas, como toda a
parte aritmtica de uma calculadora, um relgio digital, etc.).
d) VLSI (Very Large Scale Integration) Integrao em larga escala: o grupo
de CIs com um nmero de componentes compreendido entre 100.000 e
10 milhes de dispositivos por pastilha (so utilizados na implementao
de microprocessadores).
e) ULSI (Ultra Large Scale Integration) Integrao em escala ultra larga: o
grupo de CIs com mais de 10 milhes de dispositivos por pastilha.

9.2 Tipos de encapsulamento dos CIs


Basicamente so utilizados quatro tipos de encapsulamentos para envolver,
proteger e proporcionar a devida dissipao de calor nos chips:
- Cpsulas com las de pinos (DIL, QIL ou SIL);
- Cpsulas planas (Flatpack);
- Cpsulas metlicas (TO-5);
- Cpsulas especiais.
A maioria dos encapsulamentos constituda de materiais plsticos ou cermicos, exceto as cpsulas TO-5 que so de material metlico. Para os CIs
de baixa potncia utilizam-se as cpsulas em la de pinos. Nos integrados
de encapsulamento DIL (Dual In Line), a numerao dos terminais feita a
partir do terminal 1 (identicado pela marca), seguindo por essa linha de
terminais e retornando pela outra (em sentido anti-horrio). Durante essa
identicao dos terminais, o CI deve ser sempre observado por cima. Veja
a Figura 9.4.

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Figura 9.4: Circuito integrado DIL - dual in line

QIL (Quad In Line): o encapsulamento utilizado em CIs de mdia potncia,


como os amplicadores de udio (ver gura 9.5). A principal razo da linha
qudrupla de pinos a de permitir um maior afastamento das respectivas
ilhas de ligao no circuito impresso, de forma que pistas mais largas (portanto para correntes maiores) possam ser conectadas.

Figura 9.5: Cpsula QIL - quad in line

Aula 9 - Introduo aos circuitos integrados

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SIL (Single In Line): alguns integrados pr-amplicadores, e mesmo alguns


amplicadores de mdia potncia, para udio, apresentam este encapsulamento.

Figura 9.6: Cpsula SIL - single in line

As cpsulas planas (atpack) tm reduzido volume e espessura e so formadas por terminais dispostos horizontalmente, fazendo com que a sua instalao sobre o circuito impresso ocupe pouco espao. Atualmente o encapsulamento preferido para os sistemas que necessitam de alta compactao.
Veja a Figura 9.7.

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Figura 9.7: Cpsula flat pack

Cpsulas metlicas TO-5 tm um corpo cilndrico metlico, com os terminais


dispostos em linha circular, na sua base. Foram desenvolvidas para suportar
condies mais severas de operao em baixas e altas temperaturas. A contagem dos terminais inicia-se pela pequena marca, em sentido horrio, com
o componente visto por baixo. Veja a Figura 9.8.

Figura 9.8: Cpsula metlica TO-5

Aula 9 - Introduo aos circuitos integrados

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As cpsulas especiais so as que dispem de numerosos terminais para conectar a enorme integrao de componentes que esses chips dispem (por
exemplo, CIs contendo microprocessadores) (Ver gura 9.9).

Figura 9.9: Cpsula especial TO-5

Resumo
Nessa aula conhecemos o microchip, um componente desenvolvido a partir
da integrao de diversos componentes em um circuito funcional a ser aplicado para uma tarefa especca como gerar a base de tempo necessria a
um relgio digital, ou realizar operaes matemticas em uma calculadora
eletrnica. Estudamos suas principais caractersticas, classicaes e diferentes tipos de encapsulamentos. Na sequncia de seu curso, voc entrar novamente em contato com esse fascinante e poderoso dispositivo em novas
aplicaes.

Atividades de aprendizagem
1. O que um circuito integrado?
2. Quais as vantagens dos circuitos integrados?
3. Como se classicam os circuitos integrados quanto sua aplicao?

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4. Como se classicam os circuitos integrados quanto ao seu grau de integrao?


5. Quais os tipos de encapsulamentos para circuitos integrados?

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Referncias

BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8


ed. So Paulo: Editora Pearson Prentice Hall, 2004.
CRUZ, E. C. A.; CHOUERI, S. Jr. Eletrnica Aplicada. 1 ed. Editora rica, 2007.
DAL MOLIN, Beatriz Helena, et al. Mapa Referencial para Construo de Material
Didtico - Programa e-Tec Brasil. 2 ed. revisada. Florianpolis: Universidade Federal de
Santa Catarina UFSC, 2008.
DANILOW, L. A.; CELESTINO, P. Amplificadores Operacionais. 10 ed. So Paulo:
Editora rica, 1995.
HELFRICK, A. D.; COOPER, W. D. Instrumentao Eletrnica Moderna e Tcnicas de
Medio. Rio de Janeiro: Prentice Hall do Brasil, 1994.
LALOND, D. E.; ROSS, J. A. Princpios de Dispositivos e Circuitos Eletrnicos. Vol. 1
e 2. So Paulo: Makron Books, 1999.
LANDER, C. W. Eletrnica Industrial: Teoria e Aplicaes. So Paulo : Makron Books,
1996.
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. 7 ed. Vol. 1 e 2. Ed. MCGRAW-HILL BRASIL, 2008.
TOCCI, R. J. Sistemas Digitais: Princpios e Aplicaes. 5 ed. Editora PHB, 1994.

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Currculo do professor-autor
Rodrigo Cardozo Fuentes natural de Santa
Maria-RS. Sua formao tcnica iniciou-se em
1988, como Eletrotcnico no Colgio Tcnico
Industrial de Santa Maria (CTISM). Graduou-se
Engenheiro Eletricista pela Universidade Federal
de Santa Maria (UFSM), em 1995. graduado
em Formao Pedaggica Licenciatura Plena
em Ensino Prossionalizante (UFSM). Especializou-se em Engenharia de Segurana do Trabalho no Centro Universitrio
Franciscano (UNIFRA). No ano de 1996 obteve o grau de Mestre em Engenharia Eltrica na rea de Sistemas de Energia Eltrica (UFSM).
Desde 1997 desenvolve suas atividades prossionais como docente do Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria nas reas de Eletrotcnica, Eletrnica
e Automao Industrial. Atualmente desenvolve atividades administrativas
como Diretor Geral da instituio e atividades de extenso como a capacitao e qualicao de prossionais nas reas de Eletricidade, Eletrnica,
Automao Industrial e Segurana do Trabalho.

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