Solucionario de Ciencia e Ingeniería de Los Materiales

Ciencia
Ingeniera
Materiales
de los
J.M. Montes
F.G. Cuevas
J. Cintas
Solucionario de Ciencia e Ingeniera de los Materiales

J.M. Montes, F.G. Cuevas y J. Cintas
Gerente Editorial
Mara Jos Lpez Raso
Equipo Tcnico Editorial
Alicia Cervio Gonzlez
Paola Paz Otero
Editora de Adquisiciones
Carmen Lara Carmona
Produccin
Nacho Cabal Ramos
Diseo de cubierta
Ediciones Nobel
Preimpresin
Montytexto
COPYRIGHT 2014 Ediciones Paraninfo, SA

1. edicin, 2014
C/ Velzquez 31, 3. D / 28001 Madrid, ESPAA
Telfono: 902 995 240 / Fax: 914 456 218
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ISBN: 978-84-283-3492-1
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parte de esta publicacin, incluido el diseo de la cubierta, puede ser reproducida, almacenada
o transmitida de ninguna forma,
ni por ningn medio, sea este
electrnico, qumico, mecnico,
electro-ptico, grabacin, fotocopia o cualquier otro, sin la previa autorizacin escrita por parte
de la Editorial.
ndice
ndice
Prefacio V
Bloque 1
La escala atmica de los materiales.
Orden y desorden
2. Estructura ntima de los materiales................... 2
3. La escala atmica de los materiales
metlicos............................................................... 12
cermicos.............................................................. 27
polimricos........................................................... 42
7. Imperfecciones cristalinas................................... 51
Bloque 2
La escala microscpica
de los materiales.
Transformaciones de fases
y microestructura
Ediciones Paraninfo
8. T
ransformaciones de fases.
Aspectos generales............................................ 66
9. T
ransformaciones de fases.
Sistemas multicomponentes............................. 78
10. Diagramas de equilibrio.................................... 84
11. Determinacin de diagramas

de equilibrio....................................................... 106
12. Diagramas de equilibrio de inters
tecnolgico......................................................... 115
Bloque 3
La escala macroscpica
de los materiales.
Propiedades macroscpicas
13. Propiedades mecnicas de los materiales.
Elasticidad........................................................... 142
Plasticidad........................................................... 148
Termofluencia y viscoelasticidad...................... 158
Fallo mecnico................................................... 165
17. Propiedades elctricas de los materiales.
Bandas y conductores........................................ 176
Semiconductores................................................ 190
Aislantes.............................................................. 205
20. Propiedades magnticas de los materiales..... 217
21. Propiedades pticas de los materiales............ 228
22. Propiedades trmicas de los materiales.......... 236
23. Propiedades qumicas de los materiales.......... 250
III
Prlogo
Prefacio
A menudo la tarea de resolver problemas es entendida por los
alumnos como algo superfluo y tedioso. En el fondo de este
sentimiento est la creencia de que estudiando nicamente la
parte terica puede alcanzarse una comprensin profunda de
una materia.
Nada ms lejos de la realidad. Si bien el estudio de los
fundamentos tericos resulta imprescindible, no es menos
cierto que la realizacin de ejercicios y problemas constituye
el pilar bsico sobre el que afianzar dichos conocimientos,
a la vez que abre un sinfn de posibilidades para matizar lo
aprendido, aplicndolo a diversas situaciones. Es ms, estamos convencidos de que difcilmente la parte terica de
cualquier materia puede llegar a comprenderse en toda su
magnitud sin la realizacin de problemas o ejercicios, capaces de desentraar las distintas facetas escondidas en frases
sueltas, en palabras aisladas, que solo entonces adquieren su
verdadero significado.
Ediciones Paraninfo
Es por esta razn que en la redaccin del libro de texto

Ciencia e Ingeniera de los Materiales no hemos escatimado espacio para la inclusin de un buen nmero de ejercicios resueltos. Por la misma razn, deseamos que tambin
est disponible para el docente la resolucin de la extensa
coleccin de problemas propuestos al final de cada captulo,
y por ello nos hemos embarcado en la tarea de esta nueva
publicacin.
Hemos intentado hacer una resolucin detallada de los
problemas, sin dar saltos al vaco, aunque ello hubiera sido
posible teniendo en cuenta que el material de este libro est
destinado a nuestros colegas profesores. Hemos preferido resolverlos con todo lujo de detalles, tal y como el docente suele explicrselos a sus alumnos. Y en esa tarea consideramos
imprescindible una serie de puntos que hemos tenido muy
presentes a la hora de redactar este documento, y que deberan grabarse a fuego en la mente de los alumnos. Esta especie de liturgia nos indica que para resolver correctamente un
problema conviene: (1) leer reflexivamente el enunciado, (2)
trazar mentalmente el camino a seguir para la resolucin, (3)

tratar de encontrar las expresiones matemticas de partida,
(4) operar algebraicamente (o a veces, hacer uso del clculo
infinitesimal o integral) con las expresiones de partida para
llegar a una expresin final, (5) sustituir los valores numricos proporcionados por el enunciado en dicha expresin
final, incluyendo en los clculos las unidades de las distintas
magnitudes, y (6) continuar hasta completar la resolucin
del problema y lograr el valor o expresin pedido.
Somos conscientes que, a menudo, este ritual es sorteado
por los alumnos, que demuestran tener mucha prisa por sustituir los valores numricos que proporciona el enunciado del
problema, lo que les lleva a veces a largusimas operaciones
con la calculadora, y a la imposibilidad de revisar rpidamente la correccin de un resultado parcial o final. Del mismo
modo, durante la preparacin de los exmenes, es bastante
extendida la prctica de resolucin mental de los problemas, dejando siempre para un momento que nunca llega la
conclusin de la resolucin. No debe olvidarse que, en muchos casos, el inters de ciertos problemas no es ms que la
familiarizacin con los rdenes de magnitud de ciertas variables habituales, como concentraciones atmicas, densidades,
mdulos y resistencias mecnicas, resistividades elctricas,
etc. Por ello, la mencionada prctica de resolucin mental
debe considerarse bastante perniciosa y desaconsejable.
Finalmente, aunque hemos sido cuidadosos y hemos dedicado un buen nmero de horas a la caza de errores, estamos completamente seguros que debe haberse deslizado
una legin de erratas. Les agradecemos de antemano que nos
las hagan llegar, a travs de la Editorial o directamente a los
autores por medio de correo electrnico.
Esperamos, estimados colegas, que este material sea de
su agrado y contribuya a la clarificacin de algunos aspectos
oscuros de esta bella materia.
Que lo disfruten.
Los autores
V
La escala atmica
de los materiales
Orden y desorden
BLOQUE
Captulo 2
Estructura ntima de los materiales
Captulo 2
2.1. Empleando la expresin de Pauling, calcule el porcentaje de carcter inico en el FH y en
el LiH.
Datos: (H) = 2.2, (F) = 3.98 y (Li) = 0.98.
De acuerdo a la ecuacin propuesta por Pauling:
ci (HF) 100 1 exp 0.25 (3.98 2.2)2 54.71 %

ci (LiH) 100 1 exp 0.25 (2.2 0.98)2 31.07 %
2.2. Escriba en notacin de ndices de Miller todas las direcciones de la familia de direcciones
1 0 1 en el sistema cbico.
Esta familia es la formada por las diagonales de las caras de la celdilla cbica. Como existen 2 diagonales por cada cara del cubo, hay 12 direcciones posibles. Eliminando las duplicidades asociadas
a diagonales en caras paralelas, quedaran solo 6 direcciones. A saber,
101 [1 0 1], [ 1 0 1], [1 1 0], [ 1 1 0], [0 1 1], [0 1 1]
2.3. Para una celdilla unidad cbica, trace las siguientes direcciones cristalogrficas expresadas por sus ndices de Miller:
a) [1 1 0] b) [1 1 1] c) [0 1 3] d) [0 2 1] e) [1 1 2]
Ediciones Paraninfo
2.4. Determine los ndices de Miller de las siguientes direcciones de una celdilla unidad cbica.
La escala atmica de los materiales
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Punto inicial: (0, 0, 1/2)

Punto final: (1, 0, 0)
Bloque 1
Vector director = punto final punto inicial = (1, 0, 1/2)

ndices de Miller [2 0 1]
Punto inicial: (0, 0, 0)

Vector director = (1, 1, 1) ndices de Miller [1 1 1]

Vector director = (1, 1, 0) ndices de Miller [ 1 1 0]

Punto final: (1/2, 0, 1)
Vector director = (1/2, 0, 1/2) ndices de Miller [1 0 1]

Vector director = (0, 1, 1/3) ndices de Miller [0 3 1]
2.5. Dibuje en celdillas cbicas los siguientes planos cristalogrficos:

a) (1 1 1) b) (1 1 0) c) (2 2 2) d) (1 1 2) e) (1 0 0) f) (2 2 1) g) (3 2 2).
Ediciones Paraninfo
Para dibujar un plano a partir de los ndices de Miller hay que calcular el inverso de cada ndice;
estos inversos representan los puntos de corte con los ejes.
Captulo 2
2.6. Determine los ndices de Miller de los siguientes planos de una celdilla cbica.
Plano A
Trasladando el origen de coordenadas, los puntos de corte con los ejes de referencia seran:
(,1, 1/2) inversos: (0, 1, 2) A (0 1 2)
Plano B
De nuevo es necesario trasladar el origen de coordenadas. Los puntos de corte con los ejes
coordenados sern ahora:
(1/2, 1/2, 1) inversos: (2, 2, 1) B (2 2 1)
Plano C
Prolongamos el plano hasta que corte a los ejes coordenados. Los puntos de corte resultan ser:
(2, 2/3, 1) inversos: (1/2, 3/2, 1)
Finalmente, multiplicando por 2 para obtener nmeros enteros, se obtienen los ndices de Miller del plano C (1 3 2)
Los puntos de corte sern ahora:

(, 1/2, ) inversos: (0, 2, 0), por lo que el plano D (0 2 0)
Ediciones Paraninfo
Plano D
Bloque 1
2.7. Usando celdillas unitarias cbicas, represente el plano (1 1 2) y la direccin [1 1 2] y muestre grficamente que el mencionado plano contiene a la direccin [1 1 1 ].
Para el plano (1 1 2), los cortes con los ejes estarn en: 1, 1, . Representando
grficamente se puede intuir que el vector [1 1 1] es paralelo al plano.
Matemticamente puede demostrarse sabiendo que un vector perpendicular al plano (1 1 2) es el [1 1 2] y que el producto escalar de dos vectores perpendiculares es nulo. De este modo, es fcil comprobar si [1 1 2] y [1 1 1] son
perpendiculares sin ms que efectuar el producto escalar. A saber,
[11 2] [11 1] 1 1 1 1 2 (1) 2 2 0
2.8. Calcule el ngulo formado por las direcciones [2 0 1 ] y [1 0 1] en un sistema cbico.

Las direcciones en un sistema cbico pueden tratarse directamente como vectores, siendo vlidas
todas las operaciones aplicables a estos ltimos. Llamemos:
a [2 0 1]
b [10 1]

El producto escalar de dos vectores viene dado por a b | a | | b | cos , por lo que:
a b
2 1
arccos
arccos
| a || b |
4 0 1 1 0 1
1
71.56
10
2.9. Indique los ndices de Miller de la direccin perpendicular a [123] y [ 1 10] en un sistema
cbico.
Dado que las direcciones se pueden tratar como vectores (recurdese que los ndices de una direccin no son ms que las componentes de su vector director), basta calcular su producto vectorial y
reducir el resultado a los menores enteros posibles.
i
[123] [1 10] 1
1

j k

2 3
(0 3)i (0 3) j (1 2)k
3i 3 j 3k
1 0
Ediciones Paraninfo
Reduciendo a los enteros menores, nos queda: ( 111)
Captulo 2
2.10. Establezca, tanto grfica como analticamente, los ndices de Miller de la interseccin
entre los planos (111) y (1 1 0) en un cristal cbico.
Grficamente:
En primer lugar, dibujaremos el plano (111) y el plano (1 10). Para el primer plano, los puntos de
corte son x = 1, y = 1, z = 1. Para el segundo, los puntos de corte con los ejes coordenados son:
x = 1, y = 1, z = .
Trasladamos paralelamente el plano hasta que quede dentro de la celdilla, para que pueda interceptar al plano (111).
La interseccin de los dos planos ser una recta, cuyos ndices se calculan como sigue:
Punto final = (0, 0, 1)
Punto inicial = (1/2, 1/2, 0)
vector director = 1/2 i 1/2 j + k

Los ndices de Miller de la recta interseccin sern, pues, [ 112]
Analticamente:
La recta de interseccin entre dos planos viene determinada por el producto vectorial de los vectores normales de ambos planos. Adems, como la celdilla es de tipo cbico, se cumple que el vector
normal a un plano dado tiene los mismos ndices que dicho plano. Estos es,
[h k l] (h k l)
Por tanto:
(111) n1 = [111]

n1 n2 [111] [1 1 0]

i
j
1 1
1 1
(1 10) n2 = [1 10]
1 (0 1)i (0 1) j (1 1)k i j 2k [11 2 ]

0
Ediciones Paraninfo
Esta direccin es la misma que la calculada grficamente, solo cambia el sentido, pero el sentido
es una propiedad de los vectores, no de las direcciones cristalogrficas.
Bloque 1
2.11. Compruebe, analtica y grficamente, si, en un sistema cbico, la direccin [11 1 ] est
contenida en el plano definido por las direcciones [ 1 10] y [20 1 ].
Analticamente:
El vector normal al plano vendr dado por el producto vectorial de [ 110] y [2 0 1].
i
[110] [20 1] 1
2

j k

1 0 (1 0)i (1 0) j (0 2)k i j 2k [1 1 2] [1 1 2]
0 1
La direccin [11 1] estar contenida en el plano si forma 90 con el vector normal de dicho
plano; es decir, cuando su producto escalar sea nulo. Como:
[11 1][1 1 2] = 1 + 1 2 = 0
esto quiere decir que [11 1] est contenida en el plano que forman las direcciones [ 110] y [20 1
].
Grficamente:
Para determinar cul es el plano, se dibujan las direcciones de modo que estn contenidas en
una misma celdilla. (Se trasladan paralelamente las rectas hasta que estn contenidas en la
misma celdilla.)
Los ndices de Miller del plano sern:
Cortes con los ejes: 1, 1, 1/2
Inversos: 1, 1, 2
ndices: (1 1 2)
La recta A se traslada paralelamente hasta la celdilla superior, resultando A.

De nuevo, trasladamos A paralelamente a s misma (resultando A) y
se comprueba que est contenida en el plano (112).
Como comprobacin adicional calculamos los ndices de la direccin
A:
Punto inicial = (0, 0, )
Punto final = (, , 0)
Ediciones Paraninfo
vector director = 1/2 i +1/2 j 1/2 k

Los ndices de A sern, por tanto, [1 1 1]
Captulo 2
2.12. En una celdilla tetragonal, dibuje el plano (0 1 2) y la direccin [1 1 2].

Para dibujar un vector en una celdilla tetragonal se opera como si la celdilla
fuese cbica y, antes de realizar su representacin grfica, se multiplica cada trmino por los parmetros reticulares.
Vector director: (1, 1, 2)
Direccin [1 1 2] Multiplicamos por los parmetros (a, a, 2c)
Para dibujar el plano, los puntos de corte con los ejes coordenados se obtienen a partir de los
inversos de cada uno de los ndices, (, 1, ), y multiplicndolos luego por los parmetros reticulares, (, a, c/2).
2.13. Designe la direccin y plano de la siguiente celdilla ortorrmbica.
Direccin:
Vector director = (1, 0, 0) ndices de Miller [1 0 0]
Plano:
Trasladando el plano para evitar el corte con el origen de
coordenadas:
El plano corta a los ejes XYZ en: x = a, y = b, z =
Calculando los inversos queda: (1/a, 1/b, 0)
Ediciones Paraninfo
Multiplicando por los parmetros reticulares, los ndices de

Miller del plano quedan (1 10)
Bloque 1
2.14. Calcule el ngulo formado por las direcciones [110] y [221] en un sistema ortorrmbico
cuyos parmetros cristalinos son: a = 0.3 nm, b = 0.4 nm y c = 0.7 nm.
Para calcular la direccin en un sistema ortormbico deben multiplicarse los ndices de Miller por
los parmetros reticulares a, b y c, y as obtener el vector director.
a (0.3, 0.4, 0)
b
(2 0.3, 2 0.4, 0.7)
(0.6, 0.8, 0.7)
a b
0.3 0.6 0.4 0.8 0 0.7

arccos
arccos
2
2
2
2
2
| a ||b |
0.3 0.4 0.6 0.8 0.7
34.99
2.15. Determine, en una celdilla ortorrmbica (a = 4 nm, b = 8 nm, c = 10 nm), el ngulo entre
la direccin [110] y el plano (110).
El ngulo entre una direccin y un plano no es ms que el ngulo entre la direccin y el vector normal al plano.
Para calcular el vector normal al plano, basta realizar el producto vectorial de dos direcciones
contenidas en el plano. Por ejemplo: [0 0 1] y [ 11 0].
Teniendo en cuenta que a = 4 nm, b = 8 nm y c = 10 nm
Ediciones Paraninfo

i
j k
n 0 0 10 (0 80)i (0 40) j (0 0) k 80i 40 j

4 8 0
Dividiendo 80 entre 4, y 40 entre 8 (para tener en cuenta que a = 4 nm y b = 8 nm), se obtiene:
Captulo 2
n [20 5 0] [4 1 0]
El ngulo formado por las direcciones [1 1 0] y [4 1 0], sin olvidar considerar que a = 4 nm y b =
8 nm, sera el ngulo entre los vectores a (4, 8, 0) y b (16, 8, 0) , de modo que:
a b
(4, 8, 0) (16, 8, 0)
64 64 0
arccos
arccos
arccos
36.87
42 82 162 82
| a | | b |
80 320
2.16. (Avanzado) Represente las direcciones [ 2110 ] y [ 1121 ] y los planos ( 1210 ) y ( 2111 ) en
una celdilla hexagonal.
Plano ( 1210 ):
Al igual que en otros tipos de celdillas, los puntos de corte con los ejes coordenados vienen dados por los inversos de los ndices de Miller del plano:
Puntos de corte: a1 = 1, a2 = 1/2, a3 = 1, a4 = 0
Plano ( 2111 ):
Puntos de corte: a1 = , a2 = 1, a3 = 1, a4 = 1
2.17. Para una celdilla ortorrmbica centrada en las bases, con b =1.5a y c = 3a, calcule expresiones (en funcin de a cuando sea necesario) para:
a) Su volumen.
b) El nmero de tomos por celdilla.
c) La concentracin atmica.
En una celdilla ortorrmbica centrada en las bases:
b) n 8 18 2 12 2 2
3
X ] n
V 2 (4.5a
) 0.44a3
c) [
10
Ediciones Paraninfo
a) V a b c a 1.5a 3a 4.5a 3
Bloque 1
2.18. En relacin a las redes de Bravais, hay cuatro redes ortorrmbicas y solo dos de tipo
tetragonal. Explique los motivos de esta diferencia.
Ediciones Paraninfo
Puede comprobarse que la red tetragonal centrada en las bases resultara equivalente a una red tetragonal simple, sin ms que considerar, en la cara superior por ejemplo, los tomos de una arista y
los de los centros de las bases de las dos celdillas que comparten dicha arista. Con ellos se formara
una red tetragonal simple.
Del mismo modo, la red tetragonal centrada en las caras resultara equivalente a una red tetragonal centrada en el interior.
Para el caso de las redes ortorrmbicas, el hecho de que los parmetros de red sean diferentes
entre ellos hace que lo anterior no se cumpla, definindose por tanto las 4 redes.
11
Captulo 3
La escala atmica de los materiales metlicos
Captulo 3
3.1. El wolframio es uno de los elementos qumicos ms densos ( = 19.25 g/cm3). Sabiendo
que sus tomos se disponen segn una estructura CCI y que su masa atmica es 183.84 g/mol,
calcule el radio atmico del wolframio.
Dato: NA = 6.0221023.
La densidad terica se calcula como:
Mc

Vc
183.84 g
N A tomos
19.25 g cm3
a3
2 tomos
de donde se desprende que

a 3 3.172 1023 cm3 , y de aqu que a 3.165 108 cm
0.3165 nm .
Dado que la estructura es CCI el contacto entre tomos se produce a lo largo de la diagonal del
cubo, se tendr que 3a 4r . Por tanto:
r (W)
3a
0.137 nm
4
3.2. Determine el tipo de estructura cristalina del Au sabiendo que su densidad es de 19.30
g/cm3, su masa atmica 196.97 g/mol y su parmetro de red a = 0.40782 nm.
Dato: NA = 6.0221023.
La densidad del Au puede calcularse segn:
Mc
Vc
196.97 g
N A tomos
19.30 g cm3
7
3
(0.40782 10 cm)
x tomos
Despejando se obtiene, finalmente, que x = 4.00. As pues, cada celdilla contiene 4 tomos.
Dado que ms del 90 % de los materiales metlicos tienen estructuras del tipo CCI, CCC o HC,
y que de estas estructuras solo la CCC tiene 4 tomos/celdilla, puede concluirse que (con los datos
de que se dispone en el problema) el Au debera tener estructura CCC.
Conocido r, podemos calcular los parmetros reticulares a y c:
12
Ediciones Paraninfo
3.3. El Zn cristaliza segn una estructura HC. Suponiendo esta estructura perfecta y sabiendo
que su radio atmico es r (Zn) = 0.138 nm, estime la densidad del Zn.
Datos: M (Zn) = 65.38 g/mol y NA = 6.0221023.
Bloque 1
a = 2r = 2(0.138 nm) = 0.276 nm

c = 1.63a = (1.63)(0.276 nm) = 0.450 nm
El volumen de la celdilla corresponde al de un prisma hexagonal de arista a y altura c. Este volumen se calcula multiplicando el rea de la base por la altura c. Es fcil demostrar que el rea de la
base es igual a 3 3a 2 2 , por lo que el volumen de la celdilla resulta ser Vc 3 3a 2 c 2 .
Con todo ello, la densidad terica se calcular como:
Mc
Vc
65.38 g
6 (65.38 g)
N A tomos
NA
7.31 g cm3
2
2
7
7
3 3a c 2
3 3 (0.276 10 cm) (0.450 10 cm) 2
6 tomos
3.4. En algunos materiales HC, la relacin c/a no es igual a 1.63. Sabiendo que, para el Cd,
c/a = 1.89, su masa atmica 112.41 g/mol y el radio de sus tomos r (Cd) = 0.149 nm, calcule su
densidad terica.
La densidad terica la calculamos mediante la expresin:
donde
Vc
Mc
Vc
3 3 2
ac
2
Teniendo en cuenta que c 1.89a y a 2r , resulta que

3
3
V
12 3 1.89 r
39.28 (0.149 107 cm)
1.300 1022 m3
c
Sustituyendo:
Mc
Vc
112.41 g
N A tomos
8.62 g cm3
22
3
(1.300 10 cm )
2 2 12 3 tomos
En el caso del Cd, la anmala relacin c/a es responsable de su baja densidad, teniendo en cuenta su
masa atmica.
3.5. Calcule la fraccin de empaquetamiento para una estructura CCC y para una HC (perfectamente regular).
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Para la estructura CCC:
13
Captulo 3
En esta estructura, los tomos estn en contacto a lo largo de

la diagonal de la cara del cubo 2 a 4 r .
La fraccin de empaquetamiento volumtrico se calcula como:
fV
4 34 r 3 4 34 r 3 2 32
volumen ocupado
0.7405
74.05 %
3
volumen de la celdilla
43
a3
4r 2
Para la estructura HC, la arista de la base, a, satisface que a 2r , por lo que la fraccin de empaquetamiento volumtrico resulta ser:
fV
6 43 r 3
6 43 r 3
volumen ocupado
2
0.7405
74.05%
volumen de la celdilla 3 3 2
6
3 3
2 4
ac
2r
(2r )
2
2
6
3.6. Determine la concentracin atmica lineal a lo largo de la direccin [111] para el caso de
estructuras CCI y CCC suponiendo en ambos casos que el parmetro de red vale a = 0.3 nm.
Para la estructura CCI:
[ X ][111]
n tomos (1 2 12 ) tomos
longitud
3a
2 tomos
3.85 tomos nm
3 (0.3 nm)
Ediciones Paraninfo
Para la estructura CCC:
14
[ X ][111]
n tomos (2 12 ) tomos
longitud
3a
Bloque 1
1 tomo
1.93 tomos nm
3 (0.3 nm)
3.7. La Ag presenta estructura cristalina CCC y un radio atmico de 0.144 nm, seale cul
ser la concentracin atmica superficial en los planos (0 1 0), (1 1 0) y (1 1 1).
Al ser CCC
2 a 4 r a 4r
2.
Sustituyendo el valor del radio que proporciona el enunciado, obtenemos que a = 0.407 nm.
Concentracin atmica superficial en (0 1 0)
Solo la parte rellena de cada tomo est contenida en la cara de la celdilla.
X (010)
n tomos (1 4 14 ) tomos
2 tomos
12.074 tomos nm 2
superficie
a2
(0.407 nm) 2
Concentracin atmica superficial en (1 1 0)
X (110)
superficie
2 a2
1 tomo
4.269 tomos nm 2
2 (0.407 nm)2
Ediciones Paraninfo
Concentracin atmica superficial en el (1 1 1)
15
Captulo 3
Superficie del tringulo 12 base altura 12 a h 12 a a 2 a 2 12 a 3a 2 4 a 2 3 4

2
= [ X ](111)
[X] 111
n tomos (3 12 3 16 ) tomos
superficie
3 a2 4
2 tomos
27.88 tomos nm 2
3 (0.407 nm)2 4
Este es el plano ms compacto de la estructura cristalina CCC.
3.8. Sabiendo que, en el Pt (estructura CCC), la concentracin atmica lineal es de 2.543 tomos/nm en la direccin [1 0 0], calcule el espaciado interplanar entre los planos: (1 1 1),
(2 2 2), ( 1 3 1) y (0 21).
[Pt][100]
2.543 tomos nm
longitud
a
Despejando: a = 0.393 nm
a) d (111) =
b) d 222 =
c) d 1 31 =
d) d ( 021) =
a
= 0.2270 nm
111
a
= 0.1135 nm
2
2 22 22
a
= 0.1185 nm
2
(1) 32 1
a
(2) 2 1
= 0.1757 nm
Ediciones Paraninfo
Recuerde que, como se indic en el Captulo 2, pueden emplearse estas expresiones para calcular la distancia entre planos siempre y cuando los ndices de Miller estn reducidos a los enteros
ms pequeos, como sucede en este caso.
16
Bloque 1
3.9. Un cristal metlico (con estructura de mxima fraccin de empaquetamiento) crece en la

direccin perpendicular a los planos ms densos a la velocidad de 1 mm/da.
a) Calcule cuntos planos se forman por segundo suponiendo que el radio de los tomos es r =
1.42 .
b) Si el cristal fuera CCC y los tomos se depositaran, segn la direccin [1 0 0], al mismo ritmo de planos por segundo que en el apartado anterior, indique cul sera la velocidad de crecimiento del material expresada en mm/da.
a) En un cristal metlico las estructuras de mxima fraccin de empaquetamiento volumtrico son
dos: CCC y HC.
La velocidad de crecimiento, v, puede expresarse en mm/s del siguiente modo:
1 mm
1 da
v
1.15 105 mm/s

da (24 h) (3600 s h)
Como se nos pide calcular la velocidad de crecimiento expresada en planos/s, habr que calcular el nmero de planos que hay en 1 mm, para lo que se necesita la distancia entre dos planos
consecutivos.
Si se supone una estructura CCC:
El plano de mayor densidad en esta estructura es (1 1 1), y la direccin al plano anterior es la
[1 1 1]. De este modo
4r
4.016 10 7 mm
2
d 3 a 6.956 107 mm
La distribucin atmica que veramos en la direccin que marcan las

flechas sera la que se muestra en la figura:
d 3 2.319 107 mm. Tambin

La distancia entre los planos es
puede calcularse la distancia del origen al plano (1 1 1) mediante la
expresin:
d
h2 k 2 l 2
(4.016 107 mm)

2.319 107 mm
12 12 12
Si se supone una estructura HC:
Ediciones Paraninfo
En estructuras HC los planos de mxima compacidad son los basales: (0 0 1) en notacin de

Miller, o (0 0 0 1) en notacin de Miller Bravais. Los clculos sern ahora:
17
Captulo 3
2
a
(a 2)2 m 2 m
3a 2
a 2 h 2 (2 3 m)2 h 2r 2 3 2.319 107 mm

As pues, en cualquiera de los dos casos (CCC o HC), la velocidad de crecimiento ser:
v
1.15 105
mm
1 plano
50 planos s
s 2.319 107 mm
b)
La distribucin que observaramos desde la direccin marcada por las flechas rojas sera:
a 2 2.008 107 mm .
La distancia entre planos es
Tambin: d
a
2
2 00
a
4
a
2
Luego la velocidad de crecimiento ser de:
Ediciones Paraninfo
planos (24 h) (3600 s h) 2.008 107 mm

v
50
0.867 mm da
s
1 da
1 plano
18
Bloque 1
3.10. La mayor parte de los materiales metlicos se dilatan al ser calentados. El Fe sufre una
transformacin alotrpica a 912 C y pasa de estructura CCI a CCC. Compruebe si, en esta
transformacin, el Fe se dilata o se contrae.
Datos: r (FeCCI) = 0.126 nm y r (FeCCC) = 0.129 nm.
Para el FeCCI:
4r
2 23 3 3 3
3 La concentracin atmica ser de [FeCCI

a3
43 r 3
32r 3
2 t. / celdilla
a
Para el FeCCC:
4r
4 42 2
2
2 La concentracin atmica ser de [FeCCC

3
3 3
3
a
4
r
8
r
4 t. / celdilla
a
Dividiendo ambas concentraciones, obtenemos la relacin:
3 3
[FeCCI ] 32r 3 3 3 8 r 3 3 3
0.92 1
[FeCCC ]
2
2 32r 3 4 2
8 r3
Dado que el cociente obtenido es menor que la unidad, ello quiere decir que la concentracin
atmica del FeCCC es mayor que la del FeCCI, por tanto, en el paso de FeCCI a FeCCC se produce una
contraccin.
3.11. El hierro es un metal que presenta dos transformaciones alotrpicas. En una de ellas, a
la temperatura de 912 C, cambia de estructura CCI a CCC, siendo sus parmetros de red
0.290 nm y 0.365 nm, respectivamente.
a) Explique cul de las dos estructuras posee mayor densidad.
b) Calcule el radio atmico del tomo mayor que puede insertarse en el Fe (CCC) a la temperatura de 912 C sin llegar a deformarla.
c) Establezca el nmero de tomos de C por celdilla unidad en un acero cuando la solubilidad
del C es mxima en el Fe (CCC), que es un 2.11 % en masa.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol y M (C) = 12.01 g/mol.
Ediciones Paraninfo
a) Las respectivas densidades tericas se calculan como:
(FeCCI )
(2 tomos) (55.85 g/mol) (1 mol / 6.022 1023 tomos)
7.60 g / cm3
3
7
(0.290 10 cm)
(FeCCC )
(4 tomos ) (55.85 g/mol) (1 mol / 6.022 1023 tomos )
7.63 g / cm3
(0.365 107 cm)3
Por lo tanto: (Fe CCI ) (Fe CCC )
19
Captulo 3
b) El radio atmico del tomo mayor que pueda insertarse en dicha celdilla (CCC) sin deformarla
ser el correspondiente a un intersticio octadrico:
r (Fe
CCC )
2a
a 2r (FeCCC ) 2rat rat
2 (0.365 nm)
0.1290 nm
4
(0.365 nm) 2 (0.1290 nm)
0.0535 nm
2
c) La masa de una celdilla de FeCCC completamente pura ser:

M Fe
4 tomos
55.85 g
3.710 1022 g
N A tomos
Para una solucin slida de FeCCC con un 2.11 % C, 3.71010-22 g es la masa del Fe que corresponde al 97.89 % del total (el 2.11 % restante ser de C). La masa promedio de C por celdilla unidadad debera ser:
mC
(2.11%)
3.710 1022
7.997 1024 g
97.89 %
Por consiguiente, el nmero de tomos de C por celdilla unidad ser:

NC
7.997 1024
N tomos C
g
A
0.401 tomos C/celdilla

celdilla
12.01 g
3.12. Se tienen dos materiales con distinta estructura cristalina: Fe (CCI) y Al (CCC). Se sabe
que:
En una arista de la celdilla del Fe, la longitud no ocupada por los tomos es 0.389 .
La concentracin atmica superficial del plano ms denso del Fe es 1.187 veces la del
plano ms denso del Al.
Conocidos estos datos:
a) Determine los radios atmicos de ambos elementos.
b) Calcule las densidades de ambos elementos.
c) Indique la densidad de una solucin slida formada por un 90 % de Fe y un 10 % de Al
(porcentaje en masa).
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol y M (Al) = 26.98 g/mol.
aFe 2 rFe
0.389
1.257
4r
rFe
aFe Fe
20
Ediciones Paraninfo
a) Para el FeCCI
Bloque 1
Mxima concentracin superficial:

FeCCI plano {110}
1 4 14
3
[Fe]
2
2aFe
8 2 rFe2
AlCCC plano {111}
[Al]
3 12 3 16
1
1 2a
rAl2
2
3
3a 2
2
Como [Fe] 1.187 [Al]
3
1
1.187
rAl 1.429
2
8 2rFe
2 3rAl2
b) Las densidades tericas sern:

Mc
Fe
Vc
Mc
Al
Vc
(2 tomos)
55.85 g mol
6.022 1023 tomos mol
7.58 g cm3
3
(1.257 108 cm)
(4 tomos)
26.98 g mol
6.022 1023 tomos mol
2.71 g cm3
3
(1.429 108 cm)
c) Densidad de una solucin slida 90Fe-10Al (SSS)
N A tomos
1 cm3
nFe
VFe
(90 g Fe)
(90 g Fe) 55.85 g
7.58 g
En 100 g de SSS
En 100 g de SSS
3
(10 g Al) N A tomos
(10 g Al) 1 cm
nAl
VAl
26.98 g
2.71 g
En una SSS se mantiene constante la concentracin atmica (igual a la del disolvente). As:
Ediciones Paraninfo
nFe
[SSS] [Fe]
VFe
As pues, qu volumen ocuparn nFe nAl tomos en la solucin SSS?
21
Captulo 3
VSSS
nAl nFe nAl

nFe
V
nFe
[SSS]
Fe
14.6 cm3
De este modo, la densidad de la solucin slida ser:
SSS
M SSS
100 g
6.847 g cm3
VSSS 14.6 cm3
3.13. A una determinada presin y temperatura, el Fe tiene una densidad de 7.63 g/cm3.
a) Calcule el nmero de coordinacin del Fe en esas condiciones.
b) Si se alea una pieza de 25 g de Fe con 3 g de Ni y 0.25 g de C, averige cul ser la densidad
de la solucin slida obtenida, en las mismas condiciones de presin y temperatura.
Datos: r (Fe) = 1.291 , M (Fe) = 55.85 g/mol, M (Ni) = 58.69 g/mol, M (C) = 12.01 g/mol y
NA = 6.0221023.
a) Sabemos que el Fe puede presentar estructura CCI o CCC, por lo que comprobamos para ambas
estructuras:
Supongamos estructura CCI:
(4r )2 2a 2 a 2 a
4r 4 1.291
3
3
2.98
La densidad terica:
Mc

Vc
55.85 g
1 mol
1 mol N A tomos
7.01 g cm3 7.63 g cm3
(2.98 108 cm)3
(2 tomos)
Supongamos estructura CCC:

(4r )2 a 2 a 2 a 4r
2 3.65
por lo que la densidad terica:
Mc
Vc
55.85 g
1mol
1mol N A tomos
7.63 g cm3
(3.65 108 cm)3
(2 tomos)
b) Pieza de 25 g de Fe + 3 g de Ni + 0.25 g de C.
El enunciado nos revela que el resultado es una solucin slida, y sabemos que:
El Ni forma con el Fe una S.S.S.
El C forma con el Fe una S.S.I.
22
Ediciones Paraninfo
Se tiene, pues, que la estructura cristalina adoptada es CCC, por lo que

el nmero de coordinacin es 12.
Bloque 1
Considerando que:
El parmetro de red de la aleacin puede suponerse aproximadamente igual al del Fe puro.

Masa total de la aleacin M aleacin 25 g 3 g 0.25 g
28.25 g
Para el clculo del volumen ocupado por la aleacin: el Ni, al ser sustitucional, aporta un
aumento de volumen, mientras que el C, al ser intersticial, no modifica el volumen.
Calculemos, primeramente, el nmero de tomos de Fe y Ni, y la suma de ambos:
1 mol N A tomos
2.696 1023 tomos Fe
55.85 g
1 mol
23
N N Fe N Ni 3.003 10 tomos
1 mol N A tomos
23
3g
0.308 10 tomos Ni
N Ni
58.69 g
1 mol
25 g
N Fe
En una estructura CCC hay 4 tomos/celdilla, as que, el volumen de la celdilla de la aleacin se

calcular como:
a3
24
3
3
8
(7.508 10 ) (3.65 10 cm) 3.65 cm
tomos
4
Valeacin 3.003 1023 tomos
Por lo tanto, la densidad de la nueva aleacin queda:
M aleacin 28.25 g
7.739 g cm3
Valeacin 3.65 cm3
(Note que en la masa de la aleacin estamos incluyendo tambin la masa aportada por los tomos de
C, que no han sido tenidos en cuenta, en cambio, para el clculo del volumen de la aleacin.)
3.14. Establezca el porcentaje en masa de Al que debe aadirse al Cu para conseguir una solucin slida que contenga 3.351021 tomos de Al por cm3.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol, M (Cu) = 63.55 g/mol, Estructura cristalina (Cu) = CCC, a = 3.61
y NA = 6.0221023.
La concentracin del cobre puro (CCC):
4 tomos 1 celdilla
4 tomos
8.50 1022 tomos cm3

3
8
a3
3.6110 cm
Cu
celdilla
El Al y el Cu forman una SSS, con lo cual, aproximadamente, debe cumplirse que:

Cu
SSS
8.50 1022 tomos cm3
Ediciones Paraninfo
El enunciado nos dice que la concentracin de tomos de Al en la SSS es de:
Al
SSS
3.35 1021 tomos cm3
23
Captulo 3
As, la concentracin de tomos de Cu en la SSS se calcular como:
8.16 1022 tomos Cu

Cu SSS
SSS AlSSS
cm3
Calculemos ahora la masa de Cu y Sn que habr en 1 cm3:

mCu
(8.16 1022 tomos )
(63.55 g)
8.61 g de Cu
N A tomos
mSn
(3.35 1021 tomos )
(26.98 g)
0.15 g de Sn
N A tomos
As pues, el porcentaje en masa de Al ser:
(0.15 g)
100 1.71 % Al
0.15 g 8.61 g
3.15. Se sabe que la mxima solubilidad del Cu en Al a la temperatura de 548.2 C es de un

5.65 % en masa. Al bajar la temperatura a 500 C, dicha solubilidad disminuye y pasa a ser de
un 4 % en masa. Determine si permiten los clculos tericos llegar a la misma conclusin que
estos resultados experimentales y, en caso contrario, indiquen en cunto difieren.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol y M (Cu) = 63.55 g/mol.
Los clculos tericos permiten calcular la solubilidad a diferentes temperaturas a partir de la ecuacin:
RT x
2 x 1 ln
1 x
donde x representa la solubilidad en fraccin molar y una constante. Despejando se obtiene:
RT
x
ln
(2 x 1) 1 x
Para conocer el valor de debe convertirse la fraccin en masa a fraccin molar, por ejemplo a
la temperatura de 548.2 C, y luego sustituir en la expresin de . Un vez conocido el valor de la
constante podr obtenerse el valor de x para la temperatura menor, 500 C, que podr compararse
con el valor experimental del enunciado.
El nmero de moles de Cu y Al:
1 mol
8.89 102 moles Cu
63.55 g
nAl
(100 5.65) g
24
1 mol
3.497 moles Al
26.98 g
Ediciones Paraninfo
nCu
5.65 g
Bloque 1
Por tanto la fraccin molar de soluto resulta:
8.89 102 moles

2.479 102
(8.89 102 3.497 ) moles
Sustituyendo valores en la expresin de , obtenemos:
que:
(8.31 J K mol1 ) (821.35 K) 2.479 102

ln
26371.91 J mol1
2
2
(2 2.479 10 1)
1 2.479 10
Tal y como se muestra en el Ejercicio resuelto 3.5, para una solucin diluida, se comprueba
RT

ln x
x exp
RT
Por lo que para la menor de las temperaturas, 773 K:
(26371.91 J)
x500C
exp
1.65 102
1
1
(8.31
J
K
mol
)
(773.15
K)
lo que pasado a porcentaje en masa:
%Cu 500C
x500 C M(Cu)
3.8 %
x500 C M(Cu) (1 x500 C ) M(Al)
Por tanto, el valor calculado experimentalmente difiere del terico en un 0.2 %.
3.16. Calcule la densidad de una solucin slida (96Cu-4Al en masa) suponiendo (a) que el
parmetro de red de la solucin slida es el mismo que el del disolvente, y (b) que s se produce variacin.
Datos: M (Cu) = 63.55 g/mol, M (Al) = 26.98 g/mol, estructura cristalina (Cu) = CCC,
a = 3.61 , estructura cristalina (Al) = CCC, a = 4.05 y NA = 6.0221023.
a) Si se supone que el parmetro de red de la solucin slida sustitucional no vara:

N tomos
N Cu
96 g A
9.097 1023 tomos Cu
63.55 g
23
N N Cu N Al 9.99 10 tomos
N A tomos
22
N Al
4 g
8.928 10 tomos Al
26.98 g
Ediciones Paraninfo
Teniendo en cuenta que cada celdilla CCC posee 4 tomos, entonces el nmero de celdillas ser:
N celdillas
1 celdilla
(9.99 1023 tomos) 2.497 1023 celdillas
4 tomos
25
Captulo 3
Y el volumen ocupado por la SSS:

3
VSSS
N celdillas
Vc (2.497 10 23 ) (3.61 10 8 cm)
11.75 cm 3
Y la densidad terica:
M SSS
100 g
8.51 g cm3
VSSS 11.75 cm3
b) Podemos calcular el parmetro de red de la SSS siguiendo la ley de Vegard. Para ello necesitamos la fraccin de soluto, x, que se calcula como:
x
(8.93 1022 tomos Al)

8.9 102
23
(8.93 10 tomos Al) (9.097 10 tomos Cu)
22
Por tanto, el parmetro de red de la SSS:

aSSS x a Al (1 x)aCu
(8.9 102 ) (4.05 nm) (1 8.9 102 ) (3.61 nm) 3.649 nm
El volumen ocupado por la SSS ser entonces:
VSSS N celdillas Vceld (2.497 1023 ) (3.649 108 cm)3 12.13 cm3
Y la densidad terica:
M SSS
(100 g)
8.24 g cm3
VSSS (12.13 cm3 )
Ediciones Paraninfo
26
Bloque 1
Captulo 4
La escala atmica de los materiales cermicos
4.1. Para un cristal de CaO, de estructura cristalina tipo NaCl, calcule la concentracin atmica lineal de iones calcio e iones oxgeno en la direccin [1 1 1].
Datos: r (Ca2+) = 0.099 nm y r (O=) = 0.140 nm.
(No olvide que las posiciones de los iones Ca 2 y O 2 son
intercambiables.)
El parmetro reticular se calcula como:
a = 2( rCa 2 rO 2 ) = 0.478 nm
[111] diagonal del cubo, con longitud L = 3 a = 0.828 nm

Nmero de iones Ca 2 = 1
Nmero de iones O 2 = 1
1
Densidad lineal iones Ca 2 =
1.208 iones nm
0.828
Densidad lineal iones O 2 =
1
1.208 iones nm
0.828
4.2. Determine la densidad terica y el factor de empaquetamiento del MgO.

Datos: r (Mg2+) = 0.065 nm, r (O2-) = 0.140 nm, M (Mg) = 24.31 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y
NA = 6.0221023.
Lo primero es deducir el tipo de estructura del MgO:
Ediciones Paraninfo
r (Mg 2 ) 0.065
0.464 coordinacin octadrica.
r (O 2 )
0.14
Coordinacin octadrica: cada catin Mg2 se rodea de 6 aniones
O2 formando un octaedro.
Como adems las valencias del Mg y O son las mismas, en la
celdilla unidad habr un catin Mg2 por cada anin O2 . Esta estructura es la del tipo NaCl. En este tipo de estructura, el contacto
se produce a lo largo de las aristas del cubo, por lo tanto:
27
Captulo 4
0.41 nm
a 2 r (Mg 2 ) r (O 2 )
La densidad terica:
16.00
16.00
24.31
24.31
4
4
4
g 4
g
NA
NA
NA
NA
Mc
3.88 g cm 3
(0.41 107 cm)3
Vc
a3
Y el factor de empaquetamiento volumtrico es:
4
4
2 3
2 3
Vocupado 4 3 r (Mg ) 4 3 r (O )
fV
Vc
a3
4
4 (0.065 107 cm)3 (0.140 107 cm)3
3
0.733
(0.41107 cm)3
4.3. Calcule la densidad terica y la fraccin de empaquetamiento del CsBr.

Datos: r (Cs+) = 0.169 nm, r (Br-) = 0.195 nm, M (Cs) = 132.91 g/mol, M (Br) = 79.90 g/mol y
NA = 6.0221023.
Lo primero es deducir el tipo de estructura del CsBr.

r (Cs ) 0.169
0.867 Coordinacin cbica: cada Cs+ se rodea de 8 Br .
r (Br ) 0.195
Como adems las valencias de los dos iones son las mismas, en la celdilla unidad habr un catin Cs+ por cada anin Br . Esta estructura es la del tipo CsCl, donde el contacto se produce a lo
largo de la diagonal del cubo:
3a 2 r (Cs ) r (Br )
2 r (Cs ) r (Br ) 2 (0.169 nm) r (0.195 nm)
a
0.420 nm
3
3
Por lo que, la densidad terica:
132.91
74.904
1
1
132.91 74.904 g
1
g
NA
NA
Mc
NA

4.647 g cm 3
3
7
3
(0.420 10 cm)
Vc
a
Ediciones Paraninfo
Y el factor de empaquetamiento volumtrico resulta ser:
28
Bloque 1
4
4
r (Cs )3 r (Br )3
(0.169 107 cm)3 r (0.195 107 cm)3
3
3
fV
0.69
(0.420 107 cm)3
a3
4.4. La variedad esfalerita del sulfuro de zinc es un slido cristalino de simetra cbica cuya
estructura puede representarse por un conjunto de iones S= situados en las posiciones correspondientes a una red CCC, mientras que los iones Zn2+ ocupan la mitad de los intersticios de
menor tamao. Calcule:
a) La densidad terica de la esfalerita.
b) La concentracin atmica lineal de iones azufre e iones zinc en la direccin [1 1 1].
Datos: r (S=) = 0.184 nm, r (Zn2+) = 0.074 nm, M (S) = 32.06 g/mol y M (Zn) = 65.38 g/mol.
a)
Como el Zn2+ est en el centro del cubo pequeo:
D
r (S2 ) r (Zn 2 ) D 2 D 4 r (S2 ) r (Zn 2 ) 1.032 nm
2
Y como D 3a ,
1.032 nm
3
0.596 nm
Y la densidad terica se puede calcular como:

2
2+
M c 4 M(S ) M(Zn ) N A 4 (32.02 g) (65.38 g) N A

3.06 g cm3
Vc
a3
(0.596 107 cm)3
Ediciones Paraninfo
b) [1 1 1] = diagonal del cubo
29
Captulo 4
N iones de S2- 2 12 1 ion S2 . Por lo tanto, la concentracin de iones S2- a lo largo de la direccin [1 1 1] ser:
[S2 ]111
N iones S2 1
1 ion

0.969 iones nm
longitud
D 1.032 nm
N iones de Zn2+ 2 12 1 ion Zn 2 :
[ Zn]111
N iones Zn 2 1
1 ion

0.969 iones nm
longitud
D 1.032 nm
4.5. Se tiene un hipottico compuesto inico de tipo AX, con densidad 4.61 g/cm3 y estructura
cristalina de tipo ZnS (esfarelita). Seale:
a) Los radios inicos de los iones A+ y X- que forman el compuesto sabiendo que el volumen
ocupado por los aniones es quince veces superior al ocupado por los cationes.
b) La fraccin de empaquetamiento superficial en un plano del tipo 1 1 0.
c) La fraccin de empaquetamiento lineal de los aniones y de los cationes en la direccin 110
Datos: M (A) = 60 g/mol, M (X) = 25 g/mol y NA = 6.0221023
a) La densidad terica:
Mc
Vc
M( A)
M( X )
4
(4 60 g/mol 4 25 g/mol)
NA
NA
4.61 g cm3
(6.022 1023 ) a 3
a3
Despejando a:
3
a
4 (60 g/mol 25 g/mol)
4.97 108 cm
4.97
(6.022 1023 ) (4.61 g/cm3 )
Segn el enunciado
Van 15 Vcat
Como
4 3
4 3
ran 15
r ran 3 15 rcat 2.47 rcat
3
3 cat
3 a 4 rcat ran 4 rcat 2.47 rcat
de donde
30
ran
2.47 (0.62 )
1.53
Ediciones Paraninfo
3a
3 (4.97 108 cm)
rcat
6.20 109 cm
0.62
4 3.47
13.88
Bloque 1
b)
2
(2 tomos ) rcat
ran2 2
rea ocupada
f (110)
rea rectngulo
2 a2
1.53
0.62
2
2 (4.97 ) 2
0.49
c)
f cat
[110]
f an[110]
4rcat
2a
4ran
2a
4 (0.62 )
0.35
2 (4.97 )
2.47 f cat 0.87
4.6. Calcule la concentracin atmica del ZnS (wurtzita).

Datos: r (Zn2+) = 0.074 nm y r (S2-) = 0.184 nm.
Ediciones Paraninfo
Sabiendo que la coordinacin en la wurtzita es tetradrica, supongamos un cubo con un ion de Zn

en el centro y cuatro de S en cuatro de sus vrtices en contacto con el Zn, entonces, la longitud del
cubo, l, puede calcularse como:
3 l 2 r (Zn 2 ) r (O2 )
2 r (Zn 2 ) r (O2 )
0.298 nm
3
31
Captulo 4
Adems, la diagonal de la cara del cubo ser la distancia entre los iones de S, que ser el valor
a de la celdilla de la wurtzita:
2 l 0.421 nm
Falta ahora por calcular la altura c de la celdilla, para lo cual calculamos la distancia de uno de
los tomos de S al plano formado por los otros 3 (que formaran un plano del tipo ( ) en el
mencionado cubo), siendo esta distancia D = c/2
a
2a c
4a
c
0.973 nm
2
3
3
1/ 4 1/ 4 1/ 4
La concentracin atmica de iones S2- o Zn2+, resulta:
S2
Zn 2
6 iones 6 iones
6 iones
13.40 iones nm3

2
Vc
3 3 a c 3 3 (0.421 nm) 2 (0.973 nm)
2
2
4.7. La celdilla unidad del Al2O3 tiene simetra hexagonal con parmetros de red a = 0.4759
nm y c = 1.2989 nm. Si la densidad del material es 3.99 g/cm3, indique su fraccin de empaquetamiento volumtrica.
Datos: r (Al3+) = 0.050 nm, r (O2-) = 0.140 nm, M (Al) = 26.98 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y
NA = 6.0221023.
a) Al2O3, relacin Al3+/O2- = 2/3.

Tomaremos como base de clculo 1 unidad de Al2O3.
Vocupado 2 34 0.050 107 cm 3 43 0.140 107 cm 3.553 1023 cm3

3
Vtotal
2 26.98 N A g 3 16.00 N A g
(3.99 g cm 3 )
4.243 1023 cm3
De modo que la fraccin de empaquetamiento volumtrico resulta ser:
fV
Volumen ocupado
0.837
Volumen total
Puede tambin resolverse utilizando cualquier otra base de clculo, por ejemplo, una celdilla
unidad:
3 2
3
a c
3 (0.4759 10 7 cm) 2 (1.2989 107 cm)
7.64 1022 cm 3
2
2
Para conocer el Vocupado hay que conocer el nmero de iones Al3+ y O2- que hay en cada celdilla.
Partimos del dato de la densidad.
32
Ediciones Paraninfo
Vtotal
3
3.99
Bloque 1
36 Al3
Al2O3
g 7.64 1022 cm3 1 mol Al2 O3 N A unidades
18
cm3
1 celdilla
101.96 g
1 mol
celdilla 54O2
Luego, finalmente:
fV
36 43 (0.050 107 cm)3 54 43 (0.140 107 cm)3

0.837
8.37%
(7.64 1022 cm 3 )
4.8. Sabiendo que la densidad terica del diamante es de 3.54 g/cm3 y la masa molar del C es
12.01 g/mol, calcule:
a) El radio atmico del C.
b) La fraccin de empaquetamiento volumtrica del diamante.
c) La fraccin de empaquetamiento superficial en el plano (1 1 0) del diamante, as como la
fraccin de empaquetamiento lineal en la direccin [1 1 0].
Dato: NA = 6.0221023.
a) Sabiendo que en la estructura cristalina del diamante hay 8 tomos de C por celdilla unidad, entonces, la masa de una celdilla:
Mc
8 tomos
12.01 g
96.06
g
N A tomos
NA
Y sabiendo, adems, que para esta estructura se cumple que 8r 3 a , el volumen de la celdilla
resulta:
8r
3
V
a
c
Y, con todo, la densidad terica:
M c (96.06 / N A ) g
3.54 g / cm3
3
Vc
8r 3
de donde, despejando, obtenemos que:

r = 7.710 9 m = 0.77
b) La fraccin de empaquetamiento volumtrica:
fV
Vocupado
Vc
8 43 r 3
8 4 32 4 32
0.34

3
83 3
82
8 3 r3
Ediciones Paraninfo
c) El plano (110)
33
Captulo 4
A ocupado
f (110)
A
plano
L ocupada
f
11 0
L plano
4 r 2
2
2 8r 3
4r
2a
12
0.42
2 82
4r
3
0.61
2 8r 3 2 2
4.9. Determine la densidad terica del CaF2 (fluorita).

Datos: r (Ca2+) = 0.099 nm, r (F-) = 0.133 nm, coordinacin cbica, M (Ca) = 40.08 g/mol y
M (F) = 19.00 g/mol
Comprobemos el tipo de estructura cristalina facilitado en el enunciado:
rCa 2 (0.099 nm)
0.744
rF
(0.133 nm)
De acuerdo con la Tabla 4.1, el valor est por encima del valor lmite terico 0.732, por lo que la
coordinacin debe ser cbica. Cada catin Ca2+ se encontrar rodeado de 8 aniones F- formando un
cubo.
Ahora bien, la valencia del Ca es 2+, mientras que la del F es 1-, por lo que para asegurar la
neutralidad elctrica, en cada celdilla de CaF2 deber haber el doble de aniones que de cationes. El
nico modo de tener en cuenta ambos requisitos es que la celdilla unidad est formada por una estructura CCC para los cationes y todos los intersticios tetradricos ocupados por los aniones.
El contacto se produce a travs de las diagonales del cubo con iones F- y Ca2+, luego:
3 a 4 r (F ) r (Ca 2 )
Y despejando:
a 0.536 nm
Entonces, la densidad terica:
Mc
Vc
19.00
40.08
M(F )
M(Ca 2 )
8
g 4
g
4
NA
NA
NA
NA
3.28 g cm 3
(0.536 107 cm)3
a3
4.10. Calcule la densidad terica de la perovskita (CaTiO3) y de la espinela (MgAl2O4).

Datos: r (Ca2+) = 0.099 nm, r (O=) = 0.140 nm, r (Ti4+) = 0.068 nm, M (Ca) = 40.01 g/mol, M (O) =
16.00 g/mol, M (Ti) = 47.86 g/mol, r (Al3+) = 0.050 nm, r (Mg2+) = 0.065 nm, M (Al) = 26.98
g/mol, M (Mg) = 24.31 g/mol y NA = 6.0221023.
34
Ediciones Paraninfo
Bloque 1
El volumen de la celdilla de la perovskita (CaTiO3) puede estimarse considerando que es cbica

(esta es la principal aproximacin) y que se produce contacto entre los iones de Ca2+ y O2 a lo largo de la diagonal de la cara del cubo:
2a
2 r (Ca 2 ) r (O 2 )
de donde, despejando a:
2 r (Ca 2 ) r (O2 ) 2 (0.099 nm) (0.140 nm)

a
0.338 nm
2
2
Por tanto, la densidad terica resulta:
1 iones Ca 2 40.01 g 1 iones Ti 4+ 47.86 g 3 t. O 16.00 g
Mc
celdilla
N A iones
celdilla
N A t. celdilla N A iones
perovskita

5.84 g cm3
8
3
(3.38 10 cm)
Vc
Ediciones Paraninfo
Para la espinela (MgAl2O4), el clculo del volumen de la celdilla resulta bastante complejo.
Puede resolverse considerando el tetraedro formado por los iones Mg2+ con otro ion Mg en el centro, si bien este ltimo se encuentra a su vez rodeado tetradricamente por cuatro iones O2. Por
tanto:
de donde
35
Captulo 4
2
2
8 r (Mg 2 ) r (O2 )
a 2 r (Mg ) r (O )
a
0.947 nm
4
3
3
Y por tanto la densidad resulta:

8 iones Mg 2+ 24.31g 16 iones Al3+ 26.98 g 32 iones O 2 16.00 g
celdilla
N A iones
celdilla
N A iones
celdilla
N A iones
Mc
espinela

2.23 g cm3
8
3
Vc
(9.47 10 cm)
Clculos ms exactos del parmetro de red conducen a un valor 0.808 nm, y este, a su vez, a una
densidad de 3.58 g/cm3.
4.11. Con objeto de fabricar piezas cermicas, se mezclan 60 kg de mullita (3Al2O32SiO2), 15

kg de caolinita (Al2O32SiO22H2O) y 10 kg de slice (SiO2). Tras haberle dado forma a las
piezas, estas son calentadas a 1800 C para sinterizarlas (unir las partculas de los diferentes
materiales y as conseguir un material rgido y resistente).
a) Calcule la composicin de las piezas (porcentaje de Al2O3 y SiO2) tras la sinterizacin.
b) Suponga que, como resultado del proceso, se forma una solucin slida con una estructura
cristalina tipo NaCl donde los iones oxgeno ocupan la totalidad de los nudos propios de una
red CCC y los cationes se sitan en los intersticios octadricos. Seale qu fraccin de sitios
catinicos queda vacante.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol, M (Si) = 28.09 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y M (H) = 1.01 g/mol.
a) Mullita: en 1 mol de mullita hay 3 moles de Al2O3 y 2 moles de SiO2. Por tanto,
m(Al2 O3 ) 60 kg mullita
m(SiO 2 ) 60 kg mullita
1 mol mullita 3 moles Al2 O3 101.96 103 kg
43.08 kg
426.06 103 kg 1 mol mullita 1 mol Al2 O3
2 moles SiO 2 60.09 103 kg
16.92 kg
426.06 103 kg 1 mol mullita 1 mol SiO 2
1 mol mullita
Caolinita: en un mol de caolinita hay 1 mol de Al2O3, 2 moles de SiO2 y 2 moles de H2O.
m(Al 2 O3 ) 15 kg caolinita
1 mol caolinita 1 mol Al2 O3

101.96 103 kg
5.92 kg
3
258.14 10 kg 1 mol caolinita 1 mol Al2 O3
m(SiO 2 ) 15 kg caolinita
2 mol SiO 2
1 mol caolinita
60.09 10 3 kg
6.98 kg
3
258.14 10 kg 1 mol caolinita
1 mol SiO 2
m(H 2 O) 15 kg caolinita
2 mol H 2 O
1 mol caolinita
18.02 103 kg
2.09 kg
3
258.14 10 kg 1 mol caolinita 1 mol H 2 O
Durante la sinterizacin, el H2O se evapora, por lo que la masa total de la cermica ser:
36
Ediciones Paraninfo
Slice: 10 kg de SiO2.
Bloque 1
M TOTAL 60 kg 15 kg 10 kg 2.1 kg 82.9 kg

Por tanto, la composicin de la cermica ser:
% Al2 O3
42.82 kg 5.92 kg
100 58.79 %
82.9 kg
% SiO 2 100 58.79

41.21 %
b) La masa de Al2O3 contenida es igual a (82.9 kg) 58.79 % 48.73 kg , por lo que el nmero de moles Al2O3 de ser de:
n(Al2 O3 ) 48.73 103 g
1 mol
0.478 moles 2 0.478 moles Al y 3 0.478 moles O
101.96 g
Por otro lado, la masa de SiO2 contenida ser igual a (82.9 kg) 41.21% 34.16 kg , por lo que el
nmero de moles que esto representa se calcula como:
n(SiO2 ) 34.16 103 g
1 mol SiO2
0.569 moles 0.569 moles Si y 2 0.569 moles O
60.09 g
Por todo la cual, el nmero de moles de cationes (Al + Si) = 20.478 + 0.569 = 1.525
Y el nmero de moles de aniones (O2-) = 30.478 + 20.569 = 2.572.
El porcentaje de sitios catinicos vacantes, sabido que en la estructura del NaCl el nmero de
cationes debe ser igual al de aniones, se calcular como:
Sitios totales Sitios ocupados 2.572 1.525

100 40.71 %
Sitios totales
2.572
4.12. Una forma cristalina cbica de slice (SiO2) presenta un parmetro de red a = 0.700 nm y
una densidad de 2.32 g/cm3:
a) Determine cuntos iones Si4+ y O= hay por celdilla unidad.
b) Indique cul ser la fraccin de empaquetamiento.
Datos: r (Si4+) = 0.041 nm, r (O2-) = 0.140 nm, M (Si) = 28.09 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y
NA = 6.0221023.
a) El volumen de una celdilla unidad es:

Vc
a3
(0.700 10 7 cm)3
3.43 10 22 cm 3
Y como la densidad
es 2.32 g cm3 , la masa de una celdilla unidad sera de:
Ediciones Paraninfo
3.43 1022 cm3

Mc
2.32 g
7.958 1022 g
cm3
La masa molar de una unidad-frmula de SiO2 es:
37
Captulo 4
M(SiO2 ) 1 M(Si) 2 M(O) 1 (28.09 g mol1 ) 2 (16.00 g mol1 ) 60.09 g mol1
El nmero de grupos SiO2 por celdilla unidad, n:
Mc
(7.958 1022 g)
7.98 8
M(SiO 2 ) (60.09 g mol) 1 mol N A
Luego, en cada celdilla habr 8 cationes Si4+ y 16 aniones O=.

b) Suponiendo que los iones son completamente esfricos y conocidos el valor de los radios atmicos, calculamos el volumen ocupado:
Vocupado 8
4
4
)3
r (Si 4 )3 16
r (O
3
3
4
3
4
8 r (Si 4 )3 16 r (O
)3
8 (4.1 109 cm)3 16 (1.4 108 cm)3 1.86 1022 cm3
Sustituyendo en la primera expresin se obtiene el valor del factor de empaquetamiento:
fV
Vocupado (1.86 1022 cm 3 )
0.5423
(3.43 1022 cm3 )
Vc
4.13. El vidrio sdico (69 % SiO2 y 31 % Na2O, ambos en masa) se obtiene de arena (slice) y
Na2O.
a) Suponiendo que se emplea CaCO3 en lugar de Na2O, establezca qu porcentaje en masa
debera utilizarse para que hiciera un efecto equivalente al del 31 % de Na2O.
b) Con independencia de factores econmicos, explique por qu no se utiliza como material de
partida un silicato sdico (SiO4Na4), en vez de la mezcla de SiO2 y Na2O.
Datos: M (Si) = 28.09 g/mol, M (Na) = 22.99 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol, M (C) = 12.01 g/mol y
M (Ca) = 40.08 g/mol.
a) El Na2O es un modificador que se aade para reducir la viscosidad y poder trabajar el vidrio a
menor temperatura.
Las masas molares de las respectivas unidades frmulas:
M(SiO 2 ) (28.09 g/mol) 2 (16.00
g/mol) 60.09 g/mol

M(Na 2 O) 2 (22.99 g/mol) 1 (16.00 g/mol) 61.98 g/mol
Partimos de 100 g de vidrio sdico (69 g de SiO2 y 31 g de Na2O). El nmero de tomos de Si y de

O se calcula como:
1 mol 6.022 1023 grupos SiO 2
1 t. Si
6.915 1023 t. Si
60.09 g
1 mol
1 grupo SiO 2
N (O) 6.915 1023 t. Si
38
2 t. O
13.83 1023 t. O
1 t. Si
Ediciones Paraninfo
69 g SiO 2
N (SiO 2 )
Bloque 1
Por otro lado, el nmero de tomos de Na y de O se calcula como:

N (NaO 2 )
31 g Na 2 O
1 mol 6.022 1023 grupos Na 2 O

2 t. Na
6.024 1023 t. Na
61.98 g
1 mol
1 grupo Na 2 O
N (O) 6.024 1023 t. Na
1t. O
3.012 1023 t. O
2 t. Na
Ahora procederemos con el CaCO 3 . Hay que tener en cuenta que CaCO 3 CO 2 CaO . Las
masas moleculares de las respectivas unidades-frmulas involucradas son:
M (CaO) = 56.08 g/mol
M (CaCO3) = 100.09 g/mol
Para obtener el efecto equivalente, necesitamos una masa x de CaO, tal que proporcione
3.0111023 tomos de O:
x g CaO
1 mol 6.022 1023 t.
3.011 1023 t. O x 28.04 g CaO

56.08 g
1 mol
Por otro lado,

m(CaO)
28.04 g
En definitiva,
1 mol CaCO3 1 mol CaO

100.09 g
50.045 g
1 mol CaO
56.08 g 1 mol CaCO3
69 g SiO 2 50.045 g CaCO3 57.96 % SiO 2
42.04 % CaCO 3
b) SiO 4 Na 4 SiO 2 2Na 2 O
Ediciones Paraninfo
En el SiO4Na4 el cociente entre los tomos de oxgeno y los de silicio es igual a 4. Se corre as
riesgo de desvitrificacin, que se produce para valores de este cociente.
4.14. Desea fabricarse un vidrio que se compone de SiO2 y de un modificador. Se dispone de

dos modificadores distintos: PbO y Y2O3. En el vidrio que quiere fabricarse, la fraccin de
oxgenos que quede no compartida debe ser de un 30 %. Si el precio del PbO es 2/3 del de
Y2O3.
a) Seale cul sera el modificador ms rentable.
b) Indique cul de los modificadores hara ms probable la cristalizacin del vidrio. Con el
modificador seleccionado en el apartado anterior, argumente si llegar a cristalizar el vidrio
obtenido.
c) Si la densidad del vidrio de SiO2 puro es de 2.2 g/cm 3 y la introduccin de cualquiera de los
modificadores incrementa el volumen final en un 10 %, calcule la densidad del vidrio obtenido
empleando el modificador seleccionado en el apartado a).
Datos: M (Si) = 28.09 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y M (Y) = 88.91 g/mol.
39
Captulo 4
El enunciado nos impone la condicin:
N O ( nc )
0.3
N O ( tot )
Las masas molares de las respectivas unidades-frmulas:

M (SiO2) = (28.09 g/mol) + (216.00 g/mol) = 60.09 g/mol
M (PbO) = (207.2 g/mol) + (16.00 g/mol) = 223.2 g/mol
M (Y2O3) = 2(88.91 g/mol) + 3(16.00 g/mol) = 225.82 g/mol
a) Vidrio 1: SiO2 + PbO
Supongamos que tenemos n1 moles de SiO 2 y n2 moles de PbO. Como cada ion Pb2+ conlleva dos
oxgenos no compartidos:
El nmero de moles de oxgenos no compartidos nO ( nc )

2 ( nPb 2 )
2 n2
Por otro lado, el nmero de moles de oxgeno ser igual a: nO (

2 n1 n2
tot )
Por tanto:
f
2n2
0.3 2 n2 0.6 n1 0.3n2 1.7 n2 0.6n1 n2 0.35n1
2 n1 n2
Vidrio 2: SiO2+ Y2O3

Supongamos que tenemos n 1 moles de SiO2 (los mismos que antes) y n3 moles de Y2O3.
Ahora cada ion Y3+ provoca la aparicin de 3 oxgenos no compartidos:
3nY
3 (2n3 )
6n3
As pues, el nmero de moles de oxgenos no compartidos: nO( nc )
3
As pues, en este caso, f resulta ser:
40
Ediciones Paraninfo
Por otro lado, el nmero total de oxgenos ser igual a: nO(tot) 2n1 3n3
Bloque 1
6n3
0.3 6n3 0.6n1 0.9n3 5.1n3 0.6n1 n3 0.12n1
2n1 3n3
El precio por mol de cada modificador ser:

(2 / 3) x 223.2 g
P(PbO)
148.8 x / mol
g
1 mol
x 225.8 g
P Y2 O3
225.8 x / mol
g 1 mol
Por tanto, el coste de los modificadores sera, en funcin de n1:

Coste PbO 0.35 n1 (148.8 x ) 51.8 x n1
Coste Y2 O3
0.12 n1 (225.8 x )
27.1 x n1 ms rentable
Coste PbO Coste Y2 O3 2
b) Calculemos en ambos casos la relacin f = n(O)/n(Si)

2n1 0.35n1
2.35 2.5
n1
2n1 3 0.12n1
f2
2.36 2.5
n1
f1
El vidrio obtenido no desvitrificar (no cristalizar) y la tendencia de ambos a desvitrificar (cristalizar) ser similar.
c) (SiO2 pura) = 2.2 g/cm 3
Suponiendo 1 mol de SiO2, tendr aadido 0.12 moles de Y2O3, en masas esto representa:
m SiO2 60.09 g
M vidrio (60.09 g) (27.1 g) 87.19 g

m Y2 O3
0.12 225.8 g
27.1 g
El volumen que ocupar el vidrio puede calcularse a partir de su densidad ( (SiO2) = 2.2 g/cm 3 ),
teniendo en cuenta que debe incrementarse en un 10%:
(60.09 g)
V
vidrio
1 cm3
1.1 30.05 cm 3
2.2 g
Luego, su densidad ser:

M vidrio
87.19 g
2.90 g cm 3
3
Vvidrio
30.05 cm
Ediciones Paraninfo
vidrio
41
Captulo 6
La escala atmica de los materiales polimricos
Captulo 6
6.1. Para la fabricacin de PP, se mezclan cantidades iguales (en masa) de dicho polmero con
tres grados de polimerizacin distintos. Si el grado de polimerizacin del segundo grupo es 1.5
veces el del primero, y el del tercero, el doble que el del primero, y la masa molecular promedio en masa resulta MM = 378 002 g/mol, calcule el grado de polimerizacin de los tres grupos
de PP empleados.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol y M (H) = 1.01 g/mol.
El PP (polipropileno) responde a la frmula C 3 H 6 n . Si n es el grado de polimerizacin y m la

masa de un mero, la masa molecular promedio (incluyendo la cabeza y la cola) vendr entonces
dada por:
M M n m 2 M(H) n 3 M(C) 6 M(H) 2 M(H)
La masa molecular de cada partida resulta (en funcin de su grado de polimerizacin) ser:
M1 n 3 12.01 6 1.01 2.02 42.09 n 2.02
M 2 (1.5 n) 3 12.01 6 1.01 2.02
63.135 n 2.02
M3 (2 n) 3 12.01 6 1.01 2.02 84.18 n 2.02
Puesto que el enunciado nos dice que la mezcla se ha obtenido mezclando cantidades de masa
iguales de cada uno de los polmeros, entonces, los factores de ponderacin msicos sern los tres
iguales a 1/3. Con esto, la masa molecular promedio en masa resultar:
M M 378 002 g / mol
1
1
1
(42.09 n 2.02) (63.135 n 2.02) (84.18 n 2.02)
3
3
3
1
378 002
(189.405 n 6.06)
3
de donde, despejando, obtenemos n 5987 que es el grado de polimerizacin del primer grupo,
para el segundo, n2
1.5 5987
8980 , y para el tercero, n2 2 5987
11974 .
Masa molecular cadenas (g/mol)

2 000 9 000
11 000 14 000
19 000 22 000
42 000 48 000
63 000 72 000
42
Cantidad aadida (g)

10
3
9
8
5
Ediciones Paraninfo
6.2. Un poliacrilonitrilo (PAN) se ha fabricado mediante mezcla de cantidades conocidas de

diferentes PAN, de los cuales se conocen, adems, los intervalos de masas de las cadenas que
los conforman (vea la tabla adjunta). Determine el ndice de polidispersin del material obtenido.
Bloque 1
La masa total de PAN obtenida es de 10 3 9 8 5

35 g .
Como solo conocemos los intervalos de masa de las cadenas de cada PAN, tendremos que trabajar con los puntos intermedios de dichos intervalos:
Masa molecular cadenas
(g/mol)
5 500
12 500
20 500
45 000
67 500
Cantidad aadida
(g)
10
3
9
8
5
La masa molecular promedio msica ser:

10
3
9
8
M M 5500 g mol 1 12500 g mol1 20500 g mol1 45000 g mol1
35
35
35
35
5
1
1
67 500 g
mol
27 842.85 g mol
35
Para calcular la masa molecular promedio en nmero, hemos de calcular inicialmente los moles
que hay en cada uno de los PAN empleados para la mezcla.
Masa molecular cadenas
(g/mol)
5 500
Cantidad aadida
(g)
10
Moles aadidos
10 5500
1.81103
12 500
3 12500
0.24 103
20 500
9 20500
4.39 104
45 000
8 45000
1.77 104
67 500
5 67500
7.41105
La masa molecular promedio numrica resultar:

M
N
1.81103
0.24 103
4.39 104
1
1
5500
g
mol
12500
g
mol
20500 g mol1
27.4 104
27.4 104
27.4 104
1.77 104
7.41 105
1
45000
g
mol
67 500 g mol1 12 744.81 g mol 1

27.4 104
27.4 104
Con todo, el ndice de polidispersin del polmero resultante es
Ediciones Paraninfo
M M 27842.85
2.18
M N 12 744.81
43
Captulo 6
6.3. El PET es un polmero que se obtiene mediante un proceso de polimerizacin entre el cido tereftlico (
) y el 1, 2-etanodiol (
).
a) Escoja de entre las siguientes, la unidad estructural del PET.
b) Indique qu mtodo de polimerizacin se ha producido.

a) La primera de las propuestas no es vlida porque ha desaparecido un grupo CH2 del 1,2etanodiol.
La tercera propuesta tampoco es correcta, porque se han eliminado los grupos OH de cada extremo del cido tereftlico, el grupo OH de uno de los extremos del 1,2-etanodiol, y un tomo de
H del otro extremo, cosa imposible.
En la segunda propuesta, la correcta, se produce la polimerizacin a partir de la combinacin de
los grupos OH extremos del cido tereftlico y del 1,2-etanodiol. De esta combinacin surgen dos
molculas de H2O, producindose la unin a travs de tomos de O.
b) Las caractersticas descritas en el apartado anterior para justificar la validez de la segunda propuesta son las de la polimerizacin por condensacin.
6.4. El nailon-6,6 es un polmero formado por condensacin, cuyo nombre deriva de los 6
tomos de C que tienen cada uno de los monmeros que lo conforman:
Calcule qu masas de cada uno de los monmeros ser neceario combinar para conseguir 15
kg de nailon-6,6.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol, M (N) = 14.01 g/mol y M (H) = 1.01 g/mol.
Ediciones Paraninfo
La polimerizacin por condensacin se llevar a cabo del siguiente modo:
44
Bloque 1
De este modo, combinando 1 mol de 1,6-hexanomdiamina, y 1 mol de cido hexadiico, se obtienen 2 moles de H2O. Las respectivas masas molares son:
M(c. hex) 16 M(H) 2 M(N) 6 M(C) 116.24 g mol1

M(1, 6- hex) 10 M(H) 4 M(O) 6 M(C) 146.16 g mol1
M(H 2 O) 2 M(H) 1 M(O) 18.02 g mol 1
En la reaccin que tienen lugar:
n mol(1, 6- hex) n mol(c. hex)

2 n mol(H 2O) n mol(nailon-6, 6)
En trminos de masas:
n (146.16 g mol1 ) n (116.24 g mol1 ) 2 n (18.02 g mol 1 ) (15000g)
226.36
n 15000
n 66.27 moles
Por tanto, las masas a mezclar para conseguir 15 kg de nailon-6,6 son:
m1,6 hex
n (146.16 g mol1 )
9686.02 g
1
mc.hex
n (116.24 g mol )
7703.22 g
15000g nailon 2388.37 g H2 O
6.5. Una poliamida tiene la siguiente unidad mrica:
a) Escriba los monmeros a partir de los cuales se obtiene.

b) Comente si considera que la interaccin entre las cadenas de esta poliamida sern ms o
menos intensas que las que se producen en otra poliamida, el nailon-6,6.
Ediciones Paraninfo
a) Las poliamidas se forman a partir de la reaccin de una diamina y un cido carboxlico, de modo
que, para que se establezca su unin, la diamina pierde un H y el cido dicarboxlico pierde un grupo OH. Este grupo OH se combina con el H dando H2O.
Teniendo esto en cuenta, y observando la estructura de la poliamida problema, los monmeros
que la componen han de ser:
b) La interaccin entre las cadenas de la poliamida se producir preferentemente entre tomos de H

y O, entre los que se establecen puentes de hidrgeno. Si consideramos nicamente la interaccin
entre dos cadenas, estos puentes de hidrgeno se crean a intervalos regulares, cada 6 tomos de las
cadenas principales.
45
Captulo 6
Expresado de otro modo:
En el nailon-6,6 tambin se establecen puentes de hidrgenos entre las cadenas. La estructura

de esta poliamida no permite que los puentes se creen ms que a intervalos de 14 tomos de las cadenas principales, por lo que la interaccin ser menos intensa.
6.6. Considere los dos polmeros siguientes: PVC sindiotctico y un copolmero de tefln injertado con poliestireno isotctico (el estireno es el fenileteno y el tefln es el politetrafluoroetileno).
a) Escriba su configuracin o frmula estructural.
b) Indique razonadamente cul de los dos polmeros es menos cristalino.
Ediciones Paraninfo
a)
46
Bloque 1
El copolmero de tefln injertado con poliestireno isotctico podra representarse como:
b) El copolmero de tefln-poliestireno debe ser menos cristalino, ya que la estructura ramificada y

los grupos fenol, que son muy voluminosos, no favorecen la cristalinidad.
6.7. Conocida la densidad de un PE cristalino, 0.998 g/cm3, y del mismo en estado amorfo,
0.870 g/cm3, calcule la densidad de una muestra de PE con un 75 % de cristalinidad.
El grado de cristalinidad, X, de una muestra se define como:
X 100
c a
c a
donde c es la densidad de las regiones cristalinas, a es la densidad de las regiones totalmente

amorfas.
Sustituyendo los datos del problema:
(0.998 g cm 3 ) (0.870 g cm 3 )
75
100
(0.998g cm 3 ) (0.870 g cm3 )
y despejando el valor de se obtiene que
Ediciones Paraninfo
= 0.963 g/cm3
47
Captulo 6
6.8. Controlando la ramificacin de las cadenas del PE, puede conseguirse PE de alta y de baja densidad, denominados respectivamente PE-HD y PE-LD. El diferente grado de ramificacin de sus cadenas determinar la densidad y el grado de cristalinidad del PE. Sabiendo que
la densidad de un PE-LD es de PE-LD = 0.917 g/cm3 y la de un PE-HD es PEHD =
0.955 g/cm3.
a) Determine cul de las dos variedades piensa que tendr las cadenas ms ramificadas.
b) Estime el porcentaje de cristalinidad de ambos materiales.
Datos: c = 0.998 g/cm3 y a = 0.870 g/cm3.
a) Lgicamente, cuanto mayor sea la ramificacin de las cadenas, menor ser el grado de compacidad que puede alcanzarse, con lo cual se obtendr un material menos denso. En consecuencia, debe
ser el PE-LD el que sea ms ramificado.
b) Sabiendo que el grado de cristalinidad se expresa como:
X 100
c a
c a
Para el PE-LD, resultara ser de:

X PE -LD
(0.998 g cm 3 ) (0.917 g cm 3 ) (0.87 g cm 3 )
100
39.96 %
(0.917 g cm 3 ) (0.998 g cm 3 ) (0.87 g cm 3 )
Y para el PE-HD:
(0.998 g cm 3 ) (0.955 g cm 3 ) (0.87 g cm 3 )
X HDPE
100
69.39 %
(0.955 g cm 3 ) (0.998 g cm 3 ) (0.87 g cm 3 )
6.9. El PE es el material ms comnmente empleado para fabricar papel film de uso en cocina.
Se conoce que, en un rollo de 30 m de longitud, 30 cm de ancho y 12.15 m de espesor, el nmero aproximado de tomos de H es 91024. Seale el tipo de PE que se ha empleado.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (H) = 1.01 g/mol y NA = 6.0221023.
Podremos determinar el tipo de PE empleado a partir del clculo de su densidad.
V (30 m) (0.3 m) (12.15 106 m) 10.93 105 m3

En el PE, hay aproximadamente, el doble de tomos de H que de C, por lo que la masa del rollo
de film ser:
48
9 1024
12.01 g
1.01 g
tomos
9 1024 tomos
2
N A tomos
N A tomos
9 1024 12.01
g 1.01 g 104.84 g
NA 2
Ediciones Paraninfo
mC2 H 4 mC mH
Bloque 1
La densidad del polmero empleado ser, pues,

m
V
104.84 g
959.19 103 g m 3 0.959 g cm 3
10.93 10 5 m 3
C H
2
Este valor de densidad es muy cercano al del polietileno de alta densidad (vea el problema anterior), por lo que el material del film ha de ser PE-HD.
6.10. El poli-cis-isopreno es una goma natural polimerizada a partir del isopreno (metil-1,3butadieno). Considere una goma de poli-cis-isopreno que ha ganado un 5 % en masa de oxgeno por oxidacin al aire. Suponga que el oxgeno origina enlaces cruzados similares a los del
azufre en la vulcanizacin del caucho.
a) Indique qu fraccin de los posibles enlaces cruzados se ha formado.
b) Explique cmo puede la oxidacin causar la degradacin de una goma.
Datos: M (C) = 12.01 g/mol, M (O) = 16.00 g/mol, M (H) = 1.01 g/mol y NA = 6.0221023.
a) El monmero metil-1,3-butadieno responde a la frmula: CH2=C(CH3) CH=CH2
Cuando polimeriza se obtiene el poliisopreno: [CH2C(CH3)=CHCH2]n
La forma isomrica cis impone que todos los grupos asociados a los carbonos unidos por enlace
doble se sitan hacia el mismo lado de la cadena.
La oxidacin de esta goma (elastmero) es similar al proceso de vulcanizacin, siendo los tomos de O los que rompen el doble enlace cada cierto nmero de meros, establecindose enlaces
cruzados de esta forma:
La fraccin de los posibles enlaces cruzados, f, no es ms que el cociente entre el nmero de

enlaces dobles que se han roto (Nedr), y el nmero de enlaces dobles posibles (Nedp); es decir, el nmero de enlaces dobles antes del proceso de oxidacin.
Suponiendo una cantidad de elastmero, se puede calcular el nmero de enlaces dobles posibles
(Nedp). A continuacin, teniendo en cuenta que se produce una oxidacin del 5 %, se calcula el nmero de tomos de oxgeno presentes, cantidad que ser igual al nmero de enlaces dobles rotos
(Nedr). Obsrvese que a dos meros le corresponden dos oxgenos, o lo que es igual, cada oxgeno
esta asociado a la rotura de un doble enlace en un mero.
Partiremos de un mol del polmero sin oxidar:
Ediciones Paraninfo
M (C5H8) = 5(12.01 g/cm3) + 8(1.01 g/cm3) = 68.13 g/mol

Por otro lado, 1 mol de C5H8 contendr NA meros el nmero de enlaces dobles posibles ser
igual a Nedp = NA.
49
Captulo 6
Adems, 1 mol de C5H8 = 68.05 g 5 % de 68.05 = 3.4 g 3.4 g de O (oxidacin). Esta

masa de oxgeno representa la siguiente cantidad de tomos:
NO
3.4 g
t.
3.4
NA
N A t. 0.2125 N A t. O
M(O) g / mol
mol 16.00
Y de aqu que, el nmero de enlaces doble rotos sea:

Nedr = NO = 0.2125 NA
Y la fraccin pedida ser, finalmente:
f
N edr 0.2125 N A
0.2125
21.25 %
N edp
NA
b) La goma o elastmero debe su elasticidad al establecimiento entre las cadenas de enlaces cruzados cada cientos de carbonos. A travs de la oxidacin se produce un fenmeno similar de establecimiento de ms enlaces cruzados (fuertes) que se aaden a los ya existentes. Esto hace que pierda
elasticidad, volvindose ms rgido y llegando a convertirse, en ltimo trmino, en un termoestable.
As, la degradacin mediante oxidacin acta de modo similar a la vulcanizacin y a la supervulcanizacin del caucho que da lugar al termostable llamado ebonita.
6.11. Razone si polmeros como el polietileno y el polipropileno son, en general, transparentes

o translcidos y argumente cmo ser, desde el punto de vista de la transparencia, un elastmero obtenido a partir de la copolimerizacin de un 60 % de polietileno y 40 % de polipropileno.
a) La transparencia de un material polimrico est muy influenciada por su grado de cristalinidad,

de modo que materiales polimricos amorfos son transparentes, materiales polimricos muy cristalinos son opacos, y los semicristalinos son translcidos. Esto se debe a que cuando la luz pasa a
travs de dos regiones, con diferente ndice de refraccin, el resultado es una retrodispersin parcial
de la luz en la zona de la interficie, siempre y cuando las dimensiones de estas regiones sean del
orden de la longitud de onda de la luz visible (0.4-0.7 m).
Un material polimrico semicristalino puede considerarse formado por dos tipos de regiones, la
cristalina y la amorfa. Las cristalitas o micelas tienen dimensiones del orden de la longitud de onda
de la luz visible, por lo que se producir ese efecto retrodispersivo que impedir que toda la luz
pueda atravesar el material; es decir, ser translcido.
Por tanto, polmeros como el PE y el PP, que usualmente son semicristalinos, son translcidos.
Ediciones Paraninfo
b) La copolimerizacin introducir necesariamente un mayor grado de desorden, por lo cual el elastmero resultante ganar en transparencia. Con los porcentajes indicados, y ms an teniendo en
cuenta que el grupo CH3 del PP podr colocarse hacia diferentes lados de la cadena principal, es
muy probable que el elastmero sea completamente transparente.
50
Bloque 1
Captulo 7
Imperfecciones cristalinas
7.1. Calcule la energa superficial del plano (1 1 1) del Cu (CCC, a = 0.361 nm) sabiendo que su
energa de sublimacin es de 170 kJ/mol.
Dato: NA = 6.0221023.
En el Ejercicio resuelto 7.1 se calcul la energa superficial del plano (1 1 1) en funcin de la energa
de enlace:
(111)
3e
2 3 r2
donde, e, es la energa de enlace, que puede calcularse como:

e
H S
zN A
siendo z el nmero de coordinacin. Sustituyendo, obtenemos la expresin:
(111)
3H s
2 3 r2z NA
Y, como en una estructura CCC, 4 r 2 a , la expresin anterior se reescribe:
(111)
2 3
3H s
2a 4 z N A
Sustituyendo valores:
(111)
2 3
3H s
2a 4 z N A
3 (170 103 J mol1 )

2
1.25 J m 2
2 (0.361 109 m)
1
23
2 3
(12) (6.022 10 mol )
4
7.2. Demuestre que la energa superficial de una esfera, cuyo volumen equivale al de N esferas
pequeas, es menor que la de las N esferas pequeas en un factor N1/3.
Sea V el volumen de la esfera grande, y v el de cada una de las esferas pequeas. Segn el enunciado:
Ediciones Paraninfo
V N v
1
4
4
R3 N r 3 R ( N r 3 ) 3
3
3
La energa superficial ser proporcional al rea de la superficie, por lo que:
51
Captulo 7
2
3
ESFERA 4 R 2 4 ( N r 3 ) 4 r 2 N
2
3
esfera 4 r 2
Por lo cual:
2
3
ESFERA 4 r 2 N
N
N esfera N 4 r 2
1
3
7.3. Un lmite de grano de ngulo pequeo puede formarse a partir de un apilamiento de dislocaciones de cua. Calcule el ngulo de desorientacin en un lmite de grano de ngulo pequeo entre dos granos de Al (estructura CCC, a = 0.404 nm) suponiendo que las dislocaciones de cua que lo forman se encuentran uniformemente distanciadas a 75 .
La relacin entre el mdulo del vector de Burguers y el espaciado entre dislocaciones, como funcin del ngulo entre los granos, vendr dado por:
b
h
donde
b 2
r 2
2a
4
2 (0.404 nm)
180
4
0.0381 rad 0.0381
2.18
(7.5 nm)
7.4. La fabricacin de cables para la conduccin elctrica se realiza a partir de un bloque de

cobre (Cu) que ha de ser deformado (trefilado) hasta conseguir la seccin circular adecuada.
Esto supone la introduccin de una densidad de dislocaciones del orden de 1012 cm/cm3. Sabiendo que la distancia entre la Tierra y Marte es de 55.7106 km, determine la masa de cable
de Cu que habra que deformar para que, si se alineasen todas las dislocaciones contenidas en
ella, nos permitiesen cubrir dicha distancia.
Dato: (Cu) = 8.94 g/cm3.
En primer lugar, la densidad de dislocaciones por unidad de volumen introducida en el material,
dada como dato, ha de convertirse en una densidad de dislocaciones por unidad de masa.
1012
cm 1 cm 3
cm
km
1.1186 1011
1.1186 106
cm 3 8.94 g
g
g
55.7 106 km
49.79 g
1.1186 106 km g 1
52
Ediciones Paraninfo
Basta ahora dividir la distancia Tierra-Marte entre el valor calculado, para obtener la masa de
Cu que sera necesaria:
Bloque 1
7.5. El hierro a temperatura ambiente tiene la estructura CCI:

a) Dibuje en una celdilla el plano (1 0 1) del hierro y seale las dos posibles direcciones de deslizamiento de ese plano indicando sus ndices de Miller.
b) Indique los dos vectores de Burgers correspondientes en notacin vectorial y calcule sus
respectivos mdulos expresndolos en nm.
Dato: r (Fe) = 0.126 nm.
a) Para calcular los puntos de corte con los ejes coordenados debe calcularse la inversa de los ndices de Miller, es decir: 1/1 1/0 1/1 lo que da como resultado: (1 1).
La representacin grfica de una celdilla unidad sera:
Las dos posibles direcciones de deslizamiento de ese plano sern aquellas de mxima densidad
atmica lineal. Como la estructura del material es CCI, las direcciones de mxima densidad atmica
lineal y que adems pertenecen al plano (101) sern:
[ 1 11]
[1 1 1].
b) El vector de Burgers indica la direccin de movimiento de la dislocacin (tendr los mismos ndices que las direcciones de deslizamiento) y el mdulo de este movimiento va de la posicin de un
tomo hasta la del tomo ms prximo.
As pues, si buscamos vectores que tengan mdulo 2r:
b1
b2
2r
2r
[111]
[111]
2
2
2
3
(1) 1 1
2r
2r
[1 11]
[1 1 1]
3
(1)2 (1)2 12
Ediciones Paraninfo
b1 = b2= 2r = 0.252 nm
7.6. En la estructura del NaCl, bajo ciertas condiciones acta el sistema de deslizamiento
{001} <110>, adems del sistema de deslizamiento habitual, que es el {110} <1 1 0 >.
a) Elabore esquemas ilustrando dichos sistemas de deslizamiento del NaCl.
b) Calcule el mdulo del vector de Burgers en ambos sistemas.
c) Determine la direccin de la lnea de dislocacin en ambos casos suponiendo que se trata de
dislocaciones de cua.
Datos: r (Na+) = 0.095 nm y r (Cl) = 0.181 nm
53
Captulo 7
a)
1
1
b) En I) y II) b 1/2 diagonal de la cara =

2a
22(r (Cl ) r (Na
)) 0.390 nm
2
2
c)
7.7. Un bloque de plomo, de dimensiones 533 cm, tiene una masa de 450 g. Suponiendo que
no hay defectos macroscpicos y que las nicas imperfecciones cristalinas son vacantes, seale:
a) La concentracinde vacantes (vacantes/cm3) en el lingote
b) El nmero de vacantes por celdilla unidad.
Datos: r (Pb) = 0.175 nm, M (Pb) = 207.2 g/mol y estructura cristalina del Pb: CCC.
Segn las dimensiones y la masa, la densidad del bloque es:
exp
m (450 g)
10 g cm3
V (45 cm3 )
Determinemos la densidad terica del Pb sin defectos:

CCC 2 a
4r
4 (0.175 nm)
0.495 nm Vc a 3 1.213 1022 cm3
2
tomos (207.2 g mol1 )

Mc
4
1.376 1021 g
celdilla
NA
54
Ediciones Paraninfo
Entonces:
terica
Bloque 1
Mc
11.35 g cm 3 terica exp 1.35 g cm 3
Vc
Por tanto, la densidad de vacantes que contiene el bloque resulta:

a)
1.35
vacantes
b)
g 1 mol N A vacantes
vacantes
3.924 1021
3
cm 207.2 g
1 mol
cm3
(3.924 1021 vacantes cm 3 ) (1.213 1022 cm3 / celdilla
)
c
vacantes V
0.476 vacantes / celdilla
7.8. Calcule el porcentaje de posiciones no ocupadas en la red cristalina de una porcin de

NaCl de densidad 1.97 g/cm3.
Datos: r (Na+) = 0.095 nm, r (Cl-) = 0.181 nm, M (Na) = 22.99 g/mol, M (Cl) = 35.45 g/mol y
NA = 6.0221023.
Supondremos que la existencia de vacantes no afecta a las dimensiones de la celdilla unidad. Sabiendo que el contacto entre los iones se produce a travs de las aristas:
a 2 r (Na ) r (Cl ) 0.552 nm
Y, por tanto, la densidad terica

Mc Mc
3
Vc
a
1.97 g cm3
M c (1.97 g cm3 )(0.552 107 cm)3 3.313 1022 g
Para conservar la neutralidad elctrica, el tipo de vacantes (posiciones no ocupadas) ha de ser

Schottky, por lo que debe faltar el mismo nmero de cationes que de aniones. Calculemos el nmero de iones por celdilla.
M(Na) M(Cl)
m 3.313 1022 g x
x 3.41 iones celdilla
NA
Luego faltan
4 3.41 0.59 cationes.

4 3.41 0.59 aniones.
Ediciones Paraninfo
El NaCl tiene 8 iones/celdilla, por lo que el porcentaje de posiciones no ocupadas ser igual a:
2 0.59
100
14.75 % .
8
55
Captulo 7
7.9. Determine la densidad de una porcin de FeO sabiendo que contiene un 10 % de vacantes
y suponiendo que la red cristalina no se distorsiona por la presencia de dicho defecto.
Datos: r (O2-) = 0.140 nm, r (Fe2+) = 0.077 nm, M (O) = 16.00 g/mol, M (Fe) = 55.85 g/mol, el
FeO tiene estructura tipo cbica y NA = 6.0221023.
Veamos qu tipo de estructura tiene el FeO. Calculemos para ello la relacin de radios:
r (Fe 2 )
0.55
r (O 2 )
Este valor implica una coordinacin octadrica, esto es, cada catin de Fe2+ se rodea de 6 aniones
O2-. Como adems la valencia del catin y del anin son las mismas, en cada celdilla habr el mismo nmero de cationes que de aniones.
Dado que, segn el enunciado, la estructura del FeO es cbica, la estructura ha de ser del tipo
NaCl:
Fe 2
12 14 1 4
celdilla
8 iones celdilla
O 2
celdilla
Dado que el enunciado afirma que existe un 10 % de vacantes, ello quiere decir que, en promedio, deben faltar 0.8 iones/celdilla.
Suponiendo que la red no se distorsiona, entonces el parmetro reticular valdr:
a
2 r (Fe2 ) r (O2 )
0.434 nm.
Para que se mantenga la neutralidad elctrica en el material, las vacantes han de ser del tipo
Schottky, por lo que deben faltar 0.4 Fe2+/celdilla y 0.4 O2-/celdilla. Esto se traduce en una densidad
terica de valor:
Mc
Vc
4 0.4
M(Fe 2+ )
M(O 2- ) 3.6
4 0.4
(55.85 g mol1 ) (16.00 g mol1 )
NA
NA
NA
5.254 g cm -3
a3
(0.434 107 cm)3
Consideraremos como base de clculo una unidad-frmula de Al2O3.

De acuerdo con los datos del enunciado, un 2 % vacantes aninicas implica que de 3 O= pasamos a 30.98 O=. Puesto que la relacin de O= a Al3+ es 3:2, para que se conserve la estequiometra,
se exige que haya 20.98 Al3+. Con todo, la densidad terica resultar ser:
56
Ediciones Paraninfo
7.10. La Al2O3 cristaliza en una celdilla unidad de simetra hexagonal y presenta una densidad
de 3.99 g/cm3. Establezca la nueva densidad del material si un 2 % de la posiciones aninicas
estn vacantes y se conserva la estequiometra del material.
Datos: M (Al) = 26.98 g/mol y M (O) = 16.00 g/mol.
Bloque 1
M c 0.98 ( masa aniones masa cationes )

3
0.98 (3.99 g/cm

) 3.91 g/cm 3
Vc
el volumen de la celdilla no cambia
7.11. En el Au (estructura CCC, a = 0.408 nm) la concentracin de vacantes en equilibrio a la

temperatura de 1000 C es 7.81018 vac/cm3. Calcule a qu temperatura debera encontrarse
una muestra de Au para que su fraccin de vacantes fuese 12 rdenes de magnitud menor.
Dato: kB = 1.381023 J/K.
Las vacantes Schottky son las ms probables en estructuras CCC. As pues:
E
E
NV N exp VS
Au exp VS
k BT
k BT
E
4 t.
exp VS
7
3
(0.408 10 cm)
k BT
Sustituyendo para la temperatura de 1000 C:
EVS
4
19
exp
7.8 1018 cm3
EVS 1.58 10 J
23
(0.408 107 cm)3

(1.38
10
J/K)
(1273
K)
Si la concentracin debe ser 12 rdenes de magnitud menor:

3
7.8 106 cm
1.58 1019
4
exp
T 313.16 K 40 C

23
(0.408 107 cm)3
1.38 10 T
Ediciones Paraninfo
7.12. En la empresa en la que trabaja se han recibido dos lingotes paralelepipdicos, sin defectos macroscpicos, de un material metlico.
a) En el primero de ellos, la nica informacin que se adjunta es una etiqueta indicativa de la
composicin, donde se indica Cu. Compruebe si lo indicado en la etiqueta es correcto. Comente, en cualquier caso, el resultado.
b) En el segundo lingote, de iguales dimensiones y masa que el anterior, puede leerse, adems
de la etiqueta Cu, otra donde se indica Contiene un 20 % de defectos. Todos los defectos
son de un nico tipo. Indique de qu material puede estar hecha esta segunda pieza (considere nicamente uno o dos elementos qumicos formando el material).
Datos: dimensiones de los lingotes = 328 cm, masa de los lingotes = 429.523 g, estructura
cristalina del Cu: CCC, r (Cu) = 0.128 nm y NA = 6.0221023.
Elemento M (g/mol)
Al
26.981
B
10.811
Br
79.904
C
12.010
Co
58.933
Cr
51.996
Cu
63.55
Elemento M (g/mol)
Fe
55.845
H
1.0079
Mg
24.305
Mn
54.938
N
14.006
Ni
58.693
O
15.999
Elemento M (g/mol)
P
30.973
S
32.066
Si
28.085
Ti
47.867
V
50.941
W
183.84
Zn
65.39
57
Captulo 7
a) El Cu tiene estructura CCC, por tanto, se cumplir que

densidad terica se calcular como:
2 a 4r a 0.362 nm . Entonces, la
4 M(Cu) (4 t.)(63.55 g/mol)

Mc
NA
(6.022 1023 t./mol)

8.8983 g cm3
t (Cu)
3
(0.362107 cm)3
Vc
a
La densidad experimental del lingote ( e ) resulta:
m
429.523 g
8.9484 g cm 3
V (3 cm 2 cm 8 cm)
como e t , ello quiere decir que no se trata de Cu puro (debe estar formando una aleacin con
algn otro elemento).
b) Del nuevo lingote sabemos que:
(1) e t (8.9484 > 8.8983)
(2) Contiene un 20 % de defectos
De ello puede concluirse que los defectos no pueden ser vacantes. Concluimos por tanto que se
trata de una solucin slida, con impurezas atmicas (soluto) como defectos.
A. Supongamos, primeramente, que se trata de una solucin slida intersticial (SSI).
Dado que la red es CCC, tendremos 4 tomos/celdilla y 12 intersticios/celdilla. Como, adems,
tenemos un 20 % de impurezas, tendremos 120.2 = 2.4 tomos de impurezas/celdilla. De este modo, la densidad terica resulta ser:
e 8.9484 g
cm 3
4 M(Cu) 2.4 M( X )
M(
X ) 0.6135 g mol
N A a3
donde X representa el elemento que constituye las impurezas.

Como no existe ningn elemento qumico tan ligero, debemos concluir que no est formando
una SSI.
B. Supongamos que se trata de una solucin slida sustitucional (SSS).
Dado que la red es CCC, tendremos 4 tomos/celdilla. Como, adems, tenemos un 20 % de impurezas, tendremos (4-0.8) = 3.2 tomos de Cu/celdilla y 40.2 = 0.8 tomos de impurezas/celdilla.
De este modo, la densidad terica resulta ser:
e 8.9484 g
cm 3
3.2 M(Cu) 0.8 M( X )

M(
X ) 65.39 g mol
N A a3
Ediciones Paraninfo
Buscando en una Tabla Peridica (mire en el Apndice C del libro), puede concluirse que el
elemento que constituye las impurezas puede ser el Zn. El lingote ser, entonces, una solucin slida sustitutiva de Cu y Zn, esto es, un latn.
58
Bloque 1
7.13. Una de las chapas de Fe (CCI, a = 0.290 nm) que conforma el exterior de un horno para
carburacin de piezas ha sufrido un problema en su aislamiento. Esto origina que la chapa, de
2 mm de espesor, se caliente hasta 700 C, temperatura suficiente como para activar parcialmente un proceso de carburacin en la cara de la chapa que da hacia el interior del horno,
mientras que en la cara exterior se activa uno de descarburacin por contacto con la atmsfera. Tras una semana de trabajo, se detecta el fallo y se miden las concentraciones de C en ambas caras, obtenindose 0.021 % y 0.0054 % C en masa. Determine el coeficiente de difusin
del C, en m2/s, sabiendo que el flujo de difusivo ha sido de 1.731019 tomos/m2s.
En el estado estacionario podemos suponer vlida la Primera ley de Fick:

(Cdesc Ccarb ) tomos m3
dC
19
2
2
Jx
D
1.73
10
tomos
(m
s)
D
(m
s)
(2 103 m)
dx
Dado que el carbono es una impureza intersticial no altera significativamente el volumen de la

red. Teniendo en cuenta que el Fe tiene estructura CCI, cada celdilla contar con 2 tomos. De este
modo, las concentraciones de carbono en la superficie carburante y descarburante sern, respectivamente:
0.021 g C N A t. C 55.85 g Fe 2 t. Fe
1 celd .
Ccarb
8.01 10 25 t. C m 3
99.979 g Fe 12.01 g
N A t. Fe 1 celd . (0.29 109 m)3
0.0054 g C N A t. C 55.85 g Fe 2 t. Fe
1 celd .
Cdesc
2.06 10 25 t. C m 3
99.9946 g Fe 12.01 g
N A t. Fe 1 celd . (0.29 109 m)3
Despejando D de la primera ley de Fick:
x
(2 103 m)
(1.73 1019 t. (m2 s))
5.811010 m2 s
C
(2.06 1025 8.011025 ) t. m3
Ediciones Paraninfo
D J
59
Captulo 7
7.14. Una chapa de Fe (estructura CCI) de 10 mm de espesor es sometida a carburacin a 750

C. A dicha temperatura y suponiendo rgimen estacionario, las cantidades de C en cada una
de las caras de la chapa son 0.1 % y 0.008 % en masa. Calcule el rea de chapa necesaria para
que, en 2 horas, la hayan atravesado 0.6 g de C.
Datos: a (FeCCI) = 0.290 nm, DCFe(500 C) = 1.441012 m2/s, DCFe(800 C) = 6.371011 m2/s,
M (Fe) = 55.85 g/mol, M (C) = 12.01 g/mol, R = 8.314 J/(molK) y NA = 6.0221023.
El Fe y el C forman una solucin slida intersticial, ello permite suponer que la solucin slida
ocupa el mismo volumen que el hierro puro.
En 100 g de material, la concentracin de tomos de carbono en la cara A y B, se calcula como:
N t. C 55.85 g 2 t. Fe
0.1 g C
1 celd .
A
CA
3.816 10 26 t. C m 3
(100 0.1) g Fe 12.01 g N A t. Fe 1 celd . (0.290 10 9 m)3
0.008 g C N A t. C 55.85 g 2 t. Fe
1 celd .
CB
3.053 10 25 t. C m 3
3
9
99.992 g Fe 12.01 g N A t. Fe 1 celd . (0.290 10 m)
Clculo la difusividad a 750 C:

D1 D500 C ; D1 D0 exp( Q RT 1 )
D1
Q 1 1
exp
R T2 T1
D2 D800 C ; D2 D0 exp( Q RT 2 ) D 2

Tomando logaritmos:
D1 Q 1 1
ln

D 2 R T2 T1
Y sustituyendo valores:
1.44 1012 m 2 /s
D1 8.31 J
ln
R ln
K mol 6.37 1011 m 2 /s

D 2
87 065.41 J/mol
1 1
1
1
T2 T1
1073
K
773
K
Por otro lado,
D0
D1
exp Q RT1
(1.44 1012 m 2 /s)

1.11 106 m 2 /s
(87 065.41 J/mol)

exp
(8.31 J (K mol)) (773 K)
De modo que, la difusividad a 750 C valdr:
(87 065.41 J/mol)

Q
(1.11106 m 2 /s) exp
3.958 1011 m2 /s
T
(8.31
J
(K
mol))
(1023
K)
Y conocida la difusividad es posible calcular el flujo difusivo aplicando la primera ley de Fick:
60
Ediciones Paraninfo
D 750 C
D0 exp
J
D
Bloque 1
C
((38.16 3.053) 1025 t. C m3 )
(3.958 1011 m2 /s)
1.39 1018 t. C (m2 s)

x
(10 103 m)
Y el rea necesaria para que en 2 horas (= 7200 s) hayan difundido 0.6 g de C deber ser de:
S (0.6 g)
N A t. C
1
1 m2 s
3.0 m2
18
(12.01 g) 7200 s 1.39 10 t. C
7.15. En una barra de Al (CCC), existe un gradiente de concentracin de Cu (CCC) en solucin slida, que disminuye desde el 0.4 % atmico de Cu en la superficie, hasta 0.2 % atmico
de Cu a 1 mm bajo la superficie. Suponiendo que dicho gradiente no vara en el tiempo:
a) Indique cul es el flujo neto de tomos de cobre a la temperatura de 500 C a travs de un
plano paralelo a la superficie y situado a 0.5 mm por debajo de ella.
b) Determine cul sera el flujo a travs de un plano a 0.6 mm por debajo de la superficie.
Nota: Los porcentajes indicados estn referidos al total de tomos de la solucin slida.
Datos: r (Al)= 0.143 nm, DCuAl (300 C) = 3.161017 m2/s, DCuAl (800 C) = 1.731011 m2/s y
R = 8.31 J/(Kmol)
a) La solucin slida Al-Cu ha de ser sustitucional (los tomos de Cu son demasiado grandes para
ocupar los intersticios del Al).
i) Concentraciones.
Suponiendo que el mecanismo de difusin sustitucional no altera el volumen, podemos admitir
que la concentracin atmica de la solucin slida es igual a la concentracin del Al puro:
Al C0 tomos Al m3 C0 tomos SSS m3

As pues, las concentraciones en los planos a los que se refiere el problema valdrn:
tomos Cu tomos SSS

Cs
0.004 C0 tomos Cu m 3
0.004
C0
3
tomos
SSS
m
Cd
0.002
tomos Cu tomos SSS

0.002 C0 tomos Cu m3
C
tomos SSS 0
m3
Ediciones Paraninfo
El Al tiene estructura CCC
2a 4r y habr 4 tomos/celdilla. Por tanto:
4 tomos 1 celdilla
4 tomos
C0
6.045 1028 tomos m3

3
3
celdilla
a
4 (0.143 109 m)
61
Captulo 7
Por tanto, sustityendo el valor de C0 en las expresiones de Cs y Cd, obtenemos:

Cs
2.418 10 26 tomos Cu m 3
y Cd
1.209 10 26 tomos Cu m 3
ii) Clculo de la difusividad a 500 C (conocida D a 300 C y a 800 C).

Para T1 = 573 K, D1 = 3.1610-17 m2 / s
T2 = 1073 K, D2 = 1.7310-11 m2 / s
Q 1 1
D1 Q 1 1
D1
exp ln

D2
R
T
T
2
D 2 R T2 T1
1
Q
R
ln( D1 D 2)
(1 T 1 1 T 2)
3.16 1017 m 2 /s
11
2
1.73 10 m /s
1.62 104 K
1
1
1073 K 573 K
ln
Por otro lado:
D0
D1 exp Q ( RT1 )
6.52 105 m2 s
5.16 1014 m2 s
Por lo que: D773
K
Y finalmente, calculamos el flujo como:
2
26
3
C Cs
tomos
14 m (2.418 1.209) 10 tomos m
6.24 1015 2
J
D d
5.164 10
3
s
d
10
m
m s
b) El flujo de tomos entre los planos de referencia es estacionario, esto es, no vara con el tiempo y
ser el mismo para cualquier otro plano paralelo a los de referencia. Concluyendo, el flujo atmico
a travs de un plano situado a 0.6 mm de la superficie tambin vale 6.24 10 15 tomos/(m2s).
7.16. (Avanzado: Necesitar leer la Adenda de este captulo para resolverlo.) Una pieza de
acero del 0.1 % C (en masa) se somete a un proceso de carburacin, a 950 C, en una atmsfera con un contenido de carbono constante del 0.9 % (en masa). Determine el tiempo necesario
para alcanzar una concentracin del 0.3 % de carbono a 1 mm de la superficie en un acero del
0.1 % C. Elija los datos necesarios de las tablas siguientes:
Fe(CCI)
Fe(CCC)
62
Temperatura
(C)
500
800
800
900
D (m2/s)
1.441012
6.371011
4.371012
1.631011
Ediciones Paraninfo
Disolvente
y
0
0.1
0.2
0.3
(y)
0.000
0.112
0.223
0.329
Tabla de la funcin de error

y
(y)
y
(y)
0.4 0.428 0.8 0.742
0.5 0.521 0.9 0.797
0.6 0.604 1.0 0.843
0.7 0.678 1.2 0.91
y
1.4
1.6
2.0
2.4
Bloque 1
(y)
0.952
0.976
0.995
0.999
Datos: R = 8.314 J/molK y el Fe con un 0.1 % C, a 950 C, presenta estructura CCC.
La condicin inicial es la siguiente: t 0 Co 0.1 % .

Las condiciones de contorno son:
x 0 mm C
0.9 %
s
x 1 mm Cx 0.3 %
La solucin de la segunda ley de Fick es, para esta situacin, es la siguiente:
Cx C0
x
1
CS C0
2 Dt
Las concentraciones expresadas en porcentajes en masa son proporcionales a las concentraciones atmicas (en el Problema propuesto 7.17 puede encontrar una demostracin), por tanto, podemos sustituir directamente los valores en masa. Sustituyendo:
x
x
0.3 0.1
0.25
1
0.75

0.9 0.1
2 Dt
2 Dt
Interpolando en la tabla de la funcin error:
1
x
x
0.8145 t
D 2 0.8145
2 Dt
Para calcular el valor de D a la temperatura de 950 C debe saberse (como indica el enunciado),
que a dicha temperatura el Fe, con un 0.1 % C, adopta una estructura CCC.
Para obtener los valores de Q y D 0 :
Q 1 1
D Q 1 1
D
Q
1 exp ln 1
RT
D
R
T
T
2
1
D2 R T2 T1
2
D D0 exp
(4.37 1012 )
11
)
Q ln D1 D2
(1.63 10
16 568.62 K
R 1 1
1
1
T1 T2 (1173 K) (1073 K)
Ediciones Paraninfo
ln
63
Captulo 7
Q
(16 568.62 K)
12
5
2
(4.37 10 ) exp
2.22 10 m s
(1073
K)
RT
D0 D1 exp
Por tanto,
(16 568.62 K)
2.90 1011 m 2 s
(1
223
K)
(2.22 105 m 2 s) exp

D950C
Y finalmente,
(103 m)
1
1
x
12 994.51s
3.61 h
t

D 20.8145 (2.90 1011 m 2 s) 2 0.8145
7.17. (Avanzado: Necesitar leer la Adenda de este captulo para resolverlo.) Demuestre si, al
emplear la segunda ley de Fick, pueden emplearse las concentraciones de soluto expresadas en
porcentajes en masa, en lugar de las habituales expresadas en tomos por unidad de volumen,
siempre que se trate de una solucin slida intersticial.
Consideremos, una fina rodaja de espesor muy pequeo y volumen V. Dado que se forma una SSI,
el mayor o menor contenido de soluto no alterar de modo significativo el volumen de la rodaja
considerada.
Supongamos que la rodaja considerada contiene un c % (en masa) de soluto. Entonces, el nmero de tomos de soluto contenidos en la rodaja, NS, puede calcularse como:
NA
1 mol N A tomos
c
NS g
c
100 M S g
1 mol
100 M S
ck

siendo MS la masa atmica del soluto.

As pues, la concentracin de tomos de soluto, esto es, el nmero de tomos de soluto por unidad de volumen, se calcular como:
NS
NA
c
c k
V
100 M S V
Ediciones Paraninfo
es decir, la concentracin es directamente proporcional a la composicin en masa.

La constante k no debe preocuparnos, porque se cancela al aplicar la segunda ley de Fick. Recuerde que el trmino en el que aparecen estas concentraciones es adimensional (cociente de diferencias de concentraciones).
64
La escala microscpica
de los materiales
Transformaciones de fases
y microestructura
BLOQUE
Captulo 8
Transformaciones de fases. Aspectos generales
Captulo 8
8.1. Para un proceso de solidificacin homognea de Cu, se conoce que el radio crtico y la
variacin de energa libre para este radio valen 9.710-8 cm y 6.9810-19 J, respectivamente.
a) Calcule el subenfriamiento al que se est sometiendo al Cu para su solidificacin.
b) Para el instante en que el radio promedio de los embriones es de 3.210-8 cm, determine la
variacin de energa libre.
c) Discuta qu soluciones podra adoptar para favorecer la posterior recristalizacin de este
material.
Datos: TF (Cu) = 1083 C y calor latente de solidificacin = 1 826 J/cm3.
a) Supondremos que los embriones son esfricos de radio r. La variacin de energa libre necesaria
para su formacin valdr:
4 3
r g 4 r 2 SL
3
y los valores crticos se obtienen derivando e igualando a 0:
d G
d G
4 r 2 g 8 r SL
0
dr
dr r r*
de donde:
r*
2 SL
g
16 3
G * SL2
3g
Para evaluar el efecto de la temperatura a la que se somete al material para solidificarlo, suponemos
que h y s son constantes para T TF :
g h T s
(T T )
T
hF
hF g (T ) hF F
Si T TF g 0 sF
TF
TF
TF
Sustituyendo en las expresiones de r* y G*:
r*
2 SLTF
2 SLTF
T
hF (TF T )
r *hF
3
16 SL
TF2
3 G*
SL
3(hF ) 2 T 2
4 r *2
G*
(6.98 1019 J)
66
Ediciones Paraninfo
3 G*
1.77 105 J cm 2
SL *2
8
2
4 r
4 (9.7 10 cm)
La escala microscpica de los materiales
Bloque 2
2 SLTF 2 (1.77 105 J cm 2 ) (1356 K)
271.01 K
r *hF
(9.7 108 cm) (1826 K)
b) La variacin de energa libre especfica a la temperatura TF ser:

T
(271.01 K)
g (TF )
hF
( 1826 J cm 3 )
364.94 J cm 3
TF
(1356 K)
As pues, para un radio r = 3.210-8 cm, se tendr:
4 3
r g 4 r 2
SL
3
4
(3.2 108 cm)3 (364.94 J cm 3 ) 4 (3.2 108 cm) 2 (1.77 105 J cm 2 ) 1.777 1019 J
3
c) Sabemos que cuanto mayor es el tamao de grano del material previo a la recristalizacin, mayor
ser la temperatura necesaria para recristalizarlo. Por tanto, la recristalizacin del Cu se favorecer
disminuyendo el tamao de grano del material solidificado. Esto se consigue favoreciendo la nucleacin, para lo cual tendramos que incrementar el subenfriamiento.
La adicin de agentes nucleantes tambin permitira disminuir la temperatura de recristalizacin, pero, con esta va, la nucleacin sera heterognea y no homognea como indica el enunciado.
8.2. Se ha determinado que es necesario un subenfriamiento de 42 C en el agua para poder
formar, de manera homognea, nucleos de hielo en su seno.
a) Calcule el radio crtico de los ncleos de hielo formados.
b) Determine el nmero de tomos de H y O necesarios para formar un ncleo de tamao crtico.
c) Explique por qu los charcos de agua se congelan en invierno cuando la temperatura disminuye solamente algunos grados por debajo de 0 C.
Datos: TF (agua) = 273 K, (hielo) = 0.92 g/cm3, calor latente de solidificacin del hielo =
335 kJ/kg, energa superficial especfica (hielo-agua) = 25 mJ/m2, NA = 6.0221023, M (H) =
1.01 g/mol y M (O) = 16.00 g/mol.
a) Tal como se dedujo en el problema anterior, para un embrin esfrico:
4 3
r g 4 r 2 SL
3
(T T )
T
g (T )
hF F
hF
TF
TF
3
16 SL
TF2
2 SLTF
G*
r*
3(hF )2 T 2
hF T
Ediciones Paraninfo
Sustituyendo datos en la expresin del radio crtico, obtenemos:
2 (25 103 J m2 ) (273K)

1.05 109 m
6
3
1 kg
10 cm
(335 103 J kg 1 ) 3 (0.92 g cm3 )
(42 K)
10 g
1 m3
67
Captulo 8
b) V
4 3 4
r (1.05 nm)3 4.85 nm 3 4.85 10 21 cm 3
3
3
La masa de un ncleo de hielo se puede calcular como:
m V * (0.92 g cm3 ) (4.85 1021 cm3 ) 4.46 1021 g

La masa molar del agua es:
M (H 2 O)
(2.02 16.00) g mol-1
Por lo que la masa de cada molcula de agua ser:
m (H 2 O)
18.02
g
1 mol
(18.02 N A ) g
mol N A molculas
De este modo, el nmero de molculas de agua que contiene el ncleo de hielo ser de:
4.46 1021 g
4.46 1021 N A
molculas 149 molculas

(18 N A ) g molculas
18.02
Por tanto, habr

2 149
298 tomos de H
1 149
149 tomos de O
c) En los charcos existen impurezas que actan como agentes nucleantes, provocando la nucleacin
heterognea de hielo en el agua.
a) Segn la grfica, la aleacin del 30 %(atmico) de B (una fraccin del 0.3 de B) presenta un valor
de g de 9107 J/m3.
Por otra parte, el ritmo de nucleacin viene dado por la Expresin (8.21), que particularizada
para los datos del problema de la aleacin del 30 % (atmico) B, resulta:
68
Ediciones Paraninfo
8.3. Puede demostrarse que, para que un proceso de nucleacin homognea se produzca a un
ritmo suficientemente alto, el valor de G* debe ser inferior a 76 kBT. En un proceso de precipitacin (supuesto como una nucleacin homognea sin energa de deformacin) en una aleacin A70-B30, llevado a cabo a 800 K, se mide un ritmo de nucleacin de 106 m-3s-1 y se conoce
que dicho ritmo es cercano al considerado como suficientemente
alto.
a) Determine el valor de G*.
b) Si dicho ritmo quiere incrementarse hasta un valor de
1021 m-3s-1, calcule la composicin de la aleacin.
Datos: = 75 mJ/m2 y kB = 1.3810-23 JK-1.
Los valores de g pueden obtenerse del punto de corte con el
eje Y de la tangente a la grfica adjunta para la composicin
deseada.
Bloque 2
Q G*
vN n* ns n0 ns0 exp d
k BT
En el enunciado se indica que el ritmo de nucleacin es cercano al considerado como suficientemente alto, por lo cual supondremos que nos encontramos en la regin II de las sealadas en la
Figura 8.23.
En la situacin mencionada, se tiene que G* Qd , por lo que el trmino exp G * ( k BT )
dominar frente al trmino exp Qd (kBT ) , as que ignoraremos a este ltimo.
G*
16 3
vN
n0 ns0 exp
n
n
106
exp
0 s 0
2
3g
k BT
k BT
16 (0.075 J m 2 )3
3 (9 107 J m 3 ) 2
106
vN
n0 ns0 exp
n0 ns0 exp(79)
23
1
(1.38 10 J K ) (800 K)
79kBT , el ritmo de nucleacin es elevado, pero insuficiente.

Por tanto, para G*
b) Dividiendo entre s las dos expresiones obtenidas para dos diferentes temperaturas (T1 y T2):
vN1
vN 2
G *
G *
n0 ns0 exp 1 exp 1
*
*
k BT1
k BT1 exp G1 G2
G2*
G2*
k BT1 k BT2
n0 ns0 exp
exp
k BT2
k BT2
Si consideramos un ritmo de 1021 m-3s-1, entonces la expresin anterior:
G2*
G2*
106
15
exp
79
ln
10
79
1021
k BT2
k BT2
Y depejando:
G2* (1.38 1023 J K 1 ) (800K) ln 1015 79 4.91 1019 J
Como
G*
16 SL3
3g 2
16 SL3
3G*
16 (75 103 J m 2 )3
1.2 108 J m 3
3 (4.911019 J)
Ediciones Paraninfo
g 1.2 108 J m 3
Segn la grfica, para obtener dicho valor se requiere una composicin aproximadamente del
33 % (atmico) B.
69
Captulo 8
8.4. La precipitacin de una fase en la matriz original puede producirse mediante una nucleacin homognea coherente (hay distorsin de la matriz) o incoherente (no hay distorsin de la
matriz), siendo de importancia la energa por deformacin elstica en el primero de los casos.
Si se supone un valor de g en funcin de la temperatura dado por 8106(T 900) Jm-3K-1:
a) Indique los posibles rangos de temperatura en los que se producira nucleacin de tipo
coherente o incoherente.
b) Para una temperatura de 510 K, seale qu tipo de nucleacin se producir y si ser apreciable el ritmo de nucleacin.
Datos: coh = 0.16 J/m2, inc = 0.8 J/m2, gdef = 2.6109 J/m3 y kB = 1.3810-23 JK-1.
a) La nucleacin se producir cuando sea termodinmicamente favorable, para lo que, segn la Expresin (8.15), G < 0.
Al haber menos requerimientos energticos asociados a la nucleacin incoherente (no hay
energa de deformacin), esta debe producirse primero, para mayores temperaturas. Despreciando el
valor de la energa superficial, el proceso ser termodinmicamente favorable si g < 0, por lo que:
g = 8106(T 900) < 0 T < 900 K
Para que se produzca nucleacin coherente debe superarse adems la energa asociada a la deformacin, por tanto:
g + gdef = 8106(T 900) + 2.6109 < 0 T > 575 K
b) El mecanismo esperable ser aquel con menor valor de G*, y segn el enunciado del problema
8.3, ser un proceso apreciable siempre que dicho valor sea < 79 kBT = 79(1.3810-23 JK-1)
(510 K) = 5.561019 J.
Gcoh*
3
16 coh
16 (0.16 J m 2 )3
2.54 10 19 J
3( g g def ) 2 3 8 10 6 (510 900) 2.6 109 ) J m 3 2
Ginc*
3
16 inc
16 (0.8 J m 2 )3
8.811019 J
3(g ) 2 3 8 106 (510 900) J m 3 2
Por lo que se producir nucleacin coherente (que requiere menor energa) y la nucleacin ser
apreciable, debido a que es menor que 5.561019 J.
a) El valor de la energa crtica en este proceso vendr dado por:
70
Ediciones Paraninfo
8.5. La transformacin de fase de los aceros denominada martenstica tiene lugar con la aparicin de una nueva fase con forma lenticular, cuyo volumen y superficie pueden aproximarse
por las expresiones V = 4/3 r2c y S =2 r2, siendo r c.
a) Determine las dimensiones crticas para la formacin de un ncleo coherente de martensita.
b) Calcule la energa crtica de activacin para la formacin del ncleo anterior.
Datos: SS = 0.15 J/m2, g = 17107 J/m3 y gdef = 24108(c/r) J/m3.
Bloque 2
4
r 2 c g g def 2
r 2 SS
3
c
4
4
2
r 2 c g r 2 c 24 108 2 r
SS
r
3
3
4
r 2 c g 32 108 rc 2 2 r 2 SS
3
Derivando dicha expresin respecto a r y c, e igualando a 0 cada una de las expresiones se obtendrn los correspondientes valores crticos.
Derivando respecto a r:
d G 8
rc g 32 108 c 2 4 r SS
dr
3
d G
dr
r r*
c c*
32 108 c*2
24 108 c*2
0 r*
*
8 *
c g 4 SS 2 c g 3 SS
3
Derivando respecto a c:
d G 4
r 2 g 64 108 rc
dc
3
d G
dc
4
r * g
r * g
0 c 3 8
64 10
48 108
*
c c*
r r*
De la expresin de r* se desprende que:

2 c* r * g 3 r * SS 24 108 c *2
Sutituyendo ahora la expresin de c*, se llega a
2r *2 g 2
r *2 g 2
*
8
3
r
24
10
SS
48 108
(48 108 )2
de donde, operando:
r*
3 SS
4.98 10 8 m 50 nm
3.125 10 10 g 2
Sustituyendo este valor en la ecuacin para c*, resulta:
Ediciones Paraninfo
c* 1.77 109 m 1.8 nm

b) Sustituyendo los valores de r* y c* obtenidos en el apartado anterior en la expresin de G*:
71
Captulo 8
G *
4
r *2 c* g 32 108 r *c*2 2
r *2 SS
3
4
(50 10 9 m) 2 (1.77 109 m) ( 17 107 J m 3 )
3
(32 108 J m 3 ) (50 109 m) (1.77 109 m) 2
2 (50 109 m) 2 (0.15 J m 2 )

7.79 1016 J
8.6. Suponga un proceso de nucleacin heterognea, al aire (a), sobre un sustrato plano (s) de
dicho material en estado amorfo. Dicha nucleacin puede darse con dos orientaciones distintas: segn planos (1 0 0) o planos (1 1 1) creciendo en paralelo a la superficie amorfa con dos
geometras: rectangular (l x h) y triangular (lado d). Calcule las dimensiones de los ncleos
crticos para los mencionados casos en funcin de las energas superficiales que intervienen en
el proceso.
Las mencionadas geometras de crecimiento son:
Y sus energas crticas por unidad de longitud perpendicular al plano del dibulo resultan:
G(100) l h g (2 h l ) a (100) l ( s (100) s a )
G(111)
d2
g 2d a (100) 2d ( s (111) s a )
2
Derivando las expresiones anteriores respecto a las dimensiones de los ncleos, e igualando a
cero, se obtienen sus valores crticos:
d G(100)
dl
h g a (100) s (100) s a 0 h*
d G(100)
dh
d G(111)
dd
l g 2 a (100) 0 l *
a (100) s (100) s a
g
2 a (100)
d g 2 a(100) 2( s (111) s a ) 0 d *
2 a(100) 2( s (111) s a )
g
G*HET 1 cos 2
=
*
G HOM
2
72
Ediciones Paraninfo
8.7. Considere un molde en el que hay una hendidura con geometra cnica de semingulo
/2. Demuestre que la expresin que relaciona las energas libres crticas para la nucleacin
heterognea en la hendidura y para la nucleacin homognea en el seno del lquido es:
Bloque 2
La porcin slida formada por la hendidura tendr la forma de un cono con la base curva, de modo
que podemos considerarla como la suma de un cono (de altura d y semingulo /2) en cuya base
hay adosado un casquete esfrico (de radio R). Un esquema de la seccin de la hendidura sera el
siguiente:
El volumen de un cono es:

VCono
dr 2
con d, la altura del cono, y r, el radio de la base.

Expresemos el volumen en funcin de R. Por trigonometra bsica:
r R sen 2
d R cos 2
Sustituyendo queda VCono
R3 sen 2 2 cos 2 .
Por otra parte el volumen del casquete esfrico (vea la Nota 8.1) es:
VCasquete
h 2 (3R h)
h R 1 cos 2 . Sustituyendo y
donde h es la altura del casquete, que puede expresarse como
operando:
R3
VCasquete 2 3cos 2 cos3 2
3
El volumen de la porcin slida ser pues:
Ediciones Paraninfo
R3
2 3cos 2 cos3 2
V
VCono VCasquete R 3 sen 2 2 cos 2
3
3
2 3
R 1 cos 2
3
73
Captulo 8
El rea de la inteficie slido-lquido ser el rea de la parte curva del casquete esfrico.
A 2
Rh 2 R 2 1 cos 2
La energa libre de un nucleo ser entonces

2
G R 3 1 cos 2 g 2 R 2 1 cos 2 SL
3
Derivando con respecto a R, e igualando a 0, se obtendr el radio crtico R*:

R*
2 SL
g
Sustituyendo en la ec de la energa libre, podremos obtener el valor de la energa libre crtica

3
8 1 cos 2 SL
G
3g 2
*
La energa libre crtica para el caso de nucleacin homognea viene dada por la Expresin (8.5):
16 3
*
GHOM
SL2
3( g )
Por tanto:
G *
*
GHOM
3
8 1 cos 2 SL
1 cos 2
3g 2
3
16 SL
2
3(g ) 2
8.8. Considere el caso de una transformacin de fase isoterma en la que se ha medido que la
fraccin volumtrica de fase transformada al cabo de 350 s es de 0.3 y, cuando han transcurrido 500 s, se sita en 0.7.
a) Determine el tiempo de incubacin y el tiempo para la transformacin total.
b) Elabore una representacin grfica de la fraccin transformada vs. tiempo para esta transformacin de fase.
a) Como se indica que la transformacin de fase es isoterma, podemos asumir que es vlida la ley
de Avrami:
Calculemos en primer lugar los valores de las constantes c y n, que no se suministran como datos. Aplicando logaritmos, la ecuacin de Avrami puede rescribirse:
74
Ediciones Paraninfo
x (t )
1 exp (ct ) n
Bloque 2
ln(1 x)
(ct )n
Particularizndola para dos parejas de valores:
(ct1 )n
ln 1 x1
(ct2 )n
ln 1 x2
Dividiendo miembro a miembro:
(ct1 ) n ln 1 x1 t1

(ct2 ) n ln 1 x2 t2
Tomando logaritmos de nuevo

ln 1 x
1
ln
ln 1 x
x
ln
1
t1
2
1
n
n ln ln
t1
t2
ln 1 x 2
ln
t2
Sustituyendo valores (tenga en cuenta que en el enunciado, las fracciones volumtricas ya estn
en tanto por uno), resulta
n 3.41 c 2.11103
La expresin de Avrami para esta transformacin queda, pues,
ln 1 x
(2.11103 t )3.41
Despejando el tiempo:
t
0.293
1
ln 1 x
3
2.11 10
Tal y como se indica en el captulo, la definicin ms aceptada de tiempo de incubacin es la

de aquel para el cual el porcentaje de fase transformada es del 0.1 %; es decir, xi = 0.001
ti
0.293
0.293
1
1
62.52 s
ln 1 x
ln 1 0.001
3
3
2.11 10
2.11 10
La definicin del tiempo para transformacin total no es tan ampliamente aceptada. Podemos calcularlo como el tiempo para el que x = 0.99, o como el doble del tiempo de semitransformacin:
Ediciones Paraninfo
(1) Para x = 0.99
tf
0.293
1
741.68 s
ln 1 0.99
3
2.11 10
75
Captulo 8
(2) Calculndolo como el doble del tiempo de semitransformacin. Segn la Expresin (8.27),
el tiempo de semitransformacin viene dado por
t1 2
(ln 2)
c
1n
tf 2
(ln 2)1 n
851.27 s
c
Como se puede comprobar, dichas definiciones no coinciden, siendo algo ms aceptada esta ltima.
b) Con ayuda de Excel , la representacin de la curva de transformacin que se obtiene es la siguiente:
8.9. En un determinado proceso controlado por Avrami, se miden los tiempos a los que se
producen determinadas fracciones transformadas a diferentes temperaturas. Puede demostrarse que el parmetro n, adems de con la forma geomtrica de los ncleos, est relacionado
con el mecanismo de transformacin dominante (difusin a travs del lquido, a travs de la
interficie o a travs del slido formado). En funcin de los datos proporcionados, determine si,
en el rango de temperaturas estudiado, todo el proceso est controlado por el mismo mecanismo o si, por el contrario, cabe esperarse un cambio en el mismo.
Datos:
T (C)
t (min) 55.15 99.48 148.41 221.41 330.30
1 035
x
0.15
0.25
0.36
0.52
0.62
t (min) 66.69 99.48 148.41 221.41 270.43
1 022
x
0.15
0.20
0.30
0.42
0.51
t (min) 99.48 148.41 221.41 330.30 492.75
601.85
1 016
x
0.13
0.20
0.28
0.39
0.53
0.59
t (min) 262.43 391.51 584.06 871.31
1 009
x
0.14
0.18
0.21
0.25
t (min) 320.54 478.19 584.06 788.40 1 064.22
992
x
0.13
0.16
0.18
0.21
0.24
t (min) 584.06 788.40 1064.22
961
x
0.16
0.17
0.19
x (t )
1 exp (ct ) n
76
Ediciones Paraninfo
La ecuacin de Avrami, Expresin (8.25), tiene la forma:
Bloque 2
Tomando logaritmo neperiano
ln(1 x)
(ct )n
Tomando logaritmos de nuevo:
ln( ln(1 x)) n ln c n ln t

Para determinar el valor de n, basta representar ln (ln (1 x)) frente a ln t, para cada temperatura. Se obtienen as familias de nubes de puntos que deben ajustarse mediante clculo de regresin a
lneas rectas (Excel puede hacer esta tarea de manera automtica). Las pendientes de las lneas de
regresin resultante corresponden con el valor de n.
Para las distintas temperaturas:
Ediciones Paraninfo
Se observa por tanto un cambio de pendiente entre las tres primeras y las tres ltimas temperaturas,
lo que indica que se produce un cambio en el mecanismo entre 1 009 y 1 016 C.
77
Captulo 9
Transformaciones de fases. Sistemas multicomponentes
Captulo 9
9.1. Considere una aleacin que sufre una transformacin de tipo eutctico. Se conoce que el
espaciado interlaminar mnimo es de 4.3 m, cuando se activa dicha transformacin sometindola desde el estado lquido a un subenfriamiento de 5 C. Determine dicho espaciado interlaminar mnimo en el caso en que se aplicase un subenfriamiento de 15 C.
El espaciado interlaminar mnimo viene dado por la expresin:
mn
2 12 T E
h E T
Pese a no disponer de ningn dato sobre la temperatura de la transformacin eutctica, la energa interficial o la entalpa de fusin por unidad de volumen, el problema es muy sencillo de resolver, gracias a la forma de la ecuacin que rige el espaciado interlaminar mnimo.
Particularizando para dos parejas de valores y dividiendo las expresiones entre s, quedara:
2 12TE
mn ,1 hE T1
mn ,2 2 12TE
hE T2
Como las variables anteriormente mencionadas no dependen de la temperatura, la ecuacin se

simplifica a:
mn,1 T2
mn,2 T1
Sustituyendo valores, podemos determinar el espaciado interlaminar mnimo para un subenfriamiento de 15 C:
mn,15C 4.3 m
5 C
1.43 m
15 C
9.2. Calcule la velocidad de crecimiento mxima que puede obtenerse para un eutctico cuando la transformacin se realiza aplicando un subenfriamiento de 20 K, y sabiendo que, en esas
condiciones, el espaciado interlaminar mnimo es de 6.7 m.
Datos: 12/hE = 1.58105 cm y -a3D12/hE = 2.011011 cm3(sK)1.
vM2
78
2a3 D 12TE
hE
Ediciones Paraninfo
La velocidad de crecimiento mxima est regida por:
Despejando:
v
Como M 2mn :
Bloque 2
2a3 D 12TE
M2 hE
2a3 D 12TE a3 D 12TE
2
2min
hE
M2 hE
Solo nos quedara conocer TE, y eso lo podemos hacer a travs del espaciado interlaminar mnimo:
mn
2 12 T E
h E T
Despejando la temperatura y sustituyendo:

h T mn T hE (6.7 10 4 cm) (20 K)
1
TE mn E
424.05 K
12
2 12
2
2
( 1.58 10 5 cm)
Sustituyendo, finalmente, en la ecuacin de la velocidad:
a3 D 12TE a3 D 12 TE
(424.05 K)
(2.011011 cm3 (s K) 1 )
9.49 103 cm s 1
2
2
2mn
2 (6.7 104 cm)2
hE
hE 2mn
9.3. Considere un proceso de precipitacin de una aleacin, formada por los componentes A y
B, en el que se ha determinado que a 1 200 C las fracciones atmicas en B del slido y lquido
son 0.1 y 0.65, respectivamente, mientras que, a 700 C han evolucionado hasta 0.82 y 0.13,
tambin respectivamente. Determine:
a) La temperatura a la que se agotar todo el lquido.
b) Una expresin de la evolucin de la fraccin atmica del slido con la temperatura para el
caso de una aleacin con una fraccin atmica en B de 0.75.
Datos: Suponga evoluciones lineales con la temperatura para las fracciones atmicas de slido
y lquido.
a) Lo primero es obtener expresiones para las evoluciones del lquido y slido con la temperatura
(esto ltimo no es necesario para este primer apartado, pero har falta para el siguiente).
Como nos indican que supongamos evoluciones lineales con la temperatura para las fracciones
atmicas de slido y lquido podemos determinar dicha evolucin a partir de los puntos (c, T) proporcionados en el enunciado:
Para el lquido:
Ediciones Paraninfo
Los puntos de los que disponemos son (0.65, 1 200) y (0.13, 700). Como los datos de temperatura
son en C, y no importa en este caso, trabajaremos con dicha unidad.
Calculemos la recta que pasa por dichos valores:
cL 0.65 T 1200
0.52
500
79
Captulo 9
Por lo cual:
cL 1.04 10 3 T 0.598
Para el slido:
Los puntos son (0.1, 1 200) y (0.82, 700). Calculemos la recta que pasa por dichos valores:
cS 0.1 T 1200
500
0.72
cS
1.44 10 3 T 1.828
La temperatura para la que no quedar lquido ser aquella en la que cL 0 :

T
0.598
575 C
1.04 103
b) La expresin de la fraccin atmica del slido con la temperatura es:

x
c0 cL
cS c L
Sustituyendo los valores de las expresiones obtenidas en a), y teniendo en cuenta que c0 0.75 :
c0 cL
0.75 1.04 103 T 0.598
1.348 1.04 103 T
3
3
cS cL 1.44 10 T 1.828 1.04 10 T 0.598 2.426 2.48 103 T
9.4. A 675 C, una aleacin de A y B, con una fraccin atmica de 0.1 en B, est constituida
nicamente por una solucin slida. Mediante microscopa ptica, se ha determinado que el
proceso de precipitacin que sucede tras enfriar bruscamente a la aleacin hasta temperatura
ambiente concluye al cabo de las 15 h, al alcanzar los precipitados un radio medio de 5 m.
Sabiendo que la solubilidad de B en A es nula a temperatura ambiente:
a) Calcule el valor de la difusividad a dicha temperatura ambiente.
b) Indique cul sera el radio medio de los precipitados al cabo de 5 h.
a) La evolucin del radio de los precipitados con el tiempo, para una determinada temperatura, viene dada por:
c c
rP (t ) 0 M Dt
cP c0
cM 0 y cP 1
80
Ediciones Paraninfo
En nuestro caso, c0 0.1 , y como a la temperatura a la que se realiza la evolucin (temperatura

ambiente) la solubilidad de B en A es nula:
Bloque 2
Despejando la difusin y sustituyendo valores:
5 10
rP2 (t )
D
3.75 1014 m 2 s 1
2
2
0.1
0
c c
(15 h) (3600 s h)
t 0 M
1
0.1
c
c
P 0
b) El radio al cabo de 5 h sera:
c c
0.1 0
14
2
1
6
rP (t ) 0 M Dt
(3.75 10 m s ) (5 3600 s) 2.89 10 m 2.89 m
c
c
1
0.1
P 0
9.5. En un hipottico sistema de fases, en el que se produce una transformacin peritctica, la

fraccin inicial de fase slida es del 25 %, y las partculas de dicha fase tienen un tamao medio de 15 m. Determine el tiempo necesario para que se concluya la transformacin sabiendo
que han transcurrido 135 s cuando se ha transformado el 30 %.
Dato: razn de volmenes z = 1.3.
Cuando se complete la transformacin, la fraccin transformada final ser
x final
zS0
(1.3) (0.25)
0.325
Nos proporcionan el tiempo para el que la fraccin transformada es del 30 %; es decir:
x 0.3 x final
0.0975
Dicho tiempo tiene la expresin:
2
R2 3
1 (1 z ) x x final 3 1 x x final
2
k D
Los nicos valores que desconocemos son k y D . Despejando:

2
R2 3
2
k
D
1 (1 z ) x x final 3 1 x x final
k 2 D
(15 10 6 m) 2
(135 s)
(0.0975)
(0.0975)
2 1
14
3 1 (1 1.3)
3 1
3.32 10 m s
(0.325)
(0.325)
Ediciones Paraninfo
El tiempo final (obtenido al hacer x x final ) viene dado por:

2
R 2 z 3 (15 10 6 m) 2 (1.3) 3
t final
8 072.47 s
k 2 D
(3.32 10 14 m 2 / s)
81
Captulo 9
9.6. Calcule la fraccin recristalizada de un metal a 500 K tras 60 s, sabiendo que a 350 K, el
coeficiente c de la ley de Avrami vale 1.2210-7 s-1 y, a 450 K, es 1.7610-4 s-1. Considere que n =
2.7.
a) La fraccin recristalizada se calcula mediante:

x R (t )
1 exp (ct ) n
Desconocemos c, que es un parmetro dependiente de la temperatura:

Q
c (T ) c0 exp R
RT
Como nos proporcionan datos de dicho parmetro a dos temperaturas, podremos determinar c0
y QR. Particularizando a dos temperaturas (T1 y T2) y dividiendo las expresiones obtenidas:
Q
exp R
c(T1 )
RT1 exp QR QR
c(T2 )
Q
RT1 RT2
exp R
RT2
Aplicando logaritmos:
c(T ) QR QR QR 1 1
ln 1

c(T2 ) RT1 RT2 R T2 T1
Despejando y sustituyendo:
c(T )
(1.22 107 s 1 )
ln 1 ln
4 1
s )
QR
c(T2 )
(1.76 10
11456.89 K
R
1 1 1
1
T2 T1 (450 K) (350 K)
c0 quedara:
c0
c(T )
QR
exp
R
(1.22 107 s 1 )
2.01 107 s 1
1
exp (11 456.89 K) 1

T
(350 K)
Para 500 K:
La fraccin recristalizada tras 60 s a 500 K quedara:
82
Ediciones Paraninfo
1
2 1
c (550 K) (2.01 107 s 1 ) exp (11 456.89 K)
1.805 10 s
(550 K)
x R (t )
1 exp (ct ) n
1 exp (1.805 10 2 s 1 ) (60 s)
2.7
Bloque 2
0.71
Vemos que el proceso es muy rpido para este material, algo que se intua por los valores de c del
enunciado.
9.7. Teniendo en cuenta los datos y resultados obtenidos en el problema anterior, determine, a
500 K los tiempos de incubacin y de recristalizacin.
a) Por definicin, el tiempo de incubacin es aquel para el cual la fraccin recristalizada es del
0.1 %. A saber,
x R (t )
0.001
1 exp (ct ) n
Despejando:
exp (ct ) n
1 0.001
Aplicando logaritmos podremos eliminar la exponencial:
(ct )n ln 1 0.001
De modo que despejando t:
1
n
1
(2.7)
ln 1 0.001
1 0.001
ln
(1.805 102 s 1 )
4.29 s
b) El tiempo de recristalizacin se define como el necesario para que xR 0.5 . Podemos usar el
mismo proceso que acabamos de realizar en el apartado anterior y multiplicar el tiempo obtenido
por 2, o bien usar directamente la ecuacin:
1
tR
2(ln 2) n
2 (ln 2) 2.7
96.74 s
(1.805 102 s 1 )
c
9.8. Suponga que ha recibido una aleacin metlica con un tamao de grano excesivamente
grande para sus especificaciones.
a) Explique a qu procesado podra someter al material, sin fundirlo, para afinar su tamao
de grano.
b) Indique cmo podra obtener un grano fino si se le permitiese fundir el material.
Ediciones Paraninfo
a) Para afinar el grano del hierro slido se puede emplear un proceso de deformacin en fro seguido de recristalizacin.
b) Utilizando un proceso de fusin y posterior solidificacin se consigue grano fino garantizando un
alto subenfriamiento.
83
Captulo 10
Diagramas de equilibrio
Captulo 10
10.1. Suponga la regin bifsica de un diagrama de equilibrio binario del tipo I (solubilidad
total en estado lquido y slido) de un sistema A-B en el que las temperaturas de fusin cumplen que TA > TB. Para una determinada temperatura, los lmites de dicha regin se sitan en
composiciones del 20 y del 60 % B. Calcule las composiciones de dos aleaciones sabiendo que,
para dicha temperatura, la cantidad de fase slida de la aleacin ms rica en A es el doble que
la cantidad de la aleacin ms rica en B y que, adems, la cantidad relativa de fase lquida de
la aleacin ms rica en A es del 50 %.
Representando grficamente los datos del enunciado, obtenemos:
Denominemos x e y a las composiciones de las aleaciones, siendo x la ms rica en A. Calcularemos

en primer lugar el porcentaje de B contenidoe en la fase slida de las dos aleaciones:
60 x
60 20
60 y
F
100
60 20
F
100
Y atendiendo a los datos del enunciado:
60 x
60 y
2
60 20
60 20
FL 50
x 20
100
60 20
x 40 % B
Ediciones Paraninfo
Por tanto, sustituyendo el valor obtenido de x en la primera de las ecuaciones, se obtiene la composicin de la segunda aleacin: y = 50 % B.
84
Bloque 2
10.2. Imagine un diagrama de equilibrio binario del tipo I (solubilidad total en estado lquido
y slido) para un sistema A-B tal que las temperaturas de fusin cumplen que TA > TB. Una
determinada aleacin es enfriada en condiciones de equilibrio hasta una temperatura tal que
su microestructura es bifsica, presenta una composicin de la fase slida del 30 % B y de la
fase lquida del 70 % B. Adems, su microestructura contiene el doble de fase lquida que de
slida. Si la aleacin hubiese sido enfriada rpidamente hasta la misma temperatura, indique
cul sera la composicin de las fases slida y lquida.
Tenemos:
La variacin de la lnea de slidus con los enfriamientos rpidos viene definida por la ecuacin
de Scheil (Expresin 10.7), que determina la composicin media de la fase slida.
k ( k 1)
c 1 cL c
cS
1 ( k 1)
1 cL c
donde c es la composicin de la aleacin, cL la composicin de la fase liquida (que no vara en condiciones de inequilibrio) y k cS cL .
Para calcular la composicin de la aleacin, segn el enunciado: FL = 2F
c 30
70 c
2
70 30
70 30
c
56.66 % B
Por tanto:
(0.3) (0.3)
1
(0.5666) 1 (0.7) (0.5666) (0.7) (0.7)
0.2687
cS
26.87 % B
(0.3)
1
1
1 (0.7) (0.5666) (0.7)
Ediciones Paraninfo
Por otra parte, la lnea de lquidus no se ver afectada, al ser muy elevada la difusin en este
medio. Por ello:
cL 70 % B
85
Captulo 10
10.3. Considere un diagrama de equilibrio binario de tipo II (solubilidad total en estado lquido e insolubilidad total en estado slido) de un sistema A-B. Una aleacin de dicho sistema
presenta en la regin A + L (justo antes de la transformacin invariante) la mitad de A que de
L, y en la regin A + B (justo despus de la transformacin invariante) el doble de A que de B.
Calcule cul es la composicin de la aleacin y cul la del punto eutctico.
Sea c la composicin de la aleacin.
Con los datos del enunciado pueden plantearse las siguientes ecuaciones, que al resolver proporcionan la solucin del problema:
Para T > TE : 2 FA FL
Para T < TE : FA
2 FB
cE c c
2cE 3c
cE
cE
100 c
c
2
33.33% cE
50 %
c
100
100
10.4. Suponga un diagrama de equilibrio binario de tipo III (solubilidad total en estado lquido y parcial en estado slido) de un sistema binario A-B. Una aleacin x de dicho sistema presenta en la regin + L (justo antes de la transformacin invariante) igual cantidad de que
de L y en la regin + (justo despus de la transformacin invariante) el doble de que de
. Otra aleacin del mismo sistema, y, presenta en la regin + L (justo antes de la transformacin invariante) una tercera parte de que de L. Si la transformacin eutctica se produce
para un 50 % B y la solucin slida presenta una solubilidad mxima del 10 % B a la temperatura eutctica, establezca cules son las composiciones de las aleaciones x e y y cul es la
solubilidad de la solucin slida a la temperatura de la transformacin invariante.
Ediciones Paraninfo
La situacin planteada es:
86
Bloque 2
Con los datos proporcionados pueden plantearse las siguientes ecuaciones (siendo x e y las
composiciones de las aleaciones, c y c las composiciones de las fases eutcticas a la temperatura eutctica, y cE = 50 la composicin eutctica):
Aleacin 1:
xc
cE x
cE c cE c
Sustituyendo los datos del problema: 50 x x 10
Para T > TE : f
fL
2 f
Para T < TE : f
c x
c c
x 30 % B
x c
c c
Sustituyendo: c x 2 x 20 c 70 % B
Aleacin 2:
y c
cE y
cE c cE c
Sustituyendo los valores ya conocidos: 3 (50 y ) y 10
Para T > TE : 3 f f L
y 40 % B
10.5. Un sistema binario A-B se rige por un diagrama de equilibrio binario de tipo IV (solubilidad total en estado lquido y parcial en estado slido) en el que las temperaturas de fusin
TA > TB. Una aleacin de dicho sistema presenta en la regin + L (justo antes de la transformacin invariante) igual cantidad de que de L y en la regin + (justo despus de la
transformacin invariante) la mitad de que de . Si la transformacin peritctica se produce
para un 50 % B y la composicin del lquido es del 60 % B, determine cul ser la composicin
de la aleacin.
Ediciones Paraninfo
Sea c la composicin de la aleacin, y sean c y cL las composiciones de y del lquido a la temperatura peritctica. De la transformacin peritctica sabemos que: cP = 50 y cL = 60 % B.
Con los datos proporcionados pueden plantearse las siguientes ecuaciones:

cc
cL c
Para T > TP : f
fL
cL c cL c
Sustituyendo los datos del problema: 60 c c c
87
Captulo 10
c c
cP c
cP c cP c
Sustituyendo los valores conocidos: 2 (50 c ) c c
Para T < TE : 2 f f
Resolviendo el sistema de ecuaciones:
60 c c c
B y c 40 % B
c 20 %
2 (50 c) c c
10.6. La figura corresponde a un hipottico diagrama de equilibrio binario, de solubilidad

total en estado lquido y parcial en estado slido, formado por A y B.
a) Nombre las distintas regiones del diagrama e indique esquemticamente las distintas transformaciones que tengan lugar.
b) Trace la curva de enfriamiento en condiciones de equilibrio de una aleacin del 30 % B,
desde el estado lquido hasta la temperatura ambiente. Seale esquemticamente los fenmenos que ocurren en cada tramo. Dibuje la microestructura que se obtendra en cada uno de
los tramos.
c) Calcule la frmula emprica del compuesto que aparece en el diagrama.
Datos: M (A) = 10 g/mol, M (B) = 20 g/mol y (fase ms rica en el elemento A) = 5 g/cm3.
(5 % B ) L (35 % B ) (15 % B )
(20 % B ) (10 % B ) C (40 % B )
(25 % B ) L (50 % B ) C (40 % B )
L (70 % B ) C (40 % B ) (90 % B )
Ediciones Paraninfo
a) 1. Peritctica:
2. Eutectoide:
3. Peritctica:
4. Eutctica:
88
Bloque 2
b)
c)
Ediciones Paraninfo
1 mol
n A 60 g A 10 g 6 moles A
Por cada 100 g de C:

n 40 g B 1 mol 2 moles B
B
20 g
La relacin molar nA nB 3 , por tanto, la frmula emprica del compuesto es A3B.
89
Captulo 10
10.7. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin del 30 % B a
299 C. Calcule qu porcentaje de rea (= porcentaje en volumen) de la microestructura estara ocupado por cada uno de los microconstituyentes.
Datos: NA = 6.0221023. Hay un compuesto C (con parmero reticular a = 0.3 nm) formado por
tomos de B en posiciones de una red CCI, con todos los intersticios octadricos ocupados por
tomos de A.
Microconstituyentes: C(PE) + Eutectoide ( + C).
A 301 C se calculan las cantidades de (que pasar a ser eutectoide) y C(PE):
F FE '
50 % (en masa)
FC
100
30 20
50 % (en masa)
40 20
Para pasar estos porcentajes en masa a porcentajes en volumen, partiendo de 100 g de aleacin,
debe calcularse el volumen ocupado por 50 g de C y 50 g de eutectoide.
Comenzando con el C, y teniendo en cuenta que su estructura es CCI con a = 0.3 nm, y que una
celdilla contiene 2 tomos de B y 6 de A:
M C 2 M(B) 6 M(A) 2 (20 g mol1 ) 6 (10 g mol1 )
6.15 g/cm3
(0.3 107 cm)3 (6.022 1023 mol1 )
VC
a3 N A
V
mC
(50 g)
8.13 cm 3
(6.15 g cm -3 )
Por otra parte, a 299 C y para la composicin del E (20 % B), calculemos los porcentajes de
las fases que componen el eutectoide:
40 20
66.6 % (en masa)

40 10
FC 33.3% (en masa)
F
100
Y por tanto (aplicando una ley de mezclas para el clculo de la densidad, Expresin (1.5)):
V
E'
mE '
E'
(50 g)
9.36 cm3
66.6 g 33.3 g
66.6 g
33.3 g
5 g cm3 6.15 g cm 3
FE '
9.36 cm 3
100 53.51%
8.13 cm 3 9.36 cm 3
FC 46.49 %
90
Ediciones Paraninfo
Finalmente, como Porcentaje volumen Porcentaje rea :
Bloque 2
10.8. Dado el siguiente diagrama de equilibrio, correspondiente al sistema Mg-Ca,
a) Seale sobre el diagrama las fases existentes en las distintas regiones. Tenga en cuenta para
ello que el Ca sufre una transformacin alotrpica.
b) Calcule la estequiometra del compuesto sabiendo que M (Mg) = 24.3 g/mol y M (Ca) =
40.1 g/mol
a) El Ca sufre una transformacin alotrpica, en la que el Ca( se transforma a 447 C a Ca(.
b) Para conocer la estequiometra del compuesto hay que calcular el nmero de moles presentes de
cada especie que lo constituyen. As:
nMg nCa 2
Mg 2 Ca
Ediciones Paraninfo
100 g de C
1 mol
nCa 45.2 g Ca 40.1 g 1.127 moles
n 54.8g Mg 1 mol
2.255 moles
Mg
24.3 g
91
Captulo 10
10.9. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin del 55 % Ca
enfriada en condiciones de equilibrio hasta temperatura ambiente. Calcule los porcentajes de
los microconstituyentes estructurales y elabore un esquema de la microestructura.
La evolucin de los microconstituyentes desde el estado lquido hasta temperatura ambiente ser:
L
( 700 C )
L Mg 2 Ca
(456 C )
E( Mg 2 Ca + Ca ( )) Mg 2 Ca
(447 C )
E( Mg 2 Ca + Ca ( )) Mg 2 Ca
Para conocer las proporciones de los microconstituyentes, se realiza el clculo mediante la regla de
la palanca, justo antes de producirse la transformacin eutctica:
78.3 55
100
70.41%
78.3 45.2
FE FL
29.59 %
FMg 2 Ca =
10.10. El Mg (TF = 650 C, M (Mg) = 24.3 g/mol, estructura HC) y el Si (TF = 1414 C, M (Si) =
28.1 g/mol, estructura tipo diamante) son completamente solubles en estado lquido e insolubles en estado slido. Estos dos elementos forman un compuesto intermetlico, que contiene
un 36.6 % Si y que funde congruentemente a 1087 C. El Mg y el compuesto intermetlico
forman un eutctico con un 1.4 % Si a 639 C; mientras que el Si y el compuesto intermetlico
forman, a su vez, un eutctico con un 56.5 % Si a 947 C.
a) Dibuje el diagrama de equilibrio Mg-Si
b) Halle la frmula del compuesto intermetlico.
Ediciones Paraninfo
a) Con los datos proporcionados por el enunciado, el diagrama Mg-Si quedara:
92
Bloque 2
b) El compuesto intermetlico responde a la frmula: MgnSim.

A partir de los datos del problema, se sabe que en 100 g de compuesto, 36.6 g son de Si y 63.4
g son de Mg. El nmero de moles de cada una de estos elementos ser:
1 mol
2.61 moles
nMg 63.4 g Mg 24.3
g
2.61
100 g de C:
nMg nSi
2
1.30
n 36.6 g Si 1 mol 1.30 moles
Si
28.1 g
Por tanto, la frmula del compuesto ser Mg2Si.
10.11. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin del 10 %
de Si:
a) Trace la curva de enfriamiento sealando esquemticamente los fenmenos que ocurren en
cada inflexin.
b) Calcule a temperatura ambiente el porcentaje de constituyentes estructurales existentes y
dibuje la microestructura correspondiente indicando los constituyentes estructurales.
Ediciones Paraninfo
a) La curva de enfriamiento sera:
93
Captulo 10
b) Aplicando la regla de la palanca a una temperatura de 640 C (justo por encima de la temperatura
eutctica) se obtendr la cantidad de Mg2Si y de L, correspondiendo la ltima a la cantidad de E:
36.6 10
100 75.57 %
36.6 1.4
FMg2Si =100 75.57 24.43%
FE
La microestructura resultante ser de la forma:
10.12. En un hipottico diagrama de equilibrio A-B (TA = 1 100 C y TB = 200 C), se producen
las siguientes transformaciones (indicadas en la figura adjunta):
850 C, la solucin slida extrema (10 % B) reacciona con el lquido (35 % B) para dar
(20 % B).
A 650 C, la fase intermedia (25 % B) reacciona con el lquido (50 % B) para dar
(30 % B).
A 550 C, la fase (15 % B) se transforma en (5 % B) y en (30 % B).
A 350 C, la fase (55 % B) reacciona con el lquido (75 % B) para dar solucin slida extrema (65 % B).
Se conoce, adems, que, a temperatura ambiente:
La solubilidad mxima de B en es del 2 %.
La solubilidad mnima de B en es del 75 %.
La mnima solubilidad de B en la fase se considerar constante desde los 650 C hasta
temperatura ambiente, e igual al 30 %.
La fase intermedia tiene como mxima solubilidad el 40 % en B.
Complete con lneas rectas el diagrama de equilibrio parcialmente facilitado e indique las fases presentes en cada regin.
94
Ediciones Paraninfo
Bloque 2
Aplicando cada uno de los datos proporcionados se llega al siguiente diagrama:
10.13. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin del 28 % B.
a) Dibuje la curva de enfriamiento en condiciones de equilibrio, indicando la microestructura
presente en cada tramo y sus fases y microconstituyentes.
b) Calcule el porcentaje de la fase que forma parte del eutectoide justo tras su formacin.
Ediciones Paraninfo
a) La curva de enfriamiento sera:
95
Captulo 10
Las microestructuras, fases y microconstituyentes en cada tramo (numerado enla figura anterior) se recogen en la siguiente figura:
b) Calculemos en primer lugar la cantidad de (PE) y , a la temperatura de 551 C, sabiendo que

la cantidad resultante de ser la que d lugar al eutectoide:
28 15
100
86.67 %
30 15
30 28
100
13.33%
F F
E'
30 15
F (PE')
Por otra parte, la transformacin eutectoide da lugar a la formacin de y . La cantidad de

puede calcularse mediante la regla de la palanca:
F (E')
15 5
100 40 %
30 5
Por tanto, conocida la cantidad de eutectoide, y su contenido en , se obtiene finalmente el porcentaje de en el eutectoide, que resulta:
40
5.33%
100
10.14. Conocidos los siguientes datos sobre un hipottico sistema binario A-B:
TA = 1 000 C y TB = 800 C.
B es insoluble en A.
La solubilidad de A en B tiene un mximo del 12 % a 500 C y es del 8 % a temperatura
ambiente.
Presenta tres puntos eutcticos: (1) a 500 C y 75 % B, (2) a 600 C y 55 % B y (3) a 700 C
y 25 % B.
Presenta dos compuestos que funden congruentemente: (1) a 850 C y 36.36 % B y (2) a
750 C y 63.15 % B.
a) Dibuje el diagrama de equilibrio correspondiente.
b) Calcule la frmula emprica de los compuestos.
Datos: M (A) = 35 g/mol y M (B) = 20 g/mol.
96
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F 13.33
Bloque 2
a) A partir de los datos proporcionados en el enunciado se obtiene:
b) Compuesto C1 (36.36 % B)
En 100 g de C1
1 mol A
nA 63.64 g A 35 g 1.82 moles
n 36.36 g B 1 mol B 1.82 moles

B
20 g
La relacin molar se corresponde con la relacin de tomos, lo que quiere decir que los tomos
de A y de B estn en la misma proporcin. El compuesto ser AB.
Compuesto C2 (63.15 % B)
En 100g de C2
1 mol A
n A 36.85 g A 35 g 1.05 moles
n 63.15 g B 1 mol B 3.16 moles

B
20 g
La relacin molar nA nB es ahora igual a 3, por tanto el compuesto ser AB3.
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10.15. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, considere una aleacin del
50 % B.
a) Dibuje su microestructura a temperatura ambiente y calcule, para 100 g de aleacin, la
cantidad del compuesto ms rico en el elemento A contenido en la porcin eutctica.
b) Explique qu diferencias cabra esperar respecto a la microestructura del apartado anterior si el enfriamiento se produce en condiciones de no equilibrio.
a) La microestructura a temperatura ambiente correspondera a C1(PE) y un eutctico formado por
C1 y C2.
97
Captulo 10
El compuesto ms rico en A es el C1. Para calcular su contenido en el eutctico, comenzaremos calculando, justo antes de la transformacin eutctica ( 601 C), la cantidad de L, que ser equivalente
a la cantidad de eutctico.
FL
FE
50 36.36
100 73.18 %
55 36.36
Para la composicin eutctica, puede calcularse la cantidad de C1 y C2 a los que da lugar:
63.15 55
100 30.42%
63.15 36.36
55 36.36
FC2 (E)
100 69.58%
63.15 36.36
FC1 (E)
As pues, si partimos de 100 g de aleacin, 73.18 g formarn la porcin eutctica, y de estos, el

22.26 g , correspondern al compuesto C1 (el ms rico en A).
30.42 %, es decir 73.18 30.42 /100
10.16. Teniendo en cuenta los siguientes datos sobre un hipottico sistema binario A-B:
TA = 1 000 C y TB = 500 C.
La solubilidad de B en A tiene un mximo del 5 % a 700 C y es nula a temperatura ambiente
La solubilidad de A en B tiene un mximo del 5 % a 300 C y es nula a temperatura ambiente
Presenta dos transformaciones peritcticas:
o L (65 % B) + C1 (30 % B) C2 (60 % B) a 400 C
o L (40 % B) + (5 % B) C1 (30 % B) a 700 C
Presenta una transformacin eutctica:
o L (80 % B) C2 (60 % B) + (95 % B) a 300 C
a) Dibuje el diagrama de equilibrio correspondiente.
b) Para una aleacin del 35 % B, trace la curva de enfriamiento desde el estado lquido hasta
temperatura ambiente e indique la microestructura correspondiente a cada tramo de la curva
con indicacin de los microconstituyentes presentes. Dibuje igualmente la microestructura a
temperatura ambiente en caso de enfriamiento en condiciones de inequilibrio.
98
Ediciones Paraninfo
b) Lo que cabe esperar es que pueda haber una menor cantidad de C1(PE) que no haya tenido tiempo de aparecer antes de alcanzarse los 600 C, y que las laminillas del eutctico, presente en mayor
cantidad, sean ahora ms finas (lo que repercutir en las propiedades del material)
Bloque 2
a) Atendiendo a las indicaciones del enunciado se obtiene el siguiente diagrama:
b) La curva de enfriamiento resulta:
Ediciones Paraninfo
En condiciones de inequilibrio, dado el pequeo margen de temperaturas y composiciones, resulta improbable que se aprecie microsegracin intragranular (coring) durante el enfriamiento por
encima de 700 C. A partir de esta temperatura, en las transformaciones peritcticas se producir
cercado, resultando una microestructura en la que adems de quedar restos de fase , habr mayor
cantidad de C1 y menos de C2.
99
Captulo 10
10.17. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, suponga una aleacin del 75 % B.
A temperatura ambiente, calcule, para 100 g de aleacin, la cantidad de compuesto contenido
en la porcin eutctica.
De acuerdo con el diagrama, el eutctico estar formado por C2 y .
A temperatura ambiente, la cantidad de C2 en el eutctico puede calcularse como la cantidad total menos la preeutctica, por tanto:
FC2 E FC2 Total

FC2 PE
FC2 (Total)
100 75
100
62.5 %
100 60
62.5
25
FC2 (PE
)
37.5%
80 75
100
25 %
80 60
a) Atendiendo a las indicaciones del enunciado se obtiene el siguiente diagrama:
100
Ediciones Paraninfo
10.18. De un hipottico diagrama binario A-B se conoce:

TA = 500 C y TB = 1 000 C.
Un lquido del 25 % B solidifica a 250 C de manera incongruente y da lugar a un compuesto C (75 % B) y al elemento puro A.
Un compuesto C solidifica incongruentemente a la temperatura de 750 C a partir de un
lquido del 50 % B y de una solucin slida del 90 % B.
La mencionada solucin slida presenta solubilidad nula a temperatura ambiente.
a) Dibuje el diagrama de equilibrio.
b) Calcule la composicin de una aleacin (ms rica en B que en A) sabiendo que, en condiciones de equilibrio y a temperatura ambiente, la cantidad de compuesto presente en el eutctico es de un 3.33 % en masa.
Bloque 2
b) Si llamamos x a la composicin de la aleacin, dado que segn se indica en el enunciado la aleacin es ms rica en B que en A x > 50 %, y puesto que se habla de un eutctico x < 75 %.
Por tanto la composicin buscada debe estar aproximadamente en la zona indicada:
Adems, se indica que el porcentaje de C en el eutctico resulta del 3.33 %. Por tanto, calculando la cantidad de C total (a 249 C) y la preeutctica (a 251 C), y restndolas, puede obtenerse la
cantidad presente en el eutctico, e igualando con el dato proporcionado, se llegar a la solucin
buscada:
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FC (Total)
F
C (PE)
Y de ah que:
x
100
75
x 25
100
50
101
Captulo 10
x
x 25
100
100
3.33
75
50

x 70 % B
10.19. Para el diagrama de equilibrio del problema anterior, imagine una aleacin del 70% B.
Cuando la aleacin anterior es enfriada en condiciones de inequilibrio, calcule la nueva solubilidad de la solucin slida a una temperatura justo por encima de 750 C sabiendo que la
cantidad de solucin slida a esa temperatura es 2.4 unidades porcentuales menor que en
condiciones de equilibrio. Explique a qu fenmeno es debido este cambio de solubilidad.
Se pide calcular el nuevo punto y del diagrama:
Para ello, calcularemos la cantidad de solucin slida en condiciones de equilibrio, y restndole

2.4 unidades obtendremos la cantidad en inequilibrio. Con este dato podr calularse el punto y para
que el resultado sea el esperado:
Porcentaje de a 751 C en equilibrio:
70 75
100
50 %
90 50
Porcentaje de a 751 C en inequilibrio: 50 2.4 = 47.6 %
70 50
100
47.6
y 50
y 92 % B
El cambio de solubilidad que se produce (del 10 al 8 % de A en B) se debe a la aparicin de microsegregacin intragranular (coring) como consecuencia del rpido enfriamiento.
102
Ediciones Paraninfo
Bloque 2
10.20. De un sistema binario A-B (TA = 1 300 C y TB = 100 C) se conoce que presenta dos
transformaciones invariantes de tipo peritctico a las temperaturas de 600 y 400 C, en las que
la composicin del lquido que interviene en la reaccin es del 55 y 70 % B, respectivamente.
Adems, se han realizado una serie de estudios metalogrficos (en equilibrio), para distintas
composiciones y temperaturas, que se resumen en la siguiente tabla:
NOTA: a temperaturas intermedias entre las indicadas no se observa ningn cambio en las fases
presentes, es decir, o bien se encuentra la misma microestructura
de la temperatura superior, o bien
la de la inferior, aunque evidentemente las cantidades de cada fase
pueden variar con la temperatura.
a) Dibuje con estos datos el diagrama de equilibrio A-B, sabiendo que la solubilidad mxima
de A en B se produce a temperatura ambiente y resulta de un 50 %, as como que C es un
compuesto.
b) Indique cmo resultaran las microestructuras correspondientes a las aleaciones del 20 %,
el 60 % y el 80 % B, a temperatura ambiente, si fuesen enfriadas en condiciones de inequilibrio. Indique los fenmenos de inequilibrio que apareceran, y seale las diferencias con las
microestructuras de equilibrio.
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a) Con los datos iniciales del enunciado puede saberse lo siguiente:
103
Captulo 10
A partir del estudio metalogrfico puede completarse el diagrama (los puntos marcados se corresponden con la situacin de las micrografas proporcionadas en el enunciado):
b) En la aleacin del 20 % B aparecera cercado, de modo que, a temperatura ambiente, la cantidad

de compuesto formado sera inferior (la cantidad de A remanente sera mayor) a la que aparece con
enfriamiento de equilibrio.
En el caso de la aleacin del 60 % B, se producira una modificacin del diagrama similar a la
mostrada en la Figura 10.25. La redisolucin de los restos de cristales del compuesto C para dar
nicamente un slido policristalino de fase que acontece en condiciones de equilibrio no tiene
lugar, o lo tiene en menor medida, en condiciones de inequilibrio. Esto trae como consecuencia, la
presencia inesperada de C, cercado, a temperatura ambiente.
Por ltimo, la aleacin del 80 % B sufrir microsegregacin intragranular (coring).
Las microestructuras resultantes seran:
a) Las composiciones con el 30 % A son las de la lnea perpendicular a la altura del vrtice A que
cortan al porcentaje de A en el valor del 30 %.
104
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10.21. En la seccin isoterma de un diagrama ternario de componentes hipotticos A, B y C,

site los puntos de composicin:
a) 30 % A y 40 % B
b) 60 % A y 10 % C
c) 30 % B y 20 % C
Bloque 2
Las composiciones del 40 % B sern las de la lnea perpendicular a la altura del vrtice B que
corten al porcentaje de B en el 40 %. La interseccin entre las lneas del 30 % A y del 40 % B ser el
punto de composicin buscado.
b) Procediendo de manera semejante:
Ediciones Paraninfo
c) Procediendo de manera semejante:
105
Captulo 11
Determinacin de diagramas de equilibrio
Captulo 11
11.1. Conocidas las curvas de enfriamiento de equilibrio para diferentes composiciones de un
diagrama binario A-B, trace el corespondiente diagrama de equilibrio del sistema.
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Procediendo de acuerdo a las distintas curvas de enfriamiento proporcionadas, pueden ir obtenindose puntos del diagrama, que en su forma final, resulta:
106
Bloque 2
11.2. Dado el diagrama de equilibrio A-B adjunto, dibuje orientativamente las curvas Gx para
las temperaturas siguientes: 1 000, 900, 800, 700, 600, 500, 400 y 300 C.
Ediciones Paraninfo
Esquemticamente, y para cada temperatura solicitada, las curvas Energa Libre vs. Composicin seran:
107
Captulo 11
Ediciones Paraninfo
11.3. Construya el diagrama de equilibrio hipottico sistema A-B al que corresponden las siguientes curvas de energa libre calculadas a diferentes temperaturas decrecientes (T1 > T10).
108
Bloque 2
Estudiando en primer lugar las temperaturas T1 a T5, se obtiene parte del diagrama:
Ediciones Paraninfo
Continuando con el resto de las temperaturas puede completarse el diagrama:
109
Captulo 11
As pus, el diagrama completo resulta:
Thermo-Calc es un potente software para clculos termodinmicos con un interfaz grfico fcil de
usar, siendo ampliamente utilizado para el clculo de: diagramas de fase, datos termoqumicos (entalpas, calor especfico y actividad), simulaciones de enfriamiento con el modelo de Scheil, etc.
110
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11.4. Determine el diagrama de equilibrio Fe-C empleando la versin demo del software
Thermo-Calc (http://www.thermocalc.com) u otro programa similar.
Bloque 2
Veamos a continuacin una descripcin del proceso a seguir aplicado al caso concreto que nos
ocupa, el diagrama Fe-C.
El primer paso para dibujar el diagrama es visitar su pgina web e instalar la versin demo. A
continuacin:
1.
2.
Abrimos el programa.
Pulsamos el icono para la creacin de diagramas de fase binarios.
Ediciones Paraninfo
3. Aparece una ventana con varias pestaas. En la primera, Elements, seleccionamos los elementos constituyentes del diagrama. En la tercera pestaa, Phases and Phase Constitution, pueden aadirse o eliminarse las fases deseadas (el clculo puede incluir solo las fases que el usuario considere
relevantes, de la lista completa que proporciona el programa).
111
Captulo 11
4. Seleccionados los elementos Fe y C, pulsando Perform Tree obtendremos nuestro diagrama

de fases.
Unidades de temperatura y composicin (en Composition Unit puede seleccionarse el diagrama

en porcentaje molar o en masa).
112
Ediciones Paraninfo
5. Las condiciones de clculo del diagrama pueden modificarse en la pestaa Conditions, que se
encuentra dentro de Equilibrium Calculator. Entre estas condiones se encuentran:
Bloque 2
Puede ponerse el diagrama en funcin del contenido en C o Fe.

Cambiar las unidades de la temperatura.
La escala de cada eje.
Tipo de clculo.
6. Para definir los parmetros del diagrama, como los colores de las lneas, escalas, ejes de abscisas u ordenadas, etc., pulsaremos el botn derecho del ratn sobre el diagrama, seleccionando la
opcin Properties.
7. Si se coloca el ratn encima de alguna fase del diagrama, aparece un cuadro de dilogo donde
se muestran los datos del punto elegido.
8. Por ltimo, el diagrama puede guardarse pulsando el botn derecho del ratn sobre el diagrama,
y seleccionando la opcin Save as.
11.5. Determine el diagrama de equilibrio Al-Cu, en porcentaje molar, empleando la versin

demo del software Thermo-Calc (http://www.thermocalc.com) u otro programa similar.
Para el clculo del diagrama de fases realizaremos los pasos bsicos descritos en el problema anterior:
Paso n 1: Seleccionamos ambos elementos de la tabla peridica.
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Paso n 2: Seleccionamos Equilibrium Calculator. En la primera pestaa Conditions, modificaremos para que el programa calcule el diagrama en funcin del porcentaje molar. En la misma pestaa
escalamos el diagrama en funcin de las temperaturas y el contenido de los componentes que queramos estudiar:
a) En el eje de composiciones indicamos que vaya de 0 a 100, con pasos de 10 en 10.
b) En el eje de temperatura ponemos 200 como temperatura mnima y 1 200 como temperatura
mxima
Paso n 3: Pulsamos Perform Tree para trazar el diagrama. En la siguiente imagen observamos el
diagrama Al-Cu as calculado:
113
Ediciones Paraninfo
Captulo 11
114
Bloque 2
Captulo 12
Diagramas de equilibrio de inters tecnolgico
12.1. Considere un acero no aleado de 1.20 % C. Dicho acero se ha enfriado en condiciones de
equilibrio desde 1 020 C hasta 729 C.
a) Realice el anlisis de fase de dicho acero a 729 C.
b) Dibuje la microestructura correspondiente sealando los constituyentes estructurales.
a) Conocido el diagrama de equilbrio metaestable Fe-C, puede situarse la aleacin del enunciado y
realizarse el anlisis de fases:
Las fases presentes a 729 C son: (0.77 % C) y Fe3C (6.69 % C). Los porcentajes en masa de
las fases pueden calcularse mediante la regla de la palanca:
F
FFe3C
6.69 1.20
100 92.74 %
6.69 0.77
7.26 %
Ediciones Paraninfo
b) La microestructura resultante consistir en cementita preeutectoide y austenita, como se muestra

a continuacin:
115
Captulo 12
12.2. El mismo acero del 1.20 % C del problema anterior ha continuado enfrindose, en condiciones de equilibrio, desde 729 a 725 C
a) Calcule los constituyentes estructurales en estas condiciones (a 725 C)
b) Dibuje la microestructura sealando los constituyentes estructurales.
a) Conocido el diagrama de equilbrio metaestable Fe-C, y situada la aleacin como se indic en el
problema anterior, puede calcularse la cantidad de constituyentes (cementita y perlita). Estas cantidades coincidirn con las calculadas en el problema anterior, con la salvedad de que la cantidad de
austenita se transformar en perlita, por tanto:
FFe3C 7.26 %
FPerlita (Fe3C+ ) 92.74 % (misma cantidad que de fase en el problema anterior)
b) La microestructura resultante consistir en cementita preeutectoide y perlita, como se muestra a

continuacin:
12.3. La maquinabilidad del acero del problema anterior (1.20 % C) puede mejorarse notablemente si se mantiene a la temperatura de 725 C durante 24 h y se enfria, posteriormente, al
aire hasta la temperatura ambiente.
a) Realice un anlisis de fases de este acero (tras 24 h a 725 C).
b) Trace un dibujo de la microestructura (tras 24 h a 725 C) sealando los constituyentes
estructurales.
c) Dibuje la estructura final una vez enfriado el material desde 725 C hasta la temperatura
ambiente, sealando los microconstituyentes estructurales.
Ediciones Paraninfo
a) De acuerdo al diagrama de equilbrio, las fases presentes son: (0.02 % C) y Fe3C (6.69 % C), lo
que no se ve alterado por el tratamiento trmico indicado. Los porcentajes en masa de estas fases
pueden calcularse mediante la regla de la palanca:
116
F
FFe3C
Bloque 2
6.69 1.20
100 82.31%
6.69 0.022
17.69 %
b) El resultado del tratamiento consistir en una globalizacin de la cementita, por tanto:
Es decir, una microestructura constituida por matriz con precipitados de Fe3C globulizada (esferoidita).
c) Tras el enfriamiento:
Se obtiene una microestructura con los mismos microconstituyentes, pero con una cantidad de
esferoidita ligeramente superior. Calculmosla:
FFe
3C
1.2 0
100
17.94 %
6.69 0
12.4. Se ha realizado el anlisis qumico de una aleacin Fe-C, y se ha hallado que contiene
7 kg de C por tonelada de aleacin.
a) Realice el anlisis de fases de una muestra de esa aleacin a 728 C.
b) Un trozo de 650 g de la misma aleacin se ha calentado a 890 C hasta alcanzar el equilibrio. Calcule el porcentaje de intersticios octadricos que ocupa el carbono.
Ediciones Paraninfo
a) Segn el enunciado, en 100 g de aleacin habr 0.7 g de C y 99.3 d de Fe, por lo que la composicn del material ser del 0.7 % C.
A 728 C, segn el diagrama Fe-C, las fases presentes en la muestra resultan ser (0.02 % C) y
(0.77 % C), en cantidades que pueden calcularse mediante la regla de la palanca.
117
Captulo 12
0.77 0.7
100 9.36%
0.77 0.022
F 90.64%
b) La composicin del 0.7 % C, cuando se sita a 890 C cae dentro de la regin , por lo que la estructura cristalina es CCC, conteniendo 4 tomos de Fe y 4 intersticios octadricos por celdilla.
El nmero de tomos de C y Fe en 100 g totales resulta:
NC
0.7 g de C
1 mol 6.022 1023 tomos
3.511022 tomos C
12.01 g
1 mol
N Fe
99.3 g de Fe
1 mol 6.022 1023 tomos
1.07 1024 tomos Fe

55.85 g
1 mol
Por otro lado, el nmero de tomos de Fe ser igual al de I.O. (puesto que hay 4 de cada por
celdilla). Por tanto, el porcentaje de intersticios octadricos ocupados por el C resulta:
FI.O. ocupados
3.51 10 22
100 3.28%
1.07 1024
12.5. Para una pieza de acero al carbono, se ha determinado que la cantidad de perlita a temperatura ambiente es del 40 % en masa. Determine la composicin nominal de la pieza de acero.
Ediciones Paraninfo
Pueden darse dos casos en cuanto a la composicin del acero para los que podra ser posible obtener
un 40 % de perlita: (1) acero hipoeutectoide ( c0 ) y (2) acero hipereutectoide ( c1 ):
118
Bloque 2
Estudiando en ambos casos, mediante la regla de la palanca, la composicin necesaria para obtener la mencionada cantidad del 40 % de perlita, se concluye que:
c0 0.022
100 40 c0 0.32 % C
0.77 0.022
6.69 c1
100 40 c1 4.32 % C
6.69 0.77
1) FPerlita F 728 C
2) FPerlita F 728 C
La segunda de las opciones representa un contenido en C superior al 2.11 %, por lo que se trata
de una fundicin, y como el enunciado indica que la pieza es de acero, la opcin de que su composicin sea hipereutectoide no es posible. Por tanto, el acero es hipoeutectoide, de composicin
0.32 % C.
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12.6. Del estudio metalogrfico de una muestra de acero se obtiene la informacin siguiente:
Un porcentaje del rea de la imagen (que, tras la correspondiente transformacin a porcentaje en masa resulta ser de un 10.225 %) est ocupado por cementita en forma de laminillas (formando parte de un eutectoide).
Adems del mencionado eutectoide, se observa otro microconstituyente que rodea al
eutectoide, formando una red.
a) Calcule la composicin de dicho acero.
b) Dibuje la curva de enfriamiento de este acero, indicando las fases, microconstituyentes y un
esquema de la microestructura en cada tramo.
c) Si se dispone de 50 kg de Fe, determine qu cantidad de cementita habra que aadir para
obtener la composicin de este acero.
a) El primero de los datos indica que hay un 10.225 % en masa de cementita en un eutectoide. El
segundo dato indica que hay otro microconstituyente rodeando a la perlita (el eutectoide) formando
una red. Este podra ser o Fe3C preeutectoides, segn el acero fuese hipo o hipereutectoide. Sin
119
Captulo 12
embargo, es conocido que la ferrita precipita en forma de granos aislados preeutectoides, mientras
que la cementita secundaria lo hace en forma de red. El enunciado indica que el microconstituyente
forma una red, luego debe tratarse de un acero hipereutectoide x 0.77).
Para calcular la composicin del acero, emplearemos el dato de la cementita que forma parte
del eutectoide, ya que la cantidad de cementita total debe ser igual a la que se encuentre en el eutectoide, ms la que apareciese con anterioridad (la preeutectoide). Por tanto:
F
Fe3C Total
FFe3C PE' FFe3C E'
Llamando x a la concentracin en carbono del acero, y aplicando la regla de la palanca justo por
encima de TE, puede calcularse FFe3C PE' :
FFe3C(PE')
x 0.77
100
6.69 0.77
Adems, justo por debajo de TE, puede calcularse la cantidad total, segn:

FFe3C(Total)
x 0.022
100
6.69 0.022
Sustituyendo, se obtiene que:

x 0.022
x 0.77
100
100 10.225
x 1.29 % C
6.69 0.022
6.69 0.77
Veamos en este problema otra forma de resolverlo, empleada de manera similar en problemas
anteriores, y comprobaremos con ello que se llega a la misma solucin por ambos caminos:
Se calcula en primer lugar, mediante la regla de la palanca, la cantidad de austenita que habra
justo antes de la reaccin eutectoide, a sabiendas de que dicha austenita se transformar a la TE en
perlita.
F
Perlita F
6.69 x
100
6.69 077
Ahora bien, tambin puede calcularse para la composicin eutectoide (no la composicin buscada del acero, sino justo un 0.77 % C), a qu porcentaje de cementita dar lugar dicha composicin:
0.77 0.022
100 11.22 %
6.69 0.022
Por tanto, la cementita que se encontrar en el eutectoide resultar de aplicar el anterior porcentaje a la cantidad de austenita anteriormente calculada. As:
120
Ediciones Paraninfo
FFe3C E'
F f Fe3C
E'
Bloque 2
6.69 x
100 0.1122
10.225
x 1.29 % C
6.69 0.77
b) La curva de enfriamiento resulta:
c) Considerando que los clculos para la mezcla se hacen a temperatura ambiente, el porcentaje
total de cementita para un acero del 1.29 % C se calcular segn:
50 kg de Fe
0.0669 x kg de C
x kg de Fe3C
0.9131 x kg de Fe
1.29
0.0669 x
x 11.94 kg
100
50 x
12.7. En una empresa de mecanizado de piezas, han determinado que, con las herramientas de
las que disponen, solo pueden mecanizar correctamente aceros con contenidos de cementita en
red inferiores al 20 %, siempre que, adems, el contenido de cementita en el eutectoide sea
superior al 10 %.
a) Determine la composicin mxima del acero recocido que pueden emplear.
b) Razone si existe alguna alternativa que permita mecanizar estos aceros con mayor facilidad.
Ediciones Paraninfo
a) A partir del diagrama de equilibrio de los aceros:
121
Captulo 12
Para calcular la composicin del acero aplicamos las dos condiciones que da el enunciado. Calculemos en primer lugar, a 728 C, el porcentaje de Fe3C en red de un acero con composicin x, y
aplicaremos la condicin del enunciado:
FFe
3 C Red
x 0.77
100 20 %
6.69 0.77
x 1.95%
De la segunda condicin del enunciado, el porcentaje de Fe3C(Perlita) 10% , resulta (calculando la cementita contenida en la perlita como la total menos la preeutectoide):
FFe3C (Perlita) =
x
x 0.77
100
100 10
6.69
6.69 0.77
x 1.55 %
Por tanto, el acero de mayor contenido que se puede mecanizar es del 1.95 % C.
Ediciones Paraninfo
b) Se podra emplear un tratamiento de globulizacin. Con este tratamiento se consigue esferoidizar

la Fe3C, mitigndose as los problemas de mecanizado que genera la Fe3C laminar.
122
Bloque 2
12.8. Los aceros Dual Phase son actualmente muy utilizados en automocin gracias a su buena
combinacin de resistencia a la traccin y ductilidad. Estas propiedades se alcanzan gracias a
que su microestructura est compuesta por una matriz ferrtica en la que se disponen islas
de martensita.
a) Determine el tratamiento trmico al que es necesario someter a un acero para conseguir
dicha microestructura y argumente si valdra cualquier tipo de acero.
b) Imagnese que est interesado en fabricar una pieza de acero Dual Phase de modo que contenga un 40 % en masa de martensita. En la empresa en la que trabaja, se dispone de dos hornos que, por los elementos que all se tratan, estn permanentemente a las temperaturas de
870 y de 820 C. Si desea fabricar varias piezas de este acero Dual Phase, determine cul es el
contenido en C del acero que debe escoger considerando que el tratamiento debe iniciarse con
una austenizacin.
c) Si pudiese alterar la temperatura de los hornos en hasta 20 C, razone qu acero escogera
entonces.
Suponga lneas rectas en el diagrama Fe-Fe3C para realizar los clculos.
a) Para obtener martensita hay que partir de , y realizar un temple. Como adems se desea que la
microestructura contenga , esta fase debe estar presente antes de realizar el temple, de modo que
durante el enfriamiento rpido, la fase permanece inalterada. Por tanto, previo al temple, debemos
tener una estructura formada por + . Para conseguir esto, debemos partir de un acero hipoeutectoide al que le realizamos el siguiente tratamiento:
Calentamiento hasta una temperatura entre A1 y A3 (regin bifsica + ) y mantenimiento de

la temperatura hasta alcanzar el equilibrio.
Temple.
Ediciones Paraninfo
Para una composicin determinada, podremos conseguir aceros Dual Phase de diferente contenido en martensita sin ms que emplear diferentes temperaturas en la regin + .
b) Como el enunciado indica que se debe realizar un austenizado previo (todo el acero debe pasar a
estructura austentica), emplearemos para ello el horno a mayor temperatura, empleando el de
menor temperatura para conseguir la mezcla de + previa al temple.
Necesitamos calcular las composiciones de y para las temperaturas de 870 y 820 C (suponiendo
lneas rectas en el diagrama) para as poder aplicar la regla de la palanca a dichas temperaturas.
Calculemos las ecuaciones de la recta A (recta que separa las regiones y + ) y la que
divide las regiones y + .
123
Captulo 12
0.77 T 702.24
185
0.022 T 20.064
185
Calculamos ahora cul debe ser el contenido mnimo de C del acero para que pueda
austenizarse completamente a 870 C:
C (870
C)
0.77 870 702.24

0.175 % C 0.175 % C
185
Como el horno a 820 C se emplea para conseguir la mezcla de y previa al temple, veamos
qu cantidad de (que se transformar en martensita al templar) se obtiene para el acero del 0.175 %
C, sabiendo que contenidos mayores en C darn lugar a mayores contenidos de austenita
F F
C C
100
C C
0.022 820 20.064

0.011%
185
0.77 820 702.24
C (820 C) 0.38 %
185
Sustituyendo:
124
Ediciones Paraninfo
C (820 C)
F
FM
0.175 0.011
100 44.44 %
0.38 0.011
Bloque 2
40 %
por lo que con los hornos a estas temperaturas no se puede obtener el material buscado.
c) Una posible solucin sera incrementar la temperatura del horno usado para austenizar, lo que
permitira disminuir el contenido en C para austenizar todo el material.
Previamente calcularemos la composicin del acero que necesitaramos para que a 820 C consigamos un 40 % M. Despus calcularemos la temperatura necesaria para austenizarlo, y si esa temperatura cumple T < 870 + 20 C, habremos solucionado el problema.
F FM
C 0.011
100 40 C 0.159 % C
0.38 0.011
La temperatura necesaria para austenizarlo sera:

C 0.159
0.77 T 702.24
185
T 873.79 C (870 20) C
12.9. Considere un acero no aleado de 0.4 % C (A1 = 730 C, A3 = 780 C, Ms = 320 C y Mf =

60 C). Una barra ( 25 mm) de este acero se ha templado en aceite y ha resultado una microestructura no homognea: el ncleo de la barra tiene la microestructura propia de un acero
normalizado, y la zona superficial tiene estructura de temple perfecto. En la zona entre ncleo
y periferia, la microestructura es intermedia entre las anteriores.
a) Dibuje el diagrama TTT y el diagrama TC del acero.
b) Superponga sobre el diagrama TC de este acero las curvas de enfriamiento que han seguido cada una de las tres regiones obtendas en la barra.
c) Dibuje en un mismo crculo (imitando la seccin transversal de la barra) las tres microestructuras obtenidas.
Ediciones Paraninfo
a) Se trata de un acero hipoeutectoide no aleado, por lo que su diagrama TTT ser:
125
Captulo 12
En cuanto al diagrama TC, como se trata de un acero no aleado, se inhibe la transformacin

baintica, resultando por tanto un diagrama del tipo:
b) El enfriamiento ser ms rpido en la superficie, y ms lento en el ncleo, por tanto:
Ediciones Paraninfo
c) Las microestructuras que podremos observar en una seccin de la barra seran las mostradas en la
imagen. Las lneas discontinuas que se han dibujado para separar las diferentes regiones (ncleo,
zona intermedia y superficie) son, como no puede ser de otro modo, meramente ilustrativas (no se
vern en la microestructura real).
126
Bloque 2
12.10. Un delgado alambre ( 2 mm) del acero no aleado del problema anterior, que se encontraba en estado normalizado, se ha sometido a los siguientes tratamientos sucesivos; es decir,
uno tras otro:
Calentamiento a 850 C durante 1 hora.
Pasado rpidamente a un bao lquido a 710 C, en el que se ha mantenido durante
40 minutos (tiempo suficiente para alcanzar la transformacin total).
Enfriamiento en agua a 25 C, en la que se ha mantenido durante 10 min con agitacin.
Calentamiento a 800 C durante 1 hora
Enfriamiento rpido en agua a 86 C.
Enfriamiento al aire hasta temperatura ambiente.
a) Marque estos tratamientos en el diagrama que considere ms adecuado para su estudio.
b) Dibuje las microestructuras existentes tras cada una de esas etapas sucesivas, indicando los
microconstituyentes presentes y sus porcentajes (siempre que tenga datos para conocerlos).
c) Considere ahora dos cilindros de 60 mm, uno de ellos fabricado con acero no aleado del
0.4 % C y el otro, con acero del 0.4 % C, el 1.5 % Mn y el 4 % Cr. Las dos piezas son austenizadas a 850 C 1 h y, posteriormente, templadas en aceite a 50 C. Dibuje sendas secciones de
estos cilindros indicando las diferencias microestructurales esperables.
a) Los tratamientos consisten bien en mantenimientos de temperatura durante un cierto tiempo o
bien de enfriamientos muy rpidos, por lo que el diagrama ms adecuado para su estudio es el TTT.
Sobre el siguiente esquema del diagrama TTT de un acero hipoeutectoide no aleado, se han superpuesto cada uno de las etapas indicadas en el problema, numeradas entre (i) y (vi).
Ediciones Paraninfo
b)
c) Como se trata de enfriamientos continuos, es ms correcto emplear diagramas TC. Las dos piezas
son enfriadas del mismo modo (temple en aceite a 50 C) por lo cual sus curvas de enfriamiento
sern las mismas. Como, adems, la seccin de las piezas es grande, las velocidades de enfriamiento de cada zona de la seccin sern diferentes.
127
Captulo 12
Supongamos que las curvas de enfriamiento de las diferentes zonas de la seccin son las siguientes:
Los dos aceros tienen el mismo contenido en carbono, pero uno de ellos est aleado, por lo cual
tendr su diagrama TC ms alejado del eje de ordenadas. Superponiendo sobre estos dos diagramas
las curvas de enfriamiento anteriores, podremos predecir las microestructuras resultantes.
Acero no aleado
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Acero aleado
128
Bloque 2
12.11. Un eje cilndrico ( 50 mm) de un acero no aleado de 0.20 % C se ha templado en aceite

a 50 C. Tras el tratamiento, dicho eje se ha cortado transversalmente y se ha observado al
microscopio, con lo que se ha constatado que la microestructura no es homognea en toda la
seccin.
a) Dibuje un esquema de la seccin transversal del eje mostrando las posibles microestructuras obtenidas y seale los microconstituyentes.
b) Si se hiciese un barrido de durezas a lo largo de una seccin transversal de ese eje, se obtendran una curva dureza vs. x (variable que recorre el dimetro). Represntela.
Argumente qu podra hacerse sin cambiar de acero, para tratar de aplanar esa curva.
Refleje en un diagrama TC las medidas adoptadas en el apartado previo.
c) Un ingeniero ha sugerido que la curva de dureza de ese cilindro templado podra haberse
obtenido casi plana utilizando un acero aleado al Cr-Ni-Mo del mismo contenido de carbono
(por ejemplo: Fe-0.38C-0.9Cr-1.9Ni-0.35Mo).
Ilustre la nueva situacin (empleo del acero aleado) con el correspondiente diagrama TC
y las curvas de enfriamiento respectivas.
Seale los microconstituyentes estructurales a lo largo de la seccin del eje tras las nuevas
condiciones.
a) Para resolver correctamente el problema, es necesario dibujar inicialmente un croquis del diagrama TC de este tipo de aceros. Como se trata de un acero hipoeutectoide, su diagrama ser:
Ediciones Paraninfo
Como indican que la microestructura no es homognea en toda la seccin, las velocidades de

enfriamiento en cada una de las partes de la seccin no han de ser las mismas. Supongamos, por
ejemplo, las velocidades de enfriamiento siguientes:
129
Captulo 12
Superponindolas sobre el diagrama TC, de modo que coincidan con zonas lmites del diagrama, se obtiene aproximadamente:
Por tanto, entre las zonas 1 y 2 se formar nicamente martensita (misma dureza), en la regin
enfriada entre las curvas 2 y 3 habr una mezcla de F + P + M, con lo que habr una prdida de dureza. Por ltimo, en el centro de la pieza, regin enfriada entre las curvas 3 y 4, habr una mezcla de
F + P, alcanzndose la menor dureza.
Ediciones Paraninfo
b) La representacin de la curva de dureza-dimetro que se pide resulta:
130
Bloque 2
Para aplanar esta curva (lo que puede lograrse al tener durezas ms elevadas en el centro de la
seccin) debe incrementarse la cantidad de M en la regin entre las curvas 3 y 4. Para ello, hay dos
opciones: cambiar el tipo de acero y desplazar as su diagrama TC hacia la derecha (lo que no es
posible segn el enunciado pues no puede cambiarse de acero), o bien aumentar las velocidades de
enfriamiento en las diferentes regiones. Esta ltima es la opcin aecuada y, para ello, debemos aumentar la tasa de transferencia de calor, por ejemplo, agitando el aceite del bao. El resultado sera:
c) Al usar un acero aleado, el diagrama TC se desplazara hacia la derecha, y aparecera la regin de

bainita, con lo cual, manteniendo las mismas velocidades de enfriamiento que originalmente (temple en aceite sin agitar), el resultado sera:
Ediciones Paraninfo
Con ello, aparecera martensita en toda la seccin salvo en la regin 4 (centro) en la que habra F+P.
131
Captulo 12
12.12. Una aleacin binaria Fe-C que contiene el 2.5 % C es enfriada desde el estado lquido.
Dibuje las microestructuras resultantes en las siguientes situaciones:
a) La aleacin es enfriada rpidamente (al aire) hasta 850 C
b) La aleacin es enfriada lentamente hasta 850 C
c) La aleacin es enfriada lentamente hasta 850 C y, posteriormente, se enfra rpidamente
(al aire) hasta temperatura ambiente.
d) En esta ltima situacin, indique si habra algn cambio microestructural en caso de que la
aleacin contuviese un 0.06 % Mg.
Con este contenido en carbono, la aleacin es una fundicin frrea. Adems, a la temperatura de
850 C, esta aleacin va a estar en la regin bifsica entre las transformaciones eutctica y eutectoide.
Teniendo en cuenta lo anterior:

a) Como la aleacin se enfra rpidamente hasta 850 C, lo ms probable es que se de el diagrama
metaestable (Fe-Fe3C), con lo cual a esta temperatura tendremos austenita y cementita. Es decir,
obtendramos una fundicin blanca.
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b) Si la aleacin se enfra lentamente hasta 850 C, deberamos estar en codiciones de equilibrio,

por lo cual se promueve el diagrama Fe-C, y a dicha temperatura las fases seran austenita y grafito
con morfologa laminar. Tendramos una fundicin gris.
132
Bloque 2
c) El enfriamiento rpido hasta temperatura ambiente promovera de nuevo condiciones metaestables, con lo cual durante la transformacin eutectoide la austenita se transformar en perlita. El resultado final ser que tendremos una fundicin gris perltica.
d) Si la aleacin contuviese un 0.06 % Mg y adems su contenido de S fuese bajo (para asegurar as

que el Mg va a estar no combinado y por tanto podr actuar como agente nucleante), el grafito aparecer con morfologa esferoidal. Tendramos una fundicin esferoidal perltica. Ya sabe que, incluso con enfriamientos rpidos que promueven, a priori, la transformacin completa de austenita en
perlita, tambin suele aparecer la estructura de ojo de buey.
12.13. Considere un acero no aleado del 0.25 % C, en estado normalizado, y una fundicin
blanca del 2.5 % C. Ambos materiales se han calentado en atmsfera protectora a 910 C durante 24 h, tras lo cual se enfran lentamente en el horno hasta la temperatura ambiente.
a) Realice un dibujo de las microestructuras de los dos materiales de partida, sealando los
constituyentes estructurales.
b) Represente las microestructuras finales, tras el tratamiento, del acero y de la fundicin sealando sus microconstituyentes. Indique, adems, cmo se denominan los materiales finales
resultantes del tratamiento.
c) Calcule los porcentajes de los constituyentes estructurales del acero y de la fundicin as
tratados.
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a) El acero es de tipo hipoeutectoide, por lo que su microestructura ser:
133
Captulo 12
Por otra parte, la microestructura de una fundicin blanca es:
b) Si un acero con esta composicin se calienta en atmsfera protectora hasta 910 C, lo estamos
llevando a la regin austentica; es decir, lo estamos austenizando. El posterior enfriamiento lento
hasta temperatura ambiente (recocido) producir en primera instancia la precipitacin de ferrita, y
cuando se alcance la temperatura A1, convertir la austenita remanente en perlita. Como el periodo
de permanencia a 910 C es muy elevado (24 h), el tamao de grano de la austenita crecer bastante,
y ello originara colonias de perlita tambin muy grandes, lo cual empeora las propiedades mecnicas. Adems, las permanencias tan prolongadas a elevada temperatura no son recomendables por
favorecer la segregacin de impurezas siempre presentes en los aceros, como P y S, a los lmites de
grano.
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En cuanto a la fundicin blanca, la permanencia a 910 C la sita en la regin entre las transformaciones eutctica y eutectoide. Como la atmsfera es protectora, no se originar ningn tipo de
descarburacin (lo que dara lugar a una fundicin maleable europea), y como la temperatura se
mantiene un largo periodo, lo que cabe esperar es que la perlita se transforme en austenita y grafito,
que aparece en forma de rosetas (fundicin maleable americana). El posterior enfriamiento lento
promueve condiciones de equilibrio (diagrama Fe-C) con lo que la austenita pasa a formar ferrita y
ms grafito que engrosa las rosetas previamente formadas. Tendramos una fundicin maleable
(americana) ferrtica.
134
Bloque 2
c) Para calcular los porcentajes de los microconstituyentes en el acero, aplicamos la regla de la palanca justo por encima de A1, la cantidad obtenida de austenita se transformar posteriormente en
perlita.
0.77 0.25
100 69.52 %
0.77 0.022
F FPerlita
30.48 %
F (PE )
En el caso de la fundicin, los microconstituyentes son ferrita y grafito. No hara falta realizar
ninguna operacin, pero, para ser estrictos, aplicaramos la regla de la palanca a temperatura ambiente:
100 2.5
100 97.5 %
100 0
FCv 2.5 %
12.14. Considere una pieza de 10 g acero ordinario del 0.35 % C recocido y otra pieza de 100 g
de una fundicin gris perltica obtenida por enfriamiento en molde de arena hasta la temperatura ambiente.
a) Dibuje las microestructuras finales de estos dos materiales frreos, con indicacin de fases y
constituyentes.
b) Determine el porcentaje de carbono de la fundicin sabiendo que la cantidad de cementita
en este material es 2.85 veces la cantidad de ferrita en la perlita de la pieza de acero.
a) Por tratarse de un acero hipoeutectoide, su microestructura (con fases ferrtica y cementita) resultar con los constituyentes indicados en la figura:
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En cuanto a a la fundicin (con fases ferrtica, grafito y cementita) sus constituyentes resultan:
135
Captulo 12
b) Calculemos en primer lugar la cantidad de ferrita en la perlita de la pieza de acero, para ello
restaremos a la cantidad total (calculada a 25 C) la ferrita preeutectoide (calculada a 728 C):
F
F (Total) F (PE')
(Perlita)
F
(Total)
F (PE')
6.69 0.35
100 94.76 %
6.69 0
0.77 0.35
100 56.15 %
0.77 0.022
Por tanto, el porcentaje de en la perlita ser igual a 94.76 56.15

38.61% . Como la pieza de
acero es de 10 g, resultar una cantidad de 3.86 g de .
Por otra parte, para la fundicin gris perltica, por debajo de la temperatura A1 se dan
condiciones metaestables.
La cantidad de perlita que contendr la fundicin ser igual a la de la austenita previa a la
transformacin eutectoide, que calculada en funcin de la composicin C, resulta (como la
fundicin es gris perltica, suponemos en el clculo que la composicin del eutctico es del 0.77 %):
F FPerlita
100 C
100
100 0.77
La cantidad de FeC en la fundicin sera la que aparece en la perlita, que puede calcularse
segn F
FPerlita f Fe3C(Perlita) , con el porcentaje de cementita en la perlita calculado segn:

Fe3C
f Fe3C(Perlita)
0.77 0.022
0.1121
6.69 0.022
Por tanto, para 100 g de fundicin tendremos que, la cantidad de Fe3C, resulta del producto:
m(Fe3C) FFe3C
100 C
100 0.1121 g
100 0.77
100 C
100 0.1121 2.85 3.86 11.001 C 2.59 %
100 0.77
136
Ediciones Paraninfo
Y, adems, como segn el enunciado mFe3C (fundicin)

2.85 m _perlita (acero) , se tiene que:
Bloque 2
12.15. Una muestra de una aleacin Al-Cu, tras ser pulida, se ha estudiado mediante anlisis
de imagen. A partir de la porcin de superficie estudiada, se ha determinado que los poros
tienen geometra esferoidal y tamao muy uniforme, con un radio medio de 12 m. Adems,
se ha determinado que las partculas de precipitado (Al2Cu) ocupan el 5 % de la superficie
estudiada. Por otra parte, se ha pesado y medido la muestra y se han obtenido unos valores de
22.16 g y 8 cm3. Determine la composicin de la aleacin y el nmero de poros en la muestra.
Datos: (Al) = 2.7 g/cm3 y (Al2Cu) = 4.35 g/cm3. Suponga que no hay nada de Cu en solucin
slida.
Partiendo de la forma del diagrama de Al-Cu, la aleacin buscada tendr una composicin que
denominaremos x.
Es conocido que si el nmero de caractersticas (poros, precipitados, etc,) presentes en una

muestra es elevado y su distribucin en aleatoria, se cumple que: Porcentaje rea = Porcentaje
volumen.
Supongamos 100 cm3 de muestra. Entonces, el 5 % de esta cantidad, 5 cm3, sern de precipitados, lo que corresponde a una masa:
V prec (5 cm3 ) =
m prec
prec
) 21.75 g
m prec (5 cm3 ) prec (5 cm3 ) (4.35 g cm 3
Por otra parte, para esos mismos 100 cm3:
aleacin
m prec mmatriz
(21.75 g) + mmatriz
maleacin (22.16 g)
g
2.77
3
3
Valeacin
(8 cm )
cm V poros V prec Vmatriz
(100 cm3 )
mmatriz (2.77 g cm 3 ) (100 cm 3 ) (21.75 g) 255.25 g
Y por tanto:
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matriz
mmatriz
matriz
(255.25 g)
94.54 cm 3
(2.7 g cm 3 )
As pues:
137
Captulo 12
FAl2Cu
m prec
100
m prec mmatriz
(21.75 g)
100 7.85 %
(21.75 g) (255.25 g)
Aplicando la regla de la palanca a 25 C, calculamos el contenido de precipitado para la aleacin de composicin x, e igualando con el valor anteriormente obtenido, resulta:
FAl
2 Cu
x0
x 4.21% Cu
100
7.85 %
53.7 0
Determinemos ahora el nmero de poros en la muestra, N:

m prec mmatriz
g
aleacin 2.77
3
cm
V poros V prec Vmatriz
Vporos
m prec mmatriz
-3
(2.77 g cm )
Vprec
Vmatriz
(21.75 g) (255.25 g)
cm3 ) 0.46 cm3
(5 cm3 ) (94.54
-3
(2.77 g cm )
Otra forma ms simple de calcular lo anterior sera:
Vporos 100 Vprec Vmatriz 100 (5 cm3 ) (94.54 cm3 ) 0.46 cm3
Los datos de que los poros son esferoidales, y que R 12 m 12 10 4 cm , sirven finalmente para
calcular:
V poros 0.46 cm 3
4
R3 N
3
N 63551301 poros 6 10 7 poros
12.16. En determinadas condiciones, la slice SiO2 (TF = 1 726 C) y la almina Al2O3 (TF =
2 054 C) forman un compuesto intermedio denominado mullita 3(Al2O3) 2(SiO2). Este aparece mediante un proceso de fusin incongruente, a la temperatura de 1 890 C, a partir de
Al2O3 y un lquido de composicin del 65 % molar de Al2O3. A la temperatura de 1 587 C, la
mullita forma con la slice un eutctico que contiene un 5 % molar de Al2O3.
a) Dibuje el diagrama de fases SiO2- Al2O3 de forma aproximada en funcin del porcentaje
molar de Al2O3.
b) Un material cermico refractario puede obtenerse al calentar la materia prima caoln y
eliminar as el agua de hidratacin a travs de la reaccin:
Realice el anlisis de fases del material refractario obtenido y dibuje la microestructura a

temperatura ambiente.
c) Sabiendo que la mullita no es realmente un compuesto estequiomtrico, sino una solucin
slida que se extiende entre el 60 % y el 64 % molar de Al2O3, indique qu tipo y cantidad de
defectos puntuales debe contener el material con un 64 % de Al2O3 respecto al de composicin
estequiomtrica (60 % molar de Al2O3).
138
Ediciones Paraninfo
C
Al2(Si2O5) (OH)4 1450
(Al2O3)2(SiO2) + 2 H2O
Bloque 2
a)
b) La reaccin mencionada en el enunciado puede descomponerse como:
Al2 (Si 2 O5 )(OH)4 Al2 O32SiO22H 2 O

Al2 O32SiO22H 2O Al2O32SiO2 +2H 2O
La composicin del material resultante expresada en porcentaje molar de Al2O3 ser:
FAl2 O3
1 mol Al 2 O 3
1
100
100 33.3% molar
1 mol Al 2 O 3 2 moles SiO 2
1 2
Para esta composicin, y a 1 450 C, el material se encuentra en la regin bifsica SiO2 + mullita. Para calcular las proporciones de las fases, necesitamos conocer la composicin de la mullita (%
molar de Al2O3); es decir, debemos definir completamente el diagrama:
3 moles Al2O3
3 moles Al2 O3
FAl2O3
100 60%
1 mol mullita
3 moles Al2O3 2 moles SiO2
2 moles SiO2
Por tanto, las composiciones de las fases resultan: SiO2 (0 % Al2O3) y mullita (60 % molar Al2O3),
con ello, aplicando la regla de la palanca, obtendremos las proporciones de las fases:
60 33.3
100 44.5 %
60 0
33.3 0
Fmullita
100
55.5 %
60 0
F
SiO 2
Ediciones Paraninfo
Por ltimo, la microestructura a temperatura ambiente estar formada por granos de mullita
preeutctica y eutctico (cristobalita+mullita):
139
Captulo 12
Ediciones Paraninfo
c) Los cristales reales presentan defectos, uno de ellos se refiriere a tomos de impureza sustitucional: un tomo ocupa un nudo de la red distinto al que originalmente deba ocupar. En el caso de la
mullita del 64 % molar en Al2O3, se produce la sustitucin de iones SiO4+ por Al3+, de manera que
3 SiO4+ se sustituyen por 4 Al3+.
140
La escala macroscpica
de los materiales
Propiedades macroscpicas
BLOQUE
Captulo 13
Propiedades mecnicas de los materiales. Elasticidad
Captulo 13
13.1. Suponga una probeta metlica de seccin circular de 10 mm de dimetro y 60 mm de
longitud que, al aplicarle un carga de 50 kN, se alarga elsticamente 0.62 mm. Calcule el mdulo de Young e indique qu material podra ser.
El mdulo de Young se define como E = s/e, por lo que ser necesario conocer el valor del esfuerzo
actuante y la deformacin del material. Estos se calculan como:
A0
(50 000 N)
636.62 MPa
2
10 mm
2
l (0.62 mm)
0.0103
e
l0
(60 mm)
Por tanto:
(636.62 MPa)
61807.77
MPa 61.8 GPa

(0.0103)
De acuerdo a la Tabla 13.1 podra tratarse de una muestra de aluminio puro.
13.2. En la grfica correspondiente al ensayo de traccin de un material metlico, se observa

que la zona elstica termina cuando se aplica un esfuerzo de traccin de 400 MPa y que el ngulo formado por la zona elstica con el eje X de la grfica es de 87.14 (tngase en cuenta que
la representacin se hace de forma que una deformacin de 0.1 es grficamente equivalente a
1 000 MPa). Determine el mdulo de Young del material ensayado e indique de qu material
podra tratarse.
El mdulo de Young se corresponde con la pendiente de la grfica s-e, si bien dicho ngulo depender de las escalas en la que se hayan representado los ejes. En todo caso E = s/e, por lo que, calculando en el lmite elstico:
s (400 MPa)
e
e
Para determinar la deformacin en el lmite elstico, y considerando los cuatro rdenes de

magnitud de diferencia en la representacin de los ejes X e Y:
Y por tanto:
142
s
(400 MPa)
e
e
4
10
10 4
e 0.002
Ediciones Paraninfo
tan (87.14 ) 20.02
La escala macroscpica de los materiales
Bloque 3
(400 MPa)
200
000 MPa 200 GPa
(0.002)
De acuerdo a la Tabla 13.1 podra tratarse de una muestra de hierro, nquel, o alguna de sus respectivas aleaciones.
13.3. Una probeta de acero (E = 207 GPa y = 0.33) de 10 mm de dimetro se somete a deformacin elstica mediante una carga de traccin. Determine qu fuerza ser necesario aplicar para obtener una reduccin en su dimetro de 0.003 mm.
De acuerdo con la Expresin (13.5), etrans elong , por lo que la deformacin longitudinal que
debe sufrir la probeta ser:
elong
d
(0.003 mm)
d0
(10 mm)
0.0009
(0.33)
y para obtener dicha deformacin longitudinal, ser necesario un esfuerzo:
s
E
(207 GPa) (0.0009)
0.186 GPa
186 MPa
de donde:
2
(10 mm)
F s A0 (186 MPa)
14 608.4 N
2
13.4. Un bloque de una aleacin de aluminio (G = 26 GPa y = 0.33) de 101010 mm se somete a deformacin elstica mediante una carga tangencial en dos de sus caras paralelas.
a) Calcule qu fuerza ser necesario aplicar para obtener una deformacin de 0.1 mm en la
cara donde se aplica la fuerza.
b) Determine el mdulo de Young del material.
a) De acuerdo con la Expresin (13.6), y teniendo en cuenta la definicin de dada por la Expresin
(13.7):
G (26 GPa)
(0.1 mm)
0.26 GPa 260 MPa
(10 mm)
Dado que la superficie donde se aplica el esfuerzo es una de las caras del bloque, por tanto con
un rea de 100 mm2, la fuerza necesaria ser de 26 000 N = 26 kN.
Ediciones Paraninfo
b) Segn la Expresin (13.9):
143
Captulo 13
2(1 )
E 2(1 )G 2 1 (0.33) (26 GPa) 69.16 GPa
13.5. Determine la profundidad a la que el agua (K = 2.2 GPa) ocupa un volumen un 1 % menor del que tiene en la superficie.
A partir de la definicin del mdulo de compresibilidad, Expresin (13.8), se sabe que la presin
necesaria para dicha reduccin de volumen ser:
P K
V
(2.2 GPa) ( 0.01) 0.022 GPa 22 MPa
V0
Como por cada 10 m de profundidad la presin se incrementa en aproximadamente 0.10 MPa, ser
necesaria una profundidad aproximada de 2 200 m para obtener dicha reduccin de volumen.
13.6. Encuentre una expresin que permita relacionar las constantes elsticas E, K y G.
Dado que las Expresiones (13.9) y (13.10) tienen una variable comn, , puede despejarse de ambas ecuaciones e igualar los resultados:
1
2G
1 E
2 6K
Igualando ambas expresiones, se llega finalmente a que:
9KG
G 3K
13.7. Extienda la Expresin (13.19) a un sistema multifsico y encuentre la expresin de la

densidad de un sistema multifsico conociendo las densidades individuales (i) y sus correspondientes fracciones msicas(i).
Considerando quei son las densidades de las distintas fases y queison sus correspondientes fracciones volumtricas, entonces la extensin de la Expresin (13.19) es inmediata:
i i
con i 1 .
Ediciones Paraninfo
144
Bloque 3
Por otra parte, para obtener la expresin en funcin de las fracciones msicas, la masa de cada
fase se calcula como:
mi Mi
siendo M la masa total.
Por otro lado, el volumen total del sistema resulta:
M i
mi
M
i
y, como por definicin, M V :

1
i i
V i
13.8. Suponga una aleacin formada por una matriz de fase en la que se distribuye un 5 %
en masa de otra fase . Estime el valor del mdulo de Young para dicha aleacin.
Datos: E= 62 GPa, E = 110 GPa, = 2.7 g/cm3 y = 8.5 g/cm3
Al no tener ninguna informacin acerca del modo en que las partculas de se distribuyen en la
matriz, solo podremos concluir que el mdulo de Young de la aleacin estar comprendido entre los
valores que arrojen las Expresiones (13.23) y (13.25):
E E E
E -1 E 1 E 1
y
Calculemos en primer lugar las fracciones volumtricas de ambas fases.

V
V
1
Supongamos 1 kg de aleacin, de los que 0.95 kg sern de , por tanto:

m
V
m m
V
(0.95 kg)
(2 700 kg m 3 )
0.983
(0.95 kg)
(0.05 kg)
(2 700 kg m 3 ) (8500 kg m 3 )
Ediciones Paraninfo

1
1 0.983 0.017
El mdulo de Young estar comprendido, por tanto, entre:
E E E (0.983) (62 GPa) (0.017) (110 GPa) 62.82 GPa
145
Captulo 13
E 1 E 1 E 1 (0.983) (62 GPa) 1 (0.017) (110 GPa)1 1.6 102 GPa 1 E 62.46 GPa
13.9. Se ha estudiado la velocidad de propagacin del sonido en una pieza de acero de 30 mm

de espesor ( = 7.87 g/cm3) y ha resultado que se detectan los ecos por el emisor-receptor de
ultrasonidos al cabo de 1.16010-5 y 1.87510-5 s para las ondas longitudinales y transversales,
respectivamente. Determine el mdulo de elasticidad y de rigidez del acero estudiado y comprelo con los obtenidos por otras tcnicas: 211 GPa y 82 GPa, respectivamente.
La velocidad de transmisin del sonido en el bloque de acero, considerando que la distancia a recorrer por las ondas es de 60 mm, resulta:
(0.06 m)
5172.4 m / s
(1.160 10 5 s)
(0.06 m)
3200 m / s
v ST
(1.875 10 5 s)
v SL
Por otra parte, las constantes elsticas pueden determinarse, de acuerdo a las Expresiones (13.31) y
(13.32), mediante:
E v SL 2 (5172.4 m s 1 ) 2 (7870 kg m 3 ) 210.55 GPa

G v ST2 (3200 m s 1 )2 (7870 kg m 3 ) 80.59 GPa
Valores que, como puede comprobarse, son muy cercanos a los obtenidos por otras tcnicas.
13.10. Se dispone de una probeta de seccin rectangular de dimensiones 58 mm y longitud

50 mm. Se somete a un ensayo de traccin y, en la zona de rgimen elstico, se ha medido que
su alargamiento es de 0.3 mm cuando la carga es de 49.5 kN. Indique qu flecha tendra una
probeta idntica del mismo material si se la colocase entre dos apoyos (paralelos a la dimensin de 8 mm) separados 40 mm y se aplicase en el punto medio una fuerza de 20 kN.
Con los datos conocidos del ensayo de traccin podemos calcular el mdulo de Young del material.
F
(49 500 N)
1237.5 MPa
A0 (5 10 3 m) (8 10 3 m)
l (0.3 mm)
0.006
e
l0
(50 mm)
Ediciones Paraninfo
Por tanto:
146
Bloque 3
s (1237.5 MPa)
206 250 MPa 206.25 GPa

e
(0.006)
La Expresin (13.30a) relaciona el mdulo de Young con la flecha en un ensayo de flexin

transversal, que son justo las condiciones de esfuerzo a las que se pretende someter a la probeta, por
tanto:
L30 F
4ab3
Despejando la flecha y sustituyendo valores:
L30 F
(40 103 m)3 (20000 N)
1.55 103 m
3
3
4ab E 4 (8 10 m) (5 103 m)3 (206 250 106 Pa)
Ediciones Paraninfo
147
Captulo 14
Propiedades mecnicas de los materiales. Plasticidad
Captulo 14
14.1. Una gra dispone de un conjunto de 8 cables para sostener las cargas que debe transportar. Los cables tienen un dimetro de 7 mm y son de un acero con un lmite elstico de
250 MPa y una resistencia real mxima de 540 MPa. Calcule la carga mxima que puede
transportar considerando un factor de seguridad de 1.3.
Para que los cables puedan seguir utilizndose en ms ocasiones, hemos de asegurar que no se sobrepasa el lmite elstico, de modo que no sufran deformacin permanente. Por ello, el factor de
seguridad debe aplicarse sobre el lmite elstico:
smax
sLE
(250 MPa)
192.31 MPa
factor seg .
1.3
La fuerza que produce ese esfuerzo mximo es:

2
(7 103 m)
F
smax
A0 (192.3110 Pa)
7 400.95 N
max
2
Como se dispone de 8 cables, la carga mxima que podr colgarse en la gra ser:
Ftotal
8 Fmax
8 (7 400.95 N)
59 207.6 N
14.2. En el ensayo de traccin de una probeta, con seccin circular de dimetro 5 mm y longitud inicial de 40 mm, se ha obtenido que la fuerza aplicada correspondiente al punto del lmite
elstico es de 7 kN y, en ese instante, la probeta meda 40.1 mm. Adems, la muestra ha roto,
dentro de la regin de deformacin plstica uniforme, para un valor mximo de carga de
10 kN. La medida de las dos porciones de la probeta una vez rota da como resultado una longitud de 60 mm. Determine el esfuerzo y la deformacin en el lmite elstico y en la rotura,
empleando variables reales e ingenieriles. Discuta los resultados obtenidos.
Calculemos primero los valores de esfuerzo y deformacin ingenieriles en el lmite elstico.
s
LE
A0
(7 000 N)
356.51 MPa
2
(5 103 m)

l (0.1 mm)

0.0025
eLE
l0
(40 mm)
LE ln 1 eLE ln 1 (0.0025) 0.00249
LE sLE 1 eLE (356.51 MPa) 1 (0.0025) 357.4 MPa
148
Ediciones Paraninfo
En variables reales, de acuerdo a las Expresiones (13.12), deformacin y esfuerzo resultan:
Bloque 3
valores que, como era de esperar, son muy similares a los ingenieriles, ya que hasta el lmite elstico, la deformacin es muy pequea.
Veamos ahora qu sucede para la rotura. En variables ingenieriles, el esfuerzo resulta:
s
M
A0
(10 000 N)
509.3 MPa
2
(5 10 3 m)

Para calcular la deformacin ingenieril mxima hay que tener en cuenta que la medida de la
longitud de la probeta no se ha realizado cuando estaba cargada, sino que se ha hecho una vez rota.
Es decir, ha sufrido un proceso de recuperacin elstica durante su descarga. De modo que si lo que
se quiere es calcular eM , habr que sumar dicha deformacin elstica:
eM
lrota
(20 mm) (0.1 mm)
eLE
0.5 0.0025 0.5025

l0
(40 mm) (40 mm)
En cuanto a las variables reales, como indica el enunciado, la rotura se produce en el tramo de
deformacin uniforme, por lo que no se producir estriccin, o lo que es lo mismo, sigue siendo
vlida la hiptesis de que el volumen del material se conserva, y puede seguir usndose las relaciones dadas por las Expresiones (13.12) entre variables reales e ingenieriles. La deformacin y esfuerzo reales son:
M ln 1 eM ln 1 (0.5025) 0.407
M sM 1 eM (509.3 MPa) 1 (0.5025) 765.22 MPa

Como no se ha producido estriccin, los valores de deformacin real e ingenieril, pese a diferir,
son todava relativamente prximos. Esto no sucede en el caso de los esfuerzos.
Ediciones Paraninfo
14.3. Las dos grficas de la figura adjunta muestran las curvas esfuerzo-deformacin en variables ingenieriles y reales para un mismo material sometido a ensayos de traccin y compresin. Explique por qu las curvas ingenieriles de traccin y compresin no coinciden, como s
ocurre con las curvas en variables reales.
149
Captulo 14
Como puede observarse en la grfica de la izquierda, las curvas de traccin y compresin en

trminos de variables ingenieriles no son una la imagen de la otra. Es lgico que as sea puesto que
durante el ensayo de traccin tiene lugar un fenmeno que no tiene equivalente en el de compresin: la formacin del estrangulamiento.
En cambio, si las variables empleadas son reales (grfica de la derecha), y siempre que se haya
logrado evitar el problema del abarrilamiento durante el ensayo de compresin y se haya monitorizado la estriccin del cuello durante el ensayo de traccin, las dos curvas sern completamente simtricas.
14.4. Determine el esfuerzo ingenieril para el que comenzar a producirse la estriccin en un
material del que se conoce que, cuando se ensaya a traccin una probeta de 50 mm de longitud y 6 mm de dimetro, el lmite elstico se alcanza con una carga de 2 118 N y que su mdulo de Young es de 62 GPa. Adems, se sabe que, antes del estrangulamiento, cuando el esfuerzo real es de 181.33 MPa, la deformacin real vale 0.1.
El esfuerzo ingenieril que se pide, justo antes del estrangulamiento, es el correspondiente al esfuerzo mximo. Este esfuerzo est asociado a una deformacin que podemos conocer a travs de la
ecuacin de Hollomon, Expresin (14.3):
k n
ya que segn la Expresin (14.12), se cumple que el exponente n es precisamente el valor de dicha
deformacin real:
n M
Lo primero pues es determinar los parmetros que gobiernan el comportamiento plstico en este material, y para eso el enunciado proporciona datos de dos puntos (uno es el lmite elstico, y el
otro es un valor antes del estrangulamiento; es decir, en la zona plstica uniforme).
Determinemos inicialmente el esfuerzo y la deformacin ingenieriles para el lmite elstico:
A0
s
LE
(2118 N)
74.909 MPa
2
(6 103 m)

Como en la zona elstica E e

eLE
(74.909 MPa)
0.00121
E (62 103 MPa)
En variables reales, el esfuerzo y deformacin seran:
LE ln 1 eLE ln 1 (0.00121) 1.209 103
Ediciones Paraninfo
LE sLE 1 eLE (74.909 MPa) 1 (0.00121) 75 MPa
150
Bloque 3
Particularizando la ecuacin de Hollomon para dos valores de esfuerzo-deformacin, y dividiendo:
2 k 2n
1 k 1n
2
2n
2
ln
ln
n n ln
1
1
1
Por tanto, despejando y sustituyendo podremos determinar n:

(181.33 MPa)
ln 2 ln
1
(75 MPa)
0.2
n
2
(0.1)
ln ln
3
(1.209 10 )
1
Para conocer completa la ecuacin de Hollomon de este material, solo resta calcular k:
(181.33 MPa)
287.39 MPa
(0.1)(0.2)
n
Por tanto, la ecuacin de Hollomon resulta:
287.39 0.2
As pues, la deformacin real justo antes del estrangulamiento ser:
M n 0.2
y el esfuerzo real asociado a dicha deformacin:
M 287.39 0.2 208.29 MPa

0.2
Como piden calcular el esfuerzo ingenieril:
ln 1 e e
exp M
1 exp (0.2)
1 0.221
M
s 1 e sM
Ediciones Paraninfo
1 eM
(208.29 MPa)
170.59 MPa
1 (0.221)
14.5. Se conoce que la tenacidad y la resiliencia de un determinado material muy dctil valen
70 MPa y 0.6 MPa, respectivamente. Sabiendo, adems, que el esfuerzo ingenieril mximo es
de 400 MPa y que la deformacin ingenieril a la fractura es de 0.2, estime el valor de su mdulo de Young.
151
Captulo 14
Al indicar que el material es muy dctil, podemos suponer que la tenacidad puede aproximarse
por la Expresin (14.16):
T sLE eF 12 sM sLE e
F
sLE sM eF
1
2
Despejando el lmite elstico y sustituyendo valores:

sLE
2T
2 (70 MPa)
sM
(400 MPa) 300 MPa
(0.2)
eF
Por otra parte, la resiliencia se expresa, de acuerdo a la Expresin (14.15), como:
1
2
sLE eLE
1
2
2
E eLE
1
2
2
LE
De modo que podemos despejar el valor de E :

2
2
1
1
E
75 103 MPa
75 GPa
2 sLE R
2 (300 MPa) (0.6 MPa)
14.6. Se ha ensayado a traccin un monocristal de un material y se ha obtenido un valor de

95 MPa de lmite elstico. Una pieza del mismo material, pero esta vez con estructura policristalina, se ha ensayado tambin a traccin y se ha alcanzado un valor ms alto del lmite elstico, 115 MPa. Por ltimo, se ha ensayado, tambin a traccin, una segunda muestra policristalina del mismo material y se ha obtenido 125 MPa de lmite elstico. Calcule la relacin existente entre los tamaos de grano de las dos muestras policristalinas.
La ecuacin de Hall-Petch, Expresin (14.18), permite relacionar el lmite elstico de un material

policristalino con su tamao de grano:
LE i k D
proporcionando el enunciado el valor i = 95 MPa, que se corresponde con el lmite elstico del
material en forma monocristalina.
Adems, planteando la ecuacin de Hall-Petch para el ensayo de la primera muestra policristalina, se obtiene que:
LE ,1
i k D1
i k D1
2
LE ,1
Igualmente, para la segunda de las muestras policristalinas:
i
k D2
2
LE ,2
Ediciones Paraninfo
Dividiendo entre s ambas ecuaciones se elimina el parmetro k:
152
LE ,1
LE ,2
Bloque 3
D2
D1
y sustituyendo valores:
D2
D1
(115 MPa) (95 MPa)
2
(125 MPa) (95 MPa)
2
0.44
14.7. Se conoce que el esfuerzo tangencial crtico que activa la deformacin en un monocristal
de 2 mm dimetro es de 21.3 MPa y que eso sucede cuando la direccin de aplicacin de la
carga sobre el monocristal forma un ngulo de 60 con la normal al plano de deslizamiento, y
de 35 con la direccin de deslizamiento. Determine:
a) Si se produce deformacin al aplicar una fuerza de 153 N.
b) En caso contrario, calcule cul sera la fuerza necesaria para conseguirlo.
a) Segn la ley de Schmid, Expresin (14.23):
cos cos
En este caso c = 21.3 MPa, = 60 y = 35
Despejando se obtiene el esfuerzo normal crtico que produce deformacin:
c
(21.3 MPa)
52 MPa
cos cos cos 35 cos 60
El esfuerzo aplicado con la fuerza de 153 N resulta:
(153 N)
48.7 MPa 52 MPa

2
(2 103 m)

por lo que no se producir deformacin.

b) Para conseguir deformacin debe alcanzarse el valor de 52 MPa, por tanto:
2
(2 10 3 m)
Fc c A (52 10 Pa)
163.36 N
2
Ediciones Paraninfo
14.8. Suponga un monocristal con estructura CCC al que se aplica un esfuerzo de traccin de
7.5 kPa en la direccin [432]. Si el sistema de deslizamiento ms favorablemente orientado es
el formado por el plano (111) y la direccin [110], indique cul ser la componente tangencial
de la fuerza de traccin sobre dicho sistema.
153
Captulo 14
Dicha componente tangencial sobre el plano (111) puede calcularse a partir de la ley de Schmid,
Expresin (14.23):
cos cos
El ngulo es el formado entre la direccin del esfuerzo de traccin y la normal al plano considerado. Dicho ngulo se calcula fcilmente recordando que en los cristales cbicos se cumple que la
direccin normal a un plano tiene los mismos ndices que dicho plano. De modo que es el ngulo
entre las direcciones [432] y [111]. Adems, el coseno del ngulo entre estas dos direcciones se
calcula a travs de su producto escalar:

a b | a | | b | cos cos

a b

| a ||b |
4 1 3 1 2 1
2
4 3 2 1 1 1
9
29 3
El ngulo es el formado entre la direccin del esfuerzo de traccin y la direccin contenida en el

plano considerado; es decir, [432] y [110]. De nuevo, su coseno se calcular como:

a b
cos

| a || b |
4 1 3 1 2 0
4 32 22 12 12 02
2
7
29 2
Sustituyendo, el esfuerzo tangencial ser:
cos cos (7 500 Pa)
9
7
6 651.63Pa
29 3 29 2
14.9. Estime el incremento que se produce en el esfuerzo tangencial crtico cuando, en una
pieza de nquel (G = 76 GPa), se consigue que el espaciado promedio de las dislocaciones pase
de valer 10-4 a 310-6 m. Indique cmo se denomina este tipo de endurecimiento.
Datos: Considere que el valor medio del vector de Burgers no cambia con la deformacin y
vale 0.25 nm.
Como en el material se produce una notable reduccin en el espaciado entre dislocaciones, lo que
est sucediendo es un importante incremento del nmero de estas. Para lograr esto, es lgico pensar
que el mecanismo de endurecimiento dominante sea la deformacin en fro.
En estas circunstancias, el esfuerzo tangencial crtico sera la suma de la contribucin intrnseca
y la del trmino de endurecimiento por deformacin.
C I DF
Por tanto, de acuerdo a la Expresin (14.33), el incremento conseguido en el esfuerzo tangencial
crtico, entre las dos situaciones planteadas, ser:
El espaciado promedio entre dislocaciones puede estimarse como:
154
Ediciones Paraninfo
C I DF 0 DF 12 G b d ,2 12 G b d ,1
d 2
Bloque 3
d 2
Sustituyendo:
2
2
d
(104 m)
108 dislocaciones m2
,1
1
d ,1
22
(3 106 m)2
1.111011 dislocaciones m2
Por tanto:
C 12 G b
d ,2 d ,1
9
1
m)
2 (76 000 MPa) (0.25 10
(1.11 1011 m 2 ) (108 m 2 )

3.07 MPa
14.10. Una aleacin de titanio est reforzada por dispersin de partculas con geometra esferoidal que ocupan un 5 % del volumen total. Estime el radio de las partculas de refuerzo sabiendo que producen un sobreesfuerzo de 11 MPa con respecto a la aleacin sin dichas partculas.
Datos: para la matriz, LE = 350 MPa, b = 0.4 nm, G = 38 GPa y E = 0.16 J/m2.
Segn el enunciado se trata de un mecanismo de endurecimiento por partculas, pero se desconoce

qu tipo de mecanismo, Orowan o corte de partculas. Sin esta informacin no puede estimarse el
radio de los precipitados. Para discernir de qu mecanismo se trata, se determinar cul es el valor
del radio crtico que separa un mecanismo del otro (para valores por debajo del crtico el mecanismo actuante ser el corte de partculas), por lo que de acuerdo a la Expresin (14.45):
r
c
G b2 (38 109 N m2 ) (0.4 109 m)2
38 109 m
(0.16 N m 1 )
E
Supongamos inicialmente que el mecanismo actuante es el de Orowan, el sobreesfuerzo provocado sera, de acuerdo con la Expresin (14.43):
DO
Gb
r
Gb
DO
Sustituyendo:
rOrowan
(38 109 N m 2 ) (0.4 109 m) (0.05)

30.9 109 m
(11106 Pa)
Ediciones Paraninfo
Dado que rOrowan rc este no puede ser el mecanismo que est actuando. Es decir, las partculas son
excesivamente pequeas como para que las dislocaciones las puedan bordear sin cortarlas.
Supongamos ahora que las partculas pueden ser cortadas, el sobreesfuerzo provocado sera, de
acuerdo con la Expresin (14.41):
155
Captulo 14
DC
r E2
G b3
DCG b3
E2
Sustituyendo de nuevo:
DCG b3 (11106 Pa) (38 109 N m2 ) (0.4 109 m)3
4.7 109 m
(0.16 N m1 )2 (0.05)
E2
En este caso s hay coherencia en los resultados, de modo que las partculas son ms pequeas que
el tamao crtico que activa el mecanismo de Orowan. Adems, el corte de las partculas de refuerzo es capaz de producir el incremento en el esfuerzo indicado en el enunciado.
14.11. (Avanzado: necesitar leer la Adenda de este captulo para poder resolver). Un penetrador Vickers (ngulo entre caras opuestas = 136) produce una huella de 0.3 mm de profundidad en un material tras aplicar una carga de 800 kgf.
a) Calcule la dureza Vickers de este material.
b) Si el mismo material es sometido a un ensayo de dureza Rockwell C, se obtiene un valor de
32. Calcule la profundidad alcanzada por el penetrador durante la aplicacin de la carga
inicial sabiendo que la profundidad alcanzada por el mismo tras la retirada de la sobrecarga
ha resultado ser de 0.140 mm. (Recuerde que la medida de la dureza Rockwell C se establece
sobre una distancia de referencia de 0.2 mm y se mide en una escala de 100).
a) La dureza Vickers se define como:
HV
Carga
Superficie huella
con la superficie de la huella dada por:
4 2 xy 4 xy
2
0.3
; y = 0.8 mm
cos 68
y
x
tan 68
; x = 0.74 mm
0.3
Sustituyendo:
HV
(800 kgf )
337.8 kgf mm 2
4 (0.74 mm) (0.8 mm)
Ediciones Paraninfo
b) Segn el enunciado, un esquema del ensayo de dureza Rockwell descrito sera el siguiente:
156
Bloque 3
De acuerdo a la geometra del esquema anterior, puede obtenerse el valor de x:
Ediciones Paraninfo
100 32
x (0.140 mm) (0.2 mm)
0.140 mm 0.136 mm 0.004 mm
100
157
Captulo 15
Propiedades mecnicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad
Captulo 15
Propiedades mecnicas de los materiales.
Termofluencia y viscoelasticidad
15.1. Dibuje la grfica -t que resultara de un ensayo de termofluencia realizado para una
temperatura < 0.4TF.
Dado que la temperatura no es lo suficientemente alta, no se producir deformacin con el paso del
tiempo, salvo la que tenga lugar al comienzo de la aplicacin del esfuerzo, por tanto:
15.2. Una aleacin metlica debe trabajar a una temperatura de 575 C durante largos periodos de tiempo soportando un esfuerzo de 105 MPa. Ensayos de termofluencia en este material
han constatado que, en rgimen estacionario y a esa misma temperatura, se produjo una deformacin de 0.08 tras 200 h cuando el esfuerzo aplicado era de 300 MPa, y una deformacin
de 0.04 tras 1050 h a 205 MPa. Determine el tiempo para el que se asegura una deformacin
inferior al 0.15 %.
Dato: F 50 GPa
Empleando la ley potencial de la termofluencia, Expresin (15.3):
m
Q
S A F exp C
RT
Como la temperatura es una constante en todos los ensayos realizados, el trmino exponencial
tambin lo ser. De modo que la expresin anterior puede escribirse como:
A* F
S
(1)
donde A* es una constante que engloba la anterior A y al trmino exponencial.

Segn los datos del problema, se sabe que:
Con un esfuerzo de 1 300 MPa
S ,1
158
Con un esfuerzo de 2 205 MPa
(0.08)
4 10 4 h 1
(200 h)
Ediciones Paraninfo
S ,2
Bloque 3
(0.04)
3.81 10 5 h 1
(1050 h )
Particularizando la ley potencial de la Expresin (1) para ambas parejas de valores, y dividiendo entre s las expresiones obtenidas, se ha de cumplir que:
S ,2 2m
S ,1 1m
Tomando logaritmos, despejando y sustituyendo, se puede obtener el valor de m:
5

h 1 )
ln S ,2 ln (3.8110
S ,1

(4 104 h 1 )
ln S ,2
6.175
m ln 2 m

2
(205 MPa)
1
S ,1
ln
ln
(300 MPa)
1
El valor de A* puede determinarse a partir de una de las parejas de valores:
A*
m
F
(3.81 105 h 1 )
(205 MPa)
(50 10 MPa)
3
2.099 1010 h 1
(6.175)
Cuando el esfuerzo aplicado es de 105 MPa, la velocidad de deformacin resulta:
S
A* F
(2.099 1010 h 1 ) (105 MPa) (50 103 MPa)
m
(6.175)
6.12 107 h 1
y para que la deformacin sea inferior al 0.15 %, el tiempo que debe transcurrir es:
S
t
(6.12 10 7 h 1 ) t
(0.0015)
2 450.98 h
(6.12 10 7 h 1 )
15.3. La almina es un material muy empleado para aplicaciones a elevada temperatura. Sabiendo que su energa de activacin para la termofluencia es de 425 kJ/mol y que, en un ensayo a 1 000 C y con un esfuerzo aplicado de 20 MPa, la velocidad de deformacin ha sido de
8.5210-10 h-1, determine:
a) El tiempo que puede estar trabajando una pieza de almina a 1 250 C de modo que la deformacin no supere el 1% cuando el esfuerzo aplicado es de 20 MPa.
b) Si afecta mucho a la vida til de la pieza el incremento de temperatura.
Dato: R = 8.314 J/(molK)
Ediciones Paraninfo
a) Segn la ley potencial de la termofluencia, Expresin (15.3):

m
Q
S A F exp C
RT
159
Captulo 15
En este problema el esfuerzo es siempre el mismo, por lo que la ley potencial puede reescribirse de la forma:
Q
S C exp C
RT
donde C es una constante que engloba a la anterior A y al trmino potencial del esfuerzo.
De la ecuacin anterior es necesario conocer el valor de C, que se obtiene sin ms que despejar
y sustituir los datos del problema:
(8.52 1010 h1 )
234.41106 h 1
3
-1
QC
(425 10 J mol )
exp
exp
1
1
RT
(8.314 J mol K ) (1273 K)
Para la temperatura de 1 250 C, la velocidad de deformacin resulta:
(425 103 J mol1 )

QC
6 1
7 1
(234.41
10
)
exp
h
6.2110 h
1
1
(8.314
J
mol
K
)
(1523
K)
RT
S C exp
(que es una velocidad pequea, aunque tres rdenes de magnitud superior a la de 1 000 C).
Finalmente, el tiempo que podra trabajar la pieza, sin que se alcanzase la deformacin del 1 %,
resulta:
S
t
(6.21 107 h 1 ) t
(0.01)
16103 h 1.84 aos
(6.21 107 h 1 )
b) Un tiempo de 1.84 aos de trabajo continuado parece mucho, pero si calculamos la durabilidad
para 1 000 C:
(0.01)
11737
089 h 1339.85 aos 13.40 siglos
(8.52 10 10 h 1 )
Es decir, el incremento de 250 C supone una prdida de 1 338.01 aos en su duracin.
15.4. Verifique que los coeficientes A de la Expresin (15.3) obtenidos para los mecanismos de
Nabarro-Herring, Expresin (15.6), Coble, Expresin (15.7) y dislocacional, Expresin (15.8),
tienen dimensiones de velocidad de deformacin, esto es, de [s-1].
A K1
160
0

N m 2 m 2 s 1 m 3
F DAD
s 1
D 2 k B T
m 2 N m K 1 K
Ediciones Paraninfo
Para el caso de Nabarro-Herring:
Bloque 3
Para Coble:
A K 2
0
2
2 1
3
F DLG
N m m s m m s 1

3
m3 N m K 1 K
D k B T
Y por ltimo, para el mecanismo dislocacional:

0
DAD
F
m 2 s 1 N m 2 m3

s 1
A K3 72
7
1
23
1
2
2
k
T
r0 F B
m m N m K K
15.5. Calcule la viscosidad de un material polimrico sabiendo que el esfuerzo aplicado baja
desde 8 MPa hasta 6 MPa en un intervalo de tiempo de 600 s.
Datos: Considere que la dependencia de E con el tiempo es despreciable para el intervalo temporal considerado, E = 1.2 GPa
Supongamos, por ejemplo, que el material responde adecuadamente al modelo de Maxwell, con lo
que de acuerdo a la Expresin (15.17), podemos relacionar la viscosidad con el esfuerzo:
(t ) E 0 exp E t
Si se dispone, como es el caso, de dos parejas de valores de esfuerzo y tiempo, puede operarse como sigue:
(t2 ) E 0 exp E t2
(t1 ) E 0 exp E t1
relacin en la que se desprecia la dependencia del mdulo de Young con el tiempo.
(t2 ) E
ln
t1 t2
(t1 )
Por lo que despejando la viscosidad y sustituyendo valores:
Ediciones Paraninfo
(1.2 109 Pa)

E
(600 s) 2.5 1012 Pa s
t1 t2
(t2 )
(6 106 Pa)
ln
ln
6
(8 10 Pa)
(t1 )
15.6. La relacin entre la viscosidad de un material a una determinada temperatura, y a la

temperatura de transicin vtrea es 0.01. Estime la distancia que separa esta temperatura de
la de transicin vtrea.
161
Captulo 15
Para estimar la temperatura de transicin vtrea puede emplearse la ecuacin de Williams-LandelFerry, Expresin (15.11), que la relaciona con la viscosidad:
C1 T TV
C2 T TV
(T ) V exp
De esta expresin puede despejarse Tv.
C T TV
(T ) C1 T TV
(T )
exp 1
ln
V
V C2 T TV
C2 T TV
Tomando inversos:
1
(T )
C2 T TV
ln

C1 T TV
V
1
(T )
(T )
C2 T TV
C2
C1 ln
C1 ln

1
T TV
T TV
V
V
Por tanto:
T TV
C2
(T )
1 C1 ln
Sustituyendo valores, sabiendo que para materiales polimricos, C1 = 17.44 K y C2 = 51.60 K:
T TV
(51.60 K)
18.51 K
1
1 (17.44 K) ln(0.01)
15.7. En un ensayo, se ha determinado que la viscosidad de un material a 30 C vale

2.5108 Pas. Calcule cul ser la viscosidad cuando la temperatura sea de 50 C.
Dato: Qv /R = 435 K.
Podemos usar el factor desplazamiento aT para estimar la viscosidad a otra temperatura. Recuerde
que aT, se define como:
y como E , resulta entonces que aT ref .

Como el enunciado porporciona la energa de activacin del proceso de fluencia (Qv) supondremos que la viscosidad de este material sigue una ley de tipo Arrhenius inversa:
162
Ediciones Paraninfo
ln aT ln ref
Bloque 3
QV
RT
(T ) 0 exp
de modo que aT resulta (consulte el Ejercicio Resuelto 15.8):

Q
aT exp V
1
1

T
T
ref
Q
aT exp V
1
1
1

exp 435 K
0.915
323.15 K 303.15 K
T Tref
Y por tanto:
aTref
0.915 2.5 108 Pa s
2.29 108 Pa s
Podra tambin haberse resuelto para la pareja de valores que nos porporciona el enunciado, sin
ms que suponer que el material sigue una ley de tipo Arrhenius inversa. As, a partir de las dos
ecuaciones resultantes:
(435)
(2.5 108 )
0 exp
(30 273.15)
(435)
(50 273.15)
50 C 0 exp
Dividiendo miembro a miembro se obtiene:
(435)
exp
(2.5 10 )
(30 273.15) 1.0929 2.29 108 Pa s
(435)
exp
(50
273.15)
15.8. Dibuje los circuitos elctricos que representaran analogas elctricas de los modelos de
Maxwell, Kelvin-Voigt y Zener.
En las analogas elctricas, la intensidad elctrica desempea el papel del esfuerzo, y la tensin
elctrica acta como la deformacin. Adems, la resistencia elctrica sera equivalente al inverso
del mdulo de relajacin, y la capacitancia, a la viscosidad. Esto es:
V , I , E 1 R y C .
Ediciones Paraninfo
Con todo, los circuitos seran:
163
Ediciones Paraninfo
Captulo 15
164
Bloque 3
Captulo 16
Propiedades mecnicas de los materiales. Fallo mecnico
16.1. La figura siguiente corresponde a los ensayos de impacto Charpy realizados a porciones
de aceros recuperados del Titanic, y a probetas de un acero actual de composicin similar.
a) Determine, aproximadamente, las temperaturas de transicin dctil-frgil de ambos materiales.
b) Si se estima que la temperatura del agua la noche del accidente del barco era de unos 2 C
en la zona del hundimiento, comente qu posible efecto pudiera haber contribuido al rpido
hundimiento del barco.
c) Razone si el efecto sera el mismo si se hubiese empleado en su construccin un acero actual.
a) El problema puede resolverse, con mucha exactitud, siguiendo el procedimiento empleado en el

ejercicio resuelto 16.1. No obstante, como piden que las determinemos aproximadamente, podemos
abordar su resolucin grficamente.
Acero Titanic
Ediciones Paraninfo
En primer lugar, tracemos una lnea horizontal por el valor mximo de energa que es capaz de absorber (lnea negra en la siguiente figura) y otra por el valor mnimo (en este caso es 0, por lo que
coincide con el eje de abcisas):
165
Captulo 16
A continuacin, trazamos otra horizontal (lnea azul discontinua) por el valor de energa medio
entre el mximo y el mnimo determinado anteriormente:
(80 0) J
40 J
2
La temperatura correspondiente al corte de esta lnea con la curva Charpy del acero del Titanic,
nos dar la temperatura de transicin dctil-frgil de dicho acero. En este caso resulta ser de unos
55 C, como puede comprobar en la siguiente figura:
Acero actual
Ediciones Paraninfo
Operando del mismo modo, se calcula que la temperatura de transicin dctil-frgil del acero actual
es de unos 12 C:
166
Bloque 3
b) Una temperatura del agua de 2 C, implica que el acero del casco tambin se encontrara a dicha
temperatura. Como puede observarse en la siguiente figura, en esas condiciones, el acero del Titanic
se comporta de modo muy frgil, siendo casi nula (lnea azul discontinua) su capacidad de absorcin de energa en el caso de impactos. En definitiva, la elevada temperatura de transicin dctilfrgil del acero empleado, pudo ser la causa principal de que la grieta originada por el impacto con
el iceberg se propagase a lo largo del casco prcticamente sin esfuerzo alguno.
c) Para la misma temperatura de 2 C, un acero actual de composicin similar al del Titanic es capaz de absorber unos 35 J (lnea roja discontinua). Aunque el valor no es muy elevado, si que implica que la propagacin de una grieta no es tan fcil como en el caso del acero del Titanic. Por ello,
aunque el resultado final con respecto al barco podra haber sido el mismo, su hundimiento, el tiempo para ello se hubiese prolongado, permitiendo que ms personas salvasen su vida.
16.2. Una pieza de seccin cuadrada de lado 20 mm est sometida a una fuerza de traccin de
15 500 N. La pieza de ha realizado con un material cermico del que se conoce que falla bajo
una carga de 22 000 N cuando la longitud de las grietas presentes es de 0.5 mm. Si dicha pieza
cermica es golpeada accidentalmente y se produce una grieta superficial de 0.8 mm de profundidad, indique si se rompera la pieza.
Dato: sLE = 150 MPa
Necesitamos determinar KIc, que viene dada por:
K I c *
El esfuerzo al que estaba sometida la cermica cuando rompi sera:
F
(22000 N)
55 MPa
A0 (20 103 m)2
Ediciones Paraninfo
Como estamos dentro de la zona de comportamiento elstico, y no tenemos datos sobre el mdulo de Young, vamos a igualar esfuerzos reales con ingenieriles.
K

* (55 MPa) (0.5 103 m)
2.18 MPa m
Ic
1
2
167
Captulo 16
El esfuerzo mximo que podra soportar con una grieta de 0.8 mm sera:
KI c
(2.18 MPa m 2 )
43.48 MPa
(0.8 103 m)
La fuerza asociada a este esfuerzo es:

2
F s A
(43.48 10 6 Pa) (20 10 3 m)

17 392 N
0
es decir, la pieza se rompera.
16.3. Compare el dimetro que debera tener una pieza para poder soportar una carga esttica de 50 000 N durante 165 h de funcionamiento a una temperatura de 550 C, con el que tendra que tener si la temperatura fuese la ambiente.
Datos: sLE 600 MPa , C2 (del parmetro de Larson-Miller) = 23.3 y utilice la Figura 16.21.
Se trata de un posible fallo por termofluencia, por lo que podemos hacer uso del parmetro de Larson-Miller:
PLM (s) T log(tR ) C2

PLM ( s) T log(tR ) C2 (823K) log(165 h) 23.3 21103 K log(h)

Consultando la Figura 16.21, el esfuerzo real (ingenieril) resulta ser de 300 MPa.
A
0
F
(50000 N)
1.67 104 m2
s (300 106 Pa)
El dimetro sera:
4 A0
4 (1.67 104 m 2 )
0.014 m
Si el elemento trabajase a temperatura ambiente, no habra problemas de termofluencia, y el

dimetro de la barra estara nicamente condicionado por la carga que debe soportar sin superar el
lmite elstico:
4 F sLE
4 (50000 N) (600 106 Pa)

0.010 m
Ediciones Paraninfo
168
Bloque 3
16.4. Tras realizar diferentes ensayos bajo cargas cclicas en un material, se han obtenido los
resultados de la tabla adjunta.
a) Dibuje la curva S-N del material.
b) Indique si tiene lmite de fatiga. En caso afirmativo, indique su valor.
c) Se ha fabricado un eje con este material, de modo que va a trabajar sometido a un esfuerzo
cclico, de nivel medio nulo, cada 10 s. Si se desea que pueda trabajar durante un mnimo de
un ao, calcule el esfuerzo mximo que podra aplicrsele en cada ciclo.
a (MPa)
720
620
560
510
480
460
455
451.2
451
Ciclos hasta el fallo

2105
1106
3106
1107
3107
1108
3108
1109
1.5109
a) Haciendo uso de una hoja de clculo, debe conseguir el siguiente grfico
b) Observando la grfica, puede apreciarse claramente que s tiene lmite de fatiga. Su valor es de
451 MPa.
1 ciclo 365 das 24 h 60 min 60 s
c) N
3.15 106 ciclos

10 s
1 ao
Ediciones Paraninfo
Consultando la grfica, dicho valor se corresponde con una carga de amplitud mxima de, aproximadamente, 550 MPa.
169
Captulo 16
16.5. Un material metlico se emplea para fabricar cables que van a utilizarse para sostener la
plataforma sobre la que se colocan las cargas en una gra. Desea predecirse el fallo o no a
fatiga de estos cables cuando se someten a las siguientes condiciones:
a) Un esfuerzo cclico entre 100 y 450 MPa.
b) Un esfuerzo cclico entre 100 y 450 MPa al que se superpone un esfuerzo esttico de
600 MPa, debido a la sustitucin de la plataforma por otra ms pesada.
Datos: LF 650 MPa y M 1250 MPa
a) Antes de nada, no se extrae del esfuerzo de 100 MPa, esto se consigue simplemente pretensando los cables.
La ecuacin de Goodman es un buen medio para predecir si la pieza va a fallar a fatiga en las
condiciones indicadas:

a LF 1 m
Sustituyendo los datos del problema, podremos representar dicha ecuacin:
a (650 MPa) 1 m
1250
En caso de aplicarle un esfuerzo cclico entre 100 y 450 MPa:

1
1
m
175 MPa
2 mx mn
2 450 MPa 100 MPa
a 12 12 mx mn 12 450 MPa 100 MPa 275 MPa

Representando el punto (175, 275) en la grfica anterior, vemos que queda en la regin de No
rompe, por lo cual no se producir la rotura por fatiga en estas condiciones.
170
1
2
1
2
mx mn
1
2
450 600 MPa 100 600 MPa 275 MPa
Ediciones Paraninfo
b) El esfuerzo esttico de 600 MPa se aade al esfuerzo cclico, de modo que la amplitud del esfuerzo seguira siendo la misma, pero no lo sera el nivel medio de esfuerzos:
Bloque 3
1
1
m
775 MPa
2 mx mn
2 1050 MPa 500 MPa
Representando este punto (275, 775) comprobamos que esta vez tampoco se producir fallo por
fatiga.
16.6. Un determinado elemento con forma recta es sometido a cargas cclicas que provocan el
doblado del mismo hasta formar ngulos de hasta 90. Cuando la carga es tal que el ngulo de
doblado es de 90, el elemento soporta un mximo de 5 ciclos. Suponga que el elemento se somete a 4 ciclos de carga para cada uno de los ngulos 15, 30 y 45 (12 ciclos en total). Determine cuntos ciclos adicionales soportar el elemento si se somete a ciclos que provocan un
doblado de 60.
Datos: Suponga que los ngulos de doblado son proporcionalmente equivalentes a esfuerzos
soportados por el elemento y que el dao crtico (esfuerzo ciclos) es el mismo para todos los
niveles de esfuerzo.
De acuerdo a la regla de Palgrem-Miner, la fractura se producir cuando:
n
i
N fi 1
Para cuantificar el dao acumulado a cada nivel de esfuerzo puede emplearse el producto nisi,
siendo si el esfuerzo aplicado.
Asumiendo que el dao crtico es el mismo para todos los niveles de esfuerzo, dicho dao crtico puede calcularse para cualquier esfuerzo como (Nisi), y en concreto el enunciado indica que al
doblar a 90 solo se soportan 5 ciclos dao crtico resulta: 590 = 450.
Multiplicando y dividiendo la regla de Palgrem-Miner por si, se obtiene:
n
i Ni
fi
k si
si
N
N
i
fi
fi
(15 ) (4 ciclos) (30 ) (4 ciclos) (45 ) (4 ciclos) (60 ) ( x ciclos)

1
(90 ) (5 ciclos )
de donde se obtiene el nmero de ciclos que soportara: x = n60 = 1.5 ciclos
Ediciones Paraninfo
16.7. Una pieza se ha sometido a diferentes ensayos con esfuerzos cclicos hasta su rotura. Al
aplicarle un esfuerzo mximo de 428.91 MPa, el material soport 57 000 ciclos, mientras que
cuando se baj el esfuerzo mximo a 424 MPa, el nmero de ciclos antes de romperse fue
69 500. Se desea que otra pieza del mismo material soporte un total de 28 500 ciclos antes de
romperse, pero de modo que los primeros 8 500 ciclos sean 428.91 MPa, y los siguientes
5 000 ciclos a 424 MPa. Se pretende, en la ltima etapa, aplicar un esfuerzo cclico mximo de
480 MPa. Seale si se producir el fallo de la pieza antes de concluir los 28 500 ciclos.
Como se trata de valorar una acumulacin de dao, tendremos que emplear la regla de PalgremMiner:
171
Captulo 16
ni
N
i
fi
Sustituyendo valores (tenga en cuenta que indican que debe soportar un total de 28 500 ciclos,
por lo que en la ltima fase, sern 15 000 los ciclos):
ni
N
i
fi
8500
5000 15000
1
57 000 69500
N *f
Despejando:
N *f 19 257.1 ciclos
Nos resta determinar el esfuerzo mximo para el que la vida a fatiga del material tiene este valor. Para ello, podemos aproximar su curva S-log N a una recta del tipo:
0 k log N f
Se desconocen los valores de k y 0 (resistencia a traccin del material), pero pueden determinarse con los ensayos de fatiga previos realizados al material. Particularizando para dos parejas de
valores y dividiendo:
1 0 k log N f 1
0
2 0 k log N f 2
1 2
1
log N f 1
log N f 2
700 MPa
log N f 1
log N f 2
Por tanto:
k
1 0
(428.91 MPa) (700 MPa)
57 MPa
log 57 000
log N f 1
De modo que el esfuerzo mximo al que podr someterse la pieza durante los ltimos 15 000 ciclos
es:
0 k log N f (700 MPa) (57 MPa) log 19 257.1 455.78 MPa
16.8. En una mquina se tiene colocada una pieza, sin grietas preexistentes que ha roto por
fatiga en dos ocasiones, pese a estar sometida a esfuerzos inferiores al lmite elstico. En concreto, la primera vez soport un total de 2.5105 ciclos, cuando el intervalo de esfuerzo al que
estuvo sometida se cuantific en 352.5 MPa. En la segunda ocasin, el intervalo vala
300 MPa, y la rotura sucedi tras 1.5106 ciclos. Estime la duracin de la pieza si logra reducirse el intervalo de esfuerzos a 200 MPa.
172
Ediciones Paraninfo
Como este valor es inferior a 480 MPa, la pieza romper antes.
Bloque 3
Como se indica que no hay grietas preexistentes, y que los esfuerzos son inferiores al lmite elstico, podremos suponer que obedece a la ley de Basquin:
N f
C2
No nos porporcionan los valores de los parmetros y C2, pero si dan datos para poder determinarlos. Se debe cumplir que:
1 N f 1
2 N f 2
C2
Dividiendo:
1 N f 1
2 N
f2
N f 1
N f 2
2
1
Aplicando logaritmos y sustituyendo:

2
(300 MPa)
ln
ln
MPa)
1
(352.5
0.09

N f1
(2.5 105 ciclos )
ln
ln
(1.5 10 ciclos )
Nf2
Sustituyendo un par de valores porporcionados, podemos determinar C2:

C2
1 N f 1
(352.5 MPa) 2.5 105
0.09
1078.88 MPa
Para un intevalo de esfuerzos a 200 MPa:

1
0.09
C (1078.88 MPa)
1.357 108 ciclos

N f 2
(200
MPa)

Ediciones Paraninfo
Como comprobamos, el incremento en la durabilidad es considerable.
16.9. Acaba de colocarse un eje de dimetro 10 mm en una mquina, de modo que se sabe
que, durante los primeros 2104 ciclos las cargas cclicas sern de 30 kN, y durante los restantes ciclos, las cargas sern de 20 kN. Se ha detectado que en dicho eje recin colocado hay
una grieta de 0.1 mm producto de su fabricacin. Determine:
a) El cociente entre las velocidades de propagacin de la grieta al final de la etapa de cargas
altas y el inicio de la de cargas bajas.
b) El tamao de la grieta al concluirse la etapa de cargas altas.
c) El nmero de ciclos, con cargas bajas, para que se produzca la rotura del eje.
1
Datos: K I c 18 MPa m 2 . Constantes de la ley de Paris: p = 4 y A = 10-12.
a) La ley de Paris con los parmetros indicados en el enunciado ser:
173
Captulo 16
d
A( K ) p 1012 ( K ) 4
dN
Adems, teniendo en cuenta que estos parmetros dependen nicamente del material, la relacin
entre las tasas de crecimiento de la grieta en cada etapa ser:
(d dN ) fin et .1 1012 (K1 )4 (K1 )4

(d dN )inicio et . 2 1012 (K 2 )4 (K 2 )4
Teniendo en cuenta la Expresin (16.22):
(d dN ) fin et .1
(K1 ) 4

(d dN )inicio et . 2 (K 2 ) 4
1
2
4
4
Como la longitud de la grieta al final de la etapa 1 ser igual que al inicio de la etapa 2:
(d dN ) fin et .1
(K1 ) 4

(d dN )inicio et . 2 (K 2 ) 4
(30 kN)
1 1
1
S
5.06
4
4
4
2 (20 kN)
2 2
b) Podemos usar directamente la Expresin (16.27), o bien operar por nosotros mismos:
(d dN )
A
A 4 22
Despejando e integrando:
f
f
1
1 1
d A 4 2
dN
A 4 2 N f A 4 2 N
2
i
i
0 f
0
Por otra parte:

F
F
(30 103 N)
381.97 MPa
2
A r
(5 mm)2
Sustituyendo en la expresin anterior:

1
c) Partiendo de la expresin que hemos deducido en el apartado anterior, y despejando el nmero de

ciclos:
174
Ediciones Paraninfo
1
(1012 ) (381.97 MPa)4 2 (2 104 ciclos ) 1.725 104 m
f A 4 2 N
3
(0.110 m)
Bloque 3
1 1
1 1
1
* A 4 2 N N *
4 2
0
0 A
La longitud de la grieta en el momento de la rotura puede calcularse a partir de:
2
*
K
*
Ic
1 KI c
1 KI c
F ( r 2 )
Sustituyendo:
2
1
(18 MPa m 2 )
1.59 103 m

3
2
(20 10 N) ( (5 mm) )
1
Entonces, el nmero de ciclos hasta la rotura ser:
Ediciones Paraninfo
1 1
1
N
*
4 2
0 A
1
1
1

124 000 ciclos

12
4
4
3
2
(1.725 10 m) (1.59 10 m) (10 ) (20 103 N ( (5 mm)2 ))
175
Captulo 17
Propiedades elctricas de los materiales. Bandas y conductores
Captulo 17
Propiedades elctricas de los materiales.
Bandas y conductores
17.1. Desea fabricarse un cable de Al, de dimetro mximo 1.75 mm, en el que la cada mxima de tensin sea de 0.2 V/m cuando por l circule una intensidad de 20 A.
a) Razone si esto es posible.
b) Si no es posible, indique qu podra hacerse para conseguirlo.
Dato: (Al) = 3.65107 (m)-1.
a) Para determinar si es posible fabricar ese cable, calculemos el dimetro mnimo del cable para que
tenga las prdidas que se indican cuando la intensidad es de 20 A.
Sabemos que:
1
A
R
L
Adems, R V I .
V A
IL
IL
(20 A) (1m)
A(Al)
2.734 106 m 2
I L
V
V (Al) (0.2 V) (3.65 107 (m) 1 )
Por tanto, el dimetro mnimo ser:
4 A
D(Al)
1.86 103 m
1.86 mm 1.75 mm
De modo que no es posible fabricar el cable para que cumpla todos los condicionantes.
b) Para tener menor seccin de cable, el material debera ser mejor conductor elctrico. Probemos,
por ejemplo, con el Cu, que es el conductor industrial ms empleado.
Su conductividad es de (Cu) = 4.55107 (m)-1, as que, rehaciendo los clculos:
A (Cu)
IL
IL
(20 A) (1 m)
2.198 106 m2
V
V (Cu) (0.2 V) (4.55 107 (m)1 )
En este caso, el dimetro mnimo sera:
4A
1.67 103 m
1.67 mm 1.75 mm
D(Cu)
Ediciones Paraninfo
176
Bloque 3
17.2. Se pretende fabricar una resistencia arrollada para una estufa. Por razones de diseo,
dicha resistencia ha de tener un dimetro de 0.2 mm y longitud de 2 m.
a) Determine cul sera la resistencia mxima que podra alcanzarse si se hiciese de nicromo
65/15.
b) Dados los datos de resistividad, densidad y coste por kg de tres materiales, indique cul de
ellos proporcionara una mayor resistencia a un menor coste.
Datos:
MATERIAL
Nicromo 65/15
Kanthal D
Constantn
(m)
-6
1.1010
1.3510-6
0.4910-6
(g/cm3)
8.15
7.25
8.9
Coste (/kg) cable 0.2 mm

2 000
1 500
2 400
a) Tomando los datos de resistividad de la tabla para el Nicromo 65/15:

L
(2 m)
R (1.1 106 m)
70.03
A
(0.1 103 m) 2
La potencia, suponiendo que la estufa se conecta a una lnea de 220 V, queda:
P RI
V 2 (220 V) 2
691.43 W
R (70.03 )
b) Podemos calcular el coste por W que se tiene para cada material.

El volumen de alambre necesario es:
V A L (0.1103 m)2 (2 m) 6.28 108 m3

Nicromo 65/15
Potencia obtenida: P 691.43 W
Coste de material V precio (6.28 108 m3 ) (8.15 103 kg m 3 ) (2000 kg 1 ) 1.02

1.02
Coste de material W
1.48 103 W 1
691.43 W
Kanthal D
Potencia obtenida:
L
(2 m)
R (1.35 106 m)
85.94
A
(0.1103 m)2
V 2 (220 V)2
563.18 W
R (85.94 )
Ediciones Paraninfo
P RI
177
Captulo 17
Coste de material V precio (6.28 108 m3 ) (7.25 103 kg m3 ) (1500 kg 1 ) 0.68

0.68
1.21103 W 1
Coste de material W
563.18 W
Constantn
Potencia obtenida:
L
(2 m)
R (0.49 106 m)
31.19
(0.1103 m)2
A
P RI
V 2 (220 V)2
1551.78 W
R (31.19 )
Coste de material V precio (6.28 108 m3 ) (8.9 103 kg m3 ) (2 400 kg 1 ) 1.34

1.34
Coste de material W
8.64 10 4 W 1
1551.78 W
De los clculos anteriores se desprende que el material que proporciona una mayor resistencia a
un menor coste es el constantn.
17.3. Calcule la resistividad de un monocristal de Mg (estructura cristalina HC, con parmetros de red a y c) en la direccin que forma un ngulo de 30 con su plano basal.
Datos: c = 3.510-8 m y a = 4.210-8 m.
Segn la Expresin (17.5):
c ( ) c ( a c ) cos 2
Para un ngulo de 30
17.4. A la temperatura de 300 K, una muestra de plata con conductividad elctrica de

6.80107 (m)-1 se halla sometida a un campo elctrico de intensidad 103 Vm-1. Considerando
para el proceso de conduccin el modelo cuntico de bandas, determine:
a) El tiempo medio entre colisiones.
b) La velocidad trmica media.
c) El recorrido libre medio.
d) La movilidad de los electrones.
e) La velocidad de arrastre de los electrones de conduccin de este conductor.
f) Realice de nuevo todos los clculos considerandola masa efectiva en lugar de la me.
Datos: me = 9.1110-31 kg, [Ag] = 5.861028 tomos/m3, EF = 5.98 eV, e = 1.61019C y
me* = 0.99me.
178
Ediciones Paraninfo
c (30 ) (3.5 10 8 m) (4.2 10 8 m 3.5 10 8 m) cos 2 (30 ) 4.025 10 8 m
Bloque 3
a) Despejando de la Expresin (17.10) se tiene que:
me
ne 2
Dado que la plata tiene valencia 1, cada tomo de plata contribuir al gas de electrones con un
nico electrn. De este modo, la concentracin de electrones de valencia se calcular como:
n
5.86 10 28
tomos 1 electrn
5.86 1028 electrones m 3
tomo
m3
Sustituyendo ahora en la expresin de obtenemos
me (9.111031 kg) (6.80 107 1 m 1 )
4.129 1014 s
(5.86 1028 m 3 ) (1.60 1019 C) 2
ne 2
b) Segn la Expresin (17.18):
vF
2 EF
2 (5.48 eV) (1.60 1019 J eV 1 )
1.387 106 m s 1
me
(9.111031 kg)
c) A partir de la Expresin (17.25):

vF (4.129 1014 s) (1.387 106 m s 1 ) 5.727 108 m
d) Empleando la Expresin (17.8)
e (1.60 1019 C) (4.129 1014 s)
7.25 103 m2 V 1 s 1
(9.111031 kg)
me
e) Y empleando la Expresin (17.6):
vd
eE0 (1.60 1019 C) (103 V m1 ) (4.129 1014 s)
7.25 m s 1
(9.111031 kg)
me
Como ya hemos calculado la movilidad, podramos haber calculado la velocidad de arrastre con
menos operaciones:
vd e E 0 (7.25 10 3 m 2 V 1 s 1 ) (103 V m 1 ) 7.3 m s 1
Ntese que la velocidad de arrastre obtenida resulta ser mucho menor que la velocidad trmica
de Fermi. Debido a que los electrones sufren muchas dispersiones, la direccin de movimiento de
los electrones es ms o menos aleatoria, incluso cuando est aplicado el campo elctrico. Es decir,
la probabilidad de encontrar a un electrn viajando en la direccin y sentido del campo, es solo ligeramente superior a la de encontrarlo viajando en el sentido opuesto al del campo.
Ediciones Paraninfo
f) El tiempo medio entre colisiones sera:
179
Captulo 17
m* 0.99me
e2
0.99 (4.129 1014 s)
4.088 1014 s
2
ne
ne
La velocidad trmica media:
2 EF
1.394 106 m s 1
me*
vF
El recorrido libre medio:
vF (4.088 1014 s) (1.394 106 m s 1 ) 5.698 108 m
La movilidad:
e (1.60 1019 C) (4.088 1014 s)
7.25 103 m 2 V 1 s 1
0.99 (9.111031 kg)
me*
La velocidad de arrastre:
vd e E 0 (7.25 103 m 2 V 1 s 1 ) (103 V m 1 ) 7.25 m s 1
17.5. Calcule la conductividad elctrica y la movilidad de los electrones de una muestra de

litio sabiendo que la densidad es de 0.53 g/cm3, la masa molar es de 7 g/mol y que el Li es monovalente (es decir, cada tomo aporta un electrn de valencia). Suponga que el tiempo de
relajacin vale 110-14 s.
Datos: e = 1.61019C, NA = 6.0221023, me* = 1.28me y me = 9.1110-31 kg.
La concentracin de tomos de litio sera:
Li 0.53
g 100 cm 1 mol N A tomos
4.56 10 28 tomos m 3

cm 3 1 m 7 g
1 mol
Dado que el litio es monovalente, la concentracin de electrones de valencia ser:
n
4.56 1028
tomos 1 electrones
4.56 1028 electones m -3
m3
tomos
Si 1 10 14 s, entonces, segn la Expresin (17.8):
e (1.60 1019 C) (11014 s)
1.37 103 m 2 V 1 s 1
me*
1.28 (9.111031 kg)
en
e (1.60 1019 C) (4.56 1028 m 3 ) (1.37 103 m 2 V 1 s
) 9.995 106 ( m) 1
180
Ediciones Paraninfo
Y la conductividad elctrica, puede calcularse a partir de la Expresin (17.11).
Bloque 3
17.6. Calcule el tiempo de relajacin y el recorrido libre medio para los electrones del aluminio a la temperatura de 300 K.
Datos: = 4.0107 (m)-1, [Al] = 6.021028 tomos/m3, valencia = 3, me = 9.1110-31 kg, me* =
1.04 me, e = 1.61019C y h = 6.6310-34 Js.
Previo al clculo del tiempo de relajacin, calculemos la concentracin de electrones de valencia.
n
6.02 10 28
tomos 3 electrones
18.06 1028 electrones m 3
m3
tomos
Entonces:
me* 1.04 (9.111031 kg) (4.07 107 1 m1 )
1.023 1014 s
(18.06 1028 m3 ) (1.60 1019 C)2
ne2
El recorrido libre medio ser:
vF
2 EF
me*
Por tanto, hace falta calcular el nivel de Fermi para obtener el recorrido libre medio.
2
3 (18.06 1028 m 3 ) 3
h2 3n 3
(6.63 1034 J s) 2
EF *
1.79 1018 J
11.18 eV

8 me 8 1.04 (9.111031 kg)
vF
2 EF
2 (1.79 1018 J)
14
(1.023
10
s)
1.988 108 m
me*
1.04 (9.11 1031 kg)
17.7. La sonda de un medidor de campo magntico est fabricada con un cristal de InSb y
diseada para operar a 3 V (aplicados a lo largo del cristal de dimensiones 1 mm 1mm
1mm). Indique qu tensin de salida (tensin Hall) cabe esperar cuando la sonda se sita en
una regin donde el campo magntico es de 10-4 T.
Dato: La movilidad de los portadores mayoritarios es 8 m2/(Vs).
La tensin de Hall puede calcularse segn la Expresin (17.15):
I B0
qnd
Ediciones Paraninfo
VH =
181
Captulo 17
Adems,
J=
de modo que
VH
I
I
A cd
J cd B0 J cB0
qnd
qn
q es la carga de los portadores de corriente que, en este caso al ser un semiconductor tipo n, ser
igual a e, la carga del electrn.
Por otra parte, la densidad de corriente, J, puede calcularse como J qnvd qneEZ . Sustituyendo en la expresin anterior:
VH
=
qneE Z cB0
cE Z eB0
qn
Teniendo en cuenta que el campo elctrico longitudinal viene dado por:

Eo
V
(3 V)
3 103 V m
b
(10 3 m)
=
VH cE Z eB 0 (10 3 m) (3 103 V m) (8 m 2 (V s) 1 ) (10 4 T) 2.4 10 3 V 2.4 mV
17.8. Determine el valor del nivel de Fermi para el Cu y seale cul es la probabilidad de ocupacin, en el Cu a 25 C, de unos estados electrnicos con energas: (i) = EF, (ii) = EF + 0.1 eV
y (iii) = EF 0.1 eV.
Datos: (Cu) = 8.92 g/cm3, M (Cu) = 63.5 g/mol, me* = 1.01 me, me = 9.1110-31 kg, NA =
6.0221023, h = 6.6310-34 Js y kB = 1.3810-23 JK-1.
El nivel de Fermi puede calcularse a partir de la Expresin (17.17)

2
h 2 3n 3
EF

8 me*
La concentracin de electrones de valencia sera:
g (100 cm)3 1 mol N A tomos 1 electrones valencia
n
8.43 1028 electrones m3
8.92 3
3
cm
1
m
63.5
g
1
mol
1
tomos
Sustituyendo en la ecuacin anterior:

2
182
Ediciones Paraninfo
3 (8.43 1028 m 3 ) 3
h2 3n 3
(6.63 1034 J s)2
EF *
1.111018 J
6.93 eV
8 me 8 1.01 (9.111031 kg)
Bloque 3
Por otra parte, la probabilidad de ocupacin viene dada por:
E EF
f ( E ) exp
1
k BT
(i)
Para E EF
f (E)
(ii)
1
2
E EF 0.1
Para
1

(0.1 J)
0.0199
f ( E ) exp
1
5
1
(8.62 10 J K ) (298 K)
E EF 0.1
(iii) Para
1

( 0.1 J)
0.98
f ( E ) exp
1
5
1
(8.62 10 J K ) (298 K)
17.9. La resistividad elctrica a bajas temperaturas de una muestra de Cu (valencia +1) de

alta pureza es de 110-10 m. La presencia en este material de un 0.1% atmico de impurezas
de Cd2+ supone un incremento de resistividad de 410-10 m, lo que eleva el valor total de la
resistividad hasta 510-10 m. Calcule la resistividad de una muestra de Cu impurificada con
un 0.2% atmico de In3+, y de otra impurificada con un 0.05% atmico de Sn4+ sabiendo que
el incremento de resistividad elctrica producido por la presencia de impurezas es directamente proporcional a (z)2, siendo z la diferencia de valencia entre el in de impureza y el
del metal que los alberga.
(Cu)
11010 m
2
110 3
1 410 10 m
Cd
0.1% atmico
3
In
0.2 % atmico
210 3
2 ?
4
Sn
0.05 % atmico
510 4
3 ?

k xi siendo xi la fraccin
La contribucin debida a las impurezas viene dada por:
I
Ediciones Paraninfo
atmica de impurezas. Por otro lado, el enunciado nos dice que k a(z )2 as pues, la concentracin debida a las impurezas se expresar como:
a (z) 2 xi
183
Captulo 17
Para el Cd2+: xi = 110 3, z 2 1 1 y 41010 m , por lo que a 4107 m

Para el In3+: xi = 210 3, z 3 1 2 , ?
3
(4107 m )(2)2 (210
) 3.2109 m
(11010 3.19109
) m 3.29109 m
luego:
Para el Sn4+: xi = 0.510 3 , z 4 1 3 , ?
3
(4107 m)(3)2 (0.510
) 1.80109 m
(11010 1.80109
) m 1.90109 m
luego:
17.10. Se tiene una aleacin de hierro-cromo (que supondremos es una solucin slida) cuya
composicin se desconoce. Con objeto de determinar la composicin de la aleacin, se ha medido su resistividad a temperatura ambiente (22 C), alcanzando un valor de 1.5510-6 m.
Adems, se conoce que, tambin a a temperatura ambiente, otra aleacin 80Fe-20Cr tiene una
resistividad elctrica de 1.1510-6 m. Calcule la composicin de la aleacin desconocida.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol, M (Cr) = 51.99 g/mol, resistividad del hierro puro a 22 C =
9.7110-8 m. Suponga que el hierro y el cromo forman una solucin slida.
La resistividad de la aleacin tendr dos contribuciones: la debida a la temperatura, T, y la debida

a la presencia de impurezas, I.
1.15 10 6 m I T
Del enunciado:
T (22
C) (97.1 10 7 cm)
1m
97.1 10 9 m
100 cm
De este modo, para la aleacin conocida:
I T (1.15 10 6 m) (97.1 10 9 m) 1.0529 10 6 m

Para calcular la composicin de la aleacin expresada en porcentaje atmico partiremos del dato
siguiente: 100 g de aleacin contienen 80 g de Fe y 20 g de Cr.
Por lo tanto, el nmero de moles de ambas especies ser:
n (Fe)
80 g
1 mol
1.43 mol Fe
55.85 g
1 mol
0.38 mol Cr
51.99 g
n (Cr)
(0.38)
xi 0.21 % atmico
n (Cr) n (Fe) (0.38) (1.43)
184
Ediciones Paraninfo
n (Cr)
20 g
k
Como I kxi
xi
Bloque 3
(1.0529 106 m)
5.01106 m
(0.21)
Para la aleacin pedida:
1.55 106 m
T 97.1 10 9 m
I (1.55 10 6 m) (97.1 10 9
m) 1.4529 10 6 m
Por tanto:
kx
1.4529 10 6 m
I
i
xi
(1.4529 106 m)
0.29% atmico de Cr
(5.01106 m)
17.11. Razone si puede obtenerse, aleando convenientemente dos metales, una solucin bifsica con una conductividad ms alta que la de ambos componentes. Argumente si podra obtenerse con una solucin monofsica y justifquelo. A la vista de los resultados, explique qu se
persigue con la aleacin de dos metales.
La resistividad de una aleacin bifsica se puede calcular mediante la expresin:
Ediciones Paraninfo
donde y son las resistividades de los dos componentes, y y son las fracciones volumtricas de ambas fases.
Si suponemos que , entonces, el valor ms bajo que puede tomar la resistividad de la
aleacin (correspondiente al valor ms alto de su conductividad) siempre ser mayor que (a
menos que = 0, con lo que no podramos hablar de aleacin).
Si la aleacin no es bifsica, tampoco podr conseguirse una conductividad ms alta que la de
los componentes, pues si revisa la Figura 17.18a:
Luego el objetivo de alear dos metales no es mejorar sus caractersticas elctricas, sino, en general, mejorar sus caractersticas mecnicas. El Cu es un excelente conductor, pero es demasiado
blando. Si se alea con Be o Zr se mejoran notablemente sus propiedades mecnicas con una merma
asumible de su conductividad.
185
Captulo 17
17.12. La densidad de corriente emitida por un ctodo de wolframio puro es de 2 530 A/m2,
operando a la temperatura de 2 400 K. Se ha pensado que el rendimiento de la termoemisin
mejorara si se utilizase en su lugar un ctodo de wolframio recubierto con ThO2, que tiene un
trabajo de extraccin de 2.5 eV. Se desea saber si la idea es acertada y la relacin entre las
corrientes electrnicas emitidas por ambos ctodos, operando a la temperatura de 2 400 K.
Justifique el resultado.
Datos: Factor de la ecuacin Richardson-Dushman = 1.20106 A/(mK)2, kB = 8.617105 eV/K,
e = 1.61019C, h = 6.631034Js y c = 3108 m/s.
La termoemisin est gobernada por la ecuacin de Richardson-Dushman:
J AT 2 exp
k BT
Segn el enunciado, para el W:
J (W) 2530 A m 2
Para el W-ThO2:
(2.5 eV)
J (W-ThO2 ) (1.20 106 A m-2 K -2 ) (2 400 K) 2 exp
5
1
(8.617 10 eV K ) (2 400 K)
3.95 107 A m 2
Por tanto,
J (W-ThO2 )
1.57 104
J (W)
Por lo que la idea es buena, y se debe a que el W debe tener un trabajo de extraccin superior al del
W-ThO2. Vemoslo:
J (W)
k BT ln
(W)
AT 2
(2530 A m 2 )
4.5 eV
(8.617 105 eV K 1 )(2 400 K) ln
6
-2
-2
2
(1.2 10 A m K ) (2 400 K)
(W) 4.5 eV (W-ThO2 )

17.13. Suponiendo una eficiencia del 100 % en la conversin fotoelctrica:
a) Determine qu potencia mnima por unidad de rea debe tener la radiacin incidente para
producir una corriente de fotoelectrones igual a la producida por el termoemisor de wolframio puro del problema anterior.
b) Calcule qu frecuencia debe tener la radiacin.
Datos: e = 1.61019C y h = 6.631034 Js.
4.5 eV 4.5 eV
(W)
186
1.6 1019 J
7.2 1019 J
1 eV
Ediciones Paraninfo
a) La mnima energa que debe portar un fotn para que logre arrancar un electrn es:
Bloque 3
Por otro lado, la corriente emitida por el ctodo de W equivale

A
C
1 electrn
electrones
J (W)
2 530 2
2 530
1.58 10 22
m
sm 2 1.6 10 19 C
sm 2
Por tanto, la potencia que esto exige es
P J (W) (W) 1.58 1022

b) La energa del fotn:
electrones 7.2 1019 J

J
W
1.14 104
1.14 104 2
2
2
sm
1 electrn
sm
m
c
Ef
7.2 10 19 J
h
h
Despejando:
Ef
(7.2 1019 J)
1.086 1015 s 1
h (6.63 1034 Js)
17.14. En el efecto fotoelctrico de metales (fotoemisin), se habla de una frecuencia umbral.

Indique si puede definirse tambin una intensidad umbral y una longitud de onda umbral.
Razone las respuestas.
En el efecto fotoelctrico no puede hablarse de intensidad umbral, porque dicho efecto se explica
como la interaccin entre un fotn y un electrn, independientemente de la intensidad de la onda
(relacionada con el nmero de fotones que la constituyen).
Sin embargo, s existe una longitud de onda umbral, 0, propia de cada material, por encima de
la cual no se produce fotoemisin. Dicha longitud de onda se corresponde con el valor mximo de
la radiacin electromagntica que permite la extraccin. En el lmite, la energa del fotn incidente
es igual al trabajo de extraccin que hay que realizar para extraer el electrn del material:
c
E
h0 h
Ediciones Paraninfo
Por tanto, para que exista fotoemisin se deber cumplir que: 0 hc .
17.15. Desea fabricarse un dispositivo que mida la energa cintica mxima con la que son
arrancados los electrones de un determinado metal, de frecuencia umbral 51014 Hz, cuando
se expone a una radiacin incidente de frecuencia de 1.21015 Hz. Calcule tericamente el valor mximo de la energa cintica de los fotoelectrones. Realice un esquema de un montaje que
permitiera su medicin, sealando los valores que marcaran los posibles instrumentos de
medida que contuviera el montaje.
Datos: h = 6.631034Js, e = 1.61019C y me = 9.11031 kg.
187
Captulo 17
Segn el enunciado:
0 5 1014 Hz
1.2 1015 Hz
El montaje podra ser:
La ecuacin de Einstein viene dada por:
h ECmx
donde es la frecuencia de la radiacin incidente, es el trabajo de extraccin, y ECmx es la
energa cintica mxima de los electrones arrancados.
Como h0 entonces,
ECmx h( 0 ) (6.63 1034 Js) (1.2 1015 s 1 5 1014 s 1 ) 4.64 1019 J .

La diferencia de potencial establecida puede anular la energa cintica adquirida. Esto es:
e
V ECmx
V
(4.64 1019 J)
2.9 V
(1.6 1019 C)
17.16. Con el fin de reducir masa, quiere sustituirse el cableado de cobre de un avin por un
cable de material polimrico conductor (poliacetileno, PAC, dopado). Los cables han de poder
soportar el mismo nivel de intensidad.
a) Calcule el dimetro que habr de tener el nuevo cable polimrico sabiendo que el dimetro
del cable de cobre era de 0.4 mm.
b) Calcule la relacin: Masa (cable Cu)/Masa (cable PAC).
c) Suponiendo que la densidad del polmero no vara durante su proceso de dopado, indique
qu resistividad debera conseguirse para que la masa del cable se redujera a la mitad de la
masa del cable de cobre.
Datos: (Cu) = 1.7210-8 m, (PAC) = 110-7 m, (Cu) = 8.92 g/cm3 y (PAC) = 1.2 g/cm3.
L
L
R(Cu)
(Cu)
(Cu) 2
A
r (Cu)
188
Ediciones Paraninfo
a) Lo primero es calcular la resistencia del cable de cobre.
Bloque 3
Como la resistencia del cable polimrico ha de ser la misma:
R(Cu)
R(pol) (Cu)
r 2 (Cu)
(pol)
r 2 (pol)
Depejando y sustituyendo:
r (pol)
r (Cu)
(pol)
(1107 m)
(0.2 103 m)
4.82 104 m
(Cu)
(1.72 108 m)
El dimetro del nuevo cable ser:
d (pol)
2 r (pol)
2 (4.82 104 m)
0.964 mm
b) La relacin de masas sera:
m(Cu) (Cu) V (Cu) (Cu) ( r 2 (Cu) L) (Cu) (r 2 (Cu))

m(pol) (pol) V (pol) (pol) ( r 2 (pol) L) (pol) (r 2 (pol))

Sustituyendo:
m(Cu) (Cu) (r 2 (Cu)) (8.92 g cm3 ) (0.2 103 m)2

1.279
m(pol) (pol) (r 2 (pol)) (1.2 g cm3 ) (4.82 104 m)2
c) Imponiendo la condicin de que la relacin de masas sea 2:
m(Cu) (Cu) (r 2 (Cu))
m(pol) (pol) (r 2 (pol))
Adems, por el apartado a), sabemos que se requiere que la resistencia de los cables sean iguales, es
decir:
R(Cu) R(pol) (Cu)
L
L
r 2 (Cu) (Cu)
(pol) 2
2
r (Cu)
r (pol)
r (pol) (pol)
2
De modo que:
m(Cu) (Cu) (r 2 (Cu)) (Cu) (Cu)

2
m(pol) (pol) (r 2 (pol)) (pol) (pol)

Ediciones Paraninfo
(pol)
(Cu) (Cu) (8.92 g cm3 ) (1.72 108 m)

6.393 108 m
(pol)
2
(1.2 g cm3 )
2
189
Captulo 18
Propiedades elctricas de los materiales. Semiconductores
Captulo 18
18.1. Indique cul es la posicin del nivel de Fermi si la probabilidad de que un estado en el
extremo inferior de la BC (EC) est ocupado es precisamente igual a la probabilidad de que un
estado en el extremo superior de la BV (EV) est vaco.
El problema dice que f ( EC ) 1 f ( EV ) , lo que significa que:
1
EC EF
1 exp
kBT
1
1
1
EV EF
EF EV
1 exp
exp
1
kBT
kBT
de donde se concluye que
E EF
1 exp C
kBT
EF EV
exp
kBT
Y de aqu que ( EC EF ) ( EF EV ) , esto es, que

EF
EC EV
2
es decir, el nivel de Fermi est justo en la mitad de la banda prohibida, en las condiciones referidas.
18.2. Se dispone de un trozo de silicio intrnseco cuya conductividad elctrica a temperatura

ambiente es de 4104 (m)1 y en el que las movilidades de electrones y de huecos valen 0.14
y 0.048 m2/(Vs), respectivamente.
a) Calcule las concentraciones de portadores a dicha temperatura.
b) Cuando un electrn de los enlaces que rodean a los tomos de silicio logra escapar, se dice
que el enlace se ha roto. Determine cul ser la concentracin de enlaces rotos en el silicio intrnseco.
c) Si el material anterior se dopa (impurifica) con fsforo hasta obtener una concentracin de
portadores dominantes (mayoritarios) de 1023 m3 a temperatura ambiente, indique en qu
tipo de semiconductor se convierte. Estime la nueva conductividad, tambin a temperatura
ambiente, suponiendo que las movilidades de los portadores no han cambiado.
Dato: e = 1.61019 C.
a) Puesto que el material es intrnseco, n = p
Como n = p = ni
eni ( e h ) , y despejando ni:
190
Ediciones Paraninfo
ene eph
Bloque 3
(4 104 ( m) 1 )
ni
1.33 106 portadores m 3
e e h (1.6 1019 C) 0.14 m 2 (V s) 1 0.048 m 2 (V s) 1
b) Cada tomo de Si posee 4 electrones de valencia (pertenece al grupo 14), por tanto, formar 4
enlaces con los tomos vecinos. As pues, cada tomo de Si se rodea de 8 electrones.
Cuando un electrn de un enlace se libera, el enlace se rompe. El electrn queda libre y se convierte en un portador de corriente, y el enlace roto puede atrapar a otro electrn (libre o de otro enlace vecino), luego tambin acta como otro portador de corriente.
En el modelo de bandas la rotura de un enlace significa simplemente que se origina un hueco
en la BV y un electrn en la BC.
Como por cada enlace roto se origina un electrn y un hueco:

n de enlaces rotos = n de electrones = n de huecos
y, por tanto, la concentracin de enlaces rotos ser igual a ni = 1.331016 enlaces rotos/m3.
c) El P es un elemento del grupo 15 y, por tanto, actuar como donador. Los portadores mayoritarios del material sern electrones y el semiconductor ser extrnseco de tipo n.
(Vase
cmo n 1023 m 3 1.33 1016 m3 .)
Como los portadores dominantes sern los electrones, puede calcularse la conductividad como:
1
en
(1.6 1019 C) (1023 m 3 ) (0.14 m 2 (V s)
) 2 240 ( m)1
e
Ediciones Paraninfo
que es mucho mayor que en el caso intrnseco.
191
Captulo 18
18.3. La variacin de la resistividad del germanio intrnseco con la temperatura viene dada
por la siguiente tabla:
T (K)
385
455
556
714
(m) 0.0280 0.0061 0.0013 0.0003

Suponiendo que las movilidades de electrones y de huecos varan con la temperatura como
3
T 2 , y que la banda de energa prohibida, EIP, es independiente de la temperatura, determine
el valor de EIP en eV.
Dato: kB = 1.381023 J/K.
La conductividad es:
e( n e p h )
siendo n = p para un semiconductor intrnseco.

Segn el enunciado, e, h T 3/ 2 . Adems, a partir de la Expresin (18.4) puede extraerse
que:
n, p T 3/ 2 exp( E IP (2 k BT ))
Teniendo en cuenta lo anterior, la conductividad ser:
1 A exp( EIP (2kBT ))

donde A es una constante.
Aplicando ln, la expresin queda:
ln
EIP 1
ln A
2k B T
Representando ln frente a 1/ T (usando los datos de la tabla del enunnciado), se obtiene una
m E
3850 . Despejando, se obtiene formalmente que:
recta de pendiente
IP (2k B )
EIP 0.66 eV
18.4. Calcule el valor del intervalo prohibido para un semiconductor intrnseco de CdTe sabiendo que sus resistividades a 25 y 150 C son, respectivamente, 7.692107 cm y
1.54104 cm.
Dato: kB = 8.61710-5 eV/K.
192
(298 K)
1.3 106 ( m)1
(423
K) 6.49 103 ( m) 1
Ediciones Paraninfo
Las conductividades a esas temperaturas sern:
Bloque 3
La variacin de la conductividad con la temperatura en el caso de un semiconductor intrnseco viene dada por la expresin:
EIP
2kBT
(T ) 0 exp
Tomando ln en ambos miembros y sustituyendo los datos para ambas temperaturas, resulta el siguiente sistema de ecuaciones:
EIP
ln (298
K) ln 0
2k B 298 K
EIP
ln (423
K) ln 0

2k B 423 K
Despejando ln ( 0 ) de la primera ecuacin
EIP
ln ( 0 ) ln (298 K)
2k B 298 K
Sustituyendo en la segunda:
EIP
EIP
ln (423 K)
ln (298 K)

2k B 298 K 2k B 423 K
Operando:
ln (423 K) ln (298
K)
EIP 1
1
EIP 1.48 eV

2kB 298 K 423 K
18.5. Para un semiconductor de Ge dopado con P, en el lmite superior de temperatura de la

regin de agotamiento, la conductividad es de 60 (m)-1. Calcule:
a) La concentracin atmica de P dopante.
b) La temperatura a la que termina la regin de agotamiento (considere que esta regin termina justo cuando la conductividad intrnseca supera a la de agotamiento).
Datos: e =1.61019 C, e = 0.380 m2/(Vs), h = 0.182 m2/(Vs), kB = 8.61710-5 eV/K, ni (300 K) =
2.41019 portadores/m3 y EIP = 0.66 eV.
Ediciones Paraninfo
a) Semiconductor extrnseco tipo n n p e ne . Por tanto, n representa la concentracin de electrones de conduccin, pero tambin es aproximadamente igual a la concentracin de
tomos dopantes solicitada.
Despejando n, obtenemos:
193
Captulo 18
(60 ( m)1 )
19
9.868 1020 tomos P m3

n
2
1
e e (1.6 10 C) (0.380 m (V s) )
b) La conductividad intrnseca tiene la expresin:
0 exp EIP (2k BT )

Como nos indican que a la temperatura de agotamiento, la conductividad intrnseca es la de agotamiento:
1
60 ( m)
0 exp EIP (2kBT )
Para determinar T, solo queda calcular previamente 0. La conductividad intrnseca tambin puede
calcularse como:
1
(300 K)
eni ( e h
) (1.6 10 19 C) (2.4 1019 m 3 )(0.380 0.182) m 2 (V s)
2.16 ( m) 1
Igualando con: 0 exp EIP (2kBT )
0.66 eV
1
2.16 ( m)
7.558 105 ( m) 1
0 exp

0
5
1
2
(8.617
10
eV
K
)
(300
K)
Por tanto:
(0.66 eV)
60 (
m)-1 7.558 105 ( m) 1exp
5
1
2
(8.617
10
eV
K
)
(0.66 eV)
60 ( m)-1
T 405.63 K
ln
5
1
105 eV K 1 ) T
7.558
10
(
m)
2
(8.617
Ediciones Paraninfo
18.6. Una muestra de Si ha sido dopada con tomos de P. Si, a la temperatura de 300 K, se
encuentran ionizados un total de 1016 tomos/cm3, determine:
a) La concentracin de portadores mayoritarios.
b) El valor del intervalo prohibido.
c) La conductividad elctrica del material.
d) Una expresin para el factor preexponencial (0) de la conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco sabiendo que las movilidades de electrones y huecos son proporcionales
3
aT 2.
Datos: ni (300 K) = 1010 portadores/cm3, kB = 1.3810-23 J/K, e = 1.610-19 C, e = 1 400 cm2/(Vs),
h = 480 cm2/( Vs), me*/me = 0.26 y mh*/me = 0.39.
194
Bloque 3
a)
n 1016 electrones cm 3
10
3 2
Si (dopado P) Portadores
ni2 10 cm
2
104 huecos cm 3
ni pn p
16
3
n
(10
cm
)
b) Para un semiconductor, se sabe que la dependencia trmica de la concentracin intrnseca viene

dada por:
3
me* mh* 4 32
EIP
4.829
10
n
T exp
i
2 k BT
me me
21
Sustituyendo valores conocidos:
ni 1010 cm 3 4.829 10 21 0.26 0.39 4 300 K 2 exp EIP

3
2.22 10 15 exp EIP
(2 1.3810
23
J K 1 ) (300 K)
8.28 10 J
21
Tomando ln:
E IP
8.28 10
21
J
ln (2.22 10 15 )
33.74
Despejando:
E IP
2.79 10 19 J
1.74 eV
c) e ne ph
Sustituyendo:
(1.6 1019 C) (1016 cm3 )(1400 cm 2 V 1 s 1 ) (104 cm3 )(480 cm 2 V 1 s 1 ) 2.24 cm
n p ni
d) Intrnseco
3 2
0 exp EIP (2k BT ) e ni e h e niT a b
Sustituyendo la expresin de ni usada en el apartado anterior:

3
0 exp EIP (2kBT ) e 4.829 10 T

21
32
exp EIP (2kBT ) T
3 2
m* m* 4
e h a b
me me
Sustituyendo:
0 e 4.829 1021 0.26 0.39 4 a b 8.68 1020 e a b
Ediciones Paraninfo
195
Captulo 18
18.7. La conductividad elctrica del Ge a 25 C es de 0.02 (cm)1. Estime para esa temperatura:
a) La concentracin de portadores de carga.
b) La fraccin de los electrones de la banda de valencia que han sido promocionados a la banda de conduccin.
c) Para convertir una muestra de Ge puro en un semiconductor de tipo p con una conductividad de 100 (cm)1, determine qu tipo de impurezas y en qu concentracin debern ser
introducidas. Calcule las concentraciones de portadores para el semiconductor dopado.
Datos: e = 3 800 cm2/(Vs), h = 1 820 cm2/(Vs), e = 1.61019 C y a (Ge) = 5.66 108 cm con
estructura cristalina del diamante.
a) Semiconductor intrnseco (n = p = n i ):
nee peh ni e i e
Despejando ni y sustituyendo valores conocidos:
(0.02 ( cm) 1 )
ni
2.22 1013 portadores cm 3

19
1 1
e e p (1.6 10 C) ((3800 1820) cm V s )
Existirn 2.22 1013 electrones cm3 y 2.22 1013 portadores cm3 contribuyendo a la conduccin.
b) Segn el enunciado: a (Ge) = 5.66 10 8 cm y su estructura cristalina es la del diamante. El nmero de electrones de la BV del Ge se calcula como:
8 tomos
1 celdilla
4 electrones valencia
ntot
1.76 10 23 electrones cm 3
celdilla 5.66 10 8 cm 3
1 tomo
por tanto, la fraccin exitada ser igual a:
ni (2.22 108 electrones cm3 )
1.26 1010
ntot (1.76 1023 electrones cm3 )
c) A fin de obtener la conductividad deseada, se debe dopar el Ge con tomos de valencia 3 y agregar suficiente dopante para proporcionar el nmero requerido de portadores de carga. Si suponemos
que el nmero de portadores de carga intrnsecos es pequeo, y que cada uno de los tomos dopantes proporciona un hueco, entonces, la concentracin de dopantes ser igual a la concentracin de
los huecos, esto es, N a p .
2
Como adems np = ni , se tendr que:

1
e h N a
2
ni
e 2e h
n
i
196
Ediciones Paraninfo
e N a
Bloque 3
(100 cm 1 )
Na
3.43 1017 tomos dopantes cm 3
(3800 cm 2 V 1 s 1 )
(1820 cm 2 V 1 s 1 )
(1.6 1019 C)
2
2.22 1013 cm -3
Las concentraciones de portadores seran:
ni2
n
1.44 109 electrones cm 3

p
p
3.43 1017 huecos cm3
18.8. A la temperatura de 300 K, un cristal de Si tiene un 0.0001 % atmico de impurezas de

As. Si recibe un dopado uniforme de 31016 tomos P/cm3 y despus 1018 tomos B/cm3:
a) Calcule cul es la concentracin de portadores e indique qu tipo de semiconductor es.
b) Si el cristal homogneo tiene 2 cm de longitud y 0.5 cm2 de seccin, calcule la corriente que
suministrar una batera de 5V conectada a sus extremos.
Datos: [Si] = 51022 tomos/cm3, ni (300 K) = 1010 cm3, e (300 K) = 1 400 cm2(Vs)1, h (300 K) =
480 cm2(Vs)1 y e = 1.61019 C.
a) Segn el enunciado, Si
5 1022 tomos cm3 . Por tanto, segn tambin los datos del enunciado,
la concentracin de tomos de arsnico vendr dada por:
As
104
5 1022 tomos cm3 5 1016 tomos cm3
100
Dado que el As es pentavalente y el Si es tetravalente, las impurezas de As en Si actuarn como donadoras.

Posteriormente, el cristal de Si recibe los siguientes dopados
3 1016 tomos cm 3
P
B 1018 tomos cm 3
El P es pentavalente, y por tanto actuar como donante, mientras que el B es tetravalente, y actuar como aceptor.
Con todo,
N d As P (5 1016 cm3 ) (3 1016 cm3 ) 8 1016 cm3
N
a
1018 cm3
Por tanto, dado que Na > Nd, el semiconductor es de tipo p.

Como adems |Na Nd| = 9.21017 cm3 1.181010cm3 y suponiendo que a T = 300 K todas
las impurezas estn ionizadas:
Ediciones Paraninfo
p N a 1018 cm 3
ni2 (1010 cm 3 ) 2
100 cm 3
18
3
p
(10 cm )
197
Captulo 18
b) El esquema elctrico quedara:
La densidad de corriente viene dada por J E0 . Como adems, J I A ,se tendr entonces que
I A
E0 A V L
Por otro lado, la conductividad puede calcularse como:
e ( n e p h ) (1.6 10 19 C) (100 cm 3 ) (1400 cm 2 V 1 s 1 ) (1018 cm 3 ) (480 cm 2 V 1 s 1 )

1
1
76.8 ( cm)
7.68 103 ( cm)1
=0 76.8 C V1 s1 cm
Por tanto, la intensidad ser:
5V
I (0.5 cm 2 ) (76.8 C V 1 s 1 cm 1 )
96 A
2 cm
18.9. En la fabricacin de un dispositivo microelectrnico, con sustrato de GaAs, se ha practicado un dopado uniforme de 1010 tomos de Si por cm3. Suponiendo que un 5% de los tomos
de Si reemplazan a tomos de Ga, y que el resto sustituyen a tomos de As, calcule, a la temperatura de 300 K:
a) Las concentraciones de donadores y aceptores
b) La concentracin de portadores, y establezca a qu tipo de semiconductor correspondera.
c) La posicin del nivel de Fermi respecto al nivel intrnseco.
d) La resistividad de la muestra.
Datos: Para el GaAs: ni = 2.1106 cm3, EIP = 1.42 eV, e = 8 500 cm2/(Vs), h = 400 cm2/(Vs),
e = 1.61019C y kB = 8.617105 eV/K.
a) El Si (grupo 14) en el GaAs se comporta como donador o como aceptor, segn sustituya al Ga
(grupo 13) o al As (grupo 14), respectivamente. As pues:
Nd
0.05 1010 tomos cm3
5 108 cm3
Na
0.95 1010 tomos cm3
9.5 109 cm3
Como 9 109 cm 3 N a ni Semiconductor tipo p fuertemente dopado
198
Ediciones Paraninfo
b) N a N d (9.5 109 cm 3 ) (5 108 cm 3 ) 9 109 cm 3
Bloque 3
p N
9.5 109 cm 3
a
n 2 (2.1106 cm 3 ) 2
n i
464.21 cm 3
9
3
N a (9.5 10 cm )
Ntese que p > n el semiconductor es de tipo p, como se haba indicado.
(9.5 109 cm3 )

kBT ln ( p ni )
(8.617 105 eV K 1 ) (300 K) ln
0.21 eV
c) EF Ei
6
3
(2.110 cm )
d) La conductividad se calcular:
e( n e p h )
(1.6 1019 C) (464.21 cm 3 ) (8500 cm 2 V 1 s 1 ) (9.5 109 cm 3 ) (400 cm 2 V 1 s 1 )
6.08 107 ( cm) 1
Por tanto, la resistividad:
1
1.64 10 6 cm
18.10. Un semiconductor de Si est dopado con 1017 tomos de B por cm-3. Sabiendo que, a
temperatura ambiente, las difusividades de electrones y huecos son, respectivamente, 25 cm2/s
y 3 cm2/s, determine su conductividad elctrica.
Datos: ni = 1010 cm3, e = 1.61019 C y kB = 1.381023 J/K.
Dado que el B es trivalente y el Si tetravalente, las impurezas de B en Si actuarn como aceptoras.
Na
10 1016 tomos cm 3 ni
1010 tomos cm 3
Por tanto:
Ediciones Paraninfo
p N a 10 1016 cm 3
n2
(1010 cm 3 ) 2
n i
103 cm 3
N a (10 1016 cm 3 )
La conductividad ser:
199
Captulo 18
pn
e ne ph eph
Para terminar hace falta conocer la movilidad de los huecos, la cual puede obtenerse a partir de la
relacin de Einstein:
k BT
e
Despejando y sustituyendo valores:
Dh
e
(1.6 1019 C)
(3 cm2 s 1 )
116.72 cm 2 V 1 s 1
k BT
(1.38 1023 J K 1 ) (298 K)
Aunque no es necesario calcularla para resolver este problema, la movilidad de los electrones sera:
e
k BT
De (25 cm 2 s 1 )
(1.6 1019 C)
972.67 cm 2 V 1 s 1
(1.38 1023 J K 1 ) (298 K)
Sustituyendo valores en la ecuacin de la conductividad:

1
ep
(1.6 1019 C) (10 1016 cm3 ) (116.72 cm 2 V 1 s
) 1.87 cm
h
18.11. Considere un diodo de unin pn de Si, de 2 000 m2 de seccin, que tiene 51016 cm-3 de
impurezas donadoras y 31016 cm-3 de impurezas aceptoras. Se sabe que, en estos dispositivos,
la intensidad de corriente de saturacin en polarizacin inversa, I S , tiene la expresin:
De
Dh
I S Aeni2
N a Ln N d Ld
donde A es la seccin de la unin pn y Ln y Lp son las longitudes de difusin de electrones y

huecos (es decir, las distancias medias recorridas antes de recombinarse).
Determine, a temperatura ambiente, la intensidad de corriente que lo atraviesa cuando se le
aplica una tensin de 650 mV.
Datos: ni = 1010 cm3, e = 1.61019 C, Ln = 10 m, Lp = 20 m, kB = 1.381023 J/K, e =
1 400 cm2/(VS) y h = 480 cm2/(VS).
La expresin para la intensidad de corriente que atraviesa un diodo es:
Lo primero que debemos calcular es la corriente de saturacin segn la expresin del enunciado:
200
Ediciones Paraninfo
Ve
I I S exp
1
k BT
Bloque 3
D
D
I S Aeni2 e h
N a Ln N d Ld
De y Dh son las difusividades de electrones y huecos, las cuales pueden determinarse a partir de la
relacin de Einstein:
Para los electrones:
D
e
e
k BT
e
k BT
(1.38 1023 J K 1 ) (298 K)
(1400 cm2 V 1 s 1 )
35.98 cm 2 s 1
19
e
(1.6 10 C)
Para los huecos:
D
h
h
k BT
(1.38 1023 J K 1 ) (298 K)
(480 cm 2 V 1 s 1 )
12.33 cm2 s1
e
(1.6 1019 C)
Sustituyendo en la ecuacin de la intensidad de saturacin:

D
Dh
I S Aeni2 e
N a Ln N d Ld
2
2
1
1
2 000 cm 2
(35.98 cm s )
(12.33 cm s )
10
19
3 2
(1.6 10 C) (10 cm )
4 2
(3 1016 cm 3 ) 10 cm (5 1016 cm 3 ) 20 cm
(10 )
4
10
10
4.23 1016 A
La corriente para una tensin aplicada de 500 mV:
Ve
I I S exp
k BT

(0.650 V) (1.6 10 19 C)
16
(4.23 10 A) exp
40.68 A
1
1
23
(1.38 10 J K) (298 K)

18.12. Determine, a 50 C, la densidad de corriente de difusin de una pieza de Ge, de seccin

transversal 1.5 mm2, en la cual la concentracin de tomos de B a lo largo del eje de la barra
sigue la ley 51025x cm-3, siendo x la distancia a lo largo del eje de la pieza, centrada desde uno
de sus extremos.
Datos: e = 1.61019 C, EIP = 0.66 eV, kB = 8.617105 eV/K, e = 3 800 cm2/(Vs), h =
1 820 cm2/(Vs), me*/me = 0.12 y mh*/me = 0.30.
Ediciones Paraninfo
Lo primero es calcular la concentracin intrnseca de portadores, ni, para 150 C.
201
Captulo 18
me* mh* 4 32
EIP
4.829
10
n
T exp
i
m
m
2 k BT
e e
21
3
3
(0.66 eV)
3
ni (4.829 1021 cm 3 K 2 ) (0.12) (0.3) 4 (323 K) 2 exp
5
1
2 (8.617 10 eV K ) (323 K)
1.64 1019 cm 3
Como el P es pentavalente y el Ge tetravalente, las impurezas de P actuarn como donadoras.
Nd
5 10 25 x tomos cm 3 ni
1.64 1019 tomos cm 3
n N d
5 10 25 x cm 3
ni2 (1.64 1019 cm 3 ) 2 5.38 1012

cm 3
p N
3
25
(5 10 x cm )
x
d
La densidad de corriente de difusin para los electrones y huecos viene dada por las expresiones:
J e eDe grad(n)
J h eDh grad( p)
Para resolver el problema necesitamos calcular tambin las difusividades de electrones y huecos,
para lo cual podemos usar la relacin de Einstein:
k BT
e
Para los electrones:
D
e
e
k BT
(1.38 1023 J K 1 ) (323 K)
(3800 cm2 V 1 s1 )
105.86 cm 2 s 1
19
e
(1.6 10 C)
Para los huecos:
D
h
h
k BT
(1.38 1023 J K 1 ) (323 K)
(1820 cm 2 V 1 s 1 )
50.70 cm 2 s 1
(1.6 1019 C)
e
As pues:
Je
eDe grad(n)
(1.6 1019 C) (105.86 cm2 s-1 ) grad (5 1025 x)
Ediciones Paraninfo
(1.6 1019 C) (105.86 5 1025 cm2 s-1

) 8.47 108 C s 1 cm2
202
Bloque 3
Jh
eDh grad( p)
(1.6 1019 C) (50.70 cm 2 s -1 ) grad (5.38 1012 x 1 )
(1.6 1019 C) (50.70 5.38 1012 x 2 cm2 s-1 )

4.36 105 x 2 C s1 cm2
La densidad de corriente total, quedara:
J J e J h (8.47 108 C s 1 cm 2 ) (4.36 10 5 x 2 C s 1 cm 2 ) 8.47 108 C s 1 cm 2
18.13. Desea fabricarse un dispositivo fotoemisor con una aleacin (de dos compuestos semiconductores de tipo 13-15), como material fotoactivo, emparedada entre capas de GaP que
actan como sustrato o material pasivo. Los requerimientos que debe cumplir el material fotoactivo son:
Su intervalo prohibido ha de ser de 1.10 eV
Su parmetro cristalino ha de ser lo ms parecido posible al del GaP, para evitar desacoplos de red (la discrepancia ha de ser inferior al 10%).
a) Calcule la composicin y el parmetro cristalino de la aleacin elegida, y explique qu significa esta composicin.
b) Indique qu procedimiento empleara para hacer crecer las capas pasivas sobre el material
fotoactivo. Descrbalo brevemente.
Material GaAs GaSb GaP
EIP (eV) 1.42 0.75 2.27
5.65 6.10 5.45
a ()
Datos: h = 6.631034 Js y e = 1.61019 C.
a) El intervalo prohibido de la aleacin deber ser de 1.10 eV.

Qu aleaciones son posibles?
1. GaSb/GaAs GaSbAs, EIP [0.75 ,1.42] eV
2. GaAs/GaP GaAsP, EIP [1.42 , 2.27] eV
3. GaSb/GaP GaSbP, EIP [0.75 , 2.42] eV
La aleacin 2 debe descartarse pues el rango de su intervalo prohibido no contiene el valor exigido.
Las aleaciones 1, y 3 deben estudiarse detenidamente.
Aleacin 1. GaAs1 xSb x
A GaSb y B GaAs
La aplicacin de la ley de Vegard para el clculo del intervalo prohibido, lleva a:
Ediciones Paraninfo
EIP
xEIP A (1 x) EIP B 1.10
0.75 x (1 x)(1.42)
AB
Despejando x:
1.10 0.75 x 1.42 1.42 x 0.67 x 0.32
x 0.48
203
Captulo 18
Luego la aleacin sera: GaAs0.52Sb0.48 , y su parmetro de red (ley de Vegard):

a AB xa A (1 x)aB (0.48) (6.10 ) (0.52) (5.65 ) 5.87
Aleacin 3. GaSb x P1 x
A GaSb y B GaP
El intervalo prohibido tendr la expresin:
EIP AB x (0.75 eV) (1 x) (2.27 eV) 1.10 eV

Despejando
1.10 0.75 x 2.27 2.27 x 1.52 x 1.17 x 0.77

Por tanto, la aleacin sera: GaSb0.77 P0.23 , y el parmetro reticular quedar:
a AB (0.77) (6.10 ) (0.23) (5.45 ) 5.95
La condicin segunda del enunciado obliga a elegir la aleacin 1, por tener un parmetro de red
5.87 , ms parecido al del sustrato GaP (5.45 ).
La aleacin elegida ser, pues, GaAs0.52Sb0.48 , lo que significa que por cada 100 tomos de Ga,
existen 52 tomos de As y 48 tomos de Sb.
b) Habra que emplear la tcnica de crecimiento epitaxial, proceso que consiste en hacer crecer un
cristal sobre otro cristal que acta de soporte, obteniendo un cristal nico que asegura la continuidad
de la red cristalina.
El procedimiento exige:
-
Que las redes cristalinas de ambos materiales sean del mismo tipo (por ejemplo cristales cbicos).
Que los parmetros cristalinos o distancias entre tomos vecinos sean parecidas.
Actualmente se emplean preferentemente tres modalidades:

VPE, o epitaxia con fase vapor
LPE, o epitaxia con fase lquida
MBE, o epitaxia por haces moleculares.
Ediciones Paraninfo
204
Bloque 3
Captulo 19
Propiedades elctricas de los materiales. Aislantes
19.1. El polietileno es uno de los materiales que se usan como recubrimiento en cables
elctricos para baja tensin. Teniendo en cuenta que el espesor, aunque variable, suele tener
un mnimo de unos 0.3 mm para un cable estndar:
a) Calcule el valor mnimo, de la propiedad elctrica que considere, exigible al material
aislante para asegurar proteccin al manipular el cable.
b) Verifique si el PE es efectivamente un buen material para esta aplicacin, el margen de
seguridad con el que se cuenta al emplearlo y el espesor mnimo exigible a la funda de PE.
Dato: ER (PE)= 20.3 MV/m.
a) Claramente, la propiedad que nos interesa evaluar es la rigidez dielctrica:

ER
V
d
Considerando que el suministro elctrico domstico suele tener una diferencia de potencial de
240 V, sustituyendo en la expresin anterior obtendremos la rigidez dielctrica mnima exigible:
V
(240 V)
ER
6 105 V m1
0.6 MV m1
d
(0.4 103 m)
b) El PE es un buen material para esta finalidad, ya que su ER (PE) = 20.3 MV/m > 0.6 MV/m. El
margen de seguridad con el que se cuenta ser:
E R ( PE ) (20.3 MV m 1 )
33.83
E R ( min) (0.6 MV m 1 )
En caso de hacerse con PE, el espesor mnimo que debera tener la funda es:
V
(240 V)
d
6
1.18 105 m = 1.18 102 mm 0.4 mm

E R (20.3 10 V m 1 )
19.2. Seleccione un material, de entre los de la tabla adjunta, para aislar electricamente una
superficie de 5103 cm2 en una aeronave, de modo que sea capaz de soportar diferencias de
potencial de hasta 104 V.
Ediciones Paraninfo
Almina
Plexigls
Polietileno (HD)
ER (MV/m)
13.4
19.7
21.7
(g/cm3)
3.9
1.11
1.24
Denominemos V* al potencial mximo que debe soportar el material.
205
Captulo 19
Por la propia definicin de rigidez dielctrica:

E
V
d
V E R d V *

Por otro lado, como se trata de una aplicacin aeronutica un requisito importante para realizar
la seleccin es la masa del dielctrico.
m
V
m
A d

V E R d E R
m
10 4 V
A
Con lo cual:
m 104 V
Almina
Plexigls
Polietileno
A
ER
(3.9 106 g m 3 ) (0.5 m 2 )

m
( 104 V)
1455.22 g
(13.4 106 V m 1 )
(1.11 106 g m 3 ) (0.5 m 2 )

m
(104 V)
281.72 g
(19.7 106 V m 1 )
(1.24 106 g m 3 ) (0.5 m 2 )

m
(104 V)
285.71 g
(21.7 106 V m 1 )
19.3. Un condensador est fabricado con un material dielctrico de constante igual a 1 000 y
espesor 0.5 mm. Las armaduras son placas metlicas adheridas a ambos lados del dielctrico.
Debido a una ligera distorsin de una de las placas, 1/3 de su rea est separada del dielctrico por un espacio de aire de 1 m. Los restantes 2/3 de la placa estn en perfecto contacto, y la
segunda placa no tiene defecto alguno. Discuta el efecto de la presencia de la irregularidad
(con relacin a un condensador no defectuoso) sobre:
a) La capacidad.
b) La tensin de ruptura.
6
6
Datos: E R (dielctrico) 2 10 V m y E R (aire) 3 10 V m .
Considere que el condensador defectuoso puede modelarse como una asociacin conveniente
(serie y/o paralelo) de condensadores libres de defectos y condensadores con aire entre las
placas, de las dimensiones adecuadas.
206
Ediciones Paraninfo
Por tanto, aunque por una diferencia pequea, el material ms adecuado es el plexigls, aunque
tenga una rigidez dielctrica inferior a la del polietileno.
Bloque 3
a) El condensador defectuoso puede suponerse equivalente a la asociacin en paralelo siguiente:
Segn lo indicado en el enunciado, y denominando A al rea total del condensador, las reas (A1 y
A2) de cada uno de los condensadores del circuito equivalente deben cumplir:
A1 2 A 3
A2 A 3
Para el condensador 1:
C1 0 r
2A 3
d
A su vez, el condensador 2 podemos suponerlo formado por la asociacin en serie de otros dos
condensadores (uno vaco y otro lleno):
Para el condensador vaco: d = 1 m de aire
1
1
1
d
3d
3d
3
d
d
d
C2 C21 C22 0 A 3 0 r A 3 0 A 0 r A 0 A
r
Por tanto:
C2
0 A
3 d r d
La capacidad total ser:
Ediciones Paraninfo
C Cdefectuoso
1
0 r A 2 1 d
2 A 0 r A
1

C1 C2 0 r

d 3 3 d
3d
3d d r 1

d
C C
0 r
sin defecto
A
d
207
Captulo 19
Sustituyendo:
1
2 1 (106 m)

(1000) 1 0.78 C
C C
3
3 3 (0.5 10 m)

*
Es decir, la capacidad del conductor defectuoso se ha reducido en un 22 %.

Este apartado puede resolverse de un modo ms fcil. Particularizando:
C1 2C 3
C21
C d 1 C (106 m)
1
C

3
3
3 d r 3 (0.5 10 m) (10 ) 6
C22
Por tanto:
C
3
2C
1
7C
C*
0.78 C
6
3
3
9
C C
b) Supongamos que la ruptura comienza en el aire, esto significara que el valor del campo elctrico
sera de 3 MV/m, y en el dielctrico de:
Eo
3
MV
m 3 kV m
1000
que es ms pequeo que el campo de ruptura dielctrico, por lo que nuestra suposicin anterior es
correcta. Entonces:
*
Vruptura
Vaire Vdielctrico (3 106 V m1 ) (106 m) (3 103 V m1 ) (0.5 103 m) 4.5 V
Si el condensador no tuviera defectos, la tensin de ruptura sera de:
Vruptura (2 106 V m 1 ) (0.5 103 m) 1000 V
19.4. Un condensador de placas plano-paralelas posee una capacidad de 2.6910-11 F cuando se

coloca un dielctrico de naturaleza desconocida, rea 2410-4 m2 y espesor 3 mm.
a) Con ayuda de la Tabla 19.2 indique de qu material se trata.
b) Calcule la polarizacin cuando la tensin aplicada entre las placas es de 220 V, y determine
el porcentaje que supone el campo inducido en el dielctrico del aplicado exteriormente.
Datos: E R (dielctrico) 2 106 V m , E R (aire) 3 106 V m , y 0 8.85 1012 F m .
208
Ediciones Paraninfo
Por tanto, podemos decir que la tensin de ruptura decae bruscamente con la existencia del defecto de contacto.
a) Sabemos que
C 0 r
Bloque 3
A
d
Despejando:
r C
d
(3 103 m)
(2.69 1011 F)
3.8
(8.85 1012 F m1 ) (24 104 m2 )
0 A
Consultando la tabla, el dielctrico debe ser nailon-6,6.

b) Conocemos que la polarizacin puede calcularse como:
P 0 1 1 r E 0 (8.85 1012 F m 1 ) (1 1 3.8) (73.333 103 V m 1
)
4.78 107 F V m 2 4.78 107 C m 2
Adems, el campo inducido se relaciona con la polarizacin mediante:

EM
Por lo que el campo inducido quedara:
P 0 1 1 r E0
EM
0.64 E0
1 1 r E0
Por tanto, el campo inducido en el nailon-6,6 supone el 64 % del campo exterior aplicado.
Si no se hubiese pedido calcular la polarizacin, la ltima cuestin podra haberse obtenido directamente a partir de la propia definicin de campo inducido:
E M
E0 E = E0
E0
19.5. Se conoce la polarizacin electrnica de un gas en condiciones normales es 1.0310-9 C/m2

cuando se le aplica una diferencia de potencial de 500 V a travs de una distancia de 2.5 mm.
Determine de qu gas concreto puede tratarse.
Datos: 0 8.85 1012 F m y NA = 6.021023. Necesitar consultar una tabla de radios atmicos
de los gases nobles (por ejemplo en www.webelements.com).
La polarizacin electrnica se calcula como
Ediciones Paraninfo
Pe n
( p e ) n eEloc
con n el nmero de dipolos por unidad de volumen.
209
Captulo 19
Como en el enunciado se indica que el gas est en condiciones normales, NA de moles de este
gas ocuparn 22.4103 m3. Por tanto, podemos escribir:
p N
E N
Pe e A e loc A 1.03 10 9 C m 2
Vm
Vm
Puede considerarse que como se trata de un gas, medio poco denso, el campo local ser muy similar
al campo aplicado:
V
(500 V)
2 105 V m 1
E loc E loc
d
(2.5 10 3 m)
Por tanto:
VmPe
(22.4 103 m3 ) (1.03 109 C m 2 )
1.915 1040 F m 2
(6.022 1023 ) (2 105 V m 1 )
N AEloc
Adems, suponiendo tomos perfectamente esfricos, la polarizabilidad e puede calcularse como:

1
e 4 0 R
R e
4 0
1
3 (1.915 1040 F m 2 ) 3
1.20 1010 m = 0.120 nm = 120 pm

R e

12
1
4
4
(8.85
10
F
m
)
Buscando en una tabla peridica, podemos comprobar que este valor de radio atmico coincide con
el del Rn.
19.6. Considerando un cristal de SrO en el que se ha medido una polarizacin inica de

2.0510-7 C/m2, determine:
a) El valor del campo actuante en el interior del material.
b) La polarizacin P .
Datos: r (Sr2+) = 113 pm, r (O2-) = 140 pm, =7, r 14.5 , 0 8.85 1012 F m , NA = 6.0221023
y estructura del SrO del tipo NaCl.
a) A partir de la Expresin (19.28), la polarizacin inica se calcula como:
con n el nmero de iones por unidad de volumen.

El parmetro reticular es fcilmente calculable sabiendo que la estructura es tipo NaCl, ya que
por tanto habr contacto entre los iones a lo largo de una arista del cubo:
210
Ediciones Paraninfo
Pi n
( p i ) n iEloc
Bloque 3
a
2 r (Sr 2 ) r (O2 )
2 (113 1012 m) + (140 1012 m)
5.06 1012 m
Como en este tipo de estructuras hay 8 iones por celdilla, la concentracin de iones ser:
n
iones
8 iones
6.175 10 28 iones m 3
3
a
(5.06 10 12 m)3
La polarizabilidad inica se puede calcular a partir de la expresin:

4 0 d 3 4 0 rcat ran
i
1
1
Sustituyendo:
4 (8.85 1012 F m 1 ) (113 10 12 m) + (140 1012 m)
i
3.002 1040 F m 2
(7) 1
3
As pues:
Eloc
Pi
(2.05 107 C m 2 )
1.1058 104 V m 1
n i (6.175 1028 iones m3 ) (3.002 1040 F m 2 )
Por ltimo, podemos determinar el campo en el interior del dielctrico:
r 2 E
Eloc
E=
3Eloc
3 (1.1058 104 V m 1 )
2.01103 V m 1
r 2
(14.5) 2
b) La polarizacin se determina fcilmente a partir de:

E loc E
P
3 0
Despejando P y sustituyendo valores:
P 3 0 Eloc E 3 (8.85 1012 F m1 ) (1.1058 104 V m1 ) (2.01103 V m)
Ediciones Paraninfo
2.4 107 C m2
19.7. Determine la energa de activacin para el movimiento de cationes Mg2+ en el MgO sabiendo que las conductividades debidas al movimiento catinico, a 500 y 1 000 C, valen
7.5210-16 y 2.6510-7 (m)-1, respectivamente.
Dato: k B 1.38 1023 J K .
211
Captulo 19
La conductividad debida al movimiento de una especie inica i viene dada por la Expresin (19.4).
ni ( zi e) 2 Di
k BT
Ya que conocemos esta contribucin para dos temperaturas, podemos escribir:
i ,T
ni ( zi e)2 Di ,T1
kBT1
y i ,T
ni ( zi e)2 Di ,T2
kBT2
Dividiendo ambas expresiones:

ni ( zi e) 2 Di ,T1
Di ,T T2
i ,T
k BT1
2
ni ( zi e) Di ,T
T1 Di ,T
i ,T
1
k BT2
Despejando y sustituyendo valores:
Di ,T1 T1 i ,T1 (773 K) (7.52 1016 ( m) 1 )
1.72 109
Di ,T2 T2 i ,T2 (1273K) (2.65 107 ( m)1 )
Las difusividades pueden calcularse empleando la Expresin (19.3):
Di D0i exp Ei (kBT )

El cociente de difusividades a las dos temperaturas quedara:
Di ,T1 D0i exp Ei (kBT1 ) exp Ei (kBT1 )
Di ,T2 D0i exp Ei (kBT2 ) exp Ei (k BT2 )

Di ,T
ln 1
Di ,T
2
Ei
E
E 1 1
i i i

kBT1 kBT2 kB T2 T1
Ei
Ei
1
1
3.9717 104 Ei 5.48 1019 J K

kB (1273K) (773K)
kB
Ediciones Paraninfo
ln 1.72 109
212
Bloque 3
19.8. Una larga y fina rodaja de un material dielctrico tiene una densidad atmica de
51028 tomos/m3, y cada tomo tiene una polarizabilidad de 10-40 Fm2. Halle el valor del
campo local cuando el campo elctrico exterior aplicado es de 1 Vm-1.
Dato: 0 8.85 1012 F m .
La expresin del campo local segn Lorentz es:
Eloc E P (3 0 )
Como, adems, sabemos que:
P 0 r 1 E
Resultar que:
Eloc E
0 r 1 2 r
=
E
3 0
3
Por otro lado, de la relacin de Clausius Mossotti:
n r 1
3 0 r 2
donde n es el nmero de tomos por unidad de volumen y la polarizabilidad de cada uno de ellos.
Despejando r , obtenemos:
n r
2n 3 0 r 3 0
2 n 3
n 3 0
0
r n 3 0
2n
3 0 r
2 n 3 0
3 0 n
Como = 10-40 Fm2 y n = 51028 tomos/m3, se obtiene:
2 (5 1028 tomos m 3 ) (1040 F m2 ) 3 (8.85 1012 F m1 )
1.70
3 (8.85 1012 F m1 ) (5 1028 tomos m3 ) (1040 F m2 )
Adems,
E o (1 V m 1 )
0.588 V m 1
r
(1.70)
Ediciones Paraninfo
Por tanto,
2 r
E loc
3
2 (1.70)
1
1
(0.588 V m ) 0.72 V m
E
3
213
Captulo 19
19.9. Quiere fabricarse un condensador de placas plano-paralelas con una capacidad mnima
de 6010-12 F cuando se aplica una tensin alterna de 500 V y 1 MHz. Sabiendo que el
condensador tiene unas dimensiones de 3550 mm y que la separacin entre placas es de
1.5 mm, escoja, de entre los materiales de la tabla, el que considere ms adecuado teniendo en
cuenta que desean minimizarse las prdidas.
A 106 Hz
Almina
Poliestireno
Polietileno
Rutilo
ER
(MV/m)
13.4
19.7
21.7
6
tan
8.9
2.56
2.26
86
3.310-4
0.710-4
510-4
310-4
Dato: 0 8.85 1012 F m .
El condensador debe tener las mnimas prdidas posibles, pero antes hemos de asugurar de que cada
candidato puede trabajar en las condiciones que se establecen en el enunciado.
La capacidad del condensador viene dada por:
C 0 r
A
d
Despejando:
(1.5 103 m)
(41 1012 F)
2.36
r
(8.85 1012 F m) (17.5 104 m2 )
0 A
Por tanto, los candidatos deben cumplir que r 5.81 , lo que no ocurre con el polietileno.
Adems, deben ser capaces de soportar la tensin especificada sin que se produzca ruptura
dielctrica:
V
(500 V)
3.33 105 V m 1
ER
d
(1.5 10 3 m)
Condicionante que cumplen ambas cermicas y el poliestireno.

Por ltimo, evaluemos las prdidas de estos dos candidatos:
PV 0 r E m2 tan
Almina
V
(500 V)
3.33 105 V m -1
E0m
d
(1.5 10 3 m)
214
Ediciones Paraninfo
El valor mximo del campo elctrico aplicado ser de:
Bloque 3
Por lo que el campo elctrico en el interior del material ser igual a:
E
(3.33 105 V m-1 )
Em 0m
3.74 104 V m-1
(2.3)
r
Sustituyendo:
PV
0 r E m2 tan
(106 s 1 ) (8.85 1012 F m 1 ) (8.9) (3.74 10 4 V m -1 ) 2 (3.3 10 4 )
114.22 W m 3
Poliestireno
El campo elctrico en el interior del material ser igual a
E
(3.33 105 V m 1 )
E m 0 m
1.3 105 V m1
(2.56)
r
Y la potencia disipada por unidad de volumen:
PV
0 r E m2 tan
(106 s 1 ) (8.85 1012 F m1 ) (2.56) (1.3 105 V m 1 )2 (0.7 104 )
84.2 W m 3
que resulta ser del orden, pero inferior, a la correspondiente a la almina.
Rutilo
El campo elctrico en el interior del material ser igual a
E
(3.33 105 V m1 )
Em 0m
3.872 103 V m1
(86)
r
Y la potencia disipada por unidad de volumen:
PV 0 r Em2 tan (106 s1 ) (8.85 1012 F m1 ) (86) (3.872 103 V m1 )2 (3 104 )

10.75 W m3
Ediciones Paraninfo
Por tanto, el material adecuado es el rutilo
19.10. Desea construirse un encendedor en el que sea necesario aplicar una fuerza muy
pequea para su encendido. Se ha escogido un bloque piezoelctrico de titanato de bario, de
seccin 0.07 mm2 y espesor 0.5 mm. Sabiendo que la separacin entre los electrodos se ha
previsto que sea de 0.25 mm, determine si, con estas condiciones, el encendedor tendr un
fcil encendido.
Datos: E R (aire) 3 MV m , R (BaTiO 3 ) 1250 y 0 8.85 10 12 F m y k p 140 1012 C / N .
215
Captulo 19
El mdulo piezoelctrico permite relacionar la polarizacin con la tensin mecnica aplicada a travs de la ecuacin:
kp
Q A Q
F A F
Q
kp
A su vez, la carga se puede determinar a partir de la capacidad y la diferencia de potencial aplicada:

Q C V
donde la capacidad del condensador se puede determinar a partir de la Expresin (19.9):
C 0 r
A
(0.06 106 m2 )
(8.85 1012 F m 1 ) (1250)
1.33 1012 F
d
(0.5 103 m)
Solo resta determinar la diferencia de potencial. Esta ser la mnima necesaria para producir la ruptura dielctrica de una franja de aire de 0.25 mm (separacin entre electrodos).
Vmin d E R (0.25 103 m) (3 106 V m 1 ) 750 V
De modo que la carga sera:
Q C Vmin (1.33 1012 F) (750 V) 9.97 1010 C
Y la fuerza a aplicar:
Q (9.97 10 10 C)
7.12 N
kp
(140 10 12 )
Ediciones Paraninfo
que no es una fuerza pequea como para aplicarla con el pulgar de la mayora de las personas.
216
Bloque 3
Captulo 20
Propiedades magnticas de los materiales
20.1. Por una espira circular de radio 50 mm pasa una corriente de 10 A. Calcule:
a) El momento dipolar magntico de dicha espira.
b) La energa potencial de la espira cuando se sita en el seno de un campo magntico de 2 T y
forma un ngulo de 65 con las lneas de campo.
a) El momento dipolar magntico es:
m I A I R 2 (10 A) (50 103 m)2 0.7854 A m2

b) La energa potencial:

E p m B m B cos (0.7854 Am2 ) (2 T) cos (65 ) 1.4236 J
Independientemente del ngulo inicial en el que se coloque, si la espira tiene libertad de movimiento, se tendera a posicionar de modo que el ngulo formado sea de 0 (mnima energa).
20.2. Para los iones Cr3+ y Gd3+, determine:

a) Su configuracin electrnica.
b) El valor de los nmeros L, S, J y el nmero efectivo de magnetones de Bohr paramagnticos por tomo.
a) La configuracin electrnica del Cr es:

Cr 24 :1s 2 2s 2 2 p6 3s 2 3 p6 4s1 3d 5 1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 6 d 5 4s1
Por tanto, la configuracin del Cr3+ ser:

1s2 2s2 p6 3s2 p6 d 3
Para el caso del Gd:

Gd 64 : Kr 4d 10 5s 2 5 p6 4 f 7 5d 1 6s 2
Kr 4d 10 f 7 5s 2 p6 d 1 6s 2
Por tanto, la configuracin del Gd3+ ser:
Kr 4d 10 f 7 5s 2 p6
Ediciones Paraninfo
b) Para el caso del Cr3+:
217
Captulo 20
Para el ion Cr3+, el nico orbital que no est completamente lleno es el 3d y cuenta con solo 3
electrones (de los 10 que podra albergar). El resto de orbitales no har contribucin neta al momento dipolar magntico, por lo que pueden ser ignorados. De acuerdo con la regla de mxima multiplicidad de Hund, cada uno de ellos ocupar una casilla. Como se trata de un orbital d, l 2, de modo
que ml podr tomar los valores comprendidos entre 2 y +2. As, el valor del nmero cuntico L se
calcula como:
L ml 2 1 0 3
Y como, de acuerdo tambin con la regla de Hund, todos los electrones sern paralelos, el nmero cuntico S se calcular como:
S ms 12 12 12 23
Como la ocupacin del orbital es inferior al 50 %, entonces el nmero cuntico J valdr
J L S 3 32 32 , y el factor de Land:
3 S ( S 1) L( L 1) 3 32 ( 52 ) 3 (4) 2
g
2
2 J ( J 1)
2
2 32 ( 52 )
5
El nmero efectivo de magnetones de Bohr se calcula como
N
g J ( J
1)
P
2
5
3
2
( 23
1)
15
5 0.77
Para el ion Gd3+, el nico orbital que no est completamente lleno es el 4f y cuenta con solo 7
electrones (de los 14 que podra albergar). El resto de orbitales no har contribucin alguna al momento dipolar magntico, por lo que pueden ser ignorados. De acuerdo con la regla de mxima mul-
218
Ediciones Paraninfo
Para el caso del Gd3+:
Bloque 3
tiplicidad de Hund, cada uno de ellos ocupar una casilla. Como se trata de un orbital f, l 3, de
modo que ml podr tomar los valores comprendidos entre 3 y +3. As, el valor del nmero cuntico
L se calcula como:
L ml 3 2 1 0 1 2 3 0
Como todos los electrones sern de nuevo paralelos, el nmero cuntico S se calcular como:
S ms 12 12 12 12 12 12 12 72
Como la ocupacin del orbital es exactamente del 50%, entonces el nmero cuntico J valdr
J L S 0 72 72 , y el factor de Land:
3 S ( S 1) L( L 1) 3 72 ( 92 ) 0 (1)
g
2
2
2 J ( J 1)
2
2 72 ( 92 )
El nmero efectivo de magnetones de Bohr ser:
N P g J ( J 1) 2
7
2
( 72 1)
77 7.94
20.3. Sabiendo que la susceptibilidad magntica del Cr es de 3.1310-4 a 293 K, determine:

a) La permeabilidad magntica relativa a 293 K.
b) La contribucin del material al campo cuando la magnetizacin vale 915 A/m.
c) La relacin entre los valores del campo en el Cr y en el vaco.
d) El valor del campo en el vaci para el valor de magnetizacin dado en el apartado b).
Dato: 0 1.257 106 T m A .
a) La permeabilidad magntica relativa se determina fcilmente a partir de la susceptibilidad.
m r 1
Despejando:
r m 1 (3.13 10 4 ) 1 1.000313
b) A partir de la Expresin (20.7):
B M 0M = (1.257 10 6 T m A 1 ) (915 A m 1 ) 1.15 10 3 T
c) La relacin pedida no es ms que B B0 ; es decir, la propia definicin de permeabilidad magntica

relativa:
Ediciones Paraninfo
B
1.000313
B0
d) Por el apartado anterior:
219
Captulo 20
B r B0
Adems:
B B0 0M
Combinado las dos ecuaciones:
M 0M (1.15 103 T)
B0 0M B0 0 =
=
3.67 T
r B0
(3.13 104 )
r 1 m
20.4. La magnetizacin dentro de una barra de un material magntico lineal es de 630 mT

para un campo aplicado Bo de 629 mT. Calcule:
a) La permeabilidad magntica relativa y la susceptibilidad magntica.
b) El valor de la contribucin del material al campo.
c) Enumere qu tipo(s) de magnetismo presenta este material.
a) Como se indica que el material tiene comportamiento magntico lineal:

B r B0
La susceptibilidad sera:
B (630 103 T)
r
1.00159
B0 (629 103 T)
m r 1 (1.00159) 1 1.59 10 3
b) La contribucin del material al campo se determina fcilmente.
B
B0 B M
BM
B B0
1 103 T
c) Con este valor, cabe pensar en dos tipos de magnetismo: diamagnetismo o paramagnetismo.
Como m es positivo y del orden de 103, debe ser paramagntico, aunque recuerde que todos los
materiales presentan diamagnetismo en mayor o menor grado.
20.5. Estime el radio atmico del oro sabiendo que su susceptibilidad vale -3.44105.
Datos: 0 = 1.257106 Tm/A, Z (Au) = 79, M (Au) = 196.96 g/mol, (Au) = 19.3 g/cm3, NA =
6.0221023, me = 9.1110-31 kg y e = 1.610-19 C
Dado que la susceptibilidad tiene un valor negativo, el Au es un metal diamagntico. Por tanto, a
travs de la Expresin (20.15) podemos relacionar su permeabilidad relativa con el radio atmico.
220
0 Ze2 R 2 n
6 me
Ediciones Paraninfo
r 1
Bloque 3
Como
Ze 2 R 2 n
m
r 1 m
0
6 me
Despejando el radio:
12
6m
R m 2e
n 0 Ze
Solo resta calcular n y sustituir:
n
19.3
g 106 cm3 1 mol N A tomos

5.9011028 tomos m3
3
3
cm
1m
196.96 g
1 mol
Sustituyendo:
12
(3.44 105 ) 6 (9.11 1031 kg)
28
2
3
6
1
19
(5.901 10 tomos m ) (1.257 10 T m A ) (79) (1.6 10 C)
3.54 1011 m
0.354
El valor anterior es claramente absurdo, si se tiene en cuenta que el valor real del radio del Au es de
144 pm = 1.44 .
A qu puede deberse esta fuerte discrepancia? El error reside en nuestra suposicin de que el
oro muestra un comportamiento diamagntico puro, cuando no es as. La configuracin electrnica
del oro es:
Au: Xe 4 f 14 5d 10 6s1
lo que significa que existen un electrn en el nivel 6s que no est apareado. Este electrn otorga al
oro cierto comportamiento paramagntico, que debe ser muy pequeo y no es capaz de eclipsar el
comportamiento diamagntico.
20.6. El niobio es un metal con propiedades superconductoras por debajo de 9.25 K. Sabiendo
que se encuentra a 5 K, y que el campo crtico externo a 0 K es de 25.89104 T, determine:
a) El valor del campo en el interior del material.
b) El valor del campo crtico.
a) Como el material se encuentra a una temperatura inferior a Tc, el campo en el interior del metal
valdr 0.
Ediciones Paraninfo
b) El campo crtico puede calcularse a partir de:

T
(5 K)
4
3
B
Bc 0 1
(25.89 10 T) 1
c
1.189 10 T
(9.25
K)
T
221
Captulo 20
20.7. Para el aluminio:

a) Calcule, en funcin de su configuracin electrnica, el momento magntico atmico. Indique qu tipo de magnetismo exhibir.
b) Calcule la magnetizacin de saturacin.
c) Sabiendo que, para campos dbiles, la susceptibilidad magntica se calcula por medio de la
ley de Curie del paramagnetismo, calcule el valor de la susceptibilidad a la temperatura de
300 K. Compare el resultado obtenido con el medido experimentalmente de 2.0710-5. Razone
a qu puede deberse la discrepancia.
Datos: Z (Al) = 13, M (Al) = 26.98 g/mol, (Al) = 2.7 g/cm3, 0 = 1.257106 Tm/A, B =
9.271024 Am2, kB 1.38 1023 J K y NA = 6.0221023.
a) Momento magntico atmico:

Al 13 :1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p1
Para Al, el nico orbital que no est completamente lleno es el 3p y cuenta con solo 1 electrn
(de los 6 que podra albergar). El resto de orbitales no har contribucin neta al momento dipolar
magntico, por lo que pueden ser ignorados. De acuerdo con la regla de mxima multiplicidad de
Hund, cada uno de ellos ocupar una casilla. Como se trata de un orbital p, l 1, de modo que ml
podr tomar los valores comprendidos entre -1 y +1.
As, el valor del nmero cuntico L se calcula como:
L ml 1
Y como de acuerdo tambin con la regla de Hund, todos los electrones sern paralelos, el nmero
cuntico S se calcular como:
S ms 12
Como la ocupacin del orbital es inferior al 50 %, el nmero cuntico J valdr
J L S 1 12 12 . Y el factor de Land:
3 S ( S 1) L( L 1) 3 12 ( 32 ) 1 (2) 2
g
2
2 J ( J 1)
2
2 12 ( 23 )
3
El nmero efectivo de magnetones de Bohr ser, por tanto:
N
g J ( J 1)
2
3
1
2
( 32
)
3
3 0.57
b) La magnetizacin de saturacin se calcular cuando todos los dipolos magnticos estn alineados
con la direccin del campo impuesto externamente. Matemticamente:
MS nm
La concentracin de tomos de Al sera:
222
Ediciones Paraninfo
donde n es el nmero de dipolos (= tomos) por unidad de volumen.
2.7
n
Al
Bloque 3
g 1 mol N A tomos
6.022 10 22 tomos cm 3
cm 3 27 g
1 mol
La magnetizacin de saturacin valdra:
MS
(6.022 1022 cm 3 ) (0.57 B )
9.27 1024 J T 1
J
0.318
1 B
T cm3
0.318
102 cm
J
J
6
3.18 105 A m 1
0.318 10
T cm3 1 m
T m3
c) Por definicin:
M
m
M
B m 0
B0
0 0
Por otro lado segn la ley de Curie:
M
y, por tanto:
m 0
nm 2B0 mM S B0
3k BT
3k BT
mM S
(9.273 1024 J T 1 ) (3.18 105 A m 1 )
(1.257 106 T m A 1 )
2.98 104
3k BT
3 (1.38 1023 J K 1 ) (300 K)
El valor experimental es de 2.0710-5, inferior al obtenido. Esto puede deberse a los efectos
diamagnticos, que tienden a disminuir la susceptibilidad, y que en la expresin de la ley de Curie
no son tenidos en cuenta. (Suponemos que el campo magntico es lo suficientemente dbil como
para que sea cierta la aproximacin de la ley de Curie).
20.8. Calcule la magnetizacin de saturacin y el campo magntico de saturacin aplicado

para el hierro, que tiene un nmero efectivo de magnetones de Bohr por ion de 2.2, y una densidad de 7.87 g/cm3.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol, 0 = 1.257106 Tm/A, B = 9.271024 Am2 y r = 3.5105.
a) La magnetizacin de saturacin se calcular por la Expresin (20.27):
MS N F B n
donde n es el nmero de tomos por unidad de volumen, y B es el magnetn de Bohr.
Como
Ediciones Paraninfo
7.87
n
Fe
g
1 mol N A tomos
8.49 10 28 tomos m 3
cm 3 55.85 g
1 mol
Por tanto,
223
Captulo 20
MS (2.2
tomo
) (9.27 1024
A m2
) (8.49 1028
tomos
) 1.73 106 A m 1
m3
b) De acuerdo a la Expresin (20.11):
1
M r B0
0
Despejando, el campo magntico de saturacin sera

(1.257 106 T m A 1 )
6
1
6
B0S 0 MS =
(1.73 10 A m ) 6.2110 T
5
1
(3.5
10
)
1
20.9. Considere un metal hipottico que presenta comportamiento ferromagntico y que tiene
estructura CS (cbica simple), un radio atmico de 0.125 nm y una contribucin del material
al campo en la saturacin de 0.85 T. Determine el nmero de magnetones de Bohr por tomo
para este material.
Datos: 0 = 1.257106 Tm/A y B = 9.271024 Am2.
Podemos calcular la magnetizacin en la saturacin a partir del valor de la contribucin del material
al campo en la saturacin:
BMS 0M S
B
(0.85 T)
M S MS
676 213.21 A m 1
0 (1.257 10 6 T m A 1 )
Por otro lado:
MS N F B n
Para determinar el nmero efectivo de magnetones de Bohr ferromagnticos, solo resta calcular n
(nmero de tomos por unidad de volumen).
Como la estructura es CS, habr un nico tomo por celdilla, y contacto entre los tomos se
produce a lo largo de las aristas del cubo:
tomos
1 tomo 1 tomo
1 tomo
6.4 1028 tomos m3
n
9 3
3
3
(2r )
(2 0.25 10 m)
Vol celdilla
a
Por tanto,
MS
(676 213.21 A m 1 )
1.14
B n (9.271024 A m2 ) (6.41028 tomos m3 )
Ediciones Paraninfo
N
F
224
Bloque 3
20.10. Suponiendo que, en la ferrita de cobalto (CoFe2O4)8 la magnetizacin se debe solo a los
iones de Co2+, y que tiene una celdilla de tipo cbico con una arista de 0.838 nm, estime:
a) La magnetizacin de saturacin.
b) El valor de la contribucin del material al campo en la saturacin.
Datos:0 = 1.257106 Tm/AB = 9.271024 Am2 y suponga que solo el momento angular de
espn de los electrones contribuye al momento magntico de los iones.
a) La magnetizacin de saturacin ser igual a:

M fS nN c B
donde, n es el nmero de dipolos magnticos por unidad de volumen y Nc el nmero de mgnetones

de Bohr por dipolo.
El momento magntico neto proviene nicamente de los iones de Co2+, de los que existen
8/celdilla:
8 dipolos
1 celdilla
n
1.36 1028 dipolos m 3

celdilla (0.833 109 m)3
Como se nos indica que supongamos que solo el momento angular de espn de los electrones
contribuye al momento magntico de los iones, nos estn diciendo que el momento orbital est bloqueado. En estos casos, el nmero de magnetones de Bohr coincide con el nmero de espines desapareados.
La configuracin electrnica del Co es:
Co 27 :1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p 6 4s 2 3d 7 1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 6 d 7 4s 2
Por tanto, la configuracin del Co2+ ser:

1s2 2s2 p6 3s2 p6 d 7
Los clculos, considerando que no hay bloqueo salen 6.63 B .

2
dipolos
B
24 A m
1
5
M fS nN c B 1.36 1028
8.36 10 A m
9.27 10
6.63
3
m
dipolo
Si consideramos que hay bloqueo, saldran 3.87 B , con lo cual:

2
dipolos
B
24 A m
1
5
3.87
9.27
10
M fS nN c B 1.36 1028
4.88 10 A m

3
m
dipolo
Ediciones Paraninfo
b) BMS 0M S (1.257 106 T m A) (4.88 105 A m) 0.613 T
225
Captulo 20
20.11. Dibuje, de forma esquemtica, la curva de histresis de un material ferrimagntico que

tiene una remanencia o campo remanente de 0.7 T y un campo coercitivo de 0.4 T. Dicho
material alcanza la saturacin cuando se aplica un campo de 0.7 T, para el cual el campo
magntico en su interior es de 1.6 T.
Dato: 0 = 1.257106 Tm/A.
Cualitativamente, la forma de la curva debera ser:
Conviene tambin dibujar la curva M vs. B0 , porque el fenmeno de saturacin se pone ms

claramente de relieve. Para ello, debemos saber que:
B B0
B B0 0M M
B S B0
(1.6 T 0.7 T)
7.16 105 A m
(1.257 10 6 T m A)
B R B0
(0.7 T 0 T)
5.57 105 A m
(1.257 10 6 T m A)
La curva M vs. B quedara, por tanto:
226
Ediciones Paraninfo
De este modo, la magnetizacin de saturacin y de remanencia se calcularn como:
Bloque 3
Ediciones Paraninfo
227
Captulo 21
Propiedades pticas de los materiales
Captulo 21
21.1. Una lmina de un material elctricamente aislante se coloca en el vaco, y se le hace incidir un haz de luz con una inclinacin de 40 con respecto a la normal a la superficie, midindose un ngulo de 25, tambin con respecto a la normal, para el haz refractado. Para dicho
material, determine:
a) El ndice de refraccin.
b) La constante dielctrica.
Datos: nvaco = 1 y r = 0.99995.
a) Segn la ley de Snell:

sen 1 c1
sen 2 c2
Como n c cm , podemos expresarla como:
n1 sen 1 n 2 sen 2
Los ngulos en la ley de Snell estn referidos a la normal a la superficie de separacin de los
dos medios, y en el enunciado lo que nos estn proporcionando son los complementarios. Por tanto,
1 90 50 40 y 2 90 65 25 , por lo que despejando y sustituyendo valores:
n2
n1 sen 1 (1) sen (40 )
1.52
sen 2
sen (25 )
b) El ndice de refraccin se puede relacionar con la constante dielctrica a travs de:

n r r
que solo es vlida para materiales aislantes, como es el caso.

n2
(1.52)2
2.31
(0.99995)
21.2. Estime la parte real del ndice de refraccin del GaAs a 5.091014 Hz sabiendo que su
ndice de amortiguamiento, a esa frecuencia, es de 0.24, su susceptibilidad magntica toma un
valor de 16.210-6, y que su conductividad elctrica es 1.610-3 (m)-1. Compare el resultado
con el valor experimental de 3.94.
Dato: 0 8.85 1012 A s V 1 m 1 .
228
Ediciones Paraninfo
Bloque 3
Sabemos que la condutividad elctrica est relacionada con el ndice de refraccin complejo a
travs de la expresin:

n ik r r i
Elevando al cuadrado:
r r i
2
2
n k 2nk i
2 0
Igualando partes reales y partes imaginarias, y quedndonos con la parte imaginaria que es la que
nos permite relacionar la conductividad elctrica con la parte real del ndice de refraccin:
2nk
2 0
Despejando:
n r
4 k 0
Adems
m r 1 r m 1 ( 16.2 10 6 ) 1 1.0000162
Sustituyendo todos los valores conocidos:
(1.6 103 ( m)1 )

r
(1.0000162)
2.68 108
n
4 k 0
4 (0.24) (5.09 1014 s 1 ) (8.85 1012 A s V 1 m 1 )
El valor obtenido est lejsimos de 3.94 por el motivo ya expuesto en el ejercicio resuelto 21.1, y es
que la conductividad elctrica proporcionada no se ha medido a las frecuencias a las que se han
determinado las propiedades pticas.
21.3. La intensidad de un haz de luz de frecuencia 6.121014 Hz se reduce un 37 % cuando se

propaga 9 nm en un determinado material. Calcule la fraccin de intensidad incidente, de la
misma frecuencia, que sera capaz de atravesar una muestra del mismo material con un espesor de 15 nm.
Dato: c 3 108 m s 1 .
Ediciones Paraninfo
La profundidad a la que la intensidad de un haz de luz se reduce un 37 % es la denominada profundidad de penetracin caracterstica, d, que viene dada por:
d 1
229
Captulo 21
Por otra parte,
4k
c
As que combinando ambas expresiones:
c
9 nm
4k
De esta expresin podemos extraer el ndice de amortiguamiento del material:
c
(3 108 m s 1 )
4.33
4d 4 (6.12 1014 ) (9 109 m)
Por otra parte:
IT ( z ) I 0 exp( z )
4 (6.12 1014 s 1 ) (4.33)
IT ( z )
4k
z exp
exp
(15 109 m) 0.189
8
1
I 0
c
(3
10
m
s
)
21.4. Determine la frecuencia umbral de un metal sabiendo que cuando sobre una pelcula de
dicho material, de 20 nm de espesor, incide un haz de luz de frecuencia 4.51014 Hz, solo el
25 % de la intensidad incidente es capaz de atravesarlo.
Datos: c 3 108 m s 1 y r = 1.00015.
La frecuencia de corte puede relacionarse con el coeficiente de absorcin, , a travs de la

expresin:
4
r
c
p2
1
2
Adems:
I I 0 exp( z )
Despejando y aplicando logaritmos:
De modo que sustituyendo los datos porporcionados en el enunciado:
230
Ediciones Paraninfo
ln I I 0 z
Bloque 3
ln I I 0 ln 0.25
69.31 106 m 1
z
(20 109 m)
Retomando la primera ecuacin:

4
c
p2
1
2
4 r
p2
1
2
Elevando al cuadrado y despejando:

c
p 1
4 r
1.71 1015 s 1
2
(3 108 m s 1 ) (69.31 106 m 1 ) 2 2
14
1
(4.5 10 s ) 1

4 (4.5 1014 s 1 ) (1.00015)
21.5. Se colocan, por separado, lminas muy delgadas de Sn (gris), CdS y AlN, y se les hace
indicir un haz de luz blanca. Comente qu colores se veran a travs de estas, y de qu colores
se veran dichos materiales.
Datos: EIP (Sn gris) = 0.08 eV , EIP (CdS) = 2.50 eV , EIP (AlN) = 6.20 eV, c 3 108 m s 1 ,
h 4.14 1015 eV s y de la luz blanca = 0.39 - 0.78 m.

Lo primero es calcular las frecuencias extremas de la luz blanca:
c
Sustituyendo queda:
bajas
c (3 108 m s 1 )
3.85 1014 Hz
(0.78 106 m)
altas
c (3 108 m s 1 )
7.69 1014 Hz
(0.39 106 m)
Las frecuencias bajas se corresponden con la parte roja del espectro, mientras que las altas se corresponden con la parte azul.
La energa asociada a estas frecuencias se calcula fcilmente mediante:
Ebajas h (4.14 1015 eV s) (3.85 1014 s 1 ) 1.59 eV
Ediciones Paraninfo
Ealtas h (4.14 1015 eV s) (7.69 1014 s 1 ) 3.18 eV

Por tanto, como el AlN tiene un intervalo prohibido superior a la mxima energa que pueden
proporcionar los fotones de la luz blanca, estos no sern capaces de excitar a los tomos de AlN, y
toda la radiacin atravesar el material veramos todos los colores a su travs luz blanca.
231
Captulo 21
El caso del Sn(gris) sera el completamente opuesto. Su intervalo prohibido es inferior al de la energa que puede suministrar cualquier fotn de luz blanca, por lo cual todos sern absorbidos es
opaco. Como el Sn(gris) lo absorbe todo, el material se ve negro (no se extrae, el nombre del material no es el ms adecuado)
El CdS tiene un intervalo de 2.50 eV, por lo que dejar pasar toda la radiacin con energa superior a este valor, mientras que la de energa inferior ser absorbida. Determinemos qu colores se
veran:
(2.50 eV)
E
6.038 1014 s 1
h (4.14 10 15 eV s)
Consultando la Figura 21.2, podemos comprobar que esta frecuencia cae en la frontera entre los
colores verde y azul. Por tanto, la radiacin correspondiente a colores entre el azul y el violeta atravesara una lmina delgada de CdS.
Por otra parte, absorbera toda la radiacin entre el rojo y el verde, con lo cual se vera con un
color comprendido entre estos dos extremos. Realmente, este material tiene un color amarilloanaranjado.
21.6. Compare el error cometido al calcular la reflectividad de un metal como el oro, y de una
cermica como la almina, segn se tenga en cuenta o no el ndice de amortiguamiento.
Dato: Tome los datos de la tabla 21.4.
Si no tenemos en cuenta la parte imaginaria del ndice de refraccin, la reflectividad viene dada por:
n 1
R
n 1
Para los materiales indicados quedara:

2
(0.26) 1
Roro
0.345
(0.26) 1
(1.76) 1
Ralmina
0.076
(1.76) 1
Si tenemos en cuenta el ndice de refraccin complejo tendremos que usar la ecuacin de de

Beer:
(n 1)2 k 2
(n 1) 2 k 2
Roro
(1.76) 1 107
2
2
(1.76) 1 107
2
Ralumina
0.899
0.0758
Vemos que en el caso de la almina, y de las cermicas en general, el ndice de

amortiguamiento es practicamente despreciable frente a la parte real, por lo que la diferencia al
calcular la reflectividad de uno u otro modo tambin lo es. Para el caso de los metales, la parte
232
Ediciones Paraninfo
(0.26) 1 (2.96) 2
2
(0.26) 1 (2.96)2
Bloque 3
imaginaria es la que tiene un mayor peso, y no puede ser obviada, porque se llegaran a
conclusiones absurdas como, por ejemplo, que el oro refleja muy mal la luz.
21.7. Demuestre que el ngulo de incidencia para que se produzca polarizacin por reflexin
viene dado por la expresin P arctan n 2 n 1 . Determine, adems, el ngulo de incidencia
para el que se polariza parcialmente la luz del sol cuando incide sobre el mar.
Datos: nagua= 1.33 y naire= 1.
a) Cuando el ngulo de incidencia 1 P se cumple que la suma de los ngulos de incidencia :
P
90 sen
cos P
2
2
siendo 2 el ngulo del haz refractado.
Por supuesto, la ley de Snell debe cumplirse:
n 2 sen 2 n1 sen 1 n 2 sen 2 n1 sen P

Teniendo en cuenta lo anterior:
n 2 cos 2 n1 sen P
tan P
n2
n1
n
P arctan 2
n1
b) Para el caso de la luz del sol sobre el mar:
n2
(1.33)
P arctan
arctan
53.06
(1)
n1
21.8. Desea fabricarse un blindaje para radiacin infrarroja, para evitar ser detectados por
sistemas basados en la captacin de este tipo de radiacin. Teniendo en cuenta que el intervalo
de frecuencias del IR es de 3.851014 - 4.841014 Hz, escoja, de entre los materiales siguientes,
el ms adecuado para este fin.
Material
Aluminio
Hierro
Poliestireno
Vidrio sdico-clcico
(m)
26.5510-9
97.110-9
1018
1010
Ediciones Paraninfo
La reflectividad para radiacin de frecuencias bajas, como es el caso del infrarrojo, puede calcularse
mediante la expresin:
R 1 4 0 cc
233
Captulo 21
Necesitaremos escoger el material que ms refleje la radiacin infrarroja emitida por nuestro
cuerpo, para que as nos oculte de los detectores. Por tanto, la frecuencia ms desfavorable del
rango IR ser la mayor (dar menos reflectividad), y es la que utilizaremos en la ecuacin.
Sustituyendo valores, por ejemplo, para el aluminio:
R 1 4 0 cc 1 4
(8.85 1012 A s V 1 m 1 ) (4.84 1014 s 1 )

(26.55 109 m) 1
0.9244
Es decir, si nos ocultamos con Al, el 92.44 % de la radiacin que emitimos ser reflejada.
Repitiendo los clculos con los demas materiales:
Material
Aluminio
Hierro
Poliestireno
Vidrio sdico-clcico
R
0.9244
0.8554
<0
<0
Como era de esperar, los materiales elctricamente aislantes no son nada efectivos para esta
finalidad.
21.9 Se pretende fabricar un lser de dos niveles con GaAs intrnseco, con el requisito de que
el haz lser pueda atravesar completamente una lmina de CdS de 1 mm de espesor.
a) Indique si es esto posible.
b) En caso de no serlo, explique cmo podra solucionarse el problema.
Datos: EIP (GaAs) = 1.42 eV, EIP (CdS)= 2.50 eV y h 4.14 1015 eV s .
a) Como es un semiconductor intrseco, y el lser es de un nico nivel, la energa de los fotones que
emite ser la correspondiente a la de su intervalo prohibido.
Para resolver el problema no hara falta hacer ningn clculo, sino simplemente comparar las
EIP de ambos materiales. No obstante, con unos mnimos clculos puede cuantificarse si este lser
concreto es realmente adecuado para alguna funcin.
Podemos calcular la frecuencia que emite el lser a travs de:
EIP h
EIP
h
EIP
(1.42 eV)
3.43 1014 s 1
h
(4.14 10 15 eV s)
Consultando el espectro de la Figura 21.2 podr comprobar que cae dentro de la regin infrarroja,
por lo que su energa es muy baja.
Si repetimos el clculo con la energa del intervalo prohibido del CdS, comprobamos que este
material solo deja pasar radiaciones con frecuencias superiores a 6.3810-14 s-1. En definitiva, el
lser ser completamente absorbido por el CdS.
b) Dopando el GaAs de modo que el lser emita con frecuencias mayores de 6.3810-14 s-1.
234
Ediciones Paraninfo
Bloque 3
21.10. La fibra ptica est fundamentada en un proceso de reflexin total.

a) Determine la expresin que permite calcular el ngulo de incidencia mximo (ngulo de
aceptacin) para que se produzca dicha reflexin completa.
b) Calcule el ngulo de aceptacin para el caso de una fibra realizada en un material con ndice de refraccin 1.46, con una funda con ndice 1.43.
a) Supongamos un haz de luz que trata de pasar desde la fibra hacia el exterior (revestimiento).
Sufrir un proceso de refraccin que vendr condicionado por la ley de Snell:
sen 1 n 2
sen 2 n1
Si el ngulo de incidencia (aceptacin) es el adecuado, el ngulo en la parte del revestimiento

ser de 90, por lo que dicho haz no podr escapar de la fibra ptica. Recuerde que en la ley de Snell
los ngulos se miden con respecto a la normal a la superficie de separacin de los dos medios.
Denominando con el subndice a al ngulo de aceptacin (medido con respecto a la vertical) y t

al ngulo transmitido:
sen a n t
sen t n a
Imponiendo que el ngulo transmitido sea de 90:
sen a (1)
nt
na
n
a arcsen t
na
b) Particularizando para los datos indicados:
(1.43)
a arcsen
78.36
(1.46)
Incidencias con ngulos superiores a este aseguran una total transmisin del haz sin prdidas hacia
el exterior.
Recuerde que este ngulo lo hemos referido a la vertical de separacin de ambos medios (fibra
y revestimiento). Si quisiese referirlo a la horizontal (eje de la fibra), el ngulo de aceptacin mximo sera el complementario del anterior:
Ediciones Paraninfo
a' 90 a 90 (78.36 ) 11.64
235
Captulo 22
Propiedades trmicas de los materiales
Captulo 22
22.1. Se sabe que, a temperatura ambiente, los tomos de un metal puro vibran con una
frecuencia de 1.15721011 Hz, y la amplitud mxima de dichas vibraciones es de 2.18810-11 m.
Determine de qu metal se trata. Necesitar consultar una Tabla Peridica (Apndice C) que
recoja las masas atmicas de los elementos.
Datos: N A 6.022 1023 y k B 1.38 1023 J K -1 .
La frecuencia de vibracin puede determinarse a partir de la expresin:
1
2
Ea
m
2
Ea
(M N A )
a
E
M
NA
(1)
donde a es la distancia interatmica (no el parmetro reticular) y M la masa molar del elemento.
Por otra parte:
umx
6 k BT
Ea
E
a
6 k BT
2
umx
(2)
Igualando las ecuaciones (1) y (2), se obtiene:
M 6 k BT
2
N A umx
Despejando M y sustituyendo valores conocidos:
6k T
NA
6 (1.38 1023 J K 1 ) (298 K)
(6.022 1023 mol1 )
M 2B
58.71 g mol1
2
2
11
2
11
1
(2.188 10 m)
umx 2
2 (1.1572 10 s )
Buscando en una tabla peridica, se comprueba que el Ni tiene una masa molar de 58.69 g/mol,
por lo que debe tratarse de dicho elemento.
22.2. Desean fabricarse lingotes de plata de 20 cm de longitud. Calcule cul ha de ser la

longitud a temperatura ambiente (298 K) que debe tener el molde en el que va a verterse la
Ag para su solidificacin.
Datos: L (Ag) 18.9106 K -1 y TF (Ag) = 1 235 K
L L L0 T
236
Ediciones Paraninfo
El cambio de longitud que sufre un material con la temperatura viene dado por la expresin:
L
L0 L L0 (T T0 )
L0
Bloque 3
L
1 L (T T0 )
Sustituyendo los datos.
L
(20 102 m)
L0
20.36 102 m 20.36 cm

1 L (T T0 ) 1 (18.9 106 K 1 ) (298 K 1235 K)
22.3. Desea recubrirse una chapa de acero AISI 1 025 con un material cermico para mejorar
su dureza superficial. La chapa va a colocarse de modo que ninguna de sus dilataciones est
impedida. Escoja, de entre los dos materiales cermicos de la tabla, aquel que permita
alcanzar una mayor temperatura sin que el recubrimiento se agriete, indicando las
temperaturas mximas alcanzables con ambos materiales.
L (K1)
12.510-6
8.810-6
0.510-6
Acero AISI 1025

SiO2
Al2O3
E (GPa)
200
400
73
sLE (MPa)
280
250
47
Dado que ambos recubrimientos son materiales cermicos, podemos considerar que la deformacin
plstica que pueden soportar es nula. Por tanto, el esfuerzo mximo que podrn admitir sin
agrietarse ser el correspondiente al lmite elstico, de modo que la deformacin en ese instante
puede calcularse a travs de la ley de Hooke:
E eLE
sLE
eLE
sLE
Si el recubrimiento fuera de SiO2, la deformacin mxima que podra soportar sera:

e
LE
sLE
(47 MPa)
6.44 10 4
(73 103 MPa)
Si fuese de Al2O3, la deformacin mxima sera:

e
LE
sLE
(250 MPa)
6.25 10 4
(400 103 MPa)
Como la chapa no tiene impedida la deformacin (ninguno de sus bordes est fijo), la
deformacin que genera tensiones residuales ser la producida por la dilatacin diferencial entre las
deformaciones de la chapa y del recubrimiento.
L
e L T
L0
L
L
L0 L L0 (T T0 )
L0
1 L (T T0 )
Ediciones Paraninfo
L L L0 T
237
Captulo 22
eac Lac T
eac erec e Lac Lrec T
erec Lrec T
Para que no se agriete el recubrimiento:
e Lac Lrec T eLErec

La temperatura mxima que podr soportar el recubirmiento de SiO2 es:
eLE
(6.44 104 )
53.66
K 53.66 C
Lac Lrec (12.5 106 K 1 0.5 106 K 1 )
Tmax SiO2 25 C 53.66 C 78.65 C
En el caso de la Al2O3:
T
eLE
Lac L rec
(6.25 104 )
168.92
K 168.92 C
12.5 106 8.8 106 K 1
Tmax Al2O3 25 168.92 193.92 C
22.4. Para su uso en laboratorio, se desea adquirir un recipiente que estar sometido a
calentamientos y enfriamientos bruscos. Un distribuidor ofrece dicho recipiente fabricado con
tres materiales diferentes (vea tabla adjunta). Determine qu material es el ms adecuado
para este fin.
Vidrio de borosilicato KG33

Vidrio de slice 7 913 (96.5 % SiO2)
Vidrio sdico-clcico
L (K1)
-6
3.1510
0.7510-6
910-6
E (GPa)
65
68
70
F (MPa) (Wm-1K-1)
29
160
32
1.1
1.2
1.05
Si el recipiente trabajar sometido a cambios bruscos de temperatura, el principal criterio de

seleccin deber ser su resistencia al choque trmico.
Una cifra de mrito para determinarlo es:
F
E L
Sustituyendo valores en los distintos casos, obtenemos:
Ediciones Paraninfo
Vidrio de Borosilicato KG33
238
Bloque 3
F
(29 MPa) (1.1 W m1 K 1 )
155.80 W m1
3
6
1
E L (65 10 MPa) (3.15 10 K )
Vidrio de de Slice 7 913
F (160 MPa) (1.2 W m1 K 1 )
3764.71 W m1
E L (68 103 MPa) (0.75 106 K 1 )
Vidrio sdico-clcico
F (32 MPa) (1.05 W m1 K 1 )
53.33 W m1
(70 103 MPa) (9 106 K 1 )
E L
Como era de esperar, el vidrio sdico-clcico es, con diferencia, el que presenta la resistencia al
choque trmico ms baja. Escogeramos el vidrio de slice 7 913.
22.5. Las velocidades longitudinales y transversales del sonido en el platino son 3 260 y
1 730 m/s, respectivamente.
a) Estime su temperatura de Debye y calcule la desviacin con respecto al valor experimental
de 240 K.
b) Obtenga la frecuencia mxima de vibracin de los tomos de dicho material a la TD.
Datos: M (Pt) = 195.1 g/mol, (Pt) = 21.47 g/cm3, h 6.63 1034 J s , N A 6.022 1023 y
k B 1.38 1023 J K -1 .
La temperatura de Debye puede estimarse como:

1
h v 3N 3
TD s
kB 4 V
donde la velocidad media se calcula como:
2 1
vs 3 3 3
v t vl
1
3
13
Adems:
N NA
(21.47 g) 1 mol N A tomos
Pt
6.627 10 22 tomos cm 3 6.627 1028 tomos m 3

V Vm
1cm 3
(195.1 g)
1 mol
Ediciones Paraninfo
La velocidad media resultar:
239
Captulo 22
1
2 1 3
3
2
1
vs
3 3 3
33
1933.35 m s 1
1 3
1 3
v
v
(1730
m
s
)
(3260
m
s
)
l
t
1
3
Por lo que la temperatura de Debye resulta:

1
(6.63 1034 J s) (1933.35 m s 1 ) 3 (6.627 1028 m 3 ) 3
TD
233.18 K
(1.38 1023 J K 1 )
4
La desviacin porcentual con respecto al valor experimental ser:
TD cal
(233.18 K)
Desviacin 100
1 100
1 2.84 %
TD exp
(240 K)
b) Sabemos que
TD
h M
kB
TD k B (233.18 K) (1.38 1023 J K 1 )
4.85 1012 s 1
(6.63 1034 J s)
h
22.6. Conocido que, a temperatura ambiente, el calor molar del Au vale 25.174 JK-1mol-1, y a
10 K, toma un valor de 43.2610-2 JK-1mol-1, calcule:
a) La capacidad especfica molar del oro a 20 K.
b) Indique qu porcentaje, a 20 K, supone la contribucin electrnica a dicha capacidad.
Datos: R = 8.31 JK-1mol-1, la valencia del oro es 1, 1 eV = 1.610-19 J y N A 6.022 1023 .
a) La capacidad especfica a 20 K tiene la forma:

c cr ce
12 4 R
5
T 9 zN A k B2
T

TD 2 EF
El enunciado no proporciona ni EF, ni TD, as que esos valores sern los primeros que
deberemos determinar.
A temperatura ambiente, el calor molar tendr la expresin:
9 zR 2
(298 K)
2 N A EF
donde se ha tenido en cuenta que R N A k B .

Sustituyendo los valores conocidos, podremos determinar EF:
240
Ediciones Paraninfo
c cr ce (25 J (mol K)1 )
c 25.174 J (mol K)1 (25 J (mol K)1 )
25.174 J (mol K)1 (25 J (mol K) 1 )
Bloque 3
9 zR 2
(298 K)
2 N A EF
9 (1) (8.31 J K 1 mol1 )2

(298 K)
2 (6.022 1023 ) EF
de donde, despejando, se obtiene:

19
EF 8.8377
J 5.52 eV
A 10 K sabemos que la capacidad molar vale 43.2610-2 JK1 y, dicha capacidad, por ser la
temperatura muy baja, toma la expresin:
c 43.26 10 2 J (mol K) 1 cr ce
12 4 R
5
T
9 zR 2
T

TD 2 N A EF
Sustituyendo los valores conocidos hasta ahora, podramos determinar la temperatura de Debye
del Au.
3
43.26
102 J (mol K) 1
12 4 (8.31 J K 1 mol1 ) 10 K

5
TD
9 (1) (8.31 J K 1 mol1 ) 2
(10 K)
2 (6.022 1023 ) (5.52 eV 1.6 1019 J eV 1 )
Despejando:
TD 165 K
A 20 K, quedar:
3
12 4 R T
9 zR 2
c cr ce
T

5 TD 2 N A EF
Sustituyendo:
3
12 4 (8.31 J K 1 mol1 ) 20 K
9 (1) (8.31 J K 1 mol1 )2
(20 K)
23
19
1
5
165 2 (6.022 10 ) (5.52 eV) (1.6 10 J eV )
1
c (3.459 J K 1 mol1 ) (1.168 102 J K 1 mol

) 3.47068 J K 1 mol1
Ediciones Paraninfo
b) La contribucin electrnica a esta temperatura supone, pues, un 0.34 %. La razn de este valor
aparentemente bajo reside en que la TD del Au es tambin muy pequea (165 K).
241
Captulo 22
22.7. Estime el calor molar del aluminio a 25 K sabiendo que las velocidades longitudinales y
transversales de propagacin del sonido en este material, a temperatura ambiente, son 6 420 y
3 040 m/s, respectivamente.
Datos: EF = 11.63 eV, z = 3, M (Al) = 26.98 g/mol, (Al)=2.7 g/cm3, h 6.63 1034 J s ,
N A 6.022 1023 , R = 8.31 JK-1mol-1 y 1 eV = 1.610-19 J.

Como la temperatura a la que piden calcular la capacidad molar es muy baja, est tendr la forma:
3
c cr ce
12 4 R T
9 zR 2
T

5 TD 2 N A EF
Todo es conocido salvo la TD, que podremos estimar a partir de las velocidades de propagacin
del sonido en el Al:
2 1
vs
3 3 3
vt vl
1
3
13
2
1
3
1 3
1 3
(3040 m s ) (6 420 m s )
1
3
13
3420.45 m s 1
Adems:
Al
2.7 g 1 mol N A tomos
6.026 1022 tomos cm 3 6.026 1028 tomos m 3

1 cm3 26.98 g
1 mol
Tenga tambin en cuenta que:

R (8.31 J K 1 mol1 )
kB
1.38 1023 J K -1
NA
(6.022 1023 )
De modo que:
1
3
h v s 3 Al (6.63 1034 J s) (3420.45 m s 1 ) 3 (6.026 1028 tomos m 3 ) 3

TD
399.68 K
23

k B 4
(1.38 10 J K -1 )
4
Ahora puede calcularse ya la capacidad molar a 25 K:

3
c cr ce
9 (3) (8.31 J K 1 mol1 )2

(25 J (mol K)1 ) 7.8 102 J K 1 mol1
2 (6.022 1023 ) (11.63 eV) (1.6 1019 J eV 1 )
Ediciones Paraninfo
12 4 (8.31 J K 1 mol1 ) (25 J (mol K) 1 )

5
399.68 K
242
Bloque 3
22.8. Se desea adquirir un equipo de acondicionamiento de aire para una habitacin situada
en un lugar en el que la temperatura mnima en invierno es de 2 C. Se supone, debido a la
situacin de la habitacin y a su sistema de aislamiento, que las prdidas a travs de las
paredes, techo y suelo son despreciables con respecto a las que se producen a travs de un
gran ventanal de 1.52 m de vidrio sdico-clcico, de espesor 8 mm.
a) Calcule la potencia calorfica mnima que debe suminstrar el equipo para asegurar una
temperatura interior de 24 C.
b) Si el equipo es capaz de extraer la misma potencia calorfica que la que puede suministrar,
determine qu temperatura habra en el interior de la habitacin cuando la exterior fuese de
40 C.
Dato: vidrio) = 1.05 Wm-1K-1.
a) El flujo de calor perdido a travs del vidrio ser:

J Q
dT
T
(24 2) K

(1.05 W m 1 K 1 )
2887.5 W m 2
3
dx
x
(8 10 m)
Como el rea del vidrio es de 3 m2, la potencia perdida a travs del ventanal ser:
Prdidas J Q A (2887.5 W m2 ) (3 m2 ) 8662.5 W

b) En verano, la potencia frigorfica que es capaz de suministrar el equipo sigue siendo de
8 662.5 W. Como la ventana tambin es la misma, el flujo de calor aportado a travs de la ventana
ser 2 887.5 W/m2 y, por tanto la diferencia de temperatura que podremos alcanzar ser la misma
que antes, es decir, 22 C de diferencia. Como nos dicen que la temperatura exterior es de 40 C, la
interior ser de 40 22 = 18 C.
22.9. Suponga una olla de cocina con geometra cilndrica de 25 cm de dimetro, 10 cm de

altura y 1.5 mm de espesor. Se le aplica una potencia calorfica tal que la temperatura en su
interior se mantiene constante a 80 C, mientras que la temperatura en la cocina es de 25 C.
a) Desde el punto de vista de las prdidas trmicas, indique qu material cree que es ms
adecuado para fabricar la olla: aluminio o acero inoxidable AISI 316.
b) Seale qu material, de entre los dos anteriores, sera el ms idneo desde el punto de vista
de la potencia calorfica que hay que suministrar para calentar la olla.
c) Teniendo en cuenta los apartados anteriores, describa cul debe ser la disposicin ideal de
materiales en una olla
Datos: Al) = 247 Wm-1K-1 y (inox) = 16.3 Wm-1K-1.
a) El flujo de calor perdido a travs de la olla ser:

J Q
dT
T
(25 80) K

(36.66 103 K m 1 )
dx
x
(1.5 10 3 m)
Ediciones Paraninfo
La superficie a travs de la que se produce la fuga trmica es la constituida por la tapadera superior
y el lateral de la olla.
D2
(25 102 m) 2
Dh
(25 102 m) (10 102 m) 0.127 m 2
4
4
243
Captulo 22
Por tanto, las prdidas seran:

Para el Aluminio,
Prdidas J Q A (36.66 103 K m1 ) (247 W m1 K 1 ) (0.127 m2 ) 1.15 106 W
Para el acero AISI 316,
Prdidas J Q A (36.66 103 K m1 ) (16.3 W m1 K 1 ) (0.127 m2 ) 75.9 103 W
El ms adecuado resulta, por tanto, el acero AISI 316, dadas sus menores prdidas.
b) Desde el punto de vista de la potencia que hay que suministrar para calentarlo, el ms adecuado
es, lgicamente el aluminio, ya que es el de mayor conductividad trmica. As pues, ser el que
alcance la temperatura interior deseada con un menor aporte de calor.
c) Teniendo en cuenta los dos apartados anteriores, la olla ideal estar formada por acero inoxidable
AISI 316, salvo en su base, que debiera ser de aluminio. Efectivamente, esta es la estructura usual
de una olla. No se extrae si al mirar la base de una olla ve que es de acero inoxidable. En realidad
exterior e interiormete la base es una capa muy fina de acero inoxidable que contiene un bloque de
aluminio en su interior; es lo que conocemos como fondo difusor.
Sin dicho fondo, y debido a la baja conductividad del AISI 316, la distribucin de temperaturas
en el interior de la olla sera muy deficiente (parte de los alimentos se quemaran, mientras que otras
zonas permaneceran a baja temperatura).
22.10. Suponiendo que los recorridos libres medios de electrones y fonones son
aproximadamente iguales, determine la relacin existente entre las contribuciones
electrnicas y vibratorias de la conductividad trmica del cobre a temperatura ambiente.
*
Datos: me 1.01 me , EF = 7 eV, me = 9.111031 kg, z = 1, vl = 4 760 m/s, vt = 2 325 m/s, NA =
6.022 1023 , R = 8.31 JK-1mol-1 y 1 eV = 1.610-19 J.

La relacin entre las contribuciones eletrnica y reticular de la conductivdad trmica es:
1 ce 2
v
e 3 Vm F e ce vF2 e
cr vs2 f
r 1 cr v 2
s
f
3 Vm
Teniendo en cuenta que f f vs , y que e e vF
ce e vF
cv
e F
cr f vs
cr vs
Para cuantificar la relacin, tendremos que calcular las contribuciones electrnicas y fonnicas
de la capacidad molar a temperatura ambiente, as como las velocidades de los electrones y del
sonido en este material.
Como se pide determinar la relacin a temperatura ambiente, las contribuciones electrnicas y
fonnicas de la capacidad molar sern:
244
Ediciones Paraninfo
Bloque 3
cr 25 J K 1 mol 1
ce
9 zR 2
9 (1) (8.31 J K 1 mol1 ) 2
T
(298
K) 0.1373 J K 1 mol1
2 N A EF
2 (6.022 1023 ) (7 eV) (1.6 1019 J eV 1 )
La velocidad media de los electrones puede obtenerse a partir del nivel de Fermi, Expresin
(17.18):
vF
2 EF
2 (7 eV) (1.60 1019 J eV 1 )
1.56 106 m s 1
*
me
(1.01) (9.11 1031 kg)
Por ltimo, la velocidad media del sonido se calcula como:

2
1
vs
3 3 3
vt vl
1
3
13
2
1
3
1 3
1 3
(2 325 m s ) (4 760 m s )
1
3
13
2 611.69 m s 1
Sustituyendo en la primera ecuacin:
e ce vF (0.1373 J K 1 mol1 ) (1.56 106 m s 1 )
3.28
(25 J K 1 mol1 ) (2 611.69 m s 1 )
r cr vs
22.11. Se sabe que a temperatura ambiente (20 C), la resistividad elctrica del Cu es de
1.7108 m y la conductividad trmica de 394 W/(mK).
a) Estime la conductividad trmica de dicho material a la temperatura de 550 C sabiendo que
la resistividad elctrica a dicha temperatura es de 4.6108 m.
b) Cite en qu ley se basa para efectuar los clculos.
a) Recopilando los datos del enunciado:

T1 = 20 + 273 = 293 K
(T1) = 1.7108 m
1 = 394 Wm1K1
T2 = 550 + 273 = 823 K

(T2) = 4.6108 m
Segn la ley de Wiedemann-Franz :
siendo L el nmero de Lorenz.
L
T T
Para la temperatura T1, se ha de cumplir:
Ediciones Paraninfo
1 1
T1
L L
(394 W m 1 K 1 ) (1.7 108 m)

2.29 108 W K 2
(293 K)
245
Captulo 22
Tomando este valor de L, para la temperatura T2 resultar:
LT
2
2
2
(2.29 108 W K 2 ) (823 K)

410 W m K 1
(4.6 108 m)
b) En la ley de Wiedemann-Franz.
22.12. Calcule el flujo de tomos entre los extremos de una pieza de una determinada solucin
slida sabiendo que:
La concentracin de soluto intersticial en la base o disolvente (estructura CCC, a = 3.6 )
vara del 0.025 al 0.020 % (en porcentaje atmico) entre dichos puntos.
Al establecerse una diferencia de temperatura de 20 C entre ambos extremos de la pieza,
se produce un flujo de calor de 5104 W/m2.
Al someter la pieza a un campo elctrico de 10 V/m se obtiene una densidad de corriente
de 4107 A/m2.
Datos: temperatura media de la pieza = 900 C, D0 = 110-5 m2/s, Q = 135432 J/mol y
R = 8.314 J/(mol K). Suponga que las propiedades del material no varan con las variaciones
de concentracin de soluto consideradas. Utilice tres decimales en los clculos.
Se trata de una solucin slida instersticial. Denominemos S al soluto y D al disolvente

4 tomos
8.573 10 28 tomos D m 3
(3.6 10 m)3
D 10
La concentracin de soluto en uno de los extremos ser:
0.025 tomos S
0.025 tomos S 8.573 1028 tomos D
C1
2.14 1025 tomos S m3

3
100 tomos
99.975 tomos D
m
En el otro extremo:
0.020 tomos S
0.020 tomos S 8.573 1028 tomos D
C2
1.715 1025 tomos S m 3

100 tomos
99.98 tomos D
m3
Las ecuaciones que expresan los distintos flujos son:
Flujo difusivo
J D
C
x
246
2.144 1.715 1025 tomos S m3
4.29 1024 tomos S m3
Ediciones Paraninfo
De modo que la diferencia de concentraciones ser:
Bloque 3
Adems:
(135432 J mol1 )
Q
5
1
12
1
2
2
D D0 exp
(10
m
s
)
exp
9.310 10 m s
1
(8.314
J
(K
mol)
)
(1173
K)
RT
Por tanto, tan solo nos falta x para poder calcular J.

Flujo elctrico
J E0
Segn los datos del enunciado, queda:
4 107 A m2 10 V m 4 106 ( m)1

De acuerdo con Wiedemann-Franz, la conductividad trmica a 1 173 K puede calcularse como:
L
T (2.4 108 W K 2 ) (4 106 1 m1 ) (1 173 K)
112.608 W (K m)1
Flujo trmico
JQ
T
x
De acuerdo a los datos del enunciado:

(5 10 4 W
m 2 ) (112.608 W (K m) 1 )
(20 K)
x 0.045 m
x
Por tanto, el flujo difusivo ser:
J D
C
(4.29 1024 tomos S m3 )
(9.310 1012 m 2 s 1 )
8.876 1014 tomos S m 2 s 1
x
(0.045 m)
22.13. En el Ejercicio resuelto 22.11, se ha encontrado que la expresin:
Ediciones Paraninfo
VAB
2 kB2 A

B T 2 T02
6e EFA EFB
permite calcular la tensin Seebeck que se establece entre los extremos de dos hilos metlicos
A y B, cuyos niveles de Fermi son EF (A) y EF (B). Demuestre que esta expresin es equivalente
a VAB ( A B )T , siendo A y B los poderes termoelctricos de A y B.
247
Captulo 22
Los dos primeros trminos de la ecuacin dada son constantes, por lo que puede reescribirse como:
2 k B2 A B 2
2
VAB
C T 2 T02
T T0
6e EFA EFB
Podemos expresarla usando el desarrollo en serie de Taylor (hasta el segundo orden) en el entorno de T0:
2
1
df
2d f
f
(T ) f (T0 ) T
2
dT T0 2
dT T0
Por tanto:
d T 2 T02
d 2 T 2 T02
1
2
T C
VAB C T
T VAB (T0 ) T C
2
dT
dT 2
T0
T0
1
VAB 0 T C 2 T0 T 2 C 2 2 C T0 T C T 2
2
2
2
0
Despreciando los trminos de orden superior al primero, y sustituyendo C por su valor:
VAB 2 C T0 T 2
2 kB2 A

B T0 T
6e EFA EFB
Para temperaturas en el entorno de T0 el poder termoelctrico sera:

Por lo que la ecuacin quedara:
2 k B2T0
3eEF
VAB ( A B )T
22.14. Se desea construir un generador termoelctrico, para lo cual se dispone de dos parejas
de materiales: una de ellas compuesta por metales, y otra, por semiconductores (tabla
adjunta). Determine qu par de materiales ser ms eficiente a temperatura ambiente y
determine el valor de ZT definido por la Expresin (22.43).
Datos (a temperatura ambiente):
(m) 1
37.66106
19.23106
4.5105
1.4106
(Wm1K1)
14
1.2
Una cifra de mrito que permite medir la eficiencia termoelctrica de una pareja de materiales viene
dada por:
248
Ediciones Paraninfo
Metal 1
Metal 2
Semiconductor 1
Semiconductor 2
(VK1)
1.66
5.57
200
150
AB
ZT
(T ) (T )
A
B
B
A
AB

B
B
A A
Bloque 3
Para el par metlico desconocemos las conductividades trmicas, pero estas pueden ser fcilmente estimadas a travs de la ley de Wiedemann-Franz:
L 2.45 10 8 W K 2
T
L T
L
T (2.45 108 W K 2 ) (37.66 106 1 m 1 ) (298
K) 274.95 W m 1 K 1
met1
K) 140.39 W m 1 K 1
L
T (2.45 108 W K 2 ) (19.23 106 1 m 1 ) (298
met 2
Sustituyendo valores para el caso del par metlico:

2
6
1

5.57 1.66 10 V K
AB
1.79 106 K 1
Z
1
1
(140.39 W m 1 K 1 )
(274.95
W
m
K
)
B
B
A A
(19.23 106 1 m 1 ) (37.66 106 1 m 1 )
Para el caso de la pareja de semiconductores:

2
6
1
150
200
10
V
K
AB
2.89 103 K 1
Z
1
1
1
1

(1.2
W
m
K
)
(14
W
m
K
)
A
A
B
B
6
1
1
5
1
1
(1.4 10 m )
(4.5 10 m )
Empleando la figura de mrito adimensional ZT, para la temperatura ambiente:

ZTmetales
(1.79 10 6 K 1 ) (298 K)
5.3 10 4
ZTsemic
(2.89 10 3 K 1 ) (298 K)
0.861
Ediciones Paraninfo
El par de materiales ms eficientes a temperatura ambiente sern, sin duda, el constituido por los
semiconductores.
249
Captulo 23
Propiedades qumicas de los materiales
Captulo 23
23.1. Una pila electroqumica consta de un electrodo de Zn y otro de Ni en condiciones estndar. Las correspondientes disoluciones se encuentran separadas por un tabique poroso, y un
circuito externo con un interruptor conecta los dos electrodos. Determine cul es la f.e.m. de
la pila en la situacin con el interruptor abierto.
Datos: Tome los valores necesarios de la Tabla 23.1.
Consultando la Tabla 23.1:
Ni 2 (aq) 2e Ni (s)
ENi 0.25 V
Zn 2 (aq) 2e Zn (s)
EZn 0.76 V
Segn esto, el Zn se oxida y el Ni se reduce. Por tanto, la fuerza electromotriz de la pila ser:
Epila
ENi EZn (0.25 V) (0.76 V) 0.51 V
23.2. Calcule la f.e.m. estndar y las polaridades de las tres pilas formadas con las siguientes
parejas de electrodos: Al-Ni, Cu-Fe, Ag-Cl2.
Datos: Tome los valores necesarios de la Tabla 23.1.
Pila Al-Ni
Al3 (aq) 3e Al (s)
EAl 1.68 V
Ni 2 (aq) 2e Ni (s)
ENi 0.25 V
Por tanto, el Al tender a oxidarse (nodo) y el Ni a reducirse (ctodo). La reaccin global de la

pila ser:
2Al (s) + 3Ni 2 (aq) 2Al3 (aq) 3Ni (s)

Su f.e.m:
Epila
ENi EAl (0.25 V) (1.68 V) 1.43 V
Recuerde que la f.e.m. no est afectada por los factores usados para ajustar la reaccin global.
Pila Cu-Fe
Cu 2 (aq) 2e Cu (s)
EFe 0.44 V
ECu
0.34 V
El Fe tender a oxidarse (nodo) y el Cu a reducirse (ctodo).
250
Ediciones Paraninfo
Fe2 (aq) 2e Fe (s)
Bloque 3
Epila
ECu
EFe (0.34 V) (0.44 V) 0.78 V
Pila Ag-Cl2
Ag (aq) e Ag (s)
Cl2 ( g ) 2e 2Cl (aq)
EAg
0.80 V
ECl 2 1.36 V
La Ag se oxida y el Cl2 se reduce.
Epila
ECl 2 EAg
(1.36 V) (0.80 V) 0.56 V
23.3. La f.e.m. estndar de la pila formada por electrodos de Ti/Ti2+ y de Ag/Ag+ es de 2.43 V,
siendo el electrodo de plata el polo positivo. Calcule el potencial estndar del electrodo de titanio.
0.80 V .
Dato: EAg
Las semireacciones de la pila son:
Ag (aq) e Ag (s)
EAg
0.80 V
Ti3 (aq) 3e Ti (s)

Como la Ag es de los metales ms nobles, el Ti debe ser el que actue como nodo (se oxide); es
decir, su potencial estndar ha de ser inferior al de la Ag. Como, adems en el enunciado se indica
que la f.e.m. de la pila vale 2.43 V, esto slo ser posible si el potencial estndar del Ti tiene un
valor negativo ( ETi x V ). Con esto, la f.e.m. de la pila ser:
Epila
2.43 V EAg
ETi (0.80 V) ( x)
Despejando:
x
1.63 V ETi
1.63 V
23.4. La espontaneidad de una determinada reaccin de corrosin puede conocerse a partir
del valor de la energa libre de esta. Indique si el Fe y la Ag se corroern en cido clorhdrico
diluido y determine cul es la energa libre de las reacciones involucradas
Datos: Tome los valores necesarios de la Tabla 23.1 y F 96485 C mol 1 .
Caso del Fe
Ediciones Paraninfo
Para el caso del hierro, las semireacciones de la pila seran:
Fe2 (aq) 2e Fe (s)

2H (aq) 2e H 2 ( g )
EFe 0.44 V
EH 2 0 V
251
Captulo 23
El Fe se oxida y el H2 se reduce.
La reaccin global de la pila ser:
Fe (s ) 2H ( aq ) 2e H 2 ( g ) Fe 2 ( aq ) 2e
Y su f.e.m:
E pila
EH 2 EFe (0 V) ( 0.44 V) 0.44 V
As pues:
G n F Epila
(2) (96 485 C mol 1 ) (0.44 V) 84 906.8 J mol 1
Por lo que el Fe se corroer.

Caso de la Ag
Las semireacciones de la pila son:
Ag (aq) e Ag (s)
2H (aq) 2e H2 ( g )
EAg
0.80 V
EH 2 0 V
La Ag se reduce y el H2 se oxida.
La reaccin global de la pila ser:
2Ag ( aq )+ H 2 ( g ) 2 e 2Ag (s ) 2H ( aq ) 2 e
Y su f.e.m:
E pila
EAg
EH 2 (0.80 V) (0 V) 0.80 V
Por tanto:
G n F Epila
(1) (96 485 C mol 1 ) (0.80 V) 77188 J mol 1
es decir, la Ag no se corroer.
Segn la Expresin (23.11) aplicada al caso de la plata:
252
Ediciones Paraninfo
23.5. Calcule, de acuerdo a la ecuacin de Nernst, el potencial de una semipila formada por
una disolucin de 20 g de Ag+ en 1 L de agua, a la temperatura de 25 C.
Datos: M (Ag) = 107.87 g/mol, tome los valores necesarios de la Tabla 23.1,
F 96485 C mol 1 y R 8.314 J K 1 mol 1 .
Bloque 3
0
RT [Ag ]
EAg
EAg
ln

nF [Ag ]
La semireaccin de reduccin es:
Ag (aq) e Ag (s)
EAg
0.80 V
por lo que el n de la ecuacin de Nerst vale 1.

Por convenio, [Ag 0 ] 1 mol L1 . Con los datos del problema, la concentracin de iones Ag sera:
g 1 mol
[Ag ]
20
0.185 mol L1
L 107.87 g
Sustituyendo todos estos valores en la ecuacin de Nerst:

RT
EAg
EAg
nF
0.757 V
0
(8.314 J K 1 mol1 ) (298 K) (1 mol L1 )
[Ag ]
(0.80 V)
ln
ln

1
(1) (96 485 C mol1 )
[Ag ]
(0.185 mol L )
23.6. La semipila del problema anterior se une a otra formada por un electrodo de Na en una
disolucin 2 M de iones Na+. Determine a qu temperatura se genera un potencial de 3.42 V.
Datos: Considere los valores necesarios de la Tabla 23.1, F 96485 C mol 1 y
R 8.314 J K 1 mol 1 .
Las semireacciones de reduccin seran:
Ag (aq) e Ag (s)
Na (aq) e Na (s)
EAg
0.80 V
EAg
2.71 V
Por tanto, el Na tender a oxidarse (nodo) y la Ag a reducirse (ctodo). La reaccin global y la

f.e.m. en la pila sern:
Na (s) + Ag (aq) Na (aq) Ag (s)
Epila
(0.80 V) (2.71
V) 3.51 V
Ediciones Paraninfo
RT [Na ]
T
Epila Epila
ln

nF [Ag ]
Epila nF
Epila
[Na ] R
ln

[Ag ]
Sustituyendo valores
253
Captulo 23
(3.51 V) (3.42 V) (1) (96 485 C mol1 )

438.75 K
165 C
T 1
(2 mol L ) (8.314 J K 1 mol1 )

ln
1
(0.185 mol L )
23.7. Un depsito cilndrico de hierro de 100 cm de altura y 50 cm de dimetro (y abierto por

su parte superior) contiene agua hasta su nivel mximo, y muestra una prdida de masa, por
corrosin uniforme del interior del depsito, de 200 g de hierro tras un mes.
a) Determine qu intensidad de corriente de corrosin se produce en el proceso.
b) Establezca cul es la densidad de corriente.
Datos: M (Fe) = 55.85 g/mol y F 96485 C mol 1 .
a) La Expresin (23.13) relaciona la prdida de masa con la intensidad de corriente:
I t M
I
nF
nmF
(2) (200 g) (96 485 C mol1 )
0.266 A
t M
(1 30 24 3600 s) (55.85 g mol1 )
b) La densidad de corriente, J, ser:

I
I
(0.266 A)
1.51 10 5 A cm 2
J
A Dh D 2 4 (50 cm) (100 cm) (50 2 cm 2 ) 4
23.8. Si el depsito del ejercicio anterior se corroyese a una velocidad de 500 g/(m2ao), indique cul tendra que ser el espesor necesario del hierro para que dicho depsito perdurase al
menos dos aos.
Dato: (Fe) = 7.81 g/cm3.
Al cabo de dos aos, la masa perdida por unidad de rea ser:
m
g
500 2
2 aos 1000 g m 2 0.1 g cm 2
A
m ao
Como indicaban, en el problema anterior, que el proceso de corrosin es uniforme, podemos suponer que la masa se perder uniformemente por todo el depsito. Por tanto, la masa perdida supondr
una reduccin del espesor de:
e
m
1
g
1
0.1 2
0.0128 cm
A (Fe)
cm 7.81 g cm 3
Ediciones Paraninfo
De modo que el espesor de la chapa debera ser superior a 0.128 mm.
254
Bloque 3
23.9. Dos piezas de Zn y Ni forman un par galvnico, que se corroe con una densidad de corriente en el ctodo de 0.02 A/cm2.
a) Calcule la masa andica que se corroe cada hora si el rea del ctodo es 1 cm2 y el rea del
nodo es de 10 cm2
b) Determine cul sera la masa corroda con un ctodo de 10 cm2 y un nodo de 10 cm2.
Datos: Considere los valores necesarios de la Tabla 23.1, M (Zn) = 65.38 g/mol y
F 96485 C mol 1 .
a) Consultando la Tabla 23.1
Ni 2 (aq) 2e Ni (s)
2
Zn (aq) 2e Zn (s)
ENi 0.25 V
EZn 0.76 V
Segn esto, el Zn se oxida, es decir es el nodo, y el Ni es el ctodo.

J
I
I J A (0.02 A cm 2 ) (1 cm 2 ) 0.02 A
A
I t M
nF
(0.02 A) (3600 s) (65.38 g mol1 )

2.44 102 g 24.4 mg
(2) (96 485 C mol1 )
b) Si el ctodo tuviera un rea de 10 cm2:
I J A (0.02 A cm2 ) (10 cm2 ) 0.2 A

m
I t M
nF
(0.2 A) (3600 s) (65.38 g mol1 )

24.4 102 g 244 mg
(2) (96 485 C mol1 )
23.10. Una pieza de Fe es protegida con un nodo de sacrificio de Mg. Si la intensidad de corriente entre ambos metales es de 0.1 A, determine qu masa de Mg es necesaria para evitar la
corrosin de la pieza de Fe durante cinco aos.
Datos: M (Mg) = 24.31 g/mol y F 96485 C mol 1 .
Ediciones Paraninfo
I t M
nF
(0.1 A) (5 365 24 3600 s) (24.31 g mol1 )

1986.4 g
(2) (96 485 C mol1 )
23.11. Una chapa de Al de 1mm de espesor se corroe mediante picaduras con forma cilndrica
de 0.5 mm de dimetro, actuando una densidad de corriente en la base de la picadura de valor
1103 A/cm2. Calcule el tiempo que tardarn las picaduras en atravesar la chapa.
Datos: M (Al) = 24.31 g/mol, (Al) = 2.7 g/cm3 y F 96485 C mol 1 .
255
Captulo 23
Para que las picaduras cilndricas atraviesen la chapa de Al de 1 mm de espesor, la altura de dichos
cilindros debe ser de 1 mm. Esto supondra que la masa que ha de perderse es:
m (Al)
V (Al) h D 2
4 (2.7 g cm3 ) (0.1 cm) (0.05 cm)2
4 25.3 104 g
Adems, la intensidad de corriente ser:
I J A J D 2 4 (1103 A cm2 ) (0.05 cm)2 4 1.96 106 A

El tiempo para consumir esta masa puede calcularse mediante:
nmF
IM
(3) (5.3 104 g) (96 485 C mol1 )

3219703.6
s 37.26 das
(1.96 106 A) (24.31 g mol1 )
23.12. Una muestra de cromo se oxida al aire a 800 C mostrando una ley parablica de crecimiento de la pelcula de xido (x02 = c1t). Se mide una ganancia en peso de 0.866 mg al cabo
de 10 h. Calcule, tras 10 das de oxidacin:
a) La ganancia en peso.
b) El espesor de la capa de xido formada.
Datos: M (Cr) = 52.00 g/mol, M(O) = 16.00 g/mol y (Cr2O3) = 5.22 g/cm3.
a) Como indican que el crecimiento del xido sigue una ley parablica, y que al cabo de 10 h la
ganancia en peso es de 0.866 mg:
0.866 2 mg 2 c1 10 h
c1 0.075 mg 2 h 1
Tras 10 das de exposicin:

x0
c1 t
(0.075 mg 2 h 1 ) (10 24 h)
18 mg 2 4.24 mg
b) La ganancia en peso es de oxgeno, por lo que debemos calcular la cantidad de Cr2O3 formada
con 4.24 mg de O:
4.24 mg O
1 mol O 1 mol Cr2 O3 2 (52.00 g mol1 ) 3 (16.00 g mol1 )
13.43 mg Cr2O3
16.00 g
3 mol O
1 mol Cr2O3
Esta masa representa un espesor por unidad de rea de:
(13.43 103 g Cr2 O3 )

m
m
e
2.57 103 cm
A e
A (1 cm2 ) (5.22 g cm3 )
Ediciones Paraninfo
256
Bloque 3
23.13. Determine las relaciones de Pilling-Bedworth para la Ag, el Zr y el Sn, indicando la

capacidad de sus xidos de ser o no protectores.
Datos: M (Ag) = 107.87 g/mol, M (Zr) = 91.22 g/mol, M (Sn) = 118.71 g/mol, M (O) =
16.00 g/mol, (Ag) = 10.5 g/cm3, (Zr) = 6.5 g/cm3, (Sn) = 7.3 g/cm3, (Ag2O) = 7.1 g/cm3,
(ZrO2) = 5.6 g/cm3 y (SnO) = 6.4 g/cm3.
La relacin de Pilling-Bedworth (RPB), viene dada por la Expresin (23.25):
RPB
volumen de xido M x (a x ) M x m

volumen de metal
aM m x
Mm m
Ag
Para el caso de la plata, se formar Ag2O, por lo que el parmetro a de la RPB valdr 2.
(Ag)
RPB
M x m
M(Ag 2O) (Ag)
aM m x 3 M(Ag) (Ag 2 O)
(2 107.87 g mol1 +16.00 g mol1 ) (10.5 g cm3 )

1.59
3 (107.87 g mol1 ) (7.1 g cm3 )
Como 1 < RPB (Ag) < 2, el xido formado es protector.

Zr
Se formar ZrO2, por lo que a = 1.
(Zr)
RPB
M x m
M(ZrO2 ) (Zr)
aM m x 1 M(Zr) (ZrO2 )
(91.22 g mol1 +2 16.00 g mol1 ) (6.5 g cm 3 )

1.57
1 (91.22 g mol1 ) (5.6 g cm 3 )
Como 1 < RPB (Zr) < 2, el xido formado tambin ser protector.
Sn
En este caso se formar SnO, por lo que el parmetro a de la RPB valdr 1.
(Sn)
RPB
M x m
M(SnO) (Sn)
aM m x 3 M(Sn) (SnO)
(118.71 g mol1 +16.00 g mol1 ) (7.3 g cm3 )

1.29
3 (118.71 g mol1 ) (6.4 g cm3 )
Ediciones Paraninfo
Como 1 < RPB (Sn) < 2, de nuevo, el xido es protector.
257

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11. Determinacin de diagramas

Es por esta razn que en la redaccin del libro de texto

trazar mentalmente el camino a seguir para la resolucin, (3)

Estructura ntima de los materiales

ci (HF) 100 1 exp 0.25 (3.98 2.2)2 54.71 %

101 [1 0 1], [ 1 0 1], [1 1 0], [ 1 1 0], [0 1 1], [0 1 1]

La escala atmica de los materiales

Punto inicial: (0, 0, 1/2)

Vector director = punto final punto inicial = (1, 0, 1/2)

Punto inicial: (0, 0, 0)

Vector director = (1, 1, 1) ndices de Miller [1 1 1]

Punto inicial: (1, 1, 0)

Vector director = (1, 1, 0) ndices de Miller [ 1 1 0]

Punto inicial: (0, 0, 1/2)

Vector director = (1/2, 0, 1/2) ndices de Miller [1 0 1]

Punto inicial: (0, 1, 1/3)

Vector director = (0, 1, 1/3) ndices de Miller [0 3 1]

2.5. Dibuje en celdillas cbicas los siguientes planos cristalogrficos:

Estructura ntima de los materiales

Los puntos de corte sern ahora:

La escala atmica de los materiales

2.8. Calcule el ngulo formado por las direcciones [2 0 1 ] y [1 0 1] en un sistema cbico.

Reduciendo a los enteros menores, nos queda: ( 111)

Estructura ntima de los materiales

vector director = 1/2 i 1/2 j + k

1 (0 1)i (0 1) j (1 1)k i j 2k [11 2 ]

La escala atmica de los materiales

La recta A se traslada paralelamente hasta la celdilla superior, resultando A.

vector director = 1/2 i +1/2 j 1/2 k

Estructura ntima de los materiales

2.12. En una celdilla tetragonal, dibuje el plano (0 1 2) y la direccin [1 1 2].

2.13. Designe la direccin y plano de la siguiente celdilla ortorrmbica.

Vector director = (1, 0, 0) ndices de Miller [1 0 0]

Multiplicando por los parmetros reticulares, los ndices de

La escala atmica de los materiales

0.3 0.6 0.4 0.8 0 0.7

n 0 0 10 (0 80)i (0 40) j (0 0) k 80i 40 j

Dividiendo 80 entre 4, y 40 entre 8 (para tener en cuenta que a = 4 nm y b = 8 nm), se obtiene:

Estructura ntima de los materiales

La escala atmica de los materiales

La escala atmica de los materiales metlicos

de donde se desprende que

Conocido r, podemos calcular los parmetros reticulares a y c:

La escala atmica de los materiales

a = 2r = 2(0.138 nm) = 0.276 nm

Teniendo en cuenta que c 1.89a y a 2r , resulta que

Para la estructura CCC:

La escala atmica de los materiales metlicos

En esta estructura, los tomos estn en contacto a lo largo de

La fraccin de empaquetamiento volumtrico se calcula como:

Para la estructura CCC:

La escala atmica de los materiales

Solo la parte rellena de cada tomo est contenida en la cara de la celdilla.

Concentracin atmica superficial en (1 1 0)

Concentracin atmica superficial en el (1 1 1)

La escala atmica de los materiales metlicos

Superficie del tringulo 12 base altura 12 a h 12 a a 2 a 2 12 a 3a 2 4 a 2 3 4

Este es el plano ms compacto de la estructura cristalina CCC.

La escala atmica de los materiales

3.9. Un cristal metlico (con estructura de mxima fraccin de empaquetamiento) crece en la

11. Determinacin de diagramas