Tecnolgico Nacional de Mxico

Instituto Tecnolgico de Ciudad Guzmn

PRACTICA #7
GANANCIA DE CORRIENTE ( B ) EN UNA CONFIGURACION EN
EMISOR COMUN

MATERIA:
FISICA DE SEMICONDUCTORES

PROFESOR:
RAUL RENTERA TORIZ

POR:
EQUIPO 3 LOS MACUES
NOMBRE
DEL ANGEL GARCIA EDGAR ALAN
LOPEZ ALMEJO ADRIAN MANUEL
ROBLES GARCIA OMAR ALEJANDRO

NUMERO DE CONTROL
13290395
13290410
13290420

ING. ELECTRONICA
3er Semestre
Grupo B
AULA 5 Edificio O

 INTRODUCCIN:
El transistor bipolar de unin (BJT, Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo de
tres terminales, conocidas estas como emisor, base y colector. Este elemento
tiene dos uniones PN que para fines prcticos pueden considerarse como dos
diodos, conocidos estos como el diodo base-emisor y el diodo base-colector.
Tambin existen dos tipos de transistores bipolares, el NPN y el PNP, segn sea la
distribucin de los materiales, siendo el primero el del emisor, el de en medio de la
base y el ltimo del colector, deducindose que el emisor y el colector tendrn el
mismo tipo de material y la base ser de material opuesto a las otras terminales.
La terminal ms contaminada ser el emisor, siguindole el colector y a un
grado mucho menor estar la base. Por otra parte puesto que la base tiene un
dopado y una rea mucho menor a la de las otras dos terminales, ocasionar
que la mayor cantidad de portadores tiendan a fluir hacia el colector; esto
suceder tambin por la forma en que estarn polarizadas las tres terminales,
siendo para una de sus aplicaciones, el diodo base-emisor polarizado
directamente y el diodo base-colector polarizado inversamente.
La polarizacin y la forma de conexin de las tres terminales ocasionarn tres
corrientes conocidas estas como de emisor, base y colector. Cuando debido a los
aspectos mencionados en el prrafo anterior la corriente de base es muy
pequea respecto a la corriente del colector se dice que existe una ganancia de
corriente, conocida como Beta o hfe. Esta es una informacin que proporciona la
hoja de datos del fabricante.
Existen tres tipos de configuraciones para el transistor, segn sea la forma en
que estn conectadas sus terminales, estn son conocidas como base comn
(BC), emisor comn (EC) y colector comn (CC).

 MARCO TEORICO
La ganancia de tensin se obtiene del cociente de la tensin en la salida entre la
tensin de la entrada.

V = Vsal / Vent

Ejemplo: Si un amplificador tiene una entrada de 0.1 Vpp (voltios pico-pico) y una
salida de 10 Vpp, la ganancia de tensin ser: V = 10 Vpp / 0.1 Vpp = 100.
El transistor

de

unin

bipolar es

un dispositivo

electrnico de estado

slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar
el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se
debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente

en electrnica

analgica aunque

tambin

en

algunas

aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. Laganancia de corriente emisor
comn est representada por

o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de

corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin

activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es
la ganancia de corriente base comn,

. La ganancia de corriente base

comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector

en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la
unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente
determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

3 MATERIAL Y EQUIPO:

Transistor bipolar BJT NPN

Varios componentes: capacitores para acoplamiento de seal,

resistencias o potencimetros para armar esquemtico.

Protoboard y cables telefnicos.

Switch.

Fuente(s) variable(s) de voltaje de cd para polarizacin

Dos multmetros con sus respectivos conectores.

Generador de seales

Osciloscopio

Software para simulacin

4.1 INVESTIGACION
1.1.1. Descripcin del funcionamiento del transistor BJT en base a sus
curvas caractersticas de entrada y de salida.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,
puede
ser
de
germanio
o
silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el
colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
direccin del flujo de lacorriente en cada caso,
lo indica la flecha que se ve en el grfico de
cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los
siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el
emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de

amplificacin)
por
Ib
(corriente que
pasa
por
la
patilla
base).
Ic
=

*
Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, slo que la corrienteen un caso entra al transistor
y en el otro caso sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y lacorriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En
el
segundo
grfico
las
corrientes
de
base
(Ib)
ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta

son

1.1.1. Tipos de modelos del BJT relacionados con la Beta o hfe

caractersticas particulares.

y sus

NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la

fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea

corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor
circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.
1.1.1. Polarizacin con CD del BJT NPN en configuracin de emisor comn
(EC).
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn
o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida. Se necesitan 2
conjuntos de caractersticas para describir completamente el comportamiento
de la configuracin de emisor-comn: uno para el circuitote entrada o de baseemisor y otro para el circuito de salida o de colecto-emisor. Ambos se muestran
en la figura.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin

convencional real para la corriente. La relacin que se desarrolla entre esta
corriente es la siguiente:
IE = IC +IB e IC =

IE.

La regin activa para la configuracin de emisor comn es la parte del

cuadrante superior derecho que tiene la mayor linealidad es decir la regin en las
que las curvas de Ib son casi rectas e igualmente espaciadas.
En la region activa de un amplificador de emisor comn, la union base emisor se
encuentra en polarizacion directa, mientras que la union colector-base se
encuentra en polarizacion inversa.
La region de corte para la configuracin de emisor comn no se encuentra tan
bien definida como para la configuracin de base comn.

4.2 IMPLEMENTACION:
1.1.1. Circuito para demostrar la Beta del BJT NPN en configuracin EC y su
relacin con los datos del fabricante y las curvas caractersticas de
entrada y de salida.

4.2.2

Diseo de un circuito de polarizacin para BJT

4.2.2

Circuito para el diseo de un amplificador BJT en configuracin de

emisor comn (EC)