2013

Diapositiva 1

DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
TRANSISTORES
Prof: Alvarez Salazar Juan Carlos
SECCION: M

Sixtocsar Falcon Astuhuayhua

20090106b
24/11/2013

Diapositiva 2teora de circuitos y dispositivos electrnicos

Electrnica:
Escrito por Robert L. Boylestad,Louis Nashelsky

Transistores de efecto de campo (npn)

drenador
colector
puerta

base
fuente

FET
dispositivo de 3 terminales
corriente e- de canal desde
la fuente al drenador
controlada por el campo
elctrico generado por la
puerta

emisor
BJT
dispositivo de 3 terminales
corriente e- del emisor
al colector controlada
por la corriente
inyectada en la base

impedancia de entrada
muy alta en la base
6.071 Transkstores de efecto de campo

Adems de los transistores de unin bipolares (BJT) que hemos analizado hasta ahora,
existen otros tipos de transistores.Un tipo de transistores de 3 terminales son los
dispositivos de efecto de campo. En ellos, el parmetro de control es el campo elctrico
que atraviesa la unin, en contraposicin a la corriente del BJT. Dado que un campo
elctrico se asocia a una tensin, la gran ventaja de los dispositivos de efecto de campo
reside en la ausencia de necesidad de que exista una corriente en el elemento de
control(la puerta).El resultado es una impedancia muy elevada y una corriente de fuga
realmentepequea.El dispositivo ms sencillo de analizar es el transistor de unin de
efecto de campo (JFET) que trataremos en primer lugar de forma detallada. El metalxido-semiconductor FET (MOSFET) desempea un papel realmente importante en las
implementacionesde
lgica
digital.

Diapositiva 3
Tipos de FET
Adems del tipo portador (canal N o P), existen diferencias en la
construccin del elemento de control (unin o aislante) y ambos
dispositivos deben utilizarse de forma distinta
npn
FET de unin de agotamiento (JFET)
pnp
npn
FET de metal-xido-semiconductor
(MOSFET)
- agotamiento / enriquecimiento
- enriquecimiento

pnp

(los FET de puerta aislada (IGFET), son de funcionamiento

equivalente a los MOSFET)
6.071 Transistores de efecto de campo

Al igual que ocurra con los BJT, existen dos tipos de transistores: npn y pnp. La
diferencia reside en el portador mayoritario (electrones o huecos).
Dado que los FET estn controlados por variaciones del campo elctrico en la unin, es
posible construir un condensador en el elemento de control y, de esta forma, reducir an
ms la corriente de fuga. La estructura metal-xido-semiconductor de un MOSFET a
genera el condensador en la entrada del elemento de control (la puerta).

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Funcionamiento bsico de un FET (1)

El ejemplo ms sencillo de un JFET es el silicio dopado N.

fuente
drenador
N
fuente: terminal por el que entra la corriente portadora
(portadores e- de tipo n)
En este estado, el dispositivo se comporta simplemente como
una resistencia. Por ello, la corriente circula a travs del canal
en proporcin a la tensin de la fuente / drenador.

6.071 Transistores de efecto de campo

Comenzaremos describiendo el funcionamiento y el control de un JFET. Bsicamente, la

accin de un JFET podra entenderse teniendo en cuenta un canal de conduccin formado
por silicio dopado n y dos terminales, uno en cada extremo. El dispositivo se convierte en
una resistencia cuyo valor viene dado por el nivel de dopaje.
Los tres terminales del JFET reciben el nombre de fuente, drenador y puerta. La fuente
equivaldra al emisor del BJT y es el portador mayoritario. As, en un material de tipo n,
los portadores son electrones y la fuente es, por tanto, la fuente de los electrones.
El drenador equivaldra al colector del BJT y, por tanto, la corriente portadora mayoritaria
circula desde la fuente al drenador. De nuevo, el material de los portadores est formado
por electrones y la corriente convencional circula en direccin contraria.

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Funcionamiento bsico de un FET (2)
Se aade una estructura de puerta para
formar un canal.
puerta
P
fuente

drenador

puerta
En realidad, las dos regiones de la puerta estn conectadas entre
s para definir el canal por el que circula la corriente portadora.
El control de la corriente del FET (la resistencia) se obtiene
modificando el tamao de las zonas de agotamiento que rodean a
las puertas.
6.071 Transistores de efecto de campo

Las puertas son dos regiones de material de tipo p que se establecen para la conduccin
desde la fuente al drenador. Las dos regiones de la puerta casi siempre estn conectadas
entre s para que el usuario slo vea una conexin entre ellas.
Observe que el dispositivo que se muestra arriba es un JFET npn, ya que la fuente es de
tipo n, la puerta de tipo p y el drenador de tipo n. Si no se analiza desde la perspectiva de
puerta-canal-puerta, estaramos ante una unin pnp.

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Funcionamiento bsico de un FET (3)
Al igual que ocurre en cualquier unin PN, la puerta est
rodeada por una zona de agotamiento.
puerta
P
zona de agotamiento
fuente
zona de agotamiento

drenador

puerta

La zona de agotamiento reduce el tamao eficaz del canal dopado

N y, con ello, aumenta la resistencia aparente de dicho canal. Al
modular el potencial entre el drenador y la puerta, el campo
elctrico de la zona de agotamiento entre la puerta y el drenador
vara y tambin lo hace la zona de agotamiento.
6.071 Transistores de efecto de campo

Como ocurre con cualquier unin pn, existe una zona de agotamiento que rodea la puerta.
Evidentemente, esta zona reduce el rea de la seccin cruzada del canal de tipo n
disponible para la conduccin de electrones.
La accin del JFET se controla variando el potencial entre la puerta y el drenador, con lo
que tambin cambia el tamao de la zona de agotamiento.

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Funcionamiento bsico de un FET (4)

P
N

zona de agotamiento

VDS

En este caso, la tensin del drenador a la fuente, VDS, equivale a

la tensin entre la puerta y el drenador. CuandoDV
S aumenta, las
zonas de vaciamiento se aproximan y la resistencia de la fuente
aumenta.

6.071 Transistores de efecto de campo

Un sencillo ejemplo sera conectar a tierra el voltaje de la puerta a la fuente para que el
voltaje de drenador a la puerta sea igual que el voltaje del drenador a la fuente. Al
aumentar el voltaje entre el drenador y la puerta, la zona de vaciamiento aumenta y la
conduccin del canal disminuye.
En el caso de voltajes pequeos, la resistencia aumenta con el voltaje y recibe el nombre de
zona hmica.
Por encima del voltaje de estrangulamiento, el canal entra en saturacin y la resistencia se
vuelve constante. El voltaje de estrangulamiento podra describirse como el voltaje en el
que coinciden las zonas de vaciamiento de las dos puertas.

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Caracterizaremos el dispositivo por su resistencia eficaz de unin. Por supuesto, en este

momento la medicin tpica para caracterizar un transistor se basa en medir la corriente
de drenador como una funcin del voltaje de drenador-fuente para un conjunto de
corrientes (o voltajes) aplicados a la puerta. Recuerde que as es exactamente como se
llevan a cabo las comprobaciones en el BJT.
Una vez medida la corriente de drenador como funcin del voltaje de drenador-fuente, ya
contamos con la informacin necesaria para calcular el valor eficaz de la resistencia CC
para este punto de funcionamiento.

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A la izquierda se muestra la caracterstica de la corriente de drenador / voltaje drenadorpuerta en una puerta conectada a tierra.
La zona entre cero y el voltaje de estrangulamiento representa la zona hmica, la curva
plana representa la zona de saturacin y, a voltajes elevados, se produce una regin de
ruptura en la que la conduccin en el canal aumenta rpidamente. Muchos dispositivos se
rompen al funcionar en esta zona de ruptura, aunque existen dispositivos diseados para
funcionar en esta zona de avalancha, como es el caso de los diodos zener.
El grfico de la derecha muestra la resistencia correspondiente. En la zona hmica, la
resistencia aumenta de forma lenta y en la zona de saturacin, lo hace con mayor rapidez.
Es importante sealar que la corriente de drenador del JFET es independiente del voltaje
drenador-fuente de la zona de saturacin. Como tendremos la oportunidad de comprobar
en breve, en esta zona la corriente es muy sensible al potencial drenador-puerta.
Por ello, si queremos controlar el dispositivo a travs de la puerta, deberemos disear por
defecto un dispositivo que funcione en la zona de saturacin. Sin embargo, si lo que
buscamos es controlar el dispositivo mediante el voltaje de drenador, situaremos el
dispositivo en la zona hmica.

Diapositiva 10
Control de la puerta del FET
El tamao de la zona de vaciamiento puede aumentarse mediante
la polarizacin de la unin PN en la puerta. As, la puerta controlar
la ID y, como la puerta estar polarizada, fundamentalmente no
habr corriente de puerta.

ID

VDS

IB

VGS=0 -1V
-2V

N
VDS

VP

P
-VGS

VGS

N
P

6.071 Transistores de efecto de campo

VGS
9

Aqu se muestra la variacin de la curva IV como funcin del voltaje de la puerta.

Recuerde que en el estrangulamiento las zonas de vaciamiento de las dos puertas
coinciden y, como cambia el voltaje de la puerta, el punto de funcionamiento se desplaza.
Lo ms frecuente es invertir la puerta (como se indica en el circuito) para aumentar el
campo en la unin PN y, en consecuencia, aumentar el tamao de la zona para un voltaje
drenador-fuente constante.
Observe que la puerta se polariza.

Diapositiva 11

Diapositiva 12

El diseo de los circuitos FET suele funcionar con ecuaciones relativamente sencillas
para la corriente de drenador, en trminos de parmetros de dispositivo y de condiciones
de funcionamiento. Evidentemente, stos dependen de si el punto de funcionamiento se
encuentra en la zona hmica o en la de saturacin.
Dado que el rendimiento del dispositivo no debe depender fundamentalmente de los
parmetros del circuito, se suelen adoptar una serie de atajos y al final el circuito se
evala con un paquete de simulacin (como un Spice). Ayuda en gran medida a poder
simplificar el diseo a sus partes funcionales y, entonces, ver claramente cmo debera
funcionar. Esto, por supuesto, requiere prctica y en este curso le guiaremos en el
proceso.

Diapositiva 13

Una caracterstica importante, aunque algo difcil de entender, de un dispositivo de tres

parmetros es la transconductancia, gm. Recuerde que estamos diseando el FET como
una resistencia de voltaje controlado, por lo que la corriente de drenador es una funcin
del voltaje entre la puerta y la fuente. Evidentemente, esto se aprecia en las
representaciones IV del FET en la zona de saturacin. La transconductancia es la tasa de
cambio de la corriente de drenador con un cambio en el voltaje a tensin constante
drenador-fuente.
Las unidades de la transconductancia es la inversa del ohmio (mhos).
Por norma general, las fichas tcnicas incluyen las dos transconductancias para una puerta
en cortocircuito.
A menudo, en el anlisis de los circuitos FET, las propiedades del circuito pueden
simplificarse a una funcin de la transconductancia.

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Aqu planteamos un ejemplo sencillo de una fuente con corriente derivada JFET. La
puerta se ha cortocircuitado a tierra) (observe que no est cortocircuitada a la fuente). La
resistencia de la fuente introduce un voltaje de fuente y, con ello, se produce un voltaje
puerta-fuente negativo.
Debemos encontrar la corriente de drenador como una funcin de la resistencia de la
fuente.
El voltaje de drenador es lo suficientemente grande para que podamos asumir que el
dispositivo trabaja en la zona de saturacin. As, podemos detectar inmediatamente la
corriente de drenador como una funcin del voltaje de puerta-fuente.
El voltaje de puerta-fuente es exactamente menos el voltaje de fuente y ste es la cada de
voltaje de la corriente de drenador que atraviesa la resistencia de la fuente.

Diapositiva 15

Igualamos ambas ecuaciones y obtenemos la ecuacin de segundo grado para la corriente

de drenador.
Como el FET se apaga a -4V, la solucin -8V no es posible y optamos por la solucin
-2V, de la que se desprende una corriente de 2 mA.
A partir de este dato podemos calcular tambin la resistencia drenador-fuente del
dispositivo y la cada del voltaje en el FET.

Diapositiva 16

Un segundo ejemplo de una aplicacin del FET es una resistencia controlada por tensin.
En este caso nos fijamos en la variacin de la cada del voltaje en el FET para controlar el
brillo de una lmpara (el brillo es una funcin no lineal de la corriente que atraviesa la
lmpara). Cuando la puerta se cortocircuita con la fuente, la corriente aumenta y la
lmpara se enciende. Si la puerta se polariza en negativo, la corriente de drenador
disminuye y la lmpara se atena. El proceso contina hasta que se apaga.
Es posible combinar este circuito con el anterior para crear un potencimetro de luz que se
accione mediante una resistencia variable, pero normalmente lo apropiado es disear un
dispositivo controlado por tensin.

Diapositiva 17

El seguidor de fuente JFET es funcionalmente similar al seguidor de emisor BJT.

Asimismo, no proporciona ganancia de voltaje, pero s modifica la impedancia,
creando ganancia de corriente (y de potencia).
Seguimos utilizando buenas prcticas de diseo, por lo que al pensar en el seguidor
de fuente como una fuente de voltaje, conseguimos que la resistencia de fuente sea
mucho menor que la de carga y, as, podemos obviar la carga en nuestro anlisis.
La cada de voltaje en la resistencia de fuente es, por lo tanto, la resistencia de fuente
es una potencia de la corriente de drenador. Podemos relacionar la corriente de
drenador con el voltaje puerta-fuente mediante la transconductancia. Y tambin
comprobamos que el voltaje de fuente coincide con el de salida. Observe que la
transconductancia tpica corresponde a una resistencia ms pequea
(aproximadamente de 200 ohmios) que la resistencia de fuente y, por lo tanto, la
ganancia se aproxima a 1.

Diapositiva 18

Configuracin tpica del amplificador del seguidor de fuente. Simplificando mucho, los
condensadores sirven para eliminar la corriente continua, la resistencia de puerta para
polarizar y la resistencia de carga puede obviarse debido a la resistencia de fuente. Por lo
tanto, podemos observar la misma ganancia.

Diapositiva 19

La configuracin tpica de fuente es un amplificador con ganancia. En nuestro caso, el

voltaje se divide en la resistencia de drenador, en el FET y en la resistencia de fuente. La
resistencia de fuente slo establece el punto de funcionamiento de CC. Observe que
que existe un condensador conectado en paralelo que cortocircuita la resistencia a altas
frecuencias.

Diapositiva 20
Cundo utilizar JFET

El JFET tiene impedancias de entrada mucho ms altas y

corrientes de salida mucho ms bajas que los BJT.
Los BJT son ms lineales que los JFET.
La ganancia de un BJT es mucho ms alta que la de un JFET.

6.071 Transistores de efecto de campo

19

Por norma general, los JFET slo se utilizan cuando los BJT no son la solucin ms
conveniente, por ejemplo, cuando la corriente de fuga de la base de un BJT es demasiado
elevada.
En aplicaciones de lgica digital, el uso de los FET es importante, ya que son mucho
ms rpidos y disipan menos energa. Sin embargo, la mayora de estas aplicaciones
utilizan MOSFET, que presentan impedancias mucho ms elevadas incluso que los
JFET.

Diapositiva 2

En algunas ocasiones resulta ms til el funcionamiento en la zona hmica que en la de

saturacin. El anlisis no cambia en absoluto, pero las ecuaciones son menos complicadas.
En nuestro caso, calculamos el comportamiento de un JFET empleado como resistencia
controlada por tensin. Como cabra esperar, volvemos a obtener una funcin cuadrtica.

Diapositiva 21

Grficos generados por

Mathematica

La curva generada con Mathematica muestra la variacin de la corriente de drenador con

respecto al voltaje de entrada. Esto puede resultar til para conseguir un desfase preciso y
controlable.

Diapositiva 22

Grficos generados por

Mathematica

Dada la variacin en corriente, resulta bastante sencillo mostrarla como una resistencia
con ayuda de Mathematica. Observe que en la zona hmica podemos permitir que el
voltaje puerta-fuente sea positivo.
Suele ser bastante acertado en cualquier aplicacin calcular la potencia disipada en el
FET, que, evidentemente, ser una funcin del voltaje de control. En este caso, la
potencia mxima disipada tiene lugar cuando la resistencia del FET es igual a la
resistencia de drenador.

Diapositiva 23

Podremos comprobar ms adelante que con un amplificador operacional es posible

obtener amplificadores diferenciales ptimos y que su ganancia viene controlada por las
resistencias de retroalimentacin. Con un JFET se obtiene fcilmente una resistencia de
voltaje controlado y, en consecuencia, una ganancia de voltaje controlada.

Diapositiva 24

Estamos ante un circuito que mide la dependencia de frecuencia de la transconductancia

(en este caso, yfs como suele entenderse para frecuencias altas). La resistencia elevada
de puerta se utiliza slo por motivos de estabilidad.

Diapositiva 25
Smbolos del JFET
drenador
puerta

drenador

puerta
fuente
NPN

fuente
PNP

A menudo, las zonas de las puertas estn dopadas en distinta

medida para las especificaciones de drenador / fuente.
En algunos dispositivos, el drenador y la fuente son
intercambiables.
En ocasiones, las dos puertas no estn interconectadas y se
obtiene un dispositivo de cuatro terminales.
6.071 Transistores de efecto de campo

25

Al igual que ocurre con los BJT, existen JFET de tipo npn y pnp. Los de tipo NPN suelen
denominarse de canal n para evitar confusiones con la configuracin de puertas.
Es posible intercambiar el drenador y la fuente o no hacerlo, dependiendo de sus niveles
relativos de dopaje.

17 26-28
Visite el sitio Web del fabricante para obtener la ficha tcnica del producto. Siga estos
pasos:
1. Vaya al sitio Web de Fairchild Semiconductor: http://www.fairchildsemi.com/ 2.
Consulte las condiciones de uso del sitio en el enlace llamado Site Terms &
Conditions o haciendo clic en el siguiente enlace:
http://www.fairchildsemi.com/legal/index.html
3. Vuelva a la pgina de inicio.
4. En el cuadro de bsqueda escriba el nmero del producto (2N5457), seleccione
Product Folders and Datasheets y haga clic en go. La ficha tcnica que necesita
es N- Channel General Purpose Adapter.
5. Se le ofrecern varias opciones (descargar el PDF, correo electrnico, etc.).
Seleccione el mtodo que desee para recibir la ficha tcnica.

Diapositiva 29
MOSFET (1)
Los transistores de efecto de campo de semiconductores de metalxido difieren bastante de los JFET y se presentan en una gama muy
variable.
La funcin que los caracteriza es que la puerta est acoplada con un
puerta
condensador.
fuente
drenador
metal
aislante
N
N
P
MOSFET npn de vaciamiento
ausencia de campo en la puerta =

fuente

drenador

corriente de fuga muy pequea

6.071 Transistores de efecto de campo

29

Hoy da, los MOSFET son ms comunes que los JFET,

y su funcionamiento es demasiado extenso para analizarlo con detalle. El hallazgo
inteligente fue darse cuenta de que, al interesarse slo por el campo elctrico entre la
puerta y el drenador, no haba necesidad de establecer una conexin galvnica y que
bastaba con una conexin de condensacin que tuviese el mismo efecto. Por ello, en los
MOSFET existe una capa de aislante (vidrio) entre el conector de la puerta y el
semiconductor dopado p.
Obsrvese que, en ausencia de un voltaje de puerta, el semiconductor funciona como unin
NPN entre el drenador y la fuente y tiene el aspecto de dos diodos bidireccionales (con la
consiguiente corriente pequea entre drenador y fuente). Compare este hecho con los BJT
(donde la zona de las puertas es pequea) y los JFET (en los que el drenador y la fuente
conforman un canal de conduccin).

Diapositiva 30
MOSFET de enriquecimiento
Un voltaje de sustrato de
puerta positivo induce
una carga negativa entre
la fuente y el drenador y
crea un canal de tipo n.
Ahora la corriente puede
circular.

VG
N

N
P

conector de sustrato
6.071 Transistores de efecto de campo

30

Para analizar el funcionamiento de un MOSFET, comenzamos por estudiar la unin

capacitiva de la puerta y preguntarnos cul ser la distribucin de cargas en el
semiconductor para distintos potenciales de puerta. Observe que ahora nos interesa la
diferencia de potencial entre el electrodo de la puerta y el sustrato (hasta ahora no hemos
mencionado ni la fuente ni el drenador).
Si la puerta del sustrato est cargada positivamente, obtendremos una concentracin de
electrones entre los canales de tipo n de la fuente y del drenador y la corriente podr
circular. Estar formada, evidentemente, por portadores mayoritarios en las zonas de la
fuente y del drenador y por portadores minoritarios en la zona de la puerta (que hemos
concentrado nosotros).
Se trata, pues, del mecanismo normal de conduccin de los llamados MOSFET de
enriquecimiento.

Diapositiva 31
Smbolos del MOSFET
drenador

drenador

sustrato

puerta

fuente

sustrato

puerta

fuente
Canal P

Canal N
Vaciamiento
drenador

drenador

sustrato

puerta

fuente

sustrato

puerta

Canal N

fuente
Canal P

Enriquecimiento
6.071 Transistores de efecto de campo

31

Adems de los MOSFET de enriquecimiento, existen los de vaciamiento Los distintos

smbolos se muestran en la figura. Al utilizar estos dispositivos es importante prestar
atencin a la conexin del sustrato, ya que forma el segundo terminal del condensador de
la puerta.

Diapositiva 32
MOSFET de vaciamiento

fuente

puerta
drenador

aislante
N+

N+

Las zonas de la fuente y el drenador estn ms dopadas que el

canal, pero cuando la puerta est polarizada a cero, existe
corriente.

6.071 Transistores de efecto de campo

32

En los dispositivos de vaciamiento, la cara secundaria del condensador es una regin

pequea de material de tipo n. Ahora, sin polarizacin en la puerta, tenemos un canal de
tipo n desde el drenador a la puerta y la corriente circula. Esta zona de la puerta est muy
dopada y el campo elctrico del condensador de la puerta se utiliza para manipular las
concentraciones de portadores en la zona y poder, as, controlar la corriente drenadorfuente.

Diapositiva 33
MOSFET de vaciamiento (2)

Un voltaje negativo entre

la puerta y el sustrato
induce un canal de tipo p
en la zona dopada de la
puerta y desactiva la
corriente drenadorfuente.

N
P

6.071 Transistores de efecto de campo

33

Una polarizacin negativa en el condensador del sustrato de la puerta atrae a los huecos
del material de tipo p hacia el canal de conduccin y disminuye la corriente drenadorfuente. Con este funcionamiento, el dispositivo se comporta como un JFET, en el que
el potencial negativo de la puerta retarda la corriente de drenador.

Diapositiva 34

Grficos generados por

Mathematica

Representacin IV de una ficha tcnica de un MOSFET de agotamiento; el resto de

parmetros siempre se facilitan en alguna seccin de la ficha tcnica.

Diapositiva 35

Al igual que ocurre en los JFET, existe una serie de frmulas que relacionan la corriente
de drenador con los parmetros del circuito. stas se utilizan de la misma forma que en
los JFET.

Diapositiva 36

Grficos generados por

Mathematica

Las frmulas de enriquecimiento son bastante parecidas, pero incluyen el denominado

parmetro de construccin, que describe la capacidad del canal. Suele aparecer de forma
explcita en las fichas tcnicas, por lo que no es necesario calcularlo.

Diapositiva 37
Caractersticas de transferencia de los tres
tipos de FET

Grficos generados por

Mathematica
6.071 Transistores de efecto de campo

37

Aqu se muestran las caractersticas de transferencia de los tres tipos de MOSFET, (1)
agotamiento, (2) enriquecimiento y (3) ambos. Las representaciones IV de la derecha
muestran la corriente de drenador con respecto al voltaje drenador-fuente para distintos
potenciales de puerta. Estos datos son los que suelen obtenerse en las fichas tcnicas. Las
curvas de la izquierda muestran la variacin de la corriente de drenador como funcin del
potencial de la puerta en la zona activa. No suele mostrarse este dato, pero es una buena
forma de ver las diferencias entre los tres tipos de dispositivos. Tambin es til para
deducir dnde deben ubicarse los puntos de funcionamiento.

Diapositiva 38

Como ejemplo, analizaremos el punto de funcionamiento de un amplificador MOSFET de

agotamiento. El FET y la resistencia de drenador comparten el voltaje y, como la puerta
est polarizada en inversa, el FET se apaga y el voltaje crece en el FET (el voltaje de
salida, en consecuencia, aumenta).

Diapositiva 39

Como buscamos un cambio en la corriente (resistencia) con el voltaje de control,

necesitamos centrarnos en la transconductancia, pero primero debemos decidir en qu
punto calcularemos la ganancia. Estudiemos las proximidades del voltaje de entrada nulo.
Ahora podemos obtener la corriente de la hoja de especificaciones y el voltaje de salida es
2 V (en un punto medio adecuado). Tambin podemos calcular directamente la
transconductancia, que es 200 mohs. Dado que con ello obtenemos la resistencia de
drenador-fuente, podemos calcular tambin ahora la ganancia.

Diapositiva 40

En este caso, asumimos una pequea seal y buscamos una solucin lineal cercana a un
voltaje de entrada nulo. Realizaremos algunas suposiciones y nos desharemos de algunos
trminos para evitar un problema cuadrtico. Es vlida cualquiera de las dos propuestas y
la respuesta obtenida es, en esencia, la misma. Recuerde que todos los parmetros del
circuito pueden variar.
Modificamos el voltaje de salida para los pequeos cambios de la resistencia de drenadorfuente y nos damos cuenta de que, al hacerlo, el voltaje sufre pequeas variaciones.

Diapositiva 41

Ample la resistencia drenador-fuente en trminos de voltaje de entrada y aproveche el

hecho de que el voltaje de entrada es pequeo para poder simplificar. El resultado es que
el dispositivo se convierte en un atenuador (la ganancia se reduce a la mitad) ms que en
un amplificador. Debera detectar que, si aumentamos el voltaje (o disminuimos la
resistencia de drenador) podramos aumentar la ganancia.

Diapositiva 42

Uno de los usos ms importantes de los MOSFET es la construccin de circuitos lgicos

que disipen muy poca energa. Si implementamos la configuracin del MOSFET que
aparece en la figura, habr una corriente en la carga y no en la otra.
Observe que el sustrato se conecta a la fuente.

Diapositiva 43

En un dispositivo de canal p, la corriente se asocia con el estado

de encendido.
Observe aqu que el sustrato sigue conectado a la fuente (que ahora tiene voltaje
positivo).

Diapositiva 44

En lgica complementaria de MOSFET (CMOS), la misma puerta se construye a partir

de una combinacin de dispositivos de canal p y n, de tal forma que no hay circulacin
de corriente en ninguno de los estados lgicos. Evidentemente, la ausencia de corriente
implica que no se disipa ninguna energa.

Diapositiva 45

BIBLIOGRAFIA
1.

Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos

por Robert L. Boylestad,Louis Nashelsky.

2.

Principios de Electrnica y dispositivos electrnicos,

A.L.Albert.

3.

Circuitos Electrnicos, M.S. Ghausi.

4.

Electrnica General, Pablo Alcalde.

5.

Electrnica Analgica, Miguel Macas Macas.