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Tiristores

El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado


Tiristores: semiconductores que se caracterizan por tener ms de 2 uniones y ms de 3 zonas
con dopados distintos

SCR:
Sillicon
Controlled
Rectifier
Unidireccional

LASCR
Light Activated SCR
Unidireccional

GTO:
Gate Turned-Off SCR
Unidireccional

MCT:
MOSFET Controlled Thyristor
Unidireccional

DIAC
Diode for Alternate Current
Diodo de alterna
Bidireccional

TRIAC:
Triode for Alternate Current
Tiristor de alterna
Bidireccional

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Estructura
PUERTA

CTODO

uAK
NODO

iT

CTODO
K

A
PUERTA

iG
G

Zona de
P puerta

Z. de ctodo

Zona de bloqueo

Zona de nodo

K
G

NODO

Estructura de cuatro capas (PNPN) con dos estados estables (conduccin y bloqueo).
Unin PN zona de ctodo-zona de puerta: UNIN CATDICA
Unin PN zona de bloqueo-zona de puerta: UNIN DE CONTROL
Unin PN zona de bloqueo-zona de nodo: UNIN ANDICA
Bajo ciertas condiciones, podemos quitar la unin de control

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Construccin: Fabricacin mediante DIFUSIN o crecimiento epitaxial

P
Capa andica

(sustrato tipo N)

P1

Capa de bloqueo

Capa de
control

Capa
Catdica

N1

P2

N2

DIFUSIN
N

N1 P2

K
N2

unin
catdica

unin de
control

unin
andica

P1

Electrnica de Potencia, Martnez, S., Gualda, J.A.; Ed. Thomson, 2006.

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Encapsulados
DO 208 AC

Cobre

nodo

Tugsteno
Au - Sb
Cpsula
metlica

Pastilla
Aluminio

Cierre
aislante

Tugsteno

Puerta
Ctodo

Cobre

Electrnica de Potencia, Martnez, S., Gualda, J.A.; Ed. Thomson, 2006.

Leccin 6: Tiristores
6.1 El SCR. Introduccin. Estructura y encapsulado
Encapsulados

TO 209 AD
B7

(500 V 100A)

TO 200 AF
B 20

(1300 V 1800A)

TO 208 AC
B2

(500 V 24A)

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Bloqueo directo:
A

RL
A
uAK

G
RG

RL
VCC

uAK

NODO

VCC

P
N
P

RG
K

La unin de control est polarizada inversamente.


Se tiene una corriente de fugas directa.

N
PUERTA

CTODO

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Bloqueo inverso:
A

RL
A
-uAK

G
RG

-uAK
VCC

RL

NODO

VCC
G

P
N
P

RG
K

La unin andica est polarizada inversamente.


Se tiene una corriente de fugas inversa.

N
PUERTA

CTODO

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Caractersticas del bloqueo directo
iT

VDWM VDSM
VDRM VDO

VAK

Tensin de trabajo directa (VDWM): Mxima tensin directa que puede ser soportada de forma
continuada sin peligro de calentamiento por avalancha.
Tensin de pico repetitivo directa (VDRM): Mxima tensin directa que puede ser soportada en picos
de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensin de pico nico directa (VDSM): Mxima tensin directa que puede ser soportada una sola vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura directa (VDO): Si es alcanzada, el diodo entra en conduccin sin daarse.

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Caractersticas del bloqueo inverso
iT
VBR

VRRM
VRSM

VRWM
VDWM VDSM
VDRM VDO

VAK

Tensin de trabajo inversa (VRWM): Mxima tensin inv. que puede ser soportada de forma continuada
sin peligro.
Tensin de pico repetitivo inversa (VRRM): Mxima tensin inv. que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensin de pico nico inversa (VRSM): Mxima tensin inv. que puede ser soportada una sola vez cada
10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura inversa (VBR): Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o
al menos degradar sus caractersticas elctricas.

Leccin 6: Tiristores
6.2 Bloqueo del SCR
Clculo de prdidas en bloqueo

Son muy pequeas en comparacin con las producidas en conduccin.


El fabricante proporciona el valor mximo de la corriente de fugas (IFUGAS MAX).
Es suficiente con acotar las mximas prdidas producidas en bloqueo, tomando IFUGAS
MAX.

1 t T
1 t T
PBLOQUEO uAK ( t )iT ( t )dt IFUGAS MAX uAK ( t )dt
T t 0
T t 0

PBLOQUEO IFUGAS MAXuAK AVG

Leccin 6: Tiristores
6.3 Estado de conduccin del SCR
A

RL
A
iT

RG

RL
iT

VCC

NODO

VCC

RG

N
PUERTA

CTODO

La corriente iT circulando en el sentido indicado, hace que portadores minoritarios


lleguen a la unin de control. All se aceleran y crean pares e-hueco. Estos nuevos
portadores se aceleran, mantenindose el proceso.

Leccin 6: Tiristores
iT

6.3 Estado de conduccin del SCR


iT

Caractersticas del estado


de conduccin
VBR

VRRM
VRSM

VRWM

iL

iH

VAK
VDWM

VDSM

VDRM

VDO

Intensidad media nominal (ITAV): Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de
180 que el tiristor puede soportar con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (85 C
normalmente).
Intensidad de pico repetitivo (ITRM): Intensidad mxima que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo
indefinido, con duracin de pico de 1ms a determinada temperatura de la cpsula.
Intensidad de pico nico (ITSM): Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o
ms, con duracin de pico de 10ms.

Leccin 6: Tiristores
iT

6.3 Estado de conduccin del SCR


iT

Caractersticas del estado


de conduccin
VBR

VRRM
VRSM

VRWM

iL

iH

VAK
VDWM

VDSM

VDRM

VDO

Corriente de mantenimiento (IH): Es la corriente mnima de nodo que se requiere para que el tiristor
siga mantenindose en conduccin.
Corriente de enclavamiento (IL): Es la corriente de nodo mnima que se requiere para que el tiristor siga
mantenindose en conduccin inmediatamente despus de que el dispositivo haya entrado en
conduccin y la seal de puerta haya desaparecido (pulso en la puerta de 10 ms).

Leccin 6: Tiristores
6.3 Estado de conduccin del SCR
Clculo de prdidas
1 t T
PCOND uAK CND ( t )iT ( t )dt
T t 0
1 t T
PCOND uT( TO ) ( t ) iT ( t )RT iT ( t )dt
T t 0

iT

uT(TO)
PCOND uT( TO )iT AVG RT iT RMS

uT(TO):
iT AVG:
RT:
iT RMS:

Tensin umbral.
Corriente directa media.
Resistencia dinmica.
Corriente eficaz.

iT

RT

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR
Control del SCR
DISPARO

Disparos NO deseados

BLOQUEO

Bloqueo natural

Por exceso de tensin


Por derivada de tensin

Por radiacin
electromagntica

Bloqueo forzado
Por fuente inversa de tensin
Por fuente inversa de corriente

Disparos deseados

Por impulso de puerta

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo no deseado
Disparo por exceso de tensin

Si la tensin soportada por la unin de control


se acerca al valor de ruptura en sentido directo,
la corriente de minoritarios aumenta
considerablemente (proceso de avalancha).

NODO

P
N
P

Si la corriente de fugas se eleva por encima del


valor de enclavamiento el dispositivo es capaz
de mantener el estado de conduccin.

N
PUERTA

CTODO

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo no deseado
Disparo por derivada de tensin

NODO

NODO

N
PUERTA

CTODO

N
PUERTA

CTODO

Si se produce un cambio brusco de polarizaciones entre bloqueo inverso y directo (paso por cero de la
tensin), no hay tiempo para la organizacin de cargas.
La tensin soportada por la unin de control ser elevada, acelerando a los portadores minoritarios. Si
la corriente de minoritarios se eleva por encima del valor de enclavamiento, el dispositivo es capaz de
mantener el estado de conduccin.
Dato del fabricante: (du/dt)max

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo no deseado
Disparo por radiacin electromagntica
iFUGAS
NODO

P
N
P

N
PUERTA

CTODO

E
Menor penetracin

MAX

La accin combinada de tensin directa, temperatura y radiacin electromagntica de


longitud de onda apropiada puede incrementar la corriente de minoritarios.
Si la corriente de fugas se eleva por encima del valor de enclavamiento, el dispositivo es
capaz de mantener el estado de conduccin.

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Caracterstica de puerta

NODO

RL

RL

VCC

VCC

N
P

iG

RL
VCC

N
PUERTA

CTODO

iG

iG

La caracterstica de entrada es la correspondiente al diodo entre puerta y ctodo (unin


catdica).

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Caracterstica de puerta

iG

iGMAX
Hay puntos (coordenadas iG-uGK)
que delimitan zonas
iG<iG1: ZONA I
Zona de disparo imposible: Nunca se
dispara el SCR.
iG1<iG<iG2 : ZONA II

Zona de disparo improbable: No se garantiza


el disparo, aunque a veces ocurre.

iG1<iG<iG2 : ZONA III


Zona de disparo seguro: Se garantiza el
disparo.

PGMAX

III
iG2
II

iG1

I
I

II
uGK1

uGK

III
uGK2

uGKMAX

Existen caractersticas lmite, as como valores


mximos para iG, uGK y zona de potencia mxima
(SOAR)

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Tiempos de disparo con carga resistiva
iG

tG

R
iT
VCC

tdis

iT
td

tr

iL
10%

iG

uAK

VCC

td: retardo; desde que comienza el pulso de puerta hasta que iT llega al 10% del valor nominal.
tr: subida; termina cuando iT=iL (enclavamiento); Desde entonces hay conduccin automantenida.
tdis: disparo: es el tiempo mnimo que tiene que tener iG para disparar el SCR. (0,5 3 s)

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Tiempos de disparo con carga inductiva
iG

tG

L
iT
VCC

tdis

iT
td

tr

iL
10%

iG

uAK

VCC

td: retardo; desde que comienza el pulso de puerta hasta que iT llega al 10% del valor nominal.
tr: subida; termina cuando iT=iL (enclavamiento); Desde entonces hay conduccin automantenida.
tdis: disparo: es el tiempo mnimo que tiene que tener iG para disparar el SCR. (0,5 3 s)

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Disparo por corriente de puerta
Tiempos de disparo con carga inductiva: Trenes de pulsos
tG
iG
L
iT
VCC

tdis

iT
td

tr

iL
10%

iG

uAK

VCC

td: retardo; desde que comienza el pulso de puerta hasta que iT llega al 10% del valor nominal.
tr: subida; termina cuando iT=iL (enclavamiento); Desde entonces hay conduccin automantenida.
tdis: disparo: es el tiempo mnimo que tiene que tener iG para disparar el SCR. (0,5 3 s)

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Circuitos de disparo
Acoplamiento directo
VCC

SCR
PULSOS DE
CONTROL

til si el ctodo del SCR va a masa (comparte referencia con el control)

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Circuitos de disparo
Acoplamiento magntico
VCC
SCR
VCC
DLC
PULSOS DE
CONTROL

til si el ctodo del SCR NO est a masa (no comparte referencia con el control)
Diodo DLC: de libre circulacin (desmagnetizacin del ncleo). Mejor con zener.

Leccin 6: Tiristores
6.4 Disparo del SCR: Circuitos de disparo
Acoplamiento ptico
VCC

PULSOS DE
CONTROL

SCR

til si el ctodo del SCR NO est a masa (no comparte referencia con el control)
Menor coste que con transformador.

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Bloqueo natural
Cuando la corriente por el SCR evoluciona (debido al circuito) de manera que pasa a ser
menor que la de mantenimiento.
iT
iH

CIRCUITO
uAK

iT

iH
uAK

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Bloqueo forzado
A veces se precisa del bloqueo aunque iT>iH.
Hay un tiempo de recuperacin durante el cual el SCR NO PUEDE SOPORTAR TENSIN

iT
iH

CIRCUITO
uAK

iT
tB: tiempo de bloqueo

iH
uAK

tB

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de tensin
Tensiones
Corrientes

R
RAUX

C i

u
i
SCR

u
VCC

u
SCR

SCRAUX

SCRAUX

En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C


est cargado con VCC.
En t=t1, se dispara SCRAUX. La descarga del C
es a travs de R, por lo que se resta corriente
del SCR.

RAUX

Aparece sobre SCR una FIT, para que el


tiristor no se vuelva a encender (tFIT<tB).
En t=t2, SCR se apaga (i<iH)

t1

t2

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de tensin
Tensiones
Corrientes

R
RAUX

C i

u
i
SCR

u
VCC

u
SCR

SCRAUX

tFIT

SCRAUX

En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C


est cargado con VCC.
En t=t1, se dispara SCRAUX. La descarga del C
es a travs de R, por lo que se resta corriente
del SCR.

RAUX

Aparece sobre SCR una FIT, para que el


tiristor no se vuelva a encender (tFIT<tB).
En t=t2, SCR se apaga (i<iH)

t1

t2

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de tensin
Tensiones
Corrientes

R
RAUX

C i

u
i
SCR

u
VCC

u
SCR

SCRAUX

tFIT

SCRAUX

En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C


est cargado con VCC.
En t=t1, se dispara SCRAUX. La descarga del C
es a travs de R, por lo que se resta corriente
del SCR.

i
t
C 1,74 T PERM B
uAK PERM

RAUX

Aparece sobre SCR una FIT, para que el


tiristor no se vuelva a encender (tFIT<tB).
En t=t2, SCR se apaga (i<iH)

t1

t2

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R

i
D

VCC

Tensiones
Corrientes

iT PERM

i
u

SCR

uAK PERM

SCR

tFIT

SCR
AUX

SCRAUX

t1

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C
est cargado con uC0.

En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una


resonancia LC que toma corriente del SCR;
este se apaga.
En t=t2, D deja de conducir, y el circuito
evoluciona exponencialmente hasta que iSCR
AUX < iSCR AUX H

uC0
L

i
t
C 0,893 T PERM B
uAK PERM

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R

i
D

VCC

Tensiones
Corrientes

iT PERM

i
u

SCR

uAK PERM

SCR

tFIT

SCR
AUX

SCRAUX

t1

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C
est cargado con uC0.

En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una


resonancia LC que toma corriente del SCR;
este se apaga.
En t=t2, D deja de conducir, y el circuito
evoluciona exponencialmente hasta que iSCR
AUX < iSCR AUX H

uC0
L

i
t
C 0,893 T PERM B
uAK PERM
t2

t3

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R

i
D

VCC

Tensiones
Corrientes

iT PERM

i
u

SCR

uAK PERM

SCR

tFIT

SCR
AUX

SCRAUX

t1

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C
est cargado con uC0.

En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una


resonancia LC que toma corriente del SCR;
este se apaga.
En t=t2, D deja de conducir, y el circuito
evoluciona exponencialmente hasta que iSCR
AUX < iSCR AUX H

uC0
L

i
t
C 0,893 T PERM B
uAK PERM
t2

t3

Leccin 6: Tiristores
6.5 Bloqueo del SCR: Fuente inversa de corriente
i
R

i
D

VCC

Tensiones
Corrientes

iT PERM

i
u

SCR

uAK PERM

SCR

tFIT

SCR
AUX

SCRAUX

t1

u
En permanente, SCR ON, SCRAUX OFF, y C
est cargado con uC0.

En t=t1, se dispara SCRAUX. Comienza una


resonancia LC que toma corriente del SCR;
este se apaga.
En t=t2, D deja de conducir, y el circuito
evoluciona exponencialmente hasta que iSCR
AUX < iSCR AUX H

uC0
L

i
t
C 0,893 T PERM B
uAK PERM
t2

t3

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.6 Catlogos de fabricantes

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
TRIAC
uT1T2
T1

iT

T1

T2
G

iG

PUERTA

P
N

TRIAC: TRIode for Alternate Current

uT1T2

N
T2

iT
T1

T2
No es exacto (referencia de
tensiones distinta para cada SCR)

G
PUERTA

PUERTA

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
TRIAC
iT
iTMAX

VO

VRM
VSM VWM

iL

PRIMER
CUADRANTE

iH

VT1T2
iH

TERCER
CUADRANTE
iTMAX

VWM

iL

VSM
VRM

VO

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
TRIAC: Disparo
Disparo controlado

Por inyeccin de corriente en puerta, tanto positiva como


negativa.

iT

Primer cuadrante positivo: uT1T2 > 0, iG > 0 (fcil).


Primer cuadrante negativo: uT1T2 > 0, iG < 0 (difcil).
Tercer cuadrante positivo: uT1T2 < 0 , iG > 0 (muy difcil).
Tercer cuadrante negativo: uT1T2 < 0, iG < 0 (fcil).
Disparo no deseado

uT1T2
iG

-Por derivada de tensin dv/dt.


-Por tensin excesiva entre A-K.

TRIAC: Aplicaciones
Regulacin de alterna media - baja potencia
Control de velocidad motores

Control de flujo luminoso


Electrodomsticos de baja potencia

VCC

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
DIAC
uT1T2

DIAC: Diode for Alternate Current


Disparo por tensin (VBO)

iT

T1

T2

iT

VBO

iL

iH

uT1T2
iH

iL

VBO

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
DIAC: Ejemplo de circuito auxiliar de disparo de TRIAC
VAC

RL
R1

iT

VAC

uC

R2

uC

R3

R1 = 0 , mxima potencia.
R1 = Elevada, mnima potencia.

iT

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
GTO
uAK

GTO: Gate Turned-Off SCR

iT

K
iG

Interruptor unidireccional controlado por puerta.


Entrada en conduccin: Inyeccin de corriente en puerta.
Salida de conduccin: Extraccin de corriente de puerta.
Soporta tensiones inversas bajas (20V).
La corriente de apagado es del orden de 1/3 de la corriente que maneja el dispositivo.

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
LASCR: Fotoriristor
uAK

LASCR: Light Activated SCR

iT

K
iG

Son tiristores activados por luz.


Utilizados en alta tensin.
Frecuencias de conmutacin de hasta 2KHz.
Tensiones elevadas 6000V y 1500A.

Leccin 6: Tiristores
6.7 Otros tiristores
MCT
MOSFET Controlled Thyristor

Puesta en conduccin por tensin negativa en puerta.


Apagado por tensin positiva en puerta.
Ganancia elevada de tensin de control.
Disponibles hasta 1000V y 100A.
Potencias medias bajas.

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