Objetivos

Contactos metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor

(1 semana)
Contacto metal-semiconductor (contacto Schottky y contacto
hmico)
La unin PN
Unin con polarizacin directa.
Unin con polarizacin inversa, corriente inversa y su dependencia
con la temperatura.
Zona de agotamiento y voltaje de difusin.

Contactos metalmetal-semiconductor
y semiconductorsemiconductor-semiconductor

ELEMENTOS ACTIVOS
EL-2207
I SEMESTRE 2007

Objetivo:
Conocer el comportamiento de los sistemas metal-semiconductor
y semiconductor-semiconductor

Dr.-Ing. Paola Vega C.

ITCR - Elementos Activos

Dr.-Ing. Paola Vega C.

ITCR - Elementos Activos

Contactos MetalMetal-Semiconductor

Contacto Schottky

Un trozo de metal y un trozo de material semiconductor (n o p) se unen

Se clasifican en contactos hmicos y contactos Schottky, dependiendo de
la diferencia entre la funcin de trabajo del metal y la funcin de trabajo del
semiconductor
Metal

El contacto Schottky conduce corriente en una sola direccin

El semiconductor puede ser de tipo P o N
Condicin para el contacto Schottky: > para semiconduc tores n
M

Semiconductor

Nivel
vaco

Nivel
vaco
EC
EF

EF

EFi

EC

Nivel
vaco

EFi
EV
Semiconductor N

Metal

Semiconductor N
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EC
EF

EC

separacin

separacin
ITCR - Elementos Activos

Nivel
vaco

EF

EV
Metal

M < S para semiconduc tores p

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Contacto MetalMetal-Semiconductor

Deformaci
Deformacin de bandas Contacto Schottky
distancia

Metal

Nivel
vaco

distancia

Semicond. N

Nivel
vaco

Nivel
vaco
Potencial de contacto:

- - + + +
EF

EC

Barrera Schottky:

EFC

Barrera de potencial
para electrones del metal

EF
E
Fi

EC

Campo elctrico

Barrera de potencial para

electrones del semiconductor
EC

EF

EF

EFi

EFi

EV
EV

Semiconductor N

Metal

EV

Metal

Semiconductor N

+ Donadores ionizados (inmviles)

- Electrones

Nivel
vaco

ND ND + e
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Potencial de Contacto y Barrera Schottky

Eo

EF

q B

q Vbi

q S

EC
EF
EV

Vbi = m - s

Potencial de contacto

B = m -

Barrera Schottky

(x)

xn

d dE ( x ) ( x )
=
=
; Si = 3.9 0
Si
dx 2
dx
x

(x): densidad de carga volumtrica

Qm = - q ND xn A

E(x) =
E
xn

q ND

Si

Xn

Si

Campo en funcin de la posicin

(xn - x )

q ND xn

Ecuacin de Poisson
2

Qs = q ND xn A

q ND

E=-

Emx = -

xn w
zona de agotamiento

Capacitancia de uni
unin

V = Vbi = -

Campo mximo

Si
Emx xn 1 q ND xn 2
=
2
2 Si

2 Vbi
w xn = Si

q ND

Potencial de contacto

1/2

Ancho de la zona de agotamiento

Qs = q A ND xn = A [2 q Si ND Vbi ]

(x)dx

1/ 2

Carga en el semiconductor

Xn

( x ) = E ( x ) dx

C=

Si

q ND Si
=
xn 2 Vbi

1/ 2

Capacitancia de unin por unidad de rea

Emx

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Contacto Schottky con polarizaci

polarizacin inversa

EF

Contacto Schottky con polarizaci

polarizacin directa

Aumenta barrera de potencial

para electrones

B constante

Vbi-VR

EC
EF

Disminuye barrera de potencial para

electrones del semiconductor

qVR

B constante

EF

EFi

EC
EF

EFi

EV

Aplicacin: diodo Schottky (diodo para alta frecuencia)

Metal

Semiconductor

1V

0V

Metal

VR

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Electrones fluyen del semiconductor al

Corriente tcnica Corriente real

Semiconductor

-1V

metal, repelidos por el voltaje ms

negativo en el semiconductor y
atrados por el voltaje ms positivo del
lado del metal

+-

pequea I 0
0V
El contacto Schottky es un contacto
rectificador = permite el paso de corriente en
un sentido y la bloquea en el otro sentido

Semiconductor N

Metal

Corriente tcnica I 0

Slo fluye una corriente de reversa muy

EV

Semiconductor N

Metal

qVF

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Contacto hmico

Contacto hmico

El contacto hmico conduce corriente en ambas direcciones

El semiconductor puede ser de tipo P o N
Condicin para el contacto hmico:
M < S para semiconduc tores n
M > S para semiconduc tores p

distancia
Campo elctrico

Nivel
vaco

Nivel vaco

Nivel
vaco

Nivel
vaco

EF

ECEF
EFEFi
EFi
EV

EC

EC
EF

EV
Metal

EFi

EC

EC

- - +
+
+

EF

Semiconductor N

EV
Metal

Semiconductor N
separacin

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- Electrones

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Deformaci
Deformacin de bandas Contacto hmico

Polarizaci
Polarizacin del contacto hmico

distancia
Nivel
vaco

No hay barrera para flujo de

electrones del semiconductor al metal

Nivel
vaco
No barrera de potencial
para electrones del metal

No hay barrera para flujo de

electrones metal al semiconductor

Flujo de electrones

Flujo de electrones

EC

No barrera de potencial para

electrones del semiconductor

EFm

EFm

Ei

EC

EV

Ei

EC

EF

EF
EFi

EC

EV

EV
Metal

Semiconductor N

0V

Metal

-1V

Semiconductor

0V

Metal

Semiconductor

1V

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Schottky versus hmico

+-

Flujo de electrones es posible en ambas direcciones

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Contacto semiconductorsemiconductor-semiconductor
Un trozo de semiconductor N y un trozo de semiconductor P se juntan

Curva caracterstica I-V

Mayoritarios: huecos
Minoritarios: electrones

Unin metalrgica

Mayoritarios: electrones
Minoritarios: huecos

Corriente de reversa 0

Consideraciones para anlisis:

Contacto hmico
Aplicaciones:
conexin entre metal y
terminales semiconductoras de
dispositivos electrnicos

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Contacto Schottky
Aplicaciones:
Rectificacin
Diodos de alta velocidad

El sistema est en equilibrio = no est afectado por ninguna perturbacin

(Ej: voltaje, luz, gradientes trmicos, no est siendo afectado por ningn
campo elctrico o magntico)
El dispositivo es unidimensional
En la superficie de unin de los materiales (unin metalrgica) hay un
cambio abrupto del dopado: de material P a material N

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Uni
Unin PN
P

Zona de agotamiento

Portadores mayoritarios: huecos

Portadores minoritarios: electrones

Portadores mayoritarios: electrones

Portadores minoritarios: huecos

= Gradiente concentracin de portadores de un mismo tipo

Difusin de huecos del lado P al lado N

Difusin de portadores mayoritarios causa la formacin de una zona de

agotamiento en la unin debido a la ionizacin de impurezas de dopado

La zona de agotamiento tambin se conoce como zona de carga espacial

Impurezas ionizadas crean un campo elctrico en la junta, dirigido del lado

N al lado P

El campo elctrico crea una corriente de arrastre de direccin opuesta a la

corriente de difusin

Difusin de electrones del lado N al lado P

dp

Jp = q p p E - Dp
=0
dx

Ionizacin de tomos dopantes

dn

Jn = q n n E + Dn
=0
dx

NA NA + h+

Ionizacin de aceptores

Ionizacin de donadores ND ND + e

Corriente neta = 0, los niveles de Fermi se alinean

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Zona de carga espacial

Potencial de Contacto

Campo elctrico E
Ecuacin de Poisson

Jdif,p
P

Jdif,n
N

(x): densidad de carga volumtrica

E( x ) =

Jdrift,p
Jdrift,n
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d 2 dE ( x ) ( x )
=
=
Si
dx 2
dx

Donador ionizado

Aceptor ionizado

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wn

Si

( x )dx

w p

wn

( x ) = E ( x )dx
w p

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An
Anlisis de la junta PN
d 2 dE ( x )
1
=
=
E( x ) =
dx 2 dx
Si
Si

Wn

Wp

( x )dx

Potencial de Contacto

Ecuacin de Poisson

Potencial de contacto VBI : cada de tensin debido a campo elctrico de

la unin
VBI puede calcularse como

( x ) = q( p n + D A )

N N
VBI = Vt ln A 2 D

ni

Aproximacin de agotamiento:
En la zona de agotamiento la carga est dada slo por impurezas
ionizadas

NA: concentracin de aceptores del semiconductor p

ND: concentracin de donadores del semiconductor n

( x ) = q( n + p A ) q A

Para wp < x < 0

ni: concentracin intrnseca de portadores de carga

(1.4 x 1010 cm-3)

( x ) = q( n + p + D ) q D

Para 0 < x < wn

Vt: voltaje trmico (25mV a 300K)

Emx = -

2q

Si

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Vbi

1
1 + 1
N
ND
A

1
2 Si
1

+
w=
Vbi
q
NA ND
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C=

Si
xn

q Si
1
2 Vbi 1
1
N + N
D
A

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An
Anlisis cualitativo de uni
unin polarizada

Modelo de bandas de uni

unin PN

Polarizacin directa: voltaje positivo al lado P y negativo al lado N

Polarizacin inversa: voltaje negativo al lado P y positivo al lado N

En polarizacin inversa la zona de carga

espacial aumenta
La polarizacin refuerza el efecto del voltaje
de contacto, no fluye corriente

Capacitancia de la zona de agotamiento

EC

N
e

q Vbi

EFi

EC
EF

(EF - EFi)P
En polarizacin directa se puede
establecer un flujo de corriente de
P a N, si el voltaje aplicado es
mayor que el voltaje de contacto

EF
EV
h

VD 0.6V para juntas de silicio

VD 0.3V para juntas de germanio

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(EF - EFi)N

EFi

q Vbi
EV

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El diodo

El diodo
Curva caracterstica (IV) descrita por la ecuacin de diodo de Shockley

ID = Is (e (v D / VT ) 1)

Caractersticas IV reales

Con k = 1.38 1023 J/K: constante de Boltzmann, q = 1.60 1019 C: carga

del electrn y VT: voltaje trmico VT
Is: corriente de saturacin de reversa, depende de caractersticas fsicas del
diodo

D
Dp
pn0
I S = qA n n p 0 +
Lp
L n

El diodo ideal acta como un corto circuito para

corrientes de polarizacin directa y como un corto
circuito para corrientes de polarizacin inversa
circuit for forward currents and as an open circuit with
reverse voltage applied.

A: rea transversal del diodo, D: coeficiente de difusin

L: longitud de difusin de portadores minoritarios
np0: concentracin de electrones del lado P, en equilibrio
Caractersticas IV reales
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pp0: concentracin de huecos del lado N, en equilibrio

Curva caracter
caracterstica del diodo

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Modelo lineal por tramos

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Lnea de carga

VSS = RiD + vD

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