Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educacin Universitaria

Universidad del Zulia
Ncleo Costa Oriental del Lago
Cabimas, Edo-Zulia

Autores:
Manuel Freites CI: 24.485.465
Luigi Herrera

CI: 24.953.839

INTRODUCCION

Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de la

informtica en particular sin una buena comprensin de lo que es, y lo que ha
aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un
dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean en
electrnica de potencia, cuando son necesarias elevadsimas ganancias, por
ejemplo en amplificadores para trasmisin va satlite) con las siguientes ventajas:
Su consumo de corriente es mucho menor con lo que tambin es menor su
produccin de calor. Su tamao es tambin mucho menor. Un transistor puede
tener el tamao de una lenteja mientras que un tubo de vaco tiene un tamao
mayor que el de un cartucho de escopeta de caza. Esto permite una drstica
reduccin de tamao .Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos
estaban alrededor de los 300 voltios las de los transistores vienen a ser de 10
voltios con lo que los dems elementos de circuito tambin pueden ser de menor
tamao al tener que disipar mucho menos calor y soportar tensiones mucho
menores.

INDICE

1. Transistores Bipolares (BJT)

1.1 Modelo Ebers Mall
1.2 Parmetros Hbridos
1.3 Anlisis de lnea de carga
1.4 Polarizacin y estabilidad
1.5 Configuraciones
1.5.1 Base comn
1.5.2 Emisor Comn
1.5.3 Colector Comn

2. Transistores de efecto de campo (FET)

DESARROLLO

1. Transistores Bipolares (BJT):

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Estructura:
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N
en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se

puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la baseemisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta
de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras
que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La

unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La

razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia
de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados
en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que
significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera
que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,
pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los
BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de
stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de
galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento:
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin baseemisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin basecolector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones.

Control de tensin, carga y corriente:

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir,
un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para

disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de

modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

El Alfa y Beta del transistor:

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor
comn est representada por

o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de

corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa

directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia
de corriente base comn,

. La ganancia de corriente base comn es

aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin

activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de transistor de unin Bipolar:

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los

"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades

de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

Ejemplo Prctico de NPN:

Transistor NPN
En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q de funcionamiento en
continua es desconocido. Se debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.
1 Paso:
Ib = (Vbb - 0,7)/Rb
Reemplazando los datos:

Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA

2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA
3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V

En este grfico se muestra el resultado obtenido, con Vcc/Rc indicando el 6 mA en

la recta de la Intensidad, y Vce indicando la Tensin necesaria para polarizar al
transistor

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores
PNP son comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo
de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor
hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor bipolar:

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin
de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como
un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (Ic

Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral
VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como
un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a
cero.

Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica

(especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y
saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y
bajo, respectivamente.

1.1 Modelo Ebers-Mall:

El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado utilizando
las caractersticas no lineales de los diodos. El modelo de Ebers Ebers--Moll es un
lo modelo de seal grande que comnmente se utiliza para modelar los s BJT.

Una versin del modelo se basa en suponer un diodo con polarizacin directa y un
diodo con polarizacin inversa. Esta configuracin aparece en la figura D.1
para un transistor npn. Este modelo, conocido como versin de inyeccin del
modelo de Ebers Ebers--Moll Moll, , es vlido para las regiones activa, de
saturacin y de recorte. Bajo condiciones de funcionamiento normal dentro de la
regin activa, inversa una unin del BJT tiene polarizacin directa, y la otra,
inversa.

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son

determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente por difusin y

Dnde:

es la corriente de emisor.

es la corriente de colector.

es la ganancia de corriente directa en configuracin base

comn. (de 0.98 a 0.998)

es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en

el orden de 1015 a 1012 amperios)

es el voltaje trmico

(aproximadamente 26 mV a

temperatura ambiente 300 K).

es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a

que el valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una

pequea variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la

corriente colector-emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la
base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para
pequeos transistores bipolares. En una configuracin tpica, una seal de
corriente muy dbil circula a travs de la unin base-emisor para controlar la
corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs de las siguientes
relaciones:

Eficiencia del emisor:

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin
del transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el
modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

es la corriente de colector.

es la corriente de base.

es la corriente de emisor.

es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)

es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)

es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 10 15 a

1012 amperios)

es el voltaje trmico
ambiente

(aproximadamente 26 mV a temperatura

300 K).

es la tensin base-emisor.

es la tensin base-colector.

Versin de inyeccin del modelo de Ebers Ebers--Moll para un transistor npn

(a) Versin de inyeccin del modelo (b) Versin de inyeccin aproximada del
modelo

Los diodos emisor--colector base y colector--base pueden ser descritos utilizando

la caracterstica del diodo Shockley de la ecuacin:

Donde
VT = kT/q = 25.8 mV a 25C
IES = Corriente de saturacin inversa base-emisor del diodo
ICS = Corriente de saturacin inversa base-colector del diodo

Tanto IES como ICS dependen de la temperatura. Si VBE > 0, el diodo DF tiene
polarizacin directa y su corriente IF genera una corriente correspondiente aF FI .
Si V VBC BC 0, el diodo DR tiene polarizacin inversa.

A fin de designar, respectivamente, las condiciones directa e inversa, se utilizarn

los subndices F y R. Aplicando en las terminales del colector y el emisor la LKC, I
la corriente del emisor IE es:

Si VBE BE = 0, aRICS = Is representa la corriente de fuga de saturacin inversa

del diodo DR. De manera similar, si VBC = 0, aFIES = Is representa la corriente
de fuga de saturacin inversa del diodo DF. Si se supone que los diodos son
ideales, las corrientes de fuga de saturacin directa e inversa estarn
relacionadas mediante:

donde Is se conoce como corriente de saturacin del transistor. La corriente de

colector a base, con el emisor a circuito abierto se puede obtener suponiendo que
Ic = ICBO Y IE = 0. Colector. Ya que es normal que la unin colector--base est
polarizada a la inversa, VBC <0 y VBC VT, exp (VBC /VT ) 1. Bajo estas
condiciones, en las ecuaciones se obtiene:

Al despejar ICBO en estas dos ecuaciones, se tiene

La corriente de emisor a base, con el colector a circuito abierto, puede obtenerse

suponiendo que IE = IEBO y que IC = 0. Puesto que la unin del emisor est
polarizada a la inversa. La corriente de emisor a base, con el colector a circuito
abierto, puede obtenerse suponiendo que IE = IEBO y que IC = 0. Puesto que la
unin del V emisor est polarizada a la inversa, VBE < 0 (esto es, VEB > 0) y VBE
VT , exp (VBE /VT ) ) 1. Las ecuaciones dan:

En vista de que el diodo DF est con polarizacin directa y DR lo est a la inversa.

VEB < VBC. Por tanto, IEBO es menor que ICBO, y aF es mayor que aR. En la
regin activa, el diodo DR est polarizado a la inversa, e IR0. Esto es, IE = -IF e
IC = aFI F = -aFI E.
En el anlisis de circuito resulta conveniente control expresar la fuente de
corriente en una forma que resulte controlado por las corrientes en las terminales.
Eliminando exp (VBE /VT ) - 1 de las ecuaciones y despus utilizando la ecuacin
se obtiene:

El modelo del circuito aparece en la figura. Las fuentes de corriente estn

controladas por la corriente del colector IC y por la corriente del emisor IE. Este
modelo, conocido como la versin de transporte del modelo de Ebers - Moll,
normalmente se utiliza en simulaciones por computadora con PSpice/SPICE. De
hecho, los modelos lineales de la figura anterior son las versiones aproximadas del
modelo de Ebers- Moll.

Suponiendo que VBC 0 e IR 0, IC = -aF FIE. Si se sustituye IC = -aFI E, la

ecuacin se transforma en:

IES e ICS tambin se conocen como corrientes de saturacin en cortocircuito, en

tanto que ICBO e IEBO se conocen como corrientes de saturacin a circuito
abierto. Obsrvese que las versiones de transporte y de inyeccin del modelo de
Ebers- Moll son intercambiables. Una vez que se conocen los parmetros de una
versin es posible determinar los parmetros de la otra.

1.2 Parmetros Hbridos:

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin
bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser
usado para desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en
el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada.

Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.

Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.
Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores
especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la

resistencia del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en

el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es
generalmente despreciado (se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es

generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente
continua (DC) en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es

usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido
para convertirlo a impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende

representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes
alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados
en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de
parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por
esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero,
respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo
aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias.

1.3 Anlisis de la lnea de carga:

1.4 Polarizacin y estabilidad:

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones

continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturacin o en
corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y en infinidad de

circuitos diferentes. Cada uno de ellos lo polariza de forma determinada. En este
apartado se abordar la polarizacin del transistor mediante una red de
resistencias.

Supongamos que se quiere polarizar un transistor

bipolar en zona activa. Se ha de conseguir que sus
tensiones y corrientes cumplan las condiciones de

estar en activa: VBE = 0,7V, VCE > 0,2V. Una primera opcin sera usar un
circuito como el de la figura . Podemos ver cmo conseguimos polarizar la unin
base-emisor mediante una resistencia (R) conectada a alimentacin. Por la base
del transistor circular una corriente igual a (VCC-VBE)/R, y en colector-emisor
tendremos VCE = VCC > VCEsat.

Este primer circuito tiene como inconveniente por un

lado que el transistor nunca se podra polarizar en
saturacin, pues no se puede conseguir que VCE =
0,2V siendo VBE =0,7V; y por otro lado la excesiva
disipacin. Un circuito un poco ms complejo, y con
el que se puede conseguir polarizar al transistor en
las tres regiones de funcionamiento es el de la figura
. Vemos que en este caso la tensin colector-emisor
depende directamente de la corriente de base (VCE=VCC-IBRC), y dicha
corriente se fija actuando sobre la resistencia de base (IB=(VCC-VBE)/RB).

Para polarizar el transistor en cada una de las regiones se pueden emplear las dos
ecuaciones mencionadas y aplicar las restricciones de cada regin.

Cuando se pretende que la polarizacin sea estable

(es decir, que no vare con factores externos1), se
usan redes de polarizacin ms complejas, que

fijan la tensin en base, como por ejemplo la que aparece en la figura . En

apartados posteriores se resuelve un ejercicio con un transistor polarizado total y
como aparece en la figura

Estabilidad en el punto de trabajo

Punto de trabajo de un transistor:
Entendemos por punto de trabajo de un trabajo del transistor la combinacin de
tensiones y corrientes continuas que existen en el mismo en funcionamiento
normal. En funcin de la aplicacin del circuito el punto de trabajo de un transistor
puede variar mucho. Se puede polarizar el transistor en cualquiera de las tres
regiones de funcionamiento dependiendo del uso que se haga del circuito. En el
cuaderno dedicado al transistor se estudi en detalle cmo polarizar el transistor y
cmo interpretar su punto de trabajo. Aqu se hablar de las variaciones que
puede sufrir el mismo, debido a factores externos.

Variacin del punto de trabajo En esencia, el punto de trabajo de un transistor en

un circuito variar cuando cambie alguno de los elementos de los que depende.
Estos elementos pueden ser bien internos al propio dispositivo
(Tensiones o corrientes, caractersticas), bien externos, como por ejemplo
variaciones en las resistencias, alimentaciones.
En la figura podemos ver el efecto de la variacin de la resistencia de colector
sobre el punto de funcionamiento del transistor. Es evidente que si dicha
resistencia disminuye, tendremos un incremento en la corriente de colector (IC)
para la misma tensin colector-emisor (VCE), luego se ve claramente que la
variacin de un componente afecta directamente a la posicin del punto de
trabajo, el cual con una resistencia RC1 se encuentra en Q1 y con otra resistencia
menor (RC2) pasa a ser Q2.

Variacin con la temperatura

La temperatura afecta a todos los componentes y dispositivos, aunque a unos ms
que a otros. Por ejemplo un incremento de temperatura afectar a la resistividad
de una resistencia, provocando una bajada de su valor, sin embargo este efecto
suele ser despreciable. El efecto de la temperatura se hace mucho ms importante
cuando afecta a un semiconductor en s. Concretamente existen dos
caractersticas del mismo que dependen de la temperatura de forma importante:

La tensin base-emisor (VBE): Su variacin para transistores de silicio suele ser

V T mV BE C ( ) , = 2 5 , es decir, disminuye al aumentar la temperatura
La corriente inversa de la unin colector-base (IC0): El valor de este parmetro
se duplica aproximadamente por cada 10 grados de incremento de la temperatura.

Variacin por cambio de componentes o dispositivos

Es evidente que al cambiar un componente de un circuito nunca vamos a
conseguir que tenga exactamente las mismas caractersticas y valores que el
antiguo, debido a las tolerancias de fabricacin. As, si estbamos usando una
resistencia de 1K (con 10% de tolerancia), el valor real de la resistencia poda ser,
por ejemplo, 980. Si cambiamos esta resistencia por otra del mismo valor
nominal (es decir, 1K) podemos encontrarnos fcilmente que la nueva tiene una
resistencia real igual a 1080, valor que est dentro de los mrgenes de
tolerancia del componente, pero que sin embargo puede hacer que nuestro
circuito deje de funcionar correctamente.

La dispersin de valores, y las tolerancias, son mucho ms acusadas con los

dispositivos semiconductores. As, por ejemplo, dentro de una misma serie de
transistores, podemos tener unidades con grandes diferencias en sus
caractersticas. En las hojas caractersticas de los mismos podemos observar este
hecho, por ejemplo en la ; los fabricantes suelen dar un margen de tolerancia al
parmetro, y en ocasiones del valor mnimo al mximo puede haber diferencias de
ms de 100 unidades o ms.

Teniendo lo anterior en cuenta, a la hora de disear un circuito hay que tener en

cuenta que cualquier cambio de componentes que hay que hacer puede llevar al
mismo a dejar de funcionar correctamente, por variar su punto de trabajo fuera de
los lmites admisibles.

1.5 Configuraciones:
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de EbersMoll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a
0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente
proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente
cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
Emisor comn:
La seal se aplica a la base del transistor y se
extrae por el colector. El emisor se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de
salida. En esta configuracin se tiene ganancia
tanto de tensin como de corriente. En caso de
tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para
frecuencias bajas, la ganancia en tensin se
aproxima bastante bien por la siguiente

expresin:
salida, por RC

; y la impedancia de

Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos
podemos suponer una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es
constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector ms la de

base:

. Despejando

La tensin de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como >> 1, se puede aproximar:

y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

es constante (no depende de la seal de

entrada), y la parte

nos da la seal de salida. El signo negativo indica

que la seal de salida est desfasada 180 respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada,

por

, que aproximamos

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de
transistor ms elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base comn:
La seal se aplica al emisor del transistor y
se extrae por el colector. La base se conecta
a las masas tanto de la seal de entrada
como a la de salida. En esta configuracin se
tiene ganancia slo de tensin. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia
de corriente algo menor que uno, debido a
que parte de la corriente de emisor sale por
la base. Si aadimos una resistencia de
emisor, que puede ser la propia impedancia
de salida de la fuente de seal, un anlisis
similar al realizado en el caso de emisor

comn, nos da la ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

Colector comn:
La seal se aplica a la base del transistor
y se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la seal de
entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia de
corriente, pero no de tensin que es
ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta,
aproximadamente +1 veces la
impedancia de carga. Adems, la
impedancia de salida es baja,
aproximadamente veces menor que la
de la fuente de seal.

2. Transistores de efecto de campo (FET):

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o
transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato
(usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es
como pantallas de cristal lquido o LCD).

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction
Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que
circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener
en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno
tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal
en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en
el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo
tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta.
Tipos de transistores:
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de
aislamiento entre el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un

aislante (normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin

PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de

potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente
est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los
dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a
200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una

recuperacin ultra rpida del transistor.por eso tenemos lareferencia

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor,

usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para
detectar cadenas de ADN iguales

. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio
amorfo o del silicio policristalino.

Caractersticas

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).

Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica

Conclusin

Bibliografa