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Introduccin
Clula solar
Cuando la clula est iluminada, si cortocircuitamos sus contactos, fluye una corriente que est formada por portadores de
carga fotogenerados. Esta corriente se denomina de cortocircuito, y se representa por Isc. Es mayor cuanto mayor sea la irradiancia solar que incide sobre la clula y el rea de la misma, es decir,
cuanto mayor sea el nmero de fotones que llegan a ella.
En cambio, si dejamos los contactos de la clula sin conectar,
es decir, en circuito abierto, la acumulacin de cargas produce
una tensin entre los bornes, que tambin ser mayor cuanto
mayor sea la irradiancia. Esta tensin se denomina de circuito
abierto y se denota como Voc.
En situaciones intermedias, parte de los portadores pueden
ser extrados de la clula solar, mientras que otra parte se acumula generando una tensin entre los bornes. De este modo
se genera a la vez tensin y corriente, de forma que la clula
III
Bateras de ion-litio
electrnica
Descripcin general
El bq255041 es el primero de
una nueva familia de soluciones
integradas inteligentes para la recoleccin de energa con gestin
de nanovatios, adaptadas para
satisfacer las necesidades especiales de las aplicaciones de ultra
bajo consumo. El producto est
Fig. 3. CI bq25504 de Texas Insdiseado especficamente para truments.
adquirir y gestionar desde microvatios (mW) hasta milivatios (mW) de potencia generados a partir de una variedad de fuentes de CC, como fotovoltaica (solar)
o generadores termoelctricos eficientes. Este CI es el primer
dispositivo de su clase en implementar un convertidor/cargador
boost de alta eficiencia orientado a productos y sistemas como
las redes de sensores inalmbricos (WSN) que tienen estrictos
requerimientos operacionales y de potencia. Su diseo comienza
con un convertidor boost DC/DC que requiere slo microvatios
de potencia para comenzar a operar [1].
Puede extraer con eficiencia la potencia de los recolectores de
baja tensin, tales como los generadores termoelctricos (TEG)
o los paneles solares de una o dos clulas. El proceso se puede
iniciar con una tensin de entrada Vin tan baja como 330mV, y
una vez iniciado, puede continuar con la recoleccin de energa
desde Vin=80mV.
El bq25504 implementa una red de muestreo programable
para el seguimiento del punto de mxima potencia (MPPT) y as
optimizar la transferencia de potencia en el dispositivo. El muestreo de la tensin de circuito abierto Vin_dc se programa mediante
resistencias externas, y se mantiene con un capacitor externo
(Cref).
Por ejemplo, para clulas solares que operan con un punto
de mxima potencia (MPP) de 80 % de su tensin de circuito
abierto, se puede ajustar el divisor resistivo a 80 % de la tensin
de Vin_dc y la red controlar la Vin_dc para operar cerca de esa tensin de referencia en el muestreo. Alternativamente, se puede
proporcionar una tensin de referencia externa mediante un microcontrolador que posea un algoritmo de MPPT ms complejo.
Ha sido diseado con la flexibilidad necesaria para soportar
una gran variedad de elementos de almacenamiento de energa.
La disponibilidad de las fuentes de las que se puede extraer su
energa pueden ser espordicas o variables en el tiempo. Por tal
1 La hoja de datos del dispositivo est disponible en la pgina de Texas
Instruments http://www.ti.com/lit/gpn/bq25504
LBST
CFLTR
(2)
CSTOR
0.1F
4.7 F
(min)
22H
Clula
Solar
VSTOR
CHVR
4.7F
ROC2
16
15
LBST
VSTOR
VSS
VIN_DC
3
CREF
0.01F
14
13
VBAT
VSS
AVSS
12
VBAT_OK
11
VOC_SAMP
OK_PROG
10
VREF_SAMP
OK_HYST
4. 00 M
ROC1
16.00 M
Batera (>100F)
bq25504
RUV2
ROV1
RUV 1
4.40 M
3.30 M
ROK2
6.00 M
ROK3
680 K
ROV2
5.60 M
VBAT_OK
ROK1
6.20 M
R
Vbat_uv = 1A .B25BBVC a1 + RUV2 k
UV1
V
3.86 M
motivo los sistemas necesitarn algn tipo de elemento de almacenamiento de energa, como bateras recargables, capacitores
de alto rendimiento, o capacitores convencionales. Estos medios
de almacenamiento se asegurarn de disponer de potencia constante cuando sea necesaria, tambin permiten que los sistemas
puedan requerir corrientes de pico que no pueden provenir directamente de la fuente de entrada.
Para evitar daos a los dispositivos de almacenamiento, las
tensiones, tanto mnimas como mximas son monitoreadas contra las tensiones programadas mnima (Vbat_uv) y mxima (Vbat_ov)
respectivamente.
Para tener una gestin ms estricta de la energa, el bq25504
conmuta una bandera de batera buena (Vbat_ok) para indicarle
a un microprocesador conectado cuando la tensin en un dispositivo de almacenamiento de energa ha cado por debajo de
un nivel crtico preestablecido. De esta forma es posible gestionar la carga y descarga de los dispositivos de almacenamiento
incircuit, es decir, sin desconectarlo del sistema.
Las tensiones umbrales Vbat_uv, Vbat_ov y Vbat_ok se programan de
forma independiente.
El CI bq25504 viene en un encapsulado QFN de 16 pines
y mide 3 mm x 3 mm. La Fig. 3 muestra una imagen CAD del
circuito integrado.
2
abierto. Operando en (1) con ROC1=16 MW y ROC2=4 MW obtenemos una tensin de muestreo al 80 % de la tensin de circuito
abierto; la suma de ambas resistencias debe ser aproximadamente 20 MW. Estos valores al igual que todos los dems se muestran
en el esquema de circuito de la Fig. 4.
Proteccin contra baja tensin
Para evitar que las bateras recargables se descarguen por
debajo de la tensin crtica y se daen, y para evitar que un
elemento capacitivo agote su carga, la tensin umbral Vbat_uv se
debe configurar con resistencias externas. Esta tensin umbral se
programa mediante (2)
(2)
bias
R
3
Vbat_ov = 2 1A .B25BBVC a1 + ROV2 k
OV1
V
(3)
bias
R
Vbat_ok_prog = 1A .B25BBVC a1 + ROK2 k
OK1
V
Circuito de aplicacin
(4)
bias
En la Fig. 4 se esquematiza el circuito de aplicacin a implementar para la recoleccin de energa solar proveniente de una
clula solar con seguimiento del punto de mxima potencia, asumiendo que ste se encuentra al 80 % de la tensin de circuito
abierto Voc=Vin_dc.
Seguimiento del punto de mxima potencia
Internamente, el convertidor boost modula la impedancia
efectiva de los circuitos de transferencia de energa para regular
la tensin de entrada (Vin_dc) a la tensin de referencia muestreada (Vref_samp). Una nueva tensin de referencia se obtiene cada
16 s desactivando peridicamente el conversor por 256ms. La
tensin de referencia se establece mediante (1)
R 1
k
Vref_samp = Vin_dc a R +OCR
OC1
OC2
S
V
(1)
open circuit
Vbat_ok_hyst = 1A .B25BBVC a1 +
Vbias
ROK2 + ROK3 k
ROK1
(5)
electrnica
electrnica
1
2
GND
GND
VHVR
C2
Chvr1
4.7 uF
GND
Lbst
C3
22 uH
Chvr2
0.1 uF
L1
storage capacitance.
Sampled reference
GND
C7
Cref
0.01 uF
VREF_SAMP
Solar Cell
P2
LBST
VRDIV
VHVR
GND
VHVR
VOC_SAMP
VREF_SAMP
GND
VBAT_OV
VRDIV
VBAT_UV
rdiv
hvr
bat_uv
bat_ov
oc_samp
bat_ok_prog
bat_ok_hyst
BQ25504_RGT_16
VSS
VIN_DC
VOC_SAMP
VREF_SAMP
OT_PROG
VBAT_OV
VRDIV
VBAT_UV
EPAD
LBST
VSTOR
VBAT
VSS
AVSS
VBAT_OK
OK_PROG
OK_HYST
Programming circuitry
1
2
3
4
5
6
7
8
U1
17
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
C1
Cbat
100 uF
C4
Cstor
4.7 uF
Date:
File:
A4
Size
OK_PROG
1
30/07/2014
D:\Dropbox\..\PCB_BQ25504.SchDoc
Number
1.0
Sheet 1 of 2
Drawn By: Liozzi, Fonseca
Revision
VBAT_UV=3.26 V
VBAT_OK_HYST=3.78 V
OK_HYST
Title
GND
C6
Ctr2
0.1 uF
VSTOR
C5
Ctr1
0.01 uF
GND
VBAT_OK
VBAT
VBAT_OV=4.26 V
1
2
3
Battery
P1
VBAT_UV
VBAT_OV
VOC_SAMP
GND
LBST
VSTOR
VBAT
GND
GND
VBAT_OK
OK_PROG
OK_HYST
R3
2.2M
R8
R4
22M
R1
2.2M
R7
R2
22M
R3
22M
R18
R4
22M
R1
10M
R17
R2
10M
R12
R11
R2
R1
R3
1M
R22
GND
R24
Rok1
3M3
bat_ok_prog
GND
oc_samp
VBAT_OK_HYST=3.78 V
R2
10M
R1
10M
R23
R21
R20
Rok3
680K
rdiv
hvr
bat_ok_hyst
rdiv
R2
1.5M
R1
1M
R9
R3
R4
10M
R3
10M
R10
R4
R2
560K
R16
Date:
File:
A4
Size
Title
2
30/07/2014
D:\Dropbox\..\Res_Eq.SchDoc
Number
GND
bat_uv
Revision
1.0
Sheet 2 of 2
Drawn By: Liozzi, Fonseca
R1
3.3M
R2
1.5M
R1
4.7M
R6
R5
R15
rdiv
R3
1M
GND
bat_ov
R14
R2
6.8M
R1
6.8M
R19
R13
rdiv
5
TRABAJO FINAL - AGOSTO 2014
CONVERTIDOR BOOST EFICIENTE Y DE BAJO CONSUMO BASADO EN IC bq25504
electrnica
regulador boost principal. La tensin Vstor del regulador principal se compara con la tensin umbral de baja tensin (Vbat_uv), y
cuando se alcanza el umbral Vbat_uv, se conmuta entre Vstor y Vbat,
esto permite que el elemento de almacenamiento de energa
conectado a Vbat comience a cargar. El arranque en fro no es tan
eficiente como el regulador boost principal . Si no hay suficiente
potencia disponible, es posible que el arranque en fro se ejecute
continuamente y la salida Vstor no aumente a 1.8 V y no arranque
nunca el regulador boost principal.
V
Esquemtico
El esquemtico presentado en la Fig. 5 est basado en el circuito de aplicacin mostrado en la Fig. 4, al que se ha aadido
un capacitor de filtrado adicional de 10 nF en Vstor y un capacitor de 100mF en paralelo con el dispositivo a cargar, para asegurar el requerimiento mnimo de capacidad en Vbat. Debido a
que los valores calculados de resistencias no se disponan en un
slo dispositivo resistivo, se formaron arreglos series, paralelos y
combinaciones de ambos (de forma mnima), basndonos en los
valores de resistencias disponibles en el mercado local.
2
Consideraciones de Ruteo
electrnica
Consideraciones trmicas
PCB
Simulacin
C2 4.7u
OK_PROG
(-1,0) (0.4,0)(0.5,400u)
OK_HYS
R7 680k
R6 6.2M
R4 5.6M
R5 3.86M
C5 10n
R3 4.4M
R10 16M
C1 4.7u
U1 BQ25504_TRANS
FAST=1
C4 100n
VBAT_OK
R9 6M
TRANSIENT MODEL
VREF_SAMP
CIN 4.7u
VBAT_UV
N1
N2
OT_PROG
Out(I)
BQ25504
VOC_SAMP
VRDIV
CS1
IINN 400u
VREF_SAMP:2
AVSS
VBAT_OK
VBAT_OV
R2 4M
VIN_DC
R8 3.3M
VSS_1
LBST
VBAT
VSTOR
VSS_0
C3 470n
VSS_2
VIN_DC:1
Fig. 10. Esquemtico en TINA-TI del (ME) Nano-Power Boost Charger para su
simulacin.
2 Web oficial de TINA-TI: http://www.ti.com/tool/tina-ti
1.5
0.0
0.5
1.0
1.5
368m
276m
392m
343m
294m
245m
3.9
2.6
1.3
0.0
3.9
2.6
1.3
0.0
Tiempo t, [s]
clula solar, nuevamente se interrumpe la transferencia de energa de la clula a la carga, mantenindose constantes las tensiones
Vstor y Vbat, y Vref_samp se establece en el MPP (400 mV aprox.).
A los 750 ms C3 est prcticamente cargado, y la corriente
de carga disminuye haciendo que la tensin en Vin_dc aumente. El
valor de tensin final en C3 es de 4.30 V.
En la simulacin los tiempos estn muy comprimidos, se utilizaron bajas capacidades con la finalidad de reducir el tiempo de
procesamiento y poder verificar que se efectu correctamente el
clculo de los componentes a utilizar.
Mediciones
C6 100n
VBAT:4
SOLAR CELL
1.0
VII
VSTOR:3
L1 22u
RSer 50m
0.5
184m
Vref_samp, [V]
VI
0.0
460m
Vstor, [V]
tamao.
La Fig. 8 muestra el ensamblado frontal del PCB con el plano
de masa y el ruteo correspondiente. La Fig. 9 muestra el ruteo
del PCB listo para transferirse a la placa para circuitos impresos.
Vin_dc, [V]
Vbat, [V]
electrnica
-10m
3m
-20m
7m
-30m
10m
-40m
14m
-50m
100m
200m
300m
400m
500m
600m
Potencia, P [W]
Corriente, I [A]
17m
Tensin, V [V]
Fig. 13. Curva caracterstica de la clula solar utilizada (azul). Curva de potencia
(verde). Se indican con lneas rojas punteadas el punto de mxima potencia en
ambas curvas. El punto violeta corresponde al punto de funcionamiento de la clula en tensin-corriente y el punto celeste corresponde a la potencia de entrada.
electrnica
Fig. 17. Operacin de Vbat_ok, Cl=100 mF, Rl=10 KW. En el canal 1 se observa
la carga y descarga de 0 V a 4.20 V y en el canal 2 la operacin de Vbat_ok operando en los umbrales dv/dt>0 de 3.76 V y dv/dt<0 de 3.44 V.
VIII
Conclusiones
Se dise e implement un conversor/cargador boost eficiente para recoleccin de energa a partir de una nica clula solar
con MPPT.
El rendimiento del conversor/cargador boost se ha medido en
un 70 %, valor que est de acuerdo a los rendimientos de fuentes
conmutadas y se contrasta con el valor de eficiencia informado
en la hoja de datos del dispositivo para las tensiones y corrientes
utilizadas.
Se calcularon los umbrales de aviso y proteccin de forma precisa y se implement la programacin de los mismos con arreglos
mnimos de resistencias para lograr los valores requeridos.
La tensin de referencia y muestreo para el seguimiento del
punto de mxima potencia de la clula solar se estableci en
80% de la tensin de circuito abierto, a partir de este valor de
referencia el circuito comienza el ajuste de la mxima transferencia de potencia. Los valores medidos se contrastan correctamente con los valores calculados tericamente.
Se dise y se implement la placa de circuito impreso teniendo en cuenta el diseo ptimo para la estabilidad trmica y de
funcionamiento del conversor/cargador boost.
Un trabajo a futuro interesante podra ser la programacin
de un algoritmo de seguimiento del punto de mxima potencia
de la clula solar ms complejo, implementado en un microcon-
Referencias
[1] Ultra Low Power Boost Converter with Battery Management
for Energy Harvester Applications, Texas Instruments, Texas,
2012.
[2] Generic Standard on Printed Board Design, IPC-2221A, 2003.
[3] bq25504 Optimization of MPPT Algorithm, Application Report
SLUA632, Texas Instruments, Texas, 2012.
[4] Purdue University. Analytical theory may bring improvements to lithium-ion batteries. ScienceDaily. ScienceDaily, 5 March 2013. <www.sciencedaily.com/releases/2013/03/130305131400.htm>.
[5] D. Linden and T. Reddy, Handbook of Batteries, Third
Edition, Ed. McGraw-Hill: New York, 2002, pp. 5.17
[6] Li-ion Battery Charger: Application note, Samsumg Electronics, December 2008, pp. 3.
Tensin, V [V]
Fig. 18. Datos del osciloscopio, canal 1 (negro), canal 2 (rojo), donde se muestra
la operacin de Vbat_ok. Se superpusieron los canales a efectos comparativos.
Fig. 20. Foto de la placa final del mdulo Nano-power Boost Charger.
electrnica