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ELECTRNICA DE
POTENCIA
INSTITUTO TECNOLGICO DE CHIHUAHUA
ING. COSME RAL ALVARADO MEZA
INTRODUCCIN
Electrnica de potencia se puede definir como las aplicaciones de la electrnica de
estado slido para el control y conversin de la energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa en primer trmino en la conmutacin de
dispositivos semiconductores de potencia y con el desarrollo de la tecnologa de
esos las capacidades del manejo de energa y la velocidad de conmutacin han
mejorado considerablemente.
Los sistemas electrnicos de potencia pueden ser utilizados para regular voltaje,
adecuar las necesidades de potencia para el control de carga y muchas ms
aplicaciones,
para
conseguir
esto
se
requieren
desarrollos
futuros
en
ANTECEDENTES HISTRICOS
El arranque de la electrnica de potencia inicia en 1900 con la introduccin del
rectificador de mercurio, despus de forma gradual introdujeron el rectificador de
tanque de metal, el rectificador de tubo de vaco, el ignitrn, fanatrn y el tiratrn
usados hasta el ao de 1950.
La primera revolucin electrnica comenz en 1948, con la invencin del transistor
en los Bell Telephone laboratorios, por Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor
parte de las tecnologas modernas de electrnica avanzada se pueden rastrear a
partir de este invento.
El siguiente adelanto, en 1956, tambin fue logrado en los Bell laboratorios, el
transistor de disparo PNPN, que se defini como tiristor o rectificador controlado
de silicio (SCR).
FANOTRN
El
fanotrn
es
una
vlvula
termoinica
Su funcionamiento es similar al
del diodo de vaco y su smbolo
en los esquemas elctricos y
electrnicos es el mostrado en la
imagen.
IGNITRN
En 1932 se introduce el ignitrn, es un
rectificador de mercurio lquido de tres
electrodos. Su nombre fue derivado
del mtodo del encendido del arco. El
ignitrn es una vlvula grande de
ctodo fro que se usa para conmutar
corrientes intensas.
como
causa
de
la
inadecuado
para
por
choque.
Los
APLICACIONES
Rectificadores de red
Baja frecuencia (50Hz)
Conmutacin a alta frecuencia
Inversores
UPS
Accionamiento de motores AC
Fuentes conmutadas
Convertidores
Diodos de libre circulacin
Cargadores de bateras
Aplicaciones de alta tensin
Aplicaciones de alta corriente
TRANSISTORES
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a
disipar.
Un transistor bipolar tiene 3 uniones: base, emisor, colector. Mientras la base del
transistor NPN est a mayor potencial que el emisor, y la corriente de la base
tenga el valor suficiente para activar al transistor en la regin de saturacin, el
transistor permanece cerrado, siempre que la unin colector a emisor tenga la
polarizacin correcta. Los transistores de potencia son de 4 clases:
o BJT
o MOSFET de potencia
o IGBT
o SIT
TIRISTORES
Corriente de mantenimiento: IH
Corriente inversa: IR
Potencia mxima: P
Corriente de enganche: IL
Costo y tamao.
No hay vibraciones.
LAS DESVENTAJAS:
VENTAJAS
Menor costo.
Menor tamao.
Libres de mantenimiento.
Operacin silenciosa.
DESVENTAJAS:
Vo(promedio) = . Ve
Un circuito de potencia:
Compuesto
de
semiconductores
de
potencia
de
elementos
pasivos
Un circuito de mando:
NPNP.
Si entre nodo y ctodo tenemos una tensin positiva, las uniones J1 y J3 estarn
directamente polarizadas, en cuanto que la unin J2 estar inversamente
polarizada. No habr conduccin de corriente hasta que la tensin VAK aumente
hasta un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensin VGK positiva, circular una corriente a travs de J3, con
portadores negativos yendo del ctodo hacia la puerta. Por la propia construccin,
la capa P donde se conecta la puerta es suficientemente estrecha para que parte
de los electrones que atraviesen
J3 tengan energa cintica suficiente para vencer la barrera de potencial existente
en J2, siendo entonces atrados por el nodo.
De esta forma, en la unin inversamente polarizada, la diferencia de potencial
disminuye y se establece una corriente entre nodo y ctodo, que podr persistir
an sin la corriente de puerta.
Cuando la tensin VAK es negativa, J1 y J3 quedarn inversamente polarizadas,
en cuanto que J2 quedar directamente polarizada. Teniendo en cuenta que la
unin J3 est entre dos regiones altamente dopadas, no es capaz de bloquear
tensiones elevadas, de modo que cabe a la unin J1 mantener el estado de
bloqueo del componente.
Existe una analoga entre el funcionamiento del tiristor y el de una asociacin de
dos transistores bipolares, conforme se muestra en la figura 2.5.
En
unin y estos portadores libres son atrados a travs de las uniones produciendo
una corriente nodo-ctodo. A un cierto nivel de radiacin, la ganancia neta de
corriente del dispositivo excede a la unidad y la corriente nodo-ctodo slo viene
limitada por la impedancia exterior. En este punto, el SCR ha cambiado de ser un
conmutador prcticamente abierto a uno casi en cortocircuito, como se ve en la
Figura 44.
Tensin inversa VR = 30 V.
de
los
ms
importantes, y se mide
montando el SUS en el
circuito de la figura 73;
se
ve
que,
en
c) analoga
d) curva corriente-voltaje
Fig. 15
En la figura 15 puede observarse que un pulso de polaridad negativa aplicado en
compuerta de nodo har conducir a T1 y por lo tanto a T2 inicindose un proceso
regenerativo y por lo tanto una elevada circulacin de corriente entre terminales
nodo-ctodo. Si se aplica un pulso positivo en esta misma compuerta o uno
negativo en la de ctodo se obtiene el estado de circuito abierto del dispositivo.
En general, la corriente requerida en la compuerta de nodo para el disparo es
mucho mayor que la requerida en la compuerta de ctodo. Valores tpicos de
corriente de compuerta de nodo y de ctodo son respectivamente 1.5 mA y 1
&A.
Diac
Es bsicamente una combinacin paralelo inversa de dos diodos de cuatro capas,
lo cual permite el disparo en ambas direcciones. La figura 1 muestra su
conformacin fsica, su smbolo y su caracterstica tensin-corriente.
La caracterstica tensin-corriente muestra claramente un voltaje de ruptura tanto
para valores positivos como para negativos, es decir que el nico camino de
disparo del dispositivo es exceder los niveles de ruptura VS.
Los voltajes de ruptura pueden variar entre 25 y 42 voltios.
Los niveles de corriente son de aproximadamente .2 mA
Triac
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres
terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede
ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su
funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en
antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos
sentidos de la circulacin de corriente. La figura 2.9 muestra el esquema
equivalente de un TRIAC.
es una versin modificada de un diodo con sus capas NPNP, sino ms bien est
compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistencias internas, y
que adems vienen fabricados como circuitos integrados como lo muestra la figura
7.2 en su circuito equivalente.
la
una
de
resistencia
negativa
pronunciada, lo
que
que su cada
de voltaje es
mucho
ms
despus
de
estado
de
ms
significa
drstica
llegar
su
conduccin.
Usualmente, el
voltaje
de
ruptura de un
SBS
se
encuentra entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el de un DIAC.
El IGBT
REFERENCIAS
Electrnica de potencia, Wikipedia,
http://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_potencia
Electrnica de potencia, Juan Carlos Jimnez,
http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/Potencia/introduccion1.pdf