INSTITUTO TECNOLOGICO DE

LOS MOCHIS

ING. ELECTRNICA
MATERIA:
DIODOS Y TRANSISTORES
TAREA:
TRABAJO DE JFET
MAESTRO:
MIGUEL RAMIREZ SANDOVAL
ALUMNO:
JOS LUIS AVENDAO LLANES

11/11/2014
1

INDICE
Introduccin
Definicin del FETpag.3
Comparacin vs BJT...pag.4
Historiapag.5
Tipo de transistores de campo ..pag.6

JFET
Estructura....pag.7
Caractersticas..pag.9
Diferencias en el canal N y P.....pag.9
Caractersticas de transferencia..pag.11
Valores importantes al seleccionar el JFET..pag.14
Ecuaciones importantes.pag.15
Polarizacin del JFETpag.17
Anlisis de CA..pag.27
Bibliografa....pag.30

Introduccin
El transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) es una clase de transistor muy
utilizada en circuitos analgicos y digitales. El transistor FET es un dispositivo semiconductor que
controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico
perpendicular a la trayectoria de la corriente, de ah le viene el trmino de efecto de campo. En
el FET, la corriente es transportada fundamentalmente por un solo tipo de portador, el
mayoritario, y como consecuencia de esto, el dispositivo es unipolar a diferencia del BJT.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea mono cristalina semiconductora como la regin activa o canal. La
regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se
deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es
como pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor
FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta
es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

Comparacin vs BJT
BJT

JFET

Controlado por corriente de base.

Controlado por tensin entre puerta y fuente.

Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas

libres de los huecos y electrones.

Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas

libres de los huecos (canal p) electrones (canal
n).

IC es una funcin de IB.

ID es una funcin de Vgs

(beta factor de amplificacin)

gm (factor de transconductancia).

Altas ganancias de corriente y voltaje.

Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de

voltaje menores a las de los BJT.

Relacin lineal entre Ib e Ic.

Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT

Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)M.
Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un CI.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas de los FET

Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Historia
El transistor de efecto de campo fue
patentado por primera vez por Julius
Edgar Lilienfeld en 1926 y por Oskar Heil
en 1934, pero los dispositivos semiconductores prcticos se desarrollaron
slo mucho ms tarde despus de que
se observ y explic el transistor de
efecto por el equipo de William
Shockley en los Laboratorios Bell en
1947

William Bradford Shockley (1910-1989). Fsico estadounidense, naci

en Londres de padres estadounidenses. Trabaj en los laboratorios de
la Compaa Telefnica Bell desde 1936 hasta 1956. Sus
investigaciones sobre los semiconductores le llevaron al desarrollo
del transistor en 1948. Por esta investigacin comparti en 1956 el
Premio Nobel de Fsica con sus asociados John Bardeen y Walter H.
Brattain. Posteriormente, Shockley desarroll sus investigaciones
para el perfeccionamiento de los transistores, que culminaron con la
invencin en 1952 del transistor unipolar de efecto de campo. Este
fue el paso ms importante para la fabricacin de dispositivos en
masa y a bajo coste. Recurdese que los primeros transistores se realizaban a mano y de forma
individual. Conjuntamente con otros hechos, en 1956, ao en que fue nombrado director de la
Shockley Transistor Corporation en Palo Alto, California, empez a gestarse lo que hoy en da es
Silicon Valley. La historia cuenta que la invencin del transistor, denominado entonces Point
contact germanium transistor, ocurri el ao 1948 sin embargo, fue el 16 de Diciembre de 1947
cuando Shockley, Bardeen y Brattain descubrieron este efecto. Dadas las especiales fechas, no se
publicaron las investigaciones y logros conseguidos hasta meses despus, tiempo que
aprovecharon los Bell Laboratories para patentar estas ideas.

Tipos de FETs

El canal de un FET est dopado para producir ya sea un semiconductor de tipo N o de un

semiconductor de tipo P. El drenaje y la fuente pueden ser dopados de tipo opuesto al canal, en el
caso de modo de agotamiento del FET, o dopado de tipo similar al canal como en modo de mejora
FET. Transistores de efecto de campo tambin se distinguen por el mtodo de aislamiento entre el
canal y la puerta. Tipos de FET incluyen:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante entre la

puerta y el cuerpo. (normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin P-N
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET
con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
puerta y el cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a
3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango
de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida
del transistor por eso tenemos la referencia
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta
fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales
6

Estructura del JFET

Los JFET pueden ser de dos tipos los de canal N y los de canal P, solo nos centraremos en los
de canal N, pues son los ms utilizados. De todas formas los de canal P, podra decirse que son
la expresin dual de los de canal N.

Como se puede ver en esta imagen la mayor parte de la estructura es el material tipo n que
forma el canal entre las capas difundidas del material tipo p. A la derecha del canal tipo n se
conecta mediante contacto hmico el drenador (drain) (D), mientras que a la izquierda del
mismo material se conecta por medio de contacto hmico a la fuente (source) (S). Los dos
materiales tipo P se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo a la puerta (gate) (G).
Por tanto, esencialmente el drenador y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo n y la puerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los
7

potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El
resultado es una regin de agotamiento en cada unin, que se parece a la misma regin de un
diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento
es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la
conduccin a travs de la regin.
En estas figuras se muestra los smbolos empleados para representar el JFET de canal N, y el
de canal P,

Para memorizar estos smbolos, basta considerar la lnea vertical como el canal, estando el
Drenador y la Fuente conectados a l. Puesto que la Puerta y el canal forma una unin P-N, la
flecha apunta de P a N, hacia dentro en el caso del JFET de canal N y hacia afuera en el caso
del JFET de canal P.

En lo general las principales caractersticas de los FETs son

1.- Alta impedancia de entrada
2.- Se logran altas escalas de integracin en circuitos integrados
3.- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar en su capacitancia informacin en
forma de voltaje
4.- Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje en la regin ohmica de trabajo
5.- Su condicin de trabajo depende menos de la temperatura que la del BJT
6.- Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes
7.- Pueden conmutar a altas velocidades
8.- Son sensibles a la esttica
9.- No se pueden implementar amplificadores de voltaje con una ganancia significativa

Diferencias Canal N Y P
CANAL N
En la unin pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa del canal adyacente a la puerta
se convierte en no conductora. A esta capa se le llama zona de carga espacial o deplexin. Cuanto
mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona de deplexin; cuando la zona no
conductora ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensin necesaria para
que la zona de deplexin ocupe todo el canal se le llama tensin puerta-fuente de corte (VGSoff
Vto). Esta tensin es negativa en los JFET de canal n.
En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo respecto a S.
La corriente va de D a S a travs del canal.
Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la corriente del drenador se controla por
dicha tensin.

CANAL P
El JFET de canal p se construye exactamente de la misma manera que el dispositivo de canal n
con los materiales p y n invertidos. Las direcciones de la corriente definidas estn invertidas,
del mismo modo que las polaridades reales de los voltajes VGS y VDS. Para el dispositivo de canal
p, el canal se estrechara al incrementarse el voltaje positivo de la compuerta a la fuente y la
notacin del doble subndice producir voltajes negativos para VDS.

10

Caractersticas de transferencia
No existe una relacin lineal entre la entrada y la salida en un FET, la relacin entre
define por la ecuacin de Shockley:
(
Donde

es la variable de control y

se

son constantes. La forma grfica de esta funcin recibe el

nombre de curva de transferencia. El trmino cuadrtico dar por resultado una relacin no lineal entre
, produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de

. La curva

ms ampliamente usada para el anlisis de circuitos con FET es precisamente la curva de en funcin de
, por lo tanto, slo dando valores de
y en la ecuacin de Shockley se definen los lmites de la
curva de transferencia y slo resta encontrar unos cuantos puntos intermedios para completar la curva de
transferencia.

La grfica anterior tambin se puede determinar a partir de las caractersticas de salida, como se
muestra en la siguiente figura:

11

Se observa de esta figura que cuando

y cuando
, tal y como
se mencion anteriormente. La curva ms ampliamente usada para el anlisis de circuitos con FET es la
curva de ID en funcin de
.
Para determinar la curva de transferencia se puede determinar una ecuacin para el nivel resultante de
y para un nivel dado de , usando la ecuacin de Shockley, es

La curva puede trazarse con un nivel satisfactorio tomando slo cuatro puntos correspondientes
de

o de

. Por ejemplo, si

se obtiene de la ecuacin de Shockley que

y si tomamos
, entonces de la ecuacin para
resulta que
. De acuerdo a esto resulta la siguiente tabla prctica para dibujar la curva de transferencia
con slo cuatro puntos.
Tcnica de los 4 puntos:

0
0.3

0.5

12

En las figuras anteriores se muestra una familia completa de curvas caractersticas de drenaje de
un FET en pequea seal. Para valores negativos de
, la unin compuerta-canal est polarizada
en inversa, incluso para
igual a cero.
As, la resistencia inicial del canal es elevada; por lo tanto, para valores pequeos de
, el
FET se comporta como una resistencia situada entre drenaje y fuente. Adems, el valor de esta
resistencia est controlado por
, si
es menor que la tensin de estrangulamiento la
resistencia(
), se convierte en un circuito abierto y decimos que el FET se encuentra
en corte. Al igual que con
, la corriente del drenaje para otros valores de
, al final llega
a ser constante a medida que aumenta
, debido al estrangulamiento en el extremo del canal
correspondiente al drenaje.
La regin en la que la corriente del drenaje es constante se llama regin de saturacin o regin de
estrangulamiento. La regin en la que depende de
se denomina regin lineal o regin
hmica. Estas regiones estn indicadas en las figuras antes mencionadas.

13

Valores ms importantes al seleccionar el JFET

Valores nominales mximos
VALOR NOMINAL

Valor

Unidad

Voltaje del drenaje a fuente

25

Vcd

Voltaje del drenaje a compuerta

25

Vcd

Voltaje de la compuerta a fuente en inversa

-25

Vcd

Corriente de compuerta

10

mAcd

Disipacin total del dispositivo @ TA = 25C

310

Reduccin de valor nominal a ms de 25C

2.82

Intervalo de temperatura de unin

125

-65 a +150

Intervalo de temperatura de canal de

almacenamiento

Smbolo

mW

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Ecuaciones ms importantes

Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analticas que permiten
analizar matemticamente el funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para las
distintas zonas de funcionamiento.
Para |

| | (zona activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la expresin:

Siendo la IDSS la ID de saturacin que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la
expresin:

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturacin,
mientras que los puntos del rea inferior a sta representan la zona hmica.
Para |

| | (zona de corte):

15

Ecuacin de salida
En la grfica de salida se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET
permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente segn
lo hace la tensin de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresin:
(
, siendo:

) que suele expresarse como

(

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por
una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la ID y la VDS definida por
la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina zona hmica.
A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedndose fija en un valor al
que se denomina ID de saturacin o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva
zona de funcionamiento viene dado por la expresin:
Esta IDSAT, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresin:

16

Polarizacin del JFET

Circuito de polarizacin fija

Para la malla de entrada, dado que

inversamente polarizada).

(la unin compuerta-fuente se encuentra

(1)
Para la malla de salida
(2)
(3)

Donde (3) es la recta de carga de salida. Adicionalmente se tiene la ecuacin de Shockley

(
Donde

(4)

es la tensin de estrangulacin del canal, tambin llamado

la

corriente de saturacin, datos provistos por el fabricante.

17

Para un punto Q dado

, se determina

de (2), como
(5)

De (4), se determina

, luego de (1) se obtiene

Ejemplo
Determine lo siguiente para la red
a)
b)
c)
d)
e)
f)

18

Solucin
a)

b)

c)

d)
e)

f)

19

Circuito de autopolarizacin
Un JFET se autopolariza usando un resistor en la fuente

Para la malla de entrada

(6)
(7)

Para la malla de salida

(8)

As la recta de carga de salida ser

(9)

Para un punto Q,

obtiene

de (9), se obtiene

. Usando la relacin (7), se

y luego

20

Se puede observar que la recta dada por (7) intersecta la curva de la ecuacin de Schockley y
define el punto de operacin como se muestra en la figura

Ejemplo.Determine las siguientes incgnitas para la siguiente figura

a)

b)
c)
d)
e)
f)

21

Solucion
a)

b)
En el punto quiescente

c)

d)

e)

f)

22

Circuito de polarizacin mediante divisor de voltaje

Tal como lo hicimos para el BJT, la polarizacin del JFET se puede realizar por divisor de
voltaje.
Su construccin bsica es exactamente la misma, pero el anlisis en DC es muy diferente.
Puesto que, la corriente de la compuerta es de cero amperios mientras que para el BJT la
corriente de la base
afecta los niveles de DC de la corriente y del voltaje tanto para el
circuito de entrada como el de salida. Pues
proporcionaba la relacin entre el circuito de
entrada y el de salida mientras que el
har lo mismo para el JFET.

Entonces, realizando el anlisis de la misma forma que para un BJT, tenemos:

(10)
Luego, aplicando las leyes de Kirchhoff, y teniendo en cuenta que
podremos encontrar el valor del voltaje de la compuerta .

, entonces

(11)

Sustituyendo

, tenemos:
(12)

Los valores
de
.

los fija la red. Y la ecuacin (12) corresponde a una lnea recta en el plano

23

Cuando
relacin

sea cero el valor de

sobre .

ser igual a

y cuando

sea cero,

ser igual a la

De acuerdo a la figura, si se incrementa, entonces la recta cruzar por un valor menor de

cuando
sea cero. Pero esto ocasionar niveles menores de estabilidad de los
y ms
negativos de
.
(13)
(14)

24

Ejemplo.Determine lo siguiente para la siguiente red

a)
b)
c)
d)
e)

a)

25

Cuando

=0mA

Cuando

La lnea de polarizacin resultante que aparece en la grafica con valores quiescentes de

b)

c)

d)

e)

26

Anlisis de CA
El anlisis de CA de una configuracin del JFET requiere del desarrollo de un modelo de CA de
seal pequea para el JFET. Un componente importante del modelo de CA reflejara el hecho
de que un voltaje de CA aplicado a las terminales de entrada a la compuerta a la fuente
controla el nivel de corriente del drenaje de la fuente.
El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente de un JFET.
Ganancia de voltaje
La expresin de ganancia de voltaje en ca para el amplificador en emisor comn se desarrolla
utilizando el circuito modelo mostrado en la figura 6-14. La ganancia es el cociente de un
voltaje de salida de ca en el colector (Vc) entre el voltaje de entrada de ca en la base (Vb).

Impedancia de entrada

del JFET

La impedancia de entrada de todos los JFET comerciales es lo bastante grande para suponer
que las terminales de entrada se aproximan a un circuito abierto. En forma de ecuacin,

Para un JFET un valor prctico de 109 (1000 M) es tpico, en tanto que un valor de 1012 a
1015 es tpico para los MOSFET y MESFET.

Impedancia de salida Zo del JFET

La magnitud de la impedancia de salida de los JFET es parecida a la de los BJT convencionales.
En hojas de especificaciones de los JFET, la impedancia de salida en general aparece como
con las unidades de S. El parmetro
es un componente de un circuito equivalente de
admitancia donde el subndice o indica que se trata de un parmetro de la red de salida y s la
terminal (fuente) a la cual est conectado en el modelo.
En forma de ecuacin,

27

La impedancia de salida se define en las caractersticas de la figura 8.6 como la pendiente de la

curva de caractersticas horizontal en el punto de operacin. Cuanto ms horizontal es la
curva, mayor es la impedancia de salida. Si es perfectamente horizontal, se tiene la situacin
ideal con la impedancia de salida infinita (un circuito abierto): una aproximacin que se aplica
con frecuencia.
En forma de ecuacin,

Observe el requisito al aplicar la ecuacin de que el voltaje VGS permanezca siempre

constante cuando est determinado. Esto se logra trazando una lnea recta que se aproxime
a la lnea
en el punto de operacin. Luego se selecciona un
cantidad se lee para usarla en la ecuacin.

y la otra

28

Ejemplo

29

Bibliografa
http://www.unicrom.com/Tut_Fet.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
http://es.wikiversity.org/wiki/Transistor_JFET
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20de%20Efe
cto%20Campo.pdf
ftp://ftp.unicauca.edu.co/Facultades/FIET/DEIC/Materias/Electronica_Basica/electronica_teoria_d
e_circuitos_6_ed_boylestad.pdf
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/index.html
http://cursos.tecmilenio.edu.mx/cursos/at8q3ozr5p/prof/ey/ey09002/anexos/explica14.htm

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