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MXICO
FACULTAD DE INGENIERIA
APUNTES DE DISPOSITIVOS Y
CIRCUITOS ELECTRNICOS
EL DIODO IDEAL
El diodo es el dispositivo electrnico ms
sencillo, se forma con la unin de dos
semiconductores uno del tipo N y otro del tipo
P y se puede fabricar en estructura vertical o
plana como se muestra en la siguiente figura:
Ejemplo 1
Solucin:
Para el anlisis del diodo se consideran las
dos opciones: cuando la entrada es de +10
Voltios y cuando la entrada es de -10 Voltios,
en el primer caso el circuito a analizar ser el
siguiente:
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos de los problemas anteriores
pertenecen a un grupo de circuitos conocidos
como rectificadores, por lo general se
emplean para convertir Voltajes de Corriente
Alterna (VCA) a Voltajes de Corriente
Continuo (VCC) o bien con ayuda de algunos
elementos adicionales a Voltajes de
Corriente Directa (VCD). Su principal
aplicacin son las fuentes de alimentacin.
A su vez estos circuitos se dividen en
rectificadores de media onda y rectificadores
de onda completa.
Vcc =
1
1
vdt
=
(Vm Sen)d
T
2 0
Vcc =
Vm
[ Cos]0 = Vm = 0.318 Vm
2
2 12V = 5.4V
Vcc = 0.318 Vm
V RMS =
Vm
2
V2 =
2 127V
= 68.03V
2.64
68.03
= 21.63V
Vcc = 0.636
2
Vm = 2 VRMS
Vm = 2 9V = 12.72V
Finalmente el voltaje promedio ser:
12.72
Vm
Vcc = 0.636 = 0.636
= 4.04V
2
2
a) El voltaje en el secundario es de 12
VRMS.
b) El transformador se alimenta de la
lnea (127 VRMS) y posee una relacin
de vueltas de 10.6.
N1 V 1
=
= 2.64
N2 V2
Despejando tenemos que el voltaje en el
secundario ser:
V2 =
V1
2.64
Vcc =
2 Vm
Vm =
Figura 12 Voltaje resultante de un puente
rectificador.
Para determinar el valor promedio de la seal
rectificada, se debe calcular el rea bajo la
curva de la figura 12, dividiendo este valor
por el periodo de la onda rectificada:
Vcc =
1
2
1
1
vdt =
T
2
(Vm Sen) d +
(Vm Sen)d =
2 Vm
= 0.636 Vm
Vcc =
21.6V = 33.93V
R=
N1 V 1
=
N2 V 2
V 1 = 2 127V = 179.6V
Vcc = 0.636Vm
A diferencia del rectificador de onda completa
con derivacin central el puente rectificador
aprovecha completamente el voltaje en el
secundario de un transformador.
Ejemplo 5.- Determine el voltaje promedio de
la seal rectificada de un circuito puente
rectificador si se emplea un transformador
con un voltaje nominal de 12 VRMS en su
secundario.
Solucin.- El voltaje nominal en el
secundario es de 12 VRMS, lo primero que
debemos obtener es su voltaje pico (Vm):
Vm = 2 12V = 16.97V
con lo cual obtenemos que:
Vcc = 0.636 (16.97V)=10.79 V
Ejemplo 6.- Determine la relacin de vueltas
de un transformador empleado en un puente
rectificador de tal manera que Vcc = 21.6 V,
cuando el primario del transformador se
conecte a una alimentacin de 127 VRMS.
R=
V1
= 5.29
V2
10
Voltaje de Rizo.
Los diodos rectificadores cargan al capacitor
de filtrado C1, hasta el valor pico Vm, durante
los ciclos de no conduccin el capacitor se
descargar mediante la resistencia de carga
RL. Esto crear una onda del tipo de diente
de sierra que se le denominar Voltaje de
Rizo. El valor del voltaje de rizo depende de
la corriente de la carga, la frecuencia de la
fuente de alimentacin y el valor del
capacitor. Un clculo aproximado del voltaje
de rizo se obtiene de la siguiente ecuacin:
Vr =
i
f C
Donde:
Vr es el voltaje de rizo
i es la corriente en la carga
f es la frecuencia.
C es el valor del capacitor de filtrado
Dado que la corriente en la carga tambin se
puede calcular como:
La onda resultante
continuacin.
se
muestra
i=
Vm
RL
Donde:
i es la corriente en la carga
Vm es el valor pico del secundario.
RL es la resistencia de carga.
Sustituyendo lo anterior tenemos que:
Vr =
Figura 13 Onda resultante al agregar un
capacitor de filtrado.
De la figura anterior podemos afirmar que el
voltaje rectificado promedio obtenido ser:
Vcc = Vm
Vr
2
Donde:
Vcc es el voltaje promedio rectificado.
Vm es el voltaje pico en el secundario
del transformador.
Vr es el voltaje de rizo.
Vm
f R C
11
Vr =
Vm
f R C
CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE
VOLTAJE
Con el fin de obtener un voltaje rectificado
pico (Vm) mayor al que puede ofrecer el
secundario del transformador, se emplea
este tipo de circuitos, el voltaje resultante a la
salida es un mltiplo de dos, tres o ms
veces el voltaje pico del secundario del
transformador.
DOBLADORES DE VOLTAJE.
En la figura 1, se muestra un doblador de
voltaje de media onda.
Vr =
33.94V
= 128mV
[(120 Hz ) (1k) (2200F )]
Vcc = Vm 2
.128V
Vr
= 33.94V
= 33.87V
2
2
12
Vo = 2 Vm
13
Vo = 2 Vm
El capacitor C1 se carga con un voltaje igual
al voltaje pico del secundario del
transformador.
Para el semiciclo negativo tenemos la
siguiente polarizacin:
14
Vm =
Vo
= 25V
2
V2=
Vm 25V
=
= 17.67V
2
2
R=
N1 127V
=
= 7.18
N 2 17.67V
25 Voltios.
50 Voltios
75 Voltios.
100 Voltios.
Multiplicadores de Voltaje
CIRCUITOS RECORTADORES
El siguiente circuito es una variacin del
doblador de voltaje de media onda que es
capaz de desarrollar hasta 4 veces el voltaje
pico del secundario del transformador (Vm).
entrada
se
muestra
15
16
CIRCUITOS SUJETADORES
Su voltaje de
continuacin:
entrada
se
muestra
a
El voltaje de entrada tiene una frecuencia de
1 kHz y se muestra a continuacin:
17
Durante
este
intervalo
de
tiempo,
observamos que Vo = -30 V. Durante este
periodo el capacitor se descargar por R1,
sin
embargo
como
se
comprob
anteriormente, Toff << , con esto
aseguramos que el voltaje en el capacitor
variar muy poco.
Podemos observar que D1 se polariza en
directa, lo cual hace que se comporte como
un corto circuito como se muestra a
continuacin:
18
a
0
0
1
1
b
0
1
0
1
Vo
0
0
0
1
COMPUERTAS LGICAS
Mediante el uso de diodos es posible
implementar funciones lgicas como se
muestra a continuacin.
b
0
1
0
1
Vo
0
1
1
1
19
Polarizacin inversa
DIODO REAL
Para
poder
entender
mejor
el
comportamiento del diodo real, primero
debemos ver el comportamiento electrnico
de su construccin.
Como sabemos el diodo se forma de la unin
de dos materiales semiconductores: uno tipo
P y otro tipo N, ambos construidos de la
misma base Ge (Germanio) Si (silicio).
Cuando ambos materiales se juntan
fsicamente, los electrones y los huecos de la
regin de la unin se combinan de tal forma
que se genera una zona libre de carga. A
esta zona se le denomina zona de
agotamiento.
Polarizacin directa.
20
Tk = Tc + 273 ( Temperaturas: Tk
temperatura en grados Kelvin, Tc
temperatura en grados centgrados).
Esta ecuacin se aproxima mucho al
comportamiento, sin embargo por factores
como la resistencia del material, la
resistencia de la unin y la resistencia del
conductor metlico hace que la curva se
desplace en la regin de polarizacin directa.
La magnitud de la corriente se incrementa en
forma
exponencial,
a
medida
que
aumentamos el voltaje de la polarizacin
directa.
La curva caracterstica del comportamiento
del diodo real se muestra a continuacin:
K=
11600
= 5800
2
I D = (1A)(e
I D = I s (e
K V
TK
1)
ID es la corriente en el diodo.
V es el voltaje aplicado al diodo.
Is es la corriente de polarizacin en
inversa.
K = 11 600/n con n = 1 para Ge y
n = 2 para Si.
1) = 0.61A.
la
temperatura
T K = 20 C+273 = 293 K
La corriente resultante ser:
I D = (1A)(e
Donde:
( 5800 )(.65 )
283
de
( 5800 )( 0.65 )
293
1) = 0.38 A
convertir
la
21
T K = 22 + 273 = 295 K
Considerando una corriente de saturacin en
inversa del diodo de Germanio de 1A,
tendremos que:
I D = (1A)(e
(11600 )( 0.1)
295
1) = 50 A
Rd =
Vd
Id
Puntoapunto
Rd =
(1 0.7V )
0.3V
=
= 30
(10mA 0) 10mA
Circuito equivalente
La
siguiente
grfica
muestra
el
comportamiento del diodo en polarizacin
directa:
Un
circuito
equivalente
para
este
comportamiento se muestra a continuacin:
22
V RL
ID =
Vi Vo
20V 0.7V
= 18.7 mA
=
R L + R D 1k + 30
VD = 1.26V
Finalmente la resistencia equivalente del
diodo ser:
V RL =
ID =
10V 0.7V
= 71.5mA
100 + 30
VD = 2.84V
La resistencia equivalente del diodo:
V
1.26V
Rcc = D =
= 67.43
I D 18.7 mA
Ejemplo 15.- Determinar el voltaje de RL, la
corriente a travs del diodo y la resistencia
equivalente del diodo del siguiente circuito,
considerando que es un diodo de silicio:
Rcc =
VD
2.84V
=
= 39.69
I D 71.5mA
23
Diodo Zener
Al analizar la zona de la polarizacin inversa
observamos que existe una zona donde la
corriente se dispara a partir de cierto valor.
Regin Zener
Cuando la polarizacin en inversa llega hasta
cierto valor conocido como voltaje zener (Vz)
donde los portadores libres desarrollan una
velocidad suficiente para liberar portadores
adicionales por medio de la ionizacin. Esto
provoca que los electrones de la valencia
choquen entre si, desarrollando la energa
suficiente para abandonar a sus respectivos
tomos. A medida que aumenta el nmero de
portadores libres aumenta tambin la
ionizacin de los dems tomos, hasta que
se llega a un punto en el cual se genera una
gran corriente de avalancha y se determina la
regin de ruptura por avalancha.
Dependiendo del grado de dopaje del
material semiconductor la regin de
avalancha se puede acercar al eje vertical
(Vd = 0V). Sin embargo para valores de VZ
por debajo de los 5V, el diodo utiliza el
mecanismo conocido como ruptura Zener. En
este caso se presenta un fuerte campo
elctrico en la unin PN, que provoca la
ruptura de las uniones de enlace dentro del
24
(20 15V )
= 2.27 mA
2.2k
I Ri =
I RL =
15V
= 1.5mA
10k
IZ = IRi - IRL
IZ = 2.27 mA 1.5 mA = 0.77 mA.
Cuando Vi = 18V, tenemos las siguientes
condiciones:
Considerando que Vi es mayor que Vz, se
debe suponer que el diodo Zener debe estar
en la regin Zener, sin embargo se debe
tomar en cuenta el siguiente anlisis:
El voltaje al cual se polariza en inversa al
diodo esta determinado tambin por el divisor
de voltaje Ri y RL, calculando el Voltaje del
diodo Zener tenemos:
Vz =
Vi RL
18V 10k
=
= 14.75V
( RL + Ri ) 10k + 2.2k
25
VR = (2 +
1
Sent )V
2
IR =
VR (2 + 0.5Sent )V
=
IR
4.7k
I R = (425 + 106Sent ) A
V R = Vi VZ = (12 +
1
Sent )V 10V
2
que
tenemos
la
siguiente
26
Regulador de voltaje
27
I RL =
V RL 10V
=
= 0 .1 A
RL 100
I Ri =
Vi Vz 100V 10V
=
= 0 .9 A
Ri
100
IRi = Iz + IRL
VZ =
RL Vi
RL + Ri
Vi =
podemos
asegurar
que
V L = VZ =
(Vi )( RLmin )
= 10V
( RLmin + RS )
28
RLmin =
V L RS
10V 1k
=
= 250
(Vi VL ) (50V 10V )
ILmax =
Vz = 220 V
Iz = 15 mA
IL = 25 mA
Problema 17 .- Determine RLmin y RLmax,
para el siguiente circuito:
10V
Vz
=
= 40mA
RLmin 250
I RS
I RS = Iz max ILmin
despejando ILmin tenemos que:
Rmax =
10V
Vz
=
= 1.25k
ILmin 8mA
Si:
Vi = 300 V
3mA Iz 50mA
29
El Transistor
y su smbolo electrnico es:
El transistor es un dispositivo electrnico
formado por tres capas de semiconductores
que constan de dos capas de material tipo N
y una capa intermedia de material
semiconductor tipo P, esta configuracin se
le llama NPN, o bien por dos capas de
material semiconductor tipo P y una capa
intermedia de material semiconductor tipo N,
a esta configuracin se le conoce como PNP.
Operacin bsica
El transistor consiste de tres terminales:
colector, base y emisor, para el caso de los
transistores tipo npn tendremos:
Su smbolo
continuacin:
electrnico
se
muestra
30
I E = IC + I B
I C
I E
IC
IE
I E = IC + I B
Despreciando la corriente de escape (ICO),
tenemos que:
31
IC
= IC + I B
IC = I B (
o bien:
IC = I B
En consecuencia, cuando el transistor bipolar
est funcionando en modo activo se
comporta como una fuente ideal de corriente
constante en la que controlando la corriente
de base IB podemos determinar la corriente
de colector IC, siendo la constante un
parmetro particular de cada transistor
bipolar, denominado ganancia de corriente
en emisor comn y cuyo valor, en contraste
con el de , que es cercano a la unidad y
difcil
de
medir,
est
comprendido
tpicamente en un rango que va de 100 a
600, aunque puede ser tan elevado como
1000 en determinados dispositivos activos
muy especficos.
Adems, pequeos cambios en el valor de
se corresponden con grandes variaciones en
el valor de . Por todo ello, el parmetro es
el ms utilizado en el anlisis y diseo de
circuitos basados en transistores bipolares.
I E = I B ( + 1)
Dado que >> 1, podemos considerar que:
I E IC
Configuraciones del transistor
Base comn
En esta configuracin la base es un punto
comn tanto para el emisor, como al colector.
Esto se muestra en la siguiente figura:
32
Emisor comn
Esta es una de las configuraciones ms
frecuentes, su denominacin se debe a que
el emisor resulta comn tanto a las
terminales de la base como a la terminal del
colector.
I C = I CEO =
I CO
1
Ib = 0
33
34
IC = I E
Donde tiene un valor tpico de 0.9 a 0.998.
El punto de operacin de esta configuracin
se muestra a continuacin:
35
VCBQ =
Vcc
2
I CQ =
Vcc VCBQ
Rc
Vcc Ic Rc Vcb = 0
Despejando el voltaje colector-base se tiene
lo siguiente:
Vcb = Vcc Ic Rc
Dado que la corriente de colector IC es
aproximadamente de la misma magnitud que
la corriente del emisor IE, podemos afirmar
que:
Ic Ie
Para poder solucionar esta configuracin se
recomiendan los siguientes pasos:
Empleando ley de voltaje de Kirchhoff
tenemos que:
Vee + Veb Ie Re = 0
De lo anterior obtenemos que la corriente del
emisor se calcula:
Ie =
Vee Vbe
Re
Ie =
Vee Vbe
Re
36
Ic Ie
4. Se calcula el voltaje colector-base
mediante:
Vcb = Vcc Ic Rc
Ejemplo 21. Calcule los voltajes de
polarizacin, as como las corrientes de
colector y emisor, para el siguiente circuito
que contiene un transistor npn de silicio,
adems realice la localizacin del punto de
operacin en una grfica de su regin de
operacin:
Ic =
Solucin: Dado que estamos empleando un
transistor de silicio el valor de Vbe es de 0.7
Voltios.
Ie =
Dado que
a. 8V
b. 6V
c. 2V
Solucin: Sabemos que Vcc = 9V, y Rc =
2.4 K, empleando la ecuacin:
Ic Ie , tenemos que:
Ic = 2.075mA
Vcc Vcb
Rc
Ic =
Vcc Vcb
Rc
a.-
Ic =
9V 8V
= 416 A
2 .4 K
Vcb = 4.02V
b.-
Ic =
9V 6V
= 1.25mA
2 .4 K
c.-
Ic =
9V 2V
= 2.916mA
2 .4 K
I C max =
Vcc
9V
=
= 3.75mA
Rc 2.4 K
37
Ie =
En
IC
caso = 0.985,
= I E , tenemos que:
este
dado
que
I C max =
Vcc
9V
=
= 2.3mA
Rc 3.9 K
38
Debemos
recordar
que
las
curvas
caractersticas de esta configuracin son las
siguientes:
Vcc Ib Rb Vbe = 0
Despejando
obtenemos:
la
corriente
Ib =
de
base
Ib,
Vcc Vbe
Rb
Seccin de salida
La seccin de salida para esta configuracin
ser la mostrada a continuacin:
Ic = Ib
Cabe recordar que esta relacin es
independiente de cualquier resistencia en el
colector.
39
Vcc Ic Rc Vce = 0
Ib =
Corriente en el colector:
Ic = Ib = 60(51.3A) = 3.08mA
Despejando Vce:
Vce = Vcc Ic Rc
La ecuaciones anteriores de la seccin de
salida sern validas, siempre y cuando el
transistor no tenga su punto de operacin
dentro de la seccin de saturacin, para
evitarlo debemos tomar en cuenta que la
corriente en el colector Ic, deber ser menor
al valor mximo de corriente, esto se debe
satisfacer de tal manera que:
Ic <
Vcc
Rc
Voltaje colector-emisor:
Vce = 5.22V
La corriente de saturacin, para este circuito
ser el siguiente:
Ic SAT
Vcc
12V
=
= 5.45mA
Rc 2.2 K
de
40
Ib =
Corriente en el colector:
Ic = Ib = 100(55.3A) = 5.53mA
Voltaje colector-emisor:
Vce = 0.705V
de
Corriente de saturacin:
IcSAT
Vcc
9V
=
= 6mA
Rc 1.5 K
41
( + 1) >>
Rb
Re
Siendo >> 1.
Circuito con resistencia en el emisor
Como vimos el agregar una resistencia en el
emisor aumenta la estabilidad en el circuito
emisor comn, con lo cual nuestro nuevo
circuito tendr el siguiente arreglo:
Vcc Ib Rb Vbe Ie Re = 0
Sustituyendo a Ie por ( +1)Ib y despejando la
corriente de base de la ecuacin anterior
tenemos:
Ib =
Vcc Vbe
Rb + ( + 1) Re
Seccin de salida
La rama de la seccin de salida se conforma
de los siguientes componentes:
Vcc Ic Rc Vce Ie Re = 0
42
Considerando que:
Ic Ie
Obtenemos que el voltaje colector-emisor se
calcula como:
Icmax = IcSAT =
Vcc
Rc + Re
Icmax =
20V
= 6.66mA
2 K + 1K
Solucin.
Corriente de base:
20V 0.7V
Vcc Vbe
=
Rb + ( + 1) Re 400 K + (101)1K
Ib = 38.5A
Ib =
Corriente de colector:
Ic = Ib = 100(38.5A) = 3.85mA
Corriente de emisor:
Ie Ic = 3.85mA
Voltaje colector-emisor:
de
43
Se puede reducir
equivalente:
al
siguiente
circuito
Vbb =
Rb 2(Vcc)
Rb1 + Rb 2
Rbb =
Anlisis del circuito
Para hacer un anlisis de la seccin de
entrada de este circuito, es necesario recurrir
a un circuito equivalente de Thevenin, as la
seccin de entrada que se muestra a
continuacin:
Rb1 Rb2
Rb1 + Rb 2
Ib =
Vbb Vbe
Rbb + ( + 1) Re
44
Rb 2(Vcc)
4 K(22V )
= 2V
=
Rb1 + Rb 2 40 K + 4 K
Vbb =
Rbb =
Rb1 Rb 2 40 K( 4 K)
=
= 3.63K
Rb1 + Rb 2 40 K + 4 K
Ib =
2V 0.65V
Vbb Vbe
=
Rbb + ( + 1) Re 3.63K + (121)1.5K
Ib = 7.29 A
La cada de voltajes en esta rama es la
siguiente:
Ie Ic = 0.875mA
Voltaje colector-emisor (Vce):
Ic = Ib
Ejemplo 27.- Determine el
operacin del siguiente circuito:
Corriente en el colector:
punto
de
Vce = 11.93V
Para graficar el punto de operacin, primero
debemos determinar los lmites de operacin,
en el caso de la corriente, tenemos que la
corriente de saturacin ser:
Ic SAT =
Vcc
22V
=
= 1.91mA
Rc + Re 10 K + 1.5K
45
Vcc Ib Rb Vbe Ie Re = 0
Ie = ( + 1) Ib
Ib =
Vcc Vbe
Rb + ( + 1) Re
Vec = Vcc Ie Re
46
Solucin.Corriente de base:
Vcc Vbe
9V 0.65V
=
Ib =
Rb + ( + 1) Re 100 K + (51)2.2 K
Ib = 39.35A
Corriente de emisor:
Ie = ( + 1) Ib = (51)39.35A = 2mA
Voltaje emisor colector:
IeSAT =
Vcc
9V
=
= 4.1mA
Re 2.2 K
VecMAX = Vcc = 9V
47
VeQ =
1
(Vcc)
10
1
Rb 2 ( Re)
10
Ejemplo 29.- Determinar los valores de los
componentes del circuito mostrado en la
figura, a partir del siguiente punto de
operacin: corriente de colector 1mA y voltaje
colector-emisor 6V.
El valor de es de 150 y el valor de Vcc es
de 16V.
Rc =
IcQ
(16 6 1.6)V
= 8 .4 K
1mA
Rc =
Corriente de base:
Ib =
IcQ
1mA
= 6.6 A
150
Voltaje de base:
Rb 2
1
150(1.6 K)
( Re) =
= 24 K
10
10
Calculo de Rb1:
Sabemos que:
VbQ =
Rb 2(Vcc)
= 2.3V
Rb1 + Rb 2
Rb1 =
Rb2(Vcc VbQ )
VbQ
24 K(16V 2.3V )
2.3V
Solucin.-
Rb1 = 143K
Voltaje de emisor:
VeQ =
1
16V
(Vcc) =
= 1.6V
10
10
Resistencia de emisor:
Re =
VeQ
IcQ
1.6V
= 1 .6 K
1mA
Resistencia de colector:
49
h12 =
V1
V2
I 1= 0
h21 =
I2
I1
V 2 =0
h22 =
Para poder relacionar las cuatro variables en
cuestin
utilizamos
las
siguientes
ecuaciones:
V1 = h11 I 1 + h12V2
I 2 = h21 I 1 + h22V2
I2
V2
(Siemens )
I 1= 0
h11 =
V1
I1
( )
V 2= 0
En el caso de la segunda
tendremos el siguiente circuito:
ecuacin
50
Parmetro
EC
hi
1 k
hr
2.5 10 4
50
hf
ho
25
A/V
1/ho
40 k
CC
1 k
BC
20 k
3 10 4
- 50
25
A/V
40 k
-0.98
0.5
A/V
2 M
51
gm =
R =
IC
VT
gm
IE =
re =
VT
Ie
re =
VT
26mV
=
= 13.97
I E 1.86mA
52
Vo = Ic Rc = Ie Rc
El voltaje a la entrada se calcula de la
siguiente ecuacin:
Vi = Ie re
La ganancia de voltaje:
Corriente de base:
Vo Ie Rc Rc
=
=
Vi
Ie re
re
4 K
V =
= 286.32
13.97
Corriente de colector:
La ganancia de corriente:
Ic = Ib = 50(46.5A) = 2.32mA
V =
i =
Io
1
Ii
Ib =
Ie Ic = 2.32mA
Zo = Rc = 4 K
Impedancia de entrada:
Zi = Re re = 5 K 13.97 = 13.93
Vce = Vcc Ic Rc
Vce = 10V (2.32mA 2 K) = 5.35V
Anlisis en seal pequea:
Circuito equivalente:
Zi re
Esto es valido para un clculo rpido.
Ejemplo 31 .- Determine V, i, Zi y Zo para
el siguiente circuito:
53
gm =
r =
Ic 2.32mA
=
= 89.23mS
VT
26mV
gm
50
= 560.34
89.23mS
re =
VT
26mV
=
= 11.20
Ie 2.32mA
r = re = 50(11.2) = 560
por lo tanto podemos afirmar que:
ri = r = 560
Ganancia de voltaje:
Vi = Vbe
De tal forma que:
Vo Vbe gm Rc
=
= gm Rc
Vi
Vbe
V = 89.23mS (2 K) = 178.46
V =
Ganancia de corriente:
Analizando la salida observamos que:
Anlisis de la salida:
Io = Ic = Vbe gm
Podemos observar que:
Vo = Ic Rc
Analizando la entrada:
a su vez:
Ic = Vbe gm
Con lo cual:
Vo = Vbe gm Rc
Anlisis de la entrada:
En la malla de la entrada tenemos la
siguiente rama de circuito:
i0 = i1 + i2 = i Rb + ir =
Vi Vi
+
Rb r
54
Ii I r =
Vi Vbe
=
r
r
I =
Io Vbe gm
= gm r
=
Vbe
Ii
r
R =
Solucin:
gm
Por lo cual:
I = = 50
Corriente de base:
Impedancia de entrada:
Ib =
20V 0.7V
Vcc Vbe
=
Rb + ( + 1) Re 400 K + (101)1K
Ib = 38.5A
Corriente de colector:
Zi r
Ic = Ib = 100(38.5A) = 3.85mA
Corriente de emisor:
Ie Ic = 3.85mA
Voltaje colector-emisor:
Impedancia de salida:
En este tipo de circuitos:
Zo Rc = 2k
Ejemplo 32. Determinar V, i, Zi y Zo para
el siguiente circuito, considere = 100 y Vbe
= 0.7V:
55
Anlisis de la entrada:
Calculo de r:
Ic 3.85mA
=
= 148mS
VT
26mV
gm =
r =
gm
100
= 675.3
148mS
Ganancia de Voltaje:
Ii =
r Vi
r + ( + 1) Re
Zi = Rb (r + ( + 1) Re)
Vo
gm Vbe Rc
=
Vi Vbe[r + ( + 1) Re]
gm Rc r
r + ( + 1) Re
148mS 2 K 675.3
V =
675.3 + (101)1K
V = 1.96
Ganancia de corriente:
En el lado de la salida tenemos que:
Por su parte:
Vbe = Ib r
Con lo cual:
Io = Ib r gm
Zi Rb ( + 1) Re
Si >> 1, entonces la ecuacin se reduce a:
V =
Io = Ic = Vbe gm
Io
gm r Rb
=
Ii Rb + r + ( + 1) Re
148mS 675.3 400 K
I =
400 K + 675.3 + (101)1K
I = 79.7
I =
Impedancia de entrada:
Vbe[r + ( + 1) Re]
Vi =
r
V =
Ib[Rb + r + ( + 1) Re]
Rb
Finalmente:
Vo = gm Vbe Rc
Vbe =
Ii ( Rb)
Rb + r + ( + 1) Re
Ib =
Zi Rb Re
Zi 400 K (100)1K
Zi 80 K
Impedancia de salida:
Zo Rc = 2 K
56
Ganancia de voltaje:
En la salida del circuito observamos que:
Vo = Ie Re = Vbe gm Re
Por otra parte en la entrada tenemos que:
Solucin:
Anlisis en corriente directa:
Vbe =
Corriente de base:
Vcc Vbe
9V 0.65V
Ib =
=
Rb + ( + 1) Re 100 K + (51)2.2 K
Ib = 39.35A
r Vi
r + ( + 1) Re
Vi =
Vbe[r + ( + 1) Re]
r
Ie = ( + 1) Ib = (51)39.35A = 2mA
Voltaje emisor colector:
gm =
r =
Vo
gm Vbe Re
=
Vi Vbe[r + ( + 1) Re ]
r
gm Re r
76.9mS 2.2 K 628
V =
=
r + ( + 1) Re
628 + (51)2.2 K
V = 0.94
V =
Ganancia de corriente:
En el lado de la salida tenemos que:
Ie
2mA
=
= 76.9mS
VT 26mV
Io = Ie = Vbe gm
Por su parte:
gm
50
= 628
76.9mS
Vbe = Ib r
Con lo cual:
Io = Ib r gm
Anlisis de la entrada:
Ii ( Rb)
Rb + r + ( + 1) Re
Ib =
Ii =
Ib[Rb + r + ( + 1) Re]
Rb
Finalmente:
Io
gm r Rb
=
Ii Rb + r + ( + 1) Re
76.9mS 628 100 K
I =
100 K + 628 + (51)2.2 K
I = 22.7
I =
Impedancia de entrada:
Zi = Rb (r + ( + 1) Re)
Zi = 100 K (628 + (51)2.2 K)
Zi = 53K
Impedancia de salida:
Zo =
r Re
( + 1)
Zo =
628 2.2 K
51
Zo = 12.24
57