ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

Ingeniera en Electrnica y Control

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

PREPARATORIO N1
TUTORIAL DE ELEMENTOS DE RESISTENCIA NEGATIVA
OBJETIVO: Dar a conocer al estudiante las caractersticas, configuraciones y circuitos
osciladores que se pueden implementar con los elementos de resistencia negativa.
TRANSISTOR UNIJUNTURA PROGRAMABLE UJT.
El UJT es un dispositivo de tres terminales que se denominan EMISOR, BASE 1,
BASE 2

Los UJT operan de las siguiente forma:

1. Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1 VEB1 es menor que cierto valor
llamado el voltaje pico Vp el UJT esta apagado y no puede haber flujo de
corriente de E a B1 (IE=0)
2. Cuando VEB1 excede a Vp por una cantidad muy pequea ,el UJT se dispara o
enciende. Cuando esto ocurre. El circuito E a B1 se vuelve casi un cortocircuito
y la corriente puede descargarse de una terminal a otra, y en la mayora de UJT
la descarga es de duracin corta.
Se aplica un voltaje CD externo entre B2 y B1 ,siendo B2 la terminal mas positiva, el
voltaje entre las dos terminales de base es simbolizado VB2B1.
Para la salida dada de un UJT, el voltaje pico Vp es cierto porcentaje fijo de VB2B1 ,
mas 0,6V. Este porcentaje fijo se llama Razn de inactividad intrnseca del UJT y se
simboliza .
V p VB 2 B1 0.6

donde 0.6 V es el voltaje de encendido directo a travs de la unin pn que existe entre
el emisor y la base 1.

Circuito equivalente de un UJT

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Hay cierta resistencia interna entre alas dos termnales de base B2 y B1. Para la
mayora de los UJT esta resistencia es de unos 5 a 10 K y se muestra como RBB.
La totalidad del voltaje aplicado VB2B1, es dividido entre los dos resistores internos
Rb2 y RB1 la parte del voltaje que aparece a travs de RB1 esta dada por:

V RB1

RB1
V B 2 B1
RB1 RB 2

Para disparar el UJT, el voltaje de E a B1 debe ser los suficientemente grande para
polarizar directamente el diodo y drenar una pequea cantidad de corriente a la terminal
del emisor.
El valor de voltaje de VEB1 requerido para lograrlo es:
V EB1 V D

RB1
V B 2 B1
RB1 RB 2

La razn de inactividad es la razn de RB1 con la resistencia interna total,

RB1
R
B1
RB1 RB 2 RBB

Cuando el voltaje del emisor a la B1 aumenta al voltaje pico Vp y comienza a fluir una
pequea corriente del emisor, el UJT cae a un voltaje mas pequeo entre las terminales
del emisor y la base 1. Este voltaje mas pequeo es llamado el voltaje de valle y es
simbolizado por VV .
El este instante el capacitor externo rpidamente se descarga hasta el punto en que yano
puede entregar la corriente mnima requerida para mantener encendido el UJT. Esta
corriente mnima requerida es llamada la corriente de valle y se simboliza con Iv.
Cuando el flujo de corriente del emisor a la base 1 decae a un poco menos que la
corriente de valle, el UJT se revierte asl estado apagado. Una vez que ha regresado al
estado de apagado , no hay flujo de corriente de E a B1 y el VEB1 debe nuevamente
aumentar hasta Vp para poder disparar el dispositivo unas segunda vez.

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APLICACIONES
OSCILADORES:
Oscilador de relajacin es la parte principal de los circuitos temporizadores y
osciladores con UJT.
El UJT se dispara siempre que RE no sea muy grande. La limitacin de RE ocurre
porque para disparar con xito UJT se requiere cierta cantidad mnima de corriente
entregada por la fuente de alimentacin al emisor aun si se alcanza Vp.
Esta corriente mnima es llamada corriente de punto pico o corriente pico Ip y es de
apenas uno micro amperes para la mayora de los UJT.
La ecuacin que da el valor mximo remisible de RE es sencilla de obtener aplicando la
ley de OHM al circuito del emisor.
Vs Vv
Vs Vp
RE
Iv
Ip

RE en un oscilador no debe ser demasiado grande , pues el UJT no es capas de

disiparse, de la misma manera hay un tamao mnimo para de RE para asegurar el
apagado de UJT despus del disparo..
El diagrama esquemtico de un oscilador de relajacin, usando un UJT.
+V

RE

R2

VE

IE
CE

R1

Existen otras aplicaciones diversas del UJT , su campo de uso es extenso.

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE ( PUT).

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Tiene las mismas caractersticas operativas de un UJT estndar, y es usado en

aplicaciones similares. El smbolo esquemtico y la identificacin de las terminales de
un PUT es:

El ctodo de un PUT
corresponde a la base 1 de
un UJT. Cuando un PUT
se dispara una descarga de
corriente emerge del
dispositivo a travs de la terminal del ctodo.
El nodo de un PUT corresponde al emisor de un UJT. El voltaje del nodo de un PUT
aumenta hasta que alcanza un valor critico determinado, llamado el voltaje pico Vp que
causa el disparo del dispositivo.
La compuerta de un PUT tiene una correspondencia aproximada con la base 2 de un
UJT. Tratndose de un PUT loa compuerta recibe un voltaje de un circuito externo y
ese voltaje determina el voltaje pico Vp de acuerdo a la formula.
V p VG 0.6

El termino 0.6V en la ecuacin es aproximado depende principalmente del voltaje en

directa travs de la unin pn de nodo a compuerta que presenta algo de dependencia
trmica.
Ntese que la diferencia entre un UJT y un PUT es que se Vp es determinado por un
circuito externo en lugar de una razn de inactividad intrnseca asociada al transistor
mismo, se puede seleccionar cualquier valor de voltaje pico deseado.
La curva del PUT tiene la misma forma general que la curva de un UJT.

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Un PUT muy sensible puede ser capaz de dispararse a un valor de Ip de solo 0.1uA,
comparado con los 1 a 20uA requeridos para un UJT estndar. Una vez disparado, un
PUT sensible puede ser capas de mantenerse en el estado de encendido con una
corriente de nodo de apenas 50uAmas o menos (Iv ) comparado con los 1 a 100mA de
corriente de emisor requeridos por un UJT.
En el mismo sentido el voltaje de valle Vv tiende a ser menor que el de un UJT. Un
valor Vv tpico para un PUT es menor de 1V.

BIBLIOGRAFA:
TIMOTHY. MALONEY Electrnica Industrial Moderna, Tercera Edicin
WWW.GRUPOS.UNICAN.ES.ELECTRONICA BASICA PARA INGENIEROS

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DIAC
Un Diac es conocido tambin con los nombres de DIODO BIDIRECCCIONAL DISPARO Y
DIDO SIMTRICO DE DISPARO.

La capacidad de un dispositivo de transicin conductiva de proveer un pulso de

corriente se muestra en la curva caracterstica de corriente en la figura b.

La curva muestra que en cuanto a la aplicacin de voltajes en directa menores que el

voltaje en directa de transicin conductiva simbolizado +VBO , el diac impide el paso
de casi toda la corriente. Una vez que se alcanza el voltaje en directa de transicin
conductiva, el diac se conmuta al estado de conduccin y la corriente aumenta
repentinamente mientras el voltaje a travs de las terminales cae. Dicho aumento de
corriente en la curva caracterstica da cuenta de la habilidad para la emisin de pulsos
del diac.
En la regin de voltaje negativo, el comportamiento es idntico. Cuando el voltaje
invertido aplicado es menor que el voltaje en inversa de transicin conductiva
(simbolizado -VBO), el diac evita el flujo de corriente. Cuando el voltaje aplicado
alcanza a -VBO el diac se conmuta al estado de conduccin en el sentido opuesto.
Esto se dibuja como corriente negativa en la figura .
Los diacs son fabricados para se relativamente estables en temperatura y para tener
tolerancias bastante pequeas en sus voltajes de transicin conductiva.
En un diac hay muy poca diferencia entre los voltajes de transicin conductiva directa
e inversa, la diferencia por lo comn es de menos de 1V. Esto permite que el circuito de

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disparo mantenga Angulo de retardo de disparo casi iguales para ambos semiciclos de la
alimentacin de CA.
El voltaje de transicin conductiva mas comn para los diacs es 32V (+VBO =+32,
-VBO =-32), este valor es conveniente para uso con una fuente de 115 ca.
;Los SBS son mas estables con relacin a la temperatura, mas simtricos y tienen una
variacin por lote de fabricacin menor que los diacs.

BIBLIOGRAFA:
TIMOTHY. MALONEY Electrnica Industrial Moderna, Tercera Edicin