Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
MATRICULA
13190264
CURSO
TEMA
INFORME
FECHAS
PREVIO
Realizacin
NOTA
Entrega
NUMERO
GRUPO
6 (jueves 2 4 p.m.)
16 de
23 de
Octubre
2014
Octubre
2014
PROFESOR
EXPERIMENTO 6
Transistor Descripcin Caso Diag.
y Aplicacin Estilo
N0
code
ASY 26
PNP Ge T 05
25a
Mxima
Corriente
en el
Colector
(Amp) Ic
Colector a
Emisor
(volts)
BVceo
Colector a
Base
(volts)
BVcbo
Emisor a
Base
(volts)
BVebo
Hfe
Disipacin
Mxima
del
Colector
(watts)
Frecue
ncia
(M Hz)
ft
0.3
20
25
12
40
0.15
V. PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el (P1 = 0 ).
b) Medir los voltajes entre colector emisor (Vce), entre base emisor
(Vbe), y entre emisor tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
Valores ( R1= 56 K )
Ic(mA.)
Ib (A.)
Vce(v.)
Vbe(v.)
Ve(v.)
Tericos
- 4.24
-0.106
40
-6.361
-0.3
-1.3992
TABLA 2
d) Cambiar R1 a 68K , repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos
obtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Valores ( R1= 56 K )
Ic(mA.)
Ib (A.)
Vce(v.)
Vbe(v.)
Ve(v.)
Tericos
-3.532
-0.088
40
-7.302
-0.3
-1.166
TABLA 3
e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K , 250K , 500K y 1M .
Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce
(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5
P1
100K
250K
500K
1M
Ic(mA.)
-2454
2454
-0.984
-0.297
-0.102
0.102
Ib(uA.)
-0.061
0.061
-0.025
Vce(v.)
-9545
9545
-11.016
-7.419*
-11.703
-2.552*
2.552*
-11.897
11.897
TABLA 2
=
=
Vcc (R2 )
R1 + R2 + P1
R2 ( R1 + P 1 )
R1 + R2 + P1
(22).(-12)
56 + 22
= - 3.385 v
(22)(56)
56 + 22
= 15.795 k
- 3.385 (- 0.3)
= - 0.106 mA
15.795 + (40)0.33
= (40) ( - 0.106 )
- 4.24 = (-12) 1 + 0.33
= - 4.24 mA
= - 6 .361 v
TABLA 3
Datos:
R1= 68 K
R2= 22 K
Re= 0.33 k
Rc= 1 K
VBE= - 0.3 v
P1= 0 K
= 40
? ? =
(22).(-12)
68 + 22
= - 2.933 v
? ? =
(22)(68)
68 + 22
= 16.622 k
?? =
- 2.933 (- 0.3)
16.622 + (40)0.33
?? = (40) (- 0.088)
= - 0.088 mA
?? = - 3.532 mA
??? = - 7.302 v
TABLA 5
Datos:
R1= 56 K
R2= 22 K
Re = 0 k
Rc= 1 K
VBE= - 0.3 v
P1= 100 K
= 40
? ? =
(22).(-12)
= - 1.483 v
56 + 22 + 100
? ? =
(22)(156)
56 + 22 + 100
?? =
- 1.483 (- 0.3)
19.281
= 19.281 k
= - 0.061 mA
?? = (40) ( - 0.061)
?? = - 2.454 mA
??? = -9.545 v
? ? =
(22).(-12)
= - 0.805 v
56 + 22 + 250
? ? =
(22)(306)
56 + 22 + 250
?? =
- 0.805 (- 0.3)
20.524
= 20.524 k
= - 0.025 mA
?? = (40) (- 0.025)
?? = - 0.984 mA
??? = -11.016 v
(22).(-12)
= - 0.457 v
56 + 22 + 500
? ? =
(22)(306)
56 + 22 + 250
= 21.163 k
?? =
= - 7 .419*103 mA
- 0.457 (- 0.3)
21.163
?? = (40) (- 7 .419*103 )
?? = - 0.297 mA
??? = -11.703 v
Datos:
R1= 56 K
R2= 22 K
Re = 0 k
Rc= 1 K
VBE= - 0.3 v
P1= 1000 K
= 40
? ? =
(22).(-12)
= - 0.245 v
56 + 22 + 1000
? ? =
(22)(306)
56 + 22 + 250
?? =
- 0.457 (- 0.3)
21.163
= 21.551 k
?? = (40) (- 2.552*103 )
- 0.102 = (-12) - ???
= - 2.552*103 mA
?? = - 0.102 mA
??? = -11.898 v
CONCLUSIONES
He podido concluir que cada transistor cuenta con sus propias caractersticas; influyendo en
sus clculos por eso con solo variar su Hfe todo los resultados varan dando as a cada uno de
ellos diferentes puntos de operacin y por ende diferente forma de trabajo para cada sistema
o circuito plateado.
BIBLIOGRAFA
Boylestad