P1 de CEMAT 07.

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Justifique TODAS as suas respostas

1) (1.5) Dentre as afirmativas abaixo, identifique a que est correta e explique sucintamente o que
est errado com as outras.
(a) Vacncias e impurezas substitucionais so defeitos pontuais. A concentrao destes
defeitos aumenta com a temperatura e tambm com a energia de formao destes
defeitos.
(b) Vacncias, interstcios e impurezas intersticiais so defeitos pontuais. A concentrao
destes defeitos aumenta com a temperatura e diminui com a energia de formao destes
defeitos.
(c) Defeitos substitucionais se formam quando os tomos de impureza so muito parecidos
com os tomos da matriz (ou seja, satisfazem as regras de Hume-Rothery). Por isso, a
difusividade deste tipo de defeito ser maior do que a de defeitos intersticiais.
(d) Vacncias, impurezas substitucionais e intersticiais so defeitos pontuais. Sua
concentrao em uma rede cristalina aumenta com a temperatura e diminui com energia
de formao destes defeitos.
(e) Vacncias e interstcios so fundamentais para a difuso nos estados slido e lquido. A
difuso intersticial mais veloz porque os tomos intersticiais so menores e existem
mais interstcios que vacncias.

2) (1.0)
(a) (0,5) Classifique de forma qualitativa as ligaes qumicas em termos do valor da energia de
ligao.
(b) (0,5) Indique, para cada uma delas, se ocorre troca ou compartilhamento de eltrons, e se a
ligao ou no direcional.

3) ( 3.0 ) Uma rede cristalina desconhecida apresenta um plano conforme o desenho abaixo.

(a) (1,0) Quais das redes estudadas no curso poderiam ter um plano deste tipo ? Uma vez
identificadas as redes, o que as diferencia entre si ? Justifique.
(b) (1,0) Quais so os ndices de Miller das famlias a que pertence este plano em cada uma
destas redes ?
(c) (1,0) Calcule a DAP deste plano.

4) (1.5) Nos desenhos abaixo, marque os eixos e determine os ndices de Miller para os planos
indicados. Para a rede CBICA, indique tambm os ndices das direes das arestas do plano
indicado.

1) (3,0) Plote, em um mesmo grfico, as curvas de concentrao versus profundidade nos seguintes
experimentos de difuso, realizados a mesma temperatura, e com a mesma durao:
a) Difuso de carbono em uma pea de ferro puro com fonte superficial de carbono de 1,2 wt%
b) Difuso de carbono em uma pea de ao com 0,3 wt% de C com fonte superficial de carbono de
1,5 wt%
c) Difuso de mangans em um pea de ferro puro com fonte superficial de mangans de 1,2 wt%
DADOS: RFe = 0,15 nm, RC = 0.07 nm, RMn = 0,14 nm
EXPLIQUE COM DETALHE SEU RACIOCNIO. NO NECESSRIO DESENHAR
AS CURVAS COM ALTA PRECISO MAS OS VALORES IMPORTANTES DEVEM
SER INDICADOS CLARAMENTE.