UNION P-N

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redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada

applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

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visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
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SOLUCIN:
1. DIODO DE UNIN PN POLARIZADO

Muestra la polarizacin virtual de un semiconductor unin P-N cuando se aplica

una diferencia de potencial externa, continua. La polarizacin del diodo puede
ser directa o inversa.
Mediante el uso de voltaje permitir los huecos de la regin P y los electrones
de la regin N sean empujados hacia la unin dando lugar a la polarizacin. Por
lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. Los portadores
mayoritarios (huecos de la zona P y electrones de la zona N) de ambas
regiones tienden a separase de la unin, empujados por el campo elctrico a
que da lugar la polarizacin, aumentando la anchura de la zona de transicin.
Se simula el DIODO de unin PN polarizado considerando sus caractersticas
de:

Arrastre
Recombinacin
Difusin
Electrones
Huecos

en
hay
perdida energa es -3.28 V/cm

Cuando el
voltaje se
encuentra
0 voltios y
una

En donde la distancia entre cargas de los elementos de sodio y neodimio

es xp=2.14 cm
Mientras que en la distancia es mucho menor la energa es mxima hasta
llegar a 0 V/c

Cuando los valores son negativos

En este caso para un voltaje de -1.0 voltios la Energa es -5.12 V/cm

La diferencia de potencial se hace ms grande mientras que el voltaje inicial disminuya.

LA LEY DE SHOCKLEY
Muestra la polarizacin lineal de la concentracin de electrones minoritarios
tipo P y la concentracin de electrones tipo N. Utilizando los botones para y
pausa podemos visualizar lo que suceden dicha polarizacin.
El modelo matemtico ms empleado es el deShockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:

La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir

que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al
campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la
corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto
significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos
relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente,
no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la
resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es
insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La
regin de ruptura no est modelada en la ecuacin de diodo de Schockley.
Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar
el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean

modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo
por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El
ms simple de todos es el diodo ideal
Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de
alta impedancia y ON o baja impedancia.
Est formado por cuatro capas de
semiconductor

tipo

p,

dispuestas alternadamente. Es un
tipo de tiristor.

Este modelo que nos brindan es la que relaciona la intensidad de corriente en

el diodo, es uno de los modelos empleados es el shock ley que permite
aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones.
En el caso de la fig 1 se tiene una descripcin de cualidades del flujo de
corriente en la unin, como se ve en el siguiente grafico hay una polarizacin
con el elemento de tipo p de carga positiva y el de tipo n de carga negativa.
Si nos damos cuenta le estamos dando una polarizacin de 4 voltios a una
temperatura de 300 K

Por ende las partculas se dirigen en sentido anti horario. Para el transistor de
efecto de campo la relacin entre las cantidades de entrada y de salida es no
lineal, debido al trmino cuadrtico en la ecuacin de Shockley. Las relaciones
lineales resultan en lneas rectas cuando se dibujan en una grfica de una
variable en funcin de la otra, mientras que las relaciones no lineales dan como
resultado curvas como las que se obtuvieron para las caractersticas de
transferencia de un JFET.
A partir de neodimio de una concentracin de electrones hacia una
concentracin de electrones minoritarios, que luego se dirigen a una
concentracin de huecos que le sigue a una concentracin de huecos
minoritarios y as sucesivamente.

Aqu se muestra una representacin grfica de la unidad de corriente con

respecto a la corriente donde la unidad de corriente es representada por el
logaritmo natural de dicha grfica.

CONMUTACIN DEL DIODO

Se puede realizar la conmutacin de un diodo
cambiando la tensin aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone
del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra
negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una
resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior
derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo clic con el
ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin
aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de
trabajar con seales de tipo digital o lgico que presenten unos tiempos de
subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que
caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que
expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que
acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la
acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de
tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos
aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media
potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5
nanosegundos.
Diodo
diseado

semiconductor
para

presentar

una transicin rpida entre

el estado de conduccin y
el estado de bloqueo, y a la
inversa.

Los diodos de conmutacin

o rpidos se caracterizan
por ser capaces de trabajar
con seales de tipo digital
o
<<lgico>>
que
presenten unos tiempos de
subida y bajada de sus
flancos muy breves. El
factor o parmetro que
caracteriza a estos diodos
es
el
tiempo
de
recuperacin inverso (TRR)

que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica
que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la
acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de
tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos
aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media
potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5
nanosegundos.
Para el caso siguiente lo factible seria reducir la corriente

En la grfica nos muestra tensin,

corriente, carga y diferencia de
potencial con respecto al tiempo,
mientras que la siguiente graficatras
que en el caso contrario

En este caso la distancia

se va acortando, mientras
que en el caso anterior
disminuye.