NDICE

Pg.
Cap. 5. Tiristores .................................................................................................................. 5.1
5.1 Introduo ...................................................................................................................... 5.1
5.2 Dodo de quatro camadas ............................................................................................. 5.2
5.3 O rectificador controlado de silcio SCR .................................................................... 5.5
5.4 O TRIAC......................................................................................................................... 5.9
5.5 O DIAC ......................................................................................................................... 5.10
5.6 Aspectos dinmicos .................................................................................................... 5.12
5.6.1 Tempo para passagem conduo ......................................................................... 5.12
5.6.2 Tempo para passagem ao corte .............................................................................. 5.13
5.6.3 Variao mxima temporal da tenso andica ( dU A dt )max ............................... 5.14
5.7 O GTO ......................................................................................................................... 5.15
5.8 Concluses..................................................................................................................... 5.19

Captulo 5. Tiristores
5.1 Introduo
Tiristor a designao genrica para dispositivos que tm a caracterstica estacionria tenso-corrente representada na Fig.5.1. Os sentidos tomados como positivos so os mesmos que os
da juno pn (corrente de p para n, tenso de p para n). Ou seja, a caracterstica tem
essencialmente duas zonas. Na zona I as correntes so baixas, podendo as tenses ser
elevadas. O dispositivo est bloqueado. Na zona II as tenses so baixas e as correntes podem
ser elevadas. O tiristor est em conduo. Nesse sentido o tiristor pode ser tomado como um
interruptor electrnico. A transio I II instvel. Na figura ela est a tracejado,
significando que no possvel ter um ponto de funcionamento em repouso nessa zona. A
tenso U B para a qual se d a transio I II chama-se tenso de bscula. A corrente I L
para a qual se inicia o estado de conduo, designa-se por corrente de fecho. A maneira de
voltar para a zona I partindo da zona II consiste em baixar a corrente at I H , corrente de
manuteno, que prxima de zero e inferior corrente I L . As transies I II e II I
fazem-se por percursos diferentes, pelo que o sistema apresenta histerese. Iremos abordar

dentro da famlia dos tiristores os seguintes dispositivos: o dodo de quatro camadas, o

rectificador controlado de silcio (SCR), o TRIAC, o DIAC e o tiristor de corte comandado
pela porta (GTO). Os dispositivos so de silcio e para a sua compreenso indispensvel o
conhecimento do comportamento desta juno entrando em linha de conta com as correntes
de gerao e de recombinao, alm das componentes de difuso (seco 2.6, pgina 2.28).

E
II

IL
IH

UB

- Fig.5.1 Caractersticas de um tiristor tenso-corrente no 1 quadrante

- 5.1 -

5.2 Dodo de quatro camadas

a estrutura mais simples da famlia dos tiristores. Est representada na Fig.5.2a. formada
pela estrutura pnpn contendo as junes J1, J2 e J3.
A
IA

A
UE1

IA

IB1
p (1)
J1
IC1

UA

J2

IC2

UC1

n (2)
p (3)

UC2
K

J3

IB2

n (4)
UC3
K

(a)

IE2

(b)

- Fig.5.2 (a) Estrutura de um dodo de quatro camadas e smbolo

(b) Associao de dois transstores com as bases ligadas

A estrutura pode ser interpretada como a de dois transstores bipolares, um pnp e outro npn,
ligados pelas respectivas bases (Fig.5.2b). As regies das extremidades tem caractersticas
emissoras (de buracos e de electres, respectivamente) e as zonas intermdias tm
caractersticas de bases. Quando U > 0 , as junes J1 e J3 esto polarizadas directamente e J2
est polarizada inversamente. Para que no atinja a disrupo, esta juno deve ter a tenso de
disrupo elevada. Assim no 1 quadrante a juno J2 que suporta a quase totalidade da
tenso U aplicada, limitando a corrente I sua corrente inversa. Quando cresce o valor da
tenso U , a largura da zona de transio de J2 aumenta. Para que no haja o atravessamento
das bases n e p de comprimentos l1 e l2 , respectivamente, estas devem ser maiores do que as
bases de um transstor. Significa isto que os parmetros associados s estruturas pnp e npn
so bem menores do que os correspondentes em estruturas de transstores bipolares
convencionais (que sabemos ser prximos de 1). Quando U < 0 , as junes J1 e J3 esto
inversamente polarizadas e J2 directamente polarizada. At disrupo de uma das junes, a
corrente limitada pela juno que tem menor corrente inversa, que aquela que suporta a

- 5.2 -

maior parte da tenso aplicada. A disrupo do dispositivo d-se quando as duas junes, J1 e
J3, entrarem em disrupo. Atendendo aos aspectos no unidimensionais presentes nestas
estruturas, a disrupo uma situao a evitar, tanto mais que so processos pouco
controlveis. Deste modo, uma das duas junes J1 ou J3 deve ter uma tenso de disrupo
elevada e ambas devem estar associadas a correntes baixas (referimo-nos s correntes de
gerao, uma vez que se trata de junes de silcio). Um perfil tpico da estrutura no que toca
s concentraes das impurezas de substituio, est representado na Fig.5.3.
N D N A ( m 3 )

1024

1024
1022
1020

(1)

(2)

(3)

(4)
x

50 m

150 m

30 m 50 m

- Fig.5.3 Perfil de impurezas num tiristor

Tendo em conta a expresso do campo elctrico numa juno abrupta (eq.2.23c), a juno J1
apresenta um campo elctrico na interface dado por
E01

2qVC1

N D 2 se N A1  N D 2

(5.1)

N A3 se N D 4  N A3

(5.2)

Analogamente, para a juno J3 tem-se

E03

2qVC 3

As diferenas de potencial de contacto das duas junes so da mesma ordem de grandeza

mas N A3 > N D 2 , pelo que E03 > E01 . A juno J3 entra primeiro em disrupo, sendo a
juno J1 que estabelece a disrupo da estrutura do tiristor. O aspecto mais delicado na
compreenso do funcionamento do tiristor prende-se com a transio I II . Para uma
explicao qualitativa consideramos os modelos dos dois transstores, representados na
- 5.3 -

Fig.5.4. De realar contudo que, se considerssemos essa montagem com transstores

convencionais, estes estariam seguramente saturados, obrigando o tiristor a funcionar na zona
II da Fig.5.1 e no se detectando, portanto, a transio de I para II. Esta uma consequncia,
como atrs referido, do facto dos transstores do modelo estarem associados a valores de
muito inferiores aos valores tpicos em transstores convencionais.
A
IA

UE1

IA

IB1
p (1)
J1
n (2)

J 2

J2
p (3)

IC2

UC1

n (2)

IC1

UC2

p (3)

IB2

J3
n (4)

UC3

IE2

K
(a)

(b)

- Fig.5.4 Modelo dos dois transstores num dodo de quatro camadas

As equaes correspondentes so
I A = IK

(5.3)

I A = F 1 I A + F 2 I K + I CB 01 + I CB 02

(5.4)

Na equao (5.4) entrou-se em linha de conta com a equao de Ebers Moll (3.21). De (5.3) e
(5.4) obtm-se

IA =

I CB 0
1 T

(5.5)

onde I CB 0 = I CB 01 + I CB 02 e T = F 1 + F 2 . De acordo com o observado na Fig.3.8, o

parmetro no silcio aumenta inicialmente com a corrente. Para injeces fracas, os baixos
valores de F 1 e F 2 garantem que T < 1. Assim, medida que a corrente sobe, o
denominador de (5.5) tende para zero, significando que a hiptese considerada (juno

- 5.4 -

colectora dos transstores inversamente polarizada) deixa de ser vlida. Os transstores ficam
saturados, ou seja, as trs junes ficam directamente polarizadas, correspondendo a esta
situao um baixo valor para U . A tenso para a qual se d essa transio designa-se por
tenso de bscula U B . Na expresso (5.5) no foram tomados aspectos importantes, como por
exemplo, existirem correntes de gerao na juno inversamente polarizada e mecanismos de
multiplicao associados aos campos elctricos em presena.
Um aumento de temperatura provoca um aumento das correntes I CB 01 e I CB 02 , o que implica
um aumento de I A e de T , ou seja uma comutao para valores menores da tenso U . O
aumento de temperatura conduz assim a uma diminuio da tenso de bscula.

5.3 O rectificador controlado de silcio SCR

a estrutura que se segue. Basicamente a estrutura do dodo de quatro camadas com um

terminal adicional, designado por terminal de porta (Fig.5.5a). O efeito deste terminal o
controlo da tenso de bscula.
A

A
A

I A = I E1

G
IA

IB1
p (1)

J1
UA

IC2

IG

n (2)

IC1

J2
p (3)
J3

IG

n (4)

IB2

G
UG
IK

IE2 = IK
(a)
K

(b)

- Fig.5.5 (a) Estrutura de um SCR e smbolo

(b) Modelo dos dois transstores

Considerando o modelo dos dois transistores ligados pelas bases (Fig.5.5b), a equao (5.3)
agora substituda por

- 5.5 -

I A + IG = I K

(5.6)

pelo que (5.5) dever ser substituda por

IA =

F 2 I G + I CB 0
1 T

(5.7)

Ou seja, um valor positivo de I G corresponde neste caso a um aumento da corrente I A , tendo

por isso um efeito semelhante ao aumento de temperatura descrito na seco anterior. A
tenso de bscula diminui com I G positivo, dando-se a transio mais facilmente. Para que a
corrente de porta seja bastante eficiente no comando da comutao, interessa que o parmetro

F 2 no seja muito pequeno. Como para garantir a zona I se tem de verificar a condio
T < 1, quando existir o terminal de porta convm que F 2 > F 1. A Fig.5.6 mostra as
caractersticas estacionrias I (U ) para vrios valores de correntes de porta num SCR.
IA
II

IG>0
IG<0

IG=0
I
UB1

UB2

UB3

UA

- Fig.5.6 Caractersticas estacionrias I (U ) para vrios valores de correntes de porta num SCR

Uma corrente de porta no nula no ajuda no entanto a transio II I. Para essa transio se
efectivar ter-se- de remover toda a carga acumulada nas bases, o que corresponde a baixar a
corrente de buracos na base p custa de I G < 0. Usando (5.7) com I CB 0 = 0 , pode ter-se uma
ideia da ordem de grandeza da corrente de porta necessria comutao

IG =

1 T

F2

IA

(5.8)

Para I A = 100 A, F 2 = 0,8 e T = 1, 2, a corrente de porta deveria ser I G = 25 A, o que

manifestamente elevado. No portanto custa de um impulso negativo na porta que se passa
da situao de conduo para a situao de bloqueado, mas sim esperando que a corrente I A

- 5.6 -

venha a zero. Os valores da corrente e da tenso no tiristor abaixo dos quais se d comutao
conduo-bloqueado designam-se por corrente e tenso de manuteno, respectivamente,

IH e UH .
Uma estrutura mais prxima da real inclui uma resistncia R em paralelo com a juno
emissora do transstor T2 (npn), como representado na Fig.5.7. A equao (5.3) neste caso
substituda por

I A + IG = I K + I R

(5.9)

As equaes (5.5) e (5.9) do lugar a

IA =

F 2 ( I G I R ) + I CB 0
1 T

(5.10)

IA

IG
G

IK
IR
- Fig.5.7 Influncia da resistncia R em paralelo com a juno emissora

A aco de I R portanto no sentido de contrariar ou o efeito da temperatura ou o da

aplicao de um impulso de porta. Ou seja, o facto de R ser finito conduz a um aumento da
tenso de bscula. O objectivo da introduo dessa resistncia por fabrico tornar o
dispositivo menos sensvel aos efeitos da temperatura. De salientar que (5.9) pode tomar a
seguinte forma
I
I A + I G = I K + I R = I K 1 + R = I K
IK

Que substitudo em (5.4) origina

- 5.7 -

(5.11)

 F' 2 I G + I CB 0
IA =
1 ( F 1 + F' 2 )

(5.12)

onde

F' 2 =

F2

(5.13)

Para correntes baixas I R < I K , ou seja a resistncia R praticamente curto-circuita a juno

emissora do transstor npn. Dito de outro modo, o efeito de R diminuir o rendimento de
injeco do transstor npn, diminuindo o seu parmetro .
O que atrs foi descrito, recorrendo s equaes do circuito e de Ebers-Moll, pode ser
visualizado na Fig.5.8 que representa de forma esquemtica as correntes de electres e de
buracos.
IA

(1 1 ) I A

Electres
n

ICB01

Buracos

1I A

(1 2 ) I K

IG

2 I K

ICB02
p

IK

- Fig.5.8

Os coeficientes M 1 e M 2 entram em linha de conta com os factores de multiplicao de

portadores em zonas de campos elevados, como o caso da regio de transio de J2. Os
portadores 1 I A e 2 I K devem ser multiplicados sada por M 1 e M 2 , respectivamente.

- 5.8 -

Para correntes baixas, como referido, T < 1. Quando a corrente I A cresce, aumenta tambm

(1 T ) I A

de forma que I CB 0 no pode inicialmente acompanhar. Assim, na base n os

buracos injectados pela juno J1 no encontram electres suficientes para se recombinar,

havendo formao de carga espacial positiva. Analogamente, forma-se na base p uma carga
espacial negativa. A estas cargas corresponde um reforo do campo elctrico, que atinge o
valor crtico necessrio para se garantir o equilbrio das correntes em qualquer das bases.
Continuando a aumentar a corrente I A , os ganhos aumentam. Quando T = 1 , as correntes

I CB 0 anulam-se. Quando T > 1 , verifica-se que F 1 > 1 F 2 , significando que a corrente de

buracos F 1 I A com origem em J1 maior do que a corrente de electres (1 F 2 ) I A de
electres que se recombinam na base p, formando-se nesta uma carga positiva de buracos.
Analogamente, na base n forma-se uma carga espacial negativa de electres. A juno J2 fica
polarizada directamente.

5.4 O TRIAC

A estrutura de um TRIAC est representada de forma esquemtica na Fig.5.9. Uma

explicao global do seu funcionamento obrigaria a um tratamento tridimensional. Os
elctrodos A, K e G tm acesso simultneo a zonas p e n. Assim entre os terminais A e K
existe sempre um transstor pnp formado pelas zonas (2), (3) e (4). Em paralelo existem os
dodos de quatro camadas de A para K formados por (2), (3), (4), (6) e de K para A por (4),
(3), (2) e (1).
A
IA
n
(1)

p (2)
n (3)
UAK

p (4)

n
(5)

n
(6)

K
UGK

- Fig.5.9 O TRIAC estrutura e smbolo

- 5.9 -

 a existncia deste paralelo que torna relevante os aspectos transversais. A caracterstica

estacionria I (U ) semelhante de dois SCR colocados em antiparalelo (Fig.5.9b), como se
representa na Fig.5.10. A tenso de bscula relativa ao 1 quadrante, U B1 , pode ser diminuda
com um impulso de porta U GB > 0. A tenso de bscula relativa ao 3 quadrante, U B 2 , pode
ser diminuda com um impulso de porta U GB < 0.
IA

UB2

I
UB1

UAK

- Fig.5.10 Caracterstica estacionria tenso-corrente num TRIAC

A analogia com o funcionamento do SCR s possvel quando U AK > 0 e U GB > 0 , pois s

nessa situao a porta G tem acesso zona (4), vizinha do ctodo (6). Estender a metalizao
do elctrodo K zona p(4) cria um caminho alternativo entre os terminais G e K, sendo o
resultado semelhante ao de ter uma resistncia em paralelo com a juno p(4)-n(6). Na seco
anterior referiu-se a influncia desta resistncia no desempenho do tiristor. A descrio do
funcionamento com U AK < 0 e U GB < 0 obrigaria a consideraes envolvendo aspectos
transversais que afectam o comportamento longitudinal. Com efeito, esta situao torna a
juno p(4)-n(6) directamente polarizada, encaminhando as linhas de corrente para a juno

p(4)-n(3). O SCR controla o fluxo de carga num sentido; o TRIAC controla o fluxo de carga
em ambos os sentidos.

5.5 O DIAC

A estrutura est representada na Fig.5.11. semelhante de um transstor bipolar sem

terminal de base. No entanto as duas zonas de tipo p tm concentraes de impurezas de
substituio iguais, sendo o comportamento simtrico. Alm disso, como em qualquer tiristor
a base longa e tem baixa condutividade.

- 5.10 -

A Fig.5.12 representa a caracterstica estacionria tenso-corrente de um DIAC. No existe

descontinuidade entre as zonas I e II, apresentando o dispositivo na zona II uma resistncia
dinmica negativa. Na zona I uma parte aprecivel da tenso U deve-se queda de tenso de
carcter hmico U R = RI na base.

I
p
UJ
n

UR
p

- Fig.5.11 O DIAC estrutura e smbolo

I
I

UR
UJ

II

UL

UR+UJ

I
UL

- Fig.5.12 Caracterstica estacionria tenso-corrente num DIAC

Ao atingir a tenso de limiar U L , a juno inversamente polarizada entra em disrupo por

multiplicao em avalanche. Resulta uma injeco forte de portadores na base, o que faz
baixar a sua resistncia. essa injeco forte de portadores que responsvel pela mobilidade
diferencial negativa (ou, resistncia diferencial negativa) da zona II da caracterstica. Este
dispositivo utiliza-se em circuitos de disparo da porta de outros tiristores.
- 5.11 -

5.6 Aspectos dinmicos

Os aspectos dinmicos esto associados aos processos de armazenamento e/ou remoo de

portadores. So particularmente importantes nestes dispositivos que comutam entre duas
situaes associadas a um nmero de portadores muito diferente. Consideremos como
exemplo o SCR.

5.6.1 Tempo para passagem conduo

Ao aplicar uma tenso porta o efeito resultante no instantneo. Tem que se esperar que a
juno J2 seja enriquecida. A Fig.5.13 mostra a variao no tempo de U G e I A . Designa-se
por tempo de ligao t L (turn-on time, na designao anglo-saxnica) ao tempo durante o qual
a tenso de porta se tem de manter para que a transio se efectue. Significa isto que se esse
tempo no for respeitado, a comutao para a conduo no se d, voltando o tiristor ao
estado bloqueado. importante este aspecto, uma vez que estas consideraes no so
tomadas em linha de conta quando analisamos o problema do ponto de vista estacionrio.

IA
IAmax
0,9 IAmax

0,1 IAmax

t
ta
UG

tc
tL

0,1 UGmax

t
- Fig.5.13 Aspectos dinmicos na comutao corte-conduo num SCR

- 5.12 -

O tempo de ligao tem duas componentes:

(i)

O tempo de atraso ta , que corresponde ao tempo necessrio para que a juno J2,
que estava empobrecida de portadores por estar inversamente polarizada, se
enriquea de portadores at nveis prximos dos do equilbrio termodinmico, para
que a corrente comece a crescer;

(ii) O tempo de crescimento tc (rise time, na designao anglo-saxnica). Corresponde ao

perodo de crescimento da corrente, que est associado ao enriquecimento em
portadores das junes J1 e J3. Este tempo depende da carga que estiver ligada ao
tiristor, representando o circuito com carga indutiva o caso mais desfavorvel.
5.6.2 Tempo para passagem ao corte

Parte-se de uma situao em que as junes J1 e J3 esto polarizadas directamente e as bases

p, n e a juno J2 esto enriquecidas. Ao invertermos a polaridade da tenso do circuito

exterior, a tenso aos terminais do tiristor no pode inverter instantaneamente, dependendo a
sua evoluo da carga exterior. A corrente andica est representada na Fig.5.14 durante o
perodo de comutao.
Uext

UA

t
IA
trc

trp
t

trcorte
- Fig.5.14 Aspectos dinmicos na comutao conduo-corte num SCR

- 5.13 -

Designa-se por tempo de recuperao de corte trcorte (do ingls, recovery time), ao tempo
necessrio para que o tiristor fique em condies de bloquear uma tenso positiva inferior de
limiar e a comutao para o estado bloqueado se efective. S ento poderemos fazer
consideraes baseadas na caracterstica estacionria do tiristor. Tem duas componentes:
(i)

Tempo de recuperao da corrente trc . Corresponde ao tempo necessrio para que

uma das junes J1 ou J3 esteja em condies de bloquear a corrente, limitando-a
sua corrente inversa. um comportamento semelhante ao regime de comutao do
dodo, j estudado nesta disciplina no laboratrio sobre a juno pn.

(ii) Tempo de recuperao da porta trp . Corresponde ao tempo necessrio para remover o
excesso de portadores das bases n e p e da juno J2. Este tempo maior que o
anterior. importante a sua considerao porque se antes de ser completado aparecer
um sinal positivo na porta ou na tenso imposta exteriormente, o tiristor volta ao
estado de conduo.
O tempo de passagem para o corte superior ao tempo de passagem conduo e depende da
temperatura. Em comutao natural (diminuio da corrente at ao valor I H ) tipicamente de
10 a 100 s. Em comutao forada poder ser menor. Para temperaturas superiores o tempo
de comutao aumenta, uma vez que os ritmos de recombinao so menores. Para correntes
directas maiores o nmero de portadores a remover aumenta, pelo que natural que o tempo
de comutao aumente tambm.
5.6.3 Variao mxima temporal da tenso andica ( dU A dt )max

A tenso de bscula foi definida na situao estacionria. J foram referidos os efeitos que a
variao da temperatura e a introduo de uma resistncia em paralelo com a juno portactodo tm sobre a tenso de bscula. A variao temporal da tenso andica est associada a
uma corrente de deslocamento ligada capacidade diferencial de transio da juno J2. Se o
crescimento no tempo da tenso andica for muito rpido, o disparo pode dar-se para tenses
inferiores tenso de bscula da caracterstica estacionria. Por essa razo normal os
fabricantes especificarem o valor mximo dessa variao. usualmente de 20 a 200 V/s.
Essa outra razo para se introduzir a resistncia R em paralelo com a juno porta-ctodo:
os tiristores nessas condies permitem valores mais elevados de ( dU A dt )max .
- 5.14 -

5.7 O GTO

o dispositivo mais sofisticado desta famlia uma vez que o nico em que a porta pode
comandar as transies em ambos os sentidos. Foi criado pelos japoneses e designa-se pela
sigla GTO devido designao inglesa Gate Turn-Off. O seu funcionamento est basicamente
ligado a aspectos transversais. Nos tiristores habituais a passagem da conduo ao corte
obriga passagem da corrente por zero, ou seja, no se recorre ao terminal da porta. Essa
comutao natural em circuitos de corrente alternada, uma vez que a corrente passa
naturalmente de positiva a negativa. No entanto, em circuitos de corrente contnua com
tiristores a comutao tem de ser forada, tornando os circuitos mais complicados e caros.
Consegue-se esta comutao em aplicaes de corrente contnua por aumento da carga ou por
curto-circuito do tiristor. Como atrs referido, a utilizao de impulsos pela porta em tiristores
convencionais obrigaria a valores de corrente de porta muito elevados. Nos GTO a comutao
feita pela utilizao de impulsos negativos pela porta. Em termos de aplicaes o GTO
compete com os transstores bipolares, apresentando contudo em relao a estes as vantagens
de poder ser aplicado em circuitos de correntes e tenses bem mais elevadas (correntes da
ordem de 2kA e tenses da ordem dos kV) e de se manter em conduo sem corrente de porta
(esta apenas necessria para a comutao), enquanto o transistor necessita de corrente de
base. A estrutura basicamente a dos tiristores convencionais. So os aspectos bidimensionais
que permitem explicar como se faz o controlo pela porta. A anlise requer a considerao de 2
dimenses de espao fsico. Durante o corte, vai sendo progressivamente reduzida a seco
transversal do dispositivo em que h conduo (Fig.5.15). As anlises de pormenor requerem
mtodos de anlise poderosos que esto fora do mbito da disciplina.
IG/2

S/2
J3
J2

S/2
n
p

U1
Wp

U2

Wn

n
J1

IG/2

IK

p
IA

- Fig.5.15 Aspectos transversais no GTO

- 5.15 -

A evoluo da corrente andica durante a comutao conduo-bloqueado apresenta

essencialmente trs fases (Fig.5.16) a designar
(i)

Armazenamento. Nesta fase a corrente negativa da porta responsvel pela

remoo dos portadores da base p e da juno catdica que lhe fica vizinha.
Posteriormente assiste-se remoo dos portadores em excesso da juno central,
que sai da polarizao directa. Fica pronto o bloqueio da corrente. A anlise deve
ser feita a 2 dimenses. O tempo desta fase designa-se por tempo de

armazenamento tS . Basicamente tS corresponde ao intervalo de tempo necessrio

para que a zona de conduo reduza a sua largura desde o mximo S (ver
Fig.5.15) at uma largura da ordem de 2L , em que a conduo est reduzida
zona central, e o modelo unidimensional passa a ser uma boa aproximao;
(ii)

Decrscimo rpido da corrente. Nesta fase a juno central comea a bloquear

mas existem ainda muitos portadores na base n. A estrutura pnp junto ao nodo
semelhante a um transstor na regio activa directa. A corrente no pode vir a zero
bruscamente;

(iii)

Evanescncia. A corrente andica decresce lentamente para valores prximos do

zero. Corresponde remoo de buracos na base n. O modelo a 1D uma boa
aproximao.
IA
IA0

ts

ttn

0,9 IA0

0,1 IA0

- Fig.5.16 Evoluo da corrente andica na comutao conduo-corte num GTO.

Durante a passagem ao estado de bloqueio a tenso entre o nodo e o ctodo aumenta.

importante que o ritmo a que se d esse aumento no seja muito elevado porque, caso
contrrio, pode conduzir novamente passagem do estado de conduo (re-ignition, na
designao anglo-saxnica, devido a dU AK / dt elevado).

- 5.16 -

A dissipao de energia pode ser bastante elevada durante a transio para o corte
especialmente durante o perodo de evanescncia, em que a corrente diminui lentamente
enquanto a tenso cresce, podendo as correntes e as tenses serem simultaneamente elevadas.
Define-se ganho de corrente no corte como sendo

IA
IG

(5.14)

Traduz a eficincia que a corrente de porta tem em cortar a corrente andica. Mantendo I G e
subindo I A , aumenta e, consequentemente, o tempo necessrio para cortar a corrente
andica. Mantendo I A e descendo I G , aumenta e, de novo, aumenta o tempo necessrio
para cortar a corrente andica.
Para um dado I G

existe uma corrente mxima I A que se pode cortar. A relao nessa

situao dada pelo ganho mximo max = I A / I G . Analogamente, para um dado I A existe
uma corrente mnima I G que permite o corte. Esto tambm relacionadas pelo ganho
mximo max . Para > max no se pode levar o tiristor ao corte. Teremos de subir o I G ,
mantendo I A ou descer I A , mantendo I G .
O tempo de armazenamento atrs definido est relacionado com o ganho . Usando um
modelo simplificado possvel, atravs da velocidade com que a frente inversamente
polarizada se vai estendendo at zona central, mostrar que

SL

L2

L2
tS = ( 1) ttp ln 2 + 2 2 + 1 ln 4 2 + 1

Wp
W p
p

(5.15)

sendo S e W p parmetros fsicos e L equivalente a um comprimento de difuso.

Se o ganho aumentar tS aumenta tambm. Caso se pretenda cortar uma dada

corrente I A com correntes de porta I G de menor mdulo, o tempo de corte mais demorado. O
valor mximo para o ganho atrs definido corresponde a um tempo de armazenamento
infinito, ou seja, impossibilidade de corte. dado por

max = 1 + 4

- 5.17 -

L2
W p2

(5.16)

Por seu turno, o tempo de evanescncia dado por

ttn =

Wn2
2Dp

(5.17)

A equao (5.17) mostra que para um tempo de evanescncia baixo, de modo a permitir uma
reduo da energia dissipada, desejvel ter um baixo valor da resistncia de base n. Existem,
contudo, compromissos a assumir. Uma base curta, tal como nos tiristores convencionais, no
s contribui para baixar a tenso de bloqueio, como torna elevado o parmetro F 1 , o que
verificmos ser um inconveniente nos tiristores, especialmente para baixas correntes.
Um modelo simplificado base de dodos pode explicar o efeito bidimensional referido
(Fig.5.17) e esclarecer o comportamento bsico do dispositivo.

- Fig.5.17 Modelo de um GTO.

A corrente mxima que se pode cortar est relacionada com a tenso de disrupo U KGdisr .
Com efeito, a corrente mxima que se pode cortar est limitada pelo I G

max

que se pode

utilizar e que corresponde disrupo da juno porta-ctodo. Ao aplicar uma tenso

U GK < 0 , os dodos 1, 2, 3, e 1, 2, 3 vo sucessivamente cortando. Se U GK no for
suficientemente negativo ( I G no suficientemente negativo) existe sempre uma seco
transversal no cortada e, portanto, I A no corta. Teremos de aumentar U GK (ou I G ), mas
tendo sempre o cuidado de no se atingir a disrupo de nenhum dos dodos. Se tal acontecer
nunca mais se pode atingir o corte do dispositivo.
So tpicos os seguintes valores nos GTO
Tenso em conduo..2,7 V
Densidade de corrente em conduo..107 A/m2
Tempo de atraso.5,5 s
Tempo de subida0,6 s

- 5.18 -

Tempo de armazenamento.3,9 s
Tempo de evanescncia.0,9 s
Ganho no corte..7

5.8 Concluses

Os tiristores so basicamente interruptores electrnicos comandados. Existem vrios

processos para levar um tiristor conduo, nomeadamente
(i)

Aplicao de uma tenso andica elevada (superior tenso de bscula);

(ii) Aplicao de um impulso positivo pela porta. Dependendo do tamanho do tiristor os

impulsos de porta podem variar de alguns mA a algumas centenas de mA. O tempo de
comutao de 1 a 3 s para os tiristores comercializados. Alguns tiristores para
aplicaes especiais podem ter tempos da ordem de 0,3 s. Quanto maior for a
corrente de porta, menor o tempo de comutao. Os impulsos so caracterizados por
uma dada inclinao. Quanto menor for o tempo de actuao do impulso maior deve
ser a sua inclinao. Em aplicaes industriais, os impulsos de porta de 10A/s
comutaro o tiristor em 0,1 s, embora um impulso com durao inferior a 0,2 s seja
normalmente ineficiente. Se o impulso de porta for reduzido a zero antes que a
corrente andica atinja o valor de fecho, o tiristor comutar de novo para o estado de
no conduo. Durante o perodo inicial de passagem conduo uma pequena rea
junto porta conduz. Um elevado valor de dI / dt pode originar aquecimentos
pontuais que levem destruio do dispositivo, motivo pelo qual aquele valor deve ser
limitado a valores de 3 a 30 A/s nos casos mais usuais. Uma indutncia em srie com
o nodo pode limitar aquele valor.
(iii) Activao por impulsos luminosos que criam pares electro buraco por efeito fotoelctrico interno;
(iv) Variao rpida da tenso andica no tempo.
As estruturas bipolares do tipo da juno pn so as mais adequadas para dispositivos de
potncia, uma vez que permitem a existncia de correntes elevadas em zonas associadas a
quedas de tenso baixas. As estruturas do tipo MOSFET, sendo unipolares, estariam sempre

- 5.19 -

associadas a resistncias elevadas, facto que conduziria a valores de potncia incomportveis.

O dodo de quatro camadas representa uma estrutura adequada e unidimensional neste
domnio, mas que no permite o controlo da tenso de bscula. O interruptor comandado SCR
pode ser tratado de forma aproximadamente unidimensional, com excepo da situao em
que existe impulso de porta. O tratamento a 1 dimenso de espao fsico corresponde, no
entanto, a uma melhor aproximao que no transstor bipolar, uma vez que aps a comutao,
a corrente de porta no mais necessria e pode anular-se. O inconveniente deste dispositivo
a retirada da conduo, que no permita atravs de impulsos de porta. Este facto pode ser
obviado com estruturas mais complexas, como a do GTO. Finalmente, existem estruturas
hbridas que associam as vantagens das estruturas bipolares nos dispositivos de potncia, com
as das estruturas de tipo MOS, que so utilizadas no circuito de porta. Nestes dispositivos,
designados por IGBT (Insulated Gate Bipolar Transstor, na designao anglo-saxnica), o
comando da porta feito em tenso e no em corrente.

- 5.20 -