UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS

Laboratorio No 4. Amplificador en RF de
Pequea Seal


ResumenEsta prctica consiste en el diseo de un
amplificador en RF (Radio-Frecuencia) por medio de la
utilizacin de transistores en donde se consideran los parmetros
y especficos de cada transistor; Luego se proceder a
confirmar los datos tericos mediante la medicin en el
laboratorio.
Palabra Clave: Amplificador en RF, Parmetros y,
Neutralizacin.
Abstract This practice involves the design of an RF
amplifier (radio-frequency) through the use of transistors in
which parameters are considered "and" specific to each
transistor, then proceed to confirm the theoretical data by
measuring in the laboratory.
Keywords: RF Amplifier, Parameters "y", Neutralization.

I ntroduccin
El Amplificador de RF a pequea seal, tiene la
particularidad de que la seal de entrada consiste en unos
cuantos microvoltios o milivoltios, que tienen que ser
amplificador a unidades de voltios sin causar distorsin
alguna sobre la seal.
Para el diseo del amplificador se considerara los
parmetros y del transistor como base para establecer
tal diseo. De esta manera poder lograr una amplificacin
de 100 veces para una frecuencia de trabajo de 10 MHz.

I.MARCO TERICO


Las etapas amplificadoras de RF de un transistor
amplifican la seal de RF a un nivel suficientemente
elevado para operar la antena. Son comunes dos tipos de
etapas amplificadoras de RF: los amplificadores de
voltaje y los amplificadores de poder. Los
amplificadores de voltaje preceden a los amplificadores
de poder y generalmente sirven para un doble propsito:
(1) aslan o amortiguan la fuente de RF del amplificador
de poder para impedir que el ltimo cargue al primero, y
(2) suministran una amplificacin de voltaje para operar
el amplificador de poder. Por lo general los
amplificadores de voltaje operan como amplificadores
de clase A debido a que la linealidad es un
factor importante en el propsito para el que sirven.
Entre el amplificador final de poder y la antena de
transmisin se utiliza una red de acoplamiento integrado
por componentes reactivos. El propsito de esta red es
igualar la impedancia de salida del amplificador de
poder a la impedancia de la antena y viceversa, para que
se transfiera la mxima potencia a la carga acoplada. En
este respecto, se puede considerar a la red de
acoplamiento como un transformador de impedancias
[1].


II.PROCEDIMIENTO Y DISEO

Para comenzar se tomara los parmetros y del
transistor (MPSH10)[3], como no se puede obtener de
los grficos dados por el fabricante datos exactos se
tomaran datos aproximados para una frecuencia cercana
a la frecuencia de trabajo. De esta manera se tiene:

a.

b.

c.

d.

Estos datos estn dados para una configuracin de
emisor comn, con un

Calculo de Estabilidad Linvill:

Fig. 1: Diagramas de Bloques del Amplificador en RF

Fig. 2: Diagramas de Bloques del Amplificador en RF con redes
de Acople [2]
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De acuerdo con el criterio de Linvill este transistor es
potencialmente inestable ya que C > 1, por lo cual antes
de seguir con otro paso, es necesario neutralizar el
transistor para asegurar la estabilidad de ste.

i.

ii.

Con lo cual se obtiene que:

i.

ii.

iii.

iv.

v.

vi.

vii.

viii.

As que con esto se estabiliza el transistor y se puede
continuar con el diseo.

El valor del condensador de neutralizacin es:

Con esto ya se puede calcular el MAG:


|

Luego de esto se procede a acoplar la red del transistor
con la carga de entrada y de salida, esto se lleva a cabo
mediante la carta de Smith.

Admitancia que debe ver el transistor para mx.
Transferencia de potencia hacia la carga (50 ):

Admitancia que debe ver el transistor hacia la fuente
(con Rs= 50 ):

Con un factor de normalizacin de 50 para le red de
entrada y de 200 para la red de salida se tiene:

ENTRADA.




Se requiere los siguientes elementos para la red de
acople:

Un capacitor en paralelo de 220 pF
Una bobina en serie de 1.91uH

Fig. 3: Circuito con Neutralizacin

Fig. 4: Carta de Smith para la Red de entrada
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SALIDA




Se requiere los siguientes elementos para la red de
acople:

Un capacitor en paralelo de 32.2 pF
Una bobina en serie de 8.75uH


Finalmente se puede realizar la red polarizacin del
transistor, donde se escogi Vce = 10V, Ic = 2mA.

Factor beta o hfe obtenido del datasheet (74)

Por Ultimo se integra a la red de polarizacin del
transistor a las redes de acople para las seales de
entrada y de salida obteniendo el siguiente circuito final:

III.MEDICIONES Y RESULTADOS

En la siguiente imagen se muestra la seal de entrada
y de salida del amplificador:


Adems se obtuvo su respuesta en frecuencia:

Fig. 5: Carta de Smith para la Red de salida

Fig. 6: Red de Polarizacin

Fig. 7: Circuito Final a Montar

Fig. 8: Seales de Entrada y Salida
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IV.ANLISIS DE RESULTADOS

Como se puede observar en la fig. 6, se obtuvo una
seal de salida amplificada e invertida de ganancia
aproximadamente de:

)

En la figura No 7 se comprob el ancho de banda y la
frecuencia de corte del amplificador, en donde la
frecuencia superior es aproximadamente 15 MHz y la
frecuencia inferior es de 4 MHz, con frecuencia central
en 8.54 MHz.
En la figura 6. Tambin se observa que la red de acople
esta en resonancia ya que no hay desfase alguno entre la
seal de entrada y la seal de salida, ms que la debida al
desfase propio de la configuracin EC del transistor.

V. CONCLUSIONES

o No se obtuvo la ganancia terica de 40 dB por la
insercin de las perdidas sobre las sondas y los
elementos de medicin, adems de las
capacitancias parasitas de las sondas del
laboratorio. Sin embargo se pudo obtener una
ganancia de 19 dB dentro de la zona de
linealidad del transistor.
o Se observa que la seal de salida es proporcional
a la seal de entrada y que el transistor es estable
gracias al proceso de neutralizacin por medio
del elemento de neutralizacin. Que produce que
el transistor se encuentre en la zona activa de
amplificacin y no oscila a la frecuencia de
trabajo (esto es debido a la neutralizacin de la
red interna de realimentacin del transistor que
depende de los elementos parsitos que se dan en
el proceso de fabricacin del transistor)
o Como la ganancia de voltaje est dada por la
carga de salida que depende as mismo de la
resistencia de colector, entonces como se
pretendi que esta carga de salida fuese de 50,
estos 50 son el resultado del paralelo de 125
y una carga de salida calculada para que se de
este efecto. Como se observ tambin sobre la
ganancia la seal de salida est desfasada 180
con respecto a la seal de entrada debido a la
configuracin del transistor que se us la cual fue
de Emisor Comn.
o A pesar de que la frecuencia central de trabajo no
fue de 10 MHz, los 8.54 MHz que se obtuvo en
el montaje son resultado debido a elementos
parsitos que se aaden tanto debido a los
elementos de medicin como tambin a propios
inherentes a montaje y a las propiedades exactas
de los elementos, tales como los parmetros y
exactos del transistor, los cuales no se pudieron
obtener exactamente.
o Si no se hubiera tenido en cuenta para el diseo
del amplificador de pequea seal los parmetros
y del transistor, los resultados no hubieran sido
los esperados y lo ms probable es que no se
hubiera obtenido ganancia alguna ni tampoco
obtener la respuesta en frecuencia deseada.
BIBLIOGRAFA

[2] Circuitos de RF y las Comunicaciones Analgicas. Hector F. Cancino de
Greiff. Capitulo 5
[3] Datasheet del transistor MPSH10. Anexo 1

WEBGRAFIA
[1] http://es.scribd.com/doc/29662892/AMPLIFICADOR-DE-RF












Fig. 9: Respuesta en Frecuencia del Amplificador