ESTRUCTURA CERMICA, POLMERO Y

SEMICONDUCTORA
ERICK ALDERETE OSCANOA


2014
ESCUELA DE FORMACIN PROFESIONAL DE INGENIERA METALRGICA
DOCENTE: Ing. PALOMINO ISIDRO, Rubn Edgar
METALURGIA FSICA
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INTRODUCCIN

Los materiales cermicos son materiales inorgnicos compuestos por elementos metlicos y no
metlicos vinculados qumicamente. Pueden ser cristalinos, no cristalinos o una mixtura de ambos.
Poseen una alta dureza y resistencia al calentamiento, pero tienden a la fractura frgil. Se
caracterizan principalmente por su bajo peso, alta rigidez y baja tenacidad, alta resistencia al calor
y al desgaste, poca friccin y buenas propiedades aislantes.
Los materiales cermicos son baratos, pero su procesado hasta producto terminado es
normalmente lento y laborioso. Adems, la mayora de estos materiales se daa fcilmente por
impacto a causa de su baja o nula ductilidad.

Los polmeros o plsticos son producidos tras un proceso denominado polimerizacin que
consiste en enlazar mediante enlaces covalentes miles de pequeas molculas orgnicas
denominadas monmeros, o meros.
Si una molcula monomrica es denominada A, la macromolcula, formada por n monmeros A,
tiene estructura lineal (A A A A...) n.
Los monmeros son molculas orgnicas fundamentalmente formadas por tomos de carbono,
hidrgeno y oxgeno entre los cuales se establecen uniones o enlaces covalentes. Metano (CH4),
propano (C2H2) y etileno (C2H4), son algunos ejemplos de molculas monomricas. No todos los
monmeros son aptos para realizar el proceso de polimerizacin que permite enlazar en cadena
diversos monmeros idnticos.

Los semiconductores, las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen
determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos
estn unidos entre s en la disposicin peridica, formando una rejilla cubica tipo diamante
perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los
cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los
electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado puro, al material acta como
un aislante.









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NDICE

INTRODUCCIN. 01
NDICE.. 02
1. MATERIALES CERMICOS. 04
1.1. DEFINICIN. 04
1.2. SISTEMAS CRISTALINOS. 05
1.3. CLASIFICACIN. 05
1.3.1. POR SU ORIGEN. 05
1.3.2. POR SU CAMPO DE APLICACIN .. 05
1.3.3. POR SU ESTRUCTURA 05
1.3.3.1. PROPIEDADES TRMICAS DE LOS CERMICOS. 06
1.3.3.2. CONDUCTIVIDAD TRMICA 06
1.3.3.3. ESFUERZOS TRMICOS O TENSIONES. 07
1.3.3.4. CHOQUE TRMICO DE UN MATERIAL FRGIL 07
1.3.3.5. PROPIEDADES MECNICAS DE LOS CERMICOS. 08
1.3.3.6. MECANISMOS PARA LA DEFORMACIN EN CERMICOS.. 08
1.4. ESTRUCTURA CRISTALINA CERMICA DE UN SOLO ELEMENTO. 09
1.4.1. CARBONO (DIAMANTE) 09
1.4.2. GRAFITO. 10
1.5. ESTRUCTURA CRISTALINA CERMICA BINARIA. 10
1.5.1. ESTRUCTURA CRISTALINA TIPO NaCl. 10
1.5.2. ESTRUCTURA CRISTALINA TIPO CsCl 11
1.5.3. ESTRUCTURA CRISTALINA TIPO BLENDA, ZnS.. 11
1.5.4. ESTRUCTURA CRISTALINA TIPO FLUORITA CaF
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.. 11
1.5.5. ESTRUCTURA CRISTALINA TIPO PEROVSKITA, ABO3 (BATIO
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).. 12
1.5.6. ESTRUCTURA CRISTALINA TIPO RUTILO: TiO
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1.6. ESTRUCTURA NO CRISTALINA. 13
2. POLMEROS. 14
2.1. CLASIFICACIN 14
2.1.1. SEGN SU ORIGEN 14
2.1.2. SEGN SU MECANISMO DE POLIMERIZACIN. 15
2.1.3. SEGN SU COMPOSICIN QUMICA 15
2.1.4. SEGN SUS APLICACIONES. 16
2.2. ESTRUCTURA POLIMERA 17
2.2.1. TERMOPLSTICOS. 17
2.2.2. TERMOPLSTICOS. 17
2.3. ESTRUCTURA DE DIFERENTES POLMEROS.. 18
2.3.1. POLIETILENO.. 21
2.3.2. ACRLICOS. 21
2.3.3. FLUORPLASTICOS. 21
3. MATERIALES SEMICONDUCTORES... 22
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3.1. INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES. 22
3.2. CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES.. 22
3.3. TIPOS DE SEMICONDUCTORES 23
3.3.1. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS.. 23
3.3.2. SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS..
24
3.4. ESTRUCTURA DE UN METAL 24
3.5. ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR..
24
3.6. ESTRUCTURA DEL SILICIO..
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3.6.1. PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRN Y EL HUECO
25
3.6.2. GENERACIN TRMICA DE PORTADORES. EL ELECTRN Y EL HUECO. 25
3.6.3. RECOMBINACIN DE PARES ELECTRN-HUECO. 26
3.6.4. IMPURIFICACIN O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES.. 26
3.7. SEMICONDUCTOR TIPO N..
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3.8. SEMICONDUCTOR TIPO P
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BIBLIOGRAFA. 30











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MATERIALES CERMICOS

Qu se entiende por material cermico?

Una definicin amplia de materiales cermicos dira que son slidos inorgnicos no
metlicos producidos mediante tratamiento trmico.
Comparados con los metales y plsticos son duros, no combustibles y no oxidables
Pueden utilizarse en ambientes con temperatura alta, corrosivos y tribolgicos.
En dichos ambientes muchas cermicas exhiben buenas propiedades electromagnticas,
pticas y mecnicas
Una caracterstica fundamental del trmino material incluye que puedan fabricarse en
formas con dimensiones determinadas.

1.1. DEFINICIN
Los materiales cermicos son compuestos qumicos o soluciones complejas, que contienen
elementos metlicos y no metlicos. Por ejemplo la almina es un cermico que tiene
tomos metlicos (aluminio) y no metlicos (oxgeno). Los materiales cermicos tienen una
amplia gama de propiedades mecnicas y fsicas. Las aplicaciones varan desde productos de
alfarera, cemento, fabricacin de ladrillos y azulejos, utensilios de cocina, hasta vidrio,
materiales refractarios, imanes, dispositivos elctricos, fibras y abrasivos. El hormign est
hecho con cemento y las losetas que protegen al trasbordador espacial estn hechas de
slice, un material cermico. En la mayora de estas aplicaciones el producto tiene una
propiedad esencial o una combinacin particular de propiedades que no puede ser obtenida
con ningn otro material; siendo esto la base de su seleccin.
Debido a sus enlaces inicos o covalentes, los materiales cermicos por lo general son
duros, frgiles, con un alto punto de fusin, tienen baja conductividad elctrica y trmica,
buena estabilidad qumica y trmica, y elevada resistencia a la compresin. Sin embargo, a
veces constituyen un enigma, pues aunque de hecho son frgiles, algunos compuestos con
matriz cermica tienen valores de tenacidad a la fractura superiores a los de algunos
metales (como las aleaciones de aluminio endurecidas por envejecimiento) e incluso
algunos son superplsticos. Aunque la mayora de los productos cermicos son buenos
aislantes elctricos y trmicos, algunos tienen conductividades trmicas parecidas a las de
los metales. Los productos cermicos como el Fe0 y el ZnO, son semiconductores y, adems,
han sido descubiertos materiales cermicos superconductores.
En este captulo analizaremos los mecanismos mediante los cuales estos materiales se
deforman al aplicrseles una carga. Igualmente, es de importancia crtica observar que los
materiales cermicos son frgiles, que los defectos inevitablemente presentes en la
estructura pueden hacer que el material falle por su fragilidad, que el tamao y el nmero
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de las imperfecciones difieren en cada pieza cermica individual y que las propiedades
mecnicas slo pueden describirse de manera estadstica. Por estas razones, el
comportamiento mecnico de los materiales cermicos es menos predecible que el de los
metales, por esta caracterstica, su uso en aplicaciones crticas de alta resistencia es muy
limitado.
1.2. SISTEMAS CRISTALINOS

Existen muchas estructuras cristalinas diferentes y es conveniente clasificarlas en grupos de
acuerdo con las configuraciones de la celdilla unidad y/o la disposicin atmica. Uno de
estos esquemas se basa en la geometra de la celdilla unidad. Se establece un sistema x, y y
z de coordenadas cuyo origen coincide con un vrtice de la celdilla. Los ejes x, y y z
coinciden con las aristas del paraleleppedo que salen de este vrtice, como ilustra la figura
3.1. La geometra de la celdilla unidad se define en funcin de seis parmetros de red: la
longitud de tres aristas a, b y c y los tres ngulos interaxiales es el ngulo visto a lo largo del
eje a, es decir, el ngulo formado por los ejes b y c), que estn representados en la figura. La
longitud de las aristas de la celdilla unidad y los ngulos entre los ejes cristalogrficos se
denominan constantes de red o parmetros de red.














1.3. CLASIFICACIN

1.3.1. POR SU ORIGEN

Cermicas naturales.
cermicas transformadas.
cermicas sintticas.

1.3.2. POR SU CAMPO DE APLICACIN

Vidrios.
Arcilla cocida.
Abrasivos.
Refractarios.
Cementos.
Cermicas avanzadas.
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1.3.3. POR SU ESTRUCTURA

Puede ser cristalina, no cristalina, o una mezcla de ambas. Se presentan en las ms
variadas formas; de estructuras muy simples a las ms complejas mezclas de fases. Su
abundancia en la naturaleza y las diferencias que presentan en sus propiedades
respecto a las de los metales los convierte en materiales sumamente importantes.
Segn su estructura, los cermicos pueden clasificarse en dos grandes grupos, los
cristalinos o cermicos, y los no cristalinos o vidrios. A su vez, los cristalinos pueden
ser monocristalinos o policristalinos.





Los que presentan estructura policristalina o no cristalina pueden a su vez ser
monofsicos o polifsicos.
Las cermicas cristalinas pueden clasificarse en tres grupos. Las cermicas de silicato,
cuya unidad estructural fundamental es el SiO2, incluyen por ejemplo a la porcelana y
los materiales refractarios. Los cermicos de xido sin silicatos son compuestos a los
que se les agregan impurezas, como el Al2O3, MgO y BeO. Las cermicas sin xidos,
como el ZnS, SiC y TiC, se utilizan como material para elementos calefactores de
horno, as como material abrasivo.




1.3.3.1. PROPIEDADES TRMICAS DE LOS CERMICOS

En general la mayora de los materiales cermicos tiene baja conductividad
trmica debido a sus fuertes enlaces inicos covalentes y son buenos aislantes
trmicos. La figura 10.49 compara conductividades trmicas de distintos
materiales cermicos en funcin de la temperatura. Debido a la resistencia al
calentamiento son usados como refractarios.

1.3.3.2. CONDUCTIVIDAD TRMICA

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La conduccin trmica es un fenmeno por el cual el calor se transporte de una
regin de alta temperatura del material a otra de baja temperatura. La
conductividad trmica caracteriza la capacidad de un material de transferir calor.
Los materiales que no poseen electrones libres son aislantes trmicos y solo existe
transporte de calor por vibraciones de la red.





























1.3.3.3. ESFUERZOS TRMICOS O TENSIONES

Las tensiones trmicas son tensiones inducidas en un cuerpo como resultado de
Cambios en la Temperatura.
Tensiones resultantes de la expansin y contraccin trmicas confinadas.
Lo cual puede producir fracturas y agrietamiento, lo cual se da por lo general en
los procesos de secado.

1.3.3.4. CHOQUE TRMICO DE UN MATERIAL FRGIL

El enfriamiento rpido de un material introduce en las tensiones superficiales de
reaccin, contribuyendo a la formacin de grietas y su propagacin a partir de
defectos superficiales y pudiendo producir rotura. La capacidad de un material de
soportar esta clase de falla se llama resistencia al choque trmico. Para un cuerpo
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cermico que es rpidamente enfriado, la resistencia al choque trmico depende
no solo de la magnitud del cambio de la Temperatura sino tambin de las
propiedades mecnicas y trmicas del material.


1.3.3.5. PROPIEDADES MECNICAS DE LOS CERMICOS

Considerando a los cermicos como una clase de material, podemos decir que
estos son relativamente frgiles, en estos la resistencia a la traccin (o tensin)
que soportan los materiales cermicos vara enormemente pero en ningn caso
soporta los 172 Mpa
Mientras que la resistencia a la compresin es de 5 a 10 veces superior.
Por lo general los materiales cermicos son duros y tienen baja resistencia al
impacto debido a sus uniones inico covalentes.

1.3.3.6. MECANISMOS PARA LA DEFORMACIN EN CERMICOS

a) Con enlaces covalentes entre capas de tomos: en esta situacin cuando el
material es sometido a una traccin lo suficientemente alta se separan las
uniones de pares de electrones sin que se vuelvan a formar luego y se
produce una fractura quebradiza. Es por eso que los cermicos enlazados
covalententemente son frgiles tango para estructuras monocristalinas como
policristalinas.

b) Con enlace Inico:

Monocristalinos: muestran deformacin plstica bajo fuerzas
compresoras a temperatura ambiente. Ej.: oxido de magnesio y cloruro
de sodio (sin embargo los cermicos policristalinos son los ms usados en
la industria); en estos los deslizamientos se producen sobre las filas. de
planos {110} donde los iones son de igual carga.
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Policristalinos: En regiones donde predominan los enlaces inicos, la
rotura se produce por repulsin de iones de igual carga al querer
producir deslizamiento sobre la flia. de planos {100}.



1.4. ESTRUCTURA CRISTALINA CERMICA DE UN SOLO ELEMENTO
1.4.3. CARBONO
El carbono es un elemento que existe en varias formas polimrficas, as como en
estado amorfo. Este grupo de materiales no cae dentro de ninguna de las clases
tradicionales en que se clasifican los materiales: metales, cermicas y polmeros.
Sin embargo hemos decidido nombrar estos materiales puesto que el grafito (una
de las formas polimrficas) se clasifica a veces como una cermica; y tambin
porque la estructura cristalina del diamante (otro polimorfo) es similar a la de la
blenda (ZnS), un compuesto cermico.

Diamante:

El diamante es un polimorfo metaestable de carbono a temperatura ambiente y
presin atmosfrica. Cada tomo de carbono est unido con otros cuatro tomos
de carbono mediante enlaces totalmente covalentes.
Se caracteriza por ser extremadamente duro (el material ms duro conocido) y por
su poca conductividad elctrica






La estructura del Diamante est basada en la red cbica centrada en las caras
(FCC). La celda primitiva consiste en dos redes FCC, la primera centrada en el
punto (0,0,0), y la segunda est centrada en el (, ,), o sea que est desplazada
respecto la diagonal del cubo de la primera red.
La caracterstica de la estructura del diamante es el enlace tetradrico, en el cual
cada tomo est enlazado con otros cuatro tomos vecinos (Incorpora la
configuracin tetradrica de enlace de elementos del grupo IVA). La estructura del
Diamante est relativamente vaca, la mxima proporcin de espacio ocupado por
esferas slidas es 0.34, lo cual representa un 46% del espacio ocupado por las
estructuras hcp o fcc. En la siguiente tabla aparecen elementos con estructura del
Diamante.
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1.4.4. GRAFITO

El grafito es otro polimorfo del carbono (Forma estable a temperatura ambiente),
que tiene una estructura cristalina (Figura 10.2.2.1) bien distinta de la del
diamante y es tambin ms estable que el diamante a temperatura y presin
ambiente. La estructura del grafito est compuesta por capas de tomos de
carbono dispuestos hexagonalmente. Dentro de las capas, cada tomo de carbono
est unido a tres tomos coplanares por enlaces covalentes. El cuarto electrn de
enlace participa en enlaces de tipo de Van der Waals entre las capas. Como
consecuencia de estos enlaces interplanares dbiles, la separacin interplanar es
fcil (Naturaleza desmenuzable del grafito), lo cual origina las excelentes
propiedades lubricantes del grafito (Lubricante seco). Tambin la conductividad
elctrica es relativamente alta en las direcciones cristalinas paralelas a las lminas
hexagonales.


1.5. ESTRUCTURA CRISTALINA CERMICA BINARIA

1.5.3. Estructura cristalina tipo NaCl

Cl-: empaquetamiento fcc
Na: todos h.o., I.C.: 6
Celdilla unidad: 4 Na+ y 4 Cl-
Cermicas que adoptan este tipo estructural: haluros
alcalinos (excp. Cs y Tl), MgO, CaO, FeO, NiO

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En la estructura de NaCl los aniones de mayores dimensiones Cl forman un
empaquetamiento cbico denso, en el cual todos los huecos octadricos estn
ocupados por los cationes Na, en tanto que los huecos tetradricos estn
totalmente desocupados. La red de NaCl puede considerarse como el conjunto de
dos estructuras centradas en las caras, cada una de las cuales contiene nicamente
iones de un solo signo. La estructura consiste de una alternancia de cationes y
aniones a lo largo de cada uno de los tres ejes de la celda unitaria (Direcciones
cristalogrficas [100], [010] y [001]).
1.5.4. Estructura cristalina tipo CsCl

Cl-: empaquetamiento cbico primitivo
Cs+: centro de cubo
I.C (Cs).: 8
Cermicas que adoptan este tipo estructural: CsBr, TlCl,
TlBr, aleaciones CuZn, AlNi.

La estructura del CsCl se construye sobre la red de
Bravais cbica simple con dos iones (Uno Cs+ y otro Cl-)
asociados a cada punto reticular. Existen dos iones en
cada celda unidad (Uno Cs+ y otro Cl). Cada Cs+ esta
enlazado por igual con los ocho Cl- adyacentes y viceversa.

1.5.5. Estructura cristalina tipo blenda, ZnS

S2-: empaquetamiento fcc
Zn2+: h.t.
I.C.: 4
4 Zn2+ y 4 S2- por celda unidad
Segn Pauling enlace Zn-S ~87% covalente
Cermicas que adoptan este tipo estructural: CdS,
HgS
La llamada blenda de zinc ordinaria, o esfalerita, tiene como base el
empaquetamiento cbico centrado en las caras de aniones S2-, en la cual una
mitad de cuyos huecos tetradricos est ocupada por cationes Zn2+. El nmero
de coordinacin es 4, es decir todos los iones estn coordinados
tetraedricamente. La estructura de la blenda de zinc tiene cuatro ejes polares,
en correspondencia con los cuatro ejes ternarios dirigidos a lo largo de las
diagonales del cubo.
1.5.6. Estructura cristalina tipo FLUORITA CaF2

Ca2+: empaquetamiento fcc
F-: todos h.t. (8)
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I.C.(Ca2+): 8 ; I.C.(F-): 4
Cermicas que adoptan este tipo estructural: UO2, ThO2, CeO2

Estructura fluorita, los cationes tienen coordinacin 8 mientras que los aniones
tienen coordinacin 4 (tetradrica). La estructura de la fluorita tambin se puede
construir sobre una red de Bravais cbica centrada en las caras en la que se ocupan
todos los huecos tetradricos (Figura 10.3.3.1.2). Los iones calcio forman el
empaquetamiento denso cbico centrado en las caras, cuyos huecos tetradricos
estn ocupados por los iones F-.



1.5.7. Estructura cristalina tipo PEROVSKITA, ABO3 (BaTiO3)

O2- y Ca2+: empaquetamiento fcc
Ti4+: 1/4 h.0.
I.C.(Ti2+): 6 ; I.C.(Ca2+): 12
Cermicas que adoptan este tipo estructural: BaTiO3, CaTiO3, SrTiO3, PbZrO3,
KNbO3, LiNbO3















1.5.8. Estructura cristalina tipo Rutilo: TiO2

Adopta un desordenado h.c.p de O2-
con h.t. ocupados (Ti4+)
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Celda unidad: TETRAGONAL
i.c. (Ti): 6 (octaedro distorsionado)
i.c. (O): 3 (tringulo casi equiltero)

La estructura cristalina tipo [Rutilo], incluye cationes de tamao medio con una
carga elctrica de 4+. Compuestos con este tipo de estructura son el TiO2, SnO2,
GeO2, PbO2, WO2, VO2, NbO2, TeO2, MnO2, RuO2, OsO2 y IrO2 y por los fluoruros
del tipo MgF2 y NiF2. El catin tiene un nmero de coordinacin igual a 6 y el anin
debe tener un nmero de coordinacin tal que se cumpla la relacin:




Se basa en un empaquetamiento hexagonal compacto de los aniones en el que los
cationes ocupan la mitad de los huecos octadricos. Cada tomo de Ti est rodeado
de seis tomos de oxgeno (disposicin octadrica) y cada tomo de oxgeno se
rodea de tres tomos de titanio (disposicin trigonal), de forma que la estructura de
tipo rutilo presenta coordinacin de 6:3.
Un nmero de coordinacin de 3 no puede lograrse con ordenamientos compactos
cbicos o hexagonales. En vez de eso, el resultado es una estructura compacta
distorsionada. Los cationes solo ocupan la mitad de las posiciones octadricas.

1.6. ESTRUCTURA NO CRISTALINA
Los tomos se acomodan en conjuntos irregulares y aleatorios. Los slidos no cristalinos
con una composicin comparable a la de las cermicas cristalinas se denominan vidrios.
La mayor parte de los vidrios que se comercializan son silicatos.
Estructura:

Puede ser cristalina, no cristalina, o una mezcla de ambas. Se presentan en las ms
variadas formas; de estructuras muy simples a las ms complejas mezclas de fases. Su
abundancia en la naturaleza y las diferencias que presentan en sus propiedades respecto
a las de los metales los convierte en materiales sumamente importantes.
Cristales cermicos
Hay dos caractersticas de los iones que componen los materiales cermicos cristalinos
que determinan la estructura cristalina:
El valor de la carga elctrica de los iones componentes.
Los tamaos relativos de los cationes y aniones.

Con respecto a la primera, el cristal debe ser elctricamente neutro; es decir debe haber
igual nmero de cargas positivas (de los cationes) que de cargas negativas (de los
aniones). La frmula qumica de un compuesto indica la proporcin que debe haber
entre cationes y aniones para que se mantenga la neutralidad.
El segundo aspecto comprende el tamao de los radios inicos de los cationes y aniones
RC y RA. Puesto que los elementos proporcionan electrones al ser ionizados los cationes
son generalmente menores que los aniones por lo tanto RC/RA es menor que uno. Cada
catin de rodear de tantos aniones vecinos ms prximos como le sea posible. Los
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aniones tambin se rodearn del mximo nmero de cationes posibles como vecinos
ms prximos.
Las estructuras cristalinas se vuelven ms estables mientras mayor sea el nmero de
aniones que rodean al catin central.
2. POLMEROS
Un polmero es una molcula muy grande o macromolcula constituida por la unin repetida de
muchas unidades pequeas (monmeros) a travs de enlaces covalentes.
Ejemplos de polmeros de origen natural son las protenas (seda, enzimas, colgeno), los
polisacridos (almidn, celulosa) y los cidos nucleicos, los cuales cumplen funciones especficas
en los seres vivos.
Dentro de los polmeros sintticos, el ms simple es el polietileno, siendo el etileno el monmero a
partir del cual se forma:








La unidad estructural que se repite a lo largo de la cadena polimrica se denomina unidad
repetitiva y la reaccin en la cual los monmeros se unen entre s para formar el polmero se
denomina reaccin de polimerizacin.

Los polmeros consisten en mezclas de molculas de distintas longitudes de cadena y por ello se
habla del peso molecular promedio (PM) de un polmero.

2.3. CLASIFICACIN
Existen varias formas posibles de clasificar los polmeros, sin que sean excluyentes entre s.

2.3.3. SEGN SU ORIGEN
Polmeros naturales: Existen en la naturaleza muchos polmeros y
las biomolecular que forman los seres vivos son macromolculas polimricas. Por
ejemplo, las protenas, los cidos, los polisacridos (como la celulosa y la quitina),
el hule o caucho natural, la lignina, etc.
Polmeros semisintticos: Se obtienen por transformacin de polmeros
naturales. Por ejemplo, la nitrocelulosa, el caucho vulcanizado, etc.
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Polmeros sintticos: Muchos polmeros se obtienen industrialmente a partir de
los monmeros. Por ejemplo, el nailon, el poliestireno, el Policloruro de
vinilo (PVC), elpolietileno, etc.


2.3.4. SEGN SU MECANISMO DE POLIMERIZACIN
Polmeros de condensacin: La reaccin de polimerizacin implica a cada paso
la formacin de una molcula de baja masa molecular, por ejemplo agua.
Polmeros de adicin: La polimerizacin no implica la liberacin de ningn
compuesto de baja masa molecular. Esta polimerizacin se genera cuando un
"catalizador", inicia la reaccin. Este catalizador separa la unin doble
carbono en los monmeros, luego aquellos monmeros se unen con otros
debido a los electrones libres, y as se van uniendo uno tras uno hasta que la
reaccin termina.
2.3.5. SEGN SU COMPOSICIN QUMICA
Polmeros orgnicos. Posee en la cadena principal tomos de carbono.
Polmeros orgnicos vinlicos. La cadena principal de sus molculas est
formada exclusivamente por tomos de carbono.
Dentro de ellos se pueden distinguir:
Poliolefinas, formados mediante la polimerizacin de olefinas.
Ejemplos: polietileno y polipropileno.
Polmeros estirnicos, que incluyen al estireno entre sus monmeros.
Ejemplos: poliestireno y caucho estireno-butadieno.
Polmeros vinlicos halogenados, que incluyen tomos de halgenos
(cloro, flor...) en su composicin.
Ejemplos: PVC y PTFE.
Polmeros acrlicos. Ejemplos: PMMA.
Polmeros orgnicos no vinlicos. Adems de carbono, tienen tomos
de oxgeno o nitrgeno en su cadena principal.

Algunas sub-categoras de importancia:
Polisteres
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Poliamidas
Poliuretanos
Polmeros inorgnicos. Entre otros:
Basados en azufre. Ejemplo: polisulfuros.
Basados en silicio. Ejemplo: silicona.

2.3.6. SEGN SUS APLICACIONES
Atendiendo a sus propiedades y usos finales, los polmeros pueden clasificarse en:
Elastmeros. Son materiales con muy bajo mdulo de elasticidad y alta
extensibilidad; es decir, se deforman mucho al someterlos a un esfuerzo pero
recuperan su forma inicial al eliminar el esfuerzo. En cada ciclo de extensin y
contraccin los elastmeros absorben energa, una propiedad
denominada resiliencia.
Plsticos. Son aquellos polmeros que, ante un esfuerzo suficientemente
intenso, se deforman irreversiblemente, no pudiendo volver a su forma
original. Hay que resaltar que el trmino plstico se aplica a veces
incorrectamente para referirse a la totalidad de los polmeros.
Fibras. Presentan alto mdulo de elasticidad y baja extensibilidad, lo que
permite confeccionar tejidos cuyas dimensiones permanecen estables.
Recubrimientos. Son sustancias, normalmente lquidas, que se adhieren a la
superficie de otros materiales para otorgarles alguna propiedad, por ejemplo
resistencia a la abrasin.
Adhesivos. Son sustancias que combinan una alta adhesin y una alta
cohesin, lo que les permite unir dos o ms cuerpos por contacto superficial.
Segn su comportamiento al elevar su temperatura
Para clasificar polmeros, una de las formas empricas ms sencillas consiste
en calentarlos por encima de cierta temperatura. Segn si el material funde y
fluye o por el contrario no lo hace se diferencian tres tipos de polmeros:
Termoplsticos, que fluyen (pasan al estado lquido) al calentarlos y se
vuelven a endurecer (vuelven al estado slido) al enfriarlos. Su estructura
molecular presenta pocos (o ningn) entrecruzamientos.
Ejemplos: polietileno (PE), polipropileno (PP), cloruro de polivinilo PVC.
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ESTRUCTURAS



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Termoestables, que no fluyen, y lo nico que conseguimos al calentarlos es
que se descompongan qumicamente, en vez de fluir. Este comportamiento se
debe a una estructura con muchos entrecruzamientos, que impiden los
desplazamientos relativos de las molculas.
Elastmero, plsticos con un comportamiento elstico que pueden ser
deformados fcilmente sin que se rompan sus enlaces o modifique su
estructura.
La clasificacin termoplsticos / termoestables es independiente de la clasificacin
elastmeros / plsticos / fibras. Existen plsticos que presentan un
comportamiento termoplstico y otros que se comportan como termoestables.
Esto constituye de hecho la principal subdivisin del grupo de los plsticos y hace
que a menudo cuando se habla de "los termoestables" en realidad se haga
referencia slo a "los plsticos termoestables". Pero ello no debe hacer olvidar que
los elastmeros tambin se dividen en termoestables (la gran mayora) y
termoplsticos (una minora pero con aplicaciones muy interesantes).
2.4. ESTRUCTURA POLIMERA

2.4.3. Termoplsticos
Se ablandan con el calor, pudindose
moldear con nuevas formas que se
conservan al enfriarse. Es debido a que las
macromolculas estn unidas por dbiles
fuerzas que se rompen con el calor.
Enumeracin:
Polietileno (PE)
Polipropileno (PP)
Poliestireno (PS)
Cloruro de polivinilo (PVC)
Metacrilato
Tefln
Celofn
Nailon o poliamida (PA)

2.4.4. Termoplsticos

Polietilentereftelato (PET)
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ESTRUCTURAS



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Polietileno de alta densidad(HDPE)
Cloruro de polivinilo (PVC)
Polietileno de baja densidad(LDPE)
Polipropileno (PP)
Poliestireno (PS)
Otros: Metacrilato, Tefln, Celofn,
Nailon o poliamida (PA)

2.5. ESTRUCTURA DE DIFERENTES POLMEROS
























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ESTRUCTURAS



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Estructura
Los PHA son polmeros lineales de (R)-3-hidroxicidos en los cuales el grupo carboxilo de
un monmero forma un enlace tipo ster con el grupo hidroxilo del monmero siguiente
Su sntesis se realiza a partir de monmeros provenientes de distintos caminos
metablicos, y su despolimerizacin produce diferentes compuestos que son
metabolizados como fuente de carbono y energa.




Los PHA se depositan intracelularmente en formas de cuerpos de inclusin y pueden
llegar a representar ms del 90% del peso seco celular

La sntesis de PHAs se puede llevar a cabo en bacterias o plantas. Comenzaremos por las
bacterias en primer lugar y desarrollaremos la sntesis de PHAs en plantas en el
siguiente apartado.












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ESTRUCTURAS



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Polmero Estructura
Carga
rotura
(MPa)
Alarg.
(%)
Mdulo de
elasticidad
(GPa)
Densidad
(Mg/m
3
)
Temp.
def. por
calor a
455 kPa
Aplicaciones
Polietileno (PE)
Baja densidad
Alta densidad





8-21
21-38
50-800
15-130
0.1-0.28
0.4-1.20
0.92
0.96
42
85
Embalaje, aislantes
elctricos, artculos
del hogar, botellas
Policloruro de
vinilo (PVC)

34-62 2-100 2.1-4.10 1.40 -
Tuberas, vlvulas,
revestimientos de
suelos, aislantes
elctricos,
revestimientos de
automviles
Polipropileno (PP)

28-41 10-700 1.1-1.5 0.90 115
Tanques, embalaje,
fibras para ropa y
sobrenvolturas
Poliestireno (PS)

22-55 1-60 2.6-3.1 1.06 82
Embalaje y espumas
aislantes,
revestimientos de
automviles,
electrodomsticos y
utensilios de cocina
Policloruro de
vinilideno
(PVPS)

24-34 160-240 0.3-0.55 1.15 60
Embalaje, tuberas,
chubasqueros
Poliacrilonitrilo
(PAN)

62 3-4 3.5-4.0 1.15 78
Fibras textiles,
precursor de fibras
de carbono,
embalaje de
alimentos
Polimetil-
metacrilato
(PMMA)

41-82 2-5 2.4-3.1 1.22 93
Acristalamiento de
vehculos, lentes de
contacto,
iluminacin
exterior, seales
publicitarias,
pantallas de
seguridad, gafas
protectoras.
Policlorurotri-
fluoretileno

31-41 80-250 1.0-2.1 2.15 125
Aislante elctrico,
componente de
vlvulas, juntas.
Politetrafluor-
etileno (PTFE)

14-48 100-400 0.41-0.55 2.17 120
Cierres, juntas,
vlvulas, anillos de
estancamiento,
recubrimientos
antiadherentes.
Polioximetileno
(Acetales)
(POM)

65-83 25-75 3.6 1.42 165
Cojinetes,
engranajes,
bolgrafos, fijacin
de caeras, aletas
de ventiladores.
Poliamida (PA)
(Nylon)

76-83 60-300 2.8-3.4 1.14 245
Cojinetes,
engranajes, fibras,
textil, componentes
de automviles y
componentes
elctricos.
Ftalato de
polietileno,
polister (PET)

55-72 50-300 2.8-4.1 1.36 38
Fibras, pelculas
fotogrficas, cintas
audio, recipientes
para bebidas y
comidas
precocinadas.
Policarbonato
(PC)

62-76 110-130 2.1-2.8 1.2 138
Componentes y
herramientas
elctricas
domsticas, lentes,
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ESTRUCTURAS



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21
material
antivandlico.
Celulosa

14-55 5-50 1.4-1.7 1.30 67
Textiles (rayn),
embalaje (celofn),
adhesivos,
recubrimientos,
pelculas
fotogrficas, gafas
de seguridad.
Poliimidas (PI)

76-117 8-10 2.1 1.39 320
Adhesivos, circuitos
impresos, fibras
para equipos
aerospaciales.
Polieter-
etercetona (PEEK)

70 50-150 3.8 1.31 160
Aislamientos
elctricos y
recubrimientos para
altas temperaturas.
Sulfuro de
polifenileno (PPS)

65.5 1-2 3.3 1.3 135
Revestimientos,
componentes
elctricos y
electrnicos.
Polietersulfona
(PES)

84 30-80 2.4 1.37 200
Componentes de
electrodomsticos,
componentes de
microondas.
Poliacritalo

62 50-65 2.2 1.21 180
Seales de trfico,
componentes de
microondas.
Polieterimida
(PEI)

105 60 2.9 1.27 210
Elctricas,
automocin y
componentes de
motores a reaccin.
Poliamida-imida
(PAI)
117-186 15 4.1-5.0 1.39 267
Componentes
electrnicos,
aplicaciones en
automocin y
aerospaciales.


2.3.1. POLIETILENO: Existen dos tipos de PE, el de baja densidad, LDPE y el de alta
densidad, HDPE. El de baja se caracteriza por tener una estructura de cadena
ramificada, menor grado de cristalinidad y densidad, mientras que el de alta
presenta generalmente una estructura de cadena lineal, con mayor cristalinidad y
ms alta resistencia. La estructura de la cadena del PE se esquematiza en la figura
15.7, as como algunas de sus propiedades.


2.3.2. ACRLICOS: El polmero ms extendido de este grupo es el polimetacrilato
de metilo, PMMA, que es un termoplstico duro, rgido, transparente y de buena
resistencia atmosfrica. Se conoce con el nombre comercial de Plexiglas o Lucite.
La presencia de los grupos metilo y metacrilato sobre el mismo carbono de la
cadena determina un impedimento estrico importante, por lo que es rgido y
relativamente fuerte, dotado de una alta resistencia qumica, alta transparencia y
completamente amorfo.

2.3.3. FLUORPLASTICOS: Presentan uno o ms tomos de F en el monmero lo
que proporciona unas propiedades muy especiales, destacando su uso como
aislante, y sus excelentes propiedades autolubricantes por su bajo coeficiente de
friccin.
El polmero ms extendido es el politetrafluoretileno, PTFE o tefln..

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ESTRUCTURAS



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3. MATERIALES SEMICONDUCTORES
La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de
semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en
un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los componentes desde un punto
de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales
de este tipo de materiales.
Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de
ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se
comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse esta
situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores.
Los materiales semiconductores de uso comn en la tecnologa microelectrnica son el silicio, el
germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la tabla peridica, o bien
combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el ms empleado actualmente es
el silicio, por lo que la discusin en este tema va a estar centrada en dicho elemento. No obstante
la gran mayora de lo aqu expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor.
3.1. INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES
Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una
hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores
provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los dopados.
Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la tasa de pares
electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la temperatura es lo
suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores
presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor
es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es de tipo N P: es
la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar correctamente. En
el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.
3.2. CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES
Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos
tipos de corrientes:
Corrientes por arrastre de campo
Corrientes por difusin
En los siguientes sub apartados se explica cada uno de estos tipos de conduccin.
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ESTRUCTURAS



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3.3. TIPOS DE SEMICONDUCTORES
3.3.1. Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de
1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.










Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de
conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este
fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargaspositivas), se cumple que:
n
i
= n = p
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ESTRUCTURAS



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Siendo n
i
la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de n
i
a temperatura ambiente (27 C):
n
i
(Si) = 1.5 10
10
cm
-3

n
i
(Ge) = 2.4 10
13
cm
-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos
(2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.
3.3.2. Semiconductores Extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir
impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin
del material.
3.4. ESTRUCTURA DE UN METAL









3.5. ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR

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ESTRUCTURAS



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3.6. ESTRUCTURA DEL SILICIO
El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo elemento
ms abundante en la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un porcentaje en peso
del 25,7%. Est presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla,
el vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las
condiciones adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras monocristalinas. En
stas los tomos se disponen segn una red tipo diamante con simetra cbica, en donde
cada tomo forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes. As todos los tomos
tienen la ltima rbita completa con ocho electrones (Figura 1).

Figura 1: Estructura cristalina del silicio puro
En la figura se aprecia que todos los electrones de valencia estn asociados a un enlace
covalente. Por tanto, al no existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K se
comporta como un material aislante.
3.6.1. PORTADORES DE CARGA. EL ELECTRN Y EL HUECO
En los materiales conductores la circulacin de corriente es posible gracias a la
existencia de electrones libres. En los semiconductores tambin son los electrones
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ESTRUCTURAS



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los responsables de la corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de
un enlace covalente y no de una nube electrnica, el fenmeno es ms complejo, y
para su explicacin se introduce un nuevo portador de carga ficticio: el hueco.
3.6.2. GENERACIN TRMICA DE PORTADORES. EL ELECTRN Y EL HUECO
Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la
energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:
1. Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de
un campo elctrico.
2. En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga
negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco.
Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni
perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor
nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros iguales,
porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco. Un
semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se denomina intrnseco.
Recapitulando, los semiconductores se diferencian:
de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el
semiconductor que en el aislante. As a temperatura ambiente el primero
dispone ya de portadores libres.
de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de
carga: el electrn y el hueco.
En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a
temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta
resistividad.
3.6.3. RECOMBINACIN DE PARES ELECTRN-HUECO
Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si
un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar
atrapado en l. A este fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la
desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior,
el material mantiene su neutralidad elctrica.
3.6.4. IMPURIFICACIN O DOPADO DE LOS SEMICONDUCTORES
En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de electrones
pueden alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos
llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina. Como veremos a lo
largo de este curso, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la
existencia de circuitos electrnicos integrados.
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ESTRUCTURAS



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La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por encima de 0 K
consideramos la presencia de impurezas en el silicio?. Supongamos que sustituimos
un tomo de silicio (que pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V),
pentavalente. Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces covalentes
con los tomos de silicio adyacentes, un electrn quedar libre. Teniendo en cuenta
esto, es fcil deducir que es lo que ocurrir si se sustituye un tomo de silicio por
otro de un elemento perteneciente al grupo III, el boro por ejemplo: evidentemente
se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta tres electrones de valencia. Las
dos situaciones se clarifican en la Figura 2.

Figura 2: Introduccin de impurezas en el silicio
Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada pueden modificarse
las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de
dopado tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o
electrones respectivamente.
Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura mayor que cero
este material estar formado por:
Huecos procedentes del dopado.
Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e
-
/h
+
.
Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e
-
/h
+
.
Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.
Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal que los huecos
procedentes de l superan en varios rdenes de magnitud al resto de portadores.
Ello confiere el carcter global P del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta
que existen electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios, y
los electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N, los portadores
mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios los huecos. Con la tabla
siguiente se pretende rematar estos conceptos.
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ESTRUCTURAS



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Material
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos
Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global
del material
3.7. SEMICONDUCTOR TIPO N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
c
a
r
g
a

l
i
b
r
e
s (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido
comomaterial donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn
no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
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ESTRUCTURAS



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en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
3.8. SEMICONDUCTOR TIPO P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de
p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

d
e carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un
tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica
(ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.
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-
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ESTRUCTURAS



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BIBLIOGRAFA

Estructura atmica de elementos semiconductores TIC CIRCUITOS
ANALOGICOS_files
Albella J. M, y Martnez-Duart, J.M. Fundamentos de electrnica fsica y
microelectrnica. Ed. Addison Wesley/UA Madrid, 1996
http://www.textoscientificos.com/imagenes/quimica/variacion-conductividad.gif
http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/456727 (Fisica del estado slido).
http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/67/Celdi1.PNG
http://www.politecnicocartagena.com/img%20dto%20fisica/semiconductores.ppt
file:///C:/Users/SERVICOM/Downloads/semiconductores/Semiconductores.htm
file:///C:/Users/SERVICOM/Downloads/semiconductores/MATERIALES%20SEMICO
NDUCTORES.htm