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Tema 7

Estructura de los materiales.




Metales.
Todos los metales son materiales cristalinos, es decir, sus tomos estn ordenados
siguiendo un patrn definido.

Esquema de la estructura de un metal

Poseen enlace metlico. En este enlace, los electrones de valencia de los tomos se
separan del ncleo, teniendo la facultad para moverse libremente en todo el material
razn por la cual se le llaman electrones libres. Los electrones libres se comportan
como si fueran una nube que mantiene unidos a los iones positivos que quedan cuando
los tomos pierden sus electrones de valencia. La mejor analoga consiste en
imaginarse que los electrones son una masa de plastilina y los iones positivos son
chibolas. La masa de plastilina al mezclarse con las chibolas evita que stas se
separen, dando cohesin al material.

El enlace metlico es no-direccional. Esto hace que las dislocaciones se puedan
desplazar en los metales con facilidad. Por esa razn, los metales son materiales
dctiles. Adems, la no-direccionalidad de los enlaces tambin facilita la difusin de los
tomos en la estructura cristalina. Por esa razn, los metales pueden cambiar sus
propiedades por medio de tratamientos trmicos. Un tratamiento trmico no es ms
que un proceso de calentamiento y enfriamiento controlado de modo que se modifique
la microestructura del metal.

Para aplicaciones de ingeniera, los metales normalmente se utilizan aleados. Debido a
esto, poseen varias fases en su estructura microscpica.

Cermicas.
La gran mayora de materiales cermicos son cristalinos. La estructura cristalina de las
cermicas suele ser bastante compleja.

Las cermicas poseen enlace inico. Este enlace consiste en que uno de los tomos
pierde uno o varios electrones cedindolo a otro tomo diferente. El tomo que pierde
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el electrn queda con carga positiva mientras que el tomo que lo gana adquiere carga
negativa. La cohesin del material resulta de la atraccin electrosttica que ejercen las
cargas elctricas de signo contrario. Los iones deben estar colocados de manera
ordenada en los puntos de red del material de modo que ste sea elctricamente
neutro.


Esquema de la estructura de una cermica

En los materiales cermicos, el deslizamiento de las dislocaciones es muy difcil debido
a que debe mantenerse la neutralidad elctrica del material. Esto hace que los
materiales cermicos no posean ductilidad. Adems, la difusin tambin es muy difcil
por la misma razn, no teniendo ningn sentido tratarlos trmicamente para cambiar su
microestructura.

Polmeros.
Los polmeros son materiales formados por molculas muy largas.


Esquema de una molcula de polietileno

Los tomos que forman la molcula estn unidos entre s por enlaces covalentes.
Estos enlaces son direccionales lo que hace que la mayora de molculas tiendan a ser
rizadas.


Los enlaces direccionales hacen que la molcula no sea recta, sino que tienda a rizarse

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El material polmero est formado por una gran cantidad de molculas de longitud
diferente enredadas entre s.

Las molculas se enredan dndole cohesin al material

La cohesin y resistencia del material dependen de que tan enredadas estn sus
molculas. Generalmente entre ms largas son las molculas, mejor se enredan y el
material posee mayor resistencia. Si las molculas son cortas, no pueden enredarse
bien y el material se deforma con facilidad.

Debido a que las molculas normalmente estn enredadas, es muy difcil que los
materiales polmeros formen estructuras cristalinas. La mayora de polmeros son
amorfos o a lo sumo semicristalinos.

Materiales compuestos.
Estos materiales poseen mltiples fases. Sus propiedades dependen
proporcionalmente de las propiedades y la cantidad de las fases que lo forman. Por esa
razn, las fases se combinan en la cantidad adecuada para obtener las propiedades
que se deseen.

Un ejemplo de un material compuesto sera mezclar hilos metlicos con un material
polmero. Los hilos le proporcionan resistencia al material, mientras que el polmero le
proporciona un peso bajo. Combinando la cantidad correcta de hilos y polmero, se
puede obtener un material de buena resistencia y bajo peso.

La mayora de materiales compuestos est formado por dos fases. Una de ellas se
llama la matriz. La matriz es la fase contnua y generalmente se encuentra en mayor
cantidad en el material. La otra fase se llama fase dispersa, y es rodeada por la matriz.

Las propiedades fsicas del material dependen de las propiedades de cada fase, su
cantidad relativa en el material y la geometra de la fase dispersa.

Los materiales compuestos pueden clasificarse de la siguiente manera:
Reforzados con partculas
Reforzados con fibras
Estructurales

Semiconductores.
Son materiales cuya conductividad elctrica es menor que la de los metales, pero que
sin embargo poseen caractersticas elctricas muy particulares que los hacen muy tiles
en aplicaciones electrnicas.

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Las propiedades elctricas de los semiconductores dependen significativamente de la
presencia de pequeas cantidades de impurezas. Controlando la cantidad y el tipo de
impurezas, se pueden controlar las propiedades elctricas.

El fenmeno de semiconductividad consiste en que el material puede comportarse
como conductor elctrico o como aislante dependiendo de los estmulos externos que
reciba. La semiconductividad puede ser de dos tipos:
Intrnseca: cuando el comportamiento elctrico se basa en la estructura
electrnica propia del metal puro.
Extrnseca: cuando las propiedades elctricas estn definidas por la presencia de
impurezas.

En todos los materiales conductores, semiconductores y en muchos materiales
aislantes, la conduccin elctrica es causada por el flujo de electrones que se da en el
material cuando se aplica un campo elctrico. La magnitud de la conductividad elctrica
del material depende significativamente del nmero de electrones disponibles para
participar en el proceso de conduccin. No todos los electrones que posee un tomo
son capaces de ser acelerados por la presencia de un campo elctrico. El nmero de
electrones disponible para la conduccin elctrica en un material en particular se
relaciona con el arreglo de los electrones en estados o niveles de energa y con la
manera como dichos estados son ocupados por los electrones. Una explicacin
detallada de estos temas es complicada y requiere de principios de mecnica cuntica
los cuales estn ms all de los objetivos de este curso. A continuacin se describe un
modelo que omite muchos conceptos de mecnica cuntica y simplifica otros.

Los electrones de un tomo ocupan niveles de energa por todos ya conocidos. Estos
niveles son vlidos cuando el tomo se encuentra aislado. Para cada tomo aislado
existen niveles y subniveles de energa discretos, los cuales pueden estar ocupados por
electrones. Los niveles se designan por nmeros enteros (1, 2, 3, etc) y los subniveles
por letras (s, p, d y f). Para cada uno de los subniveles s, p, d y f existen
respectivamente uno, tres, cinco y siete estados de energa. Los electrones en la
mayora de tomos llenan los estados comenzando por aquellos que poseen menor
energa. Cada estado es ocupado por dos electrones con spin opuesto, de acuerdo al
principio de exclusin de Pauli.

Un material slido est compuesto por un gran nmero de tomos. Digamos por
ejemplo que un material est compuesto por N tomos los cuales se encuentran
inicialmente separados unos de otros. Los N tomos se acercan y se juntan para
formar la estructura cristalina del material. Cuando la distancia de separacin es
relativamente grande entre los tomos, cada tomo es independiente de los otros y
tendr los niveles de energa y la configuracin de los electrones de un tomo aislado.
Sin embargo, a medida los tomos se acercan, sus electrones son perturbados por los
electrones y ncleos de los tomos adyacentes. La perturbacin es tan significativa que
cada estado de energa de los electrones se divide en una serie de estados muy
cercanos unos de otros, formando lo que llamamos la banda de energa de los
electrones. La magnitud en que se dividen los estados de energa depende de la
separacin entre los tomos y comienza con los niveles de energa ms externos, ya
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que stos son los primeros en ser perturbados por los tomos adyacentes. Dentro de
cada banda, los estados de energa son discretos, sin embargo la diferencia entre
estados adyacentes es muy pequea. Cuando los tomos se encuentran a su distancia
de equilibrio, la formacin de bandas para los niveles cercanos al ncleo puede no
darse, formndose espacios vacos o gaps entre bandas adyacentes. Normalmente
las energas que se encuentran dentro de estos espacios vacos no estn disponibles
para que las ocupe un electrn. La figura a continuacin muestra la forma convencional
de representar las bandas de energa para un material slido.




Las propiedades elctricas de un material slido son consecuencia de la estructura de
bandas que forman sus electrones, es decir, de la forma como quedan arregladas las
bandas exteriores y de la manera como stas son ocupadas por los electrones. La
banda que contiene los electrones con la mayor energa o electrones de valencia se
llama banda de valencia. La banda de conduccin es la banda que le sigue y que
corresponde a niveles de energa mayores. En la mayora de casos, la banda de
conduccin se encuentra vaca.

La estructura de las bandas de energa depende de la temperatura. A cero grados
Kelvin pueden existir cuatro configuraciones diferentes de estos niveles de energa.


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a) Estructura caracterstica de los metales como el cobre. Existen estados de energa
disponibles por encima y adyacentes a los estados llenos en la misma banda (banda
de valencia).
b) Estructura caracterstica de metales como el magnesio. La banda de valencia se
traslapa con la banda de conduccin, la cual se encuentra vaca.
c) Estructura caracterstica de los aislantes elctricos. La banda de valencia est llena,
pero est separada de la banda de conduccin vaca por un gap relativamente
grande (> 2eV).
d) Estructura caracterstica de los semiconductores. Es la misma estructura de los
aislantes con la diferencia que el gap es menor (< 2eV).

En este esquema, la energa que corresponde al nivel ms alto que esta lleno con
electrones se llama la Energa Fermi, y se representa por Ef. Solamente aquellos
electrones que posean energa mayor que la Energa Fermi pueden ser acelerados por
un campo elctrico. Estos son los electrones que participan en el proceso de
conduccin y se llaman electrones libres.

En los metales, para que un electrn se convierta en un electrn libre, debe recibir
energa para trasladarse a uno de los estados disponibles por encima de la Energa
Fermi (Ef). Debido a que en los metales existen bandas disponibles adyacentes al
ltimo nivel lleno, se necesita muy poca energa para enviar al electrn a la banda de
conduccin. Por lo general, la energa suministrada por el campo elctrico aplicado es
suficiente para enviar a grandes cantidades de electrones a la banda de conduccin.

Para el caso de los aislantes y semiconductores, no hay disponibles estados vacos
adyacentes a la banda de valencia llena. Para que un electrn se vuelva libre, debe
saltar el gap para llegar a los estados vacos. Esto solamente es posible dndole al
electrn una cantidad de energa igual a la diferencia de energas entre los dos estados.
Como se puede ver de los esquemas, los semiconductores requieren recibir menos
energa que los aislantes. Esta energa de excitacin puede ser suministrada por una
fuente no elctrica como el calor o la luz.

El nmero de electrones que pueden ser enviados a la banda de conduccin por medio
de energa trmica (calor) depende de la energa del gap as como tambin de la
temperatura. A cierta temperatura, entre mayor es el gap menor es la probabilidad de
que un electrn de valencia pueda ser enviado a un estado de energa dentro de la
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banda de conduccin, resultando esto en menos electrones para la conduccin. En
otras palabras, entre mayor es el gap, menor es la conductividad elctrica a una
temperatura especfica. La diferencia entonces entre semiconductores y aislantes
reside en el tamao del gap. Para los semiconductores el espacio vaco entre las
bandas es pequeo, mientras que para los materiales aislantes es muy grande.

Cuando se incrementa la temperatura de un semiconductor o un aislante, la energa
trmica disponible para excitar a los electrones tambin se incrementa. Un nmero
mayor de electrones es enviado a la banda de conduccin, lo cual produce un aumento
en la conductividad elctrica del material.
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