Apontamentos de Eletrnica

(Verso 0.1)









Pedro Guedes de Oliveira
Dinis Magalhes Santos

















Fevereiro, 2014


Prefcio verso 0.1
Nesta 2 verso, apenas acrescentmos um ndice geral e o captulo 9, referente aos transstores bipolares de
juno.


Prefcio verso 0.0
1. Este texto, que apresentamos sob a forma de apontamentos na Verso 0.0, , esperamos ns, uma espcie de
prottipo do que vir a ser um manual visando o estudo da eletrnica bsica a nvel do ensino superior.
Na realidade, quase todos os cursos de Engenharia Eletrotcnica tm, independentemente da subespecialidade,
duas disciplinas bsicas de eletrnica, embora, muitas vezes, com matizes diferentes. Este texto, com o atual
formato, visa a primeira dessas disciplinas que, no caso do MIEEC da FEUP constitui a Eletrnica 1. A sua
continuao est em elaborao, visando cobrir toda a matria do que poder ser, de modo genrico, o contedo
dessas duas disciplinas.
Nesta Verso 0.0 e mesmo visando apenas a Eletrnica 1, faltam ainda os captulos finais dedicados ao estudo
dos transstores bipolares de juno que, esperamos, sejam em breve anexados no que ser a Verso 0.1.
2. Algum do material, nomeadamente o captulo 2 e parte do captulo 3 j havia sido apresentado em formato
semelhante, em apontamentos de apoio ao estudo da disciplina. O restante material essencialmente novo.
Nestes dois captulos, a matria versada deve j ser do conhecimento dos alunos, nesta fase do curso e apenas
nos parece ser til uma reviso introdutria matria que se segue. Da que as explicaes dadas sejam, em
geral, muito sucintas e abreviadas.
Isto no , contudo, exatamente verdade nas seces 3.2 e 3.3 do terceiro captulo: a apresentao do diagrama
de Bode vai um pouco para alm do que requerido pela matria que se segue e, como veremos, ser
particularmente til quando, mais tarde, introduzirmos a retroao e a sua influncia sobre a resposta em
frequncia dos circuitos. Bem assim, a introduo, neste captulo, do mtodo das constantes de tempo, pode
parecer um pouco prematura relativamente compreenso da sua utilidade. Contudo, parece-nos o stio
adequado e lgico para a sua apresentao, ainda que possa no ser, de imediato, muito explorado e venha a ser
revisitado mais tarde, a propsito da anlise dos circuitos com transstores, representados pelos seus modelos.
3. A ordenao da matria e o nvel da abordagem corresponde ao modo como a Eletrnica tem vindo a ser
ensinada, na FEUP. O texto , estamos confiantes, suficiente para uma adequada aprendizagem da matria.
Contudo, faltam ainda exemplos de aplicao e exerccios propostos e resolvidos. Tal material, para efeito do
estudo corrente, existe em abundncia na pgina da disciplina, sob a forma de exames ou testes propostos e,
frequentemente, resolvidos. Estes exemplos ajudam tambm o aluno a inteirar-se do nvel de conhecimentos e de
compreenso da matria, que se pretende.
4. Uma ltima nota , ainda, necessria a propsito da linguagem e da notao:
Infelizmente, a literatura tcnica, em portugus, no suficientemente densa para cunhar uma terminologia e h
grandes divergncias causadas, em geral, por hbitos e culturas locais.
Um exemplo disso o modo como se traduz feedback. As designaes realimentao, retroao,
retroalimentao e, at reao, tm sido por vezes usadas. No presente texto optmos pela designao
retroao no s porque nos parece caraterizar bem o efeito (ao contrrio, p.ex. de realimentao) e tambm
porque facilita o uso do termo proao para designar o que, na literatura inglesa, referido como
feedforward.
Tambm, quanto aos ndices, decidimos manter os que correspondem, em geral, a iniciais de palavras inglesas.
Assim, usamos os ndices i e o para entrada e sada (do ingls in e out) ou g e s para, por exemplo,
nos MOSFET, designar a tenso v
gs
entre porta (gate em ingls) e fonte (source , em ingls).
Mantivemos a designao cascode que o neologismo ingls para referir uma configurao que correspondia a
cascaded triodes having similar characteristics to a pentode"
1
.
ainda natural que uma ou outra vez apaream termos em ingls, que se tornaram hbito comum na comunidade
cientfica e tcnica nacional.
5. Finalmente, como evidente, o texto destina-se sobretudo aos alunos a quem pedimos e de quem esperamos
sugestes e crticas que nos possam ajudar a melhora-lo.

Agradecimentos
Uma especial referncia e um profundo agradecimento so devidos ao Prof. Franclim Ferreira com quem um de ns
(PGO) partilhou, durante anos, a regncia da disciplina, pelos extraordinrios contributos para o ensino e mesmo
pela responsabilidade em parte significativa do que constitui agora o captulo 2 e parte do captulo 3.
Um agradecimento tambm ao Prof. Vtor Tavares e ao Eng. Cndido Duarte pelo modo como nos tm ajudado a
estruturar o ensino e tambm pelas revises e crticas ao nosso texto.


Fevereiro de 2014

Pedro Guedes de Oliveira Dinis Magalhes Santos
Professor do DEEC da FEUP Professor do DETI da UA


1
Hickman, R. W. and Hunt, F. V., "On Electronic Voltage Stabilizers", Review of Scientific Instruments, vol. 10, p. 6-21 (January 1939)
ndice
1 Introduo
1.1 Amplitude e frequncia dos sinais 1-4
1.2 Filtragem 1-5
1.3 Modulao de amplitude e frequncia 1-6
1.4 Codificao do sinal 1-6
1.5 Discretizao e digitalizao dos sinais 1-8
1.6 Amplificadores lineares 1-10
1.7 Dispositivos eletrnicos semicondutores 1-11
1.8 Tpicos envolvidos na anlise e sntese de circuitos eletrnicos 1-11
1.9 Limites ao mbito do nosso estudo 1-12
1.10 Desenvolvimento do presente texto 1-13
2 Tpicos de anlise de circuitos
2.1 Teoremas fundamentais dos circuitos eltricos 2-3
2.1.1 Leis de Kirchhoff 2-3
2.1.2 Teorema da sobreposio 2-3
2.1.3 Teoremas de Thvenin e de Norton 2-3
2.1.4 Teorema da absoro da fonte 2-5
2.1.5 Teorema de Miller 2-6
2.2 Redes lineares de dois portos 2-7
2.2.1 Os parmetros hh 2-8
2.2.2 Os parmetros gg 2-9
2.2.3 Relaes entre os parmetros hh e os parmetros gg 2-9
2.3 Mtodos de anlise de circuitos lineares 2-9
2.3.1 Mtodo das equaes nodais 2-9
2.3.2 Outros mtodos de anlise 2-10
3 Resposta no domnio do tempo e no domnio da frequncia
3.1 Resposta no domnio do tempo de circuitos RC 3-3
3.1.1 O circuito RC passa-alto 3-3
3.1.2 O circuito RC passa-baixo 3-7
3.1.3 Resposta ao degrau de um integrador seguido de um diferenciador 3-10
3.1.4 Atenuadores 3-10
3.2 Resposta no domnio da frequncia: diagramas de Bode 3-12
3.2.1 Consideraes gerais sobre funes de transferncia 3-12
3.2.2 Os diagramas de Bode 3-13
3.2.3 Traado simplificado dos diagramas de Bode 3-16
3.2.4 Termos constantes (K). 3-17
3.2.5 Termos da forma j! ( )
i

3-18
3.2.6 Termos da forma
1
1+ j!T

3-18
3.2.7 Termos da forma , correspondentes a um par de polos complexos conjugados.
3.2.8 Nota Complementar: Relao entre o mdulo e a fase 3-22
3.2.9 Exemplos 3-23
3.3 Resposta no domnio da frequncia: Polos e zeros das funes de transferncia 3-29
3.3.1 O amplificador na zona de altas frequncias 3-30
3.3.2 Exemplo numrico para as altas frequncias 3-31

1
s
2
+
!
n
Q
s +!
n
2
3.3.3 O amplificador na regio das baixas frequncias 3-33
3.3.4 Exemplo numrico para as baixas frequncias 3-34
4 Amplificadores Operacionais (OpAmps)
4.1 Introduo 4-3
4.2 Configurao inversora e no inversora 4-4
4.2.1 Resistncia de entrada e de sada dos OpAmps 4-5
4.3 Circuito somador 4-5
4.4 Amplificador diferenciador e amplificador integrador 4-6
4.5 Amplificador de diferena 4-7
4.5.1 Ganho diferencial e em modo comum 4-8
4.6 Trs exemplos de circuitos com OpAmps 4-9
4.7 Limitaes dos OpAmps 4-13
4.7.1 Ganho finito 4-13
4.7.2 Ganho finito e funo da frequncia 4-14
4.7.3 Resistncias de entrada e sada no ideais 4-16
4.8 Outras limitaes dos OpAmps 4-17
4.8.1 Limitao de valor mximo da tenso: saturao 4-17
4.8.2 Limitao de valor mximo da corrente: slew rate 4-18
4.9 Questes relativas a tenses e correntes contnuas 4-19
4.9.1 Corrente de entrada e desvio de corrente 4-19
4.9.2 Tenso de desvio 4-19
5 Introduo aos semicondutores
5.1 Dopagem do Si 5-4
5.2 Deriva de portadores 5-5
5.3 Difuso de portadores 5-7
5.4 Relao de Einstein. 5-9
5.5 Juno PN, em circuito aberto 5-10
5.6 Juno PN inversamente polarizada 5-13
5.7 Capacidade da juno 5-14
5.8 Mecanismo de disrupo numa juno inversamente polarizada 5-15
5.9 Juno PN diretamente polarizada 5-15
5.10 Capacidade de difuso 5-17
6 Dodos e circuitos com dodos
6.1 Introduo 6-3
6.2 Condies de conduo do dodo de juno 6-3
6.2.1 Consideraes sobre polarizao e sinal 6-4
6.2.2 Variao dos parmetros com a temperatura 6-5
6.2.3 Cinco notas referentes a diferentes nveis de aproximao 6-5
6.2.4 Exemplo de clculo de polarizao de um dodo. 6-7
6.2.5 As aproximaes em engenharia 6-8
6.3 As diversas escalas de funcionamento dos dodos de juno 6-8
6.3.1 Aproximao das caratersticas do dodo em partes lineares 6-9
6.4 Retificao de meia onda 6-12
6.4.2 Retificao filtrada 6-13
6.5 Retificador de onda completa 6-18
6.5.1 Retificador em ponte 6-18
6.5.2 Retificador de onda completa, com transformador com ponto mdio 6-19
6.6 Dodo Zener 6-20
6.6.1 Caratersticas I(V) dos dodos zener 6-20
6.6.2 Variao da tenso de zener com a temperatura 6-21
6.7 Fontes de tenso estabilizada, usando dodos zener 6-22
6.7.1 Zener ideal 6-23
6.7.2 Zener real 6-25
6.7.3 Exemplo para anlise e dimensionamento 6-26
6.8 Circuitos limitadores com dodos 6-27
6.9 Circuitos de recuperao do zero 6-29
6.10 Multiplicadores de tenso 6-30
6.10.1 O gerador Cokcroft & Walton 6-30
7 Transstores de efeito de campo
7.1 Introduo 7-3
7.1.1 O transstor de efeito de campo, de juno (JFET) 7-3
7.1.2 O MOSFET 7-5
7.2 Estudo do MOSFET de enriquecimento 7-7
7.2.1 Anlise qualitativa da caraterstica iD (vDS) 7-7
7.2.2 Anlise quantitativa da caraterstica iD (vDS) 7-9
7.2.3 Caraterstica iD (vGS) em saturao 7-11
7.2.4 MOSFET canal p e MOSFET complementares (CMOS) 7-12
7.3 MOSFET de depleo 7-12
7.4 O JFET 7-13
7.5 Modulao de comprimento de canal 7-13
7.5.1 Modelo do MOSFET, em saturao 7-15
7.6 Comportamento dos MOSFET s altas frequncia 7-18
7.6.1 Capacidades internas do MOSFET associadas porta do MOSFET 7-18
7.6.2 Capacidades de juno 7-19
7.6.3 Modelo para sinal s altas frequncias 7-20
7.7 Consideraes gerais sobre polarizao de MOSFET 7-20
7.7.1 Clculo das tenses e correntes nos ns e ramos do circuito 7-21
7.8 Efeito de corpo 7-22
7.8.1 Modelo em p para sinal, com efeito de corpo 7-23
7.8.2 Modelo em p, tendo em considerao as capacidades intrnsecas e o efeito de corpo. 7-23
8 Circuitos bsicos com MOSFET
8.1 Configurao em fonte comum 8-4
8.2 Configurao em fonte comum com resistncia de fonte 8-7
8.2.1 Anlise a partir do modelo em ! 8-7
8.2.2 Anlise a partir do modelo em T. 8-8
8.2.3 Anlise com ro finita 8-9
8.2.4 Clculo da resistncia de sada 8-10
8.3 Configurao em dreno comum 8-11
8.3.1 Clculo do ganho 8-11
8.3.2 Clculo do ganho considerando ro 8-12
8.3.3 Resistncia de sada 8-12
8.4 Configurao em porta comum 8-13
8.4.1 Modelo simples, sem ro 8-13
8.4.2 Modelo com resistncia ro 8-14
8.4.3 Exemplos numricos 8-16
8.5 Comportamento das vrias configuraes s altas frequncias 8-16
8.5.1 Comportamento do circuito em fonte comum, s altas frequncias 8-17
8.5.2 Comportamento s altas frequncias da configurao em fonte comum com resistncia de fonte8-21
8.5.3 Comportamento s altas frequncias da configurao em dreno comum 8-23
8.5.4 Comportamento s altas frequncias da configurao em porta comum 8-23
8.5.5 Exemplos numricos 8-24
8.5.6 Algumas notas complementares 8-24
8.6 Comportamento dos circuitos s BF, tendo em conta as capacidades de acoplamento 8-24
8.6.1 Estudo da configurao em fonte comum, s baixas frequncias. 8-25
8.7 Anlise do efeito de corpo nas vrias configuraes bsicas com um MOSFET 8-27
8.7.1 Fonte comum com resistncia de fonte 8-28
8.7.2 Configurao em dreno comum 8-28
8.7.3 Configurao em porta comum 8-29
8.8 Configuraes bsicas com mais do que um transstor 8-29
8.8.1 Configurao cascode 8-29
8.8.2 Espelho de corrente 8-32
8.8.3 Par diferencial 8-34
8.8.4 Utilizao de fontes de corrente como carga ativa 8-39
9 Transstores bipolares de juno
9.1 Introduo 9-4
9.2 Estrutura e princpio de funcionamento do BJT 9-4
9.2.1 Primeira anlise do funcionamento de circuitos com transstores bipolares 9-7
9.3 Correntes no transstor bipolar 9-10
9.3.1 Distribuio de cargas e corrente de coletor 9-10
9.3.2 Corrente de base 9-12
9.3.3 Corrente de emissor. 9-12
9.3.4 Corrente inversa coletor base 9-12
9.4 Modelos do transstor bipolar de juno 9-13
9.4.1 Modelo para a polarizao direta 9-13
9.4.2 Polarizao inversa 9-14
9.4.3 Modelo de Ebers-Moll 9-15
9.4.4 Modos de funcionamento do transstor bipolar 9-16
9.4.5 Caratersticas tenso corrente 9-18
9.4.6 Modulao da largura de base: r
o
9-21
9.5 Modelo do transstor bipolar, para sinal 9-22
9.5.1 Modelo em !, para sinal 9-24
9.5.2 Modelo em T, para sinal 9-25
9.6 O parmetro b e os parmetros hh 9-26
9.6.1 Os parmetros hh 9-27
9.7 O transstor em saturao 9-28
9.8 Capacidades do transstor bipolar 9-29
9.8.1 Modelo ! para as altas frequncias 9-30
9.8.2 Parmetros do BJT s altas frequncias 9-31
9.9 Disrupo nos transstores BJT 9-32
Anexo A - Tecnologias
A.1 Introduo A- 2
A.2 Do silcio ao chip A- 2
A.3 Difuso e mscaras. A- 4
A.4 Tecnologia bipolar. A- 6
A.5 Tecnologias MOS e CMOS. A- 8
A.6 Tecnologia BiCMOS. A- 10
A.7 Interligaes e componentes passivos em circuito integrado. A- 10




1-1









Captulo 1







Introduo





1-2
ndice do Captulo 1
1 Introduo .............................................................................................................................................. 1-3
1.1 Amplitude e frequncia dos sinais ................................................................................................................. 1-4
1.2 Filtragem .......................................................................................................................................................... 1-5
1.3 Modulao de amplitude e frequncia .......................................................................................................... 1-6
1.4 Codificao do sinal ........................................................................................................................................ 1-6
1.5 Discretizao e digitalizao dos sinais ......................................................................................................... 1-8
1.6 Amplificadores lineares ................................................................................................................................ 1-10
1.7 Dispositivos eletrnicos semicondutores ..................................................................................................... 1-11
1.8 Tpicos envolvidos na anlise e sntese de circuitos eletrnicos ............................................................... 1-11
1.9 Limites ao mbito do nosso estudo .............................................................................................................. 1-12
1.10 Desenvolvimento do presente texto ........................................................................................................... 1-13




1-3
1 Introduo
Designaremos por Eletrnica um conjunto de tecnologias destinadas ao tratamento de informao por meios eltricos.
No estado atual da tcnica, o elemento material (hardware) que realiza essa funo essencialmente constitudo por
dispositivos semicondutores e elementos de circuito passivos.
Historicamente, a eletricidade foi utilizada pelo homem com dois objetivos principais: i) gerar, transportar, distribuir e
mesmo, em certos casos, armazenar, energia, ou, ii) produzir, processar, transmitir e armazenar informao. Neste texto
centraremos a nossa ateno na segunda aplicao, isto , no tratamento da informao. O veculo fsico que transporta
a informao designa-se por sinal e, no nosso caso, interessam-nos sobretudo os sinais eltricos. Qualquer grandeza
eltrica, por exemplo, tenso, corrente, frequncia ou fase, pode servir para transportar informao. Evidentemente que
h muitos sinais cuja natureza primeira no elctrica e, para que seja possvel o seu processamento atravs de sistemas
electrnicos, necessria a sua converso para o que so em geral usados os sensores e transdutores.
Portanto, a informao est contida em sinais e so esses sinais, uma vez convertidos em grandezas elctricas variveis
no tempo, que os sistemas electrnicos processam. Evidentemente, para construir esses sistemas, por vezes til
consider-los divididos em subsistemas e, destes, alguns visam o processamento propriamente dito enquanto que outros
so subsistemas auxiliares que lhes do suporte, nomeadamente fornecendo a energia que os alimenta.
Num mundo onde, hoje, a informao assume uma primordial importncia, convm explicitar aquilo de que estamos a
falar e como que os sinais lhe do suporte.
Em primeiro lugar e em geral, os sinais dizem respeito a informao primria: no o sentido de um artigo jornalstico
que constitui a informao que se mete num sistema electrnico, mas o desenho das suas letras, devidamente convertido
em grandeza elctrica. Este pode por exemplo ser transmitido distncia por um FAX. O mtodo simples de explicar:
um sensor de luminosidade percorre cada linha de texto detectando os claros e escuros e f-lo voltando ao princpio,
baixando umas dcimas de mm e percorrendo de novo (ver fig.1-1). Esses claros/escuros so convertidos num sinal
elctrico que, posteriormente, pode comandar uma caneta que, fazendo o mesmo percurso, escreve nos locais
correspondentes ao escuro e levanta nos claros.
Do mesmo modo, no a letra ou a msica de uma cano que constitui um sinal. Porm, a presso de ar que o som
correspondente produz (e que ativa o nosso aparelho auditivo) pode ser transformada num sinal elctrico, atravs de um
microfone e, posteriormente, gravada ou transmitida distncia.
Uma imagem fotogrfica ou de um filme (no h, deste ponto de vista, diferenas essenciais j que o filme apenas
representa uma sucesso de imagens estticas que, pela sua sucesso, do a iluso de movimento) pode ser convertida
Fig. 1-1 Codificao de um texto atravs de varrimento


1-4
num sinal por um sistema semelhante ao descrito para o FAX, com a diferena de que alm do branco e preto agora
interessa detectar os nveis de cinzento e tambm a cor respectiva, o que apenas depende do sensor de leitura e,
evidentemente, do sistema usado na reproduo.
J vemos, portanto, que podemos estar a lidar com informao cujo contedo semntico muito diverso mas que no
compete electrnica, que os v sempre como uma grandeza eltrica, na maioria dos casos uma tenso ou uma
corrente, que varia no tempo.
1.1 Amplitude e frequncia dos sinais
Duas coisas podem variar, contudo, significativamente: a intensidade do sinal e a sua velocidade. E isso tem enorme
importncia no desenho e no comportamento dos sistemas electrnicos. Em geral podemos dizer que se um sinal
demasiado pequeno, pode facilmente ser corrompido por variaes no controladas (a que, neste contexto, chamamos
rudo) e, se demasiado rpido, pode levar a alterao no seu processamento, pelas limitaes de velocidade de resposta
do sistema.
Todos ns estamos habituados a situaes dessas em que uma intensidade muito fraca ou uma frequncia muito elevada
podem mascarar os sinais: se, numa palestra, o orador fala muito baixo, qualquer pequeno rudo de fundo leva a no
percebermos o que est a dizer; ou se observamos a hlice de um avio que comea a rodar, quando atinge uma certa
velocidade o nosso sistema visual no consegue seguir o movimento e passado um certo limite, fica como um crculo
sombreado.
Ora, sabemos que um sinal varivel no tempo suscetvel de ter uma representao noutro domnio, o da frequncia em
que ele decomposto numa soma de sinusoides de amplitude e fase variveis
1
. Se o sinal peridico, essa soma
discreta e o intervalo entre as componentes de frequncia igual ao inverso do perodo. Se o sinal aperidico o que
equivalente a dizer que o perodo tende para infinito o somatrio transforma-se num integral e o espectro, quer nas
sua componentes de amplitude quer de fase, passa a ser contnuo.
Podemos, portanto, representar um sinal pelo seu espectro. Ora, h uma questo importante que que o espectro de um
sinal s pode ser finito se o sinal for infinito no tempo e vice-versa. Alm disso, as suas caractersticas s podem ser
obtidas depois de ter o sinal na sua integralidade. Portanto, enquanto um sinal est a acontecer, no podemos conhecer,
na totalidade e com preciso, o seu espectro.
Ento para que nos serve falar em espetro de sinais? Pois bem, a questo que todos os sistemas fsicos tm limitaes
na sua capacidade de responder a frequncias elevadas porque, mesmo no caso dos sistemas elctricos, a uma resposta
elctrica corresponde o movimento de cargas, para que as suas velocidades variem rapidamente a acelerao elevada e
esta est diretamente relacionada com a fora exercida. Ora, como as foras so sempre finitas, tambm o a acelerao
e, consequentemente a capacidade de responder a estmulos muito rpidos. Portanto, as componentes de maior
frequncia dos sinais, acima de certo valor, no so muito importantes no comportamento dos sistemas que tm de os
tratar.

1
A representao de um sinal no domnio da frequncia, aquilo que se chama o seu espectro de Fourier, ser j provavelmente do conhecimento dos
estudantes e ser uma questo a que voltaremos mais tarde.


1-5
Tomemos de novo como exemplo os sinais udio. O nosso sistema auditivo no capaz de reagir a frequncias
superiores a cerca de 15 a 17kHz. Isto quer dizer que sinais mais agudos do que isso (a altura do sinal est diretamente
ligada sua frequncia) no os ouvimos (ao contrrio dos ces que ouvem os chamados ultrassons, acima portanto,
daquelas frequncias). Ento, os nossos sistemas electrnicos no precisam, para processar sinais udio, de responder a
frequncias superiores quela. Alis, a partir de cerca de 3 kHz, o que ouvimos j no essencial para a inteligibilidade
do sinal, valendo apenas para a sua qualidade.
1.2 Filtragem
Coloquemos agora a seguinte questo: suponhamos que estamos num ambiente ruidoso em que os rudos so silvos
agudos (estas so, muitas vezes, condies reais). Ento, se tivermos um sistema capaz de retirar essas altas frequncias,
podemos vir a conseguir diminuir significativamente a perturbao que esse rudo criaria, apenas com o sacrifcio de
uma parte do sinal que no contm informao particularmente relevante. Chama-se a isso, filtrar: filtrar afinal
modificar a resposta do sistema a diferentes gamas de frequncia, por forma a obtermos um efeito desejado. Todos ns
estamos habituados a manipular os botes de treble e bass dos nossos amplificadores, para cortarmos ou
reforarmos os agudos ou graves da msica, ou para evitar rudos ou porque, simplesmente, nos agrada mais!
Num dado sinal, portanto, podemos limitar o conjunto de frequncias que o compem e o que vamos obtendo uma
imagem do mesmo sinal cada vez mais arredondada (ver fig.1-2), i.e. cada vez mais lenta onde as componentes
abrutas so atenuadas. um pouco o que se passa numa fotografia cuja representao, se for menos ntida, o que em
geral faz tornar os contornos mais difusos. Como parece lgico, a representao de variaes rpidas requer as
componentes de frequncia mais elevadas.
Na parte de cima da figura esto as formas que o sinal apresenta ao longo do tempo, quando as frequncias do seu
espectro so sucessivamente cortadas a um valor mais baixo (a curva a azul representa o corte nas frequncias). A
vermelho est representada a ao correspondente sobre a fase do sinal, assunto a que voltaremos mais tarde.
Nesta representao, menos precisa, do sinal, se umas vezes se retiram sobretudo componentes indesejadas, noutras
distorce-se o sinal diminuindo o contedo informativo. Isso poder significar, por exemplo, numa conversa telefnica,
que se perde a inteligibilidade do discurso.

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20
30
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Fig.2
Fig. 1-2 Filtragem de um sinal para frequncias sucessivamente menores


1-6
1.3 Modulao de amplitude e frequncia
Uma outra coisa de que muitas vezes precisamos transmitir os sinais distncia, por exemplo, atravs de um sistema
de telecomunicaes. Ento, com a distncia e atravs de meios que tm (sempre) atenuao (seja esse meio o ar seja
cabo de cobre ou fibra ptica), o sinal vai perdendo potncia. Ento, o que fazemos colocar sistemas no meio do
percurso para amplificar o sinal, isto , para, sem alterar a informao correspondente, lhe aumentar a potncia. Tal
consegue-se se, por exemplo, multiplicarmos por uma constante e, nessa altura dizemos que estamos a fazer uma
amplificao linear.
Alm disso, muitas vezes necessrio transformar o sinal num outro que permita, mais facilmente, ser transmitido
distncia. Como sabemos, os campos electromagnticos transmitem-se distncia de modo muito diferente consoante a
frequncia respetiva. Se tentssemos pr uma antena a transmitir um sinal elctrico diretamente com a frequncia udio,
no amos longe... O que h a fazer, ento, transformar um sinal num outro de frequncia adequada atravs de uma
operao designada por modulao.
Na fig. 1-3 est representada uma modulao de amplitude e outra de frequncia, i.e. em que na primeira a amplitude
da onda de maior frequncia proporcional amplitude da de menor frequncia e na outra a frequncia da maior
variada volta de um valor mdio, pela amplitude da outra. Num caso e noutro transmite-se a de maior frequncia e
possvel recuperar a amplitude da outra frequncia.
Assim sendo, o sinal modulado contm a informao do que o modula (e que o que, na realidade, pretendemos fazer
chegar ao destino) e para o que h mtodos relativamente triviais que permitem fazer essa recuperao.
Portanto, neste momento, j falmos de filtragem, modulao e amplificao. O papel deste meios de processamento de
sinal essencial e estaro sempre no pano de fundo do que formos falando sobre electrnica.
1.4 Codificao do sinal
Tambm j falmos em codificao, quando transformmos no exemplo do FAX, aquele texto numa sequncia de
nveis que variam no tempo. Note-se que s temos dois nveis, o que torna muito prtico pensar em termos binrios de
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Fig.3
Fig. 1-3 Sinais modulados em amplitude e frequncia


1-7
0 e 1, at porque, no exemplo apresentado, s temos preto e branco. Se tivermos cinzentos os dois nveis no
chegam. Aqui entra naturalmente a numerao binria em que podemos representar qualquer nmero (que poderia
representar esse tal nvel de cinzento) como uma lista ordenada de zeros e uns:
Decimal Binrio (8 bits)
51 00110011
122 01111010
205 11001101

Podemos ento, com este modelo, codificar os sinais em numerao binria e depois transmiti-los distncia de um
modo parecido com o que tnhamos com os sinais do FAX. (fig.1-4).
Repare-se que se inseriram mais duas linhas de sinal, para alm daquele que contem os 0 e 1: uma primeira que
indica quando que comea um smbolo novo e a 2 que indica os instantes de leitura, a que chammos relgio do
sistema. H outras maneiras mais eficientes de fazer isto do que esta que propomos e que obrigaria a enviar 3 sinais,
mas para j e do ponto de vista conceptual, isso no importante.
Qual a vantagem de fazer isto? Podamos ter enviado apenas 3 sinais com a mesma informao, desde que a sua
amplitude fosse proporcional ao nmero (sinal dito analgico), como na fig.1-5.
de facto verdade, mas h duas fortes razes para que se faa a transmisso codificada digitalmente.
i) A primeira que hoje em dia os sistemas mais eficientes so os processadores digitais que tratam os sinais como
sries (temporais) de nmeros escritos em binrio.


Fig. 1-4 Codificao binria
0
50
100
150
200
250
Fig. 1-5 Sinal analgico com nveis 51, 122 e 205


1-8

ii) A segunda que quando o sinal analgico transmitido, o rudo que possa aparecer, ou as distores ou qualquer
outro fenmeno irregular de atenuao, pode adulterar o sinal de forma definitiva e irrecupervel. Porm, na verso
digital se o rudo ou distoro no impedir de distinguir os 0s dos 1s sendo que uns ficam abaixo de um dado valor
e outros acima, no h qualquer perda de informao (fig. 1-6).
1.5 Discretizao e digitalizao dos sinais
Mas, como temos em geral conscincia, a maior parte das grandezas que nos do informao sobre o mundo que nos
rodeia analgica: a temperatura que varia constantemente ao longo do dia e do ano, os sons que ouvimos sejam
musicais, sejam falados a humidade, a luminosidade que nos permite ver, etc., so afinal sinais que podemos captar
com sensores e cuja traduo numa grandeza elctrica (o que em geral se faz e particularmente nos interessa a ns, que
vamos estudar electrnica) um sinal com variao contnua ao longo do tempo.
Contudo, sabemos que, a maior parte das vezes, se queremos fazer alguma coisa com essa informao (process-la),
teremos de a registar e, embora o possamos fazer continuamente com uma representao grfica, optamos muitas vezes
por fazer tabelas de medies. Por exemplo, das temperaturas ao longo do dia. E h algo de intuitivo que que se uma
grandeza no varia de modo demasiado rpido, podemos espaar essas medidas no tempo. Dificilmente acreditaramos
que valesse a pena estar a medir a temperatura minuto a minuto porque, provavelmente, raramente variaria; medimo-la,
por exemplo, de hora a hora e fazemos uma tabela. Estas duas operaes so muito importantes e correspondem a
discretizar o tempo (tomando medidas em intervalos regulares), fazendo aquilo a que chamamos amostrar o sinal e a
torna-lo num nmero. Esta lista de valores da tabela o que chamamos uma srie temporal. O perodo de amostragem
dever estar ligado rapidez do sinal ou seja, mxima frequncia relevante do seu espectro ou seja, aquela a partir
da qual a informao contida (medida, por exemplo em potncia) desprezvel. Amostrar sinais um primeiro passo
necessrio digitalizao, mas no o mesmo que digitalizao.
Digitalizar um sinal o equivalente a medi-lo numericamente. Quando dizemos que a temperatura de 15C, estamos a
transformar a grandeza num nmero, com limitaes quer quanto preciso do instrumento de medida quer resoluo
da maneira como o exprimimos. Com certeza que a temperatura no ser exatamente de 15C; ser, provavelmente,
15,237...C, mas no s uma tal preciso no possvel de obter como o prprio instrumento no ter a capacidade de a
avaliar. Contudo, temos a conscincia, tambm, de que isso no nos interessa, por exemplo se estivermos a fazer
observaes meteorolgicas. (Provavelmente a situao ser bem diferente se estivermos a obter medidas durante uma
qualquer experincia de fsica ou de qumica). Medir e indicar essa medida um processo de digitalizao.
Convertemos o sinal contnuo analgico numa srie (temporal) de nmeros.
Se, quanto ao perodo adequado para fazer a amostragem, existem mtodos que permitem determinar o seu valor com
base nas caractersticas do sinal (mtodos e leis, o chamado Teorema de Nyquist), a digitalizao exige sistemas
Fig.6 Fig. 1-6 Recuperao do sinal distorcido


1-9
electrnicos adequados (os conversores analgico-digitais, ADC, da terminologia inglesa Analog to Digital
Converter) que procuraremos, muito sucintamente descrever: estes sistemas baseiam-se em comparadores; o
comparador uma espcie de amplificador de duas entradas que amplifica a diferena dos sinais. Se essa amplificao
for grande, quando o sinal de entrada ultrapassa o valor que est na outra entrada (uma dada referncia) a sada d um
salto e permite perceber que esse valor foi atingido. Agora, suponham que usamos muitos comparadores, cada um dos
quais com uma referncia diferente e regular: numa qualquer unidade, os valores 1,2,3, ... Assim, o ltimo valor
ultrapassado pelo sinal (por exemplo o valor 15, naquela medida de temperatura que atrs referimos) indicar o valor
obtido.
Inversamente, ser necessrio, se quisermos que o nosso dispositivo electrnico que processou sinais digitais, no final
seja capaz de gerar um sinal analgico (os tais com que, na maior parte dos casos interferimos com o mundo que nos
rodeia) preciso fazer a converso em sentido contrrio: converso digital-analgica (vulgo DAC do ingls Digital to
Analog Converter).
Antes de ver como que isso se poder fazer, deixem-nos dar um exemplo que do conhecimento de todos. Desde h
muitos anos que a gravao de msica deixou, praticamente, de ser analgica (como era nos antigos discos de vinil)
para ser digital, nos CDs. So 0s e 1s que esto l gravados e que so lidos atravs da utilizao de um LASER. O
ritmo dessa leitura de 44 mil por segundo, que corresponde frequncia de amostragem que o tal Teorema de Nyquist
d como adequada para sinais cuja frequncia mais relevante anda pelos 15kHz, como anteriormente se referiu
2
.
O CD contm, ento, uma sequncia de nmeros que lida no leitor de CDs, depois processada digitalmente e, algures
no processo convertida de novo para analgica para poder dar um sinal que ligamos ou ao nosso auricular ou s colunas
do nosso sistema.
Como ento obtida essa converso? Admitamos, para simplificar, que o sinal est representado em numerao binria
(esta a realidade, em 99% dos casos). A cada bit do sinal corresponde um valor: o bit mais direita vale 1 ou 0,

2
Na realidade, o teorema de Nyquist o que diz que o valor mnimo da frequncia de amostragem para que, durante o processo de discretizao
temporal, no se perca informao, do dobro da frequncia mxima do espectro do sinal. Ora, como tambm referimos, no existe, na prtica, uma
frequncia mxima e, portanto, o que se faz neste caso admitir que a informao acima de certo valor no muito relevante (e por isso se limita,
com filtros na frequncia, o contudo de frequncia do sinal) como depois se usa alguma folga na amostragem, indo para frequncias um pouco
maiores do que o dobro da frequncia mxima.
Fig. 1-7 Sistema eletrnico para processamento de sinais analgicos


1-10
o segundo vale 2 ou 0, o terceiro, 4 ou 0 e assim sucessivamente em potncias de 2. Ora, se admitirmos que
temos sistemas electrnicos capazes de fazer a soma de tenses (e temos, efetivamente) tudo o que temos de fazer , nas
entradas desse somador, metermos uma tenso (ou corrente) elctrica cuja valor 0 V se o correspondente bit for 0 e
1 V, 2 V, 4 V, etc. se o valor for um na 1, 2, 3 etc. posies, a contar da direita.
Como teremos a oportunidade de discutir, aquando do estudo dos dispositivos electrnicos, estes podem funcionar
mantendo-se sempre a conduzir, variando, sob comando de uma varivel externa, o seu estado de conduo volta de
um dado ponto de corrente e tenso e, se essa variao for efetivamente pequena, sempre possvel, dentro de certas
aproximaes, supor que a curva que relaciona o sinal de comando e a variao do estado de conduo suscetvel de
ser substituda pela sua tangente, ou seja, supor uma variao linear.
Inversamente, se o sinal de comando forte (suficientemente forte) o dispositivo pode cortar ou conduzir fortemente,
um pouco como um interruptor que se abre ou se fecha. Aqui, os dois estados so muito claramente distinguveis e
facilmente se depreende que poder ser uma boa maneira de obter a representao dos 0s e 1s de que precisamos
para a representao digital binria. A eletrnica associada a estes sistemas permitir processar estas informaes de
modo adequado a fazer contas sendo esta a base daquilo que por vezes se chama a eletrnica digital a partir da qual
os computadores so feitos.
Sem que esta seja uma matria fundamental neste curso introdutrio, o funcionamento dos dispositivos entre o corte e a
conduo forte ser matria de estudo e dar-se-o alguns exemplos da sua utilizao em sistemas digitais.
1.6 Amplificadores lineares
Mas aquilo que nos vai ocupar, ao longo deste livro, a eletrnica que processa os sinais e esses so, em ltima
instncia, analgicos, i.e. so sempre tenses e correntes que variam continuamente no tempo; aquilo que pode ser
digital o que eles representam, no a sua natureza. E, para este fim, a electrnica que iremos estudar , em
praticamente todas as situaes, a eletrnica dos sistemas lineares em que pretendemos processar linearmente os sinais
elctricos. Em particular, convergiremos no estudo dos amplificadores lineares e, em especial, nos amplificadores
lineares de banda larga.
E o que que isso significa? Significa que so amplificadores em que existe uma banda de frequncia dos sinais, no
nula, dentro da qual o ganho e a alterao da fase introduzidas pelo amplificador so essencialmente constantes.
Chamamos a essa zona a zona de mdias frequncias, limitada esquerda e direita pelas baixas e altas frequncias,
respetivamente. Os conceitos de banda larga, baixas frequncias ou altas frequncias so estritamente relativos,
podendo uma zona de baixas frequncias de um dado amplificador ser superior, em frequncia, de altas frequncias de
um outro.
Por oposio aos amplificadores de banda larga teremos os amplificadores sintonizados em que queremos que a
amplificao se d, idealmente, a uma s frequncia, limitando o ganho, ou mesmo atenuando as componentes do sinal
noutras frequncias.
Um simples exemplo permite perceber a natureza, aplicabilidade e utilidade destes dois tipos de amplificadores:
suponhamos que transmitimos o sinal de uma dada emissora de rdio. Pelas razes acima mencionadas, o sinal udio


1-11
modular um sinal de muito mais alta frequncia que ser o que transmitido como radiao electromagntica. Ora, h
milhares de sinais rdio que o nosso receptor captar e, para selecionar aquela estao que queremos ouvir essencial
que separe a sua frequncia de outras de outras estaes. Todos ns sabemos que sintonizamos o nosso rdio numa ou
noutra estao cujas frequncias nos so anunciadas. Pois bem, para isso ser necessrio o amplificador sintonizado
(alm de filtros e outros componentes que mais tarde analisaremos), que separa essa emissora das outras. Uma vez isso
feito, separada a componente da envolvente (que corresponder ao udio) teremos agora de a amplificar e, para isso ser
essencial um amplificador de banda larga porque a entre os 50 Hz e os 15 kHz queremos que o nosso sinal udio seja
aumentado no seu volume sem ser distorcido.
, portanto e como se disse, destes amplificadores que iremos, sobretudo, tratar ao longo deste texto.
1.7 Dispositivos eletrnicos semicondutores
Mas, para chegar aos amplificadores, preciso passar por um processo que envolve, entre outros, os dispositivos e o seu
funcionamento.
Os dispositivos electrnicos que iremos estudar so dispositivos semicondutores, isto , construdos com base em
semicondutores, no nosso caso, essencialmente silcio (Si). Iremos ter a oportunidade de estudar a sua constituio,
admitindo que existem prvios conhecimentos de fsica dos semicondutores que apenas, de forma breve, reviremos.
Esses dispositivos sero a base da construo dos circuitos que iremos estudar e cujo comportamento aprenderemos a
analisar com vista no s compreenso dos circuitos que nos possam ser submetidos como ao projeto de outros
visando funes e comportamentos previamente propostos.
1.8 Tpicos envolvidos na anlise e sntese de circuitos eletrnicos
Para ser capaz de projetar circuitos e compreender detalhadamente o seu funcionamento, preciso o domnio de um
conjunto de matrias e tcnicas, entre as quais as seguintes:
Sinais e seu processamento, sua representao, transformadas de sinais e sua representao noutros
domnios, etc.
Circuitos eltricos e eletrnicos, leis dos circuitos, principais teoremas e sua aplicao na anlise e
determinao das caractersticas e funcionamento dos circuitos. O domnio da anlise de circuitos
determinante para a aprendizagem da eletrnica at porque, como veremos, mesmo os dispositivos
eletrnicos que iremos estudar sero modelados por circuitos de parmetros concentrados (resistncias,
condensadores, fontes de tenso e de corrente controladas, essencialmente) o que reduz o uma parte do
estudo dos sistemas, ao estudo dos circuitos.
Teoria dos sistemas, seu funcionamento enquanto operadores, no domnio da frequncia, respostas
estacionrias e transitrias, determinao de polos e zeros dos sistemas e sua influncia no comportamento
dos mesmos, estabilidade na frequncia, etc.
Os dispositivos eletrnicos, em si mesmos, concretamente dodos, transstores bipolares, transstores de
efeito de campo. necessrio compreender o essencial da sua construo e comportamento fsico para que
noes da fsica dos semicondutores so importantes. No essencial para o engenheiro eletrnico possua,


1-12
em geral, um conhecimento aprofundado da fsica, mas uma compreenso global dos fenmenos envolvidos
(dopagem de semicondutores, transporte de cargas, mecanismos de difuso, etc.) importante para a
compreenso no s do funcionamento dos circuitos, como dos modelos que os representam.
Configuraes bsicas de amplificao com as suas caractersticas como diporto, isto , como uma black-
box da qual sabemos os parmetros de entrada (resistncia de entrada), de sada (resistncia de sada) e
transferncia entre a entrada e a sada quer no sentido direto quer inverso.
Finalmente, um conhecimento genrico de topologias base de circuitos e suas caractersticas. Neste ponto a
situao do engenheiro de electrnica semelhante do jogador de xadrez: s se pode ser um bom jogador
se, alm de, evidentemente, saber mexer as peas e ter noes globais de estratgia, se souber de cor um
grande nmero de aberturas e configuraes e sistemas de ataque e defesa j largamente estudados e
experimentados. Aqui a mesma coisa: necessrio conhecer as principais topologias de base e seu
funcionamento para as adaptar e fazer evoluir para um dado objetivo que se pretende do circuito ou sistema
que se est a projetar.
Se os 3 primeiros tpicos so, essencialmente pr-requisitos para a aprendizagem da electrnica, e iro ser revistos nos
captulos iniciais, os trs ltimos sero o cerne deste programa de electrnica.
1.9 Limites ao mbito do nosso estudo
Finalmente, diremos algo mais sobre os limites, em vrias direes, que colocaremos ao estudo que vamos fazer, j que
h, no mundo da eletrnica, vrias dimenses que preciso considerar:
A frequncia dos sinais que possvel processar, associada largura de banda dos sistemas: difcil fazer
coisas que funcionem desde DC at altas frequncias porque a estabilidade DC difcil; tambm difcil
fazer coisas para muito altas frequncias. H, contudo, uma zona em que relativamente trivial. Tipicamente,
iremos tratar de sistemas limitados a alguns MHz.
A potncia dissipada ou produzida nos circuitos outra dimenso: difcil fazer coisas de muito baixo
consumo como difcil fazer coisas que tenham grande potncia; algures, no meio relativamente fcil.
As nossas potncias no sero de kW nem de !W. So de esperar correntes das dezenas de !A s dezenas de
mA; j quanto s tenses, do ponto de vista das tenses contnuas (aquelas que so usadas para fornecer
energia aos sistemas que lhes permitam funcionar) teremos valores entre o Volt e a dezena de Volt; quanto
aos sinais, os valores mnimos podem ser bem mais pequenos, a partir, tipicamente, da ordem de grandeza do
mV.
O rudo: se quisermos fazer sistemas que tenham muito baixo rudo (se os sinais forem muito muito
pequenos) muito mais difcil. Muitos problemas se levantam quer a nvel das caractersticas dos
dispositivos, valores permanentes das suas correntes e tenses, aspetos construtivos desde logo quanto
pureza das fontes de alimentao e qualidade das massas e terras at contaminao das radiaes
electromagnticas.
Estas no so as nicas direes em que se levantam problemas e dificuldades especiais, mas so algumas delas que
ajudam a definir o domnio dentro do qual a eletrnica que iremos estudar, se situa. Neste contexto e neste programa de


1-13
eletrnica bsica fugiremos quase sempre dos extremos e estudaremos os princpios, as configuraes e os sistemas que
so capazes de fazer o que, de certa maneira, poderemos designar por trivial.
1.10 Desenvolvimento do presente texto
Assim, de acordo com o que j referimos, no Cap.2 iro ser revistos um conjunto de leis dos circuitos e tcnicas para a
sua manipulao que ajudaro a sistematizar a anlise que essencial compreenso dos circuitos eletrnicos em que,
em ltima instncia, os prprios dispositivos que, mais tarde iremos estudar, so substitudos por modelos, normalmente
lineares, eles prprios construdos com resistncias e capacidades, raramente bobinas, e fontes de tenso e corrente
dependentes de outras grandezas.
No Cap. 3 iremos fazer uma abordagem ao estudo do comportamento dos circuitos no domnio do tempo e da
frequncia. Estudaremos a resposta de circuitos bsicos a sinais especficos e tambm a representao da resposta
desses circuitos na frequncia (diagramas de Bode), bem como alguns mtodos de determinao expedita dessas
respostas.
No Cap. 4 faremos uma primeira abordagem aos amplificadores operacionais, vistos como um bloco com um conjunto
de caratersticas, quer na sua entrada, quer na sada (relaes entre as respetivas tenses e correntes) quer quanto
funo de transferncia entre as grandezas da entrada e da sada. Com estes simples parmetros e algumas
consideraes sobre os seus valores e ao modo como as suas caratersticas variam na frequncia, possvel obter uma
compreenso do seu funcionamento, mesmo antes de passar ao estudo do detalhe construtivo que, como engenheiros de
projeto de eletrnica, devemos conhecer. Na nossa opinio, comear por esta viso macro ajuda a enquadrar o estudo
bottom-up inevitvel de construo dos circuitos a partir dos seus componentes essenciais: resistncias,
condensadores, dodos e transstores bipolares ou de efeito de campo que, a seu tempo, estudaremos.
No Cap. 5 inicia-se, propriamente, o estudo da eletrnica como ela hoje se apresenta que baseada em dispositivos
semicondutores. O estudo do funcionamento destes componentes, a nvel fsico, ser levado a cabo com um
relativamente pequeno grau de profundidade, em nossa opinio suficiente para a compreenso do funcionamento dos
dispositivos a nvel do projetista de eletrnica. No duvidamos que a certo nvel de trabalho um aprofundamento destes
conceitos ser essencial.
No Cap. 6 iniciaremos o estudo dos circuitos com dodos, j que o dodo de juno e suas principais caratersticas
estticas e dinmicas constituram a parte final do captulo anterior. Ao contrrio de (quase) toda a eletrnica que
estudaremos subsequentemente, em que a aproximao ao funcionamento linear essencial, nos circuitos com dodos
o seu funcionamento em regime no linear, passando da conduo ao corte, que mais relevante para o papel que,
normalmente, os dodos trazem para os circuitos eletrnicos.
No Cap. 7 introduziremos os aspetos construtivos dos transstores de efeito de campo, com uma brevssima introduo
aos de juno e passando de seguida aos que usualmente so designados por transstores MOS, aps o que
procuraremos determinar as suas caratersticas estticas e dinmicas bem como a possibilidade para usar modelos para a
sua representao e anlise no funcionamento dos circuitos onde se venham a inserir.
No Cap. 8 iremos abordar os circuitos bsicos com transstores MOS, concretamente os circuitos em fonte comum,


1-14
fonte comum com resistncia de fonte, dreno comum e porta comum. O seu estudo ser feito, primeiro, s baixas
frequncias mas depois estudaremos estas mesmas configuraes s altas frequncias e, finalmente, tendo em conta,
quando adequado, o efeito de corpo.
Terminaremos o captulo com uma primeira abordagem a circuitos compostos com grande importncia como blocos
base na construo dos amplificadores multi-andar, concretamente os espelhos de corrente, a configurao cascode e o
par diferencial.



2-1









Captulo 2







Tpicos de anlise de circuitos







2-2
ndice do Captulo 2
2 Tpicos de anlise de circuitos .......................................................................................................... 2-3
2.1 Teoremas fundamentais dos circuitos eltricos ............................................................................................ 2-3
2.1.1 Leis de Kirchhoff ...................................................................................................................................... 2-3
2.1.2 Teorema da sobreposio ......................................................................................................................... 2-3
2.1.3 Teoremas de Thvenin e de Norton .......................................................................................................... 2-3
2.1.4 Teorema da absoro da fonte .................................................................................................................. 2-5
2.1.5 Teorema de Miller .................................................................................................................................... 2-6
2.2 Redes lineares de dois portos ......................................................................................................................... 2-7
2.2.1 Os parmetros hh ...................................................................................................................................... 2-8
2.2.2 Os parmetros gg ...................................................................................................................................... 2-9
2.2.3 Relaes entre os parmetros hh e os parmetros gg .............................................................................. 2-9
2.3 Mtodos de anlise de circuitos lineares ....................................................................................................... 2-9
2.3.1 Mtodo das equaes nodais .................................................................................................................... 2-9
2.3.2 Outros mtodos de anlise ...................................................................................................................... 2-10




2-3
2 Tpicos de anlise de circuitos
Neste captulo iremos rever alguns dos aspetos de anlise de circuitos, provavelmente j estudados em anteriores
unidades curriculares, e que so alicerces essenciais para o estudo da eletrnica.
Para alm dos teoremas fundamentais de circuitos eltricos, que servem de base a toda a anlise de circuitos, iremos
tambm rever alguns conceitos sobre redes de dois portos e, em particular, a sua formulao matemtica e a sua
representao a nvel de circuitos, para o caso linear. Esta formulao permite estabelecer modelos muito simples aos
quais podemos, muitas vezes, reduzir circuitos mais complexos, facilitando a sua compreenso e a obteno direta das
suas propriedades. Para esse efeito, os mtodos de anlise mais convencionais bem como outros mtodos alternativos de
simplificao dos circuitos so tambm apresentados na parte final do captulo, no fim do qual a expectativa que se
compreenda bem os instrumentos que necessrio dominar para uma boa prossecuo do estudo.
2.1 Teoremas fundamentais dos circuitos eltricos
2.1.1 Leis de Kirchhoff
H duas leis de Kirchhoff, uma correspondente s correntes e outra s tenses num circuito eltrico. A primeira,
conhecida como lei dos ns, estipula que a soma das correntes num n de um circuito eltrico nula, tendo,
evidentemente em conta, os seus sentidos. A segunda, a lei das malhas, estabelece que em qualquer circuito eltrico, a
soma das tenses ao longo de uma malha fechada e, evidentemente, tendo em ateno as suas polaridades, tambm
nula.
2.1.2 Teorema da sobreposio
Um circuito diz-se linear quando possvel estabelecer relaes entre as suas tenses nos vrios ns e as correntes nos
seus ramos sob a forma linear. Estes circuitos correspondem, muitas vezes, a aproximaes tomadas para simplificar a
anlise, havendo condicionantes sua aplicabilidade, nomeadamente condicionantes amplitude dos sinais (a que nos
referimos, frequentemente como pequenos sinais) j que se considera que, nessas circunstncias, as curvas que
representam as relaes entre as variveis do circuito podem ser aproximadas pelas respetivas tangentes. H sempre um
intervalo de variao das variveis dentro do qual essa aproximao vlida, qualquer que seja a dimenso do erro que
se pretenda.
Nos circuitos lineares aplicvel o teorema da sobreposio que, como veremos, assume um importante papel nas
metodologias de anlise e sntese de circuitos que iremos desenvolver, e que postula que, num circuito linear, se
tomarmos uma a uma as suas fontes de corrente ou tenso, anulando todas as outras, e calcularmos as respetivas tenses
nos ns e correntes nos ramos, o resultado global a soma dos resultados parciais obtidos.
2.1.3 Teoremas de Thvenin e de Norton
Os teoremas de Thvenin e de Norton so dois teoremas duais aplicveis a circuitos lineares. Comecemos, contudo, por
caraterizar o que entendemos por fontes de tenso e corrente, em primeiro lugar, fontes independentes e, em segundo
lugar, fontes controladas.


2-4
2.1.3.1 Fontes independentes
As fontes de tenso independentes que iremos considerar neste texto e cuja representao est na fig. 2-1a), so
elementos que impem a tenso especificada aos seus terminais (v), independentemente do circuito onde se inserem e
tm resistncia interna nula. As fontes de corrente independentes cuja representao est na figura b), impem, tambm
independentemente do circuito onde se inserem a corrente especificada (i) e tm uma resistncia interna infinita.
2.1.3.2 Fontes controladas
Designam-se por fontes controladas fontes cujo valor no automaticamente imposto ao circuito onde se integram (seja
de corrente ou tenso) mas antes depende de outras variveis do mesmo circuito. Uma analogia simples de uma
corrente de lquido controlada por uma torneira mas cuja abertura seja comandada pelo nvel do lquido num outro
depsito. Na fig. 2-2, a) e b), ao lado, esto indicadas as representaes que usaremos e a tenso [em a)] ou a corrente
[em b)] so proporcionais a uma tenso noutro n do circuito (v
n
) ou corrente num outro ramo (i
m
), conforme
indicado.
2.1.3.3 Teorema de Thvenin
O teorema de Thvenin estabelece que qualquer circuito linear visto dos seus terminais, pode ser representado por uma
fonte de tenso (igual tenso em circuito aberto) em srie com uma impedncia (igual impedncia do circuito vista
desses terminais, com todas as fontes independentes anuladas, isto , curtocircuitadas as fontes de tenso e abertas as
fontes de corrente). A esta configurao chamamos configurao Thvenin.
2.1.3.4 Teorema de Norton
a) b)
v i
=k.v
n
=g.v
n
ou ou
=r.i
m
=k.i
m

Fig. 2-2 - Fontes controladas de tenso e corrente
Z
V
o
Z
circuito
linear
Fig. 2-3 Equivalente Thvenin
a) b)
v i
Fig. 2-1 Fontes independentes de tenso e corrente


2-5
O teorema de Norton estabelece que qualquer circuito linear visto dos seus terminais, pode ser representado por uma
fonte de corrente (igual corrente em curto-circuito) em paralelo com uma impedncia (igual impedncia do circuito
vista desses terminais, com todas as fontes independentes anuladas, isto , curtocircuitadas as fontes de tenso e abertas
as fontes de corrente).
Decorre destes dois teoremas que uma configurao Thvenin pode ser transformada numa configurao Norton, e
vice-versa, desde que V
o
= Z I
s
.
A utilidade de um ou outro dos modelos tem a ver com a carga que se coloca na sada, conforme seja muito grande ou
muito pequena, relativamente a Z. No primeiro caso, Z pode desprezar-se se estiver em srie e o gerador comporta-se
essencialmente, como sendo uma tenso pura; no segundo caso, Z pode desprezar-se se estiver em paralelo e o
gerador comporta-se como sendo aproximadamente uma corrente pura. Claro que em circunstncias onde estas
simplificaes no sejam possveis, resta fazer as contas e indiferente o uso de um ou outro dos modelos.
2.1.4 Teorema da absoro da fonte
O teorema da absoro da fonte tem duas formas duais: o teorema da absoro da fonte de tenso e o teorema da
absoro da fonte de corrente, vlidos para fontes controladas, i.e. cujo valor depende de um parmetro exterior.
O teorema da absoro da fonte de tenso estabelece que se existir num ramo, com corrente I, uma fonte de tenso
controlada por essa mesma corrente I, a fonte pode ser substituda por uma simples impedncia de valor igual ao factor
que controla a fonte. A demonstrao trivial! Uma impedncia Z percorrida por uma corrente I, origina a mesma
queda de tenso que a fonte ZI garante nos seus terminais.
O teorema da absoro da fonte de corrente estabelece que se existir num ramo, submetido a uma tenso V, uma fonte
de corrente controlada por essa mesma tenso V, a fonte pode ser substituda por uma simples admitncia de valor igual
ao factor que controla a fonte.
A demonstrao igualmente trivial! Uma admitncia Y submetida a uma tenso V impe a mesma corrente que a fonte
YV conduz.
Apesar de aparentemente bvios, estes dois teoremas so de grande utilidade na simplificao de circuitos.
I
s
Z
Z
circuito
linear
Fig. 2-4 Equivalente Norton
Y Y V
V V
Fig. 2-5 Absoro de
fonte de corrente
Z I
I
Z
I
Fig. 2-6 Absoro de
fonte de tenso


2-6
2.1.5 Teorema de Miller
O teorema de Miller estabelece que, num circuito linear, se existir um ramo com uma impedncia Z, ligando dois ns
com tenses nodais V
1
e V
2
, do ponto de vista do comportamento do circuito em cada um dos ns, podemos substituir
esse ramo por dois outros, ligando os referidos ns massa, com impedncias respectivamente iguais a
Z
1! k
no n V
1
e
kZ
Z !1
no n V
2
, em que k =
V
2
V
1

De facto, a corrente que passa em Z
I
Z
=
V
1
!V
2
Z
= V
1
1! k
Z
=
V
1
Z
1! K

o que equivalente a ter uma impedncia Z
1
=
Z
1! k
, ligada do n de entrada massa.
Identicamente, do ponto de vista de V
2
, a corrente que entra no n dada por
I
2
=
V
2
!V
1
Z
= V
2
1!
1
k
Z
=
V
2
Z
1!
1
k

o que equivalente a ter uma resistncia de Z
2
= Z
k
k !1
massa.
Como outros teoremas dos circuitos lineares, o teorema de Miller admite uma forma dual:
2.1.5.1 Teorema dual de Miller
Se existir um ramo com uma impedncia Z, ligando um n onde convergem as correntes I
1
e I
2
e a massa, podemos
substituir esse ramo por dois, conduzindo as referidas correntes, com impedncias respectivamente iguais a 1+ a ( )Z e
Z
1+ a
a
em que a =
I
2
I
1
.
V
1 V
2
Z
K 1-
K
K-1
Z
Z
V
2
V
1
V
2
V
1
K =
Fig. 2-7 Teorema de Miller


2-7
Na verdade, a tenso aos terminais de Z dada por
V = Z I
1
+ I
2
( ) = ZI
1
1+ a ( )
ou seja, do ponto de vista da corrente I
1
como se existisse uma impedncia Z
1
= Z 1+ a ( ) massa. O mesmo
raciocnio aplicado a I
2
conduz ao resultado da figura: o comportamento idntico a termos uma impedncia
Z
2
= Z
1+ a
a
ligada massa.
2.2 Redes lineares de dois portos
Quando temos de escrever as equaes de transferncia de sinais de tenso e corrente atravs de uma rede linear,
podemos sempre escolher duas variveis (entre as 4 possveis, a tenso de entrada e sada bem como as respectivas
correntes) como variveis independentes e outras duas como dependentes. Note-se que quer as variveis dependentes
quer, obviamente, as independentes tero de ser, necessariamente, uma associada a um porto e outra ao outro.
Assim sendo, podemos ento escrever as 4 formas possveis das equaes:
V
1
,V
2
= f
1
I
1
, I
2
( ) (2.1)
V
1
, I
2
= f
2
I
1
,V
2
( ) (2.2)
I
1
,V
2
= f
3
V
1
, I
2
( ) (2.3)
I
1
, I
2
= f
4
V
1
,V
2
( ) (2.4)
Sendo o sistema linear, as equaes assumem, para os vrios casos, a seguinte forma:

V
1
= r
11
I
1
+ r
12
I
2
V
2
= r
21
I
1
+ r
22
I
2
(2.5)

V
1
= h
11
I
1
+ h
12
V
2
I
2
= h
21
I
1
+ h
22
V
2
(2.6)

I
1
= y
11
V
1
+ y
12
I
2
V
2
= y
21
V
1
+ y
22
I
2
(2.7)
Z
I
2
I
1
=
I
2
I
1
!
I
1
I
2
! Z (1+ )
!
!
Z
1+
Fig. 2-8 Teorema dual de Miller


2-8

I
1
= g
11
V
1
+ g
12
V
2
I
2
= g
21
V
1
+ g
22
V
2
(2.8)
Repare-se que, por exemplo, no primeiro caso, a aplicao direta de um modelo que corresponda s equaes
apresentadas, resulta no esquema da fig. 2-9.
2.2.1 Os parmetros hh
Tomemos agora o 2 caso, i.e. em queV
1
, I
1
= f
2
I
1
,V
2
( ) corresponde a

V
1
= h
11
I
1
+ h
12
V
2
I
2
= h
21
I
1
+ h
22
V
2

Note-se que h
11
tem as dimenses de uma resistncia, h
12
e h
21
so factores de transmisso sem dimenses e h
22
tem as
dimenses de uma condutncia. Ora, tal sistema pode ser representado pelo esquema equivalente da figura 2.10.
Estes hhs (cuja letra decorre de serem dimensionalmente hbridos, ao contrrio dos parmetros rr ou gg que so,
respetivamente, impedncias e admitncias) assumem bastante importncia porque este , como a seu tempo teremos
oportunidade de ver, um dos modelos usuais para, em certas condies, representar os transstores.
Alis, salvo circunstncias muito especiais, o parmetro h
12
suficientemente pequeno para poder ser desprezado e o
circuito reduz-se forma mais simples da figura 2-11.
v
2
i
2
r
22
r
21
i
1
r
11
i
1
v
1
r
12
i
2
Fig. 2-9 Circuito equivalente com variveis
independentes i1 e i2
V
2
I
2
h
22
h
21
I
1
h
11
I
1
V
1
h
12
V
2
Fig. 2-10 Circuito equivalente para
parmetros hh
V
2
I
2
h
22
h
21
I
1 h
11
I
1
V
1
Fig. 2-11 Modelo de parmetros hh,
simplificado


2-9
2.2.2 Os parmetros gg
Tomemos o 4 caso, i.e. para I
1
, I
1
= f
4
V
1
,V
2
( ) , corresponde a

I
1
= g
11
V
1
+ g
12
V
2
I
2
= g
21
V
1
+ g
22
V
2

Se o parmetro g
12,
que d conta da transmisso da sada para a entrada, for negligencivel, o esquema que representa
aquelas equaes o que est representado na figura 2-12. Como veremos abaixo, se h
12
for desprezvel, tambm o
g
12
. Neste caso, todos os parmetros tm as mesmas dimenses, as de admitncias.
2.2.3 Relaes entre os parmetros hh e os parmetros gg
O parmetro g
12
relaciona-se com h
12
da seguinte maneira:
g
12
=
I
1
V
2
V
1
=0
ou seja, g
12
= !
h
12
h
11
e, portanto, a no ser que h
11
fosse tambm muito pequeno, se h
12
desprezvel,
tambm o g
12
.
A relao entre os restantes parmetros, que se obtm de modo semelhante ao anterior, a seguinte:
g
11
=
I
1
V
1
V
2
=0
=
1
h
11
, a admitncia de entrada. g
22
=
I
2
V
2
V
1
=0
=
1
h
22
a admitncia de sada e g
21
o parmetro de
transmisso da entrada para a sada g
21
=
I
2
V
1
V
2
=0
=
h
21
h
11

Estes parmetros assumem tambm relevncia em vrias circunstncias no estudo que se vai seguir.
2.3 Mtodos de anlise de circuitos lineares
2.3.1 Mtodo das equaes nodais
Um dos mtodos simples de anlise de circuitos atravs da resoluo de um sistema de equaes geralmente
designadas por equaes nodais. Tal mtodo decorre diretamente da aplicao implcita das leis de Kirchhoff e da lei de
Ohm e consiste em aplicar a lei dos ns a n-1 ns de uma rede que tenha n ns, sendo frequente aparecer como
variveis intermdias as tenses nesses ns. Usando as n-1 equaes para eliminar essas tenses intermdias, obtm-se,
finalmente, uma relao entre a sada e a entrada.
V
2
I
2
1/g
22
g
21
I
1 1/g
11
I
1
V
1
Fig. 2-12 Modelo de parmetros gg,
simplificado


2-10
O sistema muito simples de aplicar e a utilizao de um exemplo pode esclarec-lo. Vejamos, tomando um circuito
que, neste momento no representa mais do que um conjunto de resistncias e fontes de tenso e corrente
(independentes ou controladas) mas que mais tarde teremos a oportunidade de ver que um modelo suscetvel de
representar, em certas circunstncias, um amplificador.
H 3 ns no circuito: aqueles a que correspondem as tenses v
i
e v
o
e a massa. Como a massa comum, uma boa
prtica tom-la como n de referncia e no ser um daqueles a que se aplicam as equaes nodais. Contudo, nada obriga
a que assim seja e o mtodo funcionaria igualmente se se tomasse a massa como um dos ns para o qual se estabelecia a
respectiva equao.
Podemos, ento, para o n de v
i
, escrever

v
s
! v
i
R
s
=
v
i
R
1
+
v
i
! v
o
R
2
(2.9)
e, identicamente, para o n de sada,

v
i
! v
o
R
2
= "
v
i
R
1
+
v
o
R
C
(2.10)
j que i
1
=
v
1
R
1
. A eliminao de v
i
entre estas duas equaes permito obter

v
o
v
s
= !
R
2
R
S
1
1!
R
1
R
2
R
1
+ R
2
( )
R
1
R
2
R
S ( )
R
C
R
1
! "R
2
( )
(2.11)
Note-se que se ! for suficientemente grande (concretamente, se

!R
2
!R
1
), numa primeira aproximao podemos
escrever

v
o
v
s
= !
R
2
R
S
1
1+
R
1
R
1
+ R
2
( )
" R
1
R
2
R
S ( )
R
C
(2.12)
ou ainda, numa segunda aproximao,
v
o
v
i
! "
R
2
R
S

2.3.2 Outros mtodos de anlise
2.3.2.1 A tcnica da rede de dois portos equivalente
i
v
s
R
s
R
1
R
2
i !
v
i
R
C
v
o
Fig. 2-13 Exemplo de circuito para anlise
da relao vo/vi


2-11
Consideremos o circuito da figura 2-14 que, sem perda de generalidade, pode representar qualquer rede de dois portos
passiva.
sempre possvel representar tal rede por duas equaes lineares como vimos no pargrafo no estudo das redes lineares
de dois portos, dependendo das variveis dependentes e independentes que se escolherem entrada e sada. E, bem
assim, possvel representa-la por um circuito em que a parte da entrada, esquerda, e a de sada, direita, esto
separadas, no esquema, sendo que a influncia mtua assumida pelas fontes controladas.
Vejamos vrias represntaes para este circuito.
Variveis independentes, I1 e V2:

h
11
= R
1
+ R
2
R
3
h
12
=
R
3
R
2
+ R
3
h
21
=
R
3
R
2
+ R
3
h
22
= R
2
+ R
3
(2.13)
possvel obter os valores dos parmetros hh por transformaes elementares, sucessivas, do circuito original da fig. 2-
14 (comeando por separar em duas partes, uma esquerda alimentada por v
2
e outra direita, alimentada por i
1
,
conforme representado na fig. 2-15, a), b) e c):
Fig.3
v
2
i
2
R
2
R
1
i
1
v
1
R
3
Fig. 2-14 Modelo em T de um
circuito passivo
V
2
I
2
h
22
h
21
I
1
h
11
I
1
V
1
h
12
V
2
Fig. 2-15 Modelo de parmetros hh
R
1
R
2
||R
3
i
1
+
v
1
_
R
2
R
3
+
v
2
_
R
3
v
2
i
1
R
2
+R
3
i
2 R
1
R
2
R
3
i
1
+
v
1
_
R
1
R
2
R
3
+
v
2
_
v
2
i
1
i
2
R
2
+R
3
R
1
+R
2
||R
3
i
1
+
v
1
_
R
2
+R
3
R
3
v
2
i
2
+
v
2
_
R
3
i
1
R
2
+R
3
a) b) c)
Fig. 2-16


2-12
Variveis independentes, I1 e I2:

r
11
= R
1
+ R
3
r
12
= R
3
r
21
= R
3
r
22
= R
2
+ R
3
(2.14)
O mesmo circuito da fig. 2-14 pode agora ser transformado, seguindo os mesmos passos de separao em 2, o da
esquerda alimentado por i
2
e o da direita, por i
1
, conforme representado nas fig. 2-18, a) e b).
Identicamente se poderiam obter as outras configuraes para as restantes combinaes de variveis independentes e,
em todos os casos, verifica-se que as variveis de transmisso so idnticas (i.e., h
12
=h
21
, r
12
=r
21
, g
12
=g
21
e y
12
=y
21
).
A obteno das redes de dois portos equivalentes para circuitos passivos tem vrias aplicaes, como se ver nos
pargrafos subsequentes bem como, mais tarde, aquando do estudo da retroao.
2.3.2.2 O mtodo da transformao de circuitos
O mtodo das transformaes de circuitos um mtodo para a determinao dos parmetros de circuitos amplificadores
como o ganho e as resistncias de entrada e de sada , atravs de transformaes simples baseadas na aplicao dos
teoremas bsicos dos circuitos ( Thvenin, Norton, etc.) e foi apresentado por Franclim Ferreira num artigo publicado
em 1999.
1

A sua aplicao especialmente interessante quando, no mbito de uma anlise de "papel e lpis", se pretende obter, de
forma expedita e com pequeno volume de clculo, valores razoavelmente aproximados dos parmetros de um dado
circuito.

1
O mtodo foi inicialmente apresentado no artigo "Using Circuit Transformations for the Evaluation of Amplifier Parameters" da autoria de um de
ns (Franclim F. Ferreira) publicado nas IEEE Transactions on Education, vol. 42, pp. 212-216, Agosto 1999
v
2
i
2
r
22
r
21
i
1
r
11
i
1
v
1
r
12
i
2
Fig. 2-17 Modelo parmetros rr
i
2
R
1
R
2
R
3
i
1
+
v
1
_
R
1
R
2
R
3
+
v
2
_
i
1
i
2
R
1
R
3
i
1
+
v
1
_
R
3
R
2
+
v
2
_
i
2
R
3
i
2 R
3
i
1
a) b)
Fig. 2-18


2-13
O fio condutor da aplicao do mtodo consiste na reduo progressiva dos elementos do circuito at obteno de uma
configurao que permita, por simples inspeo, a determinao dos parmetros. Vamos exemplificar o mtodo com o
circuito da fig. 2-13, que agora reproduzimos na fig. 2-19.
Apliquemos a R
2
a tcnica da rede de dois portos, equivalente, com variveis independentes v
i
e v
o
:
Substituindo no circuito original, obtemos:
Este esquema pode agora ser facilmente simplificado, conduzindo a um esquema equivalente simples do amplificador.
Particularmente, se se tratar de um exemplo numrico, esta tcnica revela ainda maior eficincia, pois h simplificaes
bvias que no so to evidentes numa resoluo literal.
Com efeito, como i=v
i
/

R
1
, na parte da direita do circuito obteremos um equivalente Norton, como na figura abaixo, e,
na parte da esquerda, procedendo a uma transformao Norton -> Thvenin o que tambm a est representado.
Pelo teorema da sobreposio, esquerda,
i
v
s
R
s
R
1
R
2
i !
v
i
R
C
v
o
Fig. 2-19 Reproduo do circuito da fig. 2-13
v
o
R
1
||R
2
v
1
v
s
R

R
C
||R
2
v
o
R
1
R
2
+R
1
v
i
R
1
R
2

! 1


(

)


Fig. 2-22 Simplificao do circuito da fig. 2-21
v
o
i

R
2
R
2
i

v
i
v
o
v
i
R
2
R
2
v
o
i

R
2
i

v
i
a)

b)

Fig. 2-20 Substituio de R2 por uma rede de dois portos, equivalente
i
v
s
R
s
R
1
R
2
i !
v
i
R
C
v
o
v
i
R
2
v
o
R
2
R
2
Fig. 2-21 Circuito equivalente ao da fig. 2-19


2-14
v
i
=
R
S
R
S
+ R
1
R
2
v
o
R
1
R
1
+ R
2
+
R
1
R
2
R
S
+ R
1
R
2
v
s
=
R
1
R
S
R
1
+ R
2
( ) + R
1
R
2
R
S
v
o
+ R
2
v
s
( ) (2.15)
e, direita,
v
o
= ! R
C
R
2
( )
v
i
"
R
1
!
1
R
2
#
$
%
&
'
(
(2.16)
Uma substituio direta de v
i
obtido na primeira equao, na segunda, estabelece a relao entre v
o
e v
s
j expressa na
expresso 2-11.
2.3.2.3 Exemplo de aplicao dos vrios mtodos de anlise
i) Mtodo das equaes nodais
Consideremos o circuito da fig.2-23 e procuremos obter a transresistncia (i.e. relao entre v
o
e i
i
que uma relao de
transferncia entre a entrada e a sada, com dimenses de uma resistncia), resistncia de entrada e resistncia de sada:
R
M
=
v
o
i
i
; R
i
=
v
i
i
i
; R
o


Podemos escrever as seguintes equaes nodais:
i
i
=
v
i
R
1
+
v
i
! v
o
R
2
v
i
! v
o
R
2
+ gv
i
=
v
o
R
3

Podemos ainda escrever

i
i
=
v
i
R
1
R
2
!
v
o
R
2
(2.17)
e
v
i
1+ gR
2
R
2
=
v
o
R
2
R
3
(2.18)
De que resulta, usando (2.18) para substituir ou v
i
ou v
i
em (2.17) e retirando de (2.18) o valor de A
V
,

R
1
R
3

R
2

+
v
i



+
v
o



gv
i

i
i

i
2

i
1

Fig. 2-23


2-15
R
i
=
v
i
i
i
=
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
R
M
=
v
o
i
i
=
R
1
R
3
1+ gR
2
( )
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
A
V
=
v
o
v
i
=
R
3
1+ gR
2
( )
R
2
+ R
3

Para determinar R
o
, anulamos as fontes independentes (neste caso, i
i
) e se alimentarmos na sada com uma tanso v
teste
e
determinarmos a corrente absorvida, i
teste
, podemos determinar R
o
. Assim,

i
teste
=
v
teste
R
3
+
v
teste
R
1
+ R
2
! gv
i
v
i
=
R
1
R
1
+ R
2
v
teste
(2.19)
ou seja,

i
teste
=
1
R
3
+
1
R
1
+ R
2
!
gR
1
R
1
+ R
2
"
#
$
%
&
'
v
teste
R
o
=
v
teste
i
teste
=
R
1
+ R
2
( ) R
3
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
(2.20)
ii) Mtodo da transformao de circuitos
Consideremos agora que a fonte de corrente com R
3
transformada no Thvenin equivalente, como na fig.2-24:
Ento, como
i
1
=
v
i
R
1
i
2
=
gR
3
!1
R
2
+ R
3
v
i


i
i
= i
1
! i
2
=
R
2
+ R
3
( ) ! R
1
gR
3
!1 ( )
R
1
R
2
+ R
3
( )
v
i
R
i
=
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
2
+ R
3
( ) ! R
1
gR
3
!1 ( )
(2.21)
Vejamos, agora o ganho de transresistncia, R
M:
R
1
R
3

R
2

+
v
i



+
v
o



gv
i

i
i

i
2

i
1

R
3

R
1

+
v
i



gv
i
R
3

R
2
i
i

+
v
o



i
2

i
1

Fig. 2-24


2-16

v
o
= v
i
+ R
2
i
2
= 1+ R
2
gR
3
!1
R
2
+ R
3
"
#
$
%
&
'
v
i
A
V
=
v
o
v
i
=
R
3
1+ gR
2
( )
R
2
+ R
3
R
M
=
v
o
i
i
=
v
o
v
i
v
i
i
i
= A
V
R
i
=
gR
2
+1
R
2
+ R
3
R
3
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
R
M
=
R
1
R
3
1+ gR
2
( )
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
(2.22)
que so, evidentemente, valores idnticos aos anteriormente determinados.
iii) Aproximao pelo teorema de Miller
A resistncia R
2
pode ser colocada na entrada e na sada conforme a fig. 2-25 b) e, se pudermos comear por supor que
o ganho

A
V
=
v
o
v
i
!1 pode ser simplificada como em 2-25 c):
Ento, o ganho pode ser dado, aproximadamente, por
v
o
v
i
! g R
2
R
3
( )
e confrontamo-nos com a situao de, na entrada,
termos uma resistncia negativa de valor !
R
2
+ R
3
gR
3
, em paralelo com R
1
.
Faamos uma breve incurso neste tema do paralelo de resistncias com valores positivos ou negativos.
O paralelo de duas resistncias R e R pode ser expresso como: R
||
=
R' R"
R'+ R"
= R'
1
R'
R"
+1

O limite, quando R" !" R, tendendo por valores menores do que R quando R tende para +! e por valores maiores do que
R quando R" !"# . Alm disso, quando R" ! R', R
P
!" , respetivamente esquerda e direita, conforme no grfico da
fig. 2-26.
R
1
R
3

R
2

+
v
i



+
v
o



gv
i

i
i

i
2

i
1

A
V
R
2

A
V
-1
R
1
R
3

R
2

+
v
i



+
v
o



gv
i

i
i

R
2

1-A
V

R
1
R
3

R
2

+
v
i



+
v
o



gv
i

i
i

-R
2

A
V

R
2

Fig. 2-25
!"
!$
!%
!&
'
&
%
$
"
!( !)*+ !+ !$*+ !% !'*+ & %*+ " +*+ ,
Fig. 2-26


2-17
Ento, uma resistncia negativa de valor, em mdulo, maior do que o da resistncia com a qual se coloca em paralelo, aumentar o
seu valor podendo, quando elas forem simtricas, tornar-se infinita.
Isto no deve ser surpreendente porque, em termos de impedncias, exatamente o que acontece com um paralelo LC frequncia
de ressonncia.
Ento, no caso do circuito que estvamos a tratar, a resistncia de entrada R
i
= R
1
!
R
2
+ R
3
gR
3
"
#
$
%
&
'
=
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
.
E dado que
v
o
i
i
=
v
o
v
i
R
i
, deduz-se que R
M
=
v
o
i
i
!
gR
1
R
2
R
3
R
2
+ R
3
" gR
1
R
3
.
Em resumo, podemos escrever

A
V
! g
R
2
R
3
R
2
+ R
3
R
i
!
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
2
+ R
3
" gR
1
R
3
R
M
!
gR
1
R
2
R
3
R
2
+ R
3
" gR
1
R
3
(2.23)
Expresses idnticas s anteriormente obtidas se pudermos supor que

gR
2
, gR
3
!1 .
2.3.2.4 Exemplo numrico
Tomemos agora um exemplo numrico:
A substituio direta nas frmulas exatas obtidas com os 2 primeiros mtodos, conduz a

R
i
=
v
i
i
i
=
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
=
50" 10k +10k ( )
50 +10k +10k ! 50" 0.02"10k
= 99.5#
R
M
=
R
1
R
3
1+ gR
2
( )
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
=
50"10k " 1+ 200 ( )
50 +10k +10k ! 50" 0.02"10k
=10.00V mA
A
V
=
v
o
v
i
=
R
3
1+ gR
2
( )
R
2
+ R
3
=
10k " 1+ 200 ( )
20k
=100.5V V

Quanto resistncia de sada, obtemos,
R
1
=
50!
R
3
=
10k!
R
2
=10k!
+
v
i



+
v
o



gv
i
=
0.02v
i

i
i

Fig. 2-27


2-18
R
o
=
R
1
+ R
2
( ) R
3
R
1
+ R
2
+ R
3
! gR
1
R
3
=
50 +10k ( )"10k
50 +10k +10k ! 0.02" 50"10k
=10k#
E da aproximao do teorema de Miller resulta

A
V
! g
R
2
R
3
R
2
+ R
3
= 0.02" 10k 10k ( ) =100V V
R
i
!
R
1
R
2
+ R
3
( )
R
2
+ R
3
# gR
1
R
3
=
50" 10k +10k ( )
10k +10k + #0.02" 50"10k
=100$
R
M
!
gR
1
R
2
R
3
R
2
+ R
3
# gR
1
R
3
=
0.02" 50"10k "10k
10k +10k + #0.02" 50"10k
=10V mA

resultados que apesentam, para os valores usados, um erro inferior a 1%. notrio, neste exemplo, a simplificao
introduzida pela aplicao do teorema de Miller.


3-1









Captulo 3







Resposta no domnio do tempo e no domnio da frequncia






3-2
ndice do Captulo 3
3 Resposta no domnio do tempo e no domnio da frequncia ............................................................. 3-3
3.1 Resposta no domnio do tempo de circuitos RC ........................................................................................... 3-3
3.1.1 O circuito RC passa-alto ........................................................................................................................... 3-3
3.1.2 O circuito RC passa-baixo ........................................................................................................................ 3-7
3.1.3 Resposta ao degrau de um integrador seguido de um diferenciador ...................................................... 3-10
3.1.4 Atenuadores ............................................................................................................................................ 3-10
3.2 Resposta no domnio da frequncia: diagramas de Bode .......................................................................... 3-12
3.2.1 Consideraes gerais sobre funes de transferncia ............................................................................. 3-12
3.2.2 Os diagramas de Bode ............................................................................................................................ 3-13
3.2.3 Traado simplificado dos diagramas de Bode ........................................................................................ 3-16
3.2.4 Termos constantes (K). ........................................................................................................................... 3-17
3.2.5 Termos da forma j! ( )
i
........................................................................................................................ 3-18
3.2.6 Termos da forma
1
1+ j!T
...................................................................................................................... 3-18
3.2.7 Termos da forma

1
s
2
+
!
n
Q
s +!
n
2
, correspondentes a um par de polos complexos conjugados. ........... 3-20
3.2.8 Nota Complementar: Relao entre o mdulo e a fase ........................................................................... 3-22
3.2.9 Exemplos ................................................................................................................................................ 3-23
3.3 Resposta no domnio da frequncia: Polos e zeros das funes de transferncia ................................... 3-29
3.3.1 O amplificador na zona de altas frequncias .......................................................................................... 3-30
3.3.2 Exemplo numrico para as altas frequncias .......................................................................................... 3-31
3.3.3 O amplificador na regio das baixas frequncias ................................................................................... 3-33
3.3.4 Exemplo numrico para as baixas frequncias ....................................................................................... 3-34




3-3
3 Resposta no domnio do tempo e no domnio da frequncia
Neste captulo sero revistos os conceitos e as respostas no domnio do tempo de circuitos simples com resistncias e
capacidades, em geral com uma simples constante de tempo. Essa resposta ser estudada quer para regime permanente
(resposta a sinais sinusoidais) mas tambm em regime transitrio, nomeadamente atravs da resposta a um sinal em
degrau, a um impulso ou a uma onda quadrada.
Como sabido, se um sinal sinusoidal aplicado a um circuito composto por elementos lineares, os sinais de corrente
ou tenso em qualquer elemento so tambm sinusoidais, com a mesma frequncia, variando apenas na amplitude e
fase. Esta propriedade de manuteno da forma e frequncia peculiar dos sinais sinusoidais e o conhecimento da
resposta, para vrias frequncias permite determinar o comportamento do circuito, na frequncia. Na seco 3.2 iremos
ver como representar, no domnio da frequncia, estas respostas.
Como tambm sabido, outros tipos de sinal sofrem significativas modificaes na sua forma. E se entre estes sinais
nos interessa particularmente analisar a resposta ao degrau, ao impulso e ou onda quadrada, porque das suas
caratersticas podem ser tambm extrados parmetros que se relacionam diretamente com a resposta na frequncia.
Esta dualidade ser de novo abordada adiante, a propsito do diagrama de Bode.
3.1 Resposta no domnio do tempo de circuitos RC
3.1.1 O circuito RC passa-alto
O circuito da fig. 3-1 um rudimentar filtro passa-alto, querendo com isto dizer que, para uma mesma amplitude de
entrada, o sinal na sada crescer com a frequncia. Isto decorre diretamente do facto de a reactncia do condensador
decrescer com a frequncia.
Para frequncias muito elevadas, o condensador comporta-se, praticamente, como um curto-circuito. Em compensao,
frequncia nula o condensador apresenta uma reactncia infinita e o circuito apresenta-se como um circuito-aberto,
servindo este tipo de circuito para isolar a componente de corrente-contnua (CC) entre partes de um dado circuito.
3.1.1.1 Sinusoide na entrada
Para uma dada entrada sinusoidal v
in
= V
in
sin !t ( ) , a sada v
out
= V
out
sin !t +" ( ) tal que A =
V
out
V
in
=
1
1+
1
!" ( )
2

e ! = tan
"1
1
#$
%
&
'
(
)
*
, em que ! = RC e ! = 2" f
Fig. 3-1 Circuito passa alto
v
o
R

v
i
C



3-4
Se designarmos por !
1
= !
-1
=2"f
1
, frequncia f=f
1
o ganho atinge #2/2 do valor mximo a que corresponde, como
teremos a oportunidade de ver, -3dB.
3.1.1.2 Degrau na entrada
Um degrau um sinal que tem um valor nulo para todo o t<0 e mantm um valor V para t>0. A transio tem lugar em
t=0 e faz-se num intervalo de tempo arbitrariamente pequeno.
trivial verificar que a resposta tem a forma v
o
=K
1
+K
2
e
-t/!
. Como e
-t/!
$0 quando t$%, K
1
o valor de estado
permanente que, neste caso, ser zero. Em compensao, v
o
= K
2
quando t=0, j que e
-t/!
|
t=0
=1. Dado que a carga aos
terminais do condensador no pode variar instantaneamente e, consequentemente o mesmo acontece com a tenso, o
salto na sada ser necessariamente igual ao da entrada no momento inicial e, ento, k
2
=V. Na fig. 3-2 est representada
a entrada e a sada, com indicao dos valores e parmetros correspondentes.
3.1.1.3 Impulso na entrada
Um impulso ideal aquele que est representado na fig. 3-3a) e que pode ser pensado como a sobreposio de dois
degraus, como representado em 3-3b) e 3-3c). A resposta at t=T idntica resposta ao degrau e v
o
=Ve
-t/RC
. Se
designarmos por V
T
o valor de v
o
para t=T, V
T
= Ve
-T/RC
.
Quando em t=T o sinal na entrada decresce de V, tambm a sada tem uma brusca mudana com o mesmo valor V e, a
partir da, evolui para zero com a constante de tempo "=RC. Para t=T+ (i.e. direita do instante t=T),

v
i
v
o
!
Fig. 3-2 Resposta do passa alto ao degrau
T
a)
b)
c)
d)
Fig. 3-3 - Resposta do passa alto a um impulso


3-5
v
o
t =T
+
= V
T
!V e v
o
= V
T
!V ( )e
!
t
"
= V e
!
T
RC
!1
#
$
%
&
'
(
e
!
t
"

Note-se a distoro que provoca no sinal a passagem pelo filtro passa alto. H um decaimento no topo do sinal e, na
transio negativa, haver sempre uma passagem abaixo de zero. O facto de no poder passar a componente contnua
obriga a que as reas acima e abaixo da linha de zero sejam sempre iguais.
Se se verificar que T RC, a forma do sinal aproximadamente a que dada pela Fig.3-4a) e, nesse caso, como
e
!
t
RC
=1!
t
RC
+... "1!
t
RC
,o decaimento essencialmente linear e o valor da diferena para o mximo no momento da
transio ! "
T
RC
.
Se, pelo contrrio, T RC, as formas de onda so as que esto representadas na fig. 3-4b) e, nesse caso, a resposta
subida e descida do sinal quase no interferem, uma vez que, para t=T, vo&0
3.1.1.4 Decaimento, para uma onda quadrada na entrada
Se aplicar uma onda quadrada de frequncia ! !
!
!
, independentemente do seu valor mdio, na sada obtm uma onda
de valor mdio nulo e, se se puder supor que ! ! !" ! ! e possa tomar a aproximao linear para o decaimento
exponencial, i.e. V
1
e
!
t
"
#V
1
1!
t
"
$
%
&
'
(
)
a tenso V
2
pode ser expressa como V
2
!V
1
1"
T
2#
$
%
&
'
(
)
e aquilo a que chamamos
decaimento, D, ser dado por D = V
1
!V
2
= V
1
T
2"
e se designarmos ! !
!
!
, o decaimento relativo, tendo em conta que
a)
b)
Fig. 3-4 - Repostas do passa alto, com ! T e ! T
V

V
1
V
2

Fig. 3-5 Anlise do decaimento, no passa alto


3-6
V = V
1
+V
2
= V
1
2 !
T
2"
#
$
%
&
'
(
, obtemos d !
T
2"
2 #
T
2"
=
T
4" #T
.
Substituindo ! !
!
!
e ! !
!
!!"
!
, podemos escrever f
0
=
2d
! 1+ d ( )
f .
3.1.1.5 Circuito RC como diferenciador
Se a constante de tempo for muito inferior ao tempo em que o sinal de entrada sofre variaes apreciveis, o circuito
comporta-se como um diferenciador.
O nome decorre de que, nestas circunstncias, a queda de tenso em R muito mais pequena do que a que ocorre em C.
Ento podemos considerar que todo o sinal de entrada vi cai em C e a corrente i ! C
dv
i
dt
provoca em R uma tenso
v
o
! RC
dv
1
dt
. Assim, a sada aproximadamente proporcional derivada da entrada.
Para uma onda quadrada, a derivada ser nula fora das zonas de transio. Nestes, a derivada resultaria em impulsos de
Dirac em que a durao seria nula e a rea idntica amplitude da onda quadrada no que resulta uma amplitude infinita.
Como bvio, com o circuito isso no acontece como se pode ver na Fig.3-6, em que se obtm uma aproximao de
amplitude igual da onda quadrada e durao obviamente no nula.
tambm interessante procurar um critrio para a qualidade da diferenciao obtida com este circuito para uma onda
sinusoidal. Se se aplicar ao circuito um sinal sinusoidal, na sada teremos tambm uma sinusoide com uma deslocao
de fase # tal que tan! =
X
C
R
=
1
"RC
.
A derivada matemtica do seno um cosseno pelo que se deveria ter #=90. Poderemos verificar facilmente que se !
for tal que !RC =1%," = 89.4 e se !RC =10%," = 84.3
Em certas circunstncias, qualquer destas aproximaes pode ser suficiente.

a)
b)
c)
Fig. 3-6 Circuito diferenciador


3-7
3.1.2 O circuito RC passa-baixo
O circuito da Fig.3-7 um rudimentar filtro passa-baixo, querendo com isto dizer que, para uma mesma amplitude de
entrada, o sinal na sada diminuir com a frequncia.
Isto decorre diretamente do facto de a reatncia do condensador decrescer com a frequncia. Para frequncias muito
elevadas, o condensador comporta-se, praticamente, como um curto-circuito. Em compensao, frequncia nula o
condensador apresenta uma reactncia infinita e e o sinal na sada igual ao sinal na entrada.
3.1.2.1 Sinusoide na entrada
Para uma dada entrada sinusoidal v
in
= V
in
sin !t ( ) , a sada v
out
= V
out
sin !t +" ( ) tal que A =
V
out
V
in
=
1
1+ !" ( )
2
e
! = "tan
"1
#$ ( ) , em que ! = RC e ! = 2" f . Se designarmos por !
1
= !
-1
=2"f
1
, frequncia f=f
1
o ganho desce #2/2
do valor mximo a que correspondem -3dB.
3.1.2.2 Degrau na entrada
Um degrau um sinal que tem um valor nulo para todo o t<0 e mantm um valor V para t>0. A transio tem lugar em
t=0 e faz-se num intervalo de tempo arbitrariamente pequeno.

trivial verificar que a resposta tem a forma v
o
=V(1'e
-t/"
). Dado que a carga aos terminais do condensador no pode
variar instantaneamente a tenso na sada subir necessariamente de modo lento a partir de zero. Na Fig.3-8 est
representada a entrada e a sada, com indicao dos valores e parmetros correspondentes.
Fig. 3-7 Circuito passa baixo
! v
i

v
o


Fig. 3-8 Reposta do passa baixo ao degrau
v
o
R

v
i
C



3-8
3.1.2.3 Tempo de subida
Quando se aplica um degrau entrada de um circuito integrador com uma nica constante de tempo, a resposta
frequentemente caracterizada por um parmetro fcil de medir que o tempo de subida, t
s
. O tempo de subida
definido com o tempo que o sinal leva a passar de 10% a 90% do seu valor final. Se dissermos ento que t
s
=t
0,9
-t
0,1
,
podemos escrever:
0.9V = V 1! e
!
t
0.9
"
#
$
%
&
'
(
) t
0.9
= !" ln 1! 0.9 ( ) = !" ln 0.1 ( )
0.1V = V 1! e
!
t
0.91
"
#
$
%
&
'
(
) t
0.1
= !" ln 1! 0.1 ( ) = !" ln 0.9 ( )
!t
0.9
" t
0.1
= t
sub
= # ln
0.9
0.1
= 2.2#
Ora, como ! = RC =
1
"
0
=
1
2# f
0
, podemos escrever, f
0
!
2.2
2"t
sub
!
0.35
t
sub

1

3.1.2.4 Impulso na entrada
Um impulso ideal aquele que est representado na Fig.3-9a) e tal como vimos anteriormente, pode ser pensado como a
sobreposio de dois degraus, como representado em 9b) e 9c). A resposta at t=T idntica resposta ao degrau e
v
o
= V 1! e
!
t
"
#
$
%
&
'
(
. Se designarmos por V
T
o valor de v
o
para t=T, V
T
= V 1! e
!
t
RC
"
#
$
%
&
'
.
Quando em t=T o sinal na entrada decresce de V, tambm a sada tem uma brusca mudana com o mesmo valor V e, a
partir da, evolui para zero com a constante de tempo "=RC. Para t=T+ (i.e. direita do instante t=T), v
0
t =T
+
= VT e
v
0
= VTe
!
t
"
Note-se a distoro que provoca no sinal a passagem pelo filtro passa baixo. O sinal tende
exponencialmente para o valor final pelo que, ao fim do tempo T, dependendo do valor da constante de tempo, o sinal
pode estar ainda longe do valor V.

1
H uma mnemnica interessante que conduz a um valor aproximado que que 3 x largura de banda x tempo de subida & 1.
a)
b)

c)

d)

Fig. 3-9 Resposta do passa baixo a um impulso


3-9
Se se verificar que T RC, a forma do sinal aproximadamente a que dada pela fig.3-10b).
Como, nesse caso, 1! e
!
t
RC
"
#
$
%
&
'
=
t
RC
!... (
t
RC
, o sinal pode apresentar um andamento quase triangular.
Se, pelo contrrio, T RC, a forma de onda a que est representada na fig. 3-10c) e, nesse caso, o sinal pode
aproximar-se significativamente do sinal na entrada.
3.1.2.5 Circuito RC como integrador
Se a constante de tempo for muito superior ao tempo de durao do sinal de entrada, o circuito comporta-se como um
integrador. O nome decorre de que, nestas circunstncias, a queda de tenso em C muito mais pequena do que a que
ocorre em R. Ento podemos considerar que todo o sinal de entrada v
i
cai em R e a corrente i =
v
i
R
e a tenso de sada,
aos terminais de C ser v
o
=
1
C
i dt !
1
RC
V
i
dt
" "
. Assim, a sada proporcional ao integral da entrada.
Como j foi referido a propsito da resposta onda quadrada e como se pode ver na fig. 3-10b) nas condies
consideradas (RC T) a sada praticamente uma onda triangular a que corresponderia, a menos de uma constante, o
integral correspondente.
Do mesmo modo a resposta rampa ser uma quadrtica, como se viu no ponto anterior e est representado na fig. 3-
11c). Se se aplicar ao circuito um sinal sinusoidal, na sada teremos tambm uma sinusoide com uma deslocao de
fase # tal que tan! =
R
X
C
= "RC .
A derivada matemtica do seno um cosseno pelo que se deveria ter #=90. Poderemos verificar facilmente que para
obter um valor de ! = 89.4 ,"RC = tan 89.4 ( ) # 95 e isso equivalente a ter RC=15T. Com efeito,
!RC = 95 " RC =
95
2# f
=
95
2#
T $15T
a)
b)

c)

Fig. 3-10 Reposta ao impulso, com ! > T e cin ! < T


3-10
3.1.3 Resposta ao degrau de um integrador seguido de um diferenciador
Consideremos agora o circuito constitudo por um passa baixo seguido de um passa alto. O amplificador colocado no
meio tem ganho unitrio e cumpre apenas o papel de isolar a interferncia entre os dois circuitos j que se admite que a
sua impedncia vista do lado da entrada infinita e vista do lado da sada nula. Assim, a resposta deste circuito a um
degrau ser, em v, uma exponencial e, em v
o
a resposta de um passa alto a uma exponencial.
Analisemos esta ltima: como vimos anteriormente,
dv'
dt
=
v
o
RC
+
dv
o
dt
e como v' = V 1! e
!
t
R
1
C
1
"
#
$
%
&
'
, se designarmos por
"
1
=R
1
C
1
e "
2
=R
2
C
2
, a equao anterior conduz a
V
!
1
e
"
t
!
1
=
v
o
!
2
+
cv
o
dt
.Se designarmos e , a soluo da
equao anterior sob condio de que a tenso inicial no condensador nula da forma v
o
=
V
n
n !1
e
!
x
n
! e
!x
"
#
$
%
&
'
se n(1 e
v
o
= Vxe
!x
se n=1.
3.1.4 Atenuadores
Para atenuar um sinal bastaria, em princpio, a utilizao de duas resistncias, R
1
e R
2
na Fig.3-16. Com efeito, as
resistncias tm um comportamento independente da frequncia pelo que, qualquer que fosse a forma e o contedo
1
!
t
x "
1
2
!
!
" n

v
i
v

v

v
o
R
1
R
2
C
2
C
1
+1

Fig. 3-12 Integrador seguido de diferenciador
!
!"#
!"$
!"%
!"&
'
v
n=100
n=10



n=1

n=0.1
Fig. 3-13 Resposta para vrias relaes de !1 e !2

v
i
R
1
R
2
C
1
C
2

v
o
Fig. 3-14 Atenuador compensado


3-11
espectral do sinal, ele seria atenuado, sem distoro, pelo circuito assim constitudo.
Esta a situao que se verifica, frequentemente, quando queremos atenuar um sinal entrada de um osciloscpio,
porque o seu valor mximo excede o que a escala do andar de entrada permite visualizar.
O problema, porm, que a capacidade C
2
existe sempre como uma capacidade parasita no andar de entrada do
osciloscpio e, assim, o circuito de atenuao transforma-se num passa baixo cortando as altas frequncias do sinal. O
modo de conseguir corrigir esta distoro consiste em fazer o que se designa por compensar o atenuador. Para tal,
coloca-se uma capacidade varivel (C
1
) em paralelo com a resistncia R
1
e, em certas circunstncias que iremos agora
analisar, possvel igualizar a resposta na frequncia.
Vejamos ento a resposta do circuito a um degrau de amplitude V, comeando por considerar que o atenuador de 10:1
(frequente no caso das pontas de prova com atenuao, dos osciloscpios). Nesse caso, Se dissermos que R
1
= K.R
2

teremos K=9.No instante inicial as tenses nos dois condensadores devem variar bruscamente, o que s possvel se
admitirmos que temos um impulso de corrente tal que no tempo infinitesimal entre t
1
=0- e t
2
=0+ uma carga q = i dt
0
!
0
+
"
passada para os dois condensadores tal que V =
q
C
1
+
q
C
2
=
C
1
+ C
2
C
1
C
2
q . Ento, o sinal na sada v
o
0
+
( )
=
q
C
2
=
C
1
C
1
+ C
2
V
fcil de admitir que a tenso inicial determinada pelos condensadores que se comportam como curto-circuitos para
mudanas bruscas do sinal.
Contudo, a tenso para a qual o sinal na sada tende ser determinada pelas resistncias j que, para tempos infinitos, os
condensadores comportam-se como circuitos abertos. Ento, v
o
! ( ) =
R
2
R
1
+ R
2
V .
Assim, se designarmos por "
1
=R
1
C
1
e "
2
=R
2
C
2
, verifica-se que se "
1
>"
2
o sinal tem um overshoot (Fig.3-17a))
decaindo depois para o valor final. Inversamente se "
1
<"
2
o sinal comea menor, crescendo depois para o valor final
(Fig.3-17b)). Se as constantes de tempo forem iguais o sinal de novo um degrau na sada, correspondendo situao
em que a resposta do atenuador na frequncia constante e o atenuador diz-se compensado (fig. 3-15c)).
Da que, quando queremos compensar uma ponta de provas com atenuao, colocamos uma onda quadrada na entrada
(normalmente um sinal de calibrao fornecido pelo prprio osciloscpio) e depois atuamos na ponta de provas
v
i





a)
c)


b)

Fig. 3-15 Resposta do atenuador para
vrias relaes de !1 e !2


3-12
variando a capacidade do condensador C
1
por forma a que no osciloscpio vejamos efetivamente uma onda quadrada. O
modo de variar C
1
depende da ponta de provas sendo vulgar haver uma parte que roda em relao a outra ou, ento,
haver um parafuso que deve ser atuado. A razo de ser de que de osciloscpio para osciloscpio podemos ter de voltar a
compensar a ponta de provas que a capacidade C2 no ser sempre a mesma.
3.2 Resposta no domnio da frequncia: diagramas de Bode
3.2.1 Consideraes gerais sobre funes de transferncia
Um sistema eletrnico pode ser caraterizado pela sua resposta no domnio do tempo (como que o sistema responde a
um sinal arbitrrio, na sua entrada) ou pela sua resposta no domnio da frequncia (como que o sistema altera a
amplitude e a fase de entradas sinusoidais, com frequncia arbitrria).
Ambas as abordagens podem ser obtidas a partir da transformada de Laplace: no domnio do tempo, usando a funo de
transferncia e a transformada do sinal de entrada e, depois, a transformada inversa do sinal de sada obtido, enquanto
que na frequncia, a caraterizao do sistema (transformada de Fourier) pode ser obtida restringindo a varivel s de
Laplace (

s = ! + j" ) ao eixo das frequncias reais, fazendo ! =0.
Como se sabe, para um sistema linear com uma nica entrada e uma nica sada (single input single output, SISO, nico
caso que trataremos aqui) a funo de transferncia, em termos da transformada de Laplace, sempre da forma


X
o
(s)
X
i
(s)
! H(s) =
a
n
s
n
+ a
n"1
s
n"1
+... + a
1
s + a
o
s
m
+ b
m"1
s
m"1
+... + b
1
s + b
o
(3.1)

Fig. 3-16 Representao esquemtica dos vectores dirigidos dos zeros (a preto) e dos polos (a encarnado) de uma funo de transferncia
para um ponto corrente s=j".
em que o coeficiente do denominador pode fazer-se, sem perda de generalidade, igual a 1 e alm disso m)n, sem o que
!
j"


3-13
o sistema no fisicamente realizvel. X
i
(s) e X
o
(s) so respectivamente, as transformadas de Laplace do sinal de
entrada e do sinal de sada, normalmente tenses, embora no necessariamente assim
2
.
As razes do denominador da equao acima, ou seja, os valores de s que tornam a funo infinita, chamam-se polos do
sistema e as razes do numerador, ou seja, os valores de s que tornam a funo H(s) igual a zero, chamam-se zeros.
, muitas vezes, conveniente exprimir a equao (3.1) na forma factorizada seguinte:

H(s) =
K s +!
z1
( )
s +!
z 2
( )
""" s +!
zn
( )
s +!
p1
( )
s +!
p2
( )
""" s +!
pm
( )
(3.2)
em que os "
zi
so os zeros e os "
pj
so os polos.
Para obter a funo de transferncia no domnio da frequncia, j", basta substituir s por j". Substituir s por j" o
mesmo que fazer a varivel s percorrer a parte positiva do eixo imaginrio. E os termos do numerador e do
denominador representam simplesmente os vectores que ligam o ponto j" a cada um dos zeros e polos do sistema (Fig.
3-16). De notar que polos e zeros ou so reais ou complexos conjugados.
A funo de transferncia no domnio da frequncia representa a relao entre a entrada e a sada, se pudermos supor
que a entrada sinusoidal e todos os fenmenos transitrios j desapareceram. Note-se que, em qualquer sistema linear,
a um sinal de entrada sinusoidal, corresponde sempre uma sada sinusoidal da mesma frequncia, apenas modificada em
amplitude e fase.
3

3.2.2 Os diagramas de Bode
Dado, portanto, que num sistema linear, as nicas alteraes que um sinal sinusoidal na entrada poder sofrer sero na
sua amplitude e fase, basta conhecermos, para qualquer frequncia, essas alteraes, para o sistema ficar completamente
caracterizado, ou seja, basta termos

2
A funo de transferncia de um sistema linear assume a forma de quociente de dois polinmios porque ela deriva de uma equao diferencial
linear, ordinria, e de coeficientes constantes do tipo

d
( m)
f (t)
dt
( m)
+ b
m!1
d
( m!1)
f (t)
dt
( m!1)
+... + b
1
df (t)
dt
+ b
o
f (t) = g(t) ,
em que os coeficientes bi so constantes.
Quando se acha a transformada de Laplace de ambos os membros desta equao e se resolve em ordem a

F(s) = f t
( )
!
"
#
$
, obtm-se uma
expresso como (3.1)
3
importante enunciar este facto, porque sem ele o mtodo no teria validade. De facto, num sistema linear, as nicas operaes sofridas pelos sinais
so a adio algbrica, a multiplicao por uma constante, a diferenciao e a integrao. E todas estas operaes conduzem a um sinal igualmente
sinusoidal, e mesma frequncia do sinal original.


3-14


V
o
( j!)
V
i
( j!)
= H j!
( )
(3.3)
e


arg
V
o
( j!)
V
i
( j!)
"
#
$
%
&
'
= arg H j!
( ) ( )
(3.4)

Fig. 3"17 Dois grficos do mdulo de uma funo de transferncia, em funo de ", em coordenadas lineares
A funo H(j") pode pois ser representada em dois grficos, um de amplitude e outro da fase, em funo da frequncia
angular ". Na fig. 3-17 est representado o que veremos adiante, se trata de um filtro passa-banda de 2 ordem.
Estes grficos, no entanto, costumam traar-se em coordenadas logartmicas, tanto em ordenadas (para a amplitude)
como em abcissas por duas razes:
1. A logaritmizao converte multiplicaes em adies e, se como vimos acima, tomarmos a funo de transferncia
como um produto de factores, no tocante s ordenadas de amplitude basta sabermos traar o diagrama correspondente a
cada factor e a curva total ser a adio das curvas individuais e o seu traado pode ser obtido mediante o recurso a
regras muito simples, como veremos adiante. Quanto s ordenadas da fase sero expressas em escala linear porque a
fase correspondente a vrios zeros ou polos j , por si, a soma (ou subtrao) das fases individuais.
2. Se, alm disso, tomarmos tambm as abcissas em escala logartmica, quer a proporcionalidade direta quer a inversa
se transformam em retas. E como para cada polo ou zero, para valores da frequncia muito superiores ao do prprio
polo (ou zero) a funo aproximadamente proporcional (ou inversamente proporcional) frequncia, as retas que
representam essa variao correspondem a assntotas das respetivas curvas. Os grficos da fig.3-17 quando traados em
coordenadas logartmicas, apresentam o aspecto da fig.3-18.
|H(j!)|
arg(H(j!))


3-15
importante chamar aqui a ateno para algumas das propriedades dos grficos traados em coordenadas.
Em primeiro lugar, que num eixo graduado logaritmicamente, ficam mesma distncia pontos cuja relao (e no cuja
diferena) seja a mesma. Certas relaes tm designaes prprias: por exemplo, diz-se que duas frequncias distam de
uma oitava quando se uma o dobro da outra
4
ou de uma dcada quando uma 10x a outra.

Fig. 3-18 Os grficos da fig.3-17 em coordenadas logartmicas (o das fases, s em abcissas). Repare-se na expanso dos grficos na zona das
baixas frequncias. Note-se tambm, no diagrama do mdulo, a presena (provvel) de assntotas.

Em segundo lugar, num eixo de frequncias logartmico, se duas frequncias forem simtricas relativamente a uma
terceira, essa frequncia a mdia geomtrica das outras duas
Finalmente, e como bvio, um eixo em escala logartmica no tem zero (que fica infinitamente esquerda) pelo que
se pode desenhar um eixo de frequncias at uma frequncia to baixa quanto se queira, mas no at frequncia zero.
O diagrama que representa o mdulo da funo de transferncia est normalmente graduado em decibis (dB) que,
como se sabe, se exprime do seguinte modo:

4
uma designao herdada da msica onde isso corresponde a uma oitava musical, de d a d, ou entre quaisquer outras notas idnticas, sucessivas
log|H(j!)|
arg(H(j!))


3-16


N = 20! log
V
1
V
2
"
#
$
%
&
'
dB (3.5)
Os diagramas de Bode so portanto dois: o diagrama dos mdulos, ou das amplitudes, que representa o mdulo de
H(j#) em dB, e o das fases, que representa a fase de H(j#) com o eixo das abcissas (frequncias) em escala logartmica.

Fig. 3.19 - Num eixo de escala logartmica, se a distncia de #1 a #o for a mesma que de #o a #2, ento, wo a mdia geomtrica de #1 e #2:
#0
2
=#1 #2
3.2.3 Traado simplificado dos diagramas de Bode
Voltemos a tomar a funo de transferncia de um sistema linear na expresso da equao (3.1). As razes do
denominador e do numerador s podem ser de dois tipos:
a) reais (eventualmente zero), com qualquer grau de multiplicidade, e
b) complexas conjugadas, tambm com qualquer grau de multiplicidade.
Razes reais do origem, depois de feita a substituio de s por j#, a termos do tipo j#+#
k
, que muitas vezes mais
conveniente escrever na forma "
k
(1+j"/"
k
)= "
k
(1+j"#). Eventualmente haver razes iguais a zero, que conduzem a
termos da forma j".
As razes complexas so sempre conjugadas, isto , da forma ajb. Os dois factores a que elas do origem podem ser
agrupados num nico factor quadrtico da seguinte forma.


s + a + jb
( )
s + a ! jb
( )
= s + a
( )
2
+ b
2
= s
2
+ 2as + a
2
+ b
2
, (3.6)
expresso que, mediante uma redefinio dos coeficientes, pode ser posta na forma cannica da conhecida expresso
quadrtica


s
2
+ 2!"
o
s +"
o
2
(3.7)
ou:


s
2
+ s
!
o
Q
+!
o
2
, (3.8)
em que, como se sabe, $ a chamada razo (ou fator) de amortecimento e Q o fator de qualidade. A expresso (3.7)
mais utilizada na teoria do controlo, enquanto que (3.8) mais utilizada em electrnica. A relao entre Q e $, trivial:
!1 !o !2
! (log))


3-17


Q =
1
2!
(3.9)
Quando substitumos s por j", em (0.9):


!
o
2
"!
2
( )
+ j!
!
o
Q
(3.10)
Em resumo, ao factorizarmos a funo de transferncia de um sistema linear e tomando s=j", podemos obter 4 tipos
diferentes de factores:
1. termos constantes, K;
2. termos da forma

j!
( )
i
, correspondentes a polos (sinal ) ou zeros (sinal +) na origem de multiplicidade i;
3. termos da forma

1+ j!T
( )
i
, correspondentes a polos ou zeros reais com multiplicidade i;
4. termos da forma

!
o
2
"!
2
( )
+ j!
!
o
Q
#
$
%
&
'
(
i
, correspondentes a pares de polos ou zeros complexos conjugados, de
multiplicidade i.
J vimos atrs, que
o diagrama de Bode dos mdulos, sendo logartmico, pode obter-se por simples sobreposio (soma) de
termos dos 4 tipos acima descritos;
o mesmo se passa com as fases j que a fase a soma das fases dos factores;
finalmente, as curvas correspondentes a polos e zeros so simtricas em relao ao eixo das frequncias,
uma vez que

20! log
1
Z
= "20! log Z (3.11)
e

arg
1
Z
= !argZ (3.12)
Note-se, portanto, que desnecessrio estudar separadamente os termos correspondentes aos sinais + e nos expoentes
dos termos atrs definidos. Note-se, tambm que, sempre que possvel, analisaremos os caso dos polos j que so os
nicos que podem parecer sozinhos numa funo de transferncia real. Finalmente, ignoraremos as situaes de
multiplicidade maior que 1 j que podem ser obtidas por simples sobreposio de termos idnticos.
3.2.4 Termos constantes (K).
Para um termo constante o mdulo e o logaritmo do mdulo so ambos constantes, ou seja, independente da frequncia.
Logo, um termo K limita-se a somar uma constante a todos os pontos do diagrama. Desloca o diagrama para baixo
(porque o logaritmo pode ser negativo) ou para cima, mas sem lhe alterar a forma. O seu efeito sobre a fase nulo.


3-18

Fig. 3-20 - Mdulo e fase de um termo da forma j" (a preto) e

1
j!
(a vermelho).
3.2.5 Termos da forma j! ( )
i

O mdulo (em dB) 20i$log". No diagrama dos mdulos, estes termos correspondem, a uma recta a subir (com o sinal
+) ou a descer (com o sinal ), em ambos os casos com uma inclinao de 20idB cada vez que a frequncia
multiplicada por 10 (a que chamamos uma dcada) decorrente, imediatamente do facto de log10=1.
A fase , obviamente, i%/2, e independente da frequncia. Na figura representam-se o diagrama dos mdulos e das
fases para um polo frequncia zero (isto , um termo da forma j"
1
=

1
j!
) e um zero frequncia zero (ou seja, um
termo da forma j").
3.2.6 Termos da forma
1
1+ j!T

Para a curva dos mdulos, utilizando a definio, podemos escrever


20! log
1
1+ j"T
= 20! log
1
1+"
2
T
2
= #10! log 1+"
2
T
2
( )
(3.13)
Uma vez que no podemos decompor o logaritmo de uma soma, o mtodo aproximado que vamos seguir, ser o
seguinte: analisaremos, separadamente, a situao em que

!T !1 (baixas frequncias) e em que

!T !1(altas
frequncias). No primeiro caso, quando a frequncia diminui, a curva tende para zero (isto , tem uma assntota que
uma recta horizontal a 0dB), enquanto que no seguinte caso,
j!
1
j!
Mdulos
!
!
Fases
2
"
+
2
"
#


3-19

20! log
1
1+ j"T
= #10! log 1+"
2
T
2
( )
$ #10! log "
2
T
2
( )
= #20! log "T
( )
pelo que podemos dizer que, quando a
frequncia tende para infinito, a curva tem uma assntota que decresce a 20dB/dcada
5
.
Finalmente, para

! =
1
T
, (frequncia qual as duas assntotas de baixa frequncia e alta frequncia se cruzam) vem


20! log
1
1+ j"T
= 20! log
1
1+ j1
= 20! log
1
2
= #10log2 $ #3dB (3.14)

Fig. 3-21 - Diagrama de Bode para o mdulo de um polo simples
ou seja, a curva passa 3dB abaixo da assntota horizontal. O aspecto da curva e respectivas assntotas semelhante ao
da fig.3-21.
Para as fases, atendendo a que a fase de um complexo da forma a+jb argtg(b/a) e que a fase do inverso de um
complexo o simtrico da fase desse complexo, temos que a fase de H(j")

!argtg"T (3.15)
Separando de novo a anlise para baixas e altas frequncias e tendo em conta que, frequncia

! =
1
T
, passa por 45
(%/4) (tg(45)=1) o andamento da fase o que est representado na fig.3-22.

5
Tambm se diz por vezes que o ganho desce a 6dB/oitava Basta ver que se a frequncia aumentar 2 vezes, o ganho desce de 6dB (-6=20$log(1/2))
-25
-20
-15
-10
-5
0
!
-20dB/dcada


3-20
3.2.7 Termos da forma

1
s
2
+
!
n
Q
s +!
n
2
, correspondentes a um par de polos complexos conjugados.
Em primeiro lugar, notemos que s interessa considerar Q>1/2, uma vez que para Q*1/2 o termo quadrtico tem duas
razes reais (raiz dupla se Q=1/2), pelo que pode ser tratado como a sobreposio de dois termos como os do caso
anterior (3.2.6).
Substituindo s por j" e logaritmizando obtm-se:


20! log
1
"#
2
+ j
#
n
Q
# +#
n
2
= "10! log #
n
2
"#
2
( )
2
+
#
n
2
#
2
Q
2
$
%
&
'
(
)
, (3.16)
Fazendo de novo o estudo para baixas frequncias (i.e. em que

! !!
n
) e para as altas frequncias (quando

! !!
n
)
obtemos no primeiro caso uma assntota horizontal com um valor !10log"
n
4
e no 2 caso uma assntota que decresce a
40dB/dcada.
O mais interessante, neste caso, estudar o andamento das curvas de amplitude e fase na vizinhanas de

! = !
n
que
depende do valor de Q. Embora este estudo pudesse ser feito analiticamente, apresentam-se aqui somente as concluses:
para Q<

2
2
, a curva no apresenta um pico. A curva para Q=

2
2
designa-se por de horizontalidade mxima
(maximally flat)
6
;
para Q>

2
2
, a curva apresenta um pico, tanto mais pronunciado quanto mais elevado for o valor de Q. Quando
Q$&, a amplitude do pico tende igualmente para infinito;
a posio do pico sempre ligeiramente abaixo de

!
n
, s tendendo para

!
n
quando Q$&;
Na fig.3-23 representa-se o aspecto das curvas para vrios valores de Q.

6
ou resposta tipo Butterworth (porque o polinmio em s do denominador um polinmio de Butterworth de 2 ordem)
1/T
!
!"/4
!"/2
Fig. 3-22 - Diagrama de Bode para a fase de um polo simples


3-21
A fase deste termo quadrtico da forma

!argtg
""
n
Q
"
n
2
!"
2
#
$
%
%
%
%
&
'
(
(
(
(
.
Vemos que s muito baixas frequncias este argumento zero, para

! = !
n
a tangente infinita, o que significa que a
fase

!
"
2
, e s muito altas frequncias, volta a ser 0, mas por valores negativos, o que significa que a fase tende para
!" . O comportamento das curvas da fase na regio intermdia, ou seja, na vizinhana de

! = !
n
, depende novamente
do valor de Q. Para valores muito elevados deste factor, a transio de fase brusca. Para valores baixos a transio
suave, embora haja sempre duas assntotas s baixas e s altas frequncias, respectivamente 0 e !" . O traado exato
das curvas de fase est representado na fig.3-23.

Fig. 3-23 - Diagrama de Bode da fase para um termo quadrtico em denominador e vrios valores de Q.
Conhecidas as curvas do mdulo e da fase de todos os termos que podem aparecer numa funo de transferncia, os

!
"#


3-22

Fig. 3-24 Diagrama de Bode dos mdulos para um termo quadrtico, traadas para vrios valores de q: Q=.5 (a curva mais baixa),

2
2
, 1, 2,
10 e 100.
diagramas de Bode completos de qualquer funo de transferncia obtm-se agora simplesmente por sobreposio.
3.2.8 Nota Complementar: Relao entre o mdulo e a fase
Embora tenhamos sempre traado as curvas do mdulo e da fase, para muitos casos com interesse prtico o traado da
curva das fases, sobretudo quando se trata de analisar a estabilidade de sistemas, desnecessrio: o diagrama das fases
pode ser deduzido aproximadamente do diagrama dos mdulos. Isto desde que se trate de sistemas de fase mnima,
como tambm o so os sistemas que ocorrem nas situaes da vida real.
Sabemos que, para que um sistema seja estvel (nicos sistemas que iremos abordar), todos os seus polos, quando
implantados no plano da varivel complexa s, devem estar no semiplano esquerda do eixo imaginrio.
No entanto, esta exigncia no existe para os zeros. Por outras palavras, um sistema pode ter zeros no semiplano
direita e, contudo, ser estvel. Simplesmente, no de fase mnima. Para perceber esta designao, atentemos na
equao (3.2) e substituamos nela s por j". Se todos os valores "
p1
, "
p2
forem positivos, todas as razes do
denominador (polos) so negativas (isto , esto no semiplano esquerda) e a fase de cada termo do denominador
positiva. Como esto em denominador, no entanto, do uma contribuio negativa para a fase de

H j!
( )
. Para os
zeros, passa-se o inverso: se os valores "
z1
, "
z2
forem positivos, os zeros sero negativos (significando que se
encontram na metade do plano s esquerda do eixo imaginrio). Estes zeros vo dar uma contribuio positiva (um
avano) para a fase de

H j!
( )
.
No entanto, se houver zeros no semiplano direita, isto , razes positivas do denominador, isso conduzir a termos da
forma "
z
j", cujo argumento negativo e portanto contribuem com um atraso.
Resumindo, se tivermos duas funes de transferncia, uma em que os zeros estejam esquerda e outra em que estejam
-40
-20
0
20
40


3-23
direita (mas iguais em mdulo), as duas funes tero o mesmo diagrama dos mdulos, mas a que tem a menor fase
ser a que tem todos os zeros (e os polos, evidentemente) no semiplano esquerda. por isso que esta ltima se diz de
fase mnima.
Nesta anlise consideraram-se apenas polos e zeros reais, mas evidente que os argumentos so igualmente vlidos
para polos e zeros complexos.
Se um sistema for de fase mnima, possvel deduzir o diagrama das fases do diagrama dos mdulos, pelo menos
aproximadamente, desde que os polos e zeros estejam razoavelmente afastados, tipicamente, uma dcada.
3.2.9 Exemplos
3.2.9.1 Considere-se o circuito simples da fig.3-25:
Antes de mais, vale a pena simplificar o circuito representando os dois paralelos de resistncia e condensador por
impedncias, como mostra a parte direita da figura.
Tratando o circuito como um divisor de tenso, e passando s transformadas de Laplace, vem:

H(s) !
V
2
V
1
=
Z
2
Z
1
+ Z
2

Como por outro lado

Z
1
=
R
1
1
sC
1
R
1
+
1
sC
1
=
R
1
1+ sC
1
R
1
e

Z
2
=
R
2
1
sC
2
R
2
+
1
sC
2
=
R
2
1+ sC
2
R
2
,
pode escrever-se, substituindo e reagrupando os termos


H(s) =
R
2
R
1
+ R
2
1+ sC
1
R
1
1+ s C
1
+ C
2
( )
R
||
(3.17)
R1
R2
C1
C2
V1 V2
Z1
Z2 V1 V2
Fig. 3-25


3-24
com

R
||
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
(o paralelo de R
1
e R
2
).
Substituindo s por j", ficamos com um polo e um zero, ambos da forma acima descrita em 3.2.6. No sabemos qual
deles est a frequncia mais elevada. A representa a situao (na aproximao assinttica) em que o zero se encontra
esquerda do polo no eixo das frequncias.
A resposta exata do circuito no corresponderia exatamente figura, mas muito aproximadamente passaria cerca de
3dB acima da posio do zero e cerca de 3dB abaixo da posio do zero.

Fig. 3-26 Construo do diagrama de Bode para um sistema com um polo e um zero (aproximao assinttica). A linha a trao mais cheio
representa a sobreposio dos dois diagramas correspondentes a termos de 1 ordem.
Relativamente s fases, o diagrama seria a sobreposio de dois diagramas do tipo representado na fig.3-26, sendo um
deles, o correspondente ao zero, invertido, obviamente. Podemos descrever o diagrama de fases por palavras da
seguinte forma: a fase zero s muito baixas frequncias. Depois torna-se positiva e, se o zero e o polo forem
suficientemente afastados
7
ir aproximar-se de 90 em avano, embora sem l chegar. Ao aproximarmo-nos do polo,
comea a fazer-se sentir o atraso introduzido por este, que vai progressivamente anulando o avano introduzido pelo
zero, de tal forma que frequncia do polo a fase deve andar volta de 45 (os 90 em avano do zero, admitindo que
estamos suficientemente direita deste, menos os 45 de atraso introduzidos pelo polo). Finalmente a fase vai tender
assintoticamente para zero, quando estamos muito direita do polo. Na representam-se os diagramas do mdulo e da
fase, traados com a ajuda do programa MATLAB, para um sistema deste tipo em que o polo est uma dcada direita
do zero.

7
Para se entender o que quer dizer suficientemente afastado podemos utilizar o seguinte argumento: se fizermos os clculos exatos para a fase,
vemos que, por exemplo, para um polo a fase a uma frequncia uma dcada abaixo do polo ainda s cerca de 5.7 (5.7'argtg0.1), e para uma
frequncia uma dcada acima do polo a fase j 84.3 (84.3'argtg10). Podemos considerar portanto um factor de 10 como sendo suficientemente
afastado.
!
1 1
1
C R
1 2 ||
1
( ) C C R +
1 1
1
C R
1 2 ||
1
( ) C C R +


3-25

Fig. 3-27 Diagramas de Bode exatos correspondentes ao circuito da fig.3-25. As frequncias do zero e do polo so respectivamente 1 e 10rad/s.

Obviamente se o polo estivesse esquerda do zero as curvas teria um aspecto semelhante, mas o limite s baixas
frequncias do mdulo seria superior ao limite s altas frequncias, e a fase comearia por ser negativa, uma vez que o
polo aparece primeiro, e gradualmente tenderia para zero.
Falta calibrar a curva dos mdulos em ordenadas (a ordenada do diagrama de Bode dos mdulos na fig.3-27
arbitrria). Normalmente, numa funo de transferncia de transferncia os termos constantes no se tm em conta, para
um traado inicial dos diagramas de Bode, porque o seu efeito nulo sobre a fase e sobre o mdulo o seu efeito
apenas fazer subir ou descer o diagrama, sem lhe afectar a forma. Portanto o que normalmente se faz traar o
diagrama de Bode do mdulo sem nos preocuparmos com a calibrao do eixo vertical, e s depois de determinada a
forma do diagrama que vamos calibrar as amplitudes, normalmente atravs de um ponto, ou uma zona, do diagrama,
cuja ordenada seja possvel determinar facilmente.
Neste caso, uma zona possvel (h mais) por onde se pode calibrar o diagrama a assntota s baixas frequncias. Com
efeito, se na equao (3.17) fizermos s=0 (isto , se tomarmos o limite s baixas frequncias), vem

H s
( )
=
R
2
R
1
+ R
2
.
Logo, a ordenada da assntota s baixas frequncias

20! log
R
2
R
1
+ R
2
"
#
$
%
&
'
. Para a assntota s altas frequncias, podamos
fazer tender s para infinito, o limite seria dado pela relao dos coeficientes dos termos de ordem mais elevada no
-20
-15
-10
-5
0
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0
30
60
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (rad/sec)


3-26
numerador e no denominador, como se sabe. Mas um mtodo porventura mais instrutivo olhar para o diagrama inicial
da fig.3-26. Para uma frequncia suficientemente elevada, e quaisquer que sejam os valores dos componentes, a
reactncia dos condensadores h de ser muito pequena comparada com as resistncias que tm em paralelo. Logo,
quando tomamos o limite s altas frequncias podemos considerar que as resistncias so circuitos abertos, e ficamos
com um divisor capacitivo (fig.3-28).

Fig. 3-28 - Esquema equivalente ao circuito da fig.3-25, vlido s altas frequncias.
Como as tenses se dividem proporcionalmente s reatncias, ou seja, de forma inversamente proporcional s
capacidades, vem

lim
s!"
H s
( )
=
1
sC
2
1
sC
1
+
1
sC
2
=
C
1
C
1
+ C
2
(a relao, para um divisor capacitivo, inversa da mesma relao
para um divisor resistivo).
Podemos ainda notar, que, como temos uma assntota a subir a 20dB/dcada entre o zero e o polo, a relao das
ordenadas s altas e s baixas frequncias deve ser a mesma que entre as frequncias (isto , deve haver
proporcionalidade entre a ordenada e a abcissa). Assim , de facto:

1
(C
1
+ C
2
)R
||
1
C
1
R
1
=
C
1
R
1
(C
1
+ C
2
)
R
1
R
2
R
1
+ R
2
=
C
1
C
1
+ C
2
R
2
R
1
+ R
2

Finalmente, note-se que se o zero e o polo forem coincidentes, a resposta do circuito torna-se plana, ou seja, um
atenuador compensado (atenuao igual s altas e s baixas frequncias). a situao que ocorre quando uma sonda
atenuadora de osciloscpio est compensada. No esquema proposto na fig.3-25, R
2
e C
2
representariam a resistncia e a
capacidade do osciloscpio, e R
1
e C
1
os elementos da sonda. Como um clculo simples mostraria, a compensao
verifica-se quando R
1
C
1
=R
2
C
2
.
3.2.9.2 Exemplo 2.
Considere-se a seguinte funo de transferncia:

H s
( )
=
10
14
s s +10
( )
s +1
( )
s +100
( )
s +10
5
( )
s +10
6
( )
.
C1
C2 V1 V2


3-27
Traar o seu diagrama de Bode e calibr-lo em amplitude.
Embora no seja absolutamente necessrio, habitual colocar todos os factores na forma

1+
s
a
!
"
#
$
%
&
. Se assim se fizer, o
valor da constante o ganho frequncia zero. Para isso, preciso obviamente alterar o factor constante.

10
14
s s +10
( )
s +1
( )
s +100
( )
s +10
5
( )
s +10
6
( )
=
10
14
s 1+
s
10
!
"
#
$
%
&
'10
1+ s
( )
1+
s
100
!
"
#
$
%
&
1+
s
10
5
!
"
#
$
%
&
1+
s
10
6
!
"
#
$
%
&
'100 '10
5
'10
6
.
Simplificando, obtm-se:

H s
( )
=
10
2
s 1+
s
10
!
"
#
$
%
&
1+ s
( )
1+
s
100
!
"
#
$
%
&
1+
s
10
5
!
"
#
$
%
&
1+
s
10
6
!
"
#
$
%
&
.
Substituindo agora s por j", fica:

H j!
( )
=
10
2
j! 1+
j!
10
"
#
$
%
&
'
1+ j!
( )
1+
j!
100
"
#
$
%
&
'
1+
j!
10
5
"
#
$
%
&
'
1+
j!
10
6
"
#
$
%
&
'
. (3.18)
As assntotas correspondentes a cada um dos termos, excluindo o termo constante, representam-se na fig.3-29.

Fig. 3-29 - Diagrama assinttico correspondente funo de transferncia da equao (3.18). A sobreposio das assntotas est assinalada a
trao mais cheio. Sobre cada troo do diagrama est assinalada a inclinao, em dB/dcada. Como habitualmente, o diagrama no est
calibrado em amplitudes.
O traado do diagrama, na aproximao assinttica, imediato. Comeando esquerda, todas as assntotas so zero,
exceto a correspondente ao termo j". O grfico-soma sobe, portanto, a 20 dB/dcada. A 1 rad/s intervm o polo a esta
frequncia. Como a partir da aparece uma assntota a descer a 20 dB/dcada, essa descida anula a subida, pelo que o
grfico a partir da se torna plano (0 dB/dcada). A 10 rad/s aparece um zero que introduz uma assntota a subir a


3-28
20 dB/dcada, o que d lugar a que a curva-soma volte a subir a 20 dB/dcada. Isto acontece at 100 rad/s, em que
aparece uma assntota a descer a 20 dB/dcada. O grfico normalmente plano durante uma larga extenso, at
aparecer o polo a 10
5
rad/s, que faz com que passe a descer a 20dB/dcada. Finalmente, um novo polo a 10
6
rad/s faz
com que a partir daqui e at ao infinito, a curva tenha uma assntota a 40 dB/dcada. O traado aproximado do grfico
, portanto, trivial.
A calibrao vertical do diagrama tambm no oferece dificuldades. Podamos, por exemplo, utilizar a expresso exata
(3.18) e calcular o valor exato em dB para uma frequncia qualquer, em que a ordenada fosse fcil de identificar no
grfico (essa frequncia no deve ser a de qualquer das singularidades, uma vez que a o diagrama assinttico difere
significativamente cerca de 3dB, como vimos da curva exata). No caso deste exemplo, uma regio boa para isso
seria um ponto perto do meio da extensa zona plana que vai aproximadamente de 100 a 10
5
rad/s. Noutros casos, no
ser to fcil identificar um ponto onde a aproximao assinttica coincida quase exatamente com a curva exata, mas
em geral os diagramas de Bode tm zonas planas relativamente extensas.
No entanto, nem sequer preciso realizar esses clculos. Repare-se, na equao (3.18), ou na anterior, que para uma
frequncia que esteja muito direita de 100 rad/s e muito esquerda de 10
5
rad/s, isto , uma frequncia para a qual se
verifique a condio

100 !! !10
5
, nos termos

1+ j! ,

1+
j!
10
e

1+
j!
100
a parte imaginria muito grande
comparada com 1, pelo que podemos desprezar o factor 1 nesses termos. Pelo contrrio, nos termos

1+
j!
10
5
e

1+
j!
10
6

a parte imaginria que desprezvel e portanto esses dois termos so aproximadamente iguais a 1. Podemos portanto
dizer que na regio plana que vai de 100 a 10
5
rad/s (aproximadamente), a funo de transferncia pode ser
representada, com grande aproximao, por


H j!
( )
"
10
2
j!
j!
10
#
$
%
&
'
(
j!
( )
j!
100
#
$
%
&
'
(
1
( )
1
( )
=10
3
(60dB).
A ordenada da parte central do grfico pois 60 dB, e a partir da, como se conhecem as inclinaes das assntotas,
pode determinar-se a ordenada de qualquer outro ponto.
Tambm para este caso se pode deduzir aproximadamente o aspecto do diagrama de Bode das fases, a partir do dos
mdulos:
para muito baixas frequncias intervm apenas a fase do termo jw, pelo que a fase deve tender, esquerda,
para p/2;
a fase deve ser aproximadamente p/4 (45) a 1rad/s, porque a frequncia do primeiro polo. Depois deveria
tender para 0, mas sem l chegar, porque a partir de certa altura o zero a 10rad/s comea a introduzir um
novo avano;
quando nos aproximamos de 100 rad/s deve comear a fazer-se sentir o atraso introduzido pelo polo a esta
frequncia;
a 100 rad/s a fase deve passar novamente por cerca de 45, tendendo para zero direita desta frequncia;


3-29
durante toda a zona aproximadamente plana, a fase deve manter-se vizinha de 0;
quando comea a sentir-se a influncia do polo a 10
5
rad/s, comea a aparecer um atraso, que ser muito
aproximadamente de p/4 (45) a esta frequncia;
finalmente, o polo a 10
6
rad/s faz sentir os seus efeitos, introduzindo um atraso cada vez maior medida que
nos aproximamos dele, que atingir aproximadamente 3p/4 (135) a 10
6
rad/s e tender para p quando a
frequncia tender para infinito.
Fig. 3-30 Diagramas de Bode exatos correspondentes equao (3.18)
Os diagramas de Bode exatos, traados com o programa MATLAB, representam-se na fig.3-30.
3.3 Resposta no domnio da frequncia: Polos e zeros das funes de transferncia
Nos sistemas de amplificao, em geral, as respostas em frequncia ou correspondem ao que est a azul, na fig.3-31, em
que existe uma zona de baixas frequncias (em que o ganho cresce) e uma outra, suficientemente afastada, designada de
altas frequncias e em que o ganho vota a decrescer, criando uma zona intermdia de ganho aproximadamente
-40
-20
0
20
40
60
M
a
g
n
i
t
u
d
e

(
d
B
)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
-180
-90
0
90
P
h
a
s
e

(
d
e
g
)
Bode Diagram
Frequency (rad/sec)
Fig. 3-31 Diagrama correspondente a um circuito de banda
larga (azul) ou a um circuito sintonizado (vermelho)
!
!#$
!#%
!#&
!#'
!#(
!#)
!#*
!#+
!#,
$
f
L
f
H



3-30
constante, ou, como representado na curva a vermelho, essa zona intermdia no existe. Aos primeiros chamamos
amplificadores de banda larga tendo este conceito uma validade estritamente relativa, independentemente dos
valores absolutos da frequncias que a limitam, esquerda ou direita enquanto que aos segundos chamamos
amplificadores sintonizados.
Iremos agora analisar o que se passa com os amplificadores de banda larga. Vamos supor que a zona de mdias
frequncias fica contida entre as frequncias f
L
(a frequncia limite inferior da banda) e f
H
(a frequncia limite superior
da banda) frequncias essas qual o ganho inferior em 3 dB ao ganho mximo.
A funo de transferncia A s ( ) =
x
o
s ( )
x
i
s ( )
suscetvel de ser reescrita considerando que A s ( ) = A
M
F
L
s ( )F
H
s ( ) , em que
A
M
o ganho s mdias frequncias, uma constante, F
L
(s) a resposta s baixas frequncias e F
H
(s) a resposta s altas
frequncias. Tratar separadamente as 3 regies simplifica a anlise dos circuitos e, como teremos a oportunidade de ver,
muitas vezes possvel usar modelos diferentes para representar cada uma das 3 regies.
3.3.1 O amplificador na zona de altas frequncias
Comecemos por analisar a regio de altas frequncias. F
H
(s) pode ser, por sua vez, escrita como
F
H
s ( ) =
1+ a
1
s + a
2
s
2
+... + a
nH
s
nH
1+ b
1
s + b
2
s
2
+... + b
mH
s
mH
(3.19)
ou, se conhecermos os polos e zeros da funo, pode igualmente ser expresso como
F
H
s ( ) =
1+
s
!
Hz1
"
#
$
%
&
'
1+
s
!
Hz2
"
#
$
%
&
'
... 1+
s
!
Hzn
H
"
#
$
%
&
'
1+
s
!
Hp1
"
#
$
%
&
'
1+
s
!
Hp2
"
#
$
%
&
'
... 1+
s
!
Hpm
H
"
#
$
%
&
'
(3.20)
Escrevendo a expresso desta maneira, o limite inferior das altas frequncias, isto , quando s$0, corresponder zona
de mdias frequncias, com ganho unitrio.
conhecido que a frequncia "
H
=2%f
H
pode ser escrita, de modo aproximado, como funo dos polos e zeros da
funo de transferncia, atravs da seguinte relao:

1
!
H
=
1
!
Hp1
2
+
1
!
Hp2
2
+... "
2
!
Hz1
2
"
2
!
Hz2
2
"... (3.21)
Contudo, se o denominador de F
H
tiver um grau elevado (tendo em conta de que cada condensador independente
introduz um polo e, consequentemente, acrescenta uma unidade ao grau do denominador) pode no ser fcil, para uma
anlise rpida, determinar os polos da funo. Existe, porm um mtodo, designado por mtodo das constantes de
tempo, que permite, em certas circunstncias, determinar, de modo aproximado, o valor de "
H
.


3-31
3.3.1.1 Mtodo das constantes de tempo para as altas frequncias
Se tomarmos a expresso de F
H
(s) como escrita em (3.19) e relacionarmos os seu denominador com o que resulta de
(3.20), obtemos
b
1
=
1
!
Hp1
+
1
!
Hp2
+...
1
!
Hpn
H
(3.22)
Pode demonstrar-se
8
que b
1
suscetvel de ser obtido diretamente do circuito tomando um condensador C
i
de cada vez
com todos as outros em circuito aberto, e determinando a resistncia !
!
!
vista por esse condensador, de tal modo que
b
1
= C
i
R
i
o
i=1
n
H
!
(3.23)
Se existir um polo dominante (condio que ocorre frequentemente em circuitos eletrnicos), i.e., se o primeiro polo for
tal que "
Hp1
"
Hp2
, "
Hp3
, ..., podemos escrever
!
H
"!
Hp1
"
1
b
1
=
1
C
i
R
i
o
i=1
n
H
#
(3.24)
e podemos obter a frequncia limite superior da banda sem ter de resolver as equaes do circuito.
3.3.2 Exemplo numrico para as altas frequncias
Consideremos o circuito da fig.3-32 e procuremos a sua resposta na frequncia, primeiro atravs da resoluo das
equaes nodais e, depois, determinando o polo dominante atravs do mtodo das constantes de tempo e analisemos os
resultados obtidos.
3.3.2.1 Clculo direto
Como o circuito apresentado apenas contm dois condensadores, no difcil obter o zero e os dois polos do circuito,
comeando por escrever as equaes nodais, e fazendo !
!
! !
!!
!!!
!!
:


8
Gray & Searle, ELECTRONIC PRINCIPLES Physics, Models, and Circuits, Wiley 1969, pg. 531 e seguintes.

R
2
=

20k
+
v
1

--

i=
0.001v
1

v
o

C
2
=1pF
A
+
v
s

R
1a
=25k
C
1
=
10pF
R
1b
=
100k
Fig. 3-32 - Circuito para anlise da relao vo/vs


3-32

v
s
! v
i
R
1a
= sC
1
v
1
+
v
1
R
ib
+ sC
2
v
1
! v
o
( ) "
v
s
R
1a
+ sC
2
v
o
= v
1
1
R
1
+ s C
1
+ C
2
( )
#
$
%
&
'
(
sC
2
v
1
! v
o
( )*0.001v
1
+
v
o
R
2
" v
1
sC
2
0.001 ( ) = v
o
1
R
2
+ sC
2
)
*
+
,
-
.
(3.25)
Multiplicando as duas expresses da direita, membro a membro, e separando as variveis nos dois termos, obtemos:
v
s
sC
2
! 0.001 ( ) R
2
R
1
R
1a
= v
o
1+ sR
2
C
2
( ) 1+ sR
2
C
1
+ C
2
( ) "
#
$
%
! sR
1
R
2
C
2
sC
2
! 0.001 ( )
{ }
(3.26)

v
o
v
s
= !16
1!
s
10
9
1+
s
1.56"10
6
#
$
%
&
'
(
1+
s
1.6"10
9
#
$
%
&
'
(
(3.27)
Ou seja, A
AF
s ( ) = A
M
F
H
s ( ) , em que A
M
= !16 e
F
H
s ( ) =
1!
s
10
9
1+
s
1.56"10
6
#
$
%
&
'
(
1+
s
1.6"10
9
#
$
%
&
'
(
(3.28)
Ou seja, o circuito apesenta um ganho de mdias frequncias de -16 V/V, um zero positivo a uma frequncia
"
z
=10
9
rad/s e dois polos (negativos) s frequncias "
1
=1.56 x10
6
rad/s e "
2
=1.6x10
9
rad/s. Como podemos ver, dada
a separao entre os dois polos, a frequncia "
H
$ "
1
=1.56 x10
6
rad/s.
3.3.2.2 Mtodo das constantes de tempo
Vamos agora procurar o valor de "
H
atravs do mtodo das constantes de tempo. Consideremos, ento, os dois
condensadores separadamente, para determinar a constante de tempo associada a cada um deles. No considerando C
2
,
o clculo relativo a C
1
o clculo direto e teremos
!
!
! !
!
!
!
! !"!!"! ! !"" !"
Para o condensador C
2
, porm, a situao exige maior ateno. Atentemos fig.3-33, em que eliminmos C
1
:
R
2
=20k
+
v
1

--

i=
0.01v
1

v
o

C
2
=1pF
R
1
=
20k
i
C

i
C
i
R
Fig. 3-33 Circuito para clculo da resistncia associada a C2


3-33
Considerando, primeiro, a circulao na malha que passa por R
1
e R
2
, podemos escrever v
1
! v
o
= R
1
i
C
+ R
2
i
R
, sendo que
i
R
ser dado por i
R
= i
C
+ i = i
C
+ 0.001v
1
. Ora, verifica-se que
!
!!
!
!
!
! !
!
!
!

e como v
1
= R
1
i
C
!i
R
= i
C
+ 0.001R
1
i
C
,
ento R
C2
=
v
1
! v
o
i
C
=
R
1
i
C
+ R
2
i
C
i
C
= R
1
+ R
2
+ 0.001R
1
R
2

ou seja, R
C2
= 20k + 20k + 20! 20k = 440k" #$
2
= 440ns
e !
1
+!
2
= 640ns "#
H
$
1
!
1
+!
2
=1.56Mrad / s
que um valor idntico ao obtido com a resoluo das equaes nodais.
3.3.3 O amplificador na regio das baixas frequncias
Vamos agora analisar a regio de baixas frequncias. F
L
(s) pode ser, por sua vez, escrita como
F
L
s ( ) =
s
n
L
+ d
1
s
n
L
!1
+ d
2
s
n
L
!2
+...
s
m
L
+ e
1
s
m
L
!1
+ e
2
s
m
L
!2
+...
(3.29)
ou, se conhecermos os polos e zeros da funo, pode igualmente ser expresso como
F
L
s ( ) =
s +!
Lz1
( ) s +!
Lz2
( )... s +!
Lzn
L
( )
s +!
Lp1
( )
s +!
Lp2
( )
... s +!
Lpm
L
( )
(3.30)
sendo os polos de baixa frequncia as razes do denominador e os zeros as razes do numerador. Escrevendo a expresso
desta maneira, o limite superior das baixas frequncias, i.e., quando s$%, corresponder zona de mdias frequncias,
com ganho unitrio.
conhecido que a frequncia "
L
=2%f
L
pode ser escrita, de modo aproximado, como funo dos polos e zeros da funo
de transferncia, atravs da seguinte relao:
!
L
= !
Lp1
2
+!
Lp2
2
+... " 2!
Lz1
2
" 2!
Lz2
2
"... (3.31)
Contudo, se o denominador de F
L
tiver um grau elevado, tal como para F
H
, pode no ser fcil, para uma anlise rpida,
determinar os polos da funo mas o mtodo das constantes de tempo, para as baixas frequncias permite, em certas
circunstncias, determinar, de modo aproximado, o valor de "
L
.


3-34
3.3.3.1 Mtodo das constantes de tempo para as baixas frequncias
Um resultado conhecido para polinmios de grau m
L
que o coeficiente do termo de grau m
L
-1, e
1

e
1
= !
Lp1
+!
Lp2
+... +!
Lpm
L
em que os !
Lpi
so os zeros do denominador e pode demonstrar-se
9
que
e
1
=
1
C
i
R
i
s
i=1
m
L
!
(3.32)
em que !
!
!
a resistncia vista do condensador C
i
com todos os outros em curto-circuito.
Se houver um polo dominante que, nas baixas frequncias corresponde a ser muito maior do que os outros, ento
!
!
! !
!"!
, i.e. podemos tomar a seguinte aproximao:
!
L
"
1
C
i
R
i
s
i=1
m
L
#
(3.33)
3.3.4 Exemplo numrico para as baixas frequncias
Consideremos agora o circuito da fig.3-34 para o qual procuraremos a resposta s baixas frequncias, usando, primeiro,
o clculo direto atravs da determinao das equaes nodais e, depois, a determinao aproximada do valor de !
L

atravs do mtodo das constantes de tempo.
3.3.4.1 Clculo direto
De novo, como temos apenas dois condensadores, fcil obter diretamente a funo de transferncia. As equaes so
as seguintes:
v
1
=
sR
1b
C
1
1+ s R
1a
+ R
1b
( )C
1
v
s

v
2
= 0.001 v
1
! v
2
( )
R
2
1+ sR
2
C
2
"
#
$
%
&
'
( v
2
1+
R
2
1+ sR
2
C
2
"
#
$
%
&
'
=
R
2
1+ sR
2
C
2
v
1
=
R
2
1+ sR
2
C
2
sR
1b
C
1
1+ sR
1
C
1
v
s

em que R
1
= R
1a
+ R
1b

9
Veja-se, de novo, a referncia indicada na nota anterior.
R
2
=
10k
+
v
1
--

0.001(v
1
-v
2
)
v
o

C
2
=10!F
+
v
s

C
1
=10!F
R
1b
=

100k
R
3
=20k
+
v
2
--

R
1a
=25k
Fig. 3-34 Circuito para anlise da resposta s baixas frequncias


3-35

v
2
=
s0.001R
1b
R
2
C
1
1+ 0.001R
2
+ sR
2
C
2
( ) 1+ sR
1
C1 ( )
v
s
v
o
= !0.001 v
1
! v
2
( ) R
3

Substituindo v
2
na expresso de v
o
e resolvendo a expresso resultante, obtemos

v
o
= !16
10 + s
110 + s ( ) 0.8 + s ( )
v
s

Ou seja, A
BF
s ( ) = A
m
F
L
s ( ) , em que A
M
= !16V / V e
F
L
s ( ) =
10 + s
110 + s ( ) 0.8 + s ( )

Ento, como
!
L
= !
Lp1
2
+!
Lp2
2
" 2!
Lz1
2
= 110
2
+ 0.8
2
" 2#10
2
=109rad / s
3.3.4.2 Mtodo das constantes de tempo
Vejamos agora como determinar "
L
atravs do mtodo das constantes de tempo. Para a determinao da constante de
tempo associada a C
1
, o clculo direto: !
1
= C
1
R
1a
+ R
1b
( ) =10+125k =1.25s e
1
!
2
= 0.8rad / s
Para C
2
atentemos no esquema da fig.3-35 a):
Note-se que no havendo interao da direita para a esquerda, as variaes de tenso associadas a C
2
no afetam v
1
pelo
que pode ser tomado v
1
=0 e o circuito pode ser redesenhado como na fig. 16 b) em que o valor da fonte de corrente
pode ser dado por 0.001 v
1
! v
2
( ) = !0.001v
2
ou seja, o seu sentido invertido como representado direita. Note-se que
a resistncia R
3
no afeta a descarga de C
2
porque esta faz-se atravs da fonte de corrente. Acontece porm que a
corrente da fonte tem um valor proporcional tenso nos terminais do condensador, v
2
, pelo que equivalente a uma
resistncia R=1/0.001=1 k+, ou seja, pode ser substituda por uma resistncia de 1k+ em paralelo com a de 10k+ e a
constante de tempo ser
!
2
= C
2
R
2
R' ( ) =10 10k 1k ( )9ms "
1
!
2
=110rad / s
Ento, !
L
=
1
"
1
+
1
"
2
#111rad / s , valor muito aproximado do que foi obtido com o clculo direto.
Fig. 3-35 - Circuito equivalente da parte da direita do circuito da fig.3-34
R
2
=
10k
0.001(v
1
-v
2
)
C
2
=10!F
R
3
=20k
+
v
2
--

R
2
=
10k
0.001v
2

C
2
=10!F
+
v
2
--

a) b)


3-36



4-1









Captulo 4







Amplificadores Operacionais (OpAmps)






4-2
ndice do Captulo 4
4 Amplificadores Operacionais (OpAmps) ............................................................................................. 4-3
4.1 Introduo ........................................................................................................................................................ 4-3
4.2 Configurao inversora e no inversora ....................................................................................................... 4-4
4.2.1 Resistncia de entrada e de sada dos OpAmps ........................................................................................ 4-5
4.3 Circuito somador ............................................................................................................................................. 4-5
4.4 Amplificador diferenciador e amplificador integrador ............................................................................... 4-6
4.5 Amplificador de diferena .............................................................................................................................. 4-7
4.5.1 Ganho diferencial e em modo comum ...................................................................................................... 4-8
4.6 Trs exemplos de circuitos com OpAmps ..................................................................................................... 4-9
4.7 Limitaes dos OpAmps ............................................................................................................................... 4-13
4.7.1 Ganho finito ............................................................................................................................................ 4-13
4.7.2 Ganho finito e funo da frequncia ....................................................................................................... 4-14
4.7.3 Resistncias de entrada e sada no ideais .............................................................................................. 4-16
4.8 Outras limitaes dos OpAmps .................................................................................................................... 4-17
4.8.1 Limitao de valor mximo da tenso: saturao ................................................................................... 4-17
4.8.2 Limitao de valor mximo da corrente: slew rate ............................................................................. 4-18
4.9 Questes relativas a tenses e correntes contnuas .................................................................................... 4-19
4.9.1 Corrente de entrada e desvio de corrente ................................................................................................ 4-19
4.9.2 Tenso de desvio ..................................................................................................................................... 4-19




4-3
4 Amplificadores Operacionais (OpAmps)
Neste captulo iremos apesentar o conceito de amplificador operacional, as suas propriedades e aplicaes, numa
primeira fase para condies ideais e, seguidamente, considerando vrias limitaes decorrentes das implementaes
prticas destes dispositivos.
possvel compreender, como um bloco, o funcionamento destes amplificadores sem conhecer as suas caratersticas
construtivas para as quais ainda no temos os conhecimentos. Mas admitindo que eles podem ser modelados por
circuitos simples em que possvel estabelecer uma relao linear entre as grandezas de sinal na entrada e na sada,
muitas das suas caratersticas podem ser deduzidas e possvel no s compreender mas mesmo projetar sistemas.
Na parte final do captulo sero enunciadas algumas das limitaes reais destes amplificadores, explicando, tanto quanto
possvel, a sua origem e colocando de sobreaviso os leitores para a sua existncia e consequncias, quando for feito o
estudo que nos permitir analisar e compreender a constituio interna destes dispositivos.
4.1 Introduo
Considere-se a rede linear de dois portos representada pelas equaes

I
1
= y
11
V
1
+ y
12
I
2
V
2
= y
21
V
1
+ y
22
I
2
(0.1)
Como j vimos no captulo 2, esta rede pode ser representada pelo esquema da fig. 4-1.
Se, como muitas vezes possvel admitir, estamos perante um dispositivo em que y
12
assume um valor desprezvel,
teremos um sistema unidirecional que geralmente representado como um amplificador como na fig.4-2a) ou
simplesmente, como em 4-2b). Esta simplificao , em geral, muito realista, havendo, para os dispositivos base, muito
pouca interferncia entre a sada e a entrada (neste sentido). J no ser o mesmo, como veremos de seguida, se usarmos
resistncias ou impedncias de outro tipo ligadas entre a entrada e a sada destes circuitos, introduzindo assim o que
designamos por retroao (em ingls, feedback).
Se relacionarmos os valores expressos nesta figura com os parmetros das equaes, estamos a considerar que
R
1
=
1
y
11
, y
12
= 0, A
V
= y
21
, R
o
=
1
y
22
.
y
11
v
2
i
1
i
2
y
22
v
1
y
21
v
1
y
12
i
2
Fig. 4-1 Esquema de uma rede linear de
dois portos com parmetros yy


4-4
Os ndices i e o correspondem aos termos ingleses para entrada e sada, (respetivamente input e output) e o
ndice V em A
V
indica que estamos a tomar o ganho em tenso. Os sinais + e - correspondem s entradas em que
o ganho correspondente , respetivamente, positivo e negativo e so, muitas vezes, designadas por entradas inversora e
no inversora. Em geral diremos que A
V
e R
i
so elevados e R
o
baixo aceitando, para j, estas noes, conscientes,
porm, de que grande e pequeno so noes relativas, sem grande valor se no soubermos com que as estamos a
comparar.
4.2 Configurao inversora e no inversora
Os amplificadores acima descritos no so normalmente utilizados diretamente, antes utilizados com alguns elementos
externos como, por exemplo, nas configuraes da fig. 4-3, a) e b)
Chamamos a estas configuraes amplificadores operacionais na sua configurao inversora e no-inversora
(respetivamente) por razes que sero claras, j a seguir.
Veremos que o ganho G =
v
o
v
i
, depende de R
1
e R
2
e admitamos que A
V
G e que R
i
R
1
,R
2
e R
o
R
1
,R
2
,
como validando as noes grande e pequeno acima expressas.
Nestas circunstncias poderemos admitir que a corrente para o interior do amplificador muito pequena comparada
com a que circula em R
1
e R
2
e que a tenso entre os terminais + e - essencialmente nula.
Com efeito, no esquema da fig.4-3a), como a tenso v
-
no terminal - ser praticamente nula (na realidade valer
v
o
/A
V
), a corrente que passa em R
1
ser i !
v
s
R
1
e como a corrente para o interior do amplificador ser desprezvel, a
R
i
v
o
i
i
i
o
v
i
R
o
A
V
v
1 v
o
i
i
i
o
v
i
A
v
, R
i
, R
o
a) b)
Fig. 4-2 Modelos simplificados de amplificadores
v
s
v
o
R
1
R
2
v
s
v
o
R
1
R
2
b)
a)
Fig. 4-3 Configuraes de OpAmps inversora e no inversora


4-5
mesma corrente circular em R
2
pelo que v
o
! "iR
2
o que conduz a que G
inv
=
v
o
v
i
! "
R
2
R
1
. O ndice inv no ganho
indica que o ganho inversor.
Tomemos agora o esquema da fig.4-3b). A tenso no terminal - ser igual a v
s
(porque a tenso entre os terminais +
e - praticamente nula) pelo que a corrente que circula em R
1
, desse terminal para a massa, ser i !
v
s
R
1
, igual que
circula em R
2
(porque a corrente para o interior do amplificador, nula) o que resulta, finalmente, em que
v
o
! v
s
R
2
i ! v
s
+
R
2
R
1
v
s
e o ganho no-inversor, ser G
ni
!1+
R
2
R
1


essencial voltar a referir que nestes amplificadores operacionais h um conceito importante que designamos por
retroao e que significa que h uma parcela das variveis na sada (neste caso, da tenso de sada) que reinjetada
na entrada atravs de R
2
. Adiante, retomaremos e explicitaremos melhor este conceito mas para j poderemos referir
que dizemos muitas vezes que, ao ligar as resistncias R
2
(fig. 4-2) estamos a fechar a malha de retroao e designamos
essas configuraes como configuraes em malha fechada enquanto que ao amplificador prprio que lhe serviu de
base (o amplificador da fig. 4-2) chamamos configurao em malha aberta. E em geral, quando referimos os
Amplificadores Operacionais (abreviados por OpAmps) estamos a referir os primeiros.
4.2.1 Resistncia de entrada e de sada dos OpAmps
Vejamos agora o valor da resistncia de entrada do amplificador em malha fechada, j que, se a resistncia de sada do
amplificador em malha aberta for zero, tambm o em malha fechada. Ns designamos por resistncia de entrada o
valor que carrega a fonte de sinal, ou seja, a sua tenso v
s
a dividir pela corrente que a fonte tem de fornecer, corrente
essa que a que passa em R
1
.
No caso no inversor, como a entrada direta no terminal no inversor, a fonte no precisa, na nossa aproximao, de
fornecer corrente e, ento !
!
! !.
No caso do amplificador inversor, para calcular o seu valor necessrio calcular a corrente. Ora, como a tenso no
terminal - praticamente zero, a corrente ser apenas i
i
=
v
s
! 0
R
1
, pelo que R
i
=
v
s
i
i
= R
1
.
Este um resultado simples mas importante porque de acordo com as necessidades do sistema ou da fonte de sinal, o
valor de R
1
fica condicionado.
4.3 Circuito somador
Mas voltemos configurao inversora. Repare-se que o terminal de entrada - tem, por um lado a tenso nula mas,
por outro, no absorve corrente
1
. Por essa razo se designa o terminal inversor por terra virtual (ou por vezes, massa
virtual) porque tendo tenso zero, como uma terra, ao contrrio desta (que em geral se considera ter capacidade

1
Esta ltima suposio reforada porque, no s estamos a admitir que a tenso muito pequena como que a resistncia Ri muito elevada, pelo
que a corrente dever ser mesmo muito muito pequena


4-6
infinita de absorver corrente sem variar a tenso) no absorve, corrente.
Como se torna patente, no caso do amplificador no inversor em que o terminal + no est massa, o que dizemos
que se estabelece uma ligao virtual entre os dois terminais.
Vejamos ento o que sucede quando, como na fig.4-4, tomamos varias tenses na entrada ligadas todas ao terminal
inversor atravs de resistncias, cada uma delas, eventualmente, com o seu valor. A tenso de sada ser o produto de R
R

pela soma das correntes nos vrios R
i
o que conduz ao resultado
v
o
= !R
R
i
j
= !R
R
v
j
R
ij
" "

Dizemos que a tenso de sada uma soma pesada das entradas, em que os pesos so inversamente proporcionais s
resistncias que ligam da fonte entrada.
No caso de as resistncias R
i
serem todas iguais, obtemos v
o
= !
R
R
R
i
v
j "
que, se for ainda R
R
=R
i
, conduz a v
o
= ! v
j "

o que justifica o nome genrico de amplificador somador para o circuito da fig.4-4.
4.4 Amplificador diferenciador e amplificador integrador
Note-se ainda que temos vindo a considerar resistncias como os componentes externos ligados aos terminais dos
amplificadores, mas os raciocnios no so alterados se, em vez de resistncias, tivermos outras impedncias, mormente
condensadores. Vejamos o que acontece se na configurao da figura 3a) substituirmos, como na fig.4-5 a) e b) uma das
resistncias por uma capacidade.
Faamos a anlise no domnio do tempo. Como sabido, a corrente que passa num condensador submetido a uma
tenso varivel no tempo, v(t) dada por i t ( ) = C
dv t ( )
dt
e, inversamente, a tenso que se desenvolve num condensador
v
sn
v
o
R
in
R
R
v
s1
R
i1
v
s2
R
i2
Fig. 4-4 - Circuito somador
v
s
v
o
C
1
R
2
v
s
R
1
C
2
a) b)
Fig. 4-5 Circuitos diferenciador e integrador


4-7
no qual passa uma corrente i(t) dada por
v t ( ) =
1
C
i t ( )dt
0
t
!
.
Ora, como a corrente para o interior do amplificador nula, levando a que a corrente nos condensadores seja igual das
resistncias, em cada montagem, como alm disso supomos que a tenso no terminal - nula, no primeiro caso
obtemos podemos escrever, com referncia fig.4-5

a)
v
o
= !R
2
i t ( ) = R
2
C
1
dv
s
t ( )
dt

e, no segundo, com referncia fig.4-5 b),
v
o
t ( ) =
1
C
2
i t ( )dt
0
t
!
=
1
R
2
C
2
v
s
t ( )dt
0
t
!

j que a corrente em R
1
dada por v
s
/R
1
.
No primeiro caso, a tenso na sada proporcional derivada do sinal de entrada e por isso, designamos o circuito da
fig. 4-5 a) como amplificador diferenciador.
No segundo caso, da fig. 4-5 b) o sinal na sada proporcional ao integral da tenso de entrada e a designao habitual
do circuito a de amplificador integrador.
4.5 Amplificador de diferena
Uma outra configurao importante em muitas aplicaes o do amplificador diferena em que a tenso na sada
proporcional diferena entre as entradas. H muitas situaes em que no interessa muito o valor absoluto de cada
sinal em relao massa, mas apenas a diferena entre eles. O esquema da fig.4-6 corresponde a um circuito que, como
veremos, em certas condies, apresenta, na sua sada, um valor proporcional diferena dos sinais na entrada.
Considere-se ento o circuito representado na fig.4-6 e comecemos por ver o efeito da tenso v
2
.
Como no h corrente na entrada +, R
3
e R
4
funcionam como um divisor de tenso e a tenso na entrada no inversora
ser v
+
=
R
R
4
+ R
3
v
2
= v
!
. Estamos de novo a considerar que v
+
e v
-
so praticamente iguais, devido ligao virtual
entre elas existe.
Se analisarmos agora as tenses na malha R
1
/ R
2
e se chamarmos i
1
corrente que passa em R
1
e R
2
podemos escrever:
v
1
v
o
R
1
R
2
v
2
R
3
R
4
Fig. 4-6 Amplificador de diferena


4-8
v
o
= v
!
! R
2
i
1
= v
!
! R
2
v
1
! v
!
R
1
"
#
$
%
&
'
= 1+
R
2
R
1
"
#
$
%
&
'
v
!
!
R
2
R
1
v
1

ou seja,
v
o
= !
R
2
R
1
v
1
+
1+
R
2
R
1
1+
R
3
R
4
v
2

Agora, se se der o caso de
R
2
R
1
=
R
4
R
3
= ! , a expresso acima escrita transformar-se- na seguinte:
v
o
= !"v
1
+
1+ "
1+
1
"
v
2
= !" v
1
! v
2
( )
e, portanto, a sada proporcional diferena das entradas.
Sugesto: procure obter o valor da tenso de sada considerando separadamente v
1
(como uma configurao inversora) e
v
2
(como uma configurao no inversora) e, em seguida, utilizando o teorema da sobreposio obter v
o
como a soma
das duas sadas parcelares.
4.5.1 Ganho diferencial e em modo comum
E que concluso poderemos tirar se se verificar que R
2
/R
1
e R
3
/R
4
no so iguais? Nessa altura, a tenso de sada pode
ser expressa do seguinte modo:
v
o
=
R
4
R
3
+ R
4
R
1
+ R
2
R
1
v
2
R
2
R
1
v
1

Para melhor analisarmos esta relao, til procurar compreender como que o sinal de sada reage quer diferena
entre os sinais quer ao seu valor absoluto ou melhor, mdia dos valores absolutos. Para esse efeito, comecemos por
exprimir as grandezas v
1
e v
2
em funo de duas outras, v
d
e v
c
definidas, ento, da seguinte maneira:

v
d
= v
1
! v
2
v
c
=
v
1
+ v
2
2

Este modo de representar est esquematizado na fig.4-7 e os ndices d e c representam respetivamente a diferena e
comum ou modo comum, como geralmente se diz e que a mdia das duas tenses.
Assim sendo, podemos agora resolver o sistema acima em ordem a v
1
e v
2
:
-v
d
/2

-v
d
/2

v
1
v
2
v
c
v
d
Fig. 4-7 Tenses diferencial e de modo comum


4-9

v
1
= v
c
+
v
d
2
v
2
= v
c
!
v
d
2

Substituindo agora estes valores na expresso de v
o
vir:
v
o
=
R
4
R
3
!
R
2
R
1
1+
R
4
R
3
v
c
+
R
4
R
3
R
2
R
1
+
1
2
R
4
R
3
+
R
2
R
1
"
#
$
%
&
'
1+
R
4
R
3
v
d
= A
C
v
c
+ A
D
v
d

em que designamos A
d
por ganho diferencial, i.e. o ganho em relao diferena entre as entradas e A
c
o ganho em
modo comum, ou seja, o modo como o valor comum (mdio) entre os sinais amplificado.
Note-se que, quando

R
4
R
3
=
R
2
R
1

o ganho em modo comum anula-se e o ganho diferencial fica com o valor previamente calculado.
Esta decomposio muito importante porque, por vezes, existem sinais que tm um valor comum elevado e uma
pequena diferena entre si e em que apenas estamos interessados, precisamente, nessa pequena diferena entre as
tenses. Esse por exemplo o caso em que os sinais so gerados num ambiente ruidoso, do ponto de vista
eletromagntico, em que esse rudo afeta igualmente ambos os sinais com um valor muito mais significativo do que a
diferena entre eles, diferena essa em que estamos interessados. Nesses casos, o uso de amplificadores diferena
essencial.
4.6 Trs exemplos de circuitos com OpAmps
Consideremos, agora trs, exemplos de circuitos derivados dos circuitos anteriormente estudados, com vista a
exercitarmos o tipo de anlise que se poder fazer.
P1: Comecemos pelo circuito representado no esquema da fig.4-8. Pretende-se calcular o ganho G=v
o
/v
s
v
s
v
o
R
1
R
2
R
3
R
4
P

Fig. 4-8 Circuito de AmpOp com retroao modificada


4-10

R1: Para resolver o problema, comecemos por designar por v
P
a tenso no ponto P. Como o terminal inversor uma
terra virtual (tenso nula), a corrente em R
1
dada por v
s
/R
1
, e essa tambm a corrente que circula em R
2
. Ento, a
tenso no ponto P ser
v
P
= !R
2
v
s
R
1

Como a soma das correntes em P tem de ser nula, podemos escrever que
i
1
=
v
s
R
1
=
v
P
R
3
+
v
P
! v
o
R
4

Substituindo o valor de v
P
, obtemos

v
s
R
1
= !
R
2
R
1
v
s
R
3
!
R
2
R
1
v
s
R
4
!
v
o
R
4

ou seja

R
2
R
1
1
R
2
+
1
R
3
+
1
R
4
!
"
#
$
%
&
v
s
= '
v
o
R
4

e, finalmente,

v
o
v
s
= !
R
2
+ R
4
+
R
2
R
4
R
3
R
1
= !
R
2
+ R
4
R
1
1+
R
2
R
4
R
3
"
#
$
%
&
'

H uma verificao rpida que pode ser feita quanto consistncia desta equao: se R
3
for nulo, o que significa que R
2
e R
4
ficam ligadas, respetivamente da entrada - e da sada, massa, o ganho fica o ganho em malha aberta que, nesta
aproximao, infinita; inversamente, se R
3
no existir, o que o mesmo que ser infinita, o ganho reduz-se, como
esperado, razo entre a srie de R
1
e R
4
dividida por R
1
.
P2: Considere o esquema da fig. 4-9. Calcule a corrente i
L
na carga, R
L
e procure analisar o resultado obtido,
nomeadamente no tocante s concluses que pode tirar quanto a R
o
(a resistncia vista

para o interior do circuito ou seja,
a resistncia de sada do seu equivalente Norton ou Thvenin)
R2: Se designarmos por v
P
a tenso no ponto P, a tenso no terminal inversor (e consequentemente a tenso no terminal
no inversor) ser
v
!
=
R
1
R
1
+ R
2
v
P
= v
+
(4.1)
Ento como a soma das correntes no n no inversor tem de ser nula, podemos escrever

v
s
! v
+
R
1
= i
L
+
v
+
! v
P
R
2

E tendo em considerao o valor de v
+
dado pela expresso (4.1), podemos reescrever

v
s
R
1
!
v
P
R
1
+ R
2
= i
L
+
R
1
R
1
+ R
2
v
P
! v
P
R
2



4-11
Ora,

R
1
R
1
+ R
2
v
P
! v
P
R
2
=
!R
2
R
1
+ R
2
v
P
R
2
= !
v
P
R
1
+ R
2

pelo que i
L
=
v
s
R
1
.
Isto significa que a corrente no depende de R
4
o que significa que esta resistncia est a ser alimentada por uma fonte
de corrente ideal, ou seja que R
o
=.
P3: Considere a montagem da fig. 4-10 a) e determine o respetivo ganho
R3: O circuito da figura a) , como claro, idntico a uma configurao no inversora como a representada em b), com
R
1
infinita e R
2
nula. Ora, como sabemos j, o ganho da configurao inversora dado por
A
Vinv
=1+
R
2
R
1

e, a frao nula j que o numerador nulo e o denominador infinito, pelo que o ganho unitrio.
Esta configurao frequentemente designada por seguidor de tenso tem ganho unitrio. A sua grande utilidade
fazer uma separao dos circuitos que eventualmente se coloquem sua esquerda ou sua direita j que apresenta uma
muito grande resistncia na sua entrada, no carregando os circuitos a montante e fornecendo sinal com muito baixa
resistncia aos circuitos a jusante.
P4: Considere o circuito da fig.4-11. Se puder considerar que o amplificador ideal, determine o valor do ganho
A
V
(j!)= v
o
(j!)/v
s
(j!) e desenhe o correspondente diagrama de Bode de amplitude e fase.

Fig. 4-9 Circuito seguidor de tenso
v
s
v
o
v
s
v
o
R
1
=!

R
2
=0

a) b)
v
s
v
o
R
1
R
2
C

Fig. 4-10 - Circuito com um polo e um zero


4-12
R4: Como j referimos, anteriormente, a substituio de resistncias por impedncias no altera os princpios
fundamentais que nos levaram ao clculo do ganho em malha fechada. Assim, podemos escrever a expresso do ganho:
A
V
j! ( ) =
v
o
j! ( )
v
s
j! ( )
=
Z
2
+ R
1
R
1

Ora, a impedncia Z
2
o paralelo de R
2
com o condensador C, pelo que pode ser expressa por
Z
2
=
R
2
j!C
1
j!C
+ R
2
=
R
2
1+ j!CR
2

ou seja, o ganho vir
A
V
j! ( ) =
Z
2
+ R
1
R
1
=
R
2
1+ j!CR
2
+ R
1
R
1
=
R
1
+ R
2
+ j!CR
1
R
2
R
1
1+ j!CR
2
( )

que, atendendo a que
R
1
R
2
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2

A
V
j! ( ) =
Z
2
+ R
1
R
1
=
R
2
1+ j!CR
2
+ R
1
R
1
= 1+
R
2
R
1
"
#
$
%
&
'
1+ j!C R
1
R
2
( )
1+ j!CR
2


Note-se que isto corresponde existncia de um zero frequncia !
0
=
1
C R
1
R
2
( )
e de um polo frequncia
!
0
=
1
CR
2
. Alm disso, retira-se de imediato que o ganho frequncia zero (1+R
2
/R
1
) e que o ganho, quando ! tende
para infinito, tende para 1.
Assim sendo, podemos desenhar o diagrama de Bode de amplitude e fase, conforme est na fig.4-12.
Note-se ainda que este esboo poderia ser obtido sem fazer praticamente contas nenhumas, a partir do seguinte
raciocnio: frequncia nula (ou seja, em corrente contnua), o condensador comporta-se como um circuito aberto e o
ganho ser, necessariamente, (1+R
2
/R
1
); frequncia infinita, o condensador comporta-se como um curto-circuito e o
circuito fica como um seguidor de tenso anteriormente apresentado e ter ganho unitrio.
20Log[ A(j) ]
A(j)
Log(/

)
-45
-90
1
20Log(1+R
2
/R
1
)
0dB
Fig. 4-11 - Diagrama de Bode do ganho do circuito da fig.4-11


4-13
Assim sendo, o ganho tem decrescer, primeiro, e depois estabilizar ou seja, ter de haver, primeiro um polo e depois um
zero.
A frequncia angular do polo ser o inverso da constante de tempo associada ao condensador C, que R
2
C. Portanto,
!
p
=1/R
2
C
.

A frequncia do zero, dado que o ganho decresce de (1+R
2
/R
1
) para 1, dever ser maior do que a frequncia do polo,
precisamente desse valor (1+R
2
/R
1
). Ento, isso significa que
!
0
=
1+
R
2
R
1
CR
2
=
1
C R
1
R
2
( )

que so, precisamente, os valores anteriormente obtidos.
4.7 Limitaes dos OpAmps
4.7.1 Ganho finito
Uma primeira limitao dos OpAmps reais que vamos considerar que o seu ganho, embora elevado, tem de ser finito.
Consideremos, de novo o circuito da fig.4-13:
O ganho A
V
definido por forma a que v
o
=A
V
v
i
.
Ora, o que acontece que, no circuito de entrada, em srie com v
i
colocada uma tenso que vamos designar por v
F
,
tenso essa que se ope a v
s
de tal forma que podemos escrever v
i
= v
s
! v
F
=
v
o
A
V
. Mas v
F
uma tenso que parte da
tenso de sada j que podemos escrever, v
F
= v
o
R
1
R
1
+ R
2
.
A isto chamamos retroao
2
e corresponde a haver uma influncia da tenso de sada na de entrada, como j tnhamos
aflorado no princpio do presente captulo.
Desenvolvendo, ento, as expresses anteriores e chamando =R
1
/(R
1
+R
2
), podemos escrever:

2
O ndice F advm do uso habitual da palavra inglesa feedback para o conceito que designamos por retroao
R
2
v
s
R
1
v
o
A
V
v
i
v
F
Fig. 4-12 - Esquema de AmpOp para considerao de ganho finito


4-14
v
o
= A
V
v
s
! v
F
( ) = A
V
v
s
!
R
1
R
1
+ R
2
v
o
"
#
$
%
&
'
= A
V
v
s
! (v
o
( )
ou seja
v
o
=
A
V
1+ !A
V
v
s
= A
VF
v
s

Daqui se retira imediatamente que quando !
!
! ! o ganho do OpAmp fica
A
VF
=
v
o
v
s
=1+
R
2
R
1

valor que j, anteriormente, havamos obtido.
A expresso do ganho em malha fechada, A
V
(que agora chamaremos ateno de que se trata de uma configurao no
inversora e, da escrevermos A
VF(ni)
) fica, ento
A
VF ni ( )
=
A
V
1+ !A
V
=
A
V
1+
R
1
R
1
+ R
2
A
V

que d conta do efeito de o ganho em malha aberta ser considerado finito tem na expresso do ganho com retroao.
Deixamos para exerccio a verificao de que, para a configurao inversora, o ganho A
VF(i)
conduz expresso
A
VF inv ( )
= !
R
2
R
1
+ R
2
A
V
1+
R
1
R
1
+ R
2
A
V

4.7.2 Ganho finito e funo da frequncia
4.7.2.1 Sistemas com um nico polo
Suponhamos agora que o ganho A
V
alm de finito, funo da frequncia. Admitamos, por simplicidade, que tem
apenas um polo, ou seja,
A
V
j! ( ) =
A
V 0
1+ j
!
!
0

Ora, como
A
VF
j! ( ) =
A
V
j! ( )
1+ "A
V
j! ( )

podemos escrever
A
VF
j! ( ) =
A
V 0
1+ j
!
!
0
1+ "
A
V 0
1+ j
!
!
0
=
A
V 0
1+ j
!
!
0
+ "A
V 0
=
A
V 0
1+ "A
V 0
1+ j
!
1+ "A
V 0
( )!
0

ou ainda exprimir o ganho em malha fechada, em funo da frequncia, como
A
VF
j! ( ) =
A
V 0F
1+ j
!
!
0F



4-15
em que A
V 0F
=
A
V 0
1+ !A
V 0
e !
0F
= 1+ "A
V 0
( )!
0
so, respetivamente, o ganho de baixas/mdias frequncias e o polo,
em malha fechada.
Isto significa que !
!"
!" tem tambm um polo a uma frequncia ! ! !!
!!
vezes maior do que o de !
!
!" ,
enquanto que o ganho de baixas frequncias, !
!!!
, menor do que !
!!
precisamente do mesmo valor.
Nos amplificadores usual chamar frequncia do primeiro polo, aquela a partir da qual o ganho, em termos
assintticos, comea a decrescer, a largura de banda do amplificador. Assim, quando se introduz retroao, a largura de
banda aumentada exatamente na mesma proporo da diminuio do ganho. Esta uma das vrias propriedades da
retroao que, a seu tempo, iremos estudar.
A fig.4-14 representa o diagrama de Bode de amplitude em que estas vrias relaes esto esquematizadas.
4.7.2.2 Sistemas com dois polos
Vamos ainda ver, no estudo dos sistemas com retroao, o que acontece se se supuser que o ganho original tem dois
polos. Exprimindo o ganho A
V
como funo da varivel complexa s,
A
V
s ( ) =
A
V 0
1+
s
!
1
"
#
$
%
&
'
1+
s
!
2
"
#
$
%
&
'

Recordemos que
A
VF
s ( ) =
A
V
s ( )
1+ !A
V
s ( )
=
A
V 0
1+
s
"
1
#
$
%
&
'
(
1+
s
"
2
#
$
%
&
'
(
1+ !
A
V 0
1+
s
"
1
#
$
%
&
'
(
1+
s
"
2
#
$
%
&
'
(
=
A
V 0
1+
s
"
1
#
$
%
&
'
(
1+
s
"
2
#
$
%
&
'
(
+ !A
V 0
= ...
Tomemos o denominador de !
!"
! para determinarmos os polos da funo
1+
s
!
1
"
#
$
%
&
'
1+
s
!
2
"
#
$
%
&
'
+ (A
V 0

que se pode escrever da seguinte forma:
1+
s
!
1
"
#
$
%
&
'
1+
s
!
2
"
#
$
%
&
'
+ (A
V 0
=1+ (A
V 0
+ s
!
1
+!
2
!
1
!
2
+ s
2
1
!
1
!
2
= 1+ (A
V 0
( ) 1+ s
!
1
+!
2
1+ (A
V 0
( )!
1
!
2
+ s
2
1
1+ (A
V 0
( )!
1
!
2
)
*
+
,
-
.

20Log[ A
V
(j) ]
1
Log(/
0
)
20Log[ A
VF
(j) ]
(1+

)
(1+

)
Fig. 4-13 - Diagrama de Bode de amplitude, com e sem retroao


4-16
Se designarmos por D = 1+ !A
V 0
( )"
1
"
2
, as razes do denominador, ou seja, os polos de !
!"
! sero dados por
s
1,2
= !
"
1
+"
2
2D

"
1
+"
2
2D
#
$
%
&
'
(
2
!
1
D

ou seja,
s
1,2
= !
"
1
+"
2
2D

1
2D
"
1
+"
2
( )
2
! 4 1+ #A
V 0
( )"
1
"
2
= !
"
1
+"
2
2D

1
2D
"
1
!"
2
( )
2
! 4#A
V 0
"
1
"
2

Os polos do sistema sero, portanto, reais, polos duplos ou complexos conjugados conforme !!
!!
for, respetivamente,
menor, igual ou maior do que

!
1
"!
2
( )
2
4!
1
!
2
=
1
4
!
1
!
2
+
!
2
!
1
" 2
#
$
%
&
'
(

O comportamento do circuito, para um dado A
V0
depende ento de , sendo que para =0, os polos so !
1
e !
2
, os
mesmos de A
V
, evidentemente, reais, negativos e, supostamente, diferentes aproximando-se at se tornarem num polo
duplo quando
! =
1
4A
V 0
"
1
"
2
+
"
2
"
1
# 2
$
%
&
'
(
)

Para valores de tais que
! >
1
4A
V 0
"
1
"
2
+
"
2
"
1
# 2
$
%
&
'
(
)

os polos tornam-se complexos conjugados levando a uma resposta na frequncia como a que abordmos no Cap. 3
4.7.3 Resistncias de entrada e sada no ideais
Suponhamos agora que, para alm de um ganho A
V
finito, a resistncia de entrada no , tambm, infinita. Vamos, nesta
fase admitir que o efeito da resistncia de sada sempre muito pequeno o que, podendo no ser verdade o na maior
parte das situaes. Este efeito ser abordado mais tarde quando tratarmos especificamente das questes relativas
retroao.
Consideremos o circuito da fig.4-15.
Como a resistncia R
i
no infinita, h uma diferena entre as correntes em R
1
e R
2
, dada por

v
i
R
i
=
v
o
A
V
R
i

v
s
v
o
R
1
R
2
R
i ,
A
V
v
i
i
i
Fig. 4-14 - Esquema de amplificador com resistncia de entrada finita


4-17
Se A
V
for muito grande, a ordem de grandeza da corrente em R
2
i
2
!
v
o
R
2
ou seja, ainda que R
i
no seja muito muito
grande, o que compara com R
2
no R
i
, mas A
V
R
i
.
Sugere-se, como exerccio, procurar esta mesma concluso atravs da aplicao do teorema de Miller resistncia R
2
.
Faz-se, finalmente, notar que, nestas circunstncias, no tocante corrente de sinal na entrada do amplificador, a no ser
que se esteja a usar resistncias R
1
e R
2
de valor extraordinariamente elevado, sempre desprezvel. Contudo, como
veremos adiante, essa mesma situao (i.e., podermos desprezar i
i
) poder no se verificar no tocante corrente
contnua.
4.8 Outras limitaes dos OpAmps
4.8.1 Limitao de valor mximo da tenso: saturao
Todo o estudo feito at aqui, neste captulo, teve a ver com sinais e modelos dos amplificadores em que esses sinais
eram transformados linearmente. Mas, como bvio, nenhum destes sistemas pode funcionar sem ser alimentado
atravs de fontes de tenso e corrente que lhes forneam a energia necessria e, dada a natureza direcional de muitos
dos componentes eletrnicos, essa alimentao , em grande parte das situaes, de corrente contnua. Nomeadamente,
no tocante aos amplificadores, estes so alimentados por tenses contnuas V
+
e V
-
como indicado na fig.4-16 cujo valor
est, em geral, situado entre os volts e as poucas dezenas de volts.
Esta alimentao contnua corresponde a algo de que j se falou atrs, no captulo 2 e que permite que os vrios
dispositivos sejam colocados num determinado ponto de funcionamento (polarizados, dizemos ns) volta do qual os
sinais correspondem a pequenas variaes, de tal modo que as curvas de resposta dos dispositivos a esses sinais podem
ser aproximadas s suas tangentes e, consequentemente os sistemas podem ser tomados como lineares.
Consideremos que os sinais so de tenso. Ento, as tenses de alimentao contnua (V
+
e V
-
) impem limites
amplitude dos sinais, em valor total, i.e. componente contnua mais a componente varivel. Consideremos um
pequeno sinal que depois de amplificado deveria ter o andamento desenhado a vermelho na fig.4-17.
v
o
i
i
i
o
v
i
A
v
, R
i
, R
o
V
+

V

V
+

V

Fig. 4-15 - Esquema de amplificador para considerao das tenses de alimentao
Fig. 4-16 - Saturao do sinal


4-18
Neste exemplo, a componente contnua est assimetricamente colocada em relao s alimentaes. Assim, depois de
amplificado, o sinal (em geral, na sada que onde o seu valor atinge a maior amplitude) no poder exceder o valor da
alimentao pelo que, em vez de assumir a sua forma natural fica limitado e distorcido, como est representado a
castanho, e dizemos que o amplificador entrou em saturao. Note-se que, no caso representado se supusermos que o
sinal original era uma sinusoide, o sinal saturado ser mais complexo pelo que o seu espetro de frequncia apresentar
componentes que no existiam na entrada e dizemos, por isso, que sofre uma distoro no linear.
4.8.2 Limitao de valor mximo da corrente: slew rate
Um outro limite de natureza muito similar (j que corresponde a no poder ser ultrapassado o valor contnuo
estabelecido, mas de efeito muito diferente ao da limitao da tenso) diz respeito ao que imposto pelas correntes
permanentes que circulam em alguns ramos dos circuitos internos aos amplificadores, que impem limites mximos
(em valor absoluto, portanto positivos ou negativos) corrente disponvel para as variaes induzidas pelos sinais.
Quando essas variaes alimentam condensadores (que sempre existem, internamente, e correspondem aos elementos
que limitam a resposta em frequncia) uma limitao de corrente no limita a tenso mas sim a sua taxa mxima de
variao.
Procuremos explicar este efeito conhecido por taxa mxima de variao da tenso (em ingls, slew rate) que
diferente da limitao da resposta em frequncia, como estudmos no cap. ... . Enquanto que uma limitao da resposta
em frequncia um efeito linear (pode mudar a amplitude ou a fase, mas a frequncia e a forma da sinusoide mantm-
se, no havendo introduo de novas componentes) a limitao da taxa de variao modifica a forma do sinal
introduzindo novas frequncias.
Tomemos um sistema em que h um condensador de capacidade C para cuja carga e descarga h uma corrente mxima
disponvel I que carrega o C atravs de uma resistncia R, tal que RC = ! =
1
"
0

Este circuito RC ter uma largura de banda dada por !
0
. Consideremos um sinal de sada que seja uma sinusoide de
amplitude V e frequncia !
1
< !
0
: v t ( ) = V sin !t ( ) .
Este facto implica que, por efeito da resposta em frequncia, a sinusoide no seria atenuada nem deformada. Contudo,
dado que a corrente mxima I, a taxa mxima de variao da tenso aos terminais do condensador est com ela
relacionada, da seguinte maneira: I = C
dv
dt
ou seja
dv
dt
Mx
=
I
C

Ora,
dv t ( )
dt
= V!
l
cos !
1
t ( ) e
dv t ( )
dt
Mx
= V!
l
cos !
1
t ( )
Mx
"
#
$
%
= V!
l

Portanto, para uma dada corrente I e uma frequncia !
!
, haver uma tenso mxima V
Mx
a partir da qual o sinal ficar
distorcido, como representado na fig.4-18.


4-19
Embora todos os sinais tenham a mesma frequncia, os sinais a azul e vermelho no sofrem distoro enquanto que o
sinal tracejado, em castanho, sofre a limitao da taxa mxima de variao e transforma-se no sinal a preto, claramente
distorcido.
4.9 Questes relativas a tenses e correntes contnuas
4.9.1 Corrente de entrada e desvio de corrente
Nos pargrafos anteriores supusemos sempre que as correntes de entrada do amplificador eram nulas. Em geral, essa
aproximao realista no tocante s correntes de sinal. Contudo, em certos amplificadores (como veremos adiante, isso
acontece se os amplificadores forem construdos com transstores bipolares de juno, mas no se o forem com
transstores MOS) h uma corrente contnua na entrada, I
P
(P de polarizao) embora tambm pequena, pode no ser
desprezvel. Isso advm se as resistncias usadas forem muito elevadas, ou, por exemplo, se entrada estiver apenas
ligado um condensador j que, mesmo para uma muito pequena corrente, a tenso que se desenvolve ir crescendo com
o tempo e tornar-se elevada. Com efeito, de recordar que a tenso no condensador ser
v
C
=
1
C
I
P
dt
0
t
!
=
I
P
C
t
Portanto, teremos de considerar, em certos casos o valor de I
P
. Alm disso, qualquer assimetria entre as entradas, (algo
que sempre inevitvel porque corresponde s variaes aleatrias dos parmetros, decorrentes da margem de erro do
processo de fabrico), levar a que entre as duas correntes nas entradas + e - sejam diferentes, definindo-se o desvio
de corrente !I
P
= I
P
+
" I
P
"
. Note-se que, nessas circunstncias, definimos I
P
=
I
P
+
+ I
P
!
2

Note-se ainda que, em geral, se definem os valores de !I
P
em termos dos seus valores mximos absolutos, j que sendo
variaes aleatrias, no se pode prever nem o valor nem to pouco o sinal, para cada caso particular. Apenas pode ser
especificado o valor mximo que o fabricante garante.
4.9.2 Tenso de desvio
Pelas mesmas razes acima indicadas, normal que haja alguma assimetria relativamente s duas entradas que possa
levar a que, mesmo que as duas entradas tenham exatamente a mesma tenso ou sejam V
d
=V
1
-V
2
=0 , a sada seja
um valor V
DO
, diferente de zero. Para a recolocar a zero, seria necessrio colocar uma tenso na entrada cujo valor
absoluto seria V
DO
/A
V
e de sinal contrrio.
dv
dt
Mx

t

v

Fig. 4-17 - Limitao de taxa mxima de variao


4-20
Designamos essa tenso por V
OS
(pela vantagem de usar notao compatvel com a designao inglesa para desvio que
offset). Note-se que, de novo, esta tenso definida pelo seu valor mximo tendo, dentro desse limite, um valor
aleatrio, positivo ou negativo. Assim, no esquema da fig.4-19, ao colocarmos o valor de V
OS
na entrada podemos
considerar que o restante amplificador se comporta, deste ponto de vista, como um amplificador ideal.
Note-se, finalmente que, como todos estes efeitos so independentes e o sistema linear, quando tivermos de considera-
los simultaneamente podemos tom-los um a um e adicionar os efeitos.
Iremos de seguida ver exemplos em que teremos de considerar estas correntes de polarizao e tenses de desvio para
estimar o valor de tenso contnua na sada que o amplificador apresenta, mesmo sem qualquer sinal na entrada.
4.9.2.1 Exerccios com OpAmps que apresentam correntes de polarizao e tenses de desvio, no nulas
P1: Considerando que, no amplificador da fig.4-20, a tenso de desvio na entrada |V
OS
|=20mV e que a corrente de
polarizao I
P
=1!A, calcule a tenso contnua mxima que pode observar na sada, com a entrada colocada massa.
R4: i) Como se isolou a tenso V
OS
, o amplificador representado comporta-se como ideal e, nessa altura, a tenso no
terminal inversor tambm 20mV. Ento, I
1
=
20mV
10k
= 2A e a corrente I
2
= I
1
+ I
P
= 3A
A tenso na sada que a soma de V
OS
com a queda de tenso em R
2
de 320mV:
V
DO
= 20mV +100k! " 3A = 320mV
ii) Note-se que neste exerccio se poderia ter tomado separadamente a tenso de desvio e a corrente de polarizao e,
pelo teorema da sobreposio, obter o valor na sada correspondente soma dos dois valores obtidos.
Com efeito, se no houvesse tenso de desvio a tenso no terminal - seria zero e no haveria corrente em R
1
. Ento, a
corrente de 1!A circularia toda na resistncia R
2
pelo que a tenso na sada (que designaremos por V
oI
devido a ser
I
1
v
o
I
P
=1!A

|V
OS
|=20mV

V
+

V

v
i
R
1
=10k"
R
2
=100k"
I
2
v
o
I
P1
V
OS
V
+

V

I
P2
Fig. 4-18 - Esquema para anlise da tenso de desvio
Fig. 4-19 - Esquema para anlise de tenses e correntes de desvio


4-21
condicionada pela corrente I) teria o valor
V
o1
= R
2
!1A =100k" !1A =100mV
Agora, consideremos que a corrente de polarizao nula e apenas devemos considerar a tenso de desvio. O
amplificador comporta-se, em relao a essa tenso, como uma configurao no inversora de ganho
A
V
=1+
R
2
R
1
=1+10 =11V / V
Ento, a tenso na sada decorrente da tenso de desvio, !
!"
! !! ! !"!" ! !!"!".
Finalmente, a tenso total de desvio na sada ser
V
OS
= V
OI
+V
OV
=100mV + 220mV = 320mV
Valor idntico ao anteriormente obtido.
P2: Considere amplificador da fig. 4-21. Calcule o valor que deve ter R
3
em funo de R
1
e R
2
por forma a que, qualquer
que seja I
P
, a tenso de desvio, na sada, com a entrada massa, seja nula.

R5: Devido corrente I
P
que circula em R
3
, tenso no terminal + ser V
+
= !R
3
I
P

Se as outras caratersticas do amplificador puderem ser consideradas ideias, essa mesma tenso estar presente no
terminal -. Ento a corrente em R
1
, no sentido da massa, ser
I
R1
=
V
!
R
1
=
V
+
R
1
=
R
3
I
P
R
1

A corrente que circula em R
2
ser, ento, esta corrente somada a I
P
e a tenso V
o
ser:
V
o
= V
!
+ R
2
I
R1
+ I
P
( ) = !R
3
I
P
+ R
2
!
R
3
I
P
R
1
+ I
P
"
#
$
%
&
'
= !R
3
+ R
2
!
R
3
R
1
+1
"
#
$
%
&
'
(
)
*
+
,
-
I
P

o que significa que se R
3
R
2
R
1
+1
!
"
#
$
%
&
= R
2
ou seja, R
3
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= R
1
R
2
, V
o
se anula
i.e., se R
3
for igual ao paralelo de R
1
com R
2
, qualquer que seja I
P
a tenso na sada, ser nula.
v
o
I
P
V
+

V

I
P
R
1
R
2
R
3
Fig. 4-21 Compensao de corrente de desvio


4-22



5-1









Captulo 5







Introduo aos semicondutores







5-1









Captulo 5







Introduo aos semicondutores







5-2
ndice do Captulo 5
5 Introduo aos semicondutores ............................................................................................................ 5-3
5.1 Dopagem do Si ................................................................................................................................................. 5-4
5.2 Deriva de portadores ....................................................................................................................................... 5-5
5.3 Difuso de portadores ..................................................................................................................................... 5-7
5.4 Relao de Einstein. ........................................................................................................................................ 5-8
5.5 Juno PN, em circuito aberto ....................................................................................................................... 5-9
5.6 Juno PN inversamente polarizada ........................................................................................................... 5-12
5.7 Capacidade da juno ................................................................................................................................... 5-12
5.8 Mecanismo de disrupo numa juno inversamente polarizada ............................................................ 5-13
5.9 Juno PN diretamente polarizada ............................................................................................................. 5-14
5.10 Capacidade de difuso ............................................................................................................................... 5-15




5-3
5 Introduo aos semicondutores
Neste captulo iremos fazer o estudo dos materiais semicondutores, aqueles com que so construdos, hoje em dia, os
dispositivos (essencialmente, dodos e transstores) com que se faz a eletrnica. Note-se que nem sempre assim foi, j
que o transstor foi inventado em 1947
1
. Anteriormente a eletrnica era construda com as vlvulas eletrnicas que hoje
apenas so utilizadas em aplicaes especiais, nomeadamente em alguns amplificadores udio
2
.
Os materiais semicondutores podem ser baseados em vrios elementos ou compostos, nomeadamente o germnio (Ge),
o silcio (Si), o arsenieto de glio (GaAs), etc. Porm do Si, pela sua particular importncia, que iremos tratar.
Tabela Peridica
III A IV A V A VI A
B
5
C
6
N
7
O
8

II B Al
13
Si
14
P
15
S
16
Zn
30
Ga
31
Ge
32
As
33
Se
34

Cd
48
In
49
Sn
50
Sb
51
Te
52

O Si constitui um dos materiais mais abundantes do planeta e com propriedades notveis, algumas das quais o fazem o
elemento usado, por excelncia, em eletrnica. O Si um semicondutor tetravalente (ver tabela peridica) cuja estrutura
cristalina constituiu uma rede em que cada tomo se liga a outros 4, nos vrtices de um tetraedro (ver fig.5-1 a) e b)),
atravs da partilha dos eletres de valncia, constituindo as chamadas ligaes covalentes.
Podemos fazer uma representao plana, simplificada, dos cristais de Si, como na fig. 5-2.


1
O transstor foi inventado em 1947, embora o resultado deste trabalho s tenha sido publicado em 1948.
2
Colocar uma referncia para uma nota histrica sobre vlvulas.





















eletro livre
ligao incompleta
(lacuna livre)
io de Si (+4q)
4 eletres de valncia (-4q)
ligao
covalente
Fig. 5-1 Modelo da estrutura atmica do Si
Fig. 5-2 - Representao plana da estrutura do Si
a) b)


5-4
A densidade atmica do Si de ! ! !"
!!
!!"
!
. Devido energia trmica, algumas das ligaes so quebradas, havendo
um certo nmero de eletres livres. Um eletro que se liberta (com carga ! ! !!! ! !"
!!"
!) gera uma lacuna (de
carga simtrica) que se prova que se comporta, efetivamente, como se fosse uma partcula autnoma.
A taxa de gerao de pares eletro-lacuna depende da energia que lhes transmitida, normalmente, e na ausncia de
radiao luminosa ou outra, de origem trmica. Contudo, a recombinao de lacunas e eletres, reconstituindo as
ligaes covalentes, faz-se a uma taxa que proporcional ao produto das concentraes n.p sendo n a concentrao de
eletres livres e p a concentrao de lacunas, ambas expressas em cm
-3
. Em equilbrio e a uma temperatura absoluta T,
constante, a taxa de gerao de pares eletro-lacuna uma funo de T
3
, g(T), e deve igualar a taxa de recombinao,
pelo que podemos escrever
! ! ! ! !
!
! ! .
A concentrao n e p do Si puro (ou intrnseco, pelo que passaremos a design-las por n
i
e p
i
) , temperatura ambiente
(T!300 K) aproximadamente
!
!
! !
!
! !!! ! !"
!"
!!
!!

mas cresce rapidamente com a temperatura:
n
i
2
= BY
3
e
!
E
G
kT

em que B e E
G
dependem do material e k a constante de Boltzmann, k=1.38 " 10
-23
J/K. No caso do Si, B=5.4 " 10
31
e
E
G
=1.12 eletro volt eV
O valor de n
i
deve ser confrontado com a densidade volumtrica de tomos de Si que , aproximadamente, 5"10
22

tomos/cm
3
. Portanto, apesar de parecer um valor elevado, corresponde a menos de 1 portador livre por 10
12
tomos. A
razo da designao semicondutor tem a ver com a resistividade que, para o Si intrnseco #
Si
=2.3"10
5
$-cm, que
muito maior do que a de condutores como o Cu (#
Cu
=1.7"10
-5
$-cm) mas muito menor do que a de isolantes como o
vidro, p.ex. para o qual a resistividade pode variar entre 10
13
e 10
17
$-cm.
5.1 Dopagem do Si
Suponhamos agora que, no cristal de Si, substitumos alguns dos seus tomos por tomos de elementos vizinhos na
tabela peridica, por exemplo boro (B) ou fsforo (P) ou antimnio (Sb)
4
. A esta operao chama-se dopar o Si.
Comecemos por admitir que usamos P (usa-se, frequentemente, Sb). Como o P tem valncia 5, quatro dos eletres de
valncia ligam-se a tomos de Si promovendo um eletro livre. Note-se que eletricamente tudo se mantm neutro
porque o io P passa a ter carga +5e. Chamemos N
D
concentrao de tomos de P. O ndice D, que designa dador
significa que se acrescentam eletres aos eletres trmicos para a conduo. Em geral, N
D
n
i
, embora sempre muito
menor do que o nmero de tomos por cm
3
. Valores tpicos podem ir de 10
13
a 10
18
cm
-3
o que verifica, sempre n
i
N
D

nmero de tomos de Si/cm
3
.

3
A gerao pode tambm ser induzida por absoro de energia sob a forma de radiao com caratersticas adequadas, incluindo energia
eletromagntica na regio do visvel, infravermelho ou ultravioleta.
4
Ver anexo sobre Tecnologia


5-5
O Si, nestas condies, passa a ser dopado, sendo que os eletres passam a ser o portador dominante (maioritrio) e as
lacunas portadores minoritrios e o Si passa a designar-se por Si tipo n (n de negativo). Designaremos a concentrao
de eletres por n
n
(eletres em Si tipo n) sendo que, pelo facto de N
D
n
i
, faz com que n
n
! N
D
e como n.p = n
i
2
, que
uma constante a uma dada temperatura, as lacunas p
n
diminuem inversamente com o crescimento do nmero de eletres
(designa-se este efeito por Lei da Ao de Massas), podendo escrever
p
n
!
n
i
2
N
D

Note-se que, como normal, a resistividade varia significativamente com a dopagem podendo ir, para os valores limite
indicados, de 450 a 0.02 $-cm, respetivamente da menor para a maior dopagem ou seja, entre cerca de 500 a 10milhes
de vezes maior do que a do Si intrnseco.
Todo este raciocnio pode ser repetido se em vez de substituirmos tomos de Si por P os substituirmos por B que tem
valncia 3. Nesse caso, uma das ligaes covalentes fica por preencher, sendo isso equivalente a libertar uma lacuna.
Porque a densidade de lacunas aumenta e, consequentemente diminui a densidade de eletres (os eletres passam a ser
os portadores minoritrios enquanto as lacunas so os portadores maioritrios) designamos o B como dopagem
aceitadora e o Si assim modificado como Si tipo p (de positivo). Torna-se evidente que podemos escrever
p
p
! N
A
n
p
!
n
i
2
N
A

Devido agitao trmica (movimentos brownianos) os portadores movimentam-se irregularmente at colidirem com
os tomos de Si. A uma dada temperatura, pode estabelecer-se o tempo mdio de vida livre de um portador !
C
(note que
o ndice c deriva da designao inglesa carrier porque o p de portador confundir-se-ia com o p de lacuna), valor esse
que para o Si e temperatura ambiente aproximadamente !
C
"10
#13
s . Nesses movimentos, os portadores adquirem
uma velocidade elevada (velocidade trmica) que designaremos por v
trm
!10
7
cm / s o que nos permite dizer que a
distncia mdia percorrida por um portador ! = v
trm
"
C
# 0.01m
5.2 Deriva de portadores
Se aplicarmos ao semicondutor um campo eltrico E, a fora exercida sobre os portadores ser, em valor absoluto,
F = qE positiva ou negativa conforme o portador for lacuna ou eletro. Esta fora acelera os portadores e, entre
colises, a velocidade atingida ao fim de um tempo t ser
v t ( ) = a! t =
qE
m
e
t
io +5q
eletro livre
lacuna livre
tomo de Fsforo
tomo de Boro

io +3q
Fig.4
Fig. 5-3 Representao plana da estrutura do Si dopado


5-6
em que m
e
a massa do portador (p ou n) que adiante referiremos.
Designamos este movimento dos portadores, devido ao campo eltrico, por deriva. Pois bem, esses portadores
movimentando-se assim, fazem-no intermitentemente pois vo chocando com os tomos de Si atingindo uma
velocidade mdia de deriva dada por
v
der
=
qE
2m
e
!
C
=
q!
C
2m
e
E
Designamos por mobilidade dos portadores o valor

n, p
=
q!
C
2m
en,ep
(5.1)
Como claro, a carga q pode ter sinal positivo ou negativo, conforme o tipo de portador e, bem assim, m
e
varia
(podendo escrever m
en
ou m
ep
) bem como a mobilidade "
n
ou "
p
. Em quaisquer circunstncias, podemos escrever
v
der n, p ( )
=
n, p
E
A mobilidade, expressa em cm
2
/Vs, varia com vrios parmetros. Para comear, com a massa m do portador
conceito que no iremos explorar neste captulo, mas que podemos, desde j, referir que maior para as lacunas do que
para os eletres livres. Varia tambm com a temperatura (diminuindo) e com a concentrao, embora, neste aspeto, s
seja sensvel essa variao para concentraes elevadas (tipicamente para N
D,A
>10
16
). Os valores tpicos, temperatura
ambiente so, respetivamente para os eletres e para as lacunas, de cerca de

n
!1400cm
2
/ Vs
p
! 500cm
2
/ Vs
A densidade de corrente devida ao campo, J
der
, ser proporcional densidade de portadores, podendo escrever-se,
respetivamente para os eletres e para as lacunas,
J
n
der
= !qnv
der
= qn
n
E J
p
der
= qpv
der
= qp
p
E
permitindo escrever, que a densidade de corrente total ser
J
der
= q n
n
+ p
p
( )
E
que significa, atendendo lei de OHM que sendo
J
der
= !E =
E
"

em que " a condutividade e # a resistividade do material.
Para valores moderados de dopagem a resistividade varia inversamente com o seu valor, tipicamente de 10
4
$-cm para o
Si p e para uma concentrao N
A
=10
12
cm
-3
at cerca de 1 $-cm para N
A
=10
16
cm
-3
apresentando, para o Si n, valores
cerca de metade dos indicados.
Terminemos esta seco, com um exemplo numrico:
Considere-se um pedao de Si tipo n com uma concentrao N
D
= 5!10
15
cm
"3
. temperatura ambiente,

n
!1300cm
2
/ Vs e !
n
"1#cm .
Se aplicarmos um campo eltrico E =1kV / cm, a velocidade de deriva ser v
n
! "1.3#10
6
cm / s , cerca de 8 vezes
menor do que a velocidade trmica. A densidade de corrente J
n
der

ser, ento, J
n
der
=10
3
A / cm2 e o tempo que o eletro
demorar a percorrer 0.1%m ser de cerca de cerca de 8ps.


5-7
5.3 Difuso de portadores
Suponhamos agora que, por algum mecanismo, estabelecemos uma dopagem varivel num dado elemento de Si.
Suponhamos ainda que concentrao das impurezas varia apenas numa direo, x. Assim, para uma dada seco
coordenada x
0
, se designarmos a concentrao de portadores (n, por hiptese) esquerda por n
x0
!
e direita por n
x0
+
, o
nmero de portadores que, por agitao trmica, atravessam a seco num sentido e noutro no dever ser igual sendo
naturalmente proporcional ao gradiente da concentrao
dn x ( )
dx
. A este mecanismo, chamamos difuso.
O fluxo de eletres numa dada seco na posio x dever ser, ento,
F
n
x ( ) = !D
n
dn x ( )
dx

em que D
n
o que designamos por constante de difuso dos eletres. O sinal - advm de que o movimento se d da
maior para a menor concentrao e, portanto, quando a derivada negativa.
Assim sendo, estabelece-se uma corrente de difuso cuja densidade dada por,
J
n
dif
= qD
n
dn x ( )
dx

Para Si tipo p podemos estabelecer um raciocnio idntico, pelo que
J
p
dif
= !qD
p
dp x ( )
dx

Note-se que o sinal - resulta de que agora temos uma corrente em que os portadores tm carga positiva.
Procuremos, agora, determinar o valor de D e consideremos, por simplificao, apenas um semicondutor tipo n. Em
equilbrio trmico e temperatura T a energia de um portador dada por 3kT/2 e est associada energia cintica do
portador, podendo ento escrever:

1
2
m
n
v
Tmd
2
=
3kT
2

em que v
Tmd
a velocidade mdia de origem trmica e m
n
o que j atrs admitimos ser a noo de massa efetiva do
eletro que tem a ver com a sua insero no meio e diferente da sua massa no espao livre.
Se pudermos supor que o meio isotrpico, a velocidade mdia ser igual em todas as direes e poderemos escrever
que
v
Tmd
2
= v
Tmd _ x
2
+ v
Tmd _ y
2
+ v
Tmd _ z
2

Ento,

1
2
m
n
v
Tmd _ x
2
=
kT
2

Atentemos, agora, fig.5-4. Suponhamos que entre dois pontos esquerda e direita da superfcie, a uma distncia
!x= "
n
distncia percorrida pelas partculas no seu tempo mdio de vida #
n
a diferena de concentraes !n.
Fig. 5-4 Movimento de cargas atravs de uma superfcie no interior do Si
n+!n n
n/2
(n+!n)/2
!n/2
x
!x


5-8
Teremos ento que


!n = "
dn x
( )
dx
#
n
= "
dn x
( )
dx
v
Tme

d
$
n
(5.2)
Se, direita tivermos uma concentrao n, n/2 eletres atravessam a superfcie para a esquerda (a outra metade
atravessa em sentido contrrio) e, esquerda da superfcie tivermos n+!n, (n+!n)/2 eletres atravessam para a direita,
havendo um saldo de !n/2 eletres que atravessam da maior para a menor concentrao. Ento a densidade de corrente
de difuso ser
!n
2
"
#
$
%
&
'
v
Tmd _ x
e se designarmos por v
dif
a velocidade mdia que teria cada uma das partculas para gerar a
mesma corrente teremos v
dif
=
!nv
Tmd _ x
2n

Se, na expresso anterior, substituirmos o valor de !n dado por (5.2), obtemos:
v
dif
= !v
Tmd _ x
1
2n
dn x ( )
dx
v
Tmd _ x
"
n
= !
1
2n
dn x ( )
dx
v
Tmd _ x
2
"
n

Como

1
2
m
n
v
Tmd _ x
2
=
1
2
kT ! v
Tmd _ x
2
=
kT
m
n

podemos escrever
v
dif
= !
1
2n
dn x ( )
dx
kT
m
n
"
n
.
Ora, a densidade de corrente de difuso,
J
n
dif
= !qnv
dif
= q
1
2
dn x ( )
dx
kT
m
n
"
n

e, como na definio de D
n
tnhamos estabelecido que J
n
dif
= qD
n
dn x ( )
dx
,
D
n
=
kT
2m
en
!
n
(5.3)
5.4 Relao de Einstein
Os valores anteriormente encontrados para a mobilidade na equao (5.1) e para a constante de difuso, na equao
(5.3), permitem concluir que existe uma relao entre elas o que no ser de admirar, j que a ambas caraterizam
fenmenos termodinmicos estatsticos relao essa que a seguinte:
D
n

n
=
kT
q
= V
T

em que V
T
o que designamos por equivalente, em Volts, da temperatura.
O valor de V
T
, temperatura ambiente (!300 K) aproximadamente V
T
!25 mV.


5-9
Identicamente se poderia ter deduzido que
D
p

p
=
kT
q
= V
T
o que permite escrever

D
n

n
=
D
p

p
= V
T
=
kT
q

que a chamada relao de Einstein.
5.5 Juno PN, em circuito aberto
Consideremos agora que colocamos em contacto dois cristais de Si, um tipo n e outro tipo p, formando o que se designa
por uma juno pn. Devido diferena de concentraes, pelo mecanismo de difuso descrito anteriormente, os eletres
livres do lado direito e as lacunas livres do lado esquerdo migraro em sentidos contrrios, recombinando-se, do outro
lado, respetivamente com as lacunas e os eletres existentes. Quando isso acontece, a carga dos ies (fsforo, +5q
direita e boro, +3q esquerda) na vizinhana da juno, no ficaro cobertas e forma-se uma zona de cargas fixas que
geram um campo eltrico que, por sua vez, vai atuar sobre as cargas, em sentido inverso ao da difuso, criando uma
corrente de deriva.
Quando se estabelece o equilbrio, i.e. quando as correntes de difuso e deriva forem iguais, a tenso entre os dois lados
da juno assume um valor fixo, ao mesmo tempo que na zona da fronteira se cria uma regio sem cargas mveis,
designada por regio de depleo ou, alternativamente, regio de carga espacial. A fig.5-5 ilustra esta situao.
A juno assim estabelecida constitui o que se designa por dodo de juno, cujo smbolo est representado na fig.5-6.
O terminal do lado p designado por nodo do dodo e o do lado n por ctodo. Para haver ligao exterior, nos dois
terminais dos elementos p e n da juno so colocados terminais metlicos e o potencial que se desenvolve na juno
metal-semicondutor compensa exatamente V
o
pelo que, em aberto, no se mede qualquer tenso aos terminais do dodo.
Isso seria expectvel pois, de outra maneira, estar-se-ia a violar o princpio da conservao da energia.
Note-se que, enquanto a corrente de difuso uma corrente suportada pelos portadores maioritrios, a corrente de
deriva, I
s
, deve-se aos portadores minoritrios. Estes portadores quando se encontram na vizinhana da regio de
depleo, sofrem o efeito do campo eltrico, atravessando a juno; simultaneamente, a diminuio destes portadores
minoritrios junto regio de depleo, induz uma migrao, por difuso, dos portadores das regies mais longnquas.
Fig.6
x
P
o
t
e
n
c
i
a
l

Barreira de
potencial
V
o

p
n
Regio de
depleo
I
S

I
D

Fig. 5-5 Potencial gerado numa juno em aberto


5-10
Esta corrente que se deve quer a eletres quer a lacunas, como da responsabilidade dos portadores minoritrios,
gerados termicamente, largamente dependente da temperatura mas essencialmente independente de V
o
.
fcil de ver que a barreira de potencial V
o
dada por V
0
= V
T
ln
N
A
N
D
n
i
2
!
"
#
$
%
&

Com efeito, como se viu acima, a densidade de corrente de difuso, para os eletres, dada por
J
n
dif
= qD
n
dn x ( )
dx

e a densidade de corrente de deriva, tambm para os eletres, por
J
n
der
= qn
n
E x ( )
Identicamente se poderia estabelecer para as lacunas. Ora, em equilbrio, como se viu, estas duas correntes devem
anular-se, i.e. J
n
dif
= !J
n
der
, ou seja, qD
n
dn x ( )
dx
= !qn
n
E x ( ) e podemos escrever,
dn x ( )
n
= !

n
D
n
E x ( )sx
Integrando obtemos

dn x ( )
n
= !

n
D
n
E x ( )dx
!x
p0
x
n0
"
n
p
n
n
"
=

n
D
n
dV
0
V
0
"

ou seja,
ln
n
n
n
p
!
"
#
$
%
&
=
1
V
T
V
0

e como n
n
! N
D
e n
p
!
n
i
2
N
A
, obtemos V
0
= V
T
ln
N
A
N
D
n
i
2
!
"
#
$
%
&

A concluso seria a mesma, evidentemente, se tivssemos feito o desenvolvimento com as lacunas. No caso do Si,
verifica-se que o valor de V
0
, para os valores usuais das concentraes, tem valores entre os 0.6 e 0.8 V.
Vejamos agora um pouco mais em detalhe o que se passa com a distribuio dos portadores. Se comearmos por
representar, numa escala logartmica, teremos algo do gnero do que est na fig.5-7a). Uma mesma representao numa
escala linear (fig.5-7b) permite uma aproximao simplificativa (a vermelho) que, por sua vez, induz uma distribuio
de cargas, um campo eltrico e um potencial, como representados nas fig.5-7 de c) a e):
Procuremos, agora, deduzir alguns dos valores indicados nas figuras acima, tomando, para simplificar, a representao
aproximada retangular a vermelho na fig. 5-7 b), a vermelho, para a distribuio dos portadores de que resulta a
densidade de cargas tambm representada a vermelho na fig. 5-7 c).
Comeando por tomar a fig.5-7 d), sendo a carga constante, o campo varia de uma maneira linear e ser dado por
p n
metal
Dodo
nodo
ctodo
Fig.7
Fig. 5-6 O dodo de juno


5-11
E = !
1
"
Si
# x ( )dx
!x
p0
x
$
= !
1
"
Si
!qN
A
dx
!x
p0
x
$
= !
qN
A
"
Si
x + x
p0
( )

O valor mximo que atinge na origem ser, ento,
E
0
= !
1
"
Si
# x ( )dx
!x
p0
0
$
= !
1
"
Si
!qN
A
dx
!x
p0
0
$
= !
qN
A
"
Si
x
p0

Um raciocnio idntico permite escrever que E
0
= !
qN
D
"
Si
x
n0

O valor de V
o
pode agora ser expresso como
V
0
= ! E x ( )dx
!x
p0
x
n0
"
= ! E x ( )dx
!x
p0
0
"
+ E x ( )dx
0
x
n0
"
#
$
%
%
&
'
(
(

o que, substituindo os valores do campo eltrico esquerda e direita do zero, d
V
0
= !
!E
0
x
p0
x + x
p0
( )
dx
!x
p0
0
"
+
!E
0
x
n0
!x + x
p0
( )
dx
0
x
n0
"
#
$
%
%
&
'
(
(
=
q
2)
Si
N
A
x
p0
2
+ N
D
x
n0
2
( )
(5.4)
Da igualdade dos dois valores obtidos para E
o
(ou, se quisermos, da igualdade das cargas fixas acumuladas esquerda e
direita da juno), podemos escrever que qN
A
x
p0
= qN
D
x
n0
ou seja,

N
A
N
D
=
x
n0
x
p0
(5.5)
Podemos resolver as duas equaes (5.1) e (5.2) em ordem a x
no
e x
po
, e obtemos:
x
n0
=
2!
Si
V
0
N
A
q N
A
+ N
D
( ) N
D
e x
p0
=
2!
Si
V
0
N
D
q N
A
+ N
D
( ) N
A

e a largura total da regio de depleo ser
w
d0
= x
n0
+ x
p0
=
2!
Si
V
0
q
1
N
A
+
1
N
D
"
#
$
%
&
'


Fig. 5-7 Distribuio de cargas, potencial e campo eltrico, numa juno


5-12
5.6 Juno PN inversamente polarizada
Diz-se que a juno est inversamente polarizada quando a tenso aplicada aos seus terminais refora o potencial de
barreira, i.e. quando aplicada uma tenso positiva ao ctodo do dodo e negativa ao seu nodo.
Nestas condies, os eletres so retirados da regio n e reinjetados do lado p compensando as lacunas o que cria uma
variao das concentraes, de ambos os lados das junes, fazendo com que mais cargas da regio de depleo sejam
descobertas e, bem assim, aumente a respetiva diferena de potencial. Note-se que este movimento de cargas faz
diminuir a corrente de difuso enquanto que a corrente de deriva, por ser essencialmente independente do potencial de
barreira, se mantm constante. Em ltima anlise a corrente de difuso poder-se- anular sendo a corrente I
S
o limite da
corrente inversa que se estabelecer no dodo.
Dado que o valor de I
S
extraordinariamente pequeno (femto a pico amperes fA a pA) o dodo comporta-se, no
modo de polarizao inversa, essencialmente como um circuito aberto.
Note-se ainda que o fenmeno que se estabelece na regio de juno se assemelha muito ao de um condensador
carregado, cuja distncia das placas tenha a ver com a largura da regio de depleo, w
d
. Ora, a expresso acima obtida
para o potencial de barreira V
0
pode ser adaptada se se vier a verificar que esse potencial acrescido de uma tenso
externa de valor V
R
, passando a ser:
w
d0
=
2!
Si
V
0
q
1
N
A
+
1
N
D
"
#
$
%
&
'
V
0
+V
R
( )
Como a carga acumulada numa juno com rea A, dada por q
j
= qN
D
x
n
A = qN
A
x
p
A , fcil verificar que
q
j
= q
N
A
N
D
N
A
+ N
D
Aw
d

e, finalmente, que
q
j
= q
N
A
N
D
N
A
+ N
D
A
2!
Si
V
0
q
1
N
A
+
1
N
D
"
#
$
%
&
'
V
0
+V
R
( )
5.7 Capacidade da juno
A variao de q
j
com V
R
est representada na fig.5-8 e possvel definir, para uma dada tenso V
P
uma capacidade
dinmica, designada por capacidade da juno e que funo, obviamente, de V
P
. O seu valor pode ser obtido como a
tangente no ponto P,
C
j
=
dq
j
dV
R
V
R
=V
P

C
a
r
g
a

a
r
m
a
z
e
n
a
d
a

n
a

r
e
g
i

o

d
e

d
e
p
l
e

o

tenso
inversa, V
R

V
P

P
Fig.9

Fig. 5-8 Armazenamento de cargas numa juno inversamente polarizada


5-13
Se tomarmos um modelo da juno como um condensador plano com os eltrodos colocados a uma distncia w
d
, o seu
valor ser dado por
C
j
=
!
Si
A
w
d
=
C
j 0
1+
V
R
V
0

em que
C
j 0
=
dq
j
dV
R
V
R
=0
= A
!
Si
q
2
N
A
N
D
N
A
+ N
D
1
V
0

Para concluir, devemos dizer que, na realidade, dependendo do modo como, na juno, as cargas variam do lado p para
o lado n, a capacidade C
j
, mais realisticamente dada por
C
j
=
C
j 0
1+
V
R
V
0
!
"
#
$
%
&
m

onde o coeficiente m varia entre
1
/
3
e
1
/
2
.
5.8 Mecanismo de disrupo numa juno inversamente polarizada
Suponhamos agora que procuramos injetar uma corrente I>I
S
no sentido do ctodo para o nodo, isto , no sentido
inverso ao da conduo normal do dodo. Vamos supor que obtemos este efeito fazendo crescer I a partir de um valor
menor. Quando I aumenta, o potencial que se desenvolve na juno aumenta tambm, com dois efeitos: aumenta o
campo eltrico na regio da juno, e aumenta a velocidade mdia dos portadores minoritrios. O valor do campo
eltrico depende da tenso mas tambm das caratersticas fsicas da juno. Em certas circunstncias esse campo pode
atingir valores suficientemente elevados para quebrar as ligaes covalentes, libertando portadores que permitiro que a
correte I se torne maior que I
S
. Verifica-se mesmo que essa corrente pode crescer significativamente, com pequena
variao da tenso (inversa) desenvolvida aos terminais do dodo. A este efeito chama-se efeito zener.
Contudo, pode acontecer que o campo no seja suficientemente elevado para provocar a disrupo das ligaes
covalentes mas podem os portadores minoritrios acelerados por esse mesmo campo adquirir energia cintica suficiente
para, chocando com os tomos, quebrem as ligaes covalentes libertando novos portadores. O efeito tende a
desenvolver-se como uma avalanche, e da ser esse o nome dado a este efeito: efeito de avalanche. Note-se que, nas
suas consequncias, este fenmeno muito semelhante ao do efeito zener, permitindo um aumento sbito da corrente
com pequena variao da tenso inversa aos terminais do dodo. Duas diferenas, contudo, importantes: uma que o
primeiro tem um coeficiente de temperatura negativo e o segundo positivo (i.e. a tenso a que o efeito se desenvolve
varia, respetivamente, de modo negativo e positivo com a temperatura) e o primeiro dominante para tenses inversas
menores do que 5V e o segundo para tenses superiores a 7V. Para junes que entram em disrupo para valores da
tenso entre 5V e 7V o mecanismo pode ser de um ou outro tipo ou mesmo uma combinao de ambos.
Como veremos adiante, este fenmeno nem sempre tem consequncias destrutivas sobre o dodo e mesmo utilizado
para realizar os chamados dodos zener.


5-14
5.9 Juno PN diretamente polarizada
Aplicando, agora, uma tenso V
D
positiva entre o nodo e o ctodo do dodo, o efeito ser diminuir o potencial de
barreira e criar condies de aumento da corrente de difuso. O seu valor, ao contrrio do da corrente de deriva,
fortemente condicionado pela tenso aplicada.
Tomemos a expresso acima escrita, V
0
= V
T
ln
N
A
N
D
n
i
2
!
"
#
$
%
&
, que pode ser expressa como
V
0
= V
T
ln
N
D
n
p0
!
"
#
$
%
&
= V
T
ln
N
A
p
n0
!
"
#
$
%
&

e que, finalmente, permitem escrever
n
p0
= N
D
e
!
V
0
V
T
e p
n0
= N
A
e
!
V
0
V
T

Se a tenso aplicada aos terminais do dodo for V
D
, na juno obteremos uma tenso V
j
=V
0
-V
D
e, identicamente s
relaes acima escritas, podemos exprimir n
p
(-x
p
) e p
n
(x
n
), respetivamente no limiar esquerda e direita da regio de
depleo, como
n
p
!x
p
( )
= N
D
e
!
V
j
V
T
= N
D
e
!
V
0
!V
D
V
T
= N
D
e
!
V
0
V
T
e
V
D
V
T
= n
p0
e
V
D
V
T
(5.6)
e, de modo idntico,
p
n
x
n
( ) = p
n0
e
V
D
V
T
(5.7)
em que, recordemos, n
p0
=
n
i
2
N
A
e p
n0
=
n
i
2
N
D

As expresses (5.6) e (5.7)(correspondem ao que designa por Lei da Juno.
A partir de (5.3) e tendo em conta a fig.5-9, a evoluo da concentrao dos portadores minoritrios injetados, por
difuso, ao longo de x, pode ser dada por
p
n
x ( ) = p
n0
+ p
n
x
n
( ) ! p
n0
"
#
$
%
e
!
x!x
n
&
p
= p
n0
1+ e
V
D
V
T
!1
'
(
)
*
+
,
e
!
x!x
n
&
p
"
#
-
-
$
%
.
.

Assim, e a partir da expresso anteriormente derivada para a densidade de corrente de difuso, podemos escrever
J
p
dif
= qD
p
dp
n
x ( )
dx
= q
D
p
!
p
p
n0
e
V
D
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
e
"
x"x
n
!
p

!
"
#$
"
%
"
!
#'$
!
%
"
!(

!
"(

! #
!
"
#$%'!
"(

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Fig. 5-9 Distribuio de cargas numa juno diretamente polarizada


5-15
Identicamente, poderamos escrever uma expresso anloga para a densidade de corrente dos portadores minoritrios
(eletres) do lado p.
Como tambm patente da fig.5-9, a corrente de difuso mxima na fronteira esquerda e direita da regio de
depleo (i.e. quando x=-x
p
e x=x
n
) indo diminuindo por efeito de recombinao com os portadores maioritrios que,
por sua vez, vo sendo repostos pela corrente externa. De qualquer modo a corrente ser constante ao longo do material
e ter um valor idntico ao da fronteira da regio de depleo, ou seja, a corrente total, para uma juno de rea A
dada por
I = A J
p
dif
x=x
n
+ J
n
dif
x=!x
p
( )
= Aq
D
n
"
n
p
n0
+
D
p
"
p
n
p0
#
$
%
&
'
(
e
V
D
V
T
!1
#
$
%
&
'
(
= Aqn
i
2
D
n
"
n
N
A
+
D
p
"
p
N
D
#
$
%
&
'
(
e
V
D
V
T
!1
#
$
%
&
'
(

I = I
S
e
V
D
V
T
!1
"
#
$
%
&
'

esta, portanto, a equao geral da corrente I num dodo ao qual aplicada uma tenso V
D
entre nodo e ctodo. Note-
se que I
s
diretamente proporcional rea da juno e, sendo proporcional a n
i
2
tem uma fortssima dependncia da
temperatura. A corrente inversa, representada a vermelho na fig.5-10, est numa escala 10
9
vezes mais pequena e ,
como vimos, praticamente constante para tenses inversas muito superiores a V
T
. A tenso de conduo, dadas as
caratersticas do material (Si) e do processo construtivo do dodo, tem um valor volta de 0.7 V, o que permite que, em
certas condies que veremos posteriormente, o dodo seja tomado como um dispositivo que no conduz em sentido
inverso e, em sentido direto, apresente uma queda de tenso constante de 0.7V, aos seus terminais.
5.10 Capacidade de difuso
Procuremos agora determinar como que a carga acumulada na juno varia com a tenso, o que podemos caraterizar
como uma capacidade de valor C =
dV
dQ
. Na realidade, em conduo, verifica-se a acumulao de portadores
minoritrios excedentrios, com a distribuio exponencial representada na fig.5-9, que do lado n, ser:
p
nexc
= p
n
x ( ) ! p
n0
= p
n0
e
V
D
V
T
!1
"
#
$
%
&
'
e
!
x!x
n
(
p

A carga total acumulada, Q
p
, ento, dada por
Q
p
= Aq p
n
dx
x
n
!
"
= Aq p
n0
e
V
D
V
T
#1
$
%
&
'
(
)
e
#
x#x
n
*
p
dx = Aq p
n
x
n
( ) # p
n0
+
,
-
.
x
n
!
"


. 5-10 Caraterstica corrente-tenso num dodo


5-16
Fazendo as substituies adequadas fcil de ver que p
n
=
!
p
2
D
p
I
p
= "
p
I
p

A carga total de portadores minoritrios excedentrios ser ento dada por
Q = Q
p
+Q
n
= !
p
I
p
+!
n
I
n
= !
T
I
em que !
T
designado por tempo mdio de trnsito.
Para pequenas variaes da tenso de conduo do dodo haver uma variao da carga acumulada e possvel definir
uma capacidade de difuso dada por
C
d
=
dQ
dV
= !
T
dI
dV
=
!
T
V
T
I
Esta capacidade permite, ento, caraterizar o funcionamento do dodo, para variaes da tenso volta de um ponto de
funcionamento estabelecido pela corrente I.

6-1








Captulo 6







Dodos e circuitos com dodos





6-2
ndice do Captulo 6
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6-3
6 Dodos e circuitos com dodos
6.1 Introduo
Como vimos no ltimo captulo, a partir de uma juno p-n pode obter-se um dispositivo com caratersticas
retificadoras a que chamamos dodo e cuja smbolo o que est apresentado na fig. 6-1:

Embora a caraterstica iD (vD) seja contnua (praticamente exponencial, na zona de conduo) em quase todas as
situaes de aplicao, o que nos interessa o funcionamento no linear do dispositivo: ou em conduo, com tenso
quase constante aos seus terminais, ou ao corte, com corrente praticamente nula.
Este funcionamento fortemente no linear (em comutao, poderamos dizer, on ou off) uma exceo em relao
aos vrios dispositivos que vamos estudar: em geral, iremos procurar faz-los funcionar em regime quase linear para
pequenos sinais volta de um dado ponto de funcionamento. S em alguns casos, quando fizermos uma breve
introduo eletrnica dos sistemas digitais e para os quais chamaremos particular ateno, o estudo visar
funcionamento tambm em regime on/off.
6.2 Condies de conduo do dodo de juno
A expresso que obtivemos para corrente do dodo como funo da tenso aos seus terminais foi a seguinte:
i
D
= I
S
e
V
D
V
T
!1
"
#
$
%
&
'
(6.1)
em que I
S
o que se designa por corrente de saturao inversa cujo valor o simtrico da corrente no dodo quando
!
!
! !! e que pode ser expresso em termos dos parmetros construtivos, como
I
S
= Aqn
i
2
D
n
!
n
N
A
+
D
p
!
p
N
D
"
#
$
%
&
'
(6.2)
em que V
T
o que por vezes se designa como o equivalente em tenso da temperatura e vale
V
T
=
kT
q
(6.3)
i
D

+ v
D
-
Fig. 6-1 Tenso e corrente no dodo

6-4
em que k a constante de Boltzmann, T a temperatura em Kelvin e q a carga do eletro. temperatura ambiente
(T=300 K) V
T
vale aproximadamente 25 mV.
Como se pode ver da equao (6.2) I
S
proporcional rea da juno e inversamente proporcional concentrao de
portadores. Para dodos de sinal de pequenas dimenses, I
s
muito pequeno, podendo variar entre alguns pA e fA (i.e.
entre 10
-12
A e 10
-15
A).
Como evidente, da expresso (6.1) retira-se que
v
D
= V
T
ln 1+
i
D
I
S
!
"
#
$
%
&
(6.4)

Na fig.6-2 est uma representao grfica da corrente no dodo, em funo da tenso, em que se faz notar que as escalas
de corrente so diferentes para a tenso positiva e negativa:
6.2.1 Consideraes sobre polarizao e sinal
Como j anteriormente referimos, usual, quando tratamos das grandezas eltricas nos circuitos (correntes ou tenses)
separ-las em duas componentes:
Uma que d conta do valor constante que corresponde ao ponto de funcionamento dos dispositivos (aqueles valores
da corrente e da tenso que existem quando no h sinal) e que em geral se representam por letras maisculas com
ndices tambm maisculos (I
D
e V
D
, no caso do dodo).
A outra componente corresponde s variaes que sobrepomos a este valor pr-fixado, a que chamamos sinal, e que
, em geral, de muito menor amplitude do que o valor permanente (situao de pequeno sinal); essa componente
geralmente representada por letras minsculas com ndices tambm minsculos (v
d
, i
d
).

Os valores totais, que correspondem soma dos dois anteriores e para os quais so geralmente utilizadas letras
minsculas e ndices maisculos, so aqueles que, at aqui, temos vindo a considerar:

Fig. 6-2 Caraterstica I-V do dodo

6-5

i
D
= I
D
+ i
d
v
D
= V
D
+ v
d

Manteremos sempre esta notao que importante para tornar claro que tipo de grandeza, em cada caso, estamos a
considerar. Na fig. 6-3 esto representados estes valores sobre uma caraterstica apenas representada em zona de
conduo, com a tenso no dodo entre 300 e 700 mV, e supondo que a corrente permanente I
D
=4 mA:
6.2.2 Variao dos parmetros com a temperatura
As caratersticas do dodo dependem, como se pode ver nas expresses (6.1), (6.2) e (6.3), da temperatura da juno.
De (6.2), retira-se que I
S
varivel com a temperatura atravs de n
i
e, na prtica, verifica-se que se pode considerar que
I
S
duplica por cada 10C de variao da temperatura.
A variao da tenso de conduo V
D
com a temperatura pode ser obtida da expresso (6.4) se se fizer i
D
=I
D
, e se
atender que funo de a temperatura quer atravs de V
T
quer atravs de I
S.
. Na prtica verifica-se ser uma boa
aproximao considerar que V
D
varia com T do seguinte modo:

!V
D
!T
= "2mV/ C

valor que alis pode ser deduzido da caraterstica do dodo.
6.2.3 Cinco notas referentes a diferentes nveis de aproximao
Iremos agora dar conta de algumas simplificaes que podemos considerar, relativas s caratersticas de funcionamento
dos dodos, e que correspondem a diferentes nveis de aproximao, conforme as condies concretas de funcionamento
e aplicao.
6.2.3.1 Caratersticas das junes
Devido ao processo construtivo, a juno pode ser abrupta ou mais ou menos gradual e isso faz variar a caraterstica real
Fig. 6-3 Sobreposio da tenso e corrente permanentes com a variao de sinal

6-6
dos dodos. Em geral conveniente escrever que

i
D
= I
S
e
v
D
kV
T
!1
"
#
$
%
&
'

em que k pode variar entre 1 e 2, conforme as caratersticas fsicas e construtivas da prpria juno.
Contudo, ao longo deste estudo utilizaremos, normalmente, o valor k=1.
6.2.3.2 Estabilidade da tenso de conduo para uma gama considervel de variao das caratersticas
Se admitirmos por exemplo, que um qualquer dodo est polarizado com uma corrente de I
D
=5 mA e supusermos que I
S

pode variar entre 1 fA e 0.1 pA, a razo I
D
/I
S
pode ir de um mnimo de 5!10
10
a um valor mximo de 5!10
12
. Os valores
correspondentes da tenso de conduo seriam
!
!
! !" !" !" ! ! !"
!"
! !"# !" e !
!
! !" !" !" ! ! !"
!"
! !"# !"
ou seja, mesmo para uma variao de 100x na corrente de saturao inversa, a tenso de conduo apenas varia de
115 mV. H uma significativa independncia dos valores de V
D
em relao s caratersticas do dodo.
6.2.3.3 Estabilidade da tenso de conduo para uma gama considervel de variao do ponto de funcionamento
Suponhamos agora que temos um dodo em que, por exemplo, I
S
=10 fA. Este um valor razovel para um dodo de
pequenas dimenses. Ora, mesmo que a corrente I
D
no dodo varie entre 1 mA e 10 mA, a tenso V
D
apenas varia entre
!
!
! !"# !" ! !
!
! !"# !"
ou seja, cerca de 60 mV. De facto,
!V
D
"V
T
ln
I
D2
I
D1
#
$
%
&
'
(
= 25mAV ) 2.3 = 57.5mV (6.5)
Portanto, se estivermos a lidar com valores de tenso da ordem dos Volt, estas variaes so bastante pequenas e
habitual dizer-se que o dodo, quando conduz, apresenta uma tenso de conduo de aproximadamente 700 mV.
6.2.3.4 Tenso de entrada em conduo
Como tambm se torna patente da expresso (6.4), basta uma variao de 100mV para que a corrente varie mais do que
50 vezes e, por isso, considera-se que o dodo comea a conduzir quando a tenso 100mV menos do que a tenso de
conduo normal o que significa, que nestas nossas consideraes, dizemos que a tenso como a tenso de entrada em
conduo, V
!
. ! 600 mV (a notao V
!
. geralmente utilizada para representar esta grandeza).
6.2.3.5 Caraterstica exponencial
Finalmente, para estes valores de tenso (V
D
=0.7V), em conduo, e dado que V
T
" 25mV, a exponencial

6-7

e
V
D
V
T
! e
28
!1.5"10
12

to maior do que 1 que normal tomar a corrente como simplesmente uma exponencial da tenso,

i
D
! I
S
e
v
D
kV
T

6.2.4 Exemplo de clculo de polarizao de um dodo.
Considere-se o circuito da fig. 6-4 a) e que a caraterstica do dodo dada pela fig. 6-4b). Admita-se que I
S
=10 fA.
Pretende-se calcular a corrente no dodo e a tenso aos seus terminais.
6.2.4.1 Determinao analtica
No possvel obter uma soluo fechada (analtica) para a interseo de uma reta com uma exponencial. No entanto,
podemos obter o resultado por um mtodo de iterao, que converge rapidamente. Numa primeira aproximao, se
supusermos que V
D
=0.7 V, a corrente !
!
!
!!!!!
!!!
! !!! !". Mas podemos agora procurar iterar o processo, sabendo
que se a corrente for de 3.9 mA, a tenso ser

V
D
= 25mV ln
3.9!10
"3
10
"14
#
$
%
&
'
(
) 25! 26.7 = 667.5mV

Calculando a nova corrente podemos obter I
D
=
5 ! 0.6675
1.1
" 3.94mA . Como podemos ver a variao mnima, mas
mesmo assim podemos ainda iterar de novo e verificar que, com a aproximao tomada, j no h variao:

V
D
= 25mV ln
3.9!10
"3
10
"14
#
$
%
&
'
(
) 25! 26.7 = 667.5mV

6.2.4.2 Determinao grfica
Vamos agora olhar para o grfico na fig.6-4b). Para alm da caraterstica do dodo desenhada a vermelho (e que uma
a) b)
!
#
$
%
&
'
(
)
*
! ($' #$'! #*)' $'!! %#$' %)'! &%)' '!!! '($'
R=1.1k!
I
D
V
+
=5V
+
V
D

Fig. 6-4 - Polarizao do dodo e representao da reta de carga

6-8
condio necessria de relao entre a tenso e corrente no dodo), desenhmos tambm a reta a azul que corresponde
ao seguinte: essa mesma tenso no dodo ter de ser tal que somada queda de tenso na resistncia d os 5 V, ou seja:

V
D
+ RI
D
= 5V ! I
D
=
5V
1.1k"
#
V
D
1.1k"

que a equao de uma reta que, para V
D
=0 tem o valor I
D
=4.54 mA e que anula a corrente quando, em abcissas, se
atingem os 5 V. A esta reta que reflete a lei de Ohm, que a resistncia tem de cumprir, chama-se reta de carga e o ponto
em que a tenso e a corrente cumprem simultaneamente as condies impostas pelo dodo e pela resistncia ser o
ponto de funcionamento do circuito. Como evidente, a resoluo obtida graficamente muito menor do que se
consegue analiticamente mas tambm devemos chamar a ateno de quanto os valores aproximados que utilizmos
representam bem o funcionamento do circuito.
6.2.5 As aproximaes em engenharia
Do que se disse a propsito das aproximaes ao funcionamento dos dodos com diversos graus de preciso e,
evidentemente, conforme as circunstncias de aplicao, h vrios modelos que vo sendo utilizados, em eletrnica e,
como veremos em cada circunstncia, com a razoabilidade de estarmos a funcionar com margens de erro previamente
aceites e definidas a nvel do projeto.
Esta questo de podermos, muitas vezes, abandonar alguns aspetos de rigor em favor de modelos simplificados mas de
utilizao muito mais simples, o dia a dia do projeto e anlise de sistemas em engenharia. O segredo fundamental est
em manter o controlo sistemtico dos erros introduzidos por forma a que o erro global se mantenha dentro da preciso
exigida pelo projeto.
6.3 As diversas escalas de funcionamento dos dodos de juno
Iremos, de seguida, ver como podemos usar vrios modelos do dodo e procuraremos especificar as circunstncias em
que essas aproximaes so razoveis mas, ao longo deste texto, haver vrias circunstncias em que iremos usar uma
ou outra aproximao, apelando ao esprito crtico do leitor para aceitar a razoabilidade e compreend-la perante as os
dados concretos do problema em anlise.
Para compreendermos esses modelos, iremos representar a caraterstica dada pela equao (6.1) em vrias escalas quer
de corrente quer de tenso. Em todas elas as correntes esto expressas em mA e as tenses em mV.
Na fig.6-5 a), a tenso est claramente abaixo do que falmos ser a tenso mnima de conduo, mas repare-se que as
correntes, so bem menores do que 1#A. Na fig.6-5 b) temos a caraterstica para os valores normais de conduo com
correntes at cerca de 10mA e tenses volta de 650mV a 700 mV.


6-9

Na fig.6-5 c) a escala de tenses vai at cerca de 25V pelo que a queda de tenso no dodo , em termos relativos, muito
pequena.

Fig. 6-5 c) Caratersticas do dodo, em diversas escalas
Na fig.6-5 d), as tenses variam apenas entre 500 e 700 mV, pelo que estamos na zona de entrada em conduo,
aparecendo com mais clareza a caraterstica no linear.

Fig. 6-5 d) Caratersticas do dodo, em diversas escalas
6.3.1 Aproximao das caratersticas do dodo em partes lineares
Pois bem, vulgar substituir, em certas condies, estas caratersticas por o que se costuma designar por caratersticas
!
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a) b)
Fig. 6-5 Caratersticas do dodo, em diversas escalas

6-10
em partes lineares
1
que, na fig.6-6, de a) a d) aparecem sobrepostas s caratersticas anteriores que reproduzimos.

Na fig. 6-6 a), a corrente , para a nossa escala de valores, essencialmente nula.

Na fig.6-6 b) tomamos a tenso de 0,7 V como constante, qualquer que seja a corrente. Como visvel da caraterstica,
entre cerca de 4 mA e 10 mA a tenso praticamente constante, de novo na escala de valores que estamos a considerar.
Na fig. 6-6 c) se estivermos a lidar com tenses de dezenas de volt, considerar que a queda de tenso no dodo muito
pequena (essencialmente nula) pode ser uma aproximao razovel, pelo menos numa primeira aproximao.

Fig. 6-6 c) Aproximao s caratersticas do dodo, em diversas escalas
Finalmente, na fig.6-6 d), se supusermos que o dodo est com uma corrente permanente de 4 mA, a reta tangente nesse
ponto da caraterstica d conta da relao entre corrente e tenso para pequenas variaes, por exemplo, entre 3 mA e
5 mA.


1
Em ingls, piecewise linear characteristics
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a) b)
Fig. 6-6 Aproximao s caratersticas do dodo, em diversas escalas

6-11
Fig. 6-6 d) Aproximao s caratersticas do dodo, em diversas escalas
importante procurar determinar qual a inclinao da reta a azul que ser dada por di
D
/dv
D
. Esse o valor da
admitncia dinmica, naquele ponto de funcionamento e que pode ser obtido da seguinte maneira:

di
d
dv
d
I
D
=I
0
=
di
D
dv
d
I
D
=I
0
=
di
D
dv
d
I
S
e
V
D
+v
d
V
T
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'
'
I
D
=I
0
=
1
V
T
I
S
e
V
D
V
T
(
I
0
V
T

Portanto, a admitncia (inverso da resistncia) proporcional corrente permanente e no caso que consideramos para
I
D
=4 mA, g
D
=
4mA
25mV
=160m!
"1
e a resistncia ser r
D
=
25mV
4mA
= 6.25!.

Finalmente, se um dodo polarizado num dado ponto (I
D
=4 mA, no caso representado na fig.6-7) estiver inserido num
circuito em que a ordem de grandeza das tenses semelhante tenso de conduo do dodo (da ordem dos Volt,
portanto) pode ser relevante ter em conta que a tenso no exatamente constante pelo que, em vez de uma caraterstica
vertical como a representada na fig.6-6b) pode ser relevante considerar a nova caraterstica em partes lineares como
representado na fig.6-7:





Ento, o valor de v
D
para correntes na vizinhana de I
D
ser dado por

v
D
= V
0
+ r
d
i
d

!
#
$
%
&
'
(
)
*
'!! '$! '&! '(! '*! (!! ($! (&! ((! (*! )!!
4mA
!
#
$
%
&
'!
'#
($%! ()%! (#%! ('%! (%! $! '$! #$! )$! $$! *$! %$!
V
0
I
0
r
d
=I
0
/V
T
Fig. 6-7 Aproximao em partes lineares

6-12
6.4 Retificao de meia onda
Como j foi referido anteriormente, os circuitos eletrnicos necessitam de ser alimentados por tenses contnuas para
garantir que os dispositivos so colocados num ponto de conduo permanente que geralmente referimos como
polarizao. Ora, a distribuio de energia eltrica faz-se, normalmente em corrente alternada, no caso nacional de
frequncia de 50Hz e tenso eficaz de 230V. Para obter tenso contnua a partir da tenso alternada preciso retificar e
filtrar essa tenso, operaes essas que so suscetveis de ser executadas por dodos e condensadores.
Vejamos ento, como que podemos retificar a tenso alternada e, desse modo, obter uma tenso no negativa e de
valor mdio positivo. Numa primeira fase vamos apenas considerar o que geralmente se designa por retificao de meia
onda j que apenas aproveitamos a energia da arcadas positivas da entrada sinusoidal. Iremos, mais tarde, ver que
existem outros circuitos que permitem usar quer a arcada positiva quer a negativa que designaremos por retificadores de
onda completa.
Consideremos o circuito da fig.6-8 a) em que a tenso de entrada uma sinusoide de valor mximo V
M
. A tenso na
sada apenas poder ser positiva ou nula j que a corrente no dodo s pode circular num sentido. Consequentemente,
numa primeira aproximao poderemos dizer que a corrente apenas flui quando na entrada se atinge a tenso de incio
de conduo, V! a partir do que ser ! !
!
!!
!
!
!
e a tenso na sada ser !
!
! !". Na fig.6-8 b) esto representados v
i
e
v
o.
, respetivamente a azul e a vermelho.

Na realidade a diferena entre os dois sinais no constante e varia com a corrente mas, para a escala de valores que
estamos a considerar, essa diferena perfeitamente desprezvel.
6.4.1.1 Valor mdio da tenso retificada
Sendo a tenso de sada sempre maior ou igual a zero, o seu valor mdio ser positivo. Procuremos calcular o seu valor:
!"
!$%&
!$
!'%&
'
'%&
$
$%&
"
R=1k! i

v
o
v
i
=2 sin(t)

a) b)
Fig. 6-8 Circuito retificador de meia onda

6-13

V
md
=
1
T
v
o
dt
0
T
!
=
1
T
V
M
sin "t ( ) # 0.7 $
%
&
'
dt
t
1
T
2
#t
1
!

em que t
1
o instante em que v
i
atinge 0,7 V ou seja

t
1
=
1
!
sin
"1
0.7
V
M
#
$
%
&
'
(


Admitamos V
M
=2 V e f=50 Hz ou seja T=20 ms e "=2$f = 100$. Ento, t
1
= 1.14 ms e o valor mdio ser

V
md
= 0.3V
M
! 0.27 = 0.33V

Este valor independente da frequncia e depende, apenas, da tenso V
M
. Na realidade, na expresso acima a segunda
parcela constante e tem a ver com os 0.7 V de tenso de conduo do dodo, que supomos constante.
6.4.2 Retificao filtrada
Para obter uma tenso contnua utilizvel pelos circuitos eletrnicos, no chega que o seu valor mdio seja positivo e a
tenso seja sempre no negativa: necessrio que o seu valor se mantenha sempre acima de um certo nvel e, de
preferncia, razoavelmente constante.
Para conseguir tal desiderato, devemos colocar um condensador de capacidade C em paralelo com a resistncia de carga
R e para que a variao sejam relativamente pequena, deveremos impor, como veremos adiante, que a constante de
tempo " = RC seja muito maior que o perodo da onda sinusoidal, T.
Com esta filtragem, conseguimos colocar a variabilidade da tenso contnua (que designamos por ondulao residual
e que corresponde palavra inglesa ripple) dentro dos limites requeridos, atravs do adequado dimensionamento da
capacidade C.
Procuremos seguir a explicao do processo, atravs da anlise da fig.6-9 a) e b) em que esto representados,
respetivamente o circuito e a forma das ondas na entrada e na sada.


!"
!$%&
!$
!'%&
'
'%&
$
$%&
"
0.7V
0.7V
#

R=1k!
v
o
v
i
=2 sin(t)

C
a) b)
Fig. 6-9 Retificador de meia onda, filtrado

6-14
Quando a tenso na entrada for superior da sada em cerca de 0.7 V, o dodo conduz com baixa resistncia pelo que a
tenso no condensador acompanha a entrada com uma diferena desses mesmos 0.7 V. Porm, quando a tenso
comea a descer, na entrada, para que desa tambm no condensador, necessita que este perca parte da sua carga ou
seja, necessria uma corrente em sentido contrrio ao daquela com que o condensador foi carregado. No esqueamos,
a corrente no condensador proporcional derivada da tenso e consequentemente um decrscimo da tenso exige uma
corrente negativa.
Mas, como bvio, a corrente no dodo no pode fluir em sentido contrrio, pelo que o condensador apenas se pode
descarregar pela resistncia, como vimos anteriormente, com decaimento exponencial.
Na figura est representado esse decaimento bem como a sua constante de tempo " , que, na representao feita
relativamente pequena embora maior do que T.
Quando ao fim de um perodo, a tenso na entrada volta a crescer, quando atinge um valor 0.7V acima da tenso no
condensador, volta a carrega-lo.
Teoricamente, se a resistncia em paralelo com o condensador fosse infinita, a tenso manter-se-ia constante. Embora
essa seja uma situao terica, pode acontecer que a resistncia seja suficientemente grande (na realidade a constante
de tempo RC que importante, comparada com o perodo T) para que a descarga seja muito pequena.
De seguida, iremos, ver como que se pode calcular o valor da descarga mxima do condensador, mas chamamos a
ateno, desde j, para o facto de ser apenas durante o perodo de conduo do dodo (zona sombreada) que o
condensador se recarrega, repondo a carga que perde enquanto o dodo estiver cortado.
Procuremos, ento, calcular o valor da descarga, o tempo de conduo do dodo, a corrente de carga no condensador e a
corrente no dodo, valores esses que nos permitem compreender o funcionamento do circuito ou, em caso de projeto,
dimensionar os seus vrios componentes.
6.4.2.1 Clculo da ondulao residual
Para calcular o decaimento ou seja, a ondulao residual, no caso de a constante de tempo ser tal que # = RC T,
teremos de saber no s o valor da tenso no incio da descarga de C, como o tempo at ao qual ele se descarrega.
Se admitirmos que o tempo de carga pequeno quando comparado com T, podemos comear por desprez-lo e, ento, a
descarga dura aproximadamente T. A ondulao residual O
r
vir ento dada por

V
r
= V
P
!V
P
e
!
T
"

em que V
P
o valor da tenso mxima no condensador que valer V
P
=V
M
0.7, e se pudermos supor T #,

e
!
T
"
#1!
T
"

pelo que
V
r
!V
P
"V
P
1"
T
#
$
%
&
'
(
)
= V
P
T
#


6-15
ou seja
V
r
V
P
!
T
"

6.4.2.2 Clculo do tempo de conduo do dodo
Se designarmos o tempo de carga do condensador por t
C
, o instante em que a exponencial da descarga se encontra 0.7V
abaixo da tenso na entrada ser t
C
segundos antes do valor de pico da tenso.
Podemos ento escrever a seguinte expresso:

V
P
!V
r
= V
M
! 0.7 !V
r
= V
M
cos "t
C
( ) ! 0.7


ou seja

cos !t
C
( ) =1"
O
r
V
M
=1"
T
#

que corresponde a ter

t
C
=
cos
!1
1!
T
"
#
$
%
&
'
(
)
.

Podemos, contudo, fazer uma aproximao que nos permite ter uma ideia clara do valor de t
C
. Com efeito, como

cos
2
!t
C
( ) =1" sin
2
!t
C
( ) = 1"
T
#
$
%
&
'
(
)
2

se, tendo em vista que
!
!
! !, pudermos desprezar o termo em
T
!
"
#
$
%
&
'
2
, podemos ainda escrever

1! sin
2
"t
C
( ) =1! 2
T
#
$ sin
2
"t
C
( ) = 2
T
#

e sendo o ngulo !!
!
muito pequeno, teremos

sin
2
!t
C
( ) " !t
C
( )
2
# !t
C
" 2
T
$
" 2
V
r
V
P

6.4.2.3 Exemplo numrico
Suponhamos que estamos a trabalhar com a tenso da rede (50 Hz) que, atravs de um transformador alimenta o
circuito retificador filtrado com uma tenso de valor de pico 10V. Suponhamos que a resistncia R=10 k% e que
C=100 #F. Assim, teremos
! ! !" !" =20 ms ! ! !!" ! !""! e ! ! !" ! ! ! ! !"!
Ento, V
P
=10 ! 0.7 = 9.3V , pelo que V
r
=
T
!
V
P
=
9.3V
50
=186mV e t
C
=
1
100!
2
50
= 0.6ms

6-16
Portanto, a suposio de que, por um lado, o tempo de descarga igual a T, apenas tem um erro de 0.6 em 50 ms, ou
seja de 3%. Simultaneamente, supor a descarga linear, i.e., supor que

e
!
T
"
#1!
T
"

leva a um erro menor do que 1 parte em 1000!
6.4.2.4 Clculo da corrente no condensador
Interessa agora determinar a corrente com que o circuito carrega a capacidade, durante o tempo t
C
.
Como sabemos, a corrente num condensador !
!
! !
!"
!
!"
, pelo que ser mxima no momento de incio de conduo e
anular-se- quando a tenso atinge o pico.
As formas de onda respetivas esto representadas na fig.6-10
Nesta figura a corrente no condensador est representada a preto, com a respetiva linha de zero. Repare-se que a rea da
parte positiva e da parte negativa tm de ser iguais porque o valor mdio da corrente tem de ser zero. De facto, como a
tenso proporcional ao integral da corrente, se o valor mdio no fosse nulo o condensador no estaria em regime
estacionrio, vendo a sua tenso ou crescer ou diminuir permanentemente.
Da expresso acima se v que o valor da corrente ser ento dado por

i
C
= !CV
M
"sin "t ( )

e o valor mximo desta corrente obtido quando t = !t
C
, ou seja

i
C
t =!t
C
= I
CMx
= CV
M
"sin "t
C
( )

!"
!$
!%
!&
'
&
%
$
&

(

)

&
$

&
*

%
&

%
(

%
)

$
$

$
*

"
&

"
(

"
)

(
$

(
*

+
&

+
(

+
)

*
$

*
*

,
&

,
(

,
)

)
$

)
*

&
'
&

&
'
(

&
'
)

&
&
$

&
&
*

&
%
&

Fig. 6-10 Retificao filtrada e corrente no condensador

6-17
e, como o ngulo , geralmente, muito pequeno,

I
CMx
= CV
M
!
2
t
C


Em compensao, a corrente mais negativa a que corresponde ao incio da descarga do condensador e valer

I
Cmn
= !
V
P
R

6.4.2.5 Exemplo numrico
Apliquemos agora estas expresses ao exemplo numrico anteriormente proposto, teremos
I
CMx
" 60 mA e I
Cmn
"-930 #A
6.4.2.6 Resoluo alternativa
Para a determinao da corrente mxima h uma outra maneira de resolver aproximadamente o problema, que
interessante de observar e que parte de que a carga perdida pelo condensador durante a descarga igual carga que lhe
fornecida durante o perodo de conduo do dodo.
Ora, a carga perdida
!!
!
! ! ! !
!
! !"
!!
! !"# !" ! !"!! !"
Ento, a carga recebida do dodo corresponde rea da parcela positiva da corrente e, se considerarmos que ,
aproximadamente triangular, valer
!!
!
! !!
!
!
!
!
!
!"!!
!
!
! !
!"!!
!
!"!
!
!
!
! !" !"
valor muito prximo do que foi indicado na seco anterior.
6.4.2.7 Clculo da corrente no dodo
Ora, a corrente no dodo ser a corrente sobre o condensador mais a corrente sobre a resistncia pelo que ter um valor

I
DMx
= I
CMx
+
V
P
!V
r
R

enquanto que a corrente mdia, tendo em conta que a corrente mdia no condensador necessariamente nula, ser a
corrente mdia na resistncia que a tenso mdia a dividir por R:

I
Dmd
!
V
P
"
V
r
2
R


6-18
No caso do exemplo numrico que temos vindo a tratar, termos:
I
DMx
= 62 +
9.3! 0.186
10k
" 62.9mA
e
I
Dmd
=
9.3! 0.093
10k
" 920A

6.4.2.8 Clculo da tenso inversa no dodo
Finalmente um parmetro importante para calcular a tenso inversa mxima a que o dodo est sujeito porque, como
se viu atrs, o dodo poder, eventualmente, entrar em disrupo.
Essa tenso verifica-se quando a tenso na entrada atinge o pico negativo e vale, em mdulo
V
IMx
= V
M
+V
P
!
V
r
2

que no nosso exemplo numrico vale cerca de V
IMx
!19.2V
6.5 Retificador de onda completa
Em geral, os retificadores so alimentados por transformadores que, no s reduzem a tenso para valores da ordem de
grandeza de Volt ou poucas dezenas de Volt, que so os que normalmente se usam em eletrnica como tambm
garantem isolamento galvnico aos sistemas.
de notar que, embora a teoria relacionada com a retificao no esteja circunscrita ao caso da tenso da rede (portanto
de f=50 Hz e, na origem V
ef
=230 V) e se aplique para outros casos, o que normalmente nos interessa, de facto, so os
sistemas alimentados da distribuio da rede.
Ora, se sada do transformador se pretende obter uma retificao de onda completa, dois casos se podem considerar:
ou o transformador tem um nico enrolamento secundrio sem ponto mdio ou o secundrio tem ponto mdio ou, ainda,
possui dois enrolamentos secundrios idnticos que se possam colocar em srie.
6.5.1 Retificador em ponte
Para se obter uma retificao de onda completa usando um transformador com um nico secundrio sem ponto mdio,
necessrio usar uma ponte de dodos como indicado na fig.6-11 a). Na fig.6-11 b), a vermelho est indicada a circulao
da corrente quando a tenso est na arcada positiva (tenso + no ponto A e tenso - no ponto B) e, a azul a
circulao de corrente na arcada negativa (portanto, com inverso das tenses entre A e B).

Fig. 6-11 Retificao de onda completa, com ponte de dodos
V
ef
=230V

F=50Hz
R
V
ef
=230V

F=50Hz

+
A +


B
R

6-19
Note-se que a corrente passa na resistncia R, sempre com o mesmo sentido. Assim sendo, a forma de onda na
resistncia ser a que est representada a vermelho na fig.6-12. Note-se ainda quem em cada arcada, h 2 dodos
envolvidos na conduo pelo que a queda de tenso de cerca de 1.4V.

E que sucede, agora, se colocarmos um condensador em paralelo com a resistncia R? Todo o raciocnio que foi
anteriormente feito se mantm, a menos que a distncia entre dois picos da tenso retificada agora de

T
2
=10ms

Note-se que a frequncia continua a ser f=50 Hz e, consequentemente, " = 100$.
6.5.2 Retificador de onda completa, com transformador com ponto mdio
Consideremos agora a montagem da fig.6-13 a).
Se o transformador tiver um ponto mdio e os enrolamentos o mesmo sentido, cada um deles apanha metade da tenso
do secundrio. Como se pode ver, agora, na fig.6-13 b) quando a tenso positiva, a polaridade a que est indicada a
vermelho e o dodo D
1
conduz enquanto o dodo D
2
est cortado porque o seu nodo est mais negativo do que o
ctodo. Quando a tenso se inverte, como indicado a azul, o dodo D
2
que agora conduz estando D
1
cortado. Em
ambas as situaes, porm, a corrente na resistncia R passa sempre no mesmo sentido, tal e qual como no circuito
anterior. Porm, agora em cada arcada apenas envolvido um dodo pelo que a queda de tenso de apenas 0,7 V.\
Na fig.6-14, esto representadas quer a tenso no secundrio de cima, quer a tenso sobre a resistncia.
!"
!$
!%
!&
&
%
$
"
V
ef
=230V

F=50Hz
R
D
1



D
2

V
ef
=230V

F=50Hz
R

+
+

+


+
D
1



D
2

Fig. 6-12 Retificao de onda completa
a) b)
Fig. 6-13 Retificao de onda completa com secundrio com ponto mdio

6-20
De novo, se colocarmos um condensador em paralelo com R a situao em tudo idntica anterior, com um
semiperodo para o condensador se descarregar.
6.6 Dodo Zener
J no captulo anterior falmos dos mecanismos de disrupo nos dodos sujeitos a polarizao inversa quer seja por
efeito de avalanche quer por efeito zener.
Pois bem, estes efeitos podem no ser vistos apenas como riscos para o funcionamento indevido e indesejado (e
eventualmente, destrutivo) dos dodos, mas, pelo contrrio, como algo que pode ser muito til em circuitos.
Aos dodos que so construdos com este fim, chama-se dodos zener. As suas aplicaes visam, em geral, criar
referncias para as chamadas fontes de tenso estabilizada. Para isso, como veremos, ser importante garantir que a
corrente no zener se mantm essencialmente constante, mas tambm outras caratersticas, nomeadamente a sua
estabilidade com a temperatura.
6.6.1 Caratersticas I(V) dos dodos zener
Conhecidos que so os princpios bsicos do funcionamento destes dodos, importante ver quais as suas caratersticas
e os principais parmetros que permitem a sua caraterizao.

Fig. 6-15 Dodo Zener e suas caratersticas
!"
!$
!%
!&
&
%
$
"
Fig. 6-14 Retificao de onda completa

6-21
Na fig.6-15 a) est representado um circuito com um dodo zener e indicadas a tenso e corrente respetiva. Note-se que
os sinais - apenas esto indicados para manter a coerncia com a fig.6-15 b), onde est representada a caraterstica
corrente / tenso de zener, onde mantivemos a notao habitual de ser positiva a tenso direta e a corrente
correspondente e negativas a tenso e corrente inversas. Verifica que, em condies de polarizao direta, o zener se
comporta como um dodo normal mas em polarizao inversa que ele particularmente til.
A partir de agora, porm, consideraremos a tenso no zener e a sua corrente como positivas quando dizem respeito ao
funcionamento do dodo inversamente polarizado. Os parmetros indicados na figura, so V
Z0
, I
Zk
e r
Z
, este ltimo para
um ponto de funcionamento I
Z
/ V
Z
.
I
Zk
a corrente mnima a partir da qual a tenso no zener praticamente constante (isto , mais ou menos linear com
inclinao muito acentuada, correspondendo a um baixo valor de r
Z
). A letra k no ndice advm de se chamar a esta
corrente corrente de joelho j que aquela a que corresponde o valor em que a curva passa a ser quase uma reta
vertical e, em ingls, joelho designa-se por knee. Esta a corrente mnima que deve passar no zener por forma a que
este apresente uma tenso V
Z
, prxima do valor nominal. A resistncia r
Z
a resistncia volta do ponto de polarizao.
Muitas vezes, em vez de r
Z
-nos fornecida a indicao da tenso V
Z
para um dado valor I
Z

V
Z
@ I
Z
= ... mA ( ) = ... V
Finalmente, V
Z0
a tenso que, num modelo de partes lineares, corresponde corrente nula e permite escrever, para um
dado valor I
Z
/ V
Z
, !
!
! !
!!
! !
!
!
!
, o que corresponde ao modelo da fig.6-16:
6.6.2 Variao da tenso de zener com a temperatura
A variao do valor da tenso de zener com a temperatura ser, inevitavelmente, um parmetro relevante se quisermos
utilizar o dodo zener como uma referncia de tenso. Ora, como vimos atrs, h dois efeitos responsveis pelo
mecanismo de disrupo e cada um deles apresenta um coeficiente de temperatura de sinal contrrio: em avalanche,
quando a temperatura aumenta, necessria uma maior tenso para gerar a mesma corrente enquanto que no efeito
zener o contrrio: com o aumento de temperatura, a tenso necessria para gerar uma dada corrente menor. Ou seja,
em avalanche,
!!
!
!"
! ! e para o efeito zener,
!!
!
!"
! !.
Da combinao dos dois efeitos possvel, em certas circunstncias, obter um coeficiente de temperatura praticamente
nulo.
V
Z0
r
Z

Fig. 6-16 Modelo do Zener

6-22
Outro modo de conseguir um funcionamento independente da temperatura usar dodos a funcionar em modo
avalanche, volta de 6.2 ou 6.3 V (para os quais o coeficiente de temperatura
dV
Z
dT
! +2mV/ C ) e compens-lo
colocando um dodo polarizado diretamente, em srie (ver fig.6-17)
6.7 Fontes de tenso estabilizada, usando dodos zener
J vimos, em captulos anteriores que atravs de retificadores com filtragem possvel obter tenses contnuas cuja
variao (ondulao residual) seja to pequena quanto se queira, desde que para uma dada corrente mxima que possa
fornecer se escolha o condensador adequado. Contudo, para correntes elevadas, o valor da capacidade pode ser
excessivo e h outras maneiras de conseguir que a tenso se mantenha aproximadamente constante. Como parece bvio
depois do estudo do dodo zener, que acabmos de fazer, estes dispositivos permitem, dentro de certos limites, manter a
tenso sensivelmente constante.
Considere-se, ento, o esquema da fig.6-18 em que um retificador de meia onda alimenta um circuito com um zener e
que aos terminais deste que se pode colocar uma carga R
L
2
.

Como j vimos, usar um retificador de meia onda no limita o mbito do estudo, na medida em que praticamente as
nicas coisas que mudam, em relao aos retificadores de onda completa , por um lado o tempo de descarga do
condensador que passa a metade e, por outra, no caso do retificador em ponte, o facto de termos de considerar a queda
de tenso de dois dodos. Contudo, o uso do zener introduz diferenas significativas no tocante descarga do
condensador e h limitaes impostas corrente mxima que o circuito pode fornecer carga ou, o que

2
O uso da letra L em RL deriva do uso na literatura inglesa em que carga se designa Load. Acontece que a letra C que pareceria mais adequada
em Portugus tem o inconveniente, como veremos posteriormente, ser confortavelmente utilizada para designar o coletor do transstor e, da, o uso
de RC para resistncia de coletor.
V
+

+
V compensado

V
o
R
L
C Z
D R

V
ef
=230V
f=50Hz
Fig. 6-17 Compensao trmica
Fig. 6-18 Retificador filtrado com regulao

6-23
essencialmente o mesmo, h limitaes ao valor mnimo que R
L
pode apresentar.
6.7.1 Zener ideal
Vamos comear por supor que o zener ideal i.e. que a sua resistncia quando comparada com R muito pequena. Isto
corresponde a dizer que a sua tenso nominal V
Z
=V
Z0
. Admitamos, contudo, que existe uma corrente mnima I
Zk
que tem
de circular pelo zener para ele poder cumprir a sua misso i.e., poder garantir uma tenso praticamente constante.
Nestas circunstncias, as formas de onda alteram-se na medida em que o condensador no se descarrega para a tenso
zero, mas antes para a tenso do zener V
Z
.

A expresso da descarga do condensador (a preto, na fig.6-19) pode ser dada por

v
C
= V
Z
+ V
P
!V
Z
( )e
!
t
"

Pode testar-se a validade desta expresso vendo que para t = 0 obtemos !
!
! !
!
e quando ! ! !! !
!
! !
!
.
Evidentemente se tomarmos na expresso anterior V
Z
= 0, obtemos

v
C
= V
P
e
!
t
"

Note-se que, neste caso, como estamos a supor que r
Z
= 0, a resistncia que conta para a constante de tempo R, j que
R
L
no influi por estar em paralelo com um dispositivo de resistncia nula.
Como evidente, com este circuito, para a mesma constante de tempo, a ondulao residual no condensador, ser
menor.
6.7.1.1 Corrente mxima na carga
Vejamos agora qual a corrente mxima disponvel para a carga: A tenso aos terminais do condensador ser mnima
!
#
$
%
&
'
(
#
V
P
V
Z
=3V
V

=0V
#
Fig. 6-19 Evoluo da tenso no condensador, com e sem regulaoo

6-24
quando a exponencial decrescente volta a encontrar uma nova arcada o que, como j vimos, pode ser calculado como

v
C
t =T
= V
Z
+ V
P
!V
Z
( )e
!
T
"
#V
Z
+ V
P
!V
Z
( ) 1!
T
"
$
%
&
'
(
)
= V
P
! V
P
!V
Z
( )
T
"

Ento, a corrente na resistncia R ter o valor mnimo

i
Rmn
=
V
P
! V
P
!V
Z
( )
T
"
!V
Z
R
=
V
P
!V
Z
( ) 1!
T
"
#
$
%
&
'
(
R

Como no zener tem ainda de passar pelo menos a corrente I
Zk
a corrente mxima disponvel para a carga ser

I
MxR
L
= I
Rmn
! I
Zk

e o valor da resistncia dever, finalmente, ser tal que R
L
!
V
Z
I
MxR
L
.
6.7.1.2 Exemplo numrico
Vejamos, ento um exemplo numrico que ajudar a ver como que estes clculos devem ser feitos. Aquilo que,
expresso em termos literais pode parecer confuso, converte-se, como veremos, numa questo razoavelmente trivial.
Tomemos agora, os seguintes valores: a tenso na entrada derivada da tenso da rede (50Hz) que, atravs de um
transformador alimenta o circuito com uma tenso de valor de pico 10V. Suponhamos que o condensador C=1000#F,
e que a resistncia R=1k%. Assim, teremos
! ! !" !" =20 ms ! ! !!" ! !""! e ! ! !" ! ! ! ! !"!
Suponhamos agora que o zener tem uma tenso nominal V
Z
= 5 V e uma corrente mnima I
Zk
= 1 mA.
Pois bem, para um valor de pico !
!
! !
!
! !!! ! !!! !, a tenso evoluindo para a tenso do zener, V
Z
=5 V quando o
tempo tende para infinito, decair, durante os 20ms do perodo de
!
!
! !
!
! !
!
!
!
!
!!! ! !
!"
! !" !"
Ento, a tenso mnima no terminal esquerdo da resistncia R (ver a fig.6-18), ser !
!"!!
! !!! ! !!!"# ! !!!"# !,
pelo que a corrente que circula na resistncia, nessas circunstncias ser
!
!"!!
!
!
!"!!
! !
!
!
!
!!!"# ! !
!!
! !!! !"
Como no zener ter de passar uma corrente mnima I
Zk
= 1 mA, s termos disponvel para a carga um valor de corrente
!
!"!!
! !!! ! !!" ! !!! !". Finalmente, teremos ento que, para que o sistema possa funcionar com o zener ainda a
cumprir o seu papel de regulador de tenso (ou seja, recordemos !
!
! !
!"
), a resistncia de carga dever obedecer
condio
!
!"!!
!
!
!
!
!"!!
!
!!
!!!!"
! !!! !!

6-25
6.7.2 Zener real
Vamos agora tomar o mesmo circuito da fig.6-18, mas em que o modelo do zener o que est representado na fig.6-16.
Assim sendo, podemos redesenhar o circuito da seguinte forma:

Note-se que para o clculo da constante de tempo bem como para a tenso final para a qual a tenso aos terminais do
condensador evolui, podemos tomar os dois ramos da direita na fig.6-20 b) e repeti-los na fig.6-21 a) com vista a obter
o seu equivalente Thvenin.
Isto significa que, substituindo este circuito equivalente no da fig.6-20 b) obtemos o circuito representado na fig.6-21 b)
e fcil verificar que a resistncia envolvida na constante de tempo ser R
eq
= R+ r
Z
R
L
, evoluindo a tenso no
condensador, quando ! ! !! para

V
eq
=
R
L
r
Z
+ R
L
V
Z0

Finalmente, a tenso a considerar nos terminais do zener para a verificao da corrente mxima na carga, dever ser
aquela para a qual circula no zener a corrente I
Zk
, ou seja

V
Z min
= V
Z0
+ r
Z
I
Zk

Como nota final, no s evidente que os valores se reduzem aos anteriormente apresentados quando r
Z
= 0, como
fcil verificar que sendo, em geral !
!
! !
!
, o modelo real no introduz uma modificao significativa ao
funcionamento do circuito, em relao situao ideal, anteriormente exposta.
Um ltimo aspeto que vale a pena considerar, o seguinte: no caso de o zener no ideal e apresentar uma resistncia
interna, variando a corrente vai haver uma pequena variao da tenso, pelo que vai aparecer uma ondulao residual na
r
Z

V
Z0

R
L

r
z
||R
L

V
Z0

R
L
r
Z
+R
L

equivalente
Thvenin
V
o
C
D R

r
z
||R
L

V
Z0

R
L
r
Z
+R
L

V
o
R
L
C Z
D R

V
ef
=230V
f=50Hz
V
o
R
L
C
r
Z

D R

V
Z0

Fig. 6-20 Retificao filtrada com regulador e respetivo modelo
a) b)
Fig. 6-21 Modelo para anlise da ondulao residual
a) b)

6-26
carga ou seja, aos terminais do zener.
Um modo simples de fazer esta anlise considerar que o zener alimentado por uma tenso com duas componentes:
um valor contnuo (valor mdio da tenso nos terminais do condensador, que vale !
!"!!
! !
!
!
!
!
!
) ao qual se sobrepe
uma tenso varivel que corresponde ondulao residual com valor pico-a-pico precisamente V
r
.
Ento, considerado o circuito separadamente para os valores de CC e as variaes, para estas ltimas, no modelo do
zener, o valor constante V
Z0
irrelevante. Ento, como se pode retirar do modelo equivalente apresentado na fig.6-21 a),
a tenso aos terminais do zener resultaria de uma diviso resistiva de V
r
com o valor

V
rZ
=
r
Z
R
L
R+ r
Z
R
L
V
r

e se supusermos que !
!
! !
!
, poderemos escrever

V
rZ
=
r
Z
R+ r
Z
V
r

6.7.3 Exemplo para anlise e dimensionamento
Consideremos o circuito da fig.6-22 em que o retificador de onda completa alimenta um circuito regulado por um zener
que fornece, por sua vez, uma tenso contnua carga. Suponhamos que o condensador tem um valor C = 100 #F, e que
o zener tem uma tenso !
!
! !!! ! ! !
!
! !" !" com uma resistncia !
!
! !" ! e a corrente mnima I
Zk
= 1 mA.
O transformador que alimenta o circuito tem uma relao de transformao de 25:1, entre o primrio e cada um dos 2
enrolamentos do secundrio.
Pretende-se que a ondulao residual no terminal do condensador, no exceda 1 V.
Calcular, o valor mnimo que a resistncia de carga pode ter por forma que o zener ainda esteja a funcionar como
regulador de tenso (ou seja !
!
! !
!"
). Finalmente, determinar a ondulao residual que se obtm sobre a carga, i.e. aos
terminais do zener.
Suponhamos, para os clculos que ter de fazer, que a resistncia de carga mnima tal que !
!"!!
! !
!
.
V
ef
=230V

F=50Hz
R
D
1



D
2

C
R
L

Z
Fig. 6-22 Retificao de onda completa, filtrada e regulada

6-27
6.7.3.1 Resoluo
Comecemos por determinar o valor de pico da tenso em cada um dos meios-enrolamentos do secundrio: para um
valor eficaz de 230 V temos um valor de pico que ! ! !"# ! !"# !. Com uma relao de transformao de 25:1, a
tenso de pico no secundrio ser de V
M
= 13V e V
P
= 13-0.7=12.3 V.
No modelo do zener, se a tenso de 9.2 V para uma corrente de 10 mA e r
Z
= 20 %, !
!!
! !!! ! !" !" ! !" ! ! ! !.
Ora, sabemos que queremos !
!
! !
!
! !
!!
!
!!
! ! !, ou seja ! !
!
!
!!
!!
!!
!
!
!
, j que sendo um retificador de onda
completa, o intervalo entre duas arcadas T/2. Portanto, podemos escrever ! !
!"!!!!
!!
!
!"!"
!
! !! !". Este valor no
muito maior do que os 10 ms entre duas arcadas o que de alguma maneira pe em causa a aproximao linear
descarga do condensador. Verifiquemos, ento, o erro introduzido por esta aproximao:
Enquanto que !
!
!"!"
!!!"
! !!!" enquanto que a aproximao linear daria ! !
!"!"
!!!"
! !!!.
Contudo, notemos que a realidade (exponencial) conduz a uma ondulao residual inferior da aproximao linear pelo
que podemos prosseguir com o valor mnimo encontrado.
Assim sendo, para uma constante de tempo de 33 ms, o valor da resistncia sobre a qual o condensador se descarregar
dever ser
! ! !
!
!
!!!"
!""!"
! !!" ! e ! ! !!" ! ! !
!
! !"# !.
Ento, sendo que o mnimo de tenso que se obtm no terminal da esquerda da resistncia R, ser V
P
-V
r
=11.3 V, a
corrente que nessa altura circular em R ser
! !
!
!
! !
!
! !
!!
! ! !
!
!
!!!! ! !
!"# ! !"
!
!!!!
!!"#
! ! !"
Como desses 7 mA pelo menos 1 mA ter de ser absorvido pelo zener, sobram 6 mA para R
L
, que por sua vez estar
sujeita a uma tenso
!
!!!!
!
! !
!!
! !
!"
! !
!
! ! ! ! ! !" ! !" ! ! !!!" !
e a resistncia de carga dever ser tal que
!
!
!
!!!" !
! !"
! !!! !!
Como podemos ver, a condio que tnhamos admitido de !
!
! !
!
, est claramente cumprida.
Finalmente, a ondulao residual sobre a carga, tendo em conta que R=310 % e r
Z
=20 %, uma frao da ondulao
residual no condensador atravs do fator
!"
!!"
ou seja, a ondulao presente na carga ser
!
!!
!
!
!"
!!"
!! ! !" !".
6.8 Circuitos limitadores com dodos
H vrias situaes em que importante limitar a amplitude dos sinais, quer para proteo de outros circuitos quer para

6-28
evitar que circuitos a jusante, possam entrar em saturao, j que, muitas vezes, os circuitos, aps um perodo de
saturao, demoram tempo a recuperar durante o qual estaro inativos. H muitas circunstncias onde essa suspenso de
funcionamento inconveniente.
Na fig.6-23 a) est representada a caraterstica entrada sada de um limitador e na fig.6-23 b) e c) esto representados
circuitos com dodos, capazes de implementar aproximadamente essa caraterstica, no primeiro caso com fontes de
tenso constante e, no 2, com zeners, desde que os respetivos valores de tenso sejam os indicados.
Efetivamente, enquanto v
i
estiver entre os valores limites, os dodos no conduzem levando a que, em aberto, a tenso
de sada seja igual tenso de entrada. A resistncia R essencial para limitar a corrente que passa nos dodos.

Evidentemente que a caraterstica indicada na fig.6-23 a) ideal e, uma vez que a entrada em conduo dos dodos e,
bem assim, dos zeners, no abrupta, a caraterstica real aproxima-se mais do que est representado na fig.6-24 a)
enquanto o efeito sobre uma sinusoide est representado na fig.6-24 b)


Fig. 6-23 - Circuitos limitadores com dodos e zeners

V
Z1
=
V
+
- 0.7V

V
+
V

v
i
v
o
v
i
v
i
v
o
v
o
V
2
=
V

+ 0.7V

V
Z2
=
V

+ 0.7V

V
1
=
V
+
- 0.7V

R R
a) b) c)
V
+
V

v
i
v
o
a) b)
Fig. 6-24 limitao com dodos, tendo em considerao as caratersticas reais

6-29
6.9 Circuitos de recuperao do zero
Quando um sinal passa atravs de um circuito RC passa alto, o que normalmente acontece que o valor mdio da
tenso na sada zero. Contudo, se se a introduo de um elemento no linear como na fig. 6-25 a), o dodo altera a
situao e permite fixar a parte mais negativa (ou a mais positiva, dependendo da orientao do dodo), se fixa a um
valor essencialmente zero, como representado na fig. 6-25 b) e c). Chamamos a estes circuitos circuitos de recuperao
do zero.
Consideremos, ento, o circuito da fig.6-25 a). Se o alimentarmos com uma tenso alternada, seja sinusoidal seja
quadrada, se admitirmos que o circuito no carregado (i.e. que no pedida corrente para o exterior) e, alm disso,
numa primeira hiptese, supondo o dodo ideal (corrente nula quando inversamente polarizado e queda de tenso nula,
em conduo) a forma de onda, ao fim de um certo tempo, apresenta, na sada, uma deslocao do seu valor total por
forma a que nunca fique negativa.
De facto, h um regime transitrio necessrio para que a carga permanente no condensador (que ficar com uma tenso
que metade do valor de pico, mais positiva do lado direito) se estabelea e o que est representado j o regime
permanente.

Evidentemente que a situao real no to limpa como aparece representado, no s porque os dodos no tm
queda de tenso nula e porque o circuito apenas til se puder alimentar uma dada carga. Nessas circunstncias, nas fig.
6-26 a) e b) esto representados o circuito bem como a resposta mais realista a uma onda quadrada, na entrada.
Note-se que o pico mais negativo que o dodo suporta deve-se, por um lado transio da tenso e necessidade de
uma mais intensa corrente para recarregar ligeiramente o condensador (que, entretanto, se descarregou atravs da
resistncia, o que explica o decrescimento da parte positiva). A ocorrncia de picos de tenso nos dodo, na transio do
corte conduo algo que ser abordado, mais tarde, quando fizermos o estudo dos dispositivos eletrnicos, em
comutao.
v
i

v
o

v
i

v
o

R
C
Fig. 6-25 Circuito recuperador de zero, ideal
a) b) c)
Fig. 6-26 Recuperao do zero, com descarga do condensador e tenso no nula no dodo
a) b)

6-30
6.10 Multiplicadores de tenso
Uma combinao inteligente de retificadores e de circuitos de recuperao de zero permite, como vamos ver, obter
tenses contnuas de valor superior ao do pico da sinusoide inicial.
Consideremos, ento, que, a seguir ao circuito da fig.6-25 a) ligamos um retificador, como indicado na fig. 6-27

a).

Suponhamos, que alimentamos o circuito com uma tenso sinusoidal e suponhamos ainda que, nesta fase, voltamos a
supor todos os componentes ideais. Para a compreenso do princpio de funcionamento do circuito, essas simplificaes
no alteram as questes fundamentais e, em contrapartida, facilitam a anlise. De facto, nessas circunstncias, as formas
de onda que designmos por v
i
, v e v
o
, seriam como representadas na fig.6-27 b).
Isto significa que a tenso na sada 2x o valor de pico da tenso sinusoidal. Este circuito, conhecido por duplicador de
tenso, tem a particularidade de, com uma conveniente montagem, permitir a iterao, levando obteno de tenses
contnuas elevadas, a partir de tenses alternadas de relativamente pequena amplitude.
6.10.1 O gerador Cokcroft & Walton
O circuito representado na fig. 6-28 geralmente conhecido como um multiplicador de tenso Cokcroft & Walton,
(dando crdito aos dois cientistas que o propuseram
3
) permite gerar tenses contnuas, sucessivamente crescentes.
O conceito base o do duplicador de tenso sucessivamente repetido, e o funcionamento ideal simples de entender
atravs da anlise das formas de onda em cada um dos sucessivos ns. A representao ao lado coloca a preto a linha de
zero e a vermelho a tenso obtida, bem como uma indicao do respetivo valor em funo da tenso de pico V, na
entrada:

3
John D. Cockcroft e Ernest T.S. Walton so dois cientistas respetivamente britnico e irlands que, em 1932 usaram um circuito semelhante ao que
est representado na fig. 6-26 para gerar uma alta tenso que usaram para acelerar partculas atmicas e obter a primeira desintegrao nuclear, o que
lhe valeu o Prmio Nobel da Fsica, em 1951.
v
i
v
o

C
1

C
2

D
2

D
2

v
v
i
v
o
v

a) b)
Fig. 6-27 Duplicador de tenso

6-31

Consideremos os dodos a partir de baixo: o dodo D
1
fixa o zero, fazendo com que a tenso fique toda acima da linha
de zero volts. Por sua vez, o condensador C
1
fica com uma carga permanente de V / 2. O dodo D
2
retificar esta tenso,
que filtrada por C
2
, determinando uma tenso contnua V aos seus terminais. Ento, sobre este valor que o dodo D
3

fixa o novo ponto de mnimo, pelo que no nodo de D
4
a tenso alterna encavalita-se neste valor. O processo continua
e fcil de ver que as tenses contnuas, direita, crescem sucessivamente, podendo atingir valores muito elevados.











V
V
2V
V
2V
3V
3V
D
5
C
5
D
4
C
4

D
3

C
3
D
2

C
2
C
1
D
1

Fig. 6-28 Circuito Cokcroft & Walton

6-32


















7-1








Captulo 7







Transstores de efeito de campo





7-2
ndice do Captulo 7
7 Transstores de efeito de campo ........................................................................................................... 7-3
7.1 Introduo 7-3
7.1.1 O transstor de efeito de campo, de juno (JFET) 7-3
7.1.2 O MOSFET 7-5
7.2 Estudo do MOSFET de enriquecimento 7-7
7.2.1 Anlise qualitativa da caraterstica i
D
(v
DS
) 7-7
7.2.2 Anlise quantitativa da caraterstica i
D
(v
DS
) 7-9
7.2.3 Caraterstica i
D
(v
GS
) em saturao 7-11
7.2.4 MOSFET canal p e MOSFET complementares (CMOS) 7-12
7.3 MOSFET de depleo 7-12
7.4 O JFET 7-13
7.5 Modulao de comprimento de canal 7-13
7.5.1 Modelo do MOSFET, em saturao 7-15
7.6 Comportamento dos MOSFET s altas frequncia 7-18
7.6.1 Capacidades internas do MOSFET associadas porta do MOSFET 7-18
7.6.2 Capacidades de juno 7-19
7.6.3 Modelo para sinal s altas frequncias 7-20
7.7 Consideraes gerais sobre polarizao de MOSFET 7-20
7.7.1 Clculo das tenses e correntes nos ns e ramos do circuito 7-21
7.8 Efeito de corpo 7-22
7.8.1 Modelo em p para sinal, com efeito de corpo 7-23
7.8.2 Modelo em p, tendo em considerao as capacidades intrnsecas e o efeito de corpo. 7-23



7-3
7 Transstores de efeito de campo
7.1 Introduo
Vamos comear por apresentar os princpios construtivos e de funcionamento dos transistores de efeito de campo (FET,
o acrnimo para a designao inglesa Field Effect Transistors). Para esse efeito comearemos por apresentar os FET
de juno (JFET), cuja compreenso deriva do estudo do dodo e, de seguida, analisaremos os FET de porta isolada (os
MOSFET), numa primeira fase os chamados MOSFET de depleo, cujo funcionamento se assimila muito ao do JFET
e s como ltima derivao, os MOSFET de enriquecimento. O curioso que a importncia e uso atual exatamente o
inverso desta ordem: hoje em dia, a esmagadora maioria dos transistores utilizados e fabricados so os MOSFET de
enriquecimento e, quando formos analisar em detalhe as caratersticas dos FET, ser destes, sobretudo, que trataremos.
Analisaremos, ento a sua constituio e funcionamento em corrente contnua (CC) e para sinal quer para baixas quer
altas frequncias, desenvolvendo os respetivos modelos. Estudaremos modos de polarizao para fixao da corrente
que passa no transstor.
7.1.1 O transstor de efeito de campo, de juno (JFET)
Suponhamos que construmos um dispositivo esquematicamente representado na fig. 7-1 em que os materiais
designados por p e n correspondem a Si, dopado. Suponhamos ainda que aplicamos uma tenso V, negativa, entre o
terminal 1 (ligado regio p) e o terminal 3 (ligado regio n). O que acontecer que teremos, entre estes dois
terminais, um dodo.
Ora, como vimos no captulo 5, numa juno inversamente polarizada estabelece-se uma regio de depleo, sem cargas
livres, cuja largura diminui quando a tenso inversa aumenta, o que est representado na fig. 7-1 b).
Assim sendo, se aplicarmos agora uma diferena de potencial V
+
entre os terminais 2 e 3, como na fig. 7-2, estabelece-
se uma corrente que ser funo da resistncia que o material semicondutor oferecer e, consequentemente, da largura do
canal que possui as cargas livres capazes de assegurar a conduo.
Note-se que a tenso V
+
tem de ser positiva do lado do dreno (e portanto, a conduo fazer-se no sentido do dreno para
a fonte) para que o dodo que existe entre a porta e o dreno permanea inversamente polarizado e, consequentemente,
no conduza.

Fig. 7-1
V
1
<V
2

1
2 3
V
1

1
2 3
V
2

p
p
p
p
n n
a) b)
7-4
Temos ento um dispositivo que, para uma dada tenso entre os terminais 2 e 3, permite a passagem de uma corrente
cujo valor controlado pela tenso (negativa) entre os terminais 1 e 3. Alm disso, como entre esses dois terminais o
que temos um dodo inversamente polarizado, no existe, praticamente, corrente no terminal 1.

A este dispositivo chama-se um JFET, do ingls Junction Field Effect Transistor ou seja, Transstor de Efeito de Campo
de Juno, cujo smbolo est representado na fig. 7-3. Aos terminais 1, 2 e 3 chama-se, respetivamente, porta, dreno e
fonte do transstor.
Este dispositivo foi predito por Julius Lilienfeld em 1925, mas s muitos anos mais tarde foi realizado na prtica e ainda
usado em certas aplicaes analgicas, embora tenha sido substitudo, na maioria dos casos, por um dispositivo
semelhante e, at certo ponto, dele derivado e que estudaremos adiante, o transstor de efeito de campo de porta isolada,
designado por MOSFET.
7.1.1.1 O JFET de canal p
praticamente intuitivo que um dispositivo que fosse concretizado com o corpo constitudo por material p e a porta por
uma regio n, funcionaria de modo semelhante, apenas que a tenso entre a porta e a fonte deveria ser positiva para
manter o dodo inversamente polarizado e a corrente entre o dreno e a fonte teria de circular no sentido da fonte para o
dreno para evitar que o dodo porta dreno pudesse entrar em zona de conduo.

Fig. 7-2

Fig. 7-3
V
1
<V
2


I
1
> I
2

1
2 3
V
1

p
p
n
V
+

1
2 3
V
2

p
p
n
V
+

I
1
I
2

a) b)
Porta
Dreno
Fonte (3)
(2)
(1)

7-5
O smbolo do J-FET canal p o que est representado na fig. 7-4.

7.1.2 O MOSFET
Como patente do estudo feito, o funcionamento do JFET s tem interesse prtico com a juno porta-fonte
inversamente polarizada j que, se assim no fosse, estabelecia-se entre a porta e a fonte um dodo em conduo direta.
Ora, se a porta, em vez de ser constituda por material p fosse um terminal isolado do corpo n, um mesmo efeito de
modulao da largura do canal poderia ser obtido atravs da aplicao de um campo eltrico entre esse terminal e a
fonte: como adiante veremos, em maior detalhe, se a porta for mais negativa repele os eletres da sua vizinhana
concentrando o canal numa menor espessura.
da construo fsica destes dispositivos com porta isolada, que advm o seu nome, j que o isolante que usado
xido de silcio (slica) pelo que entre a porta e a fonte o que se encontra Metal, xido e Silcio e da o prefixo MOS.
Na fig. 7-5 a) est esquematizada a construo de um MOSFET canal n, e na fig. 7-5 b) o smbolo utilizado.
Para construir estes transstores , contudo, necessrio um suporte que, no caso dos transstores de canal n, que temos
vindo a considerar, constitudo por material tipo p. A este suporte chamamos substrato e dever ser polarizado por
forma a que no se estabeleam junes diretamente polarizadas. Ento, dever haver um terminal associado que, de
novo no caso do MOS canal n, para evitar que a juno p-n entre o substrato e o canal pudesse eventualmente ficar
diretamente polarizada e conduzir, dever ser colocado a um potencial igual ou mais negativo do que o dos restantes
terminais. Note-se que frequente ver o substrato ligado fonte do transstor.
De novo, possvel inverter a polaridade de todos os componentes por forma a obter-se um MOSFET canal p. Todas as
polaridades viro, nesse caso invertidas, devendo o substrato tipo n ser ligado tenso mais positiva do circuito. O

Fig. 7-4

Fig. 7-5
Porta
Dreno
Fonte (3)
(2)
(1)
p
n
Fonte
Dreno
Porta
Substrato
Metal
xido Si
Si
Zona de
depleo
Porta
Dreno
Fonte
Substrato
a) b)
7-6
smbolo o que est representado na fig. 7-6.
7.1.2.1 MOSFET de enriquecimento
Os MOSFET que estudmos na seco anterior, em que a tenso entre a porta e a fonte controla um canal pr-existente,
so designados por MOSFET de depleo. Contudo, como a porta isolada, possvel pensar em criar uma situao
inversa, i.e., em que o canal no exista e seja uma tenso positiva (no caso do canal n) a induzi-lo. De facto, esta
situao que no era possvel no caso dos JFET j que uma tenso positiva (ainda para o canal n) levaria a que a
juno entre a porta e o canal ficasse diretamente polarizada , -o agora no caso de termos a porta isolada.
Vejamos a representao esquemtica do que poder ser esta transstor, como representado na fig. 7-7 a) e com base na
qual procuraremos compreender o mecanismo de criao do canal. Na fig. 7-7 b) est representado o smbolo que se usa
para este MOSFET, conhecido como MOSFET de enriquecimento. Note-se que, em 7-7 a), para facilitar a explicao,
se ligou o substrato fonte.
Qual o mecanismo, ento, pelo qual o canal induzido?
Quando se aplica uma tenso positiva entre a porta e a fonte (ou seja, neste caso, entre a porta e o substrato) as lacunas
(maioritrias no substrato tipo p) so afastadas da regio da porta ao mesmo tempo que atrai os eletres minoritrios.
Conforme essa tenso for aumentando, este movimento de eletres e lacunas far com que, a certo nvel, a polaridade
da regio se anule e, a partir da, poder mesmo reverter-se: os eletres atrados passam a maioritrios e cria-se uma fina
camada tipo n. A tenso a que isso se observa designada por tenso de limiar e , generalizadamente representada por
V
t
. Ento, para uma tenso porta-fonte superior tenso de limiar, passa a existir um canal entre o dreno e a fonte
suscetvel de permitir a passagem de corrente, quando se estabelecer uma tenso entre o dreno e a fonte.
Note-se, desde j que no obstante, neste texto, ns irmos usar os termos portugueses para os terminais dos transstores
(dreno, porta e fonte) em termos dos ndices usaremos as letras correspondentes s designaes drain (D), gate (G) e
source (S) e, finalmente B, para o substrato, do ingls body. Esta opo, semelhante ao que j fizemos relativamente ao
acrnimo FET que corresponde designao inglesa, destina-se a facilitar a assimilao da notao quela que

Fig. 7-6

Fig. 7-7
Porta
Dreno
Fonte
Substrato
p
Fonte Dreno Porta
Substrato
n n
Canal induzido
Porta
Dreno
Fonte
Substrato
a) b)

7-7
internacionalmente usada. Assim, a tenso porta-fonte ser designada por v
GS
, a tenso dreno-fonte por v
DS
e a tenso
substrato-fonte por v
BS
. Com os conceitos introduzidos e com a notao proposta podemos ento dizer que existiro
condies para se estabelecer uma corrente dreno-fonte, i
D
, desde que exista uma tenso !
!"
! ! e que tenhamos
!
!"
! !
!
.
7.2 Estudo do MOSFET de enriquecimento
Vamos agora analisar as caratersticas do MOSFET, ou seja, as curvas que relacionam a corrente no transstor com a
tenso entre porta e fonte (v
GS
) e com a tenso entre dreno e fonte (v
DS
). A corrente i
D
estar condicionada pela
resistncia do canal que por sua vez depende do seu comprimento L (do ingls length), da sua largura W (do ingls
width) e da sua espessura que, por sua vez, depende da tenso v
GS
. Evidentemente depender, tambm, da dopagem do
Si que condiciona a sua resistividade e, como veremos, em certas circunstncias, do prprio valor de v
DS
.
Nas fig. 7-8 a) esto representadas duas vistas do MOSFET cuja perspetiva est representada em b). Note-se tambm
que est indicado o significado de L e W.
7.2.1 Anlise qualitativa da caraterstica i
D
(v
DS
)

7.2.1.1 Anlise para pequenos valores de v
DS

Comecemos por admitir que v
DS
muito pequeno e, consequentemente, que a corrente i
D
ser tambm pequena. Nessas
circunstncias, i
D
crescer proporcionalmente a v
DS
com uma inclinao que depende do excesso de v
GS
sobre V
t
. A
(v
GS
- Vt) chamaremos tenso efetiva de porta porque aquela que, na realidade, controla a sua espessura do canal e
represent-la-emos por V
OV
, como tradicional na literatura, devido designao tenso de overdrive, em ingls.

Fig. 7-8
p
n n
p
Largura do
Canal (W)
Comprimento
do canal (L)
a) b)
7-8
Na fig. 7-9 a) est representado o esquema do MOSFET e as caratersticas i
D
(v
D
), para vrios valores da tenso efetiva
de porta.
7.2.1.2 Anlise para v
DS
crescente
Suponhamos agora que, mantendo v
GS
constante, v
DS
vai crescendo, por forma a atingir um valor da ordem de grandeza
de V
t
, A tenso entre a porta e o dreno diminui, j que v
GD
= v
GS
- v
DS
. Ento, a espessura do canal do lado do dreno
diminui porque tambm diminui a tenso efetiva v
GD
-V
t
. Nas figuras 10, a), b) e c) representa-se o canal para valores
crescentes de v
DS
.
O que acontece que a forma do canal se altera pelo que a resistncia respetiva cresce e, consequentemente, a taxa de
crescimento de i
D
com v
DS
vai diminuindo. Se ns admitirmos que na fig. 7-10 c) a tenso do lado do dreno tal que
!
!"
! !
!"
! !
!"
! !
!
, a densidade de cargas no canal anula-se e, a partir da, a corrente fica constante. De facto,
repare-se que, se a tenso nesse ponto se mantm constante (porque aquela qual a densidade de carga no canal se
anula) a corrente tambm manter o mesmo valor.
A variao linear da concentrao de portadores da fonte para o dreno cria uma corrente de difuso no sentido das
concentraes decrescentes (por difuso, a tendncia dos portadores de cargas deslocarem-se das zonas de maior
concentrao para as zonas de menor concentrao). Esta corrente , em ltima anlise, a corrente de dreno no transistor
(neste caso, que o de um transistor de canal n, significa movimento de eletres da fonte para o dreno, e portanto
corrente positiva em sentido contrrio, isto , do dreno para a fonte).

Fig. 7-9

Fig. 7-10
p
n n
v
DS

v
GS

v
DS
(V)
v
GS
-V
t
=2V
v
GS
-V
t
=1.5V
v
GS
-V
t
=1V
v
GS
-V
t
=0.5V
v
GS
-V
t
! 0V
i
D
(mA)

0.4

0.3

0.2

0.1

0.05 0.1 0.15 0.2
a) b)
p
n n
v
DS1

v
GS

p
n n
v
DS2

v
GS

p
n n
v
DS3

v
GS

v
DS2
>v
DS1
v
DS3
>v
DS2

a) b) c)

7-9
E, se v
DS
continua a crescer, que acontece com o excesso de tenso de v
DG
em relao a V
t
? Pois bem, na fronteira entre
a regio n do dreno e a regio p do substrato estabelece-se uma juno inversamente polarizada, com a respetiva regio
de depleo e que absorve o excesso de tenso. Note-se que, embora seja uma regio sem cargas livres, os eletres
emitidos pela fonte e que circulam no canal, chegam perto do dreno, que est positivamente polarizado, e ficam sujeitos
a um campo eltrico que os faz atravessar essa zona de depleo.
As caratersticas i
D
(v
DS
) para vrios valores de v
GS
-V
t
, esto representadas na fig. 7-11
A regio das caratersticas em que a corrente fica constante chama-se regio de saturao; em contrapartida, a regio
esquerda da linha vermelha, aquela em que a corrente cresce com v
ds
at se tornar constante, designa-se por regio
trodo pela sua semelhana com as caratersticas da vlvula eletrnica com esse nome
1
. Note-se que a linha vermelha
que constitui a fronteira entre as duas regies corresponde aos pontos para os quais v
DS
=v
GS
-V
t
que, como j vimos, a
tenso qual o canal se anula junto ao dreno.
7.2.2 Anlise quantitativa da caraterstica i
D
(v
DS
)
Consideremos o esquema da fig. 7-12, que pretende representar, fsica e eletricamente, o MOSFET em conduo,
portanto com tenses aplicadas (mas no representadas) entre a porta e a fonte e entre o dreno e a fonte.
Para comearmos esta anlise, chamemos a ateno para o facto de entre a porta e o canal se estabelecer um
condensador em que o isolante o xido de Si que tem uma permitividade
!
ox
= 3.9!
0
= 3.9! 8.85!10
"12
= 3.45!10
"11
F / m
e cuja capacidade por unidade de rea ser
C
ox
=
!
ox
t
ox

em que t
ox
a espessura da camada isolante de xido de Si.


1
O trodo uma vlvula eletrnica dispositivos a que j nos referimos em nota anterior com 3 terminais, designados por nodo, grelha e ctodo,
circulando a corrente (eletrnica) do nodo para o ctodo com um valor determinado pela tenso (negativa) entre grelha e ctodo.

Fig. 7-11
0
2
4
6
8
10
12
14
i
D



v
GS
-V
t
=5V










v
GS
-V
t
=5V





v
GS
-V
t
=5V



v
GS
-V
t
=5V


7-10
Assim sendo, a carga acumulada no elemento de canal de comprimento dx ser a tenso efetiva entre a porta e o ponto
de abcissa x a multiplicar pela capacidade elementar, dada por !
!"
!"#, como representado na figura. Por sua vez, a
tenso efetiva entre a porta e o canal no ponto de abcissa x ser
v
Gx
= v
GS
! v x ( ) "
#
$
%
!V
t

em que v(x) a tenso entre o ponto x e a fonte pelo que se poder, ento escrever,
dq = !C
ox
Wdx v
GS
! v x ( ) !V
t
"
#
$
%
&
dq
dx
= !C
ox
W v
GS
! v x ( ) !V
t
"
#
$
%

Entretanto, como j estudmos, a velocidade dos eletres ser dada por
dx
dt
= !
n
E =
n
dv x ( )
dx

e como i =
dq
dt
=
dq
dx
dx
dt
, podemos finalmente escrever
i = !
n
C
ox
W v
GS
! v x ( ) !V
t
"
#
$
%
dv x ( )
dx
= !i
D
(7.1)
j que a corrente ao longo do canal tem de ser constante e igual e de sinal contrrio corrente de dreno.
Se reescrevermos a expresso (7.1) como em (7.2)
i
D
dx =
n
C
ox
W v
GS
! v x ( ) !V
t
"
#
$
%
dv x ( ) (7.2)
e integrarmos ao longo do canal,
i
D
dx
0
L
!
=
n
C
ox
W v
GS
"V
t
" v x ( ) #
$
%
&
dv x ( )
0
V
DS
!

i
D
L =
n
C
ox
W v
GS
!V
t
( )v
DS
!
1
2
v
DS
2 "
#
$
%
&
'

obtemos o valor da corrente i
D
na regio trodo,
i
D
=
n
C
ox
( )
W
L
!
"
#
$
%
&
v
GS
'V
t
( )v
DS
'
1
2
v
DS
2 (
)
*
+
,
-


Fig. 7-12
Fonte
W
Vel=
dx/dt
E=
-dv(x)/dx
V
v
DS

0
v(x)
dv(x)
dx
Carga
dq
xido
Canal
Capacidade
C
ox
Wdx
t
ox

L
x
Dreno

7-11
Quando !
!"
! !
!"
! !
!"
! !
!
o canal extingue-se junto ao dreno, atinge-se o valor de saturao e a corrente, nessa
altura, ser
i
D sat ( )
=
1
2

n
C
ox
( )
W
L
!
"
#
$
%
&
v
GS
'V
t
( )
2

que se manter constante e independente de v
DS
. Ento, a linha a vermelho na fig.7-11, que corresponde aos pontos em
que v
DS
= v
GS
!V
t
, ser tal que i
D sat ( )
=
1
2

n
C
ox
( )
W
L
!
"
#
$
%
&
v
DS
2
o que explica o andamento quadrtico da curva.
usual designar-se o parmetro k' =
n
C
ox
por parmetro de transcondutncia, por razes que veremos, mais adiante.
Ento, a corrente de dreno, de um MOSFET ser dada, na regio trodo, por
i
D
= k'
W
L
!
"
#
$
%
&
v
GS
'V
t
( )v
DS
'
1
2
v
DS
2 (
)
*
+
,
-

e na regio de saturao, por
i
D
=
1
2
k'
W
L
!
"
#
$
%
&
v
GS
'V
t
( )
2

Como ltima nota, se resolvermos a equao diferencial (7-1) em ordem a v
DS
(x), verificamos que a soluo do tipo
!
!"
! ! ! ! !" ! !. cuja forma a que est representada a azul, na parte de baixo da fig. 7-12.
O esquema da fig. 7-13, em que esto representadas as vrias tenses nos terminais do MOSFET e os respetivos
regimes de conduo, ajudam a fixar estes conceitos:
7.2.3 Caraterstica i
D
(v
GS
) em saturao
Como vimos, a corrente, em saturao, no depende da tenso v
DS
mas apenas de v
GS
. Assim sendo, podemos
representar essa dependncia atravs do grfico da fig. 7-14. O valor da tenso para o qual a corrente se torna no nula
precisamente V
t
. Esta caraterstica ser particularmente til para analisarmos o funcionamento do MOSFET, em
saturao, para sinal.

Fig. 7-13
S
a
t
u
r
a

o

v
G

V
t

V
t

v
S

v
D

V
T
r

o
d
o

7-12
7.2.4 MOSFET canal p e MOSFET complementares (CMOS)
Toda a teoria anteriormente desenvolvida para os MOSFET de canal n aplicvel se trocarmos a polaridade dos
materiais, fazendo o substrato tipo n e a fonte e o dreno, tipo p. Claro que isso envolve mudanas, devendo agora o v
GS

ser negativo (bem assim, como V
t
), a tenso de dreno ser mais negativa do que a da fonte e a corrente, da
responsabilidade de lacunas, circular da fonte para o dreno. Em relao a todos os restantes aspetos, o funcionamento
ser, essencialmente, idntico.
Mas, em muitas circunstncias, de interesse que os dois tipos de MOSFET, canal n e p coexistam num mesmo circuito
integrado. Alis, hoje em dia, os circuitos mais populares, particularmente em aplicaes digitais como teremos a
oportunidade de abordar, mais tarde usam-no, naquilo que usualmente se designa por circuitos MOS complementares,
ou CMOS. Ora, como o substrato para os transstores canal n tipo p, para obtermos transstores de canal p temos de
criar substratos auxiliares tipo n, a que normalmente se chama poos (well, em ingls). Na fig. 7-15 est uma
representao esquemtica deste tipo de construo, sendo que a camada representada a azul no lado direito da figura
corresponde ao poo.
7.3 MOSFET de depleo
Na introduo que se fez aos MOSFET apresentaram-se, antes dos MOSFET de enriquecimento, aqueles que
designmos por MOSFET de depleo nos quais o canal existia previamente e podia ser diminudo ou mesmo anulado
por uma tenso entre a porta e a fonte, negativa, no caso dos MOSFET canal n, ou positiva no caso dos MOSFET canal
p. No processo de fabrico dos circuitos integrados, o canal obtm-se introduzindo impurezas do tipo n (ou p) na zona
que fica imediatamente debaixo da porta, criando um canal permanente que liga a fonte e o dreno. Ora, assim sendo,
isto totalmente equivalente ao estudo que acabmos de apresentar, se pudermos supor que as tenses de limiar V
t
, em

Fig. 7-14

Fig. 7-15
!
#
$
%
&
'
(
)
*
+
#!
i
D










v
gs

V
t
p
n n
n
p p
B
n
S
n
P
n
D
n
D
p
P
p
S
p
B
p


7-13
cada caso, apresentam sinal contrrio ao dos MOSFET de enriquecimento: se estivermos a considerar MOSFET canal
n, ter de ser usada uma tenso mais negativa para conseguir fazer desaparecer o canal.
A principal caraterstica que diferencia o funcionamento dos dois tipos de transstores que nestes, o canal existindo,
mesmo sem tenso aplicada est em condies de conduzir. Isto costuma designar-se por normalmente em conduo,
traduo que fazemos do que, em ingls, se costuma designar por normally on. Em vrias situaes, mormente em
aplicaes digitais vantajosa a situao inversa (normally off) e, em parte, isso explica o uso sistemtico dos
transstores de efeito de campo de enriquecimento.
7.4 O JFET
Vamos agora analisar como que ser a conduo no caso dos FET de juno. Tirado o facto de que a tenso entre
porta e fonte se estabelece, neste caso, atravs de uma juno inversamente polarizada, os princpios fundamentais do
funcionamento mantm-se e a teoria aplicada essencialmente a mesma, conduzindo s mesmas equaes. Mudam-se,
contudo, os conceitos e as designaes, j que em vez de considerar uma tenso de limiar se considera a tenso v
GS
que
impede totalmente a conduo e que designada, em ingls, por tenso de pinch-off, V
P
. Bem assim, usual utilizar o
parmetro I
DSS
, a corrente de saturao de dreno, que a corrente de saturao quando a porta e a fonte esto curto-
circuitadas, nas equaes que representam a corrente i
D
.
Assim sendo, podemos escrever, para o JFET que, na situao de saturao,
i
D
= I
DSS
1!
v
GS
V
P
"
#
$
%
&
'
2

Note-se que, efetivamente i
D v
GS
=V
P
= 0 e i
D v
GS
=0
= I
DSS
.
Na regio trodo, a expresso da corrente ser
i
D
=
2I
DSS
V
P
2
v
GS
!V
P
!
v
DS
2
"
#
$
%
&
'
v
DS

Finalmente, I
DSS
pode ser expresso em termos dos parmetros do transstor como
I
DSS
=
n
!qN
D
W
L
V
P
2

em que ! a espessura do canal.
O JFET tem, em relao aos MOSFET duas caratersticas cujo significado e importncia teremos, mais tarde, a
oportunidade de estudar que so uma mais elevada transcondutncia (g
m
) e um mais baixo rudo intrnseco que fazem
com que sejam, por vezes, usados como andar de entrada de amplificadores lineares.
7.5 Modulao de comprimento de canal
A modulao do comprimento de canal um fenmeno que se verifica em todos os FET, seja qual for o seu tipo
(MOSFET de depleo, enriquecimento ou mesmo JFET, canal n ou p), mas que iremos analisar no caso do MOSFET
de enriquecimento, pela importncia que este transstor assume na eletrnica que hoje se fabrica. Este efeito surge
porque se verifica que um aumento da tenso v
DS
causa uma diminuio no comprimento efetivo de canal.
7-14
Tomemos, ento, um MOSFET canal n. Ao atingir-se a tenso v
DS
que satura o transstor, o canal colapsa junto ao
dreno e, tal como acontece num dodo inversamente polarizado, a tenso inversa entre o dreno n e o substrato p produz
uma zona de depleo cuja largura aumenta com a tenso. Um aumento da regio de depleo vai diminuir o
comprimento efetivo de canal que, contudo, manter essencialmente a mesma forma como est representado na fig. 7-
16.
Analisemos, ento, a situao, partindo da expresso da equao da corrente em saturao, onde substitumos L por
L-!L:
i
D
=
1
2
k'
W
L ! "L
#
$
%
&
'
(
v
GS
!V
t
( )
2

Podemos, ento reescrever a expresso como
i
D
=
1
2
k'
W
L
1
1!
"L
L
#
$
%
%
%
&
'
(
(
(
v
GS
!V
t
( )
2
)
1
2
k'
W
L
1+
"L
L
#
$
%
&
'
(
v
GS
!V
t
( )
2

j que, em geral, !L/L1. Se pudermos supor, numa primeira aproximao, que !L proporcional a v
DS
, i.e.
!L = !' v
DS
e
!L
L
=
!'
L
v
DS
= !v
DS
2

podemos finalmente escrever
i
D
=
1
2
k'
W
L
v
GS
!V
t
( )
2
1+ !v
DS
( )

ou seja, a corrente, em saturao cresce com v
DS
como mostram as caratersticas apresentadas na fig. 7-17

2
Note-se que o fator " inversamente proporcional ao comprimento efetivo do canal, L, o que tem implicaes importantes no projeto de circuitos.

Fig. 7-16
p
n n
v
DS1
= v
GS
-V
t

v
GS

p
n n
v
DS2
> v
DS1
= v
GS
-V
t

v
GS

L L
!L
D P F D P F
a) b)

7-15
7.5.1 Modelo do MOSFET, em saturao
Na maior parte das aplicaes (lineares) que iremos fazer dos MOSFET, esperamos que os transstores estejam sempre
a funcionar na regio de saturao. Recordemos a expresso da corrente:
i
D
=
1
2
k'
W
L
v
GS
!V
t
( )
2
1+ !v
DS
( )
que pode ainda ser reescrita como
i
D
=
1
2
k'
W
L
v
GS
!V
t
( )
2
+
1
2
k'
W
L
v
GS
!V
t
( )
2
!v
DS
"
1
2
k'
W
L
v
GS
!V
t
( )
2
+ I
D
!v
DS

e, finalmente,
i
D
=
1
2
k'
W
L
v
GS
!V
t
( )
2
+
v
DS
r
o

em que
r
o
=
1
!I
D

Isto significa que o MOSFET, a funcionar em saturao, pode ser representado pelo modelo da fig. 7-18
Vejamos como aplicar este modelo, no circuito simples da fig. 7-19 a).

Fig. 7-17

Fig. 7-18
!
#
$
%
&
'!
'#
'$
'%
(1/2)k(W/L)v
OV
2

+
v
GS



r
o
P

D

F

7-16
Na fig. 7-19 b) est representado o circuito com o MOSFET substitudo pelo seu modelo. Note-se que V
GS
=V
GG
porque,
como a corrente na porta nula, no h queda de tenso em R
G
. Designmos por # a expresso ! !
!
!
!
!
!
!
que permite
relacionar a parcela da corrente de dreno que da responsabilidade de V
OV
e o valor da resistncia r
o
retira-se do
conhecimento desta corrente e do parmetro !, do MOSFET.
Na fig. 7-19 c) esto representadas as caratersticas i
D
(v
DS
) e, a azul, a reta de carga que j havamos referido a
propsito dos dodos: a tenso V
DS
tem de cumprir simultaneamente a relao com I
D
determinada pelas caratersticas
do MOS (para um dado V
GS
) e a queda de tenso na resistncia R
D
, tal que V
DS
= V
DD
! R
D
I
D
. O valor I
DMx
corresponde
a tomarmos V
DS
=0, ou seja I
DMx
=
V
DD
R
D

e a corrente i
D
anula-se para v
DS
=V
DD.

7.5.1.1 Modelo em $ para sinal
Suponhamos, agora, que uma vez estabelecida uma corrente permanente I
D
, atravs de uma tenso entre porta e fonte,
V
GS
, fazemos variar esta ltima de uma pequena quantidade, v
gs
. A concomitante variao de I
d
, que notaremos i
d
,
supondo que o transstor se mantm na regio de saturao, far-se-, aproximadamente, sobre a tangente curva no
ponto (I
D
,V
GS
), como representado na fig. 7-20 a):
Tomemos ento a expresso da corrente de dreno do MOSFET (ignorando, inicialmente, as variaes devidas
modulao do comprimento de canal) e derivemo-la, em ordem tenso v
GS
.

di
D
dv
GS
i
D
=I
D
=
d
dv
GS
1
2
k'
W
L
v
OV
2 !
"
#
$
%
&
i
D
=I
D
= k'
W
L
V
OV
=
2
V
OV
1
2
k'
W
L
v
OV
2 !
"
#
$
%
&
=
2I
D
V
OV


Fig. 7-19

Fig. 7-20
R
D

R
G

V
GG

V
DD

R
D
R
G

V
GG
V
DD

+
V
GS
=V
GG


r
o

I
D

!V
OV
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
i
D



I
DMx






(I
D
, V
DS
) V
GS
= V
GG






v
DS


V
DD





a) b) c)
!
#
$
%
&
'
(
)
*
+
#!
i
D







I
D
di
D
/dv
GS






V
GS
v
GS

a) b) c)
P
+
v
gs
--

g
m
v
gs

D
F
r
o

+
v
gs
--

g
m
v
gs

D
F
P

7-17
A este valor chamamos g
m
a transcondutncia do MOSFET, isto , a corrente de sinal na sada a dividir pela tenso na
entrada (da a designao trans) e ento o transstor pode ser representado, para sinal, pelo circuito da fig. 7-23 b) a
que chamamos modelo em ".
A este modelo, para ter agora em conta a modulao do comprimento do canal, preciso acrescentar, em paralelo com a
fonte de corrente, a resistncia r
o
anteriormente determinada. Isto est representado na fig. 7-23 c). Note-se que os
parmetros a usar, para alm de terem de ter em conta as caratersticas da tecnologia utilizada e do prprio transstor (k,
W/L, V
t
e !), requerem, para a determinao de g
m
e r
o
, o conhecimento da corrente de dreno, de polarizao, I
D
.
Chamamos desde j a ateno para a importncia da fixao do valor de I
D
que o que nos permite usar um modelo
linear para o estudo da resposta a pequenos sinais.
7.5.1.2 Modelo em T, para sinal
Vamos agora estudar um outro modelo para o MOSFET, usualmente designado como modelo em T. A sua utilizao
absolutamente alternativa do modelo em ", havendo, contudo, situaes em que um ou outro pode conduzir a solues
mais simples de obter.
Para deduzir este modelo, consideremos a fig. 7-21 a) em que aplicamos uma tenso v
i
entre a fonte e a porta do
transstor.
Como a corrente de porta nula, as correntes i
F
e i
D
sero tais que -i
F
= i
D
= g
m
v
gs
= g
m
(-v
i
). Isto equivalente a dizer
que
!
!
!
!
!
!
!
!
o que permite obter o desenho da direita que corresponde ao modelo em T.
A designao de modelo em T bvia se atentarmos que reflete a forma do esquema; contudo, a designao do modelo
em ! apenas se tornar mais clara quando, adiante, introduzirmos, no modelo, as capacidades intrnsecas do transstor.
Finalmente, a representao do modelo em T fica completa com a introduo da resistncia r
o
como na fig. 7-22.

Fig. 7-21
i
F
+
v
i



i
D
i
G
=0

i
F
i
D
i
G
=0

P

P

D

D

F

F

1
g
m
g
m
v
gs
a) b)
7-18

7.6 Comportamento dos MOSFET s altas frequncia
Vamos agora analisar o comportamento dos MOSFET s altas frequncias, quando as capacidades internas, quer com
origem no isolamento da porta quer das junes, limitarem a capacidade de resposta dos transstores.
7.6.1 Capacidades internas do MOSFET associadas porta do MOSFET
A capacidade entre a porta do MOS e o canal vale, como j vimos atrs, !
!"
!", a que chamaremos C
G
: !
!
! !
!"
!", a
Porm, como no temos o canal acessvel, mas apenas os seus extremos, de um lado a fonte e de outro o dreno, til
representar essa capacidade por duas capacidades concentradas, respetivamente entre a porta e a fonte e entre a porta e o
dreno. O valor dessas capacidades, neste modelo aproximado, dependem do modo de conduo: na regio trodo, em
que o canal existe quer junto fonte quer junto ao dreno, uma boa aproximao considerar que !
!"
! !
!"
!
!
!
!
!
,
como indicado na fig. 7-23 a). No caso de o MOS estar na zona de saturao (fig. 7-23 b), o desaparecimento do canal
do lado do dreno leva a que C
gd
= 0 e verifica-se que tomar !
!"
!
!
!
!
!
, uma boa aproximao. Finalmente, quando o
MOS est cortado, C
gs
= C
gd
= 0 mas toda a capacidade da porta se estabelece entre esta e o substrato.
Na realidade, nos MOSFET h, normalmente, uma pequena extenso da porta (e do isolamento) para alm do canal,
quer sobre a fonte quer sobre o dreno, de um valor 5% e 10% de L e a que chamamos sobreposio (overlap) e

Fig. 7-22

Fig. 7-23
D

i
G
=0

P

F

1
g
m
g
m
v
gs
r
o
v
DS
< v
OV

v
GS

v
DS
! v
OV

v
GS

v
GS
< v
OV

v
GS

C
gs
=
2/3 C
G

C
gs
=
1/2 C
G

C
gs
= 0 C
gd
= 0
C
gb
= C
G
C
gd
=
1/2 C
G

C
gd
= 0
D P F
D P F D P F

7-19
designaremos por L
Sp
, que criar uma pequena capacidade entre a porta e a fonte e outra entre a porta e o dreno, de valor
!
!"
! !!
!"
!
!"
que se somaro s que acabmos de descrever. Isso far com que, mesmo em saturao, haja uma
capacidade !
!"
! !
!"
que embora pequena, por razes que a seu tempo veremos assume, frequentemente, uma
importncia que no pode ser desprezada.
7.6.2 Capacidades de juno
Como vimos no captulo sobre semicondutores, a uma juno inversamente polarizada estar associada uma capacidade
de valor C
j
=
C
j 0
1+
V
R
V
0
!
"
#
$
%
&
m
, em que Cj
0
a capacidade sem tenso inversa V
R
aplicada, V
0
dado por V
0
= V
t
ln
N
A
N
D
n
i
2
!
"
#
$
%
&

e m um coeficiente entre
!
!
!
!
!
. Por simplicidade, tomaremos aqui m=".
No caso dos MOSFET, e se supusermos que o substrato no est ligado fonte (devendo estar a uma tenso tal que a
juno esteja inversamente polarizada) teremos de considerar duas junes, entre a fonte e o substrato e entre o dreno e
o substrato, conforme representado na fig. 7-24.
Assim, e admitindo que m = " , podemos escrever que
C
db
=
C
db0
1+
V
db
V
0
e C
sb
=
C
sb0
1+
V
sb
V
0

Evidentemente, se a fonte e o substratos estiverem ligados C
sb
anula-se e podemos simplificar o modelo admitindo
apenas a existncia de 3 capacidade, como representado na fig. 7-25:

Fig. 7-24

Fig. 7-25
v
DS
< v
OV

v
GS

C
sb
C
db

D P F
B
v
SB

n n
p
P
D
F
B
C
gs

C
gd

C
db

7-20
7.6.3 Modelo para sinal s altas frequncias
Do estudo que fizemos sobre as capacidades internas do MOSFET, fcil vermos que, no modelo do circuito, se as
quisermos ter em conta no comportamento do transstor s altas frequncias, elas dever-se-o inserir como na fig. 7-26.
Este circuito permite-nos estudar o comportamento do transstor MOSFET nas altas frequncias sendo que temos trs
condensadores (estamos a supor que a fonte e o substrato esto ligados, para sinal) pelo que, como fecham uma malha, a
tenso num deles pode ser expressa pelas tenses nos outros dois e, portanto, havendo dois condensadores
independentes o circuito apresentar dois polos. Alm disso, a capacidade C
gd
como est em srie, no caminho do sinal,
introduzir um zero. Adiante, quando estudarmos circuitos com MOSFET s altas frequncias, teremos a oportunidade
de analisar, em detalhe, estes aspetos.
Note-se ainda que, se olharmos para a fig. 7-26, se pode justificar a designao de modelo em ": h uma coluna,
esquerda, constituda por C
GS
, um ramo horizontal constitudo por C
GD
e uma coluna direita com a fonte de corrente e
a resistncia r
o
e, eventualmente, C
DB
.
7.7 Consideraes gerais sobre polarizao de MOSFET
Vamos agora analisar o modo como poderemos polarizar os MOSFET por forma a procurarmos fixar a corrente de
dreno volta da qual as variaes introduzidas pelo sinal se estabelecem.
Consideremos o circuito da fig. 7-27 que pode ser considerado como um circuito geral de polarizao de um MOSFET

Fig. 7-26
r
o

+
v
gs
--

g
m
v
gs

D
F
P
C
db

C
gd

C
gs


7-21
Notemos que algumas das resistncias podero ser feitas nulas (casos de R
S
ou R
D
) enquanto outras, como R
G1
ou R
G2

podem no existir. Alm disso, em muitas circunstncias, a resistncia de fonte pode ser substituda por uma fonte de
corrente, estabelecendo, s por si, a corrente de dreno.
A existncia dos condensadores ligados aos terminais permitiro que a ligao a outros circuitos ou massa se faa sem
alterar a polarizao. Podemos, assim, estabelecer as corrente e tenses contnuas com total independncia do que
estiver a montante ou a jusante deste circuito.
7.7.1 Clculo das tenses e correntes nos ns e ramos do circuito
Para iniciar este clculo, podemos ver que a tenso que no depende das caratersticas do transstor a tenso na porta
que, devido ao facto de a corrente ser nula, fica univocamente determinada pelas tenses e resistncias ligadas porta e
pode ser muito facilmente calculada se usarmos o teorema da sobreposio:
V
G
= V
GG1
R
G2
R
G1
+ R
G2
+V
GG2
R
G1
R
G1
+ R
G2

Se designarmos por V
S
a tenso na fonte, podemos escrever, simultaneamente que
I
D
=
1
2
k'
W
L
V
G
!V
S
!V
t
( )
2
I
D
=
V
S
!V
SS
R
S
(7.3)
que nos permite eliminar a corrente e obter a seguinte equao em V
S
:

1
2
k'
W
L
!
"
#
$
%
&
V
S
2
'
1
R
S
V
S
+
1
2
k'
W
L
V
G
'V
t
( )
2
+
V
SS
R
S
(
)
*
+
,
-
= 0 (7.4)
Esta equao ter, em geral, duas solues diferentes que correspondem relao quadrtica entre I
D
e V
GS
, como est
representado na fig.7-28.

Fig. 7-27
R
D
R
G1

V
GG1
V
DD

R
G2

V
GG2

R
S

V
SS

V
BB

C
D

C
G

C
S

7-22
Contudo, apenas a soluo para a qual

V
GS
= V
G
!V
S
( ) " V
t
(a azul, na figura) garante condies de conduo para o
MOSFET; a outra soluo matemtica (sobre a parte tracejada, a vermelho, na figura) no tem realidade fsica.
A partir do conhecimento de V
S
a equao (7.3) podemos obter a corrente I
D
e a partir deste valor, fcil o clculo de
V
D
: V
D
= V
DD
! R
D
I
D

ficando com o conhecimento de todos os valores relevantes para conhecer o ponto de
funcionamento do transstor.
7.8 Efeito de corpo
Se, no circuito da fig. 7-27 o substrato estiver ligado massa, entre este terminal e a fonte estabelece-se uma juno pn
inversamente polarizada que, provocando uma regio de depleo, causa uma diminuio da profundidade do canal. A
tenso entre o substrato e a fonte, V
BS
, atua como uma espcie de segunda porta, do tipo da que encontrmos, atrs, no
estudo do JFET.
Note-se que, em particular em circuitos integrados em que o substrato comum a todos os transstores do circuito,
muitas vezes acontece que a sua tenso no idntica das fontes de alguns transstores. Nesse caso e pelas razes j
anteriormente expressas, o substrato dever estar ligado tenso mais negativa, no caso de ser p e tenso mais
positiva, para o substrato n, para evitar que, em qualquer caso, possa aparecer uma juno diretamente polarizada.
Uma maneira de ver o efeito de V
BS
considerar que a tenso V
GS
necessria para repor o canal aumenta, o que, por sua
vez, equivalente a considerar que V
t
aumenta: a partir de V
t0
, a tenso de limiar quando V
BS
= 0, V
t
= V
t0
+ #V
t
em que
o #V
t
depende de V
BS
. A frmula que relaciona V
t
(V
BS
) com o prprio V
BS
depende das caratersticas do transstor e da
tecnologia, mas podemos ficar com uma ideia do efeito obtido se olharmos as caratersticas indicadas na fig. 7-29, a
vermelho para os MOSFET canal p e a azul para o canal n que representam valores tpicos dessa relao

Fig. 7-28

Fig. 7-29
!
#
$
%
&
'!
'#
V
GS1
V
GS2

0 V
t

I
D

!
!#$
!#%
!#&
!#'
!#(
!#)
!#*
! !#( $ $#( % %#( & &#( '

7-23

7.8.1 Modelo em " para sinal, com efeito de corpo
Se pensarmos, ento, que o substrato funciona como se fosse uma segunda porta, normal pensar que variaes de V
BS
,
que designaremos por v
bs
, induzam variaes na corrente I
D
, tal que !
!
! !
!"
!
!"
. De facto, assim e o modelo " para
o MOSFET que toma em linha de conta esse efeito, o que est representado na fig. 7-30.
Normalmente, g
mb
expresso como uma parcela de g
m
!
!"
! !!
!
, em que, em geral, ! da ordem das dcimas
e, de novo, depende das caratersticas do transstor e da tecnologia de fabrico.
7.8.2 Modelo em ", tendo em considerao as capacidades intrnsecas e o efeito de corpo.
Estamos ento, agora, em condies de estabelecer o modelo mais completo do transstor, em que os vrios efeitos
estudados se combinam, como representado na fig. 7-31.
Note-se que no caso da tenso contnua ou de sinal entre a fonte e o substrato for nula, o efeito de corpo desaparece,
anulando-se quer a fonte de corrente que lhe est associada quer a capacidade C
sb
.
Este modelo j razoavelmente completo e usado, por vezes, em programas de simulao dos circuitos com
MOSFET. Contudo, para uma anlise manual, pode tornar-se complexo, sendo usual no considerar C
sb
e, por vezes,
no considerando mesmo C
db
. Teremos a oportunidade de ver, posteriormente, que o efeito de C
gs
e C
gd
so,
efetivamente, dominantes.



Fig. 7-30

Fig. 7-31
r
o

+
v
gs

g
m
v
gs

D
F
P
g
mb
v
bs


v
bs
+

Substrato
g
m
v
gs
r
o
P

D

F

g
mb
v
bs
B

v
bs

+
C
sb
+
v
gs



C
gs
C
gd
C
db
7-24



8-1









Captulo 8







Circuitos bsicos com MOSFET

8-2
ndice do Captulo 8
8 Circuitos bsicos com MOSFET .......................................................................................................... 8-3
8.1 Configurao em fonte comum ...................................................................................................................... 8-4
8.2 Configurao em fonte comum com resistncia de fonte ............................................................................ 8-7
8.2.1 Anlise a partir do modelo em ! ............................................................................................................... 8-7
8.2.2 Anlise a partir do modelo em T. ............................................................................................................. 8-8
8.2.3 Anlise com ro finita ................................................................................................................................ 8-9
8.2.4 Clculo da resistncia de sada ............................................................................................................... 8-10
8.3 Configurao em dreno comum ................................................................................................................... 8-11
8.3.1 Clculo do ganho .................................................................................................................................... 8-11
8.3.2 Clculo do ganho considerando ro ......................................................................................................... 8-12
8.3.3 Resistncia de sada ................................................................................................................................ 8-12
8.4 Configurao em porta comum ................................................................................................................... 8-13
8.4.1 Modelo simples, sem ro .......................................................................................................................... 8-13
8.4.2 Modelo com resistncia ro ...................................................................................................................... 8-14
8.4.3 Exemplos numricos ............................................................................................................................... 8-16
8.5 Comportamento das vrias configuraes s altas frequncias ............................................................... 8-16
8.5.1 Comportamento do circuito em fonte comum, s altas frequncias ....................................................... 8-17
8.5.2 Comportamento s altas frequncias da configurao em fonte comum com resistncia de fonte ........ 8-21
8.5.3 Comportamento s altas frequncias da configurao em dreno comum ............................................... 8-23
8.5.4 Comportamento s altas frequncias da configurao em porta comum ............................................... 8-23
8.5.5 Exemplos numricos ............................................................................................................................... 8-24
8.5.6 Algumas notas complementares ............................................................................................................. 8-24
8.6 Comportamento dos circuitos s BF, tendo em conta as capacidades de acoplamento ......................... 8-24
8.6.1 Estudo da configurao em fonte comum, s baixas frequncias. ......................................................... 8-25
8.7 Anlise do efeito de corpo nas vrias configuraes bsicas com um MOSFET .................................. 8-27
8.7.1 Fonte comum com resistncia de fonte .................................................................................................. 8-28
8.7.2 Configurao em dreno comum .............................................................................................................. 8-28
8.7.3 Configurao em porta comum .............................................................................................................. 8-29
8.8 Configuraes bsicas com mais do que um transstor ............................................................................. 8-29
8.8.1 Configurao cascode ............................................................................................................................. 8-29
8.8.2 Espelho de corrente ................................................................................................................................. 8-32
8.8.3 Par diferencial ......................................................................................................................................... 8-34
8.8.4 Utilizao de fontes de corrente como carga ativa ................................................................................. 8-39



8-3
8 Circuitos bsicos com MOSFET
No captulo 7 estudmos a constituio e o funcionamento dos transstores MOS, quer em corrente contnua quer para
sinal. Estudmos tambm o seu comportamento tendo em conta a modulao do efeito de canal, resultante da variao
da tenso entre o dreno e a fonte bem como o efeito de corpo que resulta se o substrato no estiver ligado fonte do
transstor. Apresentmos os modelos em T e em ! que permitem, atravs da anlise de circuitos com parmetros
concentrados, aproximar de modo muito realista o comportamento dos transstores para sinal. Finalmente, vimos
tambm o efeito que as capacidades intrnsecas do transstor tm, no seu comportamento s altas frequncias.
Vamos agora estudar o modo como os MOSFETs podem ser utilizados como amplificadores, para o que podem ser
ligados em vrias configuraes conforme os terminais que so usados como entrada ou como sada e que, em cada
caso, apresentam diferentes caratersticas e propriedades.
Note-se, ao contrrio do que se poderia pensar, a priori, que poderamos ter tantas configuraes quantas as
combinaes dos 3 terminais 2 a 2 (seriam, ento 6), isso no se verifica porque sendo o dreno um terminal que se
comporta como uma fonte de corrente controlada de impedncia muito elevada, no apropriado como terminal de
entrada e a porta, que atravs da tenso que estabelece com a fonte, determina a corrente de dreno, no apropriada
como sinal de sada. Apenas a fonte que, como veremos, o terminal em que o dispositivo apresenta uma baixa
resistncia, se adequa a funcionar quer como terminal de entrada quer de sada.
s trs configuraes que, assim, so suscetveis de ser obtidas (ver quadro 1), h que acrescentar a possibilidade de
haver uma resistncia na fonte na configurao em que este terminal comum, gerando-se uma 4 configurao.
Quadro 1
Entrada Sada
porta dreno
fonte comum a)
fonte comum com R de fonte b)
porta fonte dreno comum c)
fonte dreno porta comum d)
Estas so apenas as configuraes bsicas de amplificao com um s transstor, representadas, para sinal, na fig. 8-1
(as vrias figuras correspondem s configuraes do Quadro 1) que constituem as pedras fundamentais de construo
dos sistemas. A designao do terminal comum corresponde, como claro na figura, ao terminal ao qual quer a tenso
de entrada quer de sada so referidas.

Fig. 8-1
+
v
i



a) b) c) d)
+
v
o



+
v
i



+
v
o



+
v
i



+
v
o



+
v
i



i
o
+
v
o



8-4
Estas configuraes no so, contudo, as nicas, j que h combinaes de transstores que potenciam certas
caratersticas que um s transstor no pode providenciar.
Na anlise a que iremos proceder pressupomos, em todas as circunstncias, que o transstor foi devidamente polarizado,
isto , que lhe foi imposta uma corrente contnua de dreno e que se encontra na regio de saturao. Qualquer destas
duas situaes essencial, a segunda para viabilizar o funcionamento numa regio suscetvel de ser aproximada por
relaes lineares e modelada com um circuito de parmetros concentrados, e a primeira para estabelecer os vrios
parmetros que caraterizam o comportamento do MOSFET, nomeadamente, g
m
, r
o
e, eventualmente, g
mb
, que so
funo da corrente I
D
.
8.1 Configurao em fonte comum
Consideremos, agora, que ao circuito de polarizao apresentado na fig. 7-27 ligamos, atravs do condensador C
G
, uma
fonte de sinal v
i
com resistncia interna R
f
e retiramos atravs do condensador C
D
e sobre uma resistncia de carga R
L
, o
sinal na sada, v
o
, enquanto que colocamos o condensador C
S
da fonte massa como representado na fig. 8-2 a).
Todos estes condensadores, para corrente contnua, representam circuitos abertos. Ento, o circuito para clculo de
polarizao pode ser representado como na fig. 8-2 b). Alm disso, com cada um destes condensadores estar associado
um polo a uma frequncia que tem a ver com o seu valor e com as resistncias que se colocam no seu caminho de carga
ou descarga mas que, para j, vamos apenas considerar que ocorrem a frequncias muito mais baixas do que aquelas
que tomamos para o sinal. Ento, do ponto de vista dos sinais, estes condensadores podem considerar-se curto-circuitos
e o circuito para sinal ser o que est representado na fig. 8-2 c). Assim sendo e por comparao com o que dissemos
atrs, este circuito constitui, efetivamente, uma configurao em fonte comum.
Para esta representao estamos a recorrer a algo que abordmos anteriormente, no captulo ..., em que introduzimos,
para sistemas lineares (ou linearizados, operao que fazemos quando, para pequenos sinais substitumos a caraterstica
pela sua tangente) o conceito de separao entre a parte contnua que designmos por polarizao, e de uma parte
varivel que designmos por sinal. Note-se que, nesta ltima representao (para sinal) as fontes de tenso constantes
so substitudas pela tenso nula, providenciando assim que o circuito em a) corresponda efetivamente adio de b) e
c). Pois bem, estes conceitos podem ser estendidos aos prprios circuitos, como na fig. 8-2 e, simultaneamente, os
transstores que a aparecem podem ser substitudos pelos seus modelos, como na fig. 8-3.

Fig. 8-2
a) b) c)
R
D
R
G

V
GG
V
DD

R
f

R
S

V
SS

V
BB

C
D

C
G

C
S

+
v
i



+
v
o



R
S

R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



R
G

V
GG
V
DD

V
BB

V
SS

R
L

R
L

R
D

R
S

R
D

R
S

R
D

R
S

R
D

R
S


8-5
Se analisarmos ento separadamente as questes de polarizao e de sinal, o problema transforma-se em dois problemas
muito mais simples e totalmente dentro do estudo prvio de anlise de circuitos, conforme revisto no captulo ... deste
texto.
Atentemos, ento, separadamente no circuito da fig. 7-24 c), onde est apenas representada a componente de sinal.
fcil de ver que a tenso v
ds
pode ser expressa em funo da entrada, do seguinte modo
v
ds
= !g
m
r
o
R
D
R
L ( )
v
gs
= !g
m
r
o
R
D
R
L ( )
R
G
R
G
+ R
f
v
i

j que entre a fonte de sinal e a entrada v
gs
as resistncias R
f
e R
G
estabelecem um divisor de tenso:
v
gs
=
R
G
R
G
+ R
f
v
i

Assim sendo, esta configurao permite obter um ganho em tenso
A
V
=
v
ds
v
s
= !g
m
r
o
R
D
R
L ( )
R
G
R
G
+ R
f

ao mesmo tempo que apresenta um elevada resistncia de entrada, j que como a porta no consome corrente, a
resistncia R
G
pode ter um valor muito elevado.
A resistncia de sada, como se v por anlise direta, ser o paralelo das 3 resistncias, !
!
! !
!
!!
!
.
8.1.1.1 Exemplo numrico
Vamos considerar um exemplo para procurar consolidar os conceitos estabelecidos, quer quanto aos modelos usadoa
para representar o MOSFET, quer quanto polarizao quer para sinal. Vamos utilizar o circuito da fig. 8.4 que difere
do anterior por no ter resistncia de fonte, o que simplifica ligeiramente o clculo da corrente de dreno.
Consideremos que estamos a usar um MOSFET em que K =
1
2
k'
W
L
= 0.4mA / V
2
, V
t
=1V e ! = 0.1V
!1
no circuito da
fig. 8-4 a), em que V
GG
=1.5V

e V
DD
=5V, sendo o valor das resistncias o que est indicado na figura:


Fig. 8-3
+
V
GS


R
D

V
GG

V
DD

I
D

KV
OV
2

V
SS

g
m
v
gs

+
v
i

r
o

+
v
gs
--

R
D
R
L

R
G

C
G

C
D

v
ds

R
f

C
S

a) b) c)
R
D
R
G

V
GG
V
DD

R
f

R
S

V
SS

C
D

C
G

C
S

+
v
i



R
S

V
BB

+
v
o



R
L

8-6
Da fig. 8-4 b), como no h corrente de porta, V
GS
= -V
S
. Como V
S
tal que V
S
+5V=35kI
D
e I
D
=0.4(-V
S
-1)
2
, podemos
escrever
V
S
+ 5 = 35k ! 0.4m V
S
+1 ( )
2
14V
S
2
+ 27V
S
+ 9 = 0

que conduz a V
S
=-1.5V ou V
S
! -0.43V. Ora, esta segunda soluo tal que V
GS
= -V
S
=0.43V<V
t
e portanto no vlida.
Ento, I
D
=
!1.5 + 5
35k
= 0.1mA . A tenso no dreno ser, por sua vez,
V
D
= 5V ! 25k " 0.1mA = 2.5V e V
DS
= 2.5V +1.5V = 4V >V
GS
!V
t
= 0.5V
ou seja, o MOSFET est, efetivamente saturado.
Ento, V
OV
=0.5V, g
m
=
2I
D
V
OV
=
2! 0.1m
0.5V
= 0.4mA / V e r
o
=
1
!I
D
=100k".
Se aplicarmos estes valores no circuito da fig. 8-4 c) e tivermos em linha de conta que v
gs
! v
s
e R
f
! R
f
porque
1M
1M + 25k
= 0.975 !1 e que o paralelo r
o
||R
D
||R
L
" 20k#, poderemos redesenhar o circuito, de modo aproximado,
conforme a fig.8-5
e o ganho em tenso, do circuito, ser dado por
A
V
=
v
ds
v
i
= g
m
R
D
'
! 0.4mA / V " 20k# = $8V / V


Fig. 8-4

Fig. 8-5
R
G
=
1M
5V
V
GS
=-V
S
+
I
D

+
v
i

r
o

+
v
gs
--

g
m
v
gs

R
D
=
25k
R
L
=
1M
R
G
=
1M
C
1

C
2

v
ds

R
D
=25k
R
G
=
1M
V
DD
=5V

+
v
i

C
1
=10!F
C
2
=10!F

R
L
=1M


R
f
=25k
R
f
=25k
R
D
=25k
a) b) c)
V
SS
= -5V

C
3
=10!F

R
S
=
35k
-5V

R
S
=35k
C
3

+
v
i

R
D
=20k
+
v
gs
--

g
m
v
gs

R
f
=25k
v
ds


8-7
8.2 Configurao em fonte comum com resistncia de fonte
Vejamos agora a variante que consiste em introduzir uma resistncia de fonte na configurao fonte comum. Tomemos,
para anlise, o esquema da fig. 8-7 a). Depois de determinada a corrente de polarizao de dreno segundo a
metodologia abordada no captulo 7 podemos considerar o esquema para sinal, conforme a fig. 8-7 b).
Para analisarmos este circuito, podemos usar o modelo em ! como na fig. 8-8 a) ou o modelo em T, como em 8-8 b),
em ambos os casos, no considerando

r
o.
. Se pudermos supor, como em geral o caso, que R
G
R
S
, a tenso que aparece
na porta do MOSFET praticamente v
i
.
8.2.1 Anlise a partir do modelo em !
Comecemos, ento, por proceder anlise considerando o circuito da fig. 8-8 a). Podemos escrever
v
gs
! v
i
" v
F
v
F
= g
m
v
gs
R
F
v
o
= "g
m
v
gs
R
D
(8.1)
de onde resulta que
v
o
= !g
m
R
D
v
i
1+ g
m
R
F
"
v
o
v
i
= !
g
m
R
D
1+ g
m
R
F


Fig. 8-6

Fig. 8-7
R
D
R
P

V
GG
V
DD

R
S

R
F

V
SS

V
BB

C
D

C
P

C
S

+
v
i



+
v
o



R
S

R
F
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



a) b)
R
S

R
F
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



+
! v
i



+ v
gs

P F D
g
m
v
gs

R
S

1/g
m

R
D

R
G

+
v
i



+
v
o



F
D
g
m
v
gs

P
+
v
gs



i=0

R
F

+
! v
i



a) b)
8-8
8.2.2 Anlise a partir do modelo em T.
Procedamos agora anlise, considerando o circuito da fig. 8-8 b). Atentemos no esquema da fig. 8-9 e em particular no
seu modelo em 8-9 b). evidente que a tenso no ponto G de confluncia da fonte de corrente e da resistncia 1/g
m
,
ser tal que v
G
=v
i
, ou seja,
v
G
= v
i
= i
D
1
g
m
+ R
S
!
"
#
$
%
&
v
i
= g
m
v
gs
1
g
m
+ R
S
!
"
#
$
%
&
v
o
= 'g
m
v
gs
R
D
(8.2)
pelo que
v
o
v
i
= !
R
D
1
g
m
+ R
S

naturalmente um resultado idntico ao que foi acima obtido.
Haver, ento, alguma vantagem no uso de uma ou de outra configurao?
H uma forma de anlise direta sobre o circuito, de algum modo tomando implicitamente o modelo T, que muito
usada em eletrnica. Para tal, atentemos na seguinte descrio, tendo em ateno a fig. 8-9:
Olhando do lado da fonte, para dentro do circuito aquela espcie de olho a olhar para dentro, pretende representar
exatamente isso , sabemos que existe uma resistncia de
1
g
m
da fonte at porta, e uma outra, de valor R
S
at
massa, passando em ambas a corrente de fonte, pelo que a tenso na fonte poder ser expressa, em funo de v
i
como
um simples divisor resistivo:
v
S
=
R
S
R
S
+
1
g
m
v
i
(8.3)
E como a corrente que passa em R
F
a mesma que passa em R
D
, podemos, em termos de sinal, escrever que
Pelo que a soluo final de obteno direta,

Fig. 8-8
R
S

+
v
i



R
D
i
D
i
D
1
/g
m
gm
v g
s

S
D
G
+
v
g
s

+
v
s



R
S

+
v
i



R
D
i
D
i
D
a) b)

8-9

v
o
v
i
=
v
o
v
s
v
s
v
i
= !
R
D
R
S
R
S
R
S
+
1
g
m
= !
g
m
R
D
1+ g
m
R
S
(8.4)
Como exprimimos, este resultado particularmente til por permitir, em muitas circunstncias, fazer uma anlise direta
dos circuitos, sem ter de fazer uma representao explcita dos modelos respetivos. Voltaremos, em vrias ocasies, a
olhar para este processo de encarar o estudo dos circuitos.
8.2.3 Anlise com r
o
finita
E qual ser a consequncia, no ganho do circuito, de se tomar uma resistncia r
o
finita? Podemos redesenhar o circuito
da fig. 8-8 a) como representado em 8-10 a).
Na fig.8-10 b) substitui-se o paralelo da fonte de corrente com r
o
pelo seu equivalente Thvenin, e v-se facilmente que
a corrente na malha da direita, que dada pela tenso aplicada a dividir pelas resistncias na malha,

pelo que podemos escrever que
v
s
= i
dta
R
S
=
g
m
v
gs
r
o
R
S
+ r
o
+ R
D
R
S
v
o
= i
dta
R
D
= !
g
m
v
gs
r
o
R
S
+ r
o
+ R
D
R
D

Evidentemente que teremos, como vimos anteriormente,
v
o
v
s
= !
R
D
R
S
e, tendo em conta que v
gs
= v
i
! v
f
, podemos obter
o valor de v
s
em funo de v
i

v
s
=
g
m
R
S
1+ g
m
R
S
+
R
S
+ R
D
r
o
v
i

e, finalmente,

v
o
v
i
=
v
o
v
s
v
s
v
i
= !
g
m
R
D
1+ g
m
R
S
+
R
S
+ R
D
r
o

Esta expresso, que se reduz anterior se r
o
tender para infinito, mostra que o ganho vem diminudo pela existncia de
r
o
, diminuio essa que se torna significativa no caso de a soma de R
S
e R
D
se aproximar do valor de r
o
.
i
dta
=
g
m
v
gs
r
o
R
E
+ r
o
+ R
D

Fig. 8-9
R
f

R
S
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



+
! v
i



+ v
gs

G
S D
g
m
v
gs

R
D

+
v
o



S
D
g
m
v
gs
r
o

r
o

R
S
R
G

+
v
i



+
! v
i



a) b)
G
R
f

8-10
8.2.4 Clculo da resistncia de sada
Para o clculo da resistncia de sada, repetimos na fig. 8-11 a) a parte da direita do circuito da fig. 8-10 b), com a
entrada curto circuitada. Lembremo-nos que, para calcular a resistncia de sada quer no equivalente Thvenin quer
Norton, devemos colocar a zero todas as fontes independentes de sinal, neste caso fazer v
i
=0. Na figura em b), destacou-
se que v
gs
suscetvel de ser expresso em funo da corrente i que circula na malha e, da, que a fonte de tenso
controlada possa ser expressa em funo da corrente. Finalmente, em c) substitui-se, pelo teorema da absoro, a fonte
de corrente por uma resistncia.
Portanto, a resistncia total vista, do dreno, para o interior do MOSFET a prpria resistncia R
S
que est fisicamente
da fonte massa, mais a resistncia r
o
aumentada pelo facto de existir R
S
:
R
out
= R
S
+ 1+ g
m
R
S
( )r
o

O efeito de acrescentar a resistncia em srie com a fonte aumentar muito a resistncia de sada do transstor. Na
maioria as situaes com interesse prtico tem-se mesmo

1+ g
m
R
F
!1 ou, o que o mesmo,

g
m
R
F
!1, pelo que a
resistncia de sada pode escrever-se aproximadamente g
m
R
F
r
o
, j que este produto normalmente muito maior, quer
que r
o
, quer que R
F
.
Note-se que a resistncia do dreno massa ser este valor de R
out
em paralelo com o prprio valor de R
D
.
Na fig.8-12 est feita uma representao deste resultado para cuja importncia se chama, desde j, a ateno e que em
vrias outras circunstncias ser retomado.

Fig. 8-10

Fig. 8-11
R
D

+
v
o



S D
g
m
v
gs
r
o

r
o

R
S


v
gs


+
v
g
!

v
i
=0


R
D

+
v
o



g
m
v
gs
r
o
=

g
m
r
o
R
S
i


r
o

R
S


v
gs


+
i =-v
gs
/R
S

R
D

+
v
o



S
D
g
m
r
o
R
S

r
o

R
S

a) b) c)
S
D
R
F

V
G

R
o

R
F

V
G

r
o

R
F

R
o

(1+g
m
R
F
)r
o

a) b) c)

8-11
Na Fig. 8-11 b) est uma representao frequentemente adotada pelos projetistas de eletrnica (e que usaremos amide
neste texto) que corresponde a considerar uma representao do MOSFET com a externalizao da resistncia r
o
. Como
acima se referiu, h inmeras circunstncias em que possvel e til fazer a anlise dos circuitos sem ter de recorrer
sua substituio explcita pelos modelos respetivos, sejam em ! ou em T e, nessa altura, a separao de r
o
permite no
s tornar clara a sua existncia como poder pensar o MOSFET como o circuito muito simples representado na fig. 8-3.
8.3 Configurao em dreno comum
Vamos agora analisar a configurao designada por dreno comum e representada nas fig.8-13 a) e b). Em a) est
representado o circuito completo e em b) o circuito para sinal.
8.3.1 Clculo do ganho
A equao (8.3) acima escrita, mantm a sua validade j que no depende da existncia da resistncia R
D
. Assim,
podemos escrever,
v
S
= v
o
=
R
S
R
S
+
1
g
m
v
i
(8.5)
Esta expresso permite, de imediato, verificar que o ganho sempre <1, embora, se R
F
1/g
m
o seu valor se aproximar
de 1, sendo legtimo escrever que, nessas circunstncias,
v
o
v
i
=
1
1+
1
g
m
R
S
!1"
1
g
m
R
S

expresso que permite uma rpida avaliao do ganho da configurao.


Fig. 8-12
R
G

V
GG
V
DD

R
f

R
S

V
SS

C
G

C
S

+
v
i



+
v
o



a) b)
R
f

R
S
R
G

+
v
i



+
v
o

8-12
8.3.2 Clculo do ganho considerando r
o
Se, como agora est representado na fig. 8-14, considerarmos a resistncia r
o
, o seu efeito , simplesmente, aparecer em
paralelo com a resistncia R
S
, diminuindo o seu valor e, consequentemente, embora de maneira atenuada, o valor do
ganho .
De facto, o ganho fica agora,
v
o
v
i
=
R
S
r
o
R
S
r
o
+
1
g
m
v
i
(8.6)
Voltamos a referir que este resultado suscetvel de ser obtido por inspeo direta do circuito da figura 8-8 a) se virmos
que r
o
se coloca massa em paralelo com R
S
e pensarmos na relao entre a sada e a entrada apenas como a que
obtida por um divisor resistivo
8.3.3 Resistncia de sada
Para o clculo da resistncia de sada, podemos tomar, simultaneamente, a representao do circuito na Fig. 8-13 b) e a
representao que foi feita em 8-9 b), como representado na.Fig. 8-14.
Nestas circunstncias, torna-se clara a existncia, no terminal de sada, de trs resistncias massa, pelo que o valor da
resistncia de sada ser R
out
= R
F
r
o
1 g
m

v
o
v
i

Fig. 8-13

Fig. 8-14
R
f

R
S
R
G

+
v
i



+
v
o

r
o
R
f

R
S
R
G

+
v
i



+
v
o

r
o

a) b)
R
F

i
D
1
/g
m
gm
v g
s

F
D
P
+
v
g
s

+
v
f

r
o

R
F

F
1/g
m
r
o

a) b)

8-13
8.4 Configurao em porta comum
8.4.1 Modelo simples, sem r
o

Comecemos por desenhar o circuito com o MOSFET na configurao porta comum, bem como o modelo em T
equivalente, como na Fig. 8-15 b), em que no consideramos r
o
.
Em termos de polarizao, a corrente I
D
poder-se- calcular sabendo que, por um lado, V
GS
+R
S
I
D
=0-V
SS
e, por outro,
I
D
=K(V
GS
-V
t
)
2
. Uma vez fixada a corrente de dreno, podemos obter os parmetros do modelo representado em b).
8.4.1.1 Ganho de tenso
A tenso de sinal na fonte do MOSFET ser, por considerao direta de um simples divisor resistivo,
v
s
=
R
S
1 g
m
R
f
+ R
S
1 g
m
v
i
em que v
s
= !v
gs
. A tenso de sada, tendo em ateno que a resistncia R
D
percorrida pela
corrente g
m
v
gs
, ser v
o
= !g
m
v
gs
R
D
. Daqui se tira que
v
o
= g
m
R
D
R
S
1 g
m
R
f
+ R
S
1 g
m
v
i

Se pudermos considerar (o que muitas vezes realista) que R
F
1/g
m
,

o resultado ser
v
o
!
R
D
R
f
+1 g
m
v
i

e se se verificar tambm que R
f
1/g
m
(condio que, muitas vezes, no realista...), teramos
v
o
!
R
D
R
f
v
i

8.4.1.2 Resistncia de entrada e resistncia de sada
A anlise do circuito da fig. 8-16 b) permite ver, diretamente, o valor das resistncias quer de entrada quer de sada.
Comecemos pela resistncia de entrada. Dado que, no modelo em causa, no terminal de fonte, apenas esto ligadas R
F
,

Fig. 8-15
R
D

V
SS

V
DD

C
D
C
G
R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



1/g
m

S D
g
m
v
gs

R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



a) b)
8-14
R
S
e 1/g
m
,
R
i
= R
f
+ R
S
1 g
m

Como se disse, a propsito do ganho em tenso, frequente verificar-se que

R
S
!1 g
m
, pelo que, nessas
circunstncias, podemos dizer, nessas circunstncias, que R
i
! R
f
+1 g
m
.
Quanto resistncia de sada, o valor da resistncia vista para o interior do transstor, no havendo ligao da sada a
v
gs
, ser infinito pelo que apenas haver a considerar a prpria resistncia R
D
.
8.4.2 Modelo com resistncia r
o
8.4.2.1 Clculo do ganho e resistncia de entrada
Repitamos, agora o circuito anterior, considerando a resistncia r
o
(desenhada, externamente, sobre o smbolo do
MOSFET) e repitamos, redesenhado, o modelo da Fig. 8-16 b) na Fig. 8-16 c), por forma a tornarmos patente a
semelhana deste circuito, para a direita do terminal de fonte (indicado pela letra S), como o que vramos no exemplo
2.3.2.3. do captulo 2, na pgina 2-12.
Se designarmos por R
S
'
= R
S
1 g
m
, os resultados que obtivramos para a resistncia de entrada direita do ponto S, bem
como da transresistncia, , permitem-nos escrever:
R
i
=
v
i
i
S
=
R
S
'
r
o
+ R
D
( )
R
S
'
+ r
o
+ R
D
! g
m
R
S
'
R
D
R
M
=
v
o
i
S
=
R
S
'
R
D
1+ g
m
r
o
( )
R
S
'
+ r
o
+ R
D
! g
m
R
S
'
R
D
A
VS
=
v
o
v
S
=
R
D
1+ g
m
r
o
( )
r
o
+ R
D
(8.7)
e se tivermos em ateno que v
f
=
R
i
R
S
+ R
i
v
i
, podemos escrever
R
M
=
v
o
i
F

Fig. 8-16
R
D

V
SS

V
DD

C
D
C
S
R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



r
o

1/g
m

S D
g
m
v
gs

R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



r
o

1/g
m

S D
g
m
v
gs

R
D

R
F

R
S

+
v
i



+
v
o



r
o

a) b) c)

8-15

A
V
=
v
o
v
i
=
v
o
v
F
v
F
v
i
=
R
D
1+ gr
o
( )
r
o
+ R
D
R
i
R
S
+ R
i
A
V
=
R
D
1+ gr
o
( )
r
o
+ R
D
R
F
'
r
o
+ R
D
( )
R
S
R
F
'
+ r
o
+ R
D
! gR
F
'
R
D
( )
+ R
F
'
r
o
+ R
D
( )
A
V
=
R
F
'
R
D
1+ gr
o
( )
R
S
R
F
'
+ r
o
+ R
D
! gR
F
'
R
D
( )
+ R
F
'
r
o
+ R
D
( )
(8.8)
A expresso do ganho muito complexa e de leitura difcil. Contudo, se considerarmos que g
m
r
o
1 e g
m
R
D
1 e
utilizarmos o valor aproximado, anteriormente obtido nas equaes (2.23), podemos escrever, designando por R
P
,
R
P
= R
D
r
o


A
VF
! g
m
R
P
R
i
!
R
S
'
r
o
r
o
" g
m
R
S
'
R
P
A
V
= A
VS
R
i
R
f
+ R
i
=
g
m
R
P
R
S
'
r
o
r
o
R
f
" g
m
R
S
'
R
P
R
f
+ R
S
'
r
o
(8.9)
Em termos numricos e se em vez de tentar obter a soluo atravs da expresso fechada procurarmos os valores
intermdios de A
VS
e R
i
, a soluo fcil de obter e, em muitas circunstncias os valores aproximados levam-nos a erros
muito pequenos.
8.4.2.2 Clculo da resistncia de sada
Para o clculo da resistncia de sada, vamos utilizar o modelo em ! para o MOSFET representado na Fig. 8-17 b)
O clculo da resistncia de sada implica colocar a zero todas as fontes independentes, no caso presente, v
i
. Assim, R
f

ficar em paralelo com R
S
massa, paralelo esse que designaremos por R=R
f
||R
S
. Podemos, ento, redesenhar o
circuito como na Fig. 8-18 a) e b).

Fig. 8-17
R
D

V
SS

V
DD

C
D
C
S
R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



r
o

S
D
g
m
v
gs

R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



r
o

a) b)
8-16
Note-se que, na Fig. 8-18 b) se alinhou o sentido de v
F
com o de i
F
pelo que podemos escrever que a tenso da fonte,
sendo proporcional respetiva corrente pode, pelo teorema da absoro, ser substituda por uma resistncia de valor
g
m
r
o
R' como representado na Fig. 8-18 c).
Assim sendo, a resistncia vista para dentro do dreno do MOSFET ser
R
o
'
= R'+ r
o
1+ g
m
R' ( )
havendo um efeito de aumento de r
o
pela existncia de R, efeito esse j verificado no ponto 8.2.3 quando estudmos a
resistncia de sada da configurao em fonte massa, com resistncia de fonte.
Como j atrs indicmos, este um resultado importante que ser retomado quando, um pouco frente, estudarmos a
configurao conhecida como cascode.
8.4.3 Exemplos numricos

8.5 Comportamento das vrias configuraes s altas frequncias
A anlise do comportamento dos circuitos bsicos com MOSFET, s altas frequncias, ser feita, separadamente, para
as diversas configuraes. Nesta fase da matria dispomos j de todos os instrumentos analticos para fazer a
determinao rigorosa dos polos e zeros de AF, at porque, com um s transstor, nunca consideraremos mais do que
duas capacidades intrnsecas, independentes, pelo que as equaes resultantes em s so de fcil resoluo.
Assim, o que nos parece mais interessante e relevante analisar de modo aproximado as respostas na frequncia, tendo
em ateno as propriedades dos circuitos. Isto significa, por exemplo e como adiante iremos ver, tomar a aproximao
de considerar o efeito de Miller com o ganho s mdias frequncias, para clculo do efeito de C
gd
na configurao em
fonte comum ou, nesse e noutros casos, como tambm veremos, usar o mtodo das constantes de tempo.
Tambm iremos assumir, no estudo que se segue, outras simplificaes, nomeadamente, no considerando, para j, o
efeito de corpo ou, em algumas circunstncias, desprezando o efeito da capacidade C
db
.

Fig. 8-18


v
GS


+
S
g
m
r
o
v
gs

R
f
R
S

D
R
D

+
v
o



r
o

i
F

S
g
m
r
o
v
F
=
g
m
r
o
Ri
F

R=R
f
||R
S

D
R
D

+
v
o



r
o

+
v
F



i
F

R
o

g
m
r
o
R
R=R
f
||R
S

R
D

+
v
o



r
o

i
F

R
o

a) b) c)

8-17
8.5.1 Comportamento do circuito em fonte comum, s altas frequncias
Na Fig. 8-19 est representado o circuito equivalente da configurao em fonte comum, que temos vindo a estudar, com
os valores do exemplo numrico apresentado na seco 8.1.1.1 ao qual acrescentmos as capacidades intrnsecas. Isto
ser essencial para analisarmos a resposta do circuito na frequncia e podermos determinar os correspondente diagrama
de Bode.
Para procedermos anlise do circuito, podemos escrever as equaes nodais na Porta (G) e no Dreno (D), primeiro de
uma forma literal, procurando encontrar as expresses gerais, antes de referirmos o exemplo numrico:

v
s
! v
gs
R
f
= v
gs
sC
gs
+ v
gs
! v
ds
( )
sC
gd
" v
gs
s C
gs
+ C
gd
( )
+
1
R
f
#
$
%
&
'
(
=
v
s
R
f
+ sC
gd
v
ds

v
gs
! v
ds
( )
sC
gd
= g
m
v
gs
+
1
R
D
'
+ sC
db
"
#
$
%
&
'
v
ds
( v
ds
1
R
D
'
+ s C
gs
+ C
db
( )
)
*
+
,
-
.
= v
gs
sC
gd
! g
m
( )

Multiplicando membro a membro as equaes da direita, obtemos
v
ds
1
R
D
'
+ s C
gd
+ C
db
( )
!
"
#
$
%
&
1
R
f
+ s C
gs
+ C
gd
( )
!
"
#
$
%
&
=
v
s
R
f
+ sC
gd
v
ds
'
(
)
*
+
,
sC
gd
- g
m
( )

v
ds
1
R
D
'
+ s C
gd
+ C
db
( )
!
"
#
$
%
&
1
R
f
+ s C
gs
+ C
gd
( )
!
"
#
$
%
&
' sC
gd
sC
gd
' g
m
( )
(
)
*
+
*
,
-
*
.
*
=
v
s
R
f
sC
gd
' g
m
( )

ou finalmente
v
ds
v
s
= A
V
s ( ) =
sC
gd
! g
m
( )
R
D
'
1+ s R
s
C
gs
+ C
gd
( )
+ R
D
'
C
gd
+ C
db
( )
+ R
s
R
D
'
C
gd
g
m
"
#
$
%
+ s
2
R
D
'
R
s
C
gd
+ C
db
( )
C
gs
+ C
gd
( )
! C
gd
2
"
#
$
%

Em primeiro lugar, imediato ver que o ganho apresenta um zero para s =
g
m
C
gd
. Alm disso, se pudermos supor que
um dos polos bastante maior do que o outro (situao que, como veremos, se verifica, na prtica, frequentemente)
podemos obter as razes do denominador, de modo simplificado. De facto, se escrevermos a expresso do denominador
como

Fig. 8-19
+
v
i

R
D
=20k
+
v
gs
--

g
m
v
gs

R
f
=25k
v
ds

C
db

C
gd

C
gs

G D
8-18
1+!s + "s
2
= 1+
s
#
1
$
%
&
'
(
)
1+
s
#
2
$
%
&
'
(
)
=1+ s
1
#
1
+
1
#
2
$
%
&
'
(
)
+
s
2
#
1
#
2

se

!
1
!!
2
"# $
1
!
1
. Ento,
!
1
"
1
R
f
C
gs
+ R
D
'
C
db
+ C
gd
R
f
+ R
D
'
+ R
f
R
D
'
g
m
( )

e !
2
=
1
"!
1
, ou seja,
!
2
"
R
f
C
gs
+ R
D
'
C
db
+ C
gd
R
f
+ R
D
'
+ R
f
R
D
'
g
m
( )
R
f
R
D
'
C
gd
C
gs
+ C
db
( )
+ C
gs
C
db
#
$
%
&

8.5.1.1 Exemplo numrico: 1 aproximao
Com vista a concretizar estas questes, retomemos o exemplo anterior, admitindo que as capacidades internas do
MOSFET tm os seguintes valores:
C
gs
= 0.5pF, C
gd
= 0.2pF, C
db
= 0.5pF,
Ento, o zero do ganho verifica-se frequncia
!
z
=
g
m
C
gd
=
0.4m
0.2p
= 2"10
9
rad/s # f
z
$ 320 MHz

Quanto aos polos, a resoluo da equao do segundo grau, do denominador, conduz s frequncias !
1
"14.7Mrad / s
e !
2
" 300Mrad / s que, como se v, so razoavelmente afastadas (cerca de 1 oitava corresponde a x2 e uma
dcada corresponde a x10). Nestas condies, se tivssemos feito as contas de modo aproximado, como acima
indicmos, teramos
!
1
"
1
25k # 0.5p + 20k # 0.5p + 0.2p 25k + 20k + 25k # 20k # 0.4m ( )
=
10
9
12.5 +10 + 0.2 45 + 200 ( )

!
1
!
10
9
71.5
!14Mrad / s " f
1
! 2.2MHz
e !
2
vira dado por
!
2
"
71.5#10
$9
20k # 25k 0.2p 0.5p + 0.5p ( ) + 0.5p# 0.5p %
&
'
(
=
71.5
500# 0.45
" 318Mrad / s ) f
2
" 50MHz

Com esta aproximao, o resultado de !
1
vem por defeito enquanto que o de !
2
vem por excesso. De qualquer dos
modo, o erro associado da ordem dos 5%.
8.5.1.2 Exemplo numrico: determinao direta do zero da funo de transferncia
Procuremos determinar o valor do zero diretamente da anlise do circuito da Fig. 8-19.

8-19
Para existir um zero, haver um valor de s que anula a sada e, se isso acontece, porque a corrente em C
gd
iguala g
m
v
gs,
isto nenhuma corrente pode passar nem na resistncia R
D
nem no condensador C
db
, porque, caso contrrio, a tenso
no seria nula. Podemos ento escrever
v
gs
! 0
( )
sC
gd
= g
m
v
gs

o que conduz ao valor anteriormente obtido, s =
g
m
C
gd

8.5.1.3 Exemplo numrico: 2 aproximao para a determinao do 1 polo (utilizao do Teorema de Miller)
Vamos agora procurar obter o valor do primeiro polo, de modo aproximado, atravs da utilizao do efeito Miller sobre
a capacidade C
gd
. De facto, como C
gd
est entre o ponto de entrada de sinal e o de sada, entre os quais h um ganho
significativo e negativo, A
V
, pelo teorema de Miller o seu valor, visto entrada, vem multiplicado por (1-A
V
),
aumentando o seu efeito. Em geral, esta capacidade aumentada determinante para o valor do primeiro polo do
circuito.
Porm, como o ganho em si mesmo funo da frequncia, a capacidade que, por efeito Miller, resultaria, seria funo
da frequncia. A maneira como se ultrapassa esta questo tomar o ganho s baixas/mdias frequncias, zona em que
constante e cujo limite precisamente definido pelo 1 polo. Designamos este mtodo como utilizao do teorema de
Miller com a aproximao do ganho s mdias frequncias.
Note-se, alm disso que ao tomar um ganho que s pode ser maior do que o real, o valor da capacidade majorado
levando a um menor valor do polo e, portanto, a um resultado conservador.
Retomemos ento o exemplo que temos vindo a analisar. O ganho entre a porta e o dreno, s baixas/mdias frequncias
, como j tnhamos visto,
v
ds
v
gs
= !8V / V e o circuito pode ser modificado, dentro desta aproximao, como est
representado na Fig. 8-20:
Ento, a constante de tempo esquerda
!
esq
= R
f
C
gs
+ 1" A
V
( )C
gd
#
$
%
&
= 25k 0.5p + 1+ 8 ( )0.2p #
$
%
&
= 57.5ns
e a constante de tempo direita, ser
!
dta
= R
D
'
C
db
+
A
V
A
V
"1
#
$
%
&
'
(
C
gd
)
*
+
,
-
.
/ 20k 0.5p + 0.90 0.2p ( ) =13.6ns
Se atuarmos de acordo com o que vimos anteriormente relativamente ao mtodo das constantes de tempo (ver cap. ...).
Recordemos que, segundo este mtodo, tomamos um condensador de cada vez, abrindo todos os outros, e calculamos a

Fig. 8-20
+
v
i

R
D
=20k
+
v
gs
--

g
m
v
gs

R
f
=25k
v
ds

C
db
C
gd
(1-A
V
)
C
gs

G D
C
gd

A
V
A
V
-1
8-20
constante de tempo que lhe est associada. No caso presente, como os dois condensadores so independentes, basta
somar as constantes de tempo associadas a cada condensador e resulta que a frequncia angular do 1 polo ,
aproximadamente, o inverso dessa soma.
!
1
"
1
#
1
+#
2
=
10
9
57.5 +13.6
"14.0Mrad / s
Note-se que este valor idntico ao que obtivemos na anterior aproximao.
8.5.1.4 Exemplo numrico: 3 aproximao para a determinao do 1 polo (Mtodo das constantes de tempo)
Vamos agora proceder determinao do 1 polo do circuito atravs do mtodo das constantes de tempo. Voltemos a
tomar, como base, o circuito da fig. 8-22.
Recordemos que, segundo este mtodo, tomamos um condensador de cada vez, abrindo todos os outros, e calculamos a
constante de tempo que lhe est associada. Somadas todas as constantes de tempo, a frequncia angular do 1 polo ,
aproximadamente, o inverso da soma das constantes de tempo.
Pois bem, no circuito em causa as constantes de tempo associadas a C
gs
e C
db
so imediatas porque a ausncia de C
gd

isola ambos os circuitos. Teremos ento
!
gs
= C
gs
R
s
= 0.5p" 25k =12.5ns; !
db
= C
db
R
D
'
= 0.5p" 20k =10ns
A nica situao que requer alguma anlise mais cuidada a da constante de tempo associada a C
gd
. Para isso,
atentemos nos circuitos da Fig. 8-21, cuja equivalncia procuraremos explicar:
Na fig. 8-22 b) substitumos o paralelo da fonte de corrente com a resistncia R
D
, pelo seu equivalente thvenin.
Depois, tendo em ateno que a tenso v
gs
suscetvel de ser expressa como R
S
i, pode aplicar-se o teorema de absoro,
que transforma uma tenso proporcional corrente que por ela passa, numa resistncia. Assim, associada capacidade
C
gd
teremos uma constante de tempo que
!
gd
= C
gs
R
S
+ R
D
'
+ g
m
R
S
R
D
'
( )
= 0.2p 25k + 20k + 0.4m" 20k " 25k ( ) = 0.2p" 245k = 49ns
Ento a constante de tempo total ser !
1
= !
gs
+!
db
+!
gd
=12.5n +10n + 49n = 71.5ns qual corresponde uma

Fig. 8-21
R
D
=20k
+
v
gs
--
g
m
v
gs

R
S
=
25k
v
ds

C
gd

P D
i i
R
D
=20k
+
v
gs
--

g
m
R
D
v
gs
=
g
m
R
D
R
S
i
R
S
=
25k
v
ds

C
gd

P D
i i
i
i
R
D
=20k
+
v
gs
--

R
eq
=
g
m
R
D
R
S

R
S
=
25k
v
ds

C
gd

P D
i i
i

8-21
frequncia angular para o primeiro polo !
1
"
1
71.5n
"14.0Mrad / s idntica anteriormente obtida.
8.5.2 Comportamento s altas frequncias da configurao em fonte comum com resistncia de fonte
Tomemos agora o circuito em fonte comum com resistncia de fonte, representado para sinal na Fig. 8-22 a) e com o
MOSFET substitudo pelo seu modelo em p, na Fig. 8-22 b), em que representamos os condensadores C
gs
e C
gd
.
Vamos tomar, para a determinao da resposta nas altas frequncias, o mtodo das constantes de tempo, tomando,
separadamente, cada uma das capacidades, comeando por C
gs
conforme est na Fig. 8-23.

A resistncia sobra a qual C
gs
se carrega ou descarrega e que designamos por R
Cgs
pode ser determinada pela tenso v
gs

dividida pela corrente i que percorre a malha. Assim, podemos escrever
v
gs
= R
f
R
G
( )
i + i ! g
m
v
gs
( )
R
S

ou seja,
R
Cgs
=
v
gs
i
=
R
f
R
G
( )
1+ g
m
R
S
+
R
S
1+ g
m
R
S
.

Fig. 8-22

Fig. 8-23
R
f

R
S
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



R
D
+
v
gs

--

g
m
v
gs

v
o

C
gd

G
+
v
i

R
f

C
gs
R
G

D
S
a) b)
R
S

+ v
gs

g
m
v
gs

R
D
v
o

C
gs

G
R
f
R
G

D S
R
S

+ v
gs

g
m
v
gs

R
D
v
o

G
R
f|
||R
G

D S
R
S

i i-g
n
v
gs

R
Cgs
a) b)
8-22
Quanto capacidade C
gd
podemos tomar os circuitos da Fig. 8-24 para proceder anlise.
A tenso entre a porta e o dreno (pontos G e D, no esquema) ser dada por
v
R
Cgd
= R
f
R
G
( )
i + 1+ g
m
v
gs
( )
R
D
v
gs
= R
f
R
G
( )
i ! g
m
v
gs
R
S

ou seja,
R
Cgd
=
v
R
Cgd
i
= R
f
R
G
( )
1+
R
D
R
S
+1 g
m
!
"
#
$
%
&
+ R
D

Note-se quer para a constante de tempo associada a C
gs
quer a C
gd
, a primeira parcela corresponde a considerar a
aproximao de Miller com o ganho s mdias frequncias que, entre a porta e a fonte , como j vimos
A
GS
=
R
S
R
S
+1 g
m

(e portanto, 1! A
GS
=
1
1+ g
m
R
F
, valor que multiplicar C
gs
),
e entre a porta e o dreno ser
A
GD
= !
R
D
R
S
+1 g
m

(e portanto, 1! A
GD
=1+
R
D
1 g
m
+ R
S
, valor que multiplicar C
gd
).

Fig. 8-24
S
R
D




+





v g
s

-
-

g
m
v
gs

v
o

C
gd

G
R
G

D
S
R
S

R
f

g
m
v
gs

R
D
v
o

G
R
f|
||R
G

D
R
S

i
i+g
n
v
gs

R
Cgd





+





v
g
s









-
-

a) b)

8-23
8.5.3 Comportamento s altas frequncias da configurao em dreno comum
Nesta configurao o comportamento s altas frequncias torna-se muito simples de analisar se tivermos em linha de
conta que a resistncia associada a C
gs
a mesma que acabmos de determinar na configurao anterior (fonte comum
com resistncia de fonte) j que, para esse clculo, existir ou no resistncia no dreno no relevante. Esse valor era,
recordemos,
R
Cgs
=
v
gs
i
=
R
f
R
G
( )
1+ g
m
R
S
+
R
S
1+ g
m
R
S
.
Quanto resistncia associada capacidade C
gd
que se encontra da porta massa apenas o paralelo entre R
G
e R
f
pelo
que a constante de tempo que lhe estar associada ser, simplesmente C
gd
R
f
R
G
( )
.
8.5.4 Comportamento s altas frequncias da configurao em porta comum
Analisemos, por ltimo, o comportamento s altas frequncias da configurao porta comum, representada na fig. 8-26.
Ambas as capacidades esto diretamente ligadas dos terminais fonte e dreno, massa, nenhuma delas sofrendo efeito
Miller pelo que as constantes de tempo associadas so de determinao direta.
Note-se que, se tivssemos considerado a existncia de r
o
, para o clculo das resistncias associadas a cada uma das
capacidades, apenas teramos de considerar que C
gs
se carregaria atravs da resistncia de entrada do lado da fonte e C
gd

da resistncia de sada do lado do dreno. O modo de determinar estas duas resistncias j foi explicado atrs, na seco
8.1.3.2.

Fig. 8-25

Fig. 8-26
R
f

R
S
R
G

+
v
i



+
v
o

R
f
R
S

+
v
o

R
G

C
gs

C
gd

g
m
v
gs

+ v
gs

G S
D
a) b)
R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



R
f

-

v
gs


+
D
g
m
v
gs

R
D

1/g
m

S
R
S

G
C
gs

C
gd

a) b)
8-24
8.5.5 Exemplos numricos

8.5.6 Algumas notas complementares
Antes de encerrar este captulo, queremos voltar a chamar a ateno para algo que muito usual na anlise de circuitos
eletrnicos que procurar obter informao sobre o seu comportamento sem a necessidade de recorrer sempre a uma
representao explcita dos seus modelos representativos, em ! ou em T.
Com esse fim, representamos frequentemente o transstor MOSFET externalizando as capacidades intrnsecas como j
se havia proposto para a resistncia interna r
o
, como se o smbolo apenas representasse o modelo mais simples de
mdias frequncias, e isso o que est representado na Fig. 8-27. Com recurso ao teorema de Miller e com anlise
direta em relao s resistncias que se podem associar aos condensadores, muitas vezes possvel obter uma primeira
aproximao ao comportamento nas altas frequncias, de grande utilidade quer para a anlise de circuitos quer mesmo
como auxiliar ao projeto.
Uma segunda nota dizendo respeito ao ganho das vrias configuraes e respetiva largura de banda: como patente das
frmulas obtidas e dos exemplos apresentados, a configurao em fonte comum a que apresenta menor largura de
banda quando comparada quer com a configurao fonte comum com resistncia de fonte, e mais ainda com as
configuraes dreno comum ou porta comum. Notemos, tambm, que aquela configurao a que permite,
simultaneamente, obter um considervel ganho de tenso e de corrente: quando se coloca uma resistncia na fonte o
ganho de tenso vem diminudo e, nas outras duas configuraes, o ganho de tenso menor do que 1, para a
configurao em dreno comum e, na porta comum, o ganho de corrente que igual ou menor do que 1. Assim, para
configuraes com um s transstor, h uma compensao do ganho geral obtido e a largura de banda que s poder ser
ultrapassado, como adiante veremos, com configuraes multitransstor de desenho mais elaborado.
8.6 Comportamento dos circuitos s BF, tendo em conta as capacidades de acoplamento
Quando, na seco 7. ... estudmos a polarizao de um transstor MOSFET, isolmos essa polarizao dos sinais
atravs de condensadores ligados aos trs terminais: porta, fonte e dreno. Esse circuito foi retomado j neste captulo na
seco 8.1 a propsito do estudo da configurao em fonte comum e o raciocnio que ento tommos foi considerar que
as frequncias relevantes do sinal se situavam bastante acima dos polos introduzidos pelos condensadores, podendo
eles, nessas circunstncias, serem tomados como curto-circuitos.

Fig. 8-27
r
o

C
gd

C
gs


8-25
Contudo, em muitas situaes importante ser capaz de determinar de modo quantitativo esses limites de frequncia
pelo que o estudo do efeito desses condensadores no comportamento do circuito, relevante.
8.6.1 Estudo da configurao em fonte comum, s baixas frequncias.
Vamos ento abordar agora, com algum detalhe, o comportamento do circuito em fonte comum, da fig. 8-2 a) que
reproduzimos em 8-28.
Nesta configurao, C
S
faz aquilo que na literatura em lngua inglesa designado como o bypass da resistncia de
fonte.
As 3 capacidades que ligam porta, dreno e fonte introduziro, cada uma, um polo e um zero: no caso de C
G
e C
D
o
zero verifica-se frequncia nula e, no caso de C
S
a uma frequncia diferente de zero, como teremos a oportunidade de
ver. Tambm os polos respetivos devero ter em conta, para C
G
, o paralelo de R
Gq1
com R
Gq2
em srie com R
f
(admitindo
que a resistncia da fonte nula) e para C
D
, a resistncia de sada vista do dreno que j tivemos a oportunidade de
analisar nas seces precedentes. Note-se que frequentemente podemos considerar a resistncia para o interior do
transstor suficientemente maior do que R
D
, o que significa que, estando em paralelo, pode ser ignorada e, nessa altura, a
resistncia a considerar para a constante de tempo associada a C
D
ser (R
D
+R
L
). Em resumo, podemos escrever;

Frequncia do zero Frequncia do polo
C
G
Zero
1 R
f
+ R
G1
R
G2
( )
C
S

C
D
Zero
1 R
D
+ R
L
( )C
D

Analisemos, agora, o efeito de C
S
nas BF.
8.6.1.1 Comportamento s baixas frequncias induzido por C
S
Quando, na seco 8.2 analismos o ganho da configurao em fonte comum com resistncia de fonte, chegamos
concluso que o ganho seria dado por

Fig. 8-28
R
D
R
P

V
GG
V
DD

R
f

R
S

V
SS

V
BB

C
D

C
G

C
S

+
v
i



R
L

8-26
A
V
=
v
d
v
g
= !
R
D
R
S
+
1
g
m

Contudo, nada neste resultado ser alterado se a R
F
for substitudo por uma impedncia Z
F
, neste caso
Z
F
= R
S
Z
CS
=
R
S
1+ sC
S
R
S

Ento,
A
V
= !
R
D
1
g
m
+ Z
S
= !
R
D
1
g
m
+ R
S
1+ sC
S
R
S
1+ sC
S
R
S
1 g
m
( )
R
S
+ 1 g
m
( )
= !
R
D
1
g
m
+ R
S
1+ sC
S
R
S
1+ sC
S
R
S
1 g
m
( )
(8.10)
ou seja, tem um zero associado a uma constante de tempo envolvendo R
S
e um polo em que a resistncia determinante
R
S
||1/g
m
ou seja, a resistncia de sada do MOSFET, na fonte, vista pelo condensador (ver seco 8.3). Note-se ainda
que como R
S
||1/g
m
necessariamente menor do que R
S
, a frequncia do polo sempre maior do que a do zero.
Finalmente, tenha-se em ateno que, quando a frequncia tende para infinito, isto , quando se pode considerar que a
impedncia de C
S
nula, o ganho ser A
V !=!
= "g
m
R
D
o que est de acordo com os resultados anteriormente obtidos.
O quadro acimas dever, ento, ser completado com mais uma linha:
Frequncia do zero Frequncia do polo
C
F
1 R
S
C
S
1
1
g
m
R
S
!
"
#
$
%
&
C
S

8.6.1.2 Diagrama de Bode do comportamento s baixas frequncias
Vamos agora representar de modo simplificado e assinttico o efeito dos 3 condensadores, apenas no que concerne a
amplitude.
Estamos a supor, apenas por simplicidade de apresentao, que os polos so bastante afastados e, no caso vertente, que
o polo associado porta (linha azul) bastante menor do que o associado ao dreno (linha verde) que, por sua vez,
menor do que o que est associado fonte (linha vermelha).
No caso deste ltimo isso razovel j que, como vimos, a resistncia a considerar bastante pequena (necessariamente
menor do que 1/g
m
). A preto, ponteado, representmos a soma das 3 caratersticas.

Fig. 8-29
!"#
!%#
!&#
!'#
!(#
#
(#
'#
&#
f
z
C
S
f
p
C
G
f
p
C
D
f
p
C
S

8-27
Faz-se ainda notar o seguinte: Considerando apenas o efeito de C
F
, o ganho frequncia nula (corrente contnua, CC) e
quando f !" valem, respetivamente,
A
V
CC
=
R
D
1
g
m
+ R
S
A
V
f =!
= "g
m
R
D

Que so valores que j conhecamos. Entretanto, a relao entre a frequncia do polo e do zero
1
1
g
m
R
F
!
"
#
$
%
&
C
F
1 R
F
C
F
=
R
F
1
g
m
R
F
=1+ g
m
R
F

Como se pode ver, esta relao exatamente a mesma que a relao entre os dois ganhos o que se deduz, diretamente,
do facto de entre os dois joelhos da curva e, em termos assintticos, o ganho cresce a +6dB/oit = +20dB/dc que o
mesmo que dizer que a frequncia e o ganho so proporcionais. Esta constatao tem a vantagem de servir para que, das
quatro grandezas (frequncia do zero e do polo, ganho DC e s altas frequncias) basta calcular trs delas ou, ento,
usar a relao para verificao dos clculos.
8.7 Anlise do efeito de corpo nas vrias configuraes bsicas com um MOSFET
Tivemos a oportunidade de ver, na seco 7.6.2, o efeito de corpo devido ao eventual aparecimento de uma tenso de
sinal entre fonte e substrato, reflete-se no prprio modelo do MOSFET. Com efeito, nessa altura o modelo a utilizar
dever ser o da Fig. 8-30.
Evidentemente que, se a fonte estiver, do ponto de vista de sinal, massa, no haver efeito de corpo. Este poder surgir
quando as configuraes forem dos outros tipos estudados (fonte comum com resistncia de fonte, dreno comum ou
porta comum) se, como muitas vezes acontece, sobretudo quando no estamos a considerar os dispositivos isolados mas
sim dispositivos que so parte de um circuito integrado (o que ser, provavelmente, a esmagadora maioria dos casos) j
que o substrato ser comum a todos os transstores do mesmo tipo. No tocante ao smbolo do MOSFET, o substrato
aparecer, neste caso, separado da fonte, como est representado em 2-30 a).
Analisemos, ento, separadamente, o efeito que o efeito de corpo tem nos parmetros (ganho, resistncia de entrada e de
sada) das diferentes configuraes, deixando, evidentemente de lado a configurao em fonte comum onde esse efeito
no existe.

Fig. 8-30
g
m
v
gs
r
o
G

D

S

g
mb
v
bs
B

v
bs

+
+
v
gs



G
S
B
D
a) b)
8-28
8.7.1 Fonte comum com resistncia de fonte
No esquema da fig. 8-32 est representado um esquema do circuito e o correspondente modelo em !.
A partir de 8-32 b) podemos escrever as seguintes equaes, admitindo que v
P
!v
i
:
v
gs
= v
i
! v
s
v
s
= R
S
g
m
v
gs
! g
mb
v
s
( )
v
o
= !
R
D
R
S
v
s
(8.11)
De onde se obtm,
A
V
= !
R
D
g
m
1+ R
S
g
mb
= !
R
D
1
g
m
+ R
D
"

em que, como atrs indicmos, ! = g
mb
g
m
.
Contudo, uma transformao como a efetuada na Fig. 8-31 c) permite ver que do efeito de corpo o que resulta uma
diminuio do valor efetivo de R
S
que aparece agora em paralelo com 1/g
mb
. De facto, a segunda fonte de corrente no
esquema da Fig. 8-31 b) faz com que na fonte do transstor haja uma componente da corrente que vale g
mb
v
gs
, em valor
absoluto, que efetivamente equivalente a uma resistncia de valor 1/g
mb
colocada da fonte massa. O facto, ento, de
1/g
mb
estar em paralelo com R
S
provoca um aumento do valor absoluto do ganho. Para toda a anlise subsequente,
nomeadamente para a determinao da resistncia de sada basta tomar este resultado em considerao.
8.7.2 Configurao em dreno comum
Podemos tomar, de novo, o circuito da Fig. 8-31 para analisar o comportamento da configurao em dreno comum,
bastando, para tal, admitir que R
D
= 0 e que a sada se faz na fonte. Como se pode verificar atravs das equaes (8.10),
a tenso na fonte no depende de R
D
e, das duas primeiras equaes, substituindo na segunda o valor de v
gs
dado pela
primeira, pode tirar-se a relao v
s
/ v
i

A
V
=
R
F
1
g
m
+ R
F
!
=
R
F
1
g
mb
1
g
m
+ R
F
1
g
mb
"
#
$
%
&
'
(8.12)

Fig. 8-31
R
f

R
S
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



+
! v
i



+ v
gs

G S D
g
m
v
gs
+
v
f



g
mb
v
bs
=-g
mb
v
f

R
f

R
S
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



R
f

R
S
R
D
R
G

+
v
i



+
v
o



+
! v
i



+ v
gs

G
S
D
g
m
v
gs
+
v
f



1/g
mb

a) b) c)

8-29
que de novo demonstra que o efeito do efeito de corpo , apenas, de reduzir o valor efetivo da resistncia de fonte e,
consequentemente, diminuir o valor do ganho.
8.7.3 Configurao em porta comum
Vejamos, finalmente, o que que a considerao do efeito de corpo altera no valor dos parmetros de ganho, resistncia
de entrada e de sada desta configurao.
Reparemos que, quer consideremos o modelo em T, na Fig. 8-32 b) quer o modelo em ! (Fig. 8-32 c)), como do ponto
de vista de sinal o substrato est massa e, consequentemente, coincide com a porta do transstor, as tenses v
gs
e v
bs

so idnticas pelo que as duas fontes de corrente se adicionam, obtendo
i
total
= g
m
+ g
mb
( )v
gs
= g
m
1+ ! ( )v
gs

ou seja, h como que um aumento efetivo da transcondutncia g
m
devido ao efeito de corpo. Todas as restantes
consideraes anteriormente feitas no estudo desta configurao, com esta transformao ( g
m
! g
m
+ g
mb
= g
m
1+ " ( ) ),
mantm a sua validade.
8.8 Configuraes bsicas com mais do que um transstor
Vamos agora abordar trs configuraes compostas, j com mais do que um MOSFET mas que so ainda elementos
bsicos na construo de amplificadores e outros circuitos analgicos. Iremos apresent-las procurando determinar as
suas caratersticas mas dando, tambm, o contexto onde essas caratersticas se tornam importantes.
8.8.1 Configurao cascode
A configurao cascode consiste em colocar dois transstores de tal forma que, entre o dreno do primeiro e a carga, h
um segundo MOSFET na configurao em porta comum. Aquilo que, numa primeira anlise se consegue, com veremos
j de seguida, aumentar muito a resistncia de sada do transstor que alimenta a carga, mantendo a transcondutncia,
isto ,, para uma mesma corrente de sada consegue-se uma muito melhor aproximao a uma fonte ideal, por aumento
da resistncia Norton.
Com efeito, quando na seco 8.1 estudmos a configurao bsica do MOSFET em fonte comum, da expresso do
ganho de tenso vimos que, independentemente da resistncia que se colocasse no dreno, o seu valor ficava limitado por

Fig. 8-32
R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



1/g
m

S D
g
m
v
gs

R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



g
mb
v
bs



v
gs
=
v
bs

+

G = B
S D
g
m
v
gs

R
D

R
f

R
S

+
v
i



+
v
o



g
mb
v
bs



v
gs
=
v
bs

+

G = B
a) b) c)
8-30
caratersticas intrnsecas nomeadamente pela resistncia r
o
, j que o ganho era dado por
A
V
= !g
m
R
D
r
o
( )

Portanto, a resistncia na sada do circuito era, em si mesma, um fator limitativo do aumento de ganho.
Um modo de aumentar a resistncia interna colocar uma resistncia R
S
na fonte do MOSFET j que, como vimos nas
seces 8.2.3 e 8.4.2.2, a propsito das configuraes em fonte comum com resistncia de fonte e em porta comum,
respetivamente, a resistncia de sada, vista do dreno, assume um valor dado aproximadamente por R
o
! g
m
R
S
r
o
.
Contudo, se quisermos usar o MOSFET como amplificador, a existncia de uma resistncia na fonte do transstor
diminui, por sua vez o ganho que ser, ento, dado por
A
VR
F
= !
R
D
1
g
m
+ R
S
.
A configurao cascode, representada na fig. 8-33 b) permite ultrapassar, de modo muito elegante, este problema.
Ao analisarmos o circuito da Fig. 8-33, se, numa primeira fase no considerarmos as resistncias r
o
, a corrente de dreno
dos dois transstores , obviamente a mesma, fazendo com que i
d2
= g
m1
v
i
. Repare-se, a corrente na carga a mesma
que no circuito da Fig. 8-33 a). Contudo, se no existissem as resistncias r
o
, no seria necessrio considerar o aumento
do seu valor, pelo que a configurao mostra a sua potencialidade quando se toma, em considerao, os valores dos dois
r
o
.
Nessas circunstncias, como se v da anlise do circuito da direita, a corrente de dreno de T
1
dividir-se- entre r
o1

e a
resistncia de entrada de T
2
. Essa resistncia de entrada que, se no considerssemos r
o2
, seria apenas 1/g
m2
(o que
decorre imediatamente do modelo em T) vem, como vimos na seco 8.4.2.1, aumentada pelo efeito de r
o2
. , contudo,
de notar que mesmo com esse aumento, os valores da resistncia de sada de T
1
e de entrada de T
2
so muito diferentes (

r
o1
!R
i 2
) pelo que em geral possvel considerar que as duas correntes de dreno permanecem essencialmente iguais.
Nesse caso verificar-se- ento que a resistncia que ser vista em paralelo com R
D
para a determinao do ganho ser
R
o
! g
m2
r
o1
r
o2
, como representado no modelo da fig. 8-34 e cujo valor , em geral, muito elevado.

Fig. 8-33
R
G

V
GG1
! V
GG2

V
DD

R
D

R
o

r
o2

r
o1

C
G

+
v
i

T
2

T
1

R
G

V
GG1

V
DD

R
D

R
o

r
o1

C
G

+
v
i

T
1

a) b)

8-31
8.8.1.1 Comportamento do cascode s altas frequncias
Atentemos agora ao que se passa no comportamento da configurao cascode s altas frequncias, tendo em conta as
capacidades intrnsecas dos MOSFET. Por uma questo de simplificao, consideraremos, apenas, as capacidades C
gs
e
C
gd
, conforme indicado na Fig. 8-35.
Quando levmos a cabo o estudo da configurao em fonte comum, nas altas frequncias (seco 8.5), ficou patente que
a maior contribuio para a limitao da resposta nas altas frequncias advinha do efeito de Miller sobre a capacidade
C
gd
que a fazia refletir, na entrada, como multiplicada, essencialmente, pelo valor absoluto do ganho (na realidade, vem
multiplicada por 1! A
V
). Ora, vejamos agora o que se passa na configurao representada, para sinal, na Fig. 8-35 b): a
carga de dreno de T
1
a resistncia de entrada na fonte de T
2
que, como acabmos de ver, um pouco superior a 1/g
m

mas no muito maior; ento, o valor absoluto do ganho de T
1
que dado por A
V1
! "g
m1
R
D1
'
, em valor absoluto,
apenas um pouco maior do que 1 (se os g
m
forem semelhantes) e a capacidade C
gd1
aparece refletida na entrada apenas
multiplicada por um valor um pouco maior do que 2. Ora C
gd1
, em geral suficientemente pequeno para que, sem um
considervel efeito Miller, no afete grandemente a resposta em frequncia.
E o que se passar com as outras capacidades? Repare-se que todas elas esto ligadas massa e, portanto, no sofrem
efeito Miller pelo que a sua influncia na resposta em frequncia no vem aumentada.
Uma nota que ajuda a fixar ideias quanto ao comportamento deste circuito: tnhamos chamado a ateno de que o
comportamento das 4 configuraes de ganho, apenas com um transstor, era tal que se pretendssemos obter,
simultaneamente, ganho em corrente e em tenso (como na configurao em fonte comum), pagvamos essa
vantagem com uma diminuio da resposta em frequncia. A resposta na frequncia era melhor quando apenas
tnhamos ganho em corrente (configurao em dreno comum) ou ganho em tenso (configurao em porta comum).

Fig. 8-34

Fig. 8-35
g
m2
r
o1
r
o2

+
v
i
--

g
m1
v
i

v
d2

R
D

R
G

R
D

+
v
i

a) b)
+
v
o

C
gd1

T
1

r
o1

C
gs1

R
G

R
D

+
v
i

+
v
o

C
gd1

T
1

r
o1

C
gs1

T
2

r
o1

C
gs2

C
gd2

8-32
Ora, com o cascode, essa limitao ultrapassada e interessante perceber porqu. De facto, enquanto o valor absoluto
do ganho de tenso do transstor T
1
muito pequeno (prximo de 1) este transstor que fornece o ganho de corrente.
Inversamente, T
2

no d ganho de corrente (i
s2
=i
d2
), mas ele que providencia o ganho em tenso. Portanto, com esta
partilha de tarefas, conseguem recuperar-se ambos os ganhos sem sacrificar a resposta em frequncia.
8.8.2 Espelho de corrente
H muitas situaes em que, nos circuitos de amplificao, precisamos de utilizar fontes de corrente contnua, cujo
valor seja suscetvel de ser facilmente controlado e que apresentem uma resistncia de sada elevada. Para darmos
apenas dois exemplos, uma fonte de corrente na fonte do transstor fixa I
Fonte
e, desse modo, ficam tambm fixados
parmetros importantes com o g
m
ou o valor de r
o
.
Uma outra aplicao das fontes de corrente como carga ativa no dreno na configurao em fonte comum. A vantagem
desta soluo advm do seguinte: se usarmos uma resistncia R
D
como carga, se quisermos aumentar o ganho temos de
aumentar o seu valor o que tem, como consequncia, a necessidade de diminuir a corrente para evitar que o transstor
saia da zona de saturao. Ora tal diminuio de I
D
leva a uma diminuio do valor do g
m
, levando a que parte da
vantagem para o ganho em tenso, se perca. Ora, atravs do uso de uma fonte de corrente como carga no dreno
consegue-se desacoplar o valor da corrente contnua do valor da resistncia para sinal (que ser a resistncia da fonte de
corrente) e, consequentemente, ultrapassa-se o problema descrito.
Vejamos ento como se consegue, com os espelhos de corrente, obter este conjunto de caratersticas.
8.8.2.1 Caratersticas do espelho de corrente
O circuito do espelho de corrente o que est representado na Fig. 8-36 a). T
1
tem uma ligao entre o dreno e a fonte
que se designa, usualmente, por ligao como dodo
1
e que, como veremos, corresponde a uma resistncia relativamente
pequena (veremos, tambm, que essencialmente 1/g
m
), sobre a qual se impe uma corrente I
1
(atravs de uma fonte
ou, simplesmente, de uma resistncia ligada a uma tenso contnua positiva) que, por sua vez, determina a tenso V
GS.
O
facto de essa mesma tenso ser aplicada a T
2
faz com que a corrente I
2
essencialmente espelhe I
1
e da a designao de
espelho de corrente.
Na Fig. 8-36 b) os transstores foram substitudos pelos seus modelos e, em c) procedeu-se substituio da fonte de
corrente g
m1
v
gs1
por uma resistncia equivalente 1/g
m1
, que decorre da aplicao do teorema da absoro.

1
A atribuio desta designao vem por analogia com o que se passa com os transstores bipolares de juno, que mais tarde estudaremos.

8-33
O transstor T
1
quando percorrido por uma corrente i
1
, apresenta aos seus terminais uma tenso V
DS
= V
GS
= V
t
+
2i
1
k'
L
W

e uma resistncia equivalente que, como vimos 1 g
m
r
o
!1 g
m
. Essa corrente , portanto, espelhada no transstor T
2
,
ou seja, uma vez fixado o ponto de funcionamento dos dois transstores teremos, ento, que o transstor T
2
se vai
comportar como uma fonte de corrente de valor idntico ao imposto por i
1
com uma resistncia equivalente Norton de
valor r
o2
.
8.8.2.2 Combinao entre o espelho de corrente e o cascode
Como patente, o valor de r
o2
limita a aproximao a uma fonte de corrente ideal e do que vimos a propsito do
cascode, parece natural ensaiar a combinao das duas configuraes.
Na fig. 8-37 est representado um esquema em que, atravs do uso de um 2 transstor na malha da esquerda, se
consegue providenciar a polarizao adequada para o 2 transstor do cascode.
Decorre da anlise deste circuito e tendo em conta o que j estudmos, que pode ser representado por um circuito
equivalente como na fig. 8-37 b) em que a corrente i
2
ser muito prxima de i
1
, e a resistncia de sada, muito elevada.
8.8.2.3 Fonte de Widlar
H vrias outras variantes possveis para os espelhos de corrente, mas algumas delas sero deixadas para mais tarde
quando vierem a ser utilizadas em diversas aplicaes. Contudo, gostaramos, desde j, de dar conta de que, com uma

Fig. 8-36

Fig. 8-37
a) b) c)
r
o2

V
DD

R
D

T
2
T
1
r
o1

i
1

i
2

g
m1
v
gs1
r
o2
g
m2
v
gs2
+
v
gs1=
v
gs2



r
o1
i
1

R
D

i
2

1/g
m1 r
o2
g
m2
(r
o1
||1/g
m1
)i
1
r
o1
i
1

R
D

i
2

i
2
! i
1

V
DD

r
o4

T
4

T
3

a) b)
r
o3

r
o2

r
o1

i
1

T
2

T
1

R
o
! g
m4
r
o3
r
o4

8-34
topologia anloga dos espelhos de corrente possvel, usando uma relao entre a largura e comprimento de canal
diferente, nos dois transstores, conseguir que i
2
reproduza um valor amplificado de i
1
, concretamente que seja
i
2
!
W L ( )
2
W L ( )
1
i
1
.
Uma outra variante dos espelhos de corrente o chamado espelho de Widlar, representada na fig. 8-38.
Esta fonte apresenta duas caratersticas: por um lado, pela existncia de R
F2
a resistncia de sada no dreno de T
2
vem
aumentada ( R
o2
! g
m2
R
F2
r
o2
) e o valor de i
2
ser menor do que i
1
. Que menor, parece bvio j que a tenso v
gs1
ter
de, simultaneamente assegurar v
gs2
e a queda de tenso na resistncia R
F2
.
Ora, como v
GS1
= v
GS2
+ R
F2
i
2
podemos exprimir esta relao em funo de i
1
e i
2
(admitindo que os dois transstores so
iguais), da seguinte maneira:
v
GS1
= V
t
+
2
k' W L ( )
i
1
= V
t
+
2
k' W L ( )
i
2
+ R
F2
i
2

Finalmente, dados os valores que se pretendem para i
1
e i
2
fcil determinar o valor de R
F2
:
R
F2
=
2
k' W L ( )
i
1
! i
2 ( )
i
2

8.8.3 Par diferencial
Na fig.8-39 est representado um circuito geralmente conhecido como par diferencial. Este um circuito essencial
como andar de entrada da maior parte dos amplificadores porque, como veremos, providencia uma entrada diferencial,
bem caraterstica dos amplificadores operacionais que estudmos no captulo ...
A designao par diferencial advm do facto de, em certas condies, o circuito amplificar no o valor dos sinais v
i1
e
v
i2
mas sim a sua diferena, (v
i1
-v
i2
).

Fig. 8-38
r
o2

V
DD

R
D

T
2
T
1
r
o1

i
1

i
2

R
F1

8-35
Comecemos por supor que o circuito perfeitamente simtrico (isto , os dois transstores bem como as duas
resistncias de dreno, so iguais) pelo que se as tenses nas duas portas forem iguais, a corrente I
S
divide-se igualmente
pelos dois transstores.
Suponhamos ento que temos um valor de polarizao V
GS
= V
GS1
= V
GS2
. Resultar que a corrente em ambos os
transstores ser igual a I
S
/2, tal que
I
S
2
=
1
2
k'
W
L
V
GS
!V
t
( )
2
.
Se agora variarmos as duas tenses das portas volta deste valor, tal que essa variao seja simtricas, i.e. v
i1
= -v
i2
e se
designarmos por v
id
= v
i1
- v
i2
, podemos procurar ver como que as correntes nos dois transstores variam em funo de
v
iD
, Note-se que podemos escrever
i
D1
=
1
2
k'
w
L
v
GS1
!V
t
( )
2
= Kv
OV1
2
i
D2
=
1
2
k'
w
L
v
GS2
!V
t
( )
2
= Kv
OV 2
2

de onde deduzimos que
v
ID
= v
GS1
! v
GS2
= v
OV1
! v
OV 2
=
i
D1
! i
D2
K

e como i
D1
+ i
D1
= I
F
, constante, possvel obter os valores de i
D1
e i
D2
:
i
D1
=
I
F
2
+
v
ID
2V
OV
I
F
1!
v
ID
2V
OV
"
#
$
%
&
'
2
i
D2
=
I
F
2
!
v
ID
2V
OV
I
F
1!
v
ID
2V
OV
"
#
$
%
&
'
2
(8.13)
Na fig. 8-40 esto representados estes valores, em funo de v
ID
:

Fig. 8-39

Fig. 8-40
V
DD

R
D

T
2
T
1

I
S

+
v
I1

R
D

+
v
I2

+
v
O2

+
v
O1

+v
OD

!
!#$
!#%
!#&
!#'
!#(
!#)
!#*
!#+
!#,
$
-!#* -!#) -!#( -!#' -!#& -!#% -!#$ ! !#$ !#% !#& !#' !#( !#) !#*
i
D1

i
D2

I
F

v
DI

8-36
Note-se que para valores de v
id
prximos de zero ( volta do ponto de cruzamento das duas curvas de corrente) se
pudermos supor que v
id
V
OV
, as expresses 8.11 transformam-se no seguinte:
i
D1,2
!
I
F
2

v
ID
2V
OV
I
F
(8.14)
e a transcondutncia,
di
D1,2
dv
iD
=
i
d1,2
v
id
=
I
F
2
V
OV
, valor esse que metade do que o valor de g
m
de um MOSFET polarizado
com a corrente I
F
/2.
Este valor poderia ser obtido com um raciocnio alternativo, que pode ser seguido com base na fig. 8-41 cujo contedo
passamos a descrever:
Note-se que o ponto comum das fontes, se os transstores forem iguais e se as duas entradas forem simtricas, est
virtualmente ligado massa j que, devido simetria do circuito, a tenso de sinal nas fontes ser necessariamente nula.
Ento, aplicando simetricamente um sinal v
id
entre as duas entradas (+v
id
/2 na entrada 1 e -v
id
/2 na entrada 2) a corrente
em cada uma das entradas ser i
d1,2
= g
m
v
gs
= g
m
v
id
2
ou seja,
i
d1,2
v
id
=
g
m
2
e se tomarmos o valor do g
m
do MOSFET
como anteriormente vimos na seco ..., g
m
=
2I
D
V
OV
=
I
S
V
OV
, somos conduzidos expresso
i
d1,2
v
id
=
I
S
2V
OV
que coincide o
que foi acima obtido.
Tambm a partir da fig. 8-41 podemos ver que, se tomarmos as sadas unipolares v
o1,2
, o ganho ser

A
V1,2
=
v
o1,2
v
id
= !
g
m
R
D
2
e o ganho para a sada diferencial, v
od
= v
o1
- v
o2
, ser dado por A
Vd
=
v
od
v
id
= !g
m
R
D
,
A utilizao de sadas unipolares ou da sada diferencial depende das ligaes na sada do par diferencial. A sada
diferencial tomada, por exemplo, quando queremos acoplar este andar de amplificao a um segundo andar
diferencial.
8.8.3.1 Ganho diferencial e em modo comum
Consideremos, agora, que os sinais nas duas entradas no so simtricos. Ento, como vimos na seco ..., v
i1
e v
i2
podem ser expressos em funo da sua diferena, v
id
= v
i1
- v
i2
e do seu valor mdio v
ic
= (v
i1
+ v
i2
)/2 (o que designamos
por modo comum) da seguinte forma:

Fig. 8-41
R
D

T
2
T
1

+
+v
d
/2

R
D

+

v
o2


+ v
od


+

-v
d
/2

+

v
o1


i
d1
i
d2


8-37
v
i1,2
= v
ic

v
id
2

Ento, se supusermos que os sinais so suficientemente pequenos para podermos tomar a aproximao linear, podemos
usar o teorema da sobreposio e analisar primeiro a situao em que v
i1 =
- v
i2
, ou seja, v
ic
=0, e depois aquela em que
v
i1
= v
i2
ou seja, v
id
=0 e, somando os resultados, obtemos uma soluo geral.
Entrada diferencial: Comecemos, ento, por analisar a resposta do circuito a uma entrada diferencial, i.e. quando v
ic
=0.
A situao exatamente a que acabmos de analisar na alnea anterior, isto , o ganho diferencial para cada uma das
sadas ser

A
vd
= !
g
m
R
D
2
(8.15)
Entrada em modo comum: Vamos ento analisar, agora, a situao em que v
id
=0 ou seja, as duas entradas so iguais e,
portanto v
ic
= v
i1
= v
i 2
.
No caso ideal em que existe uma fonte de corrente na fonte dos transstores, com sinais iguais nas duas portas as
correntes nos dois transstores permanecem iguais e como a sua soma no se altera tambm o seu valor se mantm
constante. Em resultado disto, no aparecero na sada nem sinais unipolares nem diferenciais.
Contudo, em condies reais existe sempre uma resistncia finita na fonte de corrente e, nesse caso, o ganho em modo
comum A
C1,2
=
v
o1,2
v
ic
deixa de ser nulo .
Para a anlise desta situao til usar o esquema da Fig. 8-42. Em a) est representado o circuito completo, supondo
que as tenses nas duas entradas so idnticas. Em b) est representado o respetivo circuito para sinal e, em c)
dividimos R
S
no paralelo de duas resistncias 2R
S
que, obviamente, em condies exatamente simtricas levaro a que,
na ligao representada a tracejado, no circule corrente. Ento, essa ligao pode ser suprimida e obteremos, para cada
transstor, um circuito como o que, na alnea d) est apenas representado para T
1
.
Podemos, ento, escrever, tendo em ateno de que T
1
se comporta como sendo uma configurao em fonte comum,
com resistncia de fonte:

Fig. 8-42
2R
F

+
v
O2

V
DD

R
D

T
2
T
1

I
F

+
v
IC

R
D

+
v
IC

+
v
O1

+v
OD

R
S

R
D

T
2
T
1

R
D

+

v
o2


+ v
od

+

v
o1


R
S

+
v
ic

+

v
o1


R
D

T
2
T
1

R
D

+

v
o2


+ v
od

2R
S

+
v
ic

2R
S

a) b) c) d)
R
D

T
1

+

v
o1


+
v
ic

8-38
A
C
=
v
o1
v
ic
= !
R
D
1
g
m
+ 2R
S
(8.16)
Como R
S
, em geral, muito elevado, o ganho ser aproximadamente A ! "
R
D
2R
F
e ter um valor muito pequeno. Note-
se que, em caso de perfeita simetria, o ganho em modo comum relativamente ao sinal de sada, diferencial, ser sempre
nulo, h que os dois ganhos unipolares, em modo comum, so idnticos.
8.8.3.2 Ganho diferencial e de modo comum, considerando r
o

Nos pargrafos anteriores considermos sempre que quer os transstores quer as resistncias eram idnticos e que a
resistncia r
o
era infinita. Embora continuemos a supor a situao totalmente simtrica, vamos ver o que sucede se a
resistncia r
o
for finita.
Para procedermos a este estudo, retomamos, na Fig. 8-43 os circuitos da Fig. 8-41 e da Fig. 8-42 d), agora com a
considerao das resistncias r
o.
Note-se que estes circuitos mantm a validade j que a sua derivao no
condicionada pela considerao ou no de r
o
.
Ganho diferencial: Para a determinao do ganho diferencial, em que tomamos os sinais simtricos, a resistncia r
o
de
cada transstor fica, para todos os efeitos, como se estivesse ligada massa, j que a tenso nas fontes mantm um valor
(de sinal) nulo. Assim, essa resistncia aparecer em paralelo com o R
D
ser sempre um fator limitativo do ganho do
diferencial.

A
vd
= !
g
m
R
D
r
o
2
(8.17)
Ganho em modo comum: na fig. 8-43 b) est representado apenas um transstor, nas condies atrs explicadas. Assim,
o ganho em modo comum fica pouco alterado, como foi visto no estudo feito a propsito da configurao em fonte
comum com resistncia de fonte, na seco 8.2.2. Com efeito, esse ganho, para cada uma das sadas, ser dado pela
seguinte expresso:
A
C1,2
= !
R
D
1
g
m
+ R
S
+
R
S
+ R
D
g
m
r
o
(8.18)

Fig. 8-43
R
D

T
2
T
1

R
D

+

v
o2


+

v
o1


r
o

r
o

R
D

T
1

+

v
o1


+
v
ic

r
o

a) b)

8-39
Embora o fator g
m
r
o
seja, em geral muito elevado, o que faz com que o ganho venha pouco afetado, o seu efeito,
contudo, ainda no sentido mais conveniente que o da diminuio do ganho em modo comum, que para um
amplificador diferencial, se pretende que seja pequeno. Alm disso, como tambm vimos atrs, a resistncia de sada
vista do dreno do transstor, para o seu interior aproximadamente R
o
" g
m
R
S
r
o
, o seu valor muito elevado e,
consequentemente, pouco afeta o efeito de R
D
.
8.8.3.3 Razo de rejeio em modo comum
No projeto de amplificadores diferenciais, como tivemos j a oportunidade de referir, nomeadamente quando
estudmos, no captulo 4, os amplificadores operacionais, pretende-se obter um bom ganho diferencial e,
simultaneamente, um ganho em modo comum to pequeno quanto possvel. Ento natural que possamos exprimir um
fator de qualidade destes andares relacionado com a relao entre estes dois ganhos. A tal fator chamamos fator de
rejeio do modo comum e habitual ele ser designado pela sigla correspondente expresso inglesa common mode
rejection ratio, CMRR, e expresso em dB:
CMRR = 20log
A
d
A
c

No caso que estivemos a considerar, este a relao entre A
d
e A
c
valer
A
d
A
C
=
r
o
R
D
+ r
o
1+ g
m
R
S
+
R
S
+ R
D
r
o
!
"
#
$
%
&
'
g
m
R
S
r
o
R
D
+ r
o

que se tivermos em conta que R
S
normalmente, uma resistncia de elevado valor, conduz a um CMRR tambm
elevado. Para termos uma noo de ordem de grandeza, se R
S
e R
D
forem de valor semelhante ao de r
o
o valor que se
obtm
A
d
A
c
!
g
m
r
o
2
=
I
D
V
OV
1
"I
D
=
1
"V
OV

8.8.4 Utilizao de fontes de corrente como carga ativa
Como podemos ver das expresses (8.15) e (8.17), o aumento do valor do ganho diferencial s pode ser conseguido
pelo aumento de R
D
pelo que a sua substituio por uma carga ativa constituda por uma fonte de corrente uma boa
soluo, como j realamos na introduo no ponto 8.8.2.
Contudo, o aumento do valor de R
D
, como se v nas expresses (8.16) e (8.18), tem tambm o efeito de aumentar o
ganho em modo comum o que, por sua vez, s pode ser compensado por um aumento da resistncia R
S
.
Estas so pois, boas razes, para se usar as fontes de corrente como carga ativa em ambos os terminais, isto , quer
como carga nos drenos quer como fonte de corrente nas fontes. Um possvel circuito o que est representado na Fig.
8-44.
Este circuito apresenta j uma complexidade significativa, sendo contudo suscetvel de uma primeira anlise
relativamente simples.
Vejamos, para comear, o papel de cada transstor e a corrente que nele passar.
8-40
Comecemos pelo transstor T
6
: este transstor ligado como um dodo, espelhar a sua corrente em T
7
e T
8
(iremos ver
que necessrio que W L ( )
8
= 2 ! W L ( )
6
). Por sua vez, T
7
impor a corrente em T
3
, que um transstor canal p
ligado, de novo, como dodo e, por sua vez, essa corrente espelhada em T
4
e T
5.

Percebe-se agora a necessidade de T
8
apresentar uma maior relao W/L, para impor uma corrente 2xI e permitir que os
pares T
1
/T
4
e T
2
/T
5
tenham a mesma corrente I.
Estabelecidas as correntes de polarizao, podemos agora ver quo simples, no final, este circuito se apresenta para
sinal. De facto, os nicos elementos ativos sero T
1
e T
2
, sendo T
3
, T
6
e T
7
apenas elementos determinantes na
polarizao e T
4
, T
5
e T
8
suscetveis de apenas serem representados pelas suas resistncias r
o
.
8.8.5 Par diferencial com espelho de corrente como carga ativa
Vejamos, para finalizar este captulo, o circuito representado na Fig. 8-46.
Esta configurao , aparentemente, mais simples do que a anterior j que a carga nos drenos no necessita do circuito
de polarizao que, na fig.8-44 era constitudo pelos transstores T
3
e T
7
e, simultaneamente, no precisamos de exigir
que (W/L)
6
seja o dobro de (W/L)
3
porque T
4
e T
5
se adaptam automaticamente corrente disponvel, neste caso (e em
situao de equilbrio) I
T4,5
=I/2.
Contudo, esta simplicidade um pouco enganosa e, como veremos, a configurao apresenta propriedades interessantes
e algumas caratersticas melhoradas mas, contudo, um pouco mais complicada de analisar.

Fig. 8-44

Fig. 8-45
V
DD

T
2
T
1
I
+
v
I1

+
v
I2

v
O2
v
O1
V
SS

T
4

T
3

T
5

T
7

T
6

T
8

r
o1

r
o2

r
o4
r
o5

r
o8

T
2
T
1

r
o5

+

v
o2


+

v
o1


+
v
i1

+
v
i2

r
o4

r
o8

r
o1

r
o2


8-41
8.8.5.1 Limites ao valor da entrada em modo comum:
Para comear a anlise, vejamos os limites que se tm de impor ao sinal em modo comum por forma a garantir que
todos os transstores se mantm na zona de saturao.
Para que T
6
se mantenha saturado, necessrio que a tenso no seu dreno seja tal que V
D6
>V
SS
+ V
GS6
!V
t
( ) = V
SS
+V
OV 6

Ento, o valor mnimo da tenso de modo comum, na entrada, dever ser V
ICmn
= V
GS1,2
+ V
SS
+V
OV 6
( ) que tambm
podemos escrever como V
ICmn
= V
SS
+V
OV 6
+V
OV1,2
+V
t
.
Relativamente ao valor mximo que o sinal de modo comum pode apresentar, a questo da saturao coloca-se quer
para T
4,5
quer para T
1,2
. Ambos devero ter a tenso V
DS
$ V
OV
ou seja V
ICMx
= V
DD
!V
OV 4,5
+V
t
. Ento, podemos
escrever, V
SS
+V
OV 6
+V
OV1,2
+V
t
!V
IC
!V
DD
"V
OV 4,5
+V
t
.
8.8.5.2 Anlise para sinal
Ganho diferencial: Para proceder anlise para sinal, comecemos por ver a resposta do circuito a um sinal diferencial
v
id
= v
i1
! v
i 2
, supondo que o modo comum, v
ic
=
v
i1
+ v
i 2
2
= 0 . Numa anlise direta, desde que os transstores sejam
todos iguais, as correntes de T
4
e T
5
so iguais entre si e iguais tambm corrente de T
1
que, por sua vez, simtrica da
corrente em T
2
, como est indicado na figura.
Ora, se como tnhamos visto, a corrente em T
1
ser dada por i = g
m
v
id
2
, essa mesma corrente passa em T
4
e espelhada
em T
5
. Ento, no ponto comum dos drenos de T
2
e T
5
a corrente que fluir para uma eventual carga R
L
ser 2i = g
m
v
id
,
recuperando-se a transcondutncia que se obtinha apenas com um transstor na configurao em fonte comum, mas com
a vantagem de termos agora um sinal diferencial. Relembre-se que, para efeito de um sinal diferencial, a carga nos
drenos ser o paralelo das resistncias r
o2
e r
o5
com R
L
.
Ganho em modo comum: Vejamos o que sucede em modo comum: se considerarmos agora que v
ic
= v
i1
= v
i 2
, de que

Fig. 8-46
V
DD

T
2
T
1
I
+
v
I1

+
v
I2

v
O2 v
O1
V
SS

T
4
T
5

T
3
T
6

i i
i i
2i
R
L

8-42
resulta que v
id
= 0 , a corrente de sinal em T
1
e T
2
ser igual (embora, normalmente, muito pequena) e como o mesmo
acontecer entre T
1
e T
4
e, depois, entre T
4
e T
5
, a corrente em T
2
e T
5
ser a mesma no indo qualquer corrente para a
carga. Isto significa que o ganho em modo comum praticamente nulo.
De novo, recordemos que essa carga, em termos do sinal em modo comum ser apenas r
o5
em paralelo com R
D
, j que a
resistncia vista para o interior de T
2
ser muito elevada (essencialmente g
m2
r
o2
r
o6
).
Esta , portanto, uma configurao que apresenta muitas vantagens e que corresponde topologia mais usada em
andares de amplificao. A sua anlise mais detalhada, para sinal, pode ser feita com base no circuito da Fig. 8-47.
Contudo, no iremos proceder a tal anlise, nesta fase da matria, em que apenas pretendemos dar os conceitos bsicos
sobre andares diferenciais. Mais tarde, este estudo ser retomado e teremos a oportunidade de ver, mais uma vez, que a
limitao principal ao valor do ganho est relacionada com os valores dos r
o
pode ser ultrapassada pelo uso sistemtico
de andares cascode.


Fig. 8-47
T
2
T
1
+

v
o


+
v
i1

+
v
i2

r
o4

r
o6

r
o1
r
o2

r
o5

1/g
m4

i i

9-1








Captulo 9







Transstores bipolares de juno

9-2
ndice do Captulo 9
! Transstores bipolares de juno
9.1 Introduo 9-3
9.2 Estrutura e princpio de funcionamento do BJT 9-3
9.2.1 Uma primeira anlise do funcionamento de circuitos com transstores bipolares 9-5
9.3 Correntes no transstor bipolar 9-7
9.3.1 Distribuio de cargas e corrente de coletor 9-7
9.3.2 Corrente de base 9-8
9.3.3 Corrente de emissor. 9-8
9.3.4 Corrente inversa coletor base 9-8
9.4 Modelos do transstor bipolar de juno 9-8
9.4.1 Modelo para a polarizao direta 9-8
9.4.2 Polarizao inversa 9-9
9.4.3 Modelo de Ebers-Moll 9-10
9.4.4 Modos de funcionamento do transstor bipolar 9-10
9.4.5 Caratersticas tenso corrente 9-12
9.4.6 Modulao da largura de base: r
o
9-13
9.5 Modelo do transstor bipolar, para sinal 9-14
9.5.1 Modelo em p, para sinal 9-16
9.5.2 Modelo em T, para sinal 9-16
9.6 O parmetro b e os parmetros hh 9-17
9.6.1 Os parmetros hh 9-18
9.7 O transstor em saturao 9-18
9.8 Capacidades do transstor bipolar 9-19
9.8.1 Modelo p para as altas frequncias 9-20
9.8.2 Parmetros do BJT s altas frequncias 9-20
9.9 Disrupo nos transstores BJT 9-22







9-3
9 Transstores bipolares de juno
9.1 Introduo
O transstor bipolar de juno (BJT
1
) um dispositivo semicondutor, com trs terminais, em que a tenso entre dois
deles controla a corrente no terceiro. Do ponto de vista funcional, o que se obtm no muito diferente do que se viu a
propsito dos transstores de efeito de campo mas, do ponto de vista conceptual e construtivo, as diferenas so
significativas.
O transstor bipolar foi, contudo, historicamente anterior ao transstor de efeito de campo
2
, tendo dominado o panorama
da eletrnica durante muitos anos. Hoje, a percentagem de dispositivos em uso baseados nesta tecnologia largamente
minoritria mas, em certas aplicaes, o BJT ainda um dispositivo importante.
Para compreender o funcionamento do BJT, comear-se- por introduzir o esquema construtivo que, por si s, permite a
compreenso da operao do dispositivo bem como as condies que devem ser impostas quanto geometria,
dimenses e dopagem dos vrios constituintes. Posteriormente far-se- o estudo mais detalhado e quantitativo do seu
funcionamento.
9.2 Estrutura e princpio de funcionamento do BJT
Considere-se a Fig. 9-1 em que se representam trs regies do silcio dopado respetivamente de tipo n, p e n, entre as
quais se formam duas junes. Considere-se, ainda, que se aplicam nestas junes as tenses indicadas na figura.
regio da esquerda chamar-se- emissor e da direita coletor estando unidas pelo que se designa regio da base. Estas
designaes sero fceis de entender no prosseguimento do estudo e tm a ver com a respetiva funo.
Note-se, desde j que a dopagem da regio de emissor muito maior do que a dopagem da regio da base, sendo que as
notaes n
++
e p
-
pretendem, precisamente, representar essa caraterstica. Alm disso, a regio da base , supostamente,
bastante estreita.

1
BJT: acrnimo da designao inglesa Bipolar Junction Transistor
2
O transstor bipolar de contacto foi inventado em dezembro de 1947 nos laboratrios Bell por John Bardeen e Walter Brattain sob a direo d
William Shockley. A verso que designamos por transstor bipolar de juno, foi inventada por Shockley em 1948.

Fig. 9-1
V
CB
V
BE

n
++
n
Emissor Base Coletor
p
-

9-4
Se, ao dispositivo com estas caratersticas, aplicarmos as tenses indicadas na figura, i.e., polarizando diretamente a
juno base-emissor e, inversamente, a juno base coletor, a corrente que se estabelece no dodo emissor-base ,
sobretudo, da responsabilidade dos eletres que partem do emissor e, muito menos da responsabilidade das lacunas que
partem da base, devido sua muito mais baixa concentrao de portadores. A representao do fluxo de portadores
dada na Fig. 9-2 pretende transmitir essa noo.
Repare-se, agora, que os eletres que atravessam a juno base-emissor ficam sujeitos a um campo eltrico provocado
pela tenso positiva do lado do coletor e tendem a atravessar a juno (inversamente polarizada, note-se) base-coletor.
Se a regio da base for efetivamente muito estreita, a probabilidade de recombinao dos eletres vindos do emissor
pequena e uma grande percentagem ser recolhida pelo coletor. Ento, a corrente de coletor ser quase igual de
emissor, descontada, por um lado a parcela de eletres que se recombina na base e, por outro, a componente da corrente
da responsabilidade das lacunas que atravessam no sentido da base para o emissor e que, evidentemente, no so
recolhidas pelo coletor.
Por sua vez, a corrente de base ter um pequeno valor e ser devida s lacunas que so injetadas a partir da regio da
base e que se difundem na regio do emissor bem como os eletres que, injetados a partir do emissor, se difundem na
base e recombinam, devendo existir um componente de corrente de base que compense as lacunas que, assim,
desaparecem. Admita-se que, nestas condies a corrente da base estar relacionada com a corrente de coletor por um
fator !, i
B
=
i
C
!
, com ! muito elevado, da ordem das centenas.
Finalmente, diremos que, do ponto de vista construtivo (ver apndice A) o modo como as trs regies se posicionam,
muito diferente do que foi representado nas figuras anteriores j que o coletor envolve as outras regies, numa
geometria que facilita a captura dos portadores que, vindos do emissor, se difundem na regio da base.
Este modo de funcionamento do transstor BJT com as tenses V
BE
e V
BC
com a polaridade indicada, corresponde quilo
que designaremos por modo ativo. Mais adiante teremos a oportunidade de ver que este no o nico modo de
funcionar do transstor mas podemos desde j afirmar que, para aplicaes de amplificao, este o modo de
funcionamento mais interessante e que continuaremos a estudar nas seces seguintes.

Fig. 9-2

Fig. 9-3
V
CB
V
BE

Emissor Base Coletor
- -
-
-
+
+
n p
-
n
++

Coletor Emissor Base

9-5
Note-se ainda que seria possvel obter uma funcionalidade idntica se se tivesse feito a troca entre as regies n e p com
as naturais mudanas nas tenses utilizadas. O transstor apresentado nas seces anteriores o que designamos por
NPN enquanto que o que se obteria com a troca indicada seria um PNP. Na Fig. 9-4 esto representados os smbolos
utlizados para os dois tipos de transstores.
9.2.1 Primeira anlise do funcionamento de circuitos com transstores bipolares
Vamos agora ver que a anlise qualitativa que fizemos do funcionamento do BJT permite, por si s, tirar algumas
concluses sobre as condies de funcionamento de circuitos simples com transstores bipolares.
Considerem-se os circuitos das Fig. 9-6 a) e b). Considere-se ainda que ambos os transstores tm um ganho em
corrente ! =
I
C
I
B
=100 e que se pode considerar, para efeitos do clculo das correntes e tenses, que V
BE
= 0.7V .
9.2.1.1 Anlise do circuito da fig. Fig. 9-5 a)
Note-se que o transstor usado do tipo PNP pelo que possvel, de imediato, estabelecer que a tenso do emissor
massa (ou seja, do emissor base), V
EB
= 0.7V. Daqui se pode deduzir que I
E
=
15 ! 0.7
20k
= 0.735mA . Numa primeira
aproximao, podemos dizer que a corrente de coletor I
C
ter um valor aproximadamente igual do emissor (a menos
da corrente de base que ser, segundo os dados, 100 vezes menor), pelo que a tenso do coletor massa ser tal que

V
C
! 0.735mA"10k #15V = #7.65V

Fig. 9-4

Fig. 9-5
i
E
i
C
Transstor PNP

a) b)
B

E

C

i
B
i
C
B

C

E

i
E
i
B
Transstor NPN

a) b)
V
CC
=+15V
R
B
=250k
V
BB

I
C
V
E
I
E
I
B
R
E
=20k
R
C
=10k
V
EE
=+15V
V
C
V
CC
=-15V
9-6
Nestas circunstncias a tenso entre base e coletor ser negativa e o dodo base-coletor estar inversamente polarizado o
que coloca o transstor no modo ativo.
9.2.1.2 Anlise do circuito da Fig. 9-5 b)
Considere-se agora o circuito da Fig. 9-5 b). Note-se que o transstor NPN com o emissor massa pelo que a tenso
na base dever ser V
BE
= 0.7V . Ento, para um dado V
BB
(cujo valor, na figura, no fixado) a corrente de base valer
I
B
=
V
BB
! 0.7
250k"
e, como a corrente do coletor ser ! =100 vezes maior, a tenso entre o dreno e o emissor ser
V
CE
=15V !10k"#100I
B
=15V !10k" 100
V
BB
! 0.7
250k"
$
%
&
'
(
)
=15V ! 4 V
BB
! 0.7 ( )
Tomem-se, agora, trs valores diferentes para V
BB
:
i) V
BB
<0.5V
Nestas circunstncias a juno base-emissor estar abaixo do limiar de conduo e, como a juno base-coletor est
tambm inversamente polarizada, o transstor encontra-se na situao de corte e, portanto no haver nem corrente de
base nem de coletor pelo que a tenso de coletor, V
CE
=V
CC
=15V.
ii) V
BB
=2.7V
Para V
BB
=2.7V, podemos determinar a corrente de base que ter o valor I
B
=
2.7V ! 0.7V
250k"
= 8A . A corrente de coletor
valer ento I
C
=100I
B
= 0.8mA e a tenso no coletor ser V
CE
=15V !10k " 0.8mA = 7V . Ento, a juno base coletor
estar inversamente polarizada e o transstor encontrar-se- efetivamente, no modo ativo.
iii) V
BB
!4.4V
Comecemos por tomar o valor V
BB
=4.4V. Ento, das expresses anteriores pode determinar-se I
B
=
4.4 ! 0.7
250k"
=14.8A ,
bem como I
C
=100I
B
=1.48mA e V
CE
=15 !14.8 = 0.2V . Nessas circunstncias, a juno base coletor ter uma tenso
V
BC
= V
BE
!V
CE
= 0.7 ! 0.2 = 0.5V e encontra-se no limiar de conduo pelo que, se V
BB
aumentar, aumenta I
B
e,
portanto, I
C
e V
R
. Nessas circunstncias, a juno tender a ficar diretamente polarizada e deixar de estar em condies
de atrair os eletres que, emitidos do emissor se difundem na base. Alm disso, o aumento da corrente do coletor ser
muito pequeno porque, mesmo que V
CE
fosse a zero, obteramos I
C
=15mA, portanto pouco superior ao que se obteve
acima.
Diz-se, nestas condies, que o transstor BJT est no modo saturado. Esta designao requer alguma ateno porque,
apesar das semelhanas funcionais que se podem encontrar entre o BJT e o MOSFET, a designao de saturao para o
ltimo, que j vramos atrs no captulo 7, corresponde ao que para o BJT designamos por modo ativo enquanto que o
que agora designamos por saturao correspondia, no MOSFET, chamada regio trodo.
Esta situao com razes histricas pode gerar uma considervel confuso e, no caso do BJT corresponde, at, a uma
opo ambgua. Na realidade, se se analisar o circuito, quem impe uma limitao ao valor da corrente de coletor no
o transstor, o circuito externo atravs do valor de V
CC
e de R
C
e, portanto, em certo sentido o circuito que satura.
Adiante, aps a anlise quantitativa do funcionamento do BJT, a questo da saturao ser analisada em mais pormenor.

9-7

9.3 Correntes no transstor bipolar
9.3.1 Distribuio de cargas e corrente de coletor
Com a polarizao indicada e se se tiver em conta o estudo feito no captulo 5 quanto ao comportamento das junes na
polarizao direta ou inversa, podemos recordar que a distribuio dos portadores minoritrios, nas trs regies, ser a
que est esquematicamente representada na Fig. 9-6.
De notar os eletres que se difundem na base apresentaro uma concentrao nula junto juno base-coletor (devido a
esta estar inversamente polarizada) e tm uma distribuio aproximadamente linear na regio da base. Na realidade isso
no exatamente verdade j que alguns eletres se recombinam com as lacunas que, embora com baixa densidade,
existem na base, pelo que a curva ser mais do tipo apresentado a tracejado. Repare-se que a derivada dessa curva
maior junto juno de emissor do que na juno com o coletor, correspondendo isso a uma diminuio da corrente de
difuso.
Contudo, se as condies anteriormente expressas se verificarem (isto , que a concentrao N
D
no emissor seja tal que
N
D
N
A
na base e que a largura efetiva da base, W
eB
seja muito pequena) a corrente de coletor ser, praticamente igual
corrente de difuso na base cuja densidade , por sua vez e como vimos no captulo 5, dada por
J
n
dif
= qD
n
dn
p
x ( )
dx

Assim sendo, a corrente de coletor ser suscetvel de ser obtida por multiplicao da densidade de corrente pela rea da
juno, A, e, se considerarmos a variao da concentrao linear, o gradiente da concentrao tal que
dn
p
x ( )
dx
=
n
p
x
2
( )
W
eB
. Pode, ento, escrever-se,
i
C
= AJ
n
dif
! Aqn
i
2
D
n
W
eB
N
A
e
V
D
V
T


Fig. 9-6
Largura efetiva da base
W
eB

!
"
#$
%
&
"
!(
#$
%
&
"
!)(

! #
!
"
#$&*!
")

"
!(
#$&*"
!)(

$
%
$
+

R
e
g
i

o

d
e

d
e
p
l
e

o


d
a

j
u
n

o

B
E

R
e
g
i

o

d
e

d
e
p
l
e

o


d
a

j
u
n

o

B
C

$
,
$
-

Emissor
Base Coletor
"
!).

9-8
j que, recorde-se, n
p
x
2
( ) =
n
i
2
N
A
e
v
D
V
T
. Se se designar por Q
B
= W
eB
N
A
a carga na base, por unidade de superfcie,
podemos escrever
i
C
= Aqn
i
2
D
n
Q
B
e
V
D
V
T
= I
S
e
V
D
V
T

com I
S
=
Aqn
i
2
D
n
Q
B
.
O parmetro Q
B
torna-se, ento, determinante no estabelecimento das caratersticas do transstor.
9.3.2 Corrente de base
Como se viu atrs, a corrente de base tem duas componentes: a primeira componente correspondente injeo de
lacunas da base para o emissor, que essencialmente proporcional a e
V
D
V
T
e dopagem da base; a segunda componente
corresponde necessria compensao das lacunas que desaparecem por recombinao com os eletres, quando estes se
difundem na regio da base. Esta componente que , em geral, muito menor do que a anterior ser proporcional
densidade de portadores na base junto juno, n
p
(x
2
), e largura da base, W
eB
. Note-se que como n
p
(x
2
) tambm, por
sua vez, proporcional a e
V
D
V
T
. Assim sendo a corrente da base ser proporcional a I
C
: i
B
=
i
C
!
=
I
S
!
e
V
D
V
T
. O parmetro !
designado pelo ganho em corrente com o emissor comum, ou seja, o ganho de corrente da base para o coletor e
apresenta um valor muito elevado, em geral, da ordem de grandeza das centenas.
9.3.3 Corrente de emissor.
A partir dos esquemas da fig. 9-3 e considerando o sentido indicado, podemos escrever i
E
= i
B
+ i
C
do que resulta
i
E
=
i
C
!
+ i
C
= i
C
1
!
+1
"
#
$
%
&
'
=
i
C
(
com ! =
"
" +1
#1$
1
"
e ! =
"
" #1
$
1
" #1

que um valor menor mas praticamente igual a 1 (se ! = 200 "# = 0.995 mas, se ! = 500 "# = 0.998 ).
9.3.4 Corrente inversa coletor base
Em todos os clculos anteriormente feitos, desprezmos sempre a corrente inversa devida aos portadores minoritrios
de origem trmica. Contudo, na prtica verifica-se que, se polarizarmos o coletor do transstor NPN com uma tenso
positiva em relao base, deixando o emissor em aberto, circular uma corrente que designamos por I
CBO
3
que
superior que se poderia esperar teoricamente e que tem uma componente devido a fugas que fortemente dependente
de V
CB
e da temperatura. Em geral considera-se que I
CBO
duplica em cada 10C de variao de temperatura.
9.4 Modelos do transstor bipolar de juno
9.4.1 Modelo para a polarizao direta
Do estudo das correntes do BJT, sua natureza e suas relaes, bem como do conhecimento prvio do funcionamento e

3
No ndice CBO, CB significa que a corrente do coletor para a base e o O indica que o emissor est aberto (open em ingls)

9-9
caratersticas do dodo de juno, possvel, para o modo de funcionamento do transstor induzido pelas polarizaes
at agora utilizadas (i.e. juno BE diretamente polarizada e juno BC inversamente polarizada, a que chamamos
modo ativo) estabelecer modelos do dispositivo com representado na Fig. 9-7 a) e b).
Chama-se, desde j a ateno para o facto de haver largas semelhanas entre estes modelos e os que anteriormente
foram apresentados para o MOSFET, bem como para que o modelo em a) corresponder ao que designmos por modelo
em T enquanto o da Fig. 9-7 b) corresponder ao modelo em !.
9.4.2 Polarizao inversa
Embora do ponto de vista geomtrico e da dopagem das diversas regies, o transstor bipolar no seja um dispositivo
simtrico, possvel pensar que, se invertermos as polaridades, o seu comportamento poder ainda ser semelhante.
Contudo, dadas as referidas diferenas das caratersticas das duas regies, de admitir que o fator " que nas condies
que estivemos a analisar tinha um valor muito prximo de 1, invertendo os papis do emissor e do coletor possa um
valor muito menor. Isto , de facto assim e, nesta seco e para efeito da compreenso das duas situaes, iremos
designar dois " diferentes, o do caso normal que designaremos "
F
(do ingls forward que traduzimos por direto) e
o da situao que designamos por polarizao inversa, por "
R
(do ingls reverse). Nestas circunstncias, poder-se-
estabelecer um novo modelo para o transstor como representado na Fig. 9-8.

Fig. 9-7

Fig. 9-8
B
E
C
v
BE

i
B

i
C
=I
S
e
v
BE
/V
T

i
E
=


i
C

!
i
B

B
E
C
v
BE

i
C
=I
S
e
v
BE
/V
T

i
B
=


i
C

!
a) b)
B
E
C
v
BC

i
B

i
E
=I
S
e
v
BC
/V
T

i
C
=


i
E

!
R

9-10
9.4.3 Modelo de Ebers-Moll
Se, agora se combinar os dois modelos anteriormente apresentados, obtemos o esquema representado na Fig. 9-9 que
conhecido pelo modelo Ebers-Moll e que se prova que representa de modo adequado o funcionamento do BJT
quaisquer que sejam as condies de polarizao, i.e., quaisquer que sejam os valores estabelecidos para v
BE
e v
CB
.
Note-se que, neste esquema acrescentmos, nos ndices das correntes nos dodos a letra D para separar essa corrente da
corrente total, quer seja para o emissor quer para o coletor. Note-se, ainda, que voltamos a incluir, na expresso da
corrente do dodo, a parcela -1 porque ela apenas sistematicamente desprezvel quando V
D
/V
t
1 o que no pode ser
assumido se queremos que este modelo represente o transstor quaisquer que sejam as tenses de polarizao.
9.4.4 Modos de funcionamento do transstor bipolar
No estudo que, at aqui fizemos do transstor bipolar, apresentou-se inicialmente a situao em que a juno base-
emissor est diretamente polarizada e a juno base-coletor inversamente polarizada, situao que foi referida como
correspondendo ao modo ativo direto. Seguidamente referiu-se a possibilidade de trocar a polarizao das duas junes,
o que corresponderia ao que se chamou funcionamento no modo inverso. Na realidade, pode considerar-se que so
possveis quatro situaes, conforme referido na tabela seguinte:

Juno Base-Coletor

Diretamente polarizada Inversamente polarizada
Juno
Base-Emissor
Diretamente
polarizada
Modo saturado Modo direto ativo
Inversamente
polarizada
Modo inverso ativo Cortado

Do modelo de Ebers-Moll possvel retirar as seguintes equaes:
i
C
= !
F
I
SE
e
v
BE
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
" I
SC
e
v
BC
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
i
E
= I
SE
e
v
BE
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
"!
R
I
SC
e
v
BC
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
(9.1)

Fig. 9-9
B
E
C
v
BE

i
B

i
DC
=I
SC
(e -1)
v
BC
/V
T

v
BC

i
DE
=I
SE
(

e -1)
v
BE
/V
T

i
E

i
C

!
F
i
DE

!
R
i
DC


9-11
Acontece que possvel provar que !
F
I
SE
= !
R
I
SC
= I
S
pelo que as equaes podem ser reescritas

i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
!1
"
#
$
%
&
'
!
I
S
(
R
e
v
BC
V
T
!1
"
#
$
%
&
'
i
E
=
I
S
(
F
e
v
BE
V
T
!1
"
#
$
%
&
'
! I
S
e
v
BC
V
T
!1
"
#
$
%
&
'
(9.2)
Da diferena entre i
E
e i
C
possvel, retirar o valor da corrente de base i
B
i
B
= i
E
! i
C
= I
S
1!"
F
"
F
#
$
%
&
'
(
e
v
BE
V
T
!1
#
$
%
&
'
(
+ I
SC
1!"
R
"
R
#
$
%
&
'
(
e
v
BC
V
T
!1
#
$
%
&
'
(
i
B
=
I
S
)
F
e
v
BE
V
T
!1
#
$
%
&
'
(
+
I
S
)
R
e
v
BC
V
T
!1
#
$
%
&
'
(

Simultaneamente, possvel fazer simplificaes, j que se uma juno est diretamente polarizada, a sua tenso
muito maior do que V
T
e, consequentemente, a parcela unitria desprezvel e se a tenso na juno negativa e, em
mdulo, tambm superior a V
T
, a exponencial ser muito menor do que 1 e, portanto, desprezvel, ou seja:

v
D
!V
T
! e
v
D
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
) e
v
D
V
T
v
D
< 0 * v
D
!V
T
! e
v
D
V
T
"1
#
$
%
&
'
(
) "1
(9.3)
Nas duas seces seguintes ir-se- apenas analisar os resultados da aplicao do modelo de Ebers-Moll nas situaes
correspondentes ao modo ativo direto e ao modo saturado, introduzindo, em cada caso, as aproximaes resultantes do
que est expresso em (9.3).
9.4.4.1 Equaes Ebers-Moll para o modo ativo direto
Para o modo ativo direto em que v
BE
>V
"
, e v
CE
<0, as equaes podem ser simplificadas do seguinte modo:
i
C
! I
S
e
v
BE
V
T
+
1
"
R
#
$
%
&
'
(
! I
S
e
v
BE
V
T
i
E
!
I
S
"
F
e
v
BE
V
T
+"
F
#
$
%
&
'
(
!
I
S
"
F
e
v
BE
V
T
i
B
! I
S
1)"
F
"
F
e
v
BE
V
T
=
I
S
*
F
e
v
BE
V
T
(9.4)
Note-se que os resultados obtidos so idnticos aos que anteriormente tinham sido deduzidos.
9.4.4.2 Equaes Ebers-Moll para o modo saturado
No caso de ambas as junes estarem diretamente polarizadas, isto v
BE
>V
"
, e, tambm, v
CE
>V, as equaes podem ser
reescritas, tendo em conta as aproximaes acima referidas.
9-12
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
!
e
v
BC
V
T
"
R
#
$
%
%
&
'
(
(
i
E
= I
S
e
v
BE
V
T
"
F
! e
v
BC
V
T
#
$
%
%
&
'
(
(
i
B
= I
S
e
v
BE
V
T
)
F
+
e
v
BC
V
T
)
R
#
$
%
%
&
'
(
(

Estas equaes merecem alguma reflexo: em primeiro lugar, como #
R
tem um valor pequeno, a corrente de coletor
pode anular-se mesmo que v
BC
<v
BE
. O mesmo no acontece com I
E
j que #
F
"1 e, portanto s quando v
BC
e v
BE
forem da
mesma ordem de grandeza que a corrente de emissor se poder anular.
9.4.5 Caratersticas tenso corrente
9.4.5.1 Caraterstica i
C
(v
CB
)
Procuremos, ento, ver o andamento da corrente de coletor, considerando que estabelecemos uma corrente de emissor
constante. A caraterstica est apresentada na Fig. 9-10.
Numa primeira aproximao, desde que v
CB
>0, praticamente todos os portadores que se difundem na base (e cujo valore
controlado por v
BE
) so captados pelo coletor e, nessas circunstncias, a corrente no cresce com v
CE
. Mas quando a
tenso v
CB
diminui, tornando-se negativa, o potencial que atraa os portadores para o coletor desaparece e pode mesmo
chegar-se situao em que a juno base-coletor fique diretamente polarizada (i.e., v
BC
>V
"
). Nessa altura estaremos na
regio de saturao. Note-se, porm, que, devido maior rea desta juno, o V" correspondente ser da ordem dos
0.4V a 0.5V, menor do que o que corresponde juno base emissor, pelo que, com estes valores da tenso entre base e
coletor a tenso coletor-emissor correspondente ser tal que V
CE(Sat )
! 0.2V , 0.3V
[ ]
.
9.4.5.2 Caraterstica i
C
(v
BE
), na regio ativa
Se se tomar de novo o valor de i
C
dado nas equaes (9.4) ver-se- que a corrente tem uma variao exponencial com a
tenso base-emissor, com um andamento em tudo semelhante ao que se tinha visto para o dodo de juno.

Fig. 9-10
!"!
!"$
!"%
!"&
!"'
("!
)!"& )!"% )!"$ ! !"$ !"% !"& !"' ( ("$ ("% ("& ("' $ $"$ $"% $"& $"' *
I
E1
I
E2
I
E3
I
E4
S
a
t
u
r
a

o

Regio ativa

i
C
v
CB

9-13
Tal como em relao ao dodo, estas caratersticas variam com a temperatura deslocando-se para a esquerda conforme a
temperatura aumenta. O desvio, como indicmos no captulo 6 , de modo muito aproximado,
dV
BE
dT
I
C
=const
= !2mV/ C .
9.4.5.3 Caraterstica i
C
(v
CE
)
A caraterstica que relaciona a corrente de coletor com a tenso coletor-emissor, para valores constantes da tenso base-
emissor, aquilo que comummente se designa por caratersticas em emissor comum, podem ser representada como na
Fig. 9-12.
A zona de saturao atinge-se, como se exprimiu acima, quando V
CE
apresenta valores inferiores a cerca de 0.3 ou 0.4V.
Na regio ativa, numa primeira aproximao, a corrente no depende da tenso coletor emissor (j que no depende de
v
CB
e que a tenso v
BE
praticamente constate), apenas depende da tenso base emissor.
9.4.6 Modulao da largura de base: r
o
A hiptese que acima se colocou de a corrente de coletor se manter constante na regio ativa corresponde, apenas, a
uma primeira aproximao. Com efeito, como se viu na seco 9.3.1, a corrente de coletor dada pela equao (9.1),
depende da largura efetiva da base, j que funo do gradiente da distribuio dos portadores minoritrios na regio e,
consequentemente, inversamente proporcional largura efetiva da base. Ora, um aumento da tenso inversa da juno
base coletor, V
CB
vai, como tivemos a oportunidade de estudar no captulo 6, aumentar a largura da regio de depleo.

Fig. 9-11

Fig. 9-12
!
!#$
!#%
!#&
!#'
(
(#$
(#%
(#&
! !#( !#$ !#) !#% !#* !#& !#+

i
C


v
BE

!"!
!"$
%"!
%"$
&"!
&"$
'"!
'"$
! !"' !"( !") %"& %"$ %"* &"%
i
C
v
CE
V
BE1
V
BE2

V
BE3

V
BE4
S
a
t
u
r
a

o

Regio ativa

9-14
Ora, como a regio da base muito estreita, esse aumento suficiente para que haja uma diminuio sensvel da largura
efetiva e, consequentemente, um aumento da corrente de coletor
4
. Este efeito conhecido por efeito Early.
Na realidade, a corrente de coletor vai aumentar de modo sensivelmente linear com a tenso coletor-emissor e as
caratersticas apresentaro um andamento representado na Fig. 9-13
A tenso V
A
, designada por tenso de Early, tem um valor de vrias dezenas at centena de volt e uma caraterstica
do tipo e construo do transstor. Ento pode escrever-se que
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
1+
v
CE
V
A
!
"
#
$
%
&
(9.5)
e a dependncia da corrente de coletor com a tenso de sada pode exprimir-se por uma resistncia equivalente r
o
cujo
valor ser dado por
r
o
=
di
C
dv
CE
v
BE
=const
!
"
#
#
$
%
&
&
'1
=
V
A
+V
CE
I
C
(
V
A
I
C
(9.6)
A aproximao r
o
=V
A
/I
C
normalmente tomada, atendendo a que, em geral podemos considerar V
CE
V
A
.
Com o conhecimento de r
o
possvel tornar o modelo em !, do BJT, apresentado na Fig. 9-7 b), como representado na
Fig. 9-14.
Note-se que, normalmente, no se considera r
o
para o clculo das correntes contnuas no transstor mas, em
compensao e, como se ver adiante, r
o
importante para a anlise do comportamento dos circuitos, para sinal.
9.5 Modelo do transstor bipolar, para sinal
Retome-se agora, na Fig. 9-15 o circuito apresentado na Fig. 9-5 b), em que, no s fixmos a tenso V
BB
=2.7V como
colocamos, na entrada, um gerador de sinal desacoplado da base por um condensador C de capacidade suficientemente

4
Recorde-se que este efeito muito semelhante ao que se estudou a propsito dos MOSFET, de aumento da corrente de dreno por diminuio do
comprimento de canal, quando a tenso dreno-fonte aumentava.

Fig. 9-13

Fig. 9-14
!"!
!"$
%"!
%"$
&"!
&"$
'"!
'"$
! !"' !"( !") %"& %"$ %"* &"%
i
C
v
CE
V
BE3


V
BE4
V
BE1
V
BE2
-V
A
i
C

!
B
E
C
v
BE

i
C
=I
S
e
v
BE
/V
T

i
B
=


r
o


9-15
grande para poder ser considerado um curto-circuito para as frequncias do sinal. Consideremos, ainda, que a tenso de
Early tem o valor V
A
=80V.
Se retomarmos os valores obtidos anteriormente, a corrente I
C
=0.8mA, V
CE
=7V e, de acordo com (9.6), a resistncia r
o

ser r
o
=
80V
0.8mA
=100k! .
Para analisarmos o comportamento deste circuito, considerem-se as caratersticas da corrente de coletor em funo quer
da tenso v
CE
qer de v
BE
, como representado na Fig. 9-16. Suponhamos que aplicamos um sinal sinusoidal, v
i
na entrada,
cujo valor seja suficientemente pequeno para a juno base-emissor permanea diretamente polarizada.
Em funo desse sinal vai haver uma variao da corrente de coletor, conforme representado na Fig. 9-16 b) de que
resulta, como pode ser visto em a) uma variao da tenso v
CE
. Esta variao est condicionada, como anteriormente
vimos, quer pelas caratersticas do dispositivo quer pela reta de carga (representada, em a) a tracejado). Esta, por sua
vez, depende do circuito exterior, nomeadamente V
CC
e R
C
.
Sobre o ponto de funcionamento estabelecido em corrente, correspondente a i
C
= I
C
= 0.8mA; v
CE
= V
CE
= 7V { } , as
variaes induzidas por v
i
vo, primeiro, conduzir a uma corrente de sinal, no coletor, dada por
i
c
=
di
C
dv
BE
i
C
=I
C
=0.8mA
v
i
= g
m
v
i
em que g
m
a transcondutncia do transstor.
Note-se que o seu valor pode ser deduzido da primeira equao em (9.4), da seguinte forma:

Fig. 9-15

Fig. 9-16
V
CC
=15V
R
C
=10k
R
B
=250k
V
BB
=2.7V
+
v
i

C
v
O
=V
CE
+v
o


!
!#$
!#%
!#&
!#'
(
(#$
(#%
(#&
! !#( !#$ !#) !#% !#* !#& !#+
i
C
v
CE
v
BE
=V
BE
1.5mA
7V 15V

0.8mA
i
C
0.8mA
v
BE
=V
BE
v
ce
=v
o
v
i
= v
be
i
c
a) b)
9-16
g
m
=
di
C
dv
BE
i
C
=I
C
v
i
=
d
dv
BE
I
S
e
v
BE
V
T
!
"
#
$
%
&
i
C
=I
C
=
1
V
T
I
S
e
v
BE
V
T
!
"
#
$
%
&
i
C
=I
C
=
I
C
V
T
(9.7)
Entretanto, como se pode ver na curva no grfico da Fig. 9-16 a), as variaes de i
C
do-se sobre a resistncia R
C
pelo
que v
ce
= v
o
= !R
C
i
c
em que o sinal - se deve ao facto da reta de carga ter uma inclinao negativa: quando a corrente
aumenta, v
ce
diminui, e vice-versa.
9.5.1 Modelo em !, para sinal
Da anlise que se acabou de fazer, fcil concluir que o comportamento do transstor bipolar, do lado da sada, muito
semelhante ao que se vira a propsito do estudo do MOSFET: na sada da rede de dois portos que representar o BJT,
para sinal, iremos encontrar uma fonte de corrente de valor g
m
v
be
qual se deve colocar em paralelo a resistncia r
o

cuja existncia e valor foram deduzidos na seco 9.4.6.
Contudo, do ponto de vista da entrada, a situao ser diferente da do MOSFET j que, no BJT, existe uma corrente de
base de valor i
B
=
i
C
!
. Numa primeira anlise iremos aceitar que relao das correntes de sinal tem o mesmo fator !
que, anteriormente, foi estabelecido para a relao das correntes totais de coletor e de base e mais tarde revisitaremos
esta questo.
Com esse pressuposto, pode escrever-se i
b
=
i
c
!
e dado que i
c
= g
m
v
be
, obtm-se a relao i
b
=
g
m
!
v
be
. Ora, se a corrente
i
b
proporcional tenso v
be
, pelo teorema da absoro isso equivalente a uma resistncia de valor ! g
m
, resistncia
essa normalmente designada por r
$
: r
!
=
"
g
m
. A designao deriva da sua posio no porto de entrada do modelo em !.
Podemos, ento, concluir que o transstor BJT pode ser representado pelo modelo em ! de acordo com o que est
representado na Fig. 9-17, quer na verso em a) quer em b) que correspondem a circuitos equivalentes.
9.5.2 Modelo em T, para sinal
Vamos agora procurar estabelecer um modelo diferente para o BJT, o modelo em T, que corresponde a considerarmos a
relao entre a entrada no emissor e a sada no coletor, tomando a base como terminal comum
5
.

5
Um modelo anlogo foi j desenvolvido para o MOSFET no captulo 7.

Fig. 9-17
+
v
ce
--

r
o

+
v
be
--

g
m
v
be

C
E
B
r
!
=
!
g
m

i
b
r
o

+
v
be
--

"i
b

C
E
B
+
v
ce
--

r
!

i
b
a) b)

9-17
Na Fig. 9-18 a) est representado, para sinal, um transstor ao qual se aplica, no emissor, uma tenso v
i
. A partir do
modelo em ! (sem r
o
), representado na Fig. 9-18 b), vai-se procurar deduzir os parmetros do modelo em T
representado na Fig. 9-18 c).
Do ponto de vista da sada, o resultado direto: a fonte de corrente , da mesma maneira do que no circuito b),
i
c
= g
m
v
be
.
Vamos agora procurar determinar R
i
. Para tal, basta relacionar a tenso v
i
com a corrente i
i
absorvida na entrada, no
emissor. Note-se que v
i
=-v
be
pelo que, do ponto de vista da entrada, para alm da prpria resistncia r
!
, ligada ao
terminal comum, h uma fonte que absorve uma corrente g
m
v
i
. Ora, pelo teorema da absoro, se aplicada uma tenso v
i

entre dois terminais, absorvida uma corrente g
m
v
i
, isso equivalente a ter, entre esses terminais, uma resistncia de
valor 1/g
m
.
Assim sendo, entre o emissor e a base existir o paralelo 1/g
m
||r
p
que podemos desenvolver da seguinte maneira:
1
g
m
r
!
=
r
!
g
m
r
!
+
1
g
m
=
r
!
r
!
g
m
+1
=
r
!
" +1
=
1
g
m
"
" +1
=
#
g
m
$
1
g
m

Estes resultados permitem-nos redesenhar o modelo em T da Fig. 9-19 a) sendo que o mesmo foi completado, em b)
com a considerao de r
o
.
9.6 O parmetro ! e os parmetros hh
O parmetro ! foi introduzido na seco 9.2 admitindo apenas que havia uma proporcionalidade entre as correntes de
coletor e da base e, posteriormente, na seco 9.3.2 essa hiptese foi explicada, com base na anlise do funcionamento
do BJT. Contudo, esta proporcionalidade foi apenas demonstrada para a corrente contnua e a suposio de que, para
sinal, se mantm a proporcionalidade com o mesmo valor de !, no automtica. Se designarmos por !
DC
e !
Sinal
os
dois valores, entre um e outro pode existir uma diferena sensvel que pode ser da ordem dos 10 a 20%. Contudo, dito

Fig. 9-18

Fig. 9-19
a) b) c)
+
v
cb
--

+
v
i
--

C E
B
R
i

i
i i
c
+
v
i
=- v
be
--

C E
B
r
!

i
i
g
m
v
be
=-g
m
v
i

i
c
+
v
i
--

i
i
i
c
a) b)
--
v
be
+
C E
B
r
e
! i
c
=g
m
v
be
1
g
m

C
E
B
+
v
be
--

g
m
v
be
r
e

r
o

i
e

i
b

9-18
isto, considerada a variabilidade do parmetro ! quer com a corrente de polarizao quer com a temperatura quer, ainda,
com pequenas variaes de transstor para transstor, o erro cometido com considera-los idnticos inferior
variabilidade do parmetro, pelo que, no presente texto, no faremos a distino.
Na Fig. 9-20 est representada a variao que ! pode apresentar em funo da corrente de coletor bem como da
temperatura.
9.6.1 Os parmetros hh
interessante comparar o modelo ! representativo do transstor, como representado na Fig. 9-17, com o modelo
correspondente aos parmetros hh, apresentado na seco 2.2.1 a propsito das redes de dois portos, lineares, em
particular na sua verso simplificada apresentada na Fig. 2-11. Note-se que os dois modelos so idnticos, e podemos
relaciona-los da seguinte forma:
h
11
= r
!
h
21
= "
h
22
=
1
r
o

Os parmetros hh so frequentemente usados pelos fabricantes, bem como na literatura especializada, embora com uma
variao nos ndices utilizados: h
11
usualmente designado por h
i
, j que representa a resistncia de entrada,
correspondendo a letra i palavra inglesa input; h
21
designado por h
F
e designa o ganho em corrente da entrada
para a sada, correspondendo a letra F palavra inglesa forward; e h
21
usualmente designado por h
o
representando
a admitncia de sada, correspondendo a letra o palavra inglesa output. Finalmente, ainda usual acrescentar aos
ndices indicados a letra e significando que os parmetros dizem respeito entrada e sada utilizando o emissor como
terminal comum. Ento, podemos dizer que h
ie
= r
!
; h
fe
= "; h
oe
=1 r
o
.
Como ltima nota, refira-se que estando a utilizar ndices literais, o uso de minsculas ou maisculas, particularmente
para h
fe
, permite identificar aquilo que acima referimos como sendo !
Sinal
e !
DC
.
9.7 O transstor em saturao
Embora nas aplicaes de amplificao que sero o tema principal do presente livro, o modo de funcionamento dos
transstores que mais nos interessa seja o modo linear e, consequentemente, com o transstor a funcionar na regio ativa,

Fig. 9-20
!
#!
$!
%!
&!
'!!
'#!
'$!
'%!
' # ( $ ) % * & + '!'''#'('$')'%'*'&'+#!#'###(#$#)#%#*#&#+(!(' i
C
T crescente

!

9-19
h situaes, mormente em eletrnica dos sistemas digitais em que o transstor utilizado como comutador entre uma
situao de corte e o modo saturado. Por esse motivo, embora sem grande profundidade, iremos procurar compreender
algumas das caratersticas que o BJT apresenta neste modo de funcionamento.
Considere-se, ento, de novo, o circuito inicialmente apresentado na Fig. 9-5 b) e aqui essencialmente reproduzido.
Note-se, neste circuito consideramos que R
C
pode variar e na Fig. 9-21 b) reproduzimos a caraterstica i
C
/V
CE
com
nfase na regio de saturao (note-se que apenas se apresentam valores de V
CE
bastante pequenos).
Como vimos na seco 9.2.1.2 com R
C
=10k#, o transstor encontra-se algures na zona de saturao (p.ex. I
C
=I
C2
).
Suponha-se, agora, que se aumenta R
C
. Como a corrente de base se mantm constante, a variao dar-se- sobre a
mesma caraterstica indicada na Fig. 9-21 b) e sobre uma nova reta de carga. As retas de carga esto representadas a
azul, na figura. Se a resistncia passar, p.ex. para 20k#, a corrente de coletor baixa para I
C2
=
15 ! 0.15
20k"
# 0, 743mA . H
3 concluses que se podem tirar desta anlise:
(i) E, primeiro lugar, a situao de saturao corresponde a termos uma relao entre as correntes de coletor e base
com um valor tal que
I
C(Sat )
I
B
< ! . Esta relao, carateriza, s por si, o modo de funcionamento em saturao;
(ii) Em segundo lugar, uma significativa variao de corrente de coletor tem como consequncia uma variao
muito pequena da tenso V
CE(Sat)
o que corresponde a dizer que o transstor, neste modo, se comporta, entre os seus
terminais coletor-emissor, como uma resistncia de baixo valor;
(iii) Em terceiro lugar, a tenso V
CE(Sat)
sempre muito pequena.
Estas duas ltimas condies, que mais tarde visitaremos quando forem estudados os dispositivos semicondutores em
comutao, do conta de que o transstor bipolar, saturado, uma boa aproximao a um interruptor fechado e, da, a
sua aplicabilidade em circuitos digitais em que o transstor funcionar, alternadamente, em modo saturado ou ao corte.
9.8 Capacidades do transstor bipolar
Quando, no captulo 5, se estudou a juno pn quer no modo direto quer inverso, analisou-se, nas seces 5.7 e 5.10 o
comportamento capacitivo que a juno apresentava quando polarizada inversa ou diretamente, respetivamente. O valor
deduzido para a capacidade de juno que associada situao de polarizao inversa foi

Fig. 9-21
!
#!!
$!!
%!!
&!!
'!!
(!!
)!!
*!!
+!!
! !,# !,$ !,% !,& !,' !,( !,)
i
C
I
C0
I
C1
I
C2
V
CE2
V
CE2
I
B
=14.8!A
R
C1
=10k"
R
C2
>RC1
a) b)
V
CC
=15V
R
C

R
B
=250k
V
BB
=4.4V
+
v
CE(Sat)
--

I
C
I
B
=14.8!A
9-20
C
j
=
C
j 0
1+
V
R
V
0
!
"
#
$
%
&
m

em que m um coeficiente que pode ser entre 1/2 e 1/3, V
R
a tenso inversa na juno, V
0
o potencial de barreira e C
j0
o
valor da capacidade quando a tenso inversa nula.
No que diz respeito capacidade de difuso, associada juno quando diretamente polarizada o seu valor era dado por
C
d
=
!
T
V
T
I
em que I a corrente que atravessa a juno, %
T
o que se designa por tempo mdio de trnsito e V
T
o equivalente em
tenso da temperatura, V
T
=
kT
q
.
Ora, num transstor polarizado na regio ativa, as junes base-emissor e base-coletor esto, como se tem vindo a
considerar, polarizadas respetivamente direta e inversamente, pelo que as mesmas capacidades acima descritas estaro
associadas ao funcionamento do transstor.
Assim sendo, possvel completar o modelo em $, anteriormente apresentado, introduzindo as capacidades associadas
s duas junes.
9.8.1 Modelo ! para as altas frequncias
O modelo em !, tendo em conta estas capacidades o que est representado na Fig. 9-22.
Note-se que se designou a capacidade de difuso, entre base e emissor, por C
$
e a capacidade da juno, entre base e
coletor, por C
%
, como habitual na literatra. O valor destas capacidades, para transstores de sinal , em geral pequeno
(da ordem de grandeza de centenas de fF ou poucos pF) mas, tambm, em geral, C
%
C
$
.
9.8.2 Parmetros do BJT s altas frequncias
importante perceber como que essas capacidades condicionam o funcionamento do transstor nas altas frequncias.
Para esse efeito, consideremos o ganho em corrente do transstor com o coletor e o emissor curto-circuitados, como
representado na Fig. 9-23, procurando estabelecer, nessas condies, a relao entre i
c
e i
b
.

Fig. 9-22
r
o

g
m
v
be

C
E
B
r
!

C
!

C
"

+
v
be
--


9-21
De acordo com os parmetros hh, como referidos na seco 9.6.1, podemos considerar que h um h
fe
= i
c
i
b
, funo da
frequncia.
Ao procedermos anlise referente ao n de entrada, como o coletor est ligado massa (e, consequentemente, o
terminal da direita de C
"
), a corrente i
b
ser tal que i
b
= v
i
1
r
!
+ s C
!
+ C

( )
"
#
$
%
&
'
.
Considerando, agora o n de sada, i
c
ser a diferena entre a corrente em C
"
e g
m
v
i
tendo em ateno que v
i
=v
be
,
i
c
= sC

v
i
! g
m
v
i
= v
i
sC

! g
m
( )
.
Pode, ento, escrever-se
h
fe
s ( ) =
i
c
i
b
=
sC

! g
m
1
r
"
+ s C
"
+ C

( )
= g
m
r
"
sC

g
m
!1
1+ s C
"
+ C

( )
r
"
= #
sC

g
m
!1
1+ s C
"
+ C

( )
r
"

Esta expresso mostra que o ganho em corrente tem um zero (positivo) frequncia !
Z
=
g
m
C

e um polo frequncia
!
P
=
1
C
"
+ C

( )
r
"
. Verifica-se, porm, que a frequncia do zero muito maior do que a do polo, pelo que h uma
ampla zona de frequncia na qual s o polo influencia o comportamento de h
fe
(s) pelo que se pode dizer que
h
fe
s ( ) !
"
1+ s C
#
+ C

( )
r
#
=
"
1+
s
$
"

A frequncia &
!
a frequncia qual o mdulo do ganho em corrente desce 3dB e esse ganho tornar-se- unitrio para
um frequncia &
T
=! &
!
=2!f
T
.
A frequncia f
T
=
g
m
2! C
!
+ C

( )
, comummente designada por largura de banda para ganho unitrio de corrente, um
parmetro usualmente fornecido pelos fabricantes de semicondutores. O seu valor depende da corrente, no s atravs
do g
m
mas tambm de vrios outros aspetos fsicos e tecnolgicos que, contudo, no iremos abordar. Porm, isso faz
com que o seu valor seja usualmente dado para vrios valores da corrente.

Fig. 9-23
r
o

C
E
B
r
!

i
b
+
v
i

i
c
C
!

C
"

g
m
v
be

9-22
9.9 Disrupo nos transstores BJT
No captulo 5, na seco 5.8 discutiram-se os mecanismos de disrupo na juno pn que pode surgir quando a tenso
inversa ultrapassa certos valores. Ora, no caso do transstor bipolar a funcionar no modo ativo, a juno base-coletor
encontra-se inversamente polarizada e se a grandeza da tenso inversa excede um certo valor, a juno pode entrar em
disrupo por avalanche. A tenso a que isso ocorre geralmente designada por BV
CBO
em que a letra B deriva da
palavra inglesa breakdown que significa disrupo, e os ndices C e B designam o coletor e a base e o O
significa que o outro terminal, o emissor, est aberto (open em ingls). A ordem de grandeza de BV
CBO
em geral das
dezenas at s poucas centenas de Volt.
Tambm se considerarmos que temos uma configurao com o emissor comum em que consideramos a tenso coletor-
emissor, na sada, se a grandeza desta tenso excede um certo valor, pode tambm surgir disrupo. O mecanismo, neste
caso mais complexo do que o observado diretamente na juno base-coletor e no ir ser aqui abordado. Diremos,
contudo, que essa tenso, usualmente designada por BV
CEO
,

, normalmente, menor do que BV
CBO
.
Finalmente, se a tenso na juno base-emissor se tornar negativa para o transstor NPN (ou positiva para o PNP) a
juno base-emissor pode tambm entrar em disrupo o que acontece, neste caso (por razes construtivas e das
dopagens da regio do emissor e da base) a tenses muito mais baixas, normalmente entre 5 e 10V.
Algumas destas situaes podem no ser destrutivas mas, em contrapartida podem afetar o valor dos parmetros do
transstor, nomeadamente o valor de !. Em certos circuitos em que tal situao possa ocorrer, so por vezes utilizados
circuitos auxiliares de proteo que visam limitar a tenso mxima que pode ser aplicada entre os terminais do
transstor.


A- 1









Anexo A







Tecnologias






A-2
ndice do Anexo A
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!/1 2"34%5678% ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 0
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A- 3
Anexo A - Tecnologias
A.1 Introduo
O avano tecnolgico permitiu, sobretudo a partir de finais do sculo XX, que o projeto de circuitos e sistemas
eletrnicos pudesse ser feito diretamente no silcio. Esta metodologia ope-se anterior, em que os prottipos de
sistemas eletrnicos eram construdos a partir de componentes, ativos e passivos, discretos, que eram depois
interligados utilizando diferentes suportes (ligaes ponto a ponto, circuito impresso, circuitos hbridos, etc.).
A possibilidade de implantar todo o circuito num mesmo substrato semicondutor, ou seja a integrao dos circuitos
resultou, no s de avanos tecnolgicos que so essencialmente do domnio das cincias dos materiais, mas
tambm da disponibilidade de software de simulao que permite prever o comportamento dos circuitos sem passar,
como era quase obrigatrio no passado, pelos testes em bancada (embora estes venham a ser sempre necessrios,
mas numa fase posterior e j prxima do projeto final). O desenvolvimento dos circuitos integrados e a sua
complexidade crescente um excelente exemplo de como tecnologias aparentemente muito diferentes podem
conjugar-se de modo a dar forma a avanos tecnolgicos qualitativamente diferentes.
portanto importante atualmente que o projetista de microeletrnica (e a eletrnica , cada vez mais,
microeletrnica) conhea, ainda que no do ponto de vista do especialista, quais as principais caratersticas, e
sobretudo as limitaes, das diferentes tecnologias de fabrico dos circuitos integrados.
No que se segue focar-nos-emos sobretudo no silcio, uma vez que os circuitos integrados de silcio cobrem
provavelmente mais de 99% das aplicaes atuais. Outras tecnologias, tais como a do arsenieto de glio, a das
heterojunes e a do nitreto de glio, tm domnios de aplicao muito mais limitados, praticamente s nas altas
frequncias e/ou potncias elevadas.
Neste captulo, descrever-se-o de forma genrica os processos de fabrico que so comuns a todas as tecnologias
baseadas em silcio e depois abordar-se-o as diferenas especficas das diferentes tecnologias de silcio,
nomeadamente as tecnologias bipolares e as MOS e CMOS.
A.2 Do silcio ao chip
Todo o circuito integrado comea por um cristal relativamente grande de silcio, em geral de forma cilndrica (um
lingote) que, embora j tenha passado por diversos processos qumicos de purificao, ainda tem uma percentagem
de impurezas e de imperfeies
1
na sua malha cristalina que no permitem que ele seja utilizado no fabrico de
semicondutores. Este lingote obtido por um processo de cristalizao a partir de silcio microcristalino (silcio
constitudo por pequenos cristais, cada um deles um cristal com uma estrutura ordenada, mas em que os diferentes
microcristais tm orientaes aleatrias). Normalmente o lingote passa ainda por um processo de recristalizao,
que consiste em pass-lo atravs de uma bobina onde circula corrente a alta frequncia. As correntes induzidas
provocam a formao de uma zona parcialmente fundida, prxima da temperatura de fuso (float zone). As
impurezas preferem estar na zona fundida e assim, se deslocarmos esta zona fundida ao longo do lingote vamos
arrastando a maioria das impurezas para um dos extremos. Repetindo este processo vrias vezes, vamos diminuindo
a concentrao de impurezas (e de defeitos) na maior parte do lingote, e aumentando a percentagem de impurezas

1
Os defeitos na estrutura dos semicondutores tm, de facto, do ponto de vista da condutividade eltrica, um efeito semelhante s impurezas.

A-4
nos extremos, que depois se podem cortar, obtendo-se um lingote com um grau de pureza muito mais elevado que o
inicial.
Este processo de purificao no nico, mas suficientemente representativo. O produto final, depois do processo
de recristalizao tem uma percentagem de impurezas volta de uma parte em 10
8
, e uma resistividade que varia
entre 5 k!-cm e 50 k!-cm. Note-se que a resistividade fortemente dependente da percentagem de impurezas, e eta
nem sempre controlvel com exatido. Note-se ainda que aquela percentagem de impurezas, tendo em conta que o
nmero de tomos por unidade de volume da ordem de 10
23
, significa que existem, temperatura ambiente, volta
de 10
15
portadores de carga por unidade de volume, o que parece ser um valor enorme, embora num metal por
exemplo, seja cerca de 10
8
vezes maior. Da o facto de a condutividade dos materiais chamados, exatamente por
isso, semicondutores, ser muito inferior dos metais, embora muto maior que a dos isoladores.
O material utilizvel no fabrico de semicondutores, por razes tecnolgicas, tipicamente tipo p, fracamente
dopado, o que, como veremos, tem consequncias importantes no desenho dos circuitos integrados.
O lingote de silcio agora cortado transversalmente, utilizando uma serra de fio revestido com diamante, em fatias
finas, designadas habitualmente por bolachas (wafers). So discos de silcio com espessura entre 200 e 300 "m e
dimetro igual ao do lingote de silcio original. na bolacha que vo ser fabricados, mediante um processo
litogrfico, os circuitos integrados individuais, que so, como bvio, todos implantados na bolacha ao mesmo
tempo, sendo portanto possvel produzir um grande nmero de circuitos na mesma bolacha. Cada pedao de silcio
em que a bolacha se divide designado por chip (lasca em ingls) e, como evidente, quanto maior for a
dimenso da bolacha maior o nmero de circuitos que possvel produzir de uma s vez. A dimenso da bolacha
tem, portanto, grandes implicaes econmicas.
A bolacha cortada em chips por um laser ou por um processo mecnico, cada chip montado numa embalagem
com pinos, e a ligao eltrica entre as reas de contacto do chip (pads) e os pinos assegurada por fios muito finos,
de alumnio ou, mais raramente, ouro. Obtm-se, como produto final, um circuito integrado com o aspeto que bem
conhecemos.
A espessura da bolacha determinada essencialmente por razes de resistncia mecnica, uma vez que ela vai ter de
ser manipulada vrias vezes ao longo do processo de fabrico. O dimetro tem a ver com o maior cristal que
possvel produzir, e tem vindo a crescer rapidamente. Nos anos 90 do sculo XX eram frequentes dimetros da
ordem das 4, 6 ou 8 polegadas (8), mas na atualidade j so correntes dimetros da ordem das 10 e 12 polegadas, o
que representa um aumento muito grande do nmero de circuitos integrados por bolacha, uma vez que o nmero de
chips produzidos aumenta com o quadrado da maior dimenso. A dimenses de cada chip individual variam,
obviamente, com a complexidade do circuito l implementado. Tipicamente, um circuito integrado analgico de
dimenses mnimas ocupa uma rea de 4 mm
2
, mas um microprocessador de ltima gerao pode ter uma rea de
vrios cm
2
. Apenas como ordem de grandeza, e tomando como rea mdia de um chip 10 mm
2
, um clculo simples
mostra que numa wafer de 10 possvel fabricar de uma s vez quase 5000 circuitos.

A- 5
As bolachas passam ainda por um processo de polimento extremamente fino (tipicamente a rugosidade da ordem
dos poucos nm), sem o que a superfcie seria completamente intil para a fabricao de circuitos integrados. Por isso
a superfcie das bolachas apresenta-se lisa e brilhante como um espelho (Fig. A-1).
A.3 Difuso e mscaras.
A partir daqui o processo de fabrico de circuitos integrados difere consoante se pretendam implementar circuitos
CMOS, por um lado, ou BJTs e JFETs, por outro (a tecnologia para produzir transistores bipolares essencialmente
a mesma que para produzir JFETs).
No caso dos dispositivos bipolares e JFETs, o grau de pureza do silcio no ainda suficiente para a implementao
de dispositivos de ganho elevado e baixo rudo. Neste ltimo caso, normalmente, sobre o silcio da bolacha original
depositada uma camada de silcio de alto grau de pureza, designada por camada epitaxial. Esta camada epitaxial,
cuja espessura da ordem da dezena de "m, onde vo ser implementados todos os dispositivos semicondutores. A
deposio do silcio faz-se introduzindo a wafer numa estufa a temperatura elevada, volta dos 800C, contendo um
composto de silcio (tipicamente SiC). Os tomos de silcio vo-se depositar sobre a wafer, mantendo a estrutura
ordenada dos tomos desta, formando uma superfcie essencialmente sem defeitos, o que difcil de conseguir na
wafer original. A partir da o processo de fabrico segue linhas semelhantes em ambos os dispositivos, com uma
diferena essencial: nos processos MOS e CMOS, os dispositivos so criados na vizinhana imediata da superfcie,
e todos os processos eltricos se passam junto dessa superfcie, normalmente a uma profundidade que no ultrapassa
1 "m; nos processos bipolares, a conduo em profundidade, podendo ocupar toda a camada epitaxial. Alm disso,
nos processos MOS e CMOS as correntes so paralelas superfcie, enquanto nos bipolares podemos ter correntes a
circular paralelamente superfcie, mas tambm perpendicularmente. Isto tem consequncias importantes quanto s

Fig. A-1 Wafers de Si com camada epitaxial

A-6
correntes permissveis nos dispositivos, uma vez que nos MOSFETs se atingem facilmente densidades de corrente
elevadas, mesmo com correntes relativamente modestas, porque a rea transversal dos percursos das correntes
mais pequena. Isto explica que, em termos mdios, os MOSFETs integrados funcionem com correntes muito mais
baixas que os transistores bipolares
2
.
A operao seguinte proteger (passivar) a superfcie da bolacha criando uma camada relativamente espessa
(!1 "m) de dixido de silcio (SiO
2
)
3
na superfcie. Isto consegue-se introduzindo a bolacha numa atmosfera
oxidante (oxignio e vapor de gua) a temperatura elevada. O SiO
2
um excelente isolante, pelo que outras camadas
podem ser depositadas sobre ele, nomeadamente camadas metlicas, sem interferir com o funcionamento dos
circuitos.
Depois, no silcio, temos de criar as diferentes zonas com impurezas tipo n ou p, consoante, as necessidades. Isto
consegue-se mediante a introduo, tambm a temperatura elevada, na atmosfera que rodeia a bolacha, substncias
que contenham a impureza desejada. Uma impureza de valncia 5, tipicamente antimnio, dar lugar a material tipo
n, e uma impureza de valncia 3, tipicamente boro, dar origem a material tipo p, como sabemos. Os tomos da
impureza difundem-se atravs do silcio original, introduzindo-se na malha cristalina devido agitao trmica
criada pela temperatura elevada. Para difundir seletivamente as impurezas nos lugares corretos do circuito, preciso
abrir janelas na camada de xido de silcio. Isto feito por um processo litogrfico, semelhante fotografia. O xido
de silcio revestido por um polmero sensvel luz (photoresist), sobre o qual colocada uma mscara que
exposta a um tipo de radiao conveniente (visvel, ultravioleta ou radiao X). Nas zonas iluminadas o photoresist
torna-se solvel num solvente orgnico (tricloroetileno ou outro do mesmo tipo), pelo que podem ser nele abertas
janelas correspondentes s zonas de difuso pretendidas. Depois a bolacha mergulhada no solvente, que retira a
camada de polmero nas zonas que foram iluminadas. A camada de dixido de silcio fica portanto protegida nas
zonas onde no se pretende fazer difuso, e exposta nas outras. Finalmente, a bolacha mergulhada num cido
capaz de atacar o dixido do silcio (uma mistura de fluoreto de hidrognio, HF, e cloreto de hidrognio, HCl), que
vai deixar a camada subjacente de silcio exposta no lugar das janelas. Atravs da janela que se faz a difuso dos
dopantes. A profundidade da difuso depende do tempo que a bolacha permanece na estufa, e tambm a temperatura
desta. Nos MOSFETs a espessura das camadas de difuso no ultrapassa em geral o "m, mas nas tecnologias
bipolares, dependendo das tcnicas de fabricao, pode chegar s dezenas de "m. Tambm possvel criar camadas
de difuso umas dentro das outras, isto , por exemplo criar uma regio p dentro de uma regio anteriormente
dopada com uma impureza tipo n.
O processo crtico em toda esta cadeia de fabrico a litografia, uma vez que dela depende a toda a exatido
dimensional dos circuitos. Por outro lado, com a reduo muito rpida das dimenses dos circuitos integrados (em
poucos anos passou-se de um detalhe mnimo (minimum feature size) de 0.35 "m para as dezenas de nm, existindo
j circuitos comerciais com detalhe mnimo de 22 nm) deixou de ser possvel, como evidente, a utilizao de luz
visvel para sensibilizar os photoresists. De facto, o comprimento de onda da luz visvel na regio central do espetro
anda vota dos 500 nm, pelo que rapidamente se passou para a utilizao de luz ultravioleta, depois de radiao X,

2
O exemplo dos MOSFETs ditos de potncia no contradiz esta afirmao. De facto, os MOSFETs de potncia s funcionam como
MOSFETs para correntes muito baixas. Em funcionamento normal, o seu comportamento como JFETs, e o percurso da corrente
perpendicular superfcie do chip.
3
Designada por slica, noutros domnios. A forma cristalina do dixido de silcio, com uma estrutura diferente, mas com a mesma composio
qumica, o quartzo.

A- 7
e neste momento h muitas tecnologias que utilizam feixes de eletres. Trata-se, como se v, de uma tecnologia em
evoluo muito rpida.
Este processo de introduzir impurezas no silcio no nico: existe outro, hoje em dia muito importante, chamado
implantao inica. Os tomos de impureza so diretamente disparados contra o silcio, utilizando um pequeno
acelerador de partculas, e vo depositar-se a uma profundidade que possvel controlar atravs da energia do
acelerador. Desta forma possvel controlar com maior exatido, no s a concentrao, mas tambm a distribuio
espacial dos tomos de impureza.
Como se depreende, todos estes processos exigem vrias difuses, e consequentemente a fabricao de muitas
mscaras, que podem em muitas tecnologias exceder a dezena, com as consequncias previsveis sobre os custos. De
uma forma geral, os processos de fabricao de circuitos integrados bipolares so mais complexos, logo mais caros,
que os processo de fabricao de circuitos MOS e CMOS.
A.4 Tecnologia bipolar.
A Fig. A-2 representa esquematicamente um corte num transistor bipolar num substrato tipo p fracamente dopado (p
) com uma camada epitaxial n, que constitui o coletor. Como esta camada tem uma resistividade relativamente
elevada e o contacto do coletor est normalmente longe da zona onde ocorre o funcionamento do transistor (a zona
colocada imediatamente sob o regio do emissor), costume colocar sob ela uma camada, dita submersa ou
enterrada (buried layer) que serve para diminuir a resistncia que apareceria no esquema equivalente em srie
com o coletor, com efeitos nocivos, quer sobre o ganho, quer sobre a resposta em frequncia.
Esta geometria, conjugada com o facto de a regio da base ser fracamente dopada, conduz a um ganho de corrente
elevado e a uma resposta em frequncia que, na maioria das tecnologias, pode chegar a vrios GHz.
A fabricao de transstores pnp neste tipo de tecnologia, em que o substrato p, mais difcil, porque o substrato
ficaria em contacto direto com o coletor. Uma soluo possvel a que representa a Fig. A-3.
A regio central o emissor (p). Est rodeado de outra regio p, que vai constituir o coletor. A base constituda
pela camada epitaxial, na qual existem duas ou mais regies n+, onde iro ser feitos os contactos metlicos que
interligam o transistor com outros elementos do circuito. O efeito de transistor passa-se na regio estreita entre o
emissor e o coletor, que, como se v na figura, est preenchida com material tipo n da camada epitaxial. Como se
v, neste tipo de transstor o movimento das cargas paralelo superfcie, pelo que este tipo de implementao se
designa por transstor pnp lateral. Devido geometria pouco favorvel (recorde-se que o ganho de corrente elevado

Fig. A-2 Diagrama esquemtico da implantao fsica de um transistor bipolar npn vertical.

A-8
do transstor bipolar deriva do facto de quase todas as cargas que saem do emissor serem recolhidas no coletor) os
transstores pnp laterais tm em geral ganhos mais baixos que os representados esquematicamente na Fig. A-2, cuja
estrutura se designa por vertical, uma vez que o movimento de cargas se d perpendicularmente superfcie do chip.
Outra possibilidade de implementao de transstores pnp a representada na Fig. A-4.
Como se v, o percurso das cargas vertical. A base implementada pela camada epitaxial, e o substrato utilizado
como coletor. Deste modo, o transistor fica com o seu coletor ligado tenso mais negativa que existir no circuito o
que, no caso de transistores de sada de andares de potncia, at pode ser uma vantagem. Mas a utilizao de
transstores de substrato em circuito integrado est limitada a este tipo de situao.

Fig. A-3 Um transistor pnp lateral numa tecnologia bipolar tpica. Em cima, um corte; em baixo uma viso em planta do mesmo
transistor. As setas indicam o sentido do movimento dos portadores maioritrios (lacunas).

Fig. A-4 Transistor pnp de substrato.

A- 9
Nas tecnologias bipolares tambm possvel implementar JFETs (ver Fig. A-5). Note-se a semelhana com a
estrutura de um transistor bipolar npn vertical, incluindo o nmero de zonas de difuso.
A.5 Tecnologias MOS e CMOS.
Neste tipo de processos quase tudo se passa junto da superfcie, pelo que os casos em que tem de utilizar dupla ou
tripla difuso so raros.
Um exemplo simplificado da estrutura de um MOSFET de canal n, implementado, como temos vindo a supor
sempre, num substrato tipo p, fracamente dopado, representa-se na Fig. A-6.
Repare-se que o canal se forma no prprio substrato, com considervel economia do ponto de vista de mscaras
(linha a tracejado na figura).
Repare-se tambm que a porta no constituda por metal, mas sim por silcio policristalino, designado na gria
desta atividade como poly. De facto, e embora a designao MOS (que queria dizer originalmente metal-oxide-
semiconductor, referindo-se ordem por que aparecem estes materiais na zona imediatamente sob a porta) se tenha
mantido, j desde o incio da fabricao dos MOSFETs que os investigadores se aperceberam que os metais no so
o melhor material para constituir a porta, por razes que se prendem com o potencial de Fermi, e que ultrapassam o
mbito deste texto, e comearam a implementar a porta destes transstores com polissilcio. O polissilcio
condutor, embora menos que os metais, e pode, alm de servir para formar as portas dos transstores, ser tambm
utilizado como material de interligao, especialmente naqueles casos em que muitos transistores tm as suas portas
ligadas entre si. Tambm pode ser dopado com impurezas, de forma a alterar a sua resistividade.
preciso notar ainda que o xido de silcio que est na regio do canal muito mais fino que o xido utilizado para
a passivao a que nos referimos atrs. A espessura deste xido da ordem do "m. No seria possvel obter efeito
de campo com esta espessura de xido (o campo eltrico da porta no penetraria na regio do canal). O xido da

Fig. A-5 Uma estrutura possvel de um JFET de canal p implementado em tecnologia bipolar.

Fig. A-6 Estrutura de um transistor NMOS

A-10
porta, ou o xido fino, como s vezes se diz tem uma espessura muito mais pequena, de facto muito mais pequena
que o detalhe mnimo da tecnologia. Os pormenores so diferentes para cada tecnologia, mas, a ttulo de exemplo,
numa tecnologia j no muito recente, de 0,35 "m, a espessura do xido da porta de cerca de 20 nm. Como
sabemos, a espessura do xido tem um efeito muito importante, porque afeta, no s a capacidade da porta, mas, e
em consequncia disso, o parmetro de transcondutncia que aparece no modelo dos MOSFETs.
Para produzir um transstor PMOS preciso aumentar um pouco a complexidade. Um MOSFET de canal p tem de
ser construdo numa regio originalmente n. preciso portanto, antes de depositar as camadas de difuso, criar uma
regio (um poo) de material n num substrato que, como sempre temos vindo a fazer, admitimos ser tipo p.
Obtm-se uma estrutura semelhante da Fig. A-7.
parte o facto de o transstor ocupar m espao maior, o funcionamento idntico. Esta tecnologia permite fabricar,
no mesmo substrato, transistor de canal n e p, dando origem tecnologia MOS complementar, ou CMOS.
De qualquer forma, e apesar deste aumento as dimenses, a rea ocupada por circuitos de idntica complexidade,
CMOS e bipolar, largamente favorvel aos primeiros. Um transistor MOS, na tecnologia que tem vindo a servir-
nos de exemplo, tem dimenses mnimas tipicamente de 5"5 "m, enquanto um transistor bipolar tem dimenses
mnimas de, digamos, 20"20 "m. Considerando que a rea proporcional ao quadrado da maior dimenso linear,
vemos que possvel colocar 16 vezes mais transistores CMOS numa dada rea que transstores bipolares. A
produo dos microprocessadores modernos, no s por causa das dimenses, mas tambm por razes de consumo
de potncia, seria praticamente impossvel sem a tecnologia CMOS.
A.6 Tecnologia BiCMOS.
O termo BiCMOS, como o nome indica, refere-se combinao de transistores bipolares e MOSFETs num mesmo
substrato. Assim consegue-se o melhor de dois mundos: o baixo consumo e as pequenas dimenses das tecnologias
CMOS com a capacidade de atacar cargas baixas dos transstores bipolares.
Como a tecnologia CMOS a mais barata, todas as tentativas vo no sentido de implementar transistores bipolares
utilizando os mtodos de fabricao da tecnologia CMOS e, de facto, h muitas tecnologias CMOS que oferecem a
possibilidade de implementar transistores bipolares (e tambm dodos) no mesmo substrato.

Fig. A-7 Estrutura de um transistor PMOS

A- 11
A tecnologia BiCMOS permite implementar circuitos de elevada largura de banda, e compete hoje diretamente com
tecnologias tradicionalmente reservadas ao domnio das muito altas frequncias (>1 GHz) como a do arsenieto e
glio.
Para implementar transistores bipolares numa tecnologia CMOS, como de esperar, so necessrios mais alguns
passos de fabricao. Em particular, necessrio depositar uma camada epitaxial, embora de espessura bastante
menos que nas tecnologias bipolares, alm de uma camada submersa n+.
A estrutura final dos transistores muito semelhante dos transistores realizados em tecnologia bipolar. Tal como
neste caso, so realizveis transistores verticais, laterais e de substrato.
A.7 Interligaes e componentes passivos em circuito integrado.
Tal como em qualquer outra forma de implementao de circuitos eletrnicos, necessrio interligar os diferentes
elementos de circuito. H casos em que esta ligao est assegurada por natureza, como, por exemplo, quando um
transistor NMOS tem o seu dreno ligado fonte de um transistor vizinho. Nestes casos, que so muito frequentes
nos circuitos digitais, os transistores simplesmente partilham a mesma zona de difuso.
Como j vimos, muitas interligaes, nomeadamente as que ligam entre si portas de diferentes transistores, so
implementadas em polissilcio. Pode haver, dependendo das tecnologias, uma, duas ou at trs camadas de
polissilcio, a diferentes nveis, separadas por uma camada relativamente fina de SiO
2
.
Alm estas duas formas, em todas as tecnologias h sempre uma ou mais camadas de metal, normalmente alumnio,
embora alguns fabricantes utilizem outros metais, nomeadamente cobre. O metal depositado normalmente sobre
todo o circuito integrado (normalmente este um dos ltimos passos do processo de fabrico) como uma camada
contnua, e depois por um processo litogrfico seguido de ataque qumico, so retiradas as zonas onde no se deseja
que o metal permanea. As camadas de metal so normalmente isoladas umas das outras, e das camadas de
polissilcio subjacentes, por camadas de SiO
2
relativamente espessas. Como se depreende, o nmero de camadas de
metal e de polissilcio est relacionada, no s com a tecnologia (CMOS, bipolar, BiCMOS, etc.) mas tambm com
a complexidade do circuito. Como num circuito integrado no se podem cruzar linhas, um circuito digital de elevada
complexidade (VLSI) no implementvel sem um grande nmero de camadas de interligao, enquanto para um
circuito analgico de complexidade reduzida podemos contentar-nos com uma, eventualmente duas, camadas de
poly e uma camada de metal.
Quando se pretendem estabelecer ligaes entre as diferentes camadas metlicas, ou entre estas e as de polissilcio,
ou entre as de polissilcio e as zonas de difuso subjacentes, necessrio criar vias, ou seja, orifcios nas diferentes
camadas isoladoras de xido de silcio que so depois preenchidos por um metal, em geral tungstnio.
Como tambm evidente, os tipos de interligao realizveis so muito dependentes da tecnologia e a sua utilizao
tem consequncias a nvel dos custos de fabrico.
Os componentes passivos realizveis so provavelmente ainda mais dependentes da tecnologia. No caso dos
circuitos MOS e CMOS, possvel eliminar quase completamente as resistncias e os condensadores utilizando
tcnicas de circuito adequadas. Isto no s por convenincia de projeto, mas tambm porque, embora fosse possvel,
em princpio, utilizar componentes passivos, eles no so, em geral, de muito boa qualidade e alm disso ocupam
uma rea vastamente superior dos componentes ativos (transstores, no caso MOS e CMOS). Por exemplo,

A-12
suponha-se um condensador plano implementado entre duas camadas de poly separadas por uma camada de xido
fino com 20 nm, para usarmos os valores do exemplo a que temos vindo a referir-nos. A permitividade relativa do
SiO
2
cerca de 3,9. Para obter um condensador de 1 pF precisamos portanto de uma rea de

10
!12
" 20"10
!9
3.9" 8.855"10
!12
# 579.1"10
!12
m
2
, (0.1)
ou seja, aproximadamente um quadrado com cerca de 24"24 "m. Compare-se este valor com o espao ocupado por
um MOSFET (5"5 "m, de acordo com o exemplo anterior). Um condensador ocupa o mesmo espao que 23
transstores. Para as resistncias a situao semelhante.
As formas disponveis para realizar condensadores em praticamente todas as tecnologias so essencialmente trs:
condensadores que utilizam a capacidade entre a porta e o canal dos MOSFETs (boa relao
capacidade/rea, mas altamente no linear
4
);
condensadores poly-poly (boa relao capacidade/rea, linear)
condensadores metal-metal, ou metal-poly (lineares, mas, dependendo dos detalhes tecnolgicos, com
valores de capacidade por unidade de rea bastante menores que os anteriores, devido espessura da
camada de xido).
Para as resistncias, existem, entre outras, as seguintes opes:
metal (muito baixa resistncia, devido elevada condutividade);
polissilcio (resistncia tambm bastante baixa, embora maior que no caso anterior, para as mesmas
dimenses);
resistncias de difuso (obtm-se resistncias elevadas, mas com muito m linearidade, dado que se trata
normalmente de MOSFETs ou JFETs, no caso das tecnologias bipolares, cuja resistncia controlada pela
tenso porta-fonte);
resistncias epitaxiais (s possveis em tecnologia bipolar, basicamente equivalentes a um JFET
funcionando na regio de pinch-off);
Tudo isto conduz a que nos circuitos integrados (mesmo nos bipolares, em que os componentes passivos so
praticamente inevitveis) raramente se encontrem resistncias de valor superior a 1 k!, ou em casos excecionais, at
10 k!. Alm disso, a rea ocupada muito grande. Por exemplo 1 k! a resistncia entre os extremos de uma tira
de polissilcio com um comprimento 20 vezes superior largura (em termos mdios, um quadrado de polissilcio
tem uma resistncia entre faces de 50 !).
Embora na maioria dos circuitos se fuja utilizao de indutncias (e isto aplica-se mesmo eletrnica discreta) os
circuitos integrados CMOS hoje em dia ocuparam tambm o espao dos circuitos de radiofrequncia. Na
implementao de osciladores e tambm de amplificadores sintonizados, tornou-se pois inevitvel a utilizao de
indutncias. Dada a disposio bidimensional dos circuitos integrados, imperativa tambm a implementao de
indutncias sob a forma bidimensional. Por isso, as indutncias utilizadas em circuito integrado so indutncias em
espiral, que podem ser realizadas quer utilizando condutores metlicos quer utilizando condutores de polissilcio.

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Note-se, a propsito, que o condensador s existe enquanto houver tenso com a polaridade correta. Caso contrrio, no h cargas mveis na
zona do canal por baixo da porta.

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H muitas formas possveis, e existe tambm software de simulao especialmente dirigido ao projeto de
indutncias integradas. Um exemplo de projeto representa-se em microfotografia na Fig. A-8.

















Fig. A-8 Microfotografia de um circuito integrado com 4 indutncias em espiral, integradas. (IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.
32, no. 5, May 1997, pg. 742)

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