Sei sulla pagina 1di 80

Dispositivi Elettronici

Lezione 1 4
Introduzione 4
Struttura dei materiali 4
Teoria semiclassica dellatomo 6
Lezione 2 8
Velocit media e mobilit 8
Legge di Ohm 10
Concentrazione intrinseca 11
Lacune ed elettroni 12
Drogaggio 14
Lezione 3 15
Legge di azione di massa 15
Legge della neutralit di carica 16
Potenziale di contatto (Built In) 17
Lezione 4 19
Creazione del wafer in silicio 19
Ossidazione 19
Fotoresist 20
Drogaggio 22
Contatti 23
Lezione 5 24
Giunzione PN 24
Lezione 6 26
Andamento della corrente 27
Effetto fotovoltaico 30
Corrente inversa 30
Campo elettrico nella giunzione 30
Lezione 7 34
Comportamento in regione inversa e breakdown 34
Rottura a Valanga 36
Rottura Zener 37
Breakdown in temperatura 38
Legge di Fick, corrente di diffusione 38
Relazione di Einstein 39
Lezione 8 42
Pagina 2






Equazione di continuit 42
Tasso di ricombinazione e generazione 43
Prolo dei minoritari nel diodo a base Lunga 45
Lezione 9 50
Prolo dei minoritari nel diodo a base corta 50
Parametri di piccolo segnale del diodo 52
Parametri capacitivi del diodo, capacit di giunzione 52
Parametri capacitivi del diodo, capacit di diffusione 53
Lezione 10 54
Lezione 11 60
Lezione 12 66
Lezione 13 68
Lezione 14 75
Pagina 3
Lezione 1

Introduzione

Nel corso delle lezioni si descrivono due dispositivi: Diodo e Triodo (MOS).
Primo esempio di diodo: valvola termoionica. Differenza di potenziale tra catodo e anodo:
scaldando il catodo questo emette elettroni che vengono attratti dallanodo che a tensione
maggiore e quindi vi uno scorrimento di corrente.
















Se polarizzassimo il catodo con tensione maggiore dellanodo gli elettroni tornerebbero indietro
e non ci sarebbe nessuna corrente!
Aggiungendo un terzo terminale (griglia) polarizzata positivamente gli elettroni vengono
accelerati verso lanodo. Al contrario, se questa polarizzata negativamente respinge gli
elettroni che tornano indietro. Modulando la tensione sulla griglia viene quindi modulata la
corrente! quindi un amplificatore. Il guadagno in potenza, infatti la potenza fornita alla
griglia molto bassa (tra griglia e terminali scorre poca corrente), mentre la tensione in uscita
alta!


Struttura dei materiali

Il silicio la base di gran parte dellelettronica. un semiconduttore del IV gruppo della tavola
periodica. Allo stato solido si presenta in due forme, cristallina e amorfa (come il vetro). Nel
materiale cristallino gli atomi sono disposti ordinatamente e periodicamente (hanno simmetria
traslazione lungo un reticolo ordinato), cio partendo da una cella elementare possibile
ricavare la struttura del materiale traslando questa lungo un asse di simmetria. Il materiale
Pagina 4
amorfo presenta atomi disposti in modo disordinato, caotico. Noi tratteremo strutture
cristalline monoatomiche.
Se in un cristallo esistono assi di simmetria questi vanno presi ovviamente come assi di
riferimento e volendo studiare una propriet spaziale del metallo essa andr valutata rispetto a
questi. Per esempio la conducibilit di un metallo potrebbe essere diversa se studiata in una
direzione oppure in un altra. Non si utilizza per il sistema XYZ ma si utilizza il sistema di
Miller.

[abc] sono indici legati ai versori degli assi

Esempi

[100] indica un piano normale allasse X che passa per il punto x=1. La direzione normale a
questo piano (quindi parallela allasse x in questo caso) si indica con <100>





[111] il piano che intercetta lasse x, lasse y, e lasse z nel punto 1. La normale che uscendo
dallorigine intercetta ortogonalmente il piano quindi <111>.

Lunit (1) rappresenta il passo reticolare del cristallo, che costante tra un piano e laltro. La
cella elementare che viene replicata ordinatamente rispetto agli assi cristallografici pu essere
quadrata ( esempio Fosforo), cubica a corpo centrato ( esempio Sodio), cubica a facce centrate (
esempio Oro), ecc ecc.
Il silicio ha struttura leggermente pi complicata:
Pagina 5

sempre cubica a facce centrate ma ogni atomo al centro della faccia collegato con altri 2:
ciascun elemento per una coppia di un atomo del suo vicino tetraedrico. Ha la stessa
struttura del diamante .
Il passo atomico legato alla dimensione dellatomo. Un materiale solido ha mediamente
densit nellordine di grandezza 1000 . Per esempio un materiale leggero come il sodio ha
densit di 968 .
Quanti atomi a metro cubo ha? Il peso atomico del sodio 23 g/mole, e dividendo ottengo
circa 4 . Moltiplicando per il numero di Avogadro ( atomi/mole) ottengo 2.4
. Tradizionalmente si utilizzano per i quindi si ha

2.4 .

Se il sodio ha struttura cubica a corpo centrato possiamo stimare la distanza tra gli atomi del
cubo. In una cella elementare vi sono 9 atomi, e il volume , A il passo atomico. Ogni
vertice per condiviso con 8 cubi circostanti, per cui avremo atomi per cristallo e la
densit quindi . Uguagliando la densit macroscopica calcolata precedentemente si ottiene

A = = 5 =5

si ricorda che cm = 1 nm = 10.

Un atomo di Idrogeno (raggio di Bohr) ha raggio 0.5 .

Lenergia necessaria per rompere un legame ( lavoro di estrazione di un elettrone) ha ordine di
grandezza di 13.6 eV. Questo numero significa che prendendo un atomo di idrogeno e
sparandogli addosso un elettrone con energia cinetica maggiore di 13.6 eV, nellurto pu
succedere che lelettrone venga liberato e latomo viene Ionizzato. Per dare un energia di 13.6
eV a un elettrone devo accelerare la particella con una tensione di 13.6V.
Pi latomo grande meno energia serve per estrarre lelettrone perch si trover ad una
distanza maggiore e quindi il nucleo eserciter meno forza su di esso.


Teoria semiclassica dellatomo

La teoria classica dellelettromagnetismo non in grado di giustificare la stabilit dei sistemi
atomici, caratterizzati da una carica positiva nel nucleo e una carica negativa orbitante. Il sistema
di tipo orbitante, e per la teoria classica la forza centripeta tale per cui la particella orbiti
stabilmente dovr essere uguale a :

kg
m
3
kg
m
3
!10
4
moli
m
3
10
23
10
28
atomi
m
3
cm
3
!10
22
atomi
cm
3
A
3
8!
1
8
+1
2
A
3
2
2.4 !10
22
3
!10
"10
m
10
!7
Pagina 6


Se per i portatori sono cariche la struttura non stabile dal punto di vista elettromagnetico
perch avremo una carica positiva al centro e una carica negativa che ruota, che genera un
campo elettrico e magnetico variabile e deve necessariamente emettere radiazione. Se per fosse
cos allora vorrebbe dire che il sistema perde energia e quindi la particella dovrebbe venir
frenata e alla fine collassare sul nucleo. In realt per ci non avviene sempre: la particella non
irradia (e quindi non perde energia) se la quantit di moto dellelettrone pari a un numero
intero di volte una costante, chiamata di Planck :



Non si conosce ancora il perch ma sotto queste condizioni non vi irradiazione e si dice che
lorbita stazionaria, quindi esistono dei raggi quantizzati di orbite atomiche corrispondenti ai
numeri interi della costante di Planck. Tali raggi si ricavano sostituendo la seconda nella prima:



e lenergia associata ad un dato livello quindi



dove Z il numero atomico e Ry il numero di Rydberg e vale appunto 13.6 eV.

Se quindi esistono orbite stazionarie quantizzate esistono anche livelli energetici distinti e
quantizzati. Avvicinandosi al nucleo lenergia potenziale di una carica diventa sempre pi
negativa, come se vi fosse una buca di potenziale. Le cariche per non precipitano sul nucleo
ma come detto sostano a livelli definiti.
F = m
V
2
r
=
q! q
4!"
0
r
2
h
mV ! r = nh
m
2
V
2
r
2
m! r
3
=
q
2
4!"
0
r
2
n
2
h
2
mr
=
q
2
4!"
0
r
n
=
n
2
h
2
4!"
0
mq
2
E =
!q
2
Z
2" 4!"
0
r
=
!q
2
Z
2" 4!"
0
"
n
2
h
2
4!"
0
mq
2
=
!q
4
m" Z
2" (4!"
0
)
2
n
2
h
2
= !
Z
n
2
" R
y
= !
13.6
n
2
" Z
Pagina 7
Se nelle orbite stazionarie sottostanti non vi sono 2 elettroni, per il principio di esclusione di
Pauli, dopo un po la particella va a occupare quel livello, cio cede energia (irradiando un
fotone) fintanto che la sua energia potenziale non corrisponda a quella del livello parzialmente
occupato. Nelle strutture cristalline che verranno studiate vi un ripetersi continuo e regolare di
buche di potenziale (in quanto vi sono atomi disposti regolarmente): bisogner capire se questo
modifica i livelli energetici ammessi e in che modo.
Immaginiamo un cristallo conduttore: questo sar costituito da un reticolo periodico di atomi
immersi in una nuvola di cariche (elettroni) libere di muoversi, con una densit . Il
rame per esempio ha ordine di grandezza . Gli elettroni liberi sono quelli che
orbitano sugli orbitali pi lontani e che sono in grado di saltare nelle buche adiacenti occupando
i livelli esterni. Definiamo v la velocit media degli elettroni. Applicando un campo elettrico al
materiale quindi gli elettroni si spostano con velocit v. La corrente definita come carica che
attraversa una sezione per lunit di tempo. Quindi se definiamo una certa velocit, per esempio
1 cm/s, vuol dire che entro 1 secondo tutte le cariche lontane al massimo 1 cm dalla sezione
lavranno attraversata. Se considero la sezione S e la lunghezza L ho un parallelepipedo: in
questo volume si hanno



ovvero



La ben nota legge dio Ohm per dice che



come si arriva a ci?
Si deve assumere che la velocit media delle cariche sia proporzionale al campo elettrico agente
sulle cariche, tramite una costante di proporzionalit chiamata mobilit.



Ma come pu una forza generare una velocit e non un accelerazione come dice la prima legge
della dinamica?

Lezione 2

Velocit media e mobilit

Quando si parla di corrente si parla di velocit media delle cariche in movimento. Allinterno
del reticolo il moto dei portatori con campo elettrico nullo caotico e le particelle si muovono
per agitazione termica. Se considerassimo un elettrone come particella puntiforme questo
avrebbe energia cinetica

cariche
cm
3
10
22
cariche
cm
3
Cariche = S ! L! n
Numero Cariche per unit di tempo = S ! v
d
[L t ]! n[elett volume]
Carica per unit di tempo = q
e
! S ! v
d
[L t ]! n[elett volume] = Corrente!
V = RI
v
d
= ! E
Pagina 8
.

A temperatura assoluta T lenergia cinetica media di una particella vale



e quindi le particelle hanno velocit quadratica media



Allequilibrio termico quindi la particella ha energia cinetica non nulla, e questa energia fornita
dalle vibrazioni degli atomi che a loro volta hanno energia cinetica. Ogni particella urta con
quelle circostanti fornendogli energia e il moto medio di tutte nullo, quindi non vi corrente
netta seppur la velocit delle cariche non sia nulla.
La velocit media termica nellordine di cm/s. Applicando una differenza di potenziale
agisce una forza sulle cariche che quindi acquisiscono una componente ordinata di velocit nella
direzione del potenziale maggiore.
Anche questa per una velocit media: trascurando il moto caotico osserviamo che
inizialmente la velocit aumenta a pendenza costante ( moto uniformemente accelerato) pari a
. La particella per accelera solo per un tempo breve in quanto muovendosi essa va a
sbattere con uno ione: incontrando un atomo positivo viene attratta da esso e deviata. In media
la deviazione porta la velocit di ripartenza a zero (a volte prosegue, a volte viene deviata
allindietro). La velocit di deriva della particella aumenta quindi solo per poco tempo (e qua
vale il principio della dinamica) e poi si ferma. chiamato libero cammino medio e
mediamente la velocit di deriva sar



NB geometricamente la velocit media sarebbe la met della massima, ma a causa della
variabilit di questo il valore reale medio.

La costante di proporzionalit che lega la velocit media al campo elettrico quindi la mobilit
e vale

E
e
=
1
2
mV
2
E =
3
2
kT
V
2
=
3kT
m
10
8
qE
m
e
!
v
d
=
q!!
m
! E
!
Pagina 9


e




Legge di Ohm

Se le particelle hanno una velocit media ( il libero cammino medio di una particella)
allora in un unit di tempo tutte le particelle contenute nel volume avranno attraversato
la sezione. Il numero di particelle dato dalla densit per il volume e quindi la corrente vale:



Con il risultato trovato precedentemente si ha quindi:




Definiamo Resistenza



e quindi da questo abbiamo la legge di Ohm.

Gli ordini di grandezza di questi sono:

circa 1 pS, q 1.6
Massa dellelettrone 9.1

La mobilit espressa in ma per tradizione si usano i centimetri. Si ottiene

=175 = 1700

=
q!!
m
v
d
= E
v
d
=
!
"
!
! ! ! S
I =
!
"
! S ! n! ("q) = "v
d
! S ! n! q = v
d
! S ! n! q
e
I = v
d
! S ! q
e
! n = ! E! q
e
! S ! n
E =
"V
L
#
$
%
&
%
I = !
"V
L
! q
e
! S ! n = q
e
n
S
L
'
(
)
*
+
,
! "V
R = ! !
L
S
! =
1
q
e
n
! !10
"19
!10
"31
m
2
V ! s
!10
"3
m
2
V ! s
cm
2
V ! s
Pagina 10
La resistivit del rame nellordine dei . Con una mobilit di 1700 si ottiene

=0.14

Metalli aventi densit atomica nellordine di hanno quindi una resistivit di , un
isolante ha resistivit .


Concentrazione intrinseca

Tutta lelettronica basata su semiconduttori, che hanno resistivit tra 1 e 0.1 . A
prima vista essi sembrerebbero inutili in quanto sono una via di mezzo tra i conduttori e gli
isolanti, ma non cos: per i semiconduttori infatti possibile modulare le propriet di
conduttivit dallesterno. Si gi vista la struttura cristallina del silicio: la struttura atomica dei
materiali appartenenti al quarto gruppo tale da avere 4 elettroni di valenza sullorbita pi
esterna e quindi tale da poter realizzare 4 legami covalenti con altri atomi. Questi elementi sono
quindi abbastanza isolanti perch tutti gli elettroni sono impegnati in legami con altri atomi.
Immaginando una struttura piana invece che tridimensionale si nota che ogni elettrone
condiviso da due atomi e quindi si avrebbe un ottimo isolante (come nel caso del diamante).
Il silicio per un semiconduttore, quindi deve esserci della carica libera: nel silicio puro
(intrinseco) infatti, applicando un campo elettrico, scorre corrente. Si ha una concentrazione di
portatori che a temperatura ambiente vale 1.45 .
Questo numero va confrontato con la densit atomica per capire che percentuale di atomi ha
liberato una carica. Abbiamo gi calcolato che la densit atomica . Vuol dire che pochi
atomi del cristallo hanno liberato un elettrone.
Il valore di portatori liberi inoltre dipende dalla temperatura: aumentando questa aumenta la
concentrazione cariche mobili. La concentrazione dipende quindi verosimilmente dallenergia
! " cm
cm
2
V ! s
! ! " cm
10
22
! " cm
10
14
! " cm
! " cm ! " cm
!10
10
cm
!3
10
22
Pagina 11
fornita dal reticolo allelettrone: se vibrando 2 atomi si allontanano, il legame si allunga e ha pi
probabilit di rompersi liberando un portatore.

Nel carbonio e nel diamante il legame molto forte (gli elettroni pi esterni sono comunque
molto vicini al nucleo, per liberare un elettrone da un atomo di idrogeno servono 13.6 eV
essendo sul primo orbitale) mentre nei semiconduttori sono molto pi deboli (per liberare un
elettrone dal germanio, che ha elettroni di legame sul terzo orbitale, bastano 13.6/9 eV).

La dipendenza della concentrazione intrinseca dalla temperatura esponenziale e definita dalla
legge di attivazione di Arrhenius :



Il grafico di Arrhenius mette in relazione 1/T e concentrazione intrinseca:
Applicando un campo elettrico al semiconduttore e osservando gli elettroni che attraversano
una superficie, si nota che oltre a quelli gi liberati dal legame covalente vi sono anche quelli che
vengono strappati dal legame e vanno a occupare posizioni libere. Se un elettrone occupa un
legame ne libera un altro, quindi il buco si muove in senso opposto. Questo buco viene
chiamato lacuna. Nei metalli non si ha questa situazione perch si hanno molti elettroni gi
liberi. Nei semiconduttori invece se un elettrone libero perch ha lasciato un legame
covalente generando una lacuna.

Lacune ed elettroni

Essendocene solo uno libero vi anche una sola posizione vuota. La corrente proporzionale
alla carica e alla velocit di tutti gli elettroni, sia quello libero sia quelli che sono nei legami.



Se non ci fosse lelettrone libero la somma di tutte le velocit sarebbe zero perch non ho
portatori liberi e niente (in media) si muoverebbe! Sommando e sottraendo la velocit che
avrebbe lelettrone se fosse ancora nel legame covalente ottengo:

n
i
= A! e
"
E
kT
I = !q" v
k
Legami
k#i
$
! q" v
i
Libero
Pagina 12


La somma di tutti gli elettroni legati deve essere nulla! Rimane quindi che la corrente netta
quando un elettrone uscito dal legame pari al contributo che darebbe un elettrone libero pi
il contributo che darebbe un elettrone libero se avesse carica opposta e velocit dellelettrone
legato. Per calcolare rigorosamente la corrente dovremmo sommare tutti gli elettroni che si
muovono per riempire la lacuna, ma molto pi semplice considerare solo la lacuna che si
muove in senso opposto! (Quindi il secondo ha velocit negativa e quindi si somma al primo)
In un isolante quando si strappa un elettrone dal legame si generano 2 contributi alla mobilit
della carica. Questi materiali, che dovrebbero essere isolanti, quando diventano un po
conduttivi producono una conduzione bipolare, dovuta alle lacune e agli elettroni. La
conducibilit quindi un po pi complicata: in un metallo



In un semiconduttore ci sono elettroni con concentrazione intrinseca e hanno una certa
mobilit, ma oltre a questo contributo ci sono anche le cariche positive, che hanno una certa
concentrazione (che uguale a quella degli elettroni perch le hanno generate loro) e una
certa mobilit!
La mobilit legata alla velocit di deriva media. Ma se carica e libero cammino medio sono
semplici da immaginare anche per la lacuna, che massa si deve usare? Si deve definire una massa
equivalente dopo aver misurato la velocit media alla quale si muovono le lacune e la chiamo
massa efficace e nel silicio circa 0.38*me.




In altre parole le correnti saranno la somma della corrente dovuta alle lacune e di quella dovuta
agli elettroni.
I = !q" v
k
Legami
k#i
$
! q" v
i
Libero
+ q" v
i
Legami
! q" v
i
Legami
= !q" v
k
Legami
k
$
0
! " ## $ ##
! q" v
i
Libero
+ q" v
i
Legami
= !q" v
i
Libero
+ q" v
i
Legami
c
metallo
=
1
!
=
n
! q
n
! n
n
i
n
i
c
semiconduttore
= (
p
! q
p
! n
i
+
n
! q
n
! n
i
)

p
=
q
p
!!
p
m
eff
Pagina 13



Drogaggio

Detto questo facile intuire come modificare la conducibilit del materiale: basta variare le
concentrazioni!
Cosa succede se nel reticolo immetto un atomo di fosforo? Ogni tanto nel reticolo si avrebbe
un atomo diverso che ha 5 elettroni di valenza: 4 si legano con gli atomi di silicio vicini e il
quinto rimane libero. Questo elettrone esce dal suo orbitale e diviene disponibile alla
conduzione

Abbiamo generato degli elettroni addizionali immettendo un atomo del V gruppo. Se per
esempio facciamo un drogaggio di 1 ppm, vuol dire che abbiamo inserito per unit di volume 1
ppm * , quindi abbiamo elettroni addizionali che sono molti di pi di quelli originari
dovuti alla rottura dei legami! Nella conducibilit quindi ora la concentrazione di cariche
negative dovuta esclusivamente alla concentrazione di portatori del fosforo (chiamata da
donori) e quindi alla concentrazione di atomi droganti. Gli elettroni sono quindi anche in
numero molto maggiore delle lacune (che sono generate solo dalla rottura dei legami covalenti e
quindi il loro numero non varia) e quindi sono detti portatori maggioritari. facile immaginare
anche il caso opposto, ovvero drogare il materiale con uno del III gruppo che genera una
lacuna.
I = c
semic
!
S
L
!V = (
p
! q
p
! n
i
+
n
! q
n
! n
i
)!
S
L
!V
10
22
10
16
N
D
Pagina 14
La concentrazione di lacune data dalla percentuale di drogaggio ed detta . Ora avremo
quindi molte pi lacune che elettroni liberi e la conducibilit, essendo ora praticamente solo
composta dal termine della carica positiva, dipende dalla concentrazione di atomi droganti di
tipo P.
Ma siamo sicuri di poter ionizzare laccettore o il donore, ovvero di disporre dellelettrone ( o
lacuna) libero?
Per esempio in un materiale drogato con fosforo, ci dipende dallenergia necessaria per
rendere libero il quinto elettrone e dipende dallorbitale sul quale si trova! Se kT (lenergia in
grado di fornire il reticolo per agitazione termica) maggiore del lavoro di estrazione allora
posso considerare gli elettroni in pi del fosforo liberi.
Il fosforo del secondo periodo e quindi ha 2 orbitali . Lenergia necessaria per estrarre un
elettrone



Che abbastanza alto! Quando per lelettrone si muove vede gli altri elettroni che lo
respingono e bisogna tener conto di questo fatto (polarizzabilit). Dove interviene la
polarizzabilit? Nella costante dielettrica! Infatti il campo elettrico minore che nel caso del
vuoto, quindi devo usare la costante dielettrica del materiale. Nel caso del silicio la costante
dielettrica relativa circa 10, ma siccome compare sia nel raggio quantizzato sia nellenergia
potenziale ho che:

1) Il raggio a cui orbita lelettrone maggiore di un fattore 10 rispetto al caso di un atomo nel
vuoto: se nel silicio il raggio era 0.5 , lelettrone di fosforo orbita a 5 , nellordine del
passo reticolare!
2) Lenergia 100 volte minore ( compare ) quindi diventa comparabile con kT



Gli elettroni sono molto debolmente legati e vengono facilmente portati via. Quindi si pu
assumere che tutti i droganti siano ionizzati a temperatura ambiente.


Lezione 3

Legge di azione di massa

Supponiamo di prendere una regione drogata n. La gran parte degli elettroni data dagli
elettroni del fosforo e quindi la concentrazione di elettroni pari a quella di atomi di drogante.
Le lacune che fine hanno fatto? Se prima avevo lacune per dovute ad altrettante
rotture del legame, ora che ho moltissimi elettroni disponibili molto pi probabile che un
elettrone si trovi abbastanza vicino da andare a occupare il posto vacante e quindi posso
immaginare che le lacune siano diminuite. Il numero di lacune ed elettroni dipende dal tasso di
generazione e ricombinazione.
N
A
E
e
=
Z
n
2
!13.6 =
13.6
3
2
>1eV
!
2
E
e
=
E
e0
!
r
2
r
n
= !
r
! r
n0
10
10
cm
3
Pagina 15
Il tasso di generazione (eventi di rottura di legame al secondo) funzione della sola
temperatura, infatti una generazione dovuta alle vibrazioni del reticolo. Il tasso di
ricombinazione funzione della temperatura ma anche funzione del numero di lacune e del
numero di elettroni disponibili (ovvero dipende dal prodotto delle concentrazioni, se una delle
due nulla allora non si hanno ricombinazioni! ).



Allequilibrio si ha che il tasso di generazione pari al tasso di ricombinazione (aumentando la
generazione aumenta anche la densit di portatori liberi quindi aumenta la ricombinazione) :
quindi deve essere che


Questo vale sempre, anche nei semiconduttori drogati. Se per considero il silicio intrinseco,
essendo i portatori p in numero uguale ai portatori n, si ha



Questa allora deve valere sempre, per qualsiasi tipo di semiconduttore, drogato o
no, ed chiamata legge di azione di massa.

Se e inserisco atomi di fosforo, allora la concentrazione di lacune
scende a !

NB Finora abbiamo immaginato che allinterno del reticolo vi sia una concentrazione costante
di drogante: ma ci non proprio vero. Infatti il drogante viene inserito dallalto e la
concentrazione sar maggiore verso la superficie e diminuir scendendo allinterno. Per creare
una giunzione pn dovrei drogare p e poi n, ma non avrei controllo preciso sulle concentrazioni,
per cui si utilizza un silicio gi drogato (di tipo p) e vi si diffonde solo la zona mancante.

Legge della neutralit di carica

Immaginiamo una zona drogata di tipo n. Come dimostrato, tutti gli atomi di drogante sono
ionizzati e quindi hanno liberato il loro elettrone: vi quindi una carica positiva netta localizzata
sugli ioni di fosforo. Per garantire la neutralit di carica del cristallo devo avere che la carica
positiva eguaglia quella negativa, quindi deve essere che

,

ovvero la concentrazione di cariche fisse positive (atomi che hanno ceduto un elettrone) pi la
concentrazione di cariche mobili positive (lacune) deve essere pari alla concentrazione di cariche
fisse negative (atomi che hanno ricevuto un elettrone) pi la concentrazione di cariche mobili
negative.

Generazione = f
1
(T )
Ricombinazione = n
n
! n
p
! f
2
(T )
Generazione = Ricombinazione
f
1
(T ) = n
n
! n
p
! f
2
(T )
n
n
! n
p
=
f
1
(T )
f
2
(T )
n
p
! n
n
= n
i
2
=
f
1
(T )
f
2
(T )
n
i
10
10
10
17
10
3
N
+
+ p = N
!
+ n
Pagina 16
f
1
(T )
f
2
(T )

Potenziale di contatto (Built In)

Prendiamo del silicio e dividiamolo in due zone, e nella zona 2 mettiamo pi atomi di fosforo
rispetto alla zona 1
Latomo di fosforo rappresentato come un sito positivo con il suo elettrone. Quando perde
lelettrone rimane una carica positiva. Immaginiamo di avere 3 atomi di fosforo ognuno con il
proprio elettrone. Quando gli elettroni lasciano lorbitale tendono a diffondere verso le zone a
concentrazione minore, ma appena questi si allontanano la carica positiva netta della zona
contenente gli ioni inizia a aumentare (non sono pi bilanciati dagli elettroni), mentre dove gli
elettroni si accumulano nasce un potenziale negativo. C quindi una differenza di potenziale e
un campo elettrico! Gli elettroni tendono a diffondere fintanto che il campo diventa abbastanza
forte da fermarli. In condizione di equilibrio quindi non vero che la concentrazione di
elettroni uguale, ma avr un valore n1 da un lato e n2 dallaltro. Il potenziale della zona
contenente gli ioni sar maggiore di quella contenente gli elettroni, V2>V1.
Per trovare la relazione tra n1,n2 e la tensione consideriamo lesempio di una colonna riempita
di gas allequilibrio termico:


La legge dei gas ideali dice che



dove il numero di moli. Dividendo per il numero di Avogadro entrambi i membri otteniamo

pV = ! nRT
! n
Pagina 17


dove n invece la concentrazione di particelle per unit di volume. Se consideriamo due
sezioni, una ad altezza z e una ad altezza z + un infinitesimo dz, che differenza di pressione c?
La concentrazione sar variata di dn e la pressione di dp



ma la variazione di pressione dipende dalla differenza del peso delle particelle sovrastanti e cio
il peso delle particelle contenute nellinfinitesima unit di volume diviso larea:



Sostituendo ottengo:



ma mgz lenergia potenziale delle particelle ad altezza z! Questa la funzione di ripartizione di
Boltzmann e indica la probabilit che una particella allequilibrio termico si trovi in una
posizione z a causa dellenergia termica. Possiamo stabilire un equivalenza con il caso del
semiconduttore in quanto si tratta di trovare le due concentrazioni in presenza di una differenza
di energia potenziale. Lenergia potenziale di una particella in un campo pari alla carica per il
potenziale. Si ottiene quindi



La stima del rapporto delle concentrazioni data dal rapporto delle concentrazioni di atomi
droganti. conoscendo quindi tali concentrazioni si ha che



Caso pi complicato: zona drogata n e una zona drogata p.

Se e : nella zona n ci sono circa elettroni e nella zona p un numero
di lacune uguale al numero di atomi droganti. Sapendo che allora si trova che il
numero di elettroni nella zona drogata p .

pV
N
AV
= ! n!
R
N
AV
!T = ! nkT
p =
! n! N
AV
V
! kT = nkT
dp = kT ! dn
!dp =
mg" n" A" dz
A
= mgn" dz
!kT " dn = mgn" dz
dn
dz
= !
mgn
kT
n
z
= n
z=0
" e
!
mgz
kT
= n
tot
" e
!
#E
p
kT
n
1
n
2
= e
!
!qV
1
!(!qV
2
)
kT
= e
!
q(V
2
!V
1
)
kT
= e
!
q!
kT
! = !ln
n
1
n
2
"
#
$
%
&
'
(
kT
q
= ln
n
2
n
1
"
#
$
%
&
'
(
kT
q
N
D
10
17
N
A
10
15
10
17
N
A
! N
elettroni
= n
i
2
10
5
Pagina 18


Possiamo quindi calcolare il potenziale con la stessa formula. Gli elettroni si muoveranno verso
la zona con meno concentrazione e si generer una differenza di potenziale di equilibrio
(potenziale di contatto o built-in).


Lezione 4

Creazione del wafer in silicio

Il materiale base, puro all1 per mille, viene fuso. Si immerge poi un cristallo di silicio tagliato
secondo i piani cristallografici. Quando questo viene a contatto con la superficie, gli atomi del
silicio circostante vengono a assemblarsi in modo da assumere la configurazione a minima
energia quindi il solido viene formato da piani reticolari regolari. Il lingotto quindi ( fatto
ruotare ed estratto lentamente ) cresce in diametro in funzione della velocit di rotazione e
estrazione.
Il lingotto viene tagliato in fette (dimensioni nellordine di 0.5 mm) e queste vengono levigate, e
si pu quindi iniziale la lavorazione per realizzare il circuito elettronico. Il peso di una fetta di
diametro 300mm (ora si va verso i 450mm). Il cristallo originale utilizzato orientato [100] e il
wafer originario drogato p per portarlo a resistivit 10m!/cm. Inoltre lazienda che crea il
wafer realizza anche una prima lavorazione, creando uno strato epitassiale in modo da dare una
resistivit maggiore dello strato superiore. La realizzazione avviene ponendo il wafer in una
fornace contenente unatmosfera neutra (senza ossigeno) composta da Silano (SiH4). Questo si
adagia sul wafer, il legame Si-H si rompe e il Si si lega agli altri atomi sottostranti. Se si vuole
creare un drogaggio p si utilizzano altri gas a base di Boro.

Ossidazione

Labbattimento dei costi possibile parallelizzando la realizzazione su tutto il wafer. Il primo
passo necessario alla creazione del chip lossidazione. Il successo del silicio in parte dovuto
alle propriet del suo ossido: compatto e protegge completamente la superficie sottostante.
Inoltre pu essere selettivamente rimosso con composti a base di acido cloridrico (che non
attacca invece il silicio sottostante). Lossidazione avviene in parallelo immettendo anche in
questo caso gas per lossidazione e temperature elevate. Si parla di ossidazione secca quando si
utilizza ossigeno, mentre umida quando si utilizza acqua. Si realizzano ossidi di spessore
1000-60 . Se il passo atomico 5 lossido meno spesso composto da solo una decina di
cristalli!
Man mano che il processo avanza lo strato di ossido cresciuto fa da barriera per la crescita
successiva! Arriva una molecola di ossigeno, diffondere attraverso lo strato di ossido gi
deposto e rompere i legami del silicio gi presente. Lossido quindi cresce dal basso!

!
c
= V
n
!V
p
= ln
N
d
" N
a
n
i
2
#
$
%
&
'
(
"
kT
q
Pagina 19



I parametri che controllano la velocit di crescita sono la pressione parziale dellossidante e la
temperatura.
Qual il consumo della superficie di silicio quando cresciamo uno strato di ossido?
Supponiamo di volere uno strato di 1000.
La densit dellossido di Silicio nota e questo chimicamente SiO2. La densit 6.6e22
atomi/cm^3 e quindi solo 1 atomo ogni molecola di Si! La densit di atomi di Si nellossido
quindi 2.2e22 atomi/cm^3, e siccome devo conservare il numero di atomi ho



Se genero 1000 di ossido si erodono 440 di silicio sottostante!
Da notare che la relazione tra spessore cresciuto e il tempo quadratica, ovvero per crescere
uno spessore doppio serve il quadruplo del tempo perch lossidante deve diffondere in strati di
sempre maggior spessore di ossido.
Lossidazione umida pi efficace di quella secca! In primo luogo perch il legame O-O pi
forte del legame O-H quindi si libereranno meno atomi di ossigeno rendendosi disponibili per
legare con il Silicio. Inoltre la molecola di acqua pi piccola della molecola O2 quindi si
diffonde meglio nellossido!
Il problema che lossidazione umida crea un ossido di minore qualit perch vengono liberate
molecole di idrogeno che dovrebbe risalire oppure addirittura rimangono legami O-H
allinterno del silicio.


Fotoresist

Per creare dispositivi elettronici necessario andare a lavorare su aree definite: serve quindi uno
schermo per decidere dove andare a mettere mano. Lo schermo realizzato con un resist
fotografico. Questo viene deposto sulla superficie ponendo una goccia sul wafer in rotazione.
Una volta deposto su tutta la superficie, si deve identificare le zone dove si deve andare a
lavorare: questo si realizza andando a modificare le propriet del resist con un processo
fotografico. Esso viene esposto a una radiazione laser in modo che diventi dissolubile nella
soluzione di sviluppo e quindi la parte impressionata viene rimossa lasciando scoperta la zona
sottostante. Limpressionamento del resist avviene con un infrastruttura chiamata scanner. Una
maschera frapposta tra il laser e una lente che focalizza la figura definita dalla maschera su un
area del wafer. Questa non copre ovviamente tutto il wafer e quindi il processo ripetuto fino a
coprire lintera superficie. La maschera focalizzata tramite una lente e quindi pi anche essere
2.2!10
22
! Area! x
SiO
2
= 5!10
22
! Area! x
Si
x
Si
=
2.2
5
! x
SiO
2
= 0.44 ! x
SiO
2
Pagina 20
di dimensioni maggiori della figura che si intende impressionare. In genere le maschere sono
fatte di quarzo.
La lunghezza donda dei laser nellordine dei 200 nm (vicino ultravioletto) e le fenditure della
maschera sono nellordine dei 60 nm. Ma sono circa dello stesso ordine di grandezza! Non c
una proiezione geometrica (dopo la fenditura la radiazione non procede in modo rettilineo) ma
vi una proiezione diffratta. Vuol dire che oltre al fascio principale vi sono fasci diffratti con
angoli dipendenti dalla lunghezza donda e dalla dimensione della fenditura.






Pagina 21
La struttura degli ordini diffratti calcolabile! Quindi anche possibile farli convergere
sovrapposti su un piano. Inoltre parte degli ordini diffratti vengono inevitabilmente persi. ???
La minima dimensione (risoluzione) che riesco a garantire sul wafer data dal rapporto tra la
lunghezza donda e lapertura numerica della lente (rapporto diametro/focale). Tutte le
tecnologie hanno una dimensione critica minima che pi essere garantita. In sostanza seppur
difficile possibile lavorare anche in regime di diffrazione, ma linformazione persa (ordini che
escono dalla lente) pone dei limiti alla minima dimensione realizzabile. quindi fondamentale
riuscire a creare lenti grandi ma dal profilo perfettamente controllato, levigato a livello atomico.
NB dimostrabile che linformazione dei fasci diffranti pi esterni corrisponde alle frequenze
di Fourier pi alte dellimmagine. Il profilo che si ottiene perdendo gli ordini alti si perde la
rigidit delle transizioni e non si ha la nettezza chiaro/scuro. Inoltre anche il Resist gioca il suo
ruolo in quanto ha una soglia oltre la quale diventa solubile: dimensionare correttamente questa
soglia permette di controllare la perdita degli ordini di diffrazione.



Drogaggio

Come possibile una volta rimosso il resist andare a creare zone p e zone n? Si possono
utilizzare impiantatori ionici che sparano degli atomi allinterno del reticolo nelle zone dove non
vi il resist e dove questi si fermeranno ad una profondit media dipendente dallenergia
cinetica fornita allatomo.
Gli atomi di fosforo (presente in forma solida poi vaporizzata) vengono prima ionizzati e poi
accelerati da un campo elettrico. Entrano poi in una zona curvata che immersa in un campo
magnetico che, fissata lenergia cinetica fornita precedentemente dallaccelerazione, curva il
fascio di una quantit definita. Ioni che hanno cariche di ionizzazione diverse o massa diversa
vengono curvati diversamente quindi solo quelli corretti arrivano nel reticolo. Inoltre essendo
lo ione carico posso misurare la corrente in uscita e controllare la dose impiantata.
CD =
!
NA
NA =
D
2 f
Pagina 22

In questo caso impianto ioni, quindi particelle alle quali aggiunto o tolto un elettrone. Nel
caso del fosforo per esempio impianto un atomo con un elettrone in meno, e quando si
stabilizza nel cristallo cercher di riacquistare il portatore perso. Questo viene fornito da un
atomo di silicio che a sua volta lo prender da un altro ecc ecc e in definitiva lelettrone
mancante verr fornito dal contatto metallico del generatore!

Il reticolo per stato danneggiato dallimpiantazione quindi sar necessario scaldare il
materiale per permettere agli atomi di riassumere le posizioni corrette. possibile scaldare tutti
i wafer insieme in un forno (ma un processo lento) oppure scaldare con una lampada la
superficie. Il vantaggio del primo luniformit della temperatura mentre il secondo
temporalmente pi conveniente.



Contatti

Per la realizzazione dei contatti si procede come detto ma si crea una regione pi drogata per
permettere un maggiore scambio di cariche. Successivamente si pulisce la superficie togliendo il
resist (quello per la creazione delle zone drogate) e lossido rimasti e si deposita uno strato di
ossido (giallo) facendo nevicare la polvere di questo. Non serve ossido di qualit e serve che
sia deposto in fretta! Il processo pu essere realizzato in pochi minuti per crescere migliaia di .
La fase vapore dellossido leggermente drogata con boro e fosforo per farlo pi morbido
quindi far si che sia pi liscio. Si aprono poi dei fori utilizzando ancora il resist e si scava
nellossido. Come si pi scavare in verticale?


Si utilizzano ancora ioni! Questi sbattono sullossido scavando fino al substrato. Questo
chiamato attacco al plasma. Si utilizza un gas ionizzato, a base di fluoro, che attacca solo
lossido e non il silicio. Al silicio viene dato un potenziale elettrico che attrae gli ioni che
sbattono sullossido scavando in questo verticalmente. Gli ioni sono carichi positivamente e
quindi il silicio posto a potenziale negativo. Per velocizzare il processo si deve aumentare il
numero di molecole ionizzate gi presenti temperatura ambiente: applicando una differenza di
potenziale alternata gli elettroni presenti vengono scossi e collidono con molecole non
ionizzate estraendo altri elettroni. Per far si che gli elettroni non arrivino al contatto si utilizza
Pagina 23
un onda con periodo minore del tempo di transito, in modo che mediamente dopo un urto
lelettrone sia attratto in direzione opposta.
Sulla superficie del substrato quindi piovono ioni che oltre a erodere il materiale a causa degli
urti svolgono anche un lavoro chimico: posti a contatto con lossido gli ioni attirano gli elettroni
indebolendo il legame, facilitando la rimozione con un successivo urto.
Anche il polimero per viene martellato e cede qualche molecola alla nube gassosa. Una volta
liberato questo tende a aderire nuovamente e statisticamente pi probabile che aderisca sulle
pareti laterali del buco essendo queste meno colpite dagli ioni. viene quindi a crearsi uno
strato protettivo che ostacola lattacco laterale che continua a scavare solo verticalmente!
Questo vantaggioso, per cui oltre alla specie ionizzata (per lattacco chimico) e al gas nobile
(per lattacco fisico, non si lega con le molecole di ossido) si aggiunge un gas a base di carbonio
appositamente inserite per scalfire il polimero di resist. In questo modo posso regolare langolo
di apertura del foro, pi polimero gira infatti pi questo tender a depositarsi subito e quindi
langolo sar molto stretto. Se non ci fosse per nulla polimero avrei che lo ione dopo aver urtato
sul fondo del buco andrebbe ad urtare anche sulle pareti scavando lateralmente e creando un
profilo svasato.
Una volta scavato il buco va riempito con materiale metallico. Non si pu inserire metallo fuso
a causa delle temperature e della dimensione del foro, quindi si procede con una deposizione a
partire da esafloruro di tungsteno. Il tungsteno viene utilizzato perch non crea bolle. Le linee
metalliche sono create sempre per deposizione, con alluminio o rame.


Lezione 5

Giunzione PN

Come gi visto drogando con accettori un lato e con donori dallaltro avviene un fenomeno
diffusivo per cui le due specie si spostano dal lato opposto. Questa diffusione per crea una
differenza di potenziale : una lacuna aumenta il potenziale della zona in cui diffonde e
diminuisce quello della zona di provenienza e viceversa per gli
elettroni. Vi sar quindi un campo elettrico che genera la differenza di potenziale generato dagli
atomi che
perdono o acquistano atomi.

Pagina 24



Nel lato n quindi vi sar un potenziale positivo (elettroni che se ne vanno e lacune che arrivano)
mentre dal lato p vi sar un potenziale negativo (elettroni che arrivano e lacune che se ne
vanno). La differenza di potenziale quindi andr dalla zona p alla zona n e il campo elettrico
andr dalla zona n alla zona p.
La differenza di potenziale stimabile osservando il sistema allequilibrio termico. In un sistema
classico allequilibrio termico le particelle si distribuiscono secondo il rapporto delle energie
potenziali. Nella zona dei donori la densit di elettroni mentre la zona degli accettori ho
una densit di lacune e quindi una densit di elettroni (portatori minoritari) pari a .







Applicando il ragionamento precedentemente visto devo avere che:

N
D
N
A
n
i
2
N
A
Pagina 25


Questo lega il potenziale di built in alla concentrazioni di droganti ( e ), alla temperatura
e al materiale utilizzato .

NB Se cortocircuito il dispositivo non vi per passaggio di corrente anche se c una
differenza di potenziale! Questa una contraddizione, per cui dovr avere una caduta di
tensione da qualche parte che compensa il potenziale di built in. Ricordando che anche la
giunzione metallo-semiconduttore genera un potenziale intrinseco, si deve avere che la somma
delle cadute sui contatti eguaglia quella della giunzione pn. La differenza che i contatti sono
conduttivi: qualunque corrente vi sia nel sistema, la differenza di potenziale tra metallo e silicio
non varia. Se applico una tensione esterna determiner un passaggio di corrente che non altera
la differenza di potenziale della giunzione metallo-semiconduttore ma eventualmente andr a
variare la tensione della giunzione pn.

Cosa succede quindi alla giunzione pn se applico una differenza di potenziale esterna?
Qualitativamente significa immettere cariche p nel lato positivo del generatore e n dal lato
opposto. Immaginando di applicare un generatore con verso opposto a le cariche positive
andranno a sommarsi a quelle gi presenti diminuendo il numero di elettroni nella zona
svuotata, mentre dal lato opposto le cariche negative andranno a diminuire il numero di lacune
riducendo il campo elettrico e quindi il potenziale di contatto intrinseco. Siccome il potenziale
del contatto metallo-semiconduttore ( contatto ohmico) non varia, la nuova tensione sulla
giunzione pn sar pari a quella esterna meno quella di contatto ohmico.
Se applico una tensione in senso opposto andr a mettere carica positiva dove vi erano elettroni
e carica negativa dove vi erano lacune. Quindi la regione svuotata aumenta e con essa la
differenza di potenziale.


Lezione 6

I risultati ricavati finora sono che :

1) Gli elettroni diffondono dalla zona n alla zona p e le lacune dalla zona p alla zona n.
Questo da luogo a una regione di carica spaziale. Nella zona p infatti gli ioni hanno ora
carica negativa e nella zona n hanno carica positiva. Questo porta ad avere un campo
elettrico e quindi una differenza di potenziale tra le due parti della giunzione che
allequilibrio si oppone ad un ulteriore passaggio di cariche.
2) La giunzione pn un dispositivo rettificante. Se cortocircuito il diodo avr che la somma
delle cadute sui morsetti eguaglia il potenziale intrinseco, mentre se applico una tensione
concentrazione elettroni zona n
concentrazione elettroni zona p
= e
!
E
p,n
!E
p, p
kT
N
A
" N
D
n
i
2
= e
!
E
p,n
!E
p, p
kT
N
A
" N
D
n
i
2
= e
!
!q"V
2
+q"V
1
kT
= e
q"(V
2
!V
1
)
kT
V
2
!V
1
=
kT
q
" ln
N
A
" N
D
n
i
2
#
$
%
&
'
(
= !
i
N
A
N
D
n
i
!
i
Pagina 26
diretta (potenziale maggiore su p) allora aumento la concentrazione di lacune e stringo la
regione di carica spaziale. Questo porta a un passaggio di corrente (il potenziale sulla
giunzione non pi sufficiente a impedire agli elettroni della zona n di saltare nella zona p
e viceversa per le lacune). Se applico una tensione inversa invece aumento il campo elettrico
tra le regioni drogate e quindi non vi passaggio di corrente.

Andamento della corrente

Allequilibrio si ha quindi una differenza di potenziale e non passa corrente. Concentriamoci
sugli elettroni: qual landamento del potenziale elettrico?
Abbiamo detto che il potenziale passando dalla zona p alla zona n aumenta e il gradino stato
definito come .


Lenergia potenziale degli elettroni pari a




Il gradino quindi pari a ed invertito rispetto al gradiente della tensione (questo vale solo
per gli elettroni). Le particelle tendono allo stato di minore energia possibile quindi normale
che vi siano pi elettroni nella zona n!
Estendendo la trattazione qualitativa possiamo ora chiederci quanti elettroni riescano
comunque a saltare nella zona p. Vi una differenza di potenziale e una barriera di potenziale
tali per bloccare il passaggio ulteriore di carica. Se vi sono elettroni che dalla zona n vogliono
passare nella zona p, dovrebbero muoversi contro il campo elettrico e tenderebbero ad essere
respinti. Si dice che gli elettroni devono risalire il ginocchio e attraversare la barriera di
potenziale. Se questi non hanno sufficiente energia cinetica arrivano ad un certo punto e
tornano indietro. Ma quanti sono quelli che ce la fanno?
Lenergia totale meccanica data dalla somma di energia potenziale e cinetica: se siamo in un
sistema conservativo (com quello considerato) lenergia totale costante. Se una particella
volesse attraversare la barriera (immaginando energia potenziale nulla nel punto pi basso)
dovrebbe quindi arrivare in cima con ancora sufficiente energia cinetica per proseguire: deve
quindi essere che per attraversare un elettrone deve possedere energia meccanica totale pari
almeno a .



Quante sono le particelle con energia totale maggiore della soglia? Ancora con la trattazione dei
gas possiamo calcolare questo numero:
!
i
E
p
= !q"V
q !!
i
q !!
i
E
tot ,n
=
1
2
! m!V
2
= q!!
i
Pagina 27



Questo il numero di particelle che potrebbero saltare: ovviamente data la tridimensionalit
del problema il numero reale molto minore ed espresso con una costante:


Osserviamo ora la situazione dal lato opposto: allequilibrio nella zona p si hanno elettroni.
Questi pochi, se arrivano vicino al bordo vengono attirati dal campo elettrico e saltano dallaltro
lato. Anche in questo caso si ha che non tutte le cariche riusciranno ad arrivare al bordo, e
anche qua si assume che vi sia un coefficiente di proporzionalit uguale al caso precedente.



Vi saranno quindi due flussi in totale:



Vi pu essere un flusso netto di elettroni in un verso o nellaltro? Assolutamente no! ben
noto e vale



sostituendo per il lato destro si ottiene:



Ma ci era gi stato detto: infatti la tensione tale per cui si annulla il flusso.
Cosa succede applicando un potenziale diretto? Si detto che con una tensione diretta la
differenza di potenziale tra le due zone diminuisce, ovvero la barriera di potenziale di abbassa.
Il flusso di elettroni che cadono da sinistra a destra non varia perch indipendente
dallaltezza della barriera: viene invece aumentato il flusso di elettroni che saltano da destra a
sinistra. Sar infatti ora
n
en totale >soglia
= n
tot
! e
"
soglia di potenziale
kT
n
en totale >soglia
= N
D
! e
"
q!!
i
kT
n
en totale >soglia
= !
n
! N
D
! e
"
q!"
i
kT
n
i
2
N
A
I
1!2
"N
D
I
2!1
"
n
i
2
N
A
!
i
kT
q
! ln
N
A
! N
D
n
i
2
"
#
$
%
&
'
= !
i
I
1!2
" N
D
# e
$
q#
kT
q
#ln
N
A
#N
D
n
i
2
%
&
'
(
)
*
kT
= N
D
# e
$ln
N
A
#N
D
n
i
2
%
&
'
(
)
*
= N
D
#
n
i
2
N
A
# N
D
=
n
i
2
N
A
!
i
Pagina 28




Il risultato un flusso netto di cariche negative che si spostano:



Si deve per tener conto anche delle lacune. Queste essendo positive hanno energia potenziale
che segue il potenziale elettrico e quindi tenderanno a stare nella zona con potenziale minore.
Per lo stesso discorso fatto sugli elettroni, quelle che potrebbero saltare dallaltro lato sono




mentre quelle che da destra cadono sono



Il flusso totale di lacune



La corrente netta sar quindi data dalla somma dei due contributi, lacune e elettroni

n
en totale >soglia
= N
D
! e
"
q!(!
i
"V
D
)
kT
!
n
! N
D
! e
"
q!("
i
"V
D
)
kT
"!
n
!
n
i
2
N
A
= !
n
! N
D
! e
"
q!"
i
kT
n
i
2
N
A
!" # $ #
e
q!V
D
kT
"!
n
!
n
i
2
N
A
= !
n
n
i
2
N
A
! e
q!V
D
kT
"!
n
!
n
i
2
N
A
p
e tot > soglia
= !
p
! p
tot
! e
q"
i
kT
= !
p
! N
A
! e
q! "
i
"V
D
( )
kT
!
p
! p
n
= !
p
!
n
i
2
N
D
!
p
! N
A
! e
"
q! "
i
"V
D
( )
kT
"!
p
!
n
i
2
N
D
= !
p
!
n
i
2
N
D
! e
q!V
D
kT
"!
p
!
n
i
2
N
D
Pagina 29


Si definisce la corrente di saturazione inversa che si ha con tale per cui il termine
esponenziale diventa trascurabile e quindi:



Quando pari a 0 la corrente nulla, mentre quando negativo la corrente diventa negativa
e costante (il termine esponenziale trascurabile) in modulo pari a .

Effetto fotovoltaico

Se nella zona di giunzione arriva un fotone, questo rompe un legame ( di solito Si-Si, con
energia necessaria nellordine di 1 eV ) generando una coppia elettrone-lacuna. Sotto lazione di
un campo elettrico questi acquistano velocit e quindi determinano una corrente. Nelle
equazioni precedenti questa un contributo aggiuntivo che si somma agli effetti trattati. Ci
significa che vi una traslazione della curva verso il basso: per esempio in polarizzazione
inversa non passerebbe praticamente corrente, ma se vi sono fotoni che rompono legami la
corrente aumenta e il dispositivo diventa una sorgente di energia. Con potenziali positivi la
corrente rimane ancora negativa, per cui come un generatore! Il diodo genera quindi potenza.
Questa pari a per cui le linee equipotenziali sono delle iperboli. Il massimo si ottiene nel
punto tangente alla curva pi esterna, ovvero chiudendo il diodo su una resistenza che imponga
il punto di lavoro nel massimo. Questo deve essere realizzato al variare dellilluminazione, vi
quindi un controllo attivo del carico per ottenere il massimo dal pannello.

Corrente inversa

La corrente in zona inversa misurata con un diodo reale in realt almeno doppia di quella
predetta. Questo perch nella zona svuotata succede che un legame si rompa spontaneamente
aggiungendo contributi di corrente.

Campo elettrico nella giunzione
I !!
p
"
n
i
2
N
D
" e
q"V
D
kT
#!
p
"
n
i
2
N
D
+!
n
n
i
2
N
A
" e
q"V
D
kT
#!
n
"
n
i
2
N
A
= e
q"V
D
kT
" !
p
"
n
i
2
N
D
+!
n
n
i
2
N
A
$
%
&
'
(
)
#!
p
"
n
i
2
N
D
#!
n
"
n
i
2
N
A
= !
p
"
n
i
2
N
D
+!
n
n
i
2
N
A
$
%
&
'
(
)
" e
q"V
D
kT
#1
$
%
&
'
(
)
I
S
V
D
I
D
= I
S
! e
q!V
D
kT
"1
#
$
%
&
'
(
V
D
I
S
V ! I
Pagina 30
La densit di carica nella zona svuotata composta a destra da carica negativa (accettori della
zona p che hanno ricevuto un elettrone) e si estende fino a , mentre a sinistra da carica
positiva (atomi donori che hanno perso un elettrone) estesa fino a .



Il legame tra campo elettrico e densit di carica definito dal teorema di Gauss. Il flusso del
campo elettrico uscente netto da una superficie chiusa S in una regione di carica pari alla
carica presente diviso la costante dielettrica.
Nel nostro caso si ha che a destra, considerando il campo elettrico lungo x, se ho una sezione A
e considero un infinitesimo dx, il campo elettrico entrante sar dato da mentre quello
uscente sar dato da . La carica contenuta tra le due sezioni sar .

Per Gauss quindi



Che per dx tendente a zero si ha



Per ricavare il campo elettrico basta quindi integrare il secondo termine ottenendo



Le condizioni al contorno per stabilire le costanti si deducono dal fatto che nella zona neutra
non vi carica quindi il campo elettrico nullo. Si ha quindi che

x
p
!x
n
Dens.Carica = !(x) =
q! N
D
, " x
n
# x # 0
"q! N
A
, 0 # x # x
p
$
%
&
F(x)! A
F(x) +
dF
dx
! dx
"
#
$
%
&
'
! A !(x)! A! dx
F(x) +
dF
dx
! dx
"
#
$
%
&
'
! A( F(x)! A =
!(x)! A! dx
!
dF
dx
=
!(x)
!
F(x) =
q! N
D
! x
!
+ c
1
"q! N
A
! x
!
+ c
2
#
$
%
%
&
%
%
Pagina 31


Sostituendo si ha che



Il massimo si ottiene per x=0 e vale



Per neutralit di carica devo avere che



quindi non vi discontinuit!

Cerchiamo ora la dipendenza con il potenziale elettrostatico. Sappiamo che



e quindi per ottenere il potenziale si deve integrare il campo elettrico a meno del segno.



Le condizioni al contorno del potenziale si trovano ipotizzandolo nullo nella zona p e nella
zona n.
F(!x
n
) = 0
F(x
p
) = 0
"
#
$
F(x) =
q! N
D
! x
!
+
q! N
D
! x
n
!
"q! N
A
! x
!
+
q! N
A
! x
p
!
#
$
%
%
&
%
%
=
q! N
D
!
! x + x
n
( ), " x
n
' x ' 0
q! N
A
!
x
p
" x
( )
, 0 ' x ' x
p
#
$
%
%
&
%
%
q! N
A
! x
p
!
=
q! N
A
! x
n
!
q! N
A
! x
p
= q! N
A
! x
n
F(x) = !
d!
dx
!(x) =
!
q" N
D
"
#
x + x
n
( )dx = !
q" N
D
"
"
1
2
"
x
2
2
+ x " x
n
$
%
&
'
(
)
+ d
1
!
q" N
A
"
#
x
p
! x
( )
dx =
q" N
A
"
"
1
2
" x " x
p
!
x
2
2
$
%
&
'
(
)
+ d
2
*
+
,
,
-
,
,
!
i
Pagina 32
Si ottiene:



Devo anche avere continuit per x=0



ma per neutralit di carica



e



Non conosciamo ancora comunque le dimensioni e . Chiamiamo W il termine . Se
loggetto ha una parte n molto drogata avremo una zona negativa molto larga e bassa e una
zona corta e alta della zona positiva. Il rapporto delle lunghezze quindi inversamente legato al
rapporto dei droganti siccome

.





Se ricaviamo da questa relazione una delle due dimensioni infatti si ha



Posso ricavare allora le due dimensioni in funzione di W

!(x) =
!
q" N
D
"
"
1
2
" x
n
! x ( )
2
+!
i
q" N
A
"
"
1
2
" x
p
+ x
( )
2
#
$
%
%
&
%
%
!(!x
n
) = !
i
!(x
p
) = 0
!
q" N
D
2!
" (x
n
)
2
+!
i
=
q" N
A
2!
(x
p
)
2
q
2!
" N
D
" x
n
2
+ N
A
" x
p
2
( )
= !
i
N
D
! x
n
= N
A
! x
p
q
2!
! N
A
! x
p
! x
n
+ N
A
! x
p
2
( )
= !
i
q! N
A
! x
p
2!
! x
n
+ x
p
( )
= !
i
x
n
x
p
x
n
+ x
p
N
D
! x
n
= N
A
! x
p
x
n
=
N
A
N
D
! x
p
W = x
P
+ x
n
= x
p
1+
N
A
N
D
"
#
$
%
&
'
Pagina 33


ma allora



Possiamo semplificare le equazioni ipotizzando un caso di giuzione unilatera: se una
concentrazione di drogante maggiore di almeno due ordini di grandezza dellaltra allora
possiamo assumere che la regione svuotata si estenda prevalentemente nella zona meno drogata
e quindi



Il profilo del campo elettrico quindi circa un triangolo rettangolo ed ha valore



Sappiamo inoltre che larea del triangolo rappresenta il potenziale intrinseco di contatto, ovvero



da cui facile ricavare




Lezione 7

Comportamento in regione inversa e breakdown

x
p
= W !
N
D
N
D
+ N
A
x
n
= W !
N
A
N
D
+ N
A
q! N
A
!W !
N
D
N
D
+ N
A
2!
!W = "
i
q
2!
!W
2
!
N
A
! N
D
N
D
+ N
A
( )
= !
i
W =
2!"
i
q
!
N
D
+ N
A
N
A
N
D
=
2!"
i
q
!
1
N
A
+
1
N
D
"
#
$
%
&
'
W =
2!"
i
q
!
1
N
A
+
1
N
D
"
#
$
%
&
'
(
2!"
i
q! N
min
F
max
=
qN
min
x
min
!
!
qN
min
W
!
!
i
=
W ! F
max
2
F
max
=
2!
i
W
Pagina 34
Si visto che in regione inversa scorre una debole corrente di saturazione inversa circa costante
per qualsiasi tensione. In realt per dopo una certa soglia si verifica il fenomeno del
breakdown.

Il dispositivo si comporta come un generatore di tensione con una leggera resistenza in serie. Il
diodo utilizzato in questa zona detto diodo Zener. Se applico al diodo in polarizzazione
inversa una tensione maggiore di quella di breakdown esso tende a mantenere questa differenza
di potenziale tra i suoi morsetti. Fintanto che non si eccede con la corrente inversa nel diodo (se
aumenta troppo potrebbe alzare la temperatura e fondere i contatti) questo fenomeno
reversibile e diminuendo la tensione si percorre la curva caratteristica in verso opposto
tornando a una corrente minima.
Come si crea una giunzione che abbia un breakdown a un valore prestabilito? Quali fenomeni
regolano questo comportamento?
In una giunzione abbiamo come detto una zona di carica spaziale, con gli elettroni confinati per
esempio sul lato destro. Se osserviamo lenergia potenziale degli elettroni (pari a ), questa
bassa rispetto al lato dove sono confinate le lacune: vi quindi una barriera di potenziale che
impedisce alla maggior parte degli elettroni di saltare dallaltro lato della giunzione. Vi sono
comunque alcuni elettroni che risiedono nel lato pi energetico

e sono i portatori minoritari della zona drogata p, in numero pari a .
!q"!
n
i
2
N
A
Pagina 35
Se questi si avvicinano alla zona svuotata vengono attirati nella buca di potenziale, e lo stesso
vale per le lacune dal lato opposto. Questi fenomeni contribuiscono alla corrente inversa, ma ci
sono altri contributi che si sommano a questa corrente:

1) Elettroni e lacune che termicamente si generano nella zona svuotata: se si rompe un legame
al centro lelettrone viene attirato verso la zona a potenziale pi alto e la lacuna nella zona a
potenziale pi basso.
2) Flusso ottico esterno che libera portatori.

Nessuno di questi sembra contribuire significativamente al fenomeno del breakdown. La
soluzione da ricercarsi osservando il comportamento della zona svuotata: inizialmente
aumentando la tensione inversa si detto che aumenta la differenza di potenziale tra le regioni e
si allarga la regione di carica spaziale. Con questa per aumenta anche il campo elettrico.

Rottura a Valanga

Immaginiamo di avere un elettrone che viene iniettato dal lato p al lato n. Sotto lazione del
campo elettrico questo viene accelerato e acquisisce energia cinetica. Lelettrone ha quindi ora
energia cinetica di eV. Ma basta circa 1 eV per rompere un legame! Se uno di questi elettroni
urta con un legame Si-Si lo rompe generando un ulteriore elettrone e una lacuna. I due elettroni
vengono nuovamente accelerati dal campo e possono rompere due ulteriori legami. Il
fenomeno una serie di ionizzazioni a causa degli impatti, e se gi la tensione intrinseca di
contatto di qualche centinaia di mV basta una piccola tensione inversa per avviare il processo.
Anche in questo caso per non si spiega completamente il breakdown: vero che la corrente
aumenta ma il fenomeno cos spiegato non ancora abbastanza divergente da come osservato
nel comportamento reale. La spiegazione da ricercarsi nel sistema reazionato positivamente
che viene a crearsi: se fossero solo gli elettroni a generare la corrente si avrebbe una
moltiplicazione di cariche libere fino a che essi arrivano alla fine della giunzione. In realt per
vengono liberate anche lacune che vengono accelerate in senso opposto e quindi tornano
indietro, rompendo alti legami sostenendo il processo.


Il fenomeno governato da due grandezze: il campo elettrico ( massimo ) e lestensione della
zona svuotata. Il primo determina la frequenza con cui avviene la ionizzazione (pi alto il
campo, pi ho probabilit di rompere un legame e quindi ho pi elettroni liberi di romperne
altri) mentre il secondo aumenta la probabilit che un elettrone ionizzi. Infatti se ricordiamo
landamento della velocit di un elettrone notiamo che generalmente un urto avviene
mediamente in un tempo molto breve trasferendo energia al reticolo. Aumentando la distanza
!
Pagina 36
che un elettrone deve percorrere aumenta la probabilit che questo, in una delle tante
accelerazioni prima di un urto, raggiunga una velocit tale che la sua energia cinetica sia
sufficiente per rompere un legame.
Quanto il campo massimo che si deve raggiungere? Lespressione del campo (ipotizzando
giunzione unilatera con zona di minor drogaggio):




In prima approssimazione si ipotizza che esista un campo di breakdown, ovvero un valore per il
campo elettrico che, una volta superato, avvia il fenomeno. Lordine di grandezza nel silicio
V/cm (o equivalentemente 30 ). Se esiste un campo di breakdown allora posso
anche ricavare la tensione di breakdown



Possiamo trascurare la tensione di built in (anche se questa relativamente alta) e ottenere



Inserendo i valori nella formula i valori ( vale pF/cm) si ottiene



In realt non proprio vero che il campo massimo costante rispetto al drogaggio: esso tende
ad aumentare aumentando il drogaggio in quanto diminuisce la larghezza della regione di carica
spaziale e quindi ho meno spazio per accelerare le cariche. La tensione di breakdown sar
quindi maggiore rispetto alla stima fatta al primo ordine.
Riassumendo, le particelle generate termicamente vengono accelerate dal campo, che se
sufficientemente elevato permette a qualcuna di loro di acquisire abbastanza energia cinetica da
liberare un altra carica da un legame durante un urto e quindi si ha una moltiplicazione a
valanga delle cariche, sostenuta dalla retroazione positiva delle lacune che si muovono in senso
opposto rispetto agli elettroni.

Rottura Zener

Come detto, aumentando il drogaggio si riduce la zona di carica spaziale e si incrementa il
campo elettrico (che pu arrivare oltre i V/cm). Tali valori elevati del campo possono
arrivare a essere paragonabili con quelli esistenti tra i legami atomici e arrivare a rompere i
legami esistenti. La corrente inversa di breakdown quindi ora determinata dagli elettroni e
lacune liberati dal campo elettrico e questo effetto detto rottura Zener. Il breakdown in
N
D
2 !
i
+V
r
( )
F
max
=
2 !
i
+V
r
( )!
q! N
D
!
i
+V
r
=
F
m
2
!
2qN
D
3!10
5
V m
V
r,break
=
F
break
2
!
2qN
D
!!
i
V
r,break
=
F
break
2
!
2qN
D
!
Si
10
!12
V
r,break
=
3!10
"17
N
D
2!10
6
Pagina 37
dispositivi con drogaggi e campi alti ( e quindi tensioni di breakdown basse) dovuto alleffetto
Zener.

Breakdown in temperatura

Aumentando la temperatura il fenomeno di valanga diminuisce il suo effetto! Infatti
aumentando la temperatura aumento la probabilit che un portatore urti prima di raggiungere
lenergia cinetica tale da rompere un legame. Nel caso di breakdown per effetto Zener invece la
temperatura favorisce il breakdown perch il le vibrazioni del reticolo fanno si che lenergia per
estrarre un elettrone dal legame diminuisca.

Applicando una tensione diretta riduce la barriera di potenziale e quindi pi probabile che
elettroni e lacune superino la barriera di potenziale generando una corrente. Di contro vi sono
due flussi inversi di elettroni e lacune minoritari che cadono nella buca di potenziale.


La corrente totale sar quindi



Non sono per stati definiti i coefficienti e .

Legge di Fick, corrente di diffusione

Il fenomeno da descrivere la diffusione, ovvero il movimento delle cariche che si spostano
dalla zona in cui sono pi concentrate a quella in cui lo sono meno (in assenza di campo
elettrico). Nei metalli questo non accade perch la concentrazione di elettroni determinata dal
tipo di materiale ed costante: nei semiconduttori invece possibile avere regioni con diversa
concentrazione di portatori in funzione dello spazio.
Se si osserva il numero di elettroni nellunit di tempo vanno da destra a sinistra attraverso una
sezione e viceversa con diverse concentrazioni, il flusso netto non sar nullo ma dipender dalla
derivata della concentrazione a meno del segno.
Infatti, il flusso in una regione come in figura sar positivo, mentre la derivata negativa.



I = A! !
p
!
n
i
2
N
D
+!
n
n
i
2
N
A
"
#
$
%
&
'
! e
q!V
D
kT
(1
"
#
$
%
&
'
!
p
!
n
Flusso !"
dn
d!
Pagina 38
Si considerino solo le cariche entro un libero cammino medio della sezione in modo da essere
certi che queste non subiscano collisioni prima di attraversare. Il libero cammino medio
, e non essendoci campo elettrico le cariche si muovono solo a causa dellagitazione
termica. Se osservo le cariche nella posizione , met di queste andranno a destra e met
andranno a sinistra per moto Browniano. Tutte quelle che vanno a sinistra attraverseranno
sicuramente la superficie, perch sono a distanza di un libero cammino medio da questa. Il
flusso (attraversamenti/(unit di area x unit di tempo) dato da queste cariche dato da


Con lo stesso ragionamento posso trovare le cariche che passano da sinistra a destra



Il flusso netto di elettroni misurato sar quindi



Se piccolo (come effettivamente ) allora posso sviluppare in serie e ottenere:




La relazione chiamata Legge di Fick e il coefficiente detto coefficiente di diffusione.

Relazione di Einstein

Nellespressione del coefficiente di diffusione presente il tempo medio di collisione: possiamo
quindi legare la mobilit alla diffusivit:


e



Quindi:


v
th
!! = "
!
!
"
=
1
2
#
n(!)# !
"
=
1
2
# n(!)# v
th

particelle
cm
2
# s
$
%
&
'
(
)
!
+
=
1
2
"
n(#!)" !
"
=
1
2
" n(#!)" v
th
! =
1
2
" n(#!)" v
th
#
1
2
" n(!)" v
th
=
v
th
2
" n(#!) # n(!) ( )
!
! =
v
th
2
" n(#!) # n(!) ( ) $
v
th
2
" n(0) #
dn
d!
" ! # n(0) +
dn
d!
" !
%
&
'
(
)
*
%
&
'
(
)
*
= #v
th
" ! "
dn
d!
= #D
n
"
dn
d!
v
th
! !
=
q!!
m
e
v
th
! ! = v
th
2
!!
! =
! m
e
q
D
n
= ! ! v
th
2
=
! m
e
! v
th
2
q
Pagina 39

ma lenergia cinetica della particella e allequilibrio termico vale (in un sistema ad una
sola dimensione come quello che stiamo considerando) . Sostituendo

Relazione di Einstein

e deve essere



La densit di corrente (corrente/area) di diffusione si ottiene moltiplicando il flusso per la
carica, ovvero


e



Il segno positivo perch se ho una distribuzione della concentrazione come sopra, la derivata
sar negativa (funzione decrescente, gli elettroni si muoveranno secondo lasse x), e quindi la
corrente andr nel verso opposto allasse.

Se facessimo lo stesso ragionamento per le lacune otterremmo

.

Questo contributo alla corrente un contributo supplementare alla corrente di deriva dovuta al
campo elettrico.

Esempio: blocchetto di semiconduttore drogato n.

1. Deriva

1
2
m
e
v
th
2
1
2
kT
D
n
=
kT
q
! = V
th
! "
D
n
=
cm
2
s
!
"
#
$
%
&
J
D,n
= q! D
n
!
dn
d!
= q! "
I
D
= J
D
! A
J
D, p
= !q" D
p
"
dp
d!
Pagina 40
Applichiamo un campo elettrico orientato lungo lasse x (ovvero un potenziale positivo a
sinistra). Gli elettroni vengono attirati dal punto di potenziale maggiore e quindi la corrente
segue il verso del campo.

Le lacune invece vengono attirate dal punto a potenziale minore. La corrente quindi, anche in
questo caso, segue il senso del campo elettrico.


2. Diffusione

Se abbiamo un gradiente di concentrazione di elettroni, il flusso delle cariche va in senso
opposto alla derivata ( se la concentrazione scende lungo x, ovvero ha gradiente negativo, la
diffusione positiva lungo x)








La corrente va nel senso opposto, quindi in questo caso segue la freccia rossa, ed in senso
opposto allasse x per cui ha lo stesso segno della derivata (negativa).
Se invece di elettroni avessimo lacune, anche il questo caso il flusso della diffusione sarebbe di
senso opposto al gradiente, ma la corrente ora sarebbe positiva, quindi anchessa di senso
opposto al gradiente.

Pagina 41
La corrente totale allinterno del blocchetto per elettroni e lacune sarebbe quindi:


Lezione 8

La corrente nei semiconduttori quindi composta da due contributi: il contributo di deriva e il
contributo di diffusione. Possiamo ora analizzare in dettaglio il movimento di cariche in una
giunzione pn, nella quale vi sia una differente composizione della carica ( componente
diffusiva) sia un campo elettrico (componente di deriva). Se polarizziamo in diretta la giunzione
la polarizzazione esterna diminuisce la differenza di potenziale intrinseca quindi diminuisce il
contributo di deriva e quindi quello diffusivo diventa dominante.

Equazione di continuit

Se immaginiamo una fetta di semiconduttore di sezione S attraversato da corrente, ai capi di
questa abbiamo quindi dei flussi di carica .



Se il flusso entrante maggiore del flusso uscente vi sar un accumulo di carica.



Se n(x) la concentrazione media di elettroni, variando la carica accumulata dovr variare anche
n(x):



Al limite

J
n
= +q! n!
n
! E + q! D
n
!
dn
dx
J
p
= +q! p!
p
! E " q! D
p
!
dp
dx
!
n
(x) !!
n
(x + "x)
[ ]
=
q
accumulata
"t # S
=
"q
"t # S
"q = "n(x)# S # "x
!
n
(x) !!
n
(x + "x)
[ ]
=
"n(x)# S # "x
"t # S
Pagina 42


e ricordando che



si ottiene:



Se ho un flusso uscente maggiore di quello entrante (derivata del flusso positiva) avr una
diminuzione della carica accumulata (derivata della concentrazione negativa).

In una sezione del semiconduttore per pu anche crearsi e distruggersi carica quando si
rompe un legame o si ricombina una coppia. Introduciamo quindi un termine correttivo della
variazione di carica chiamato tasso di generazione, che indica quante cariche si generano per
unit di volume per unit di tempo e un termine chiamato tasso di ricombinazione. La carica
allinterno del volume aumenter nellunit di tempo se vi una generazione e diminuir se vi
ricombinazione.



Che espressione hanno e ? Sicuramente sappiamo che allequilibrio il tasso di
combinazione deve eguagliare il tasso di generazione.

Tasso di ricombinazione e generazione

La ricombinazione avviene quando un elettrone si avvicina ad una lacuna (ricombinazione in
volo). Dipender sicuramente dalla concentrazione di elettroni e di lacune e dalla temperatura.



La generazione di contro dipende solo dalla temperatura e allequilibrio deve essere uguale alla
ricombinazione.



Il tasso netto dato quindi da



Errore sul libro: la differenza tra e il tasso netto!
!
n
(x) !!
n
(x) !
d!
n
(x)
dx
" dx
#
$
%
&
'
(
=
dn(x)
dt
" dx
d!
n
(x)
dx
= !
dn(x)
dt
J = q!!
dJ
n
dx
!
1
q
= "
dn(x)
dt
dn(x)
dt
= !
d!
n
(x)
dx
+ G
N
! R
N
( )
dn(x)
dt
=
1
q
dJ
N
(x)
dx
+ G
N
! R
N
( )
G
N
R
N
R
N
= f (n, p,T ) = n! p! f (T )
G
N
= f (T )! n
i
2
R
N
! G
N
= f (T )" (n" p ! n
i
2
)
R
N
G
N
Pagina 43

La dipendenza dalla temperatura tabulata e varia da semiconduttore a semiconduttore.

Per esempio nel silicio



Nellarsenuro di gallio



Facendo qualche conto, per esempio con un blocchetto di silicio drogato n con concentrazione
. I minoritari sono quindi:





Il valore abbastanza basso considerato il molto pi alto numero di portatori disponibili.
Utilizzando un materiale differente si pu aumentare il tasso di ricombinazione.
Dal punto di vista dellapplicazione il fenomeno di ricombinazione molto importante, infatti
quando avviene una ricombinazione lenergia che viene liberata se ne va in forma radiativa,
sotto forma di luce. Questo quindi il fenomeno che sta alla base dei LED e dei laser a LED.

La ricombinazione in volo per non lunico tipo di ricombinazione esistente. Laltro tipo
detto ricombinazione mediata da difetti. Immaginiamo di trovarci in una zona n e quindi sono
presenti molti elettroni e poche lacune. La probabilit che elettrone e lacuna si incontrino e si
ricombinino muovendosi bassa. Sarebbe opportuno, per aumentare la probabilit di
ricombinazione, che il minoritario sia fermo. Ci che ferma la lacuna il difetto: le impurezze
nel reticolo cristallino ( altri materiali diversi da silicio e drogante) possono essere cariche e fare
in modo che la lacuna ne venga attratta e vada ad orbitarvi attorno. Queste imperfezioni sono
chiamate trappole (traps) e rallentano il portatore minoritario, aumentando la probabilit che il
maggioritario lo trovi. Per le ricombinazioni mediate da imperfezioni, lenergia di
ricombinazione viene ridata al reticolo sotto forma di vibrazioni.

Immaginiamo che il minoritario si stia muovendo lungo la sua traiettoria. Questa si avviciner
ad un certo numero di difetti, dipendente dalla densit di impurit. Se la lacuna arriva
abbastanza vicina al difetto questa verr catturata, ovvero ogni difetto avr una distanza e
quindi una sezione circolare entro la quale se la lacuna vi entra viene fermata (sezione di
cattura).



Lungo una traiettoria, quante sezioni di cattura vengono attraversate? Se la lacuna si muove a
velocit , equivalente pensare che se unimpurit capiti allinterno del volume cilindrico
dato dal raggio della sezione di cattura e dalla traiettoria, allora la lacuna verr fermata. Il
f (T )
Si
= 2!10
"15
cm
3
s
f (T )
GaAs
=10!10
"10
cm
3
s
10
17
p =
n
i
2
N
D
=
2!10
20
10
17
= 2!10
3
R
N
= f (T )! n! p = 2!10
"15
! 2!10
3
!10
17
= 4 !10
5
S
u
= ! ! r
2
v
th
Pagina 44
volume che il minoritario spazza dato dalla sezione per lo spazio percorso, che in un unit di
tempo pari a , e il numero di interazioni al secondo dato dal volume per la densit di
difetti.



E il tempo medio prima che il minoritario incontri unimpurit.
Se nellunit di volume sono presenti p minoritari, il tasso di fermata pari a , e
approssimativamente tutti questi vengono incontrati da un maggioritario e avviene
ricombinazione, per cui il tasso di ricombinazione uguale al tasso di fermata.


Se questo il tasso di ricombinazione, il tasso di generazione sar pari al tasso di
ricombinazione iniziale a polarizzazione nulla (perch generazione e ricombinazione
allequilibrio devono essere uguali), cio



Lequazione di continuit quindi sar per elettroni e lacune



Allequilibrio vale zero e quindi il tasso di ricombinazione eguaglia il tasso di generazione.
Se c un eccesso di minoritari (per esempio polarizzando in diretta) la ricombinazione aumenta
rispetto alla generazione, perch ho dei minoritari in pi che trovano molti maggioritari. Da
notare che siccome con la generazione e ricombinazione si genera una coppia elettrone-lacuna,
il termine nellequazione di continuit dipende da p (quindi dal minoritario) sia per elettroni che
lacune. Sono infatti i minoritari che determinano il tasso di generazione e ricombinazione, e i
maggioritari vanno di seguito. Il fenomeno che limita la ricombinazione regolato dalla
probabilit che il minoritario si fermi (se non si ferma non avviene ricombinazione).

Profilo dei minoritari nel diodo a base Lunga

Osserviamo quindi la giunzione in polarizzazione diretta. Osserviamo la zona n: vengono
iniettate lacune (dal lato p) che sono minoritarie, si ricombinano e spariscono. Gli elettroni sono
iniettati dal contatto ohmico: una parte si ricombina con le lacune, e una parte procede verso il
v
th
n
interazioni
t
=
V ! !
difetti
t
=
S
u
! Spazio percorso! !
difetti
t
= S
u
! v
th
! !
difetti
t
medio
=
1
S
u
! v
th
! !
difetti
t
medio
p
t
medio
R =
p
t
medio
G =
p
0
t
medio
dn
dt
=
1
q
!
dJ
n
dx
+ (G
n
" R
n
) =
1
q
!
dJ
n
dx
"
p " p
0
t
medio
dp
dt
= "
1
q
!
dJ
p
dx
+ (G
p
" R
p
) = "
1
q
!
dJ
p
dx
"
p " p
0
t
medio
p ! p
0
Pagina 45
lato p. Nella zona p vi la situazione duale: dal contatto entrano lacune, una parte delle quali si
ricombina mentre una parte procede verso la zona n.
La corrente su ogni contatto quindi dovuta ai maggioritari per quella zona (lacune nella zona
p e elettroni nella zona n) e serve a rimpiazzare sia maggioritari che saltano dal lato opposto sia
quelli che si ricombinano.

Osserviamo le correnti nella zona neutra dal lato n applicando lequazione di continuit.
Poniamo x=0 nel punto neutro a destra della zona svuotata. La concentrazione di equilibrio
delle lacune (minoritari) nella zona n . Si vuole trovare il profilo di concentrazione
di queste lungo la zona n quando non sono allequilibrio: la concentrazione sar maggiore di
vicino allo zero perch esse stanno diffondendo dalla zona p e scender , tendendo a ,
avvicinandosi al contatto a causa delle ricombinazioni.
Nel punto vicino alla regione svuotata, la concentrazione facilmente ricavabile: le lacune
vedono una barriera di potenziale ridotta e tramite Boltzmann possibile trovare la frazione di
lacune che saltano dallaltra parte:


I minoritari sono quindi maggiori di quelli presenti allequilibrio secondo un fattore .
Procedendo lungo il semiconduttore la concentrazione diminuisce: utilizzando lequazione di
continuit per le lacune e si ricava la relazione.




In condizioni stazionarie ( ) la densit di corrente di lacune sar data dalla componente
diffusiva e dalla componente di drift. Nella zona neutra il campo elettrico molto piccolo e
quindi il termine di drift trascurabile e quindi le lacune si muovono solo perch c differenza
di concentrazione.

p
0,n
=
n
i
2
N
D
p
0,n
p
0,n
p(0)
n
p(0)
n
= N
A
! e
"
q !
i
"V
D
( )
kT
=
n
i
2
N
D
! e
V
D
V
th
= p
0,n
! e
V
D
V
th
e
V
D
kT
dp
dt
== !
1
q
"
dJ
p
dx
!
p ! p
0
t
medio
dp
dt
= 0
Pagina 46


Equazione differenziale di secondo ordine, devo trovare la soluzione allequazione omogenea
associata e sostituire nellintegrale generale.



Lintegrale generale :



Dobbiamo quindi stabilire le condizioni al contorno per esplicitare le due costanti. Per
la concentrazione tende a , mentre per la concentrazione vale . Sostituendo si
ottiene il sistema:



E quindi in definitiva il profilo delle lacune vale:



Si trovato quindi landamento nello spazio della concentrazione di minoritari, posso quindi
ricavare la densit di corrente per diffusione :



J
D, p
= !q" D
p
"
dp
dx
dp
dt
== !
1
q
"
d !q" D
p
"
dp
dx
#
$
%
&
'
(
dx
!
p ! p
0
t
medio
= D
p
"
d
2
p
dx
2
!
p ! p
0
t
medio
= 0
d
2
p
dx
2
!
p ! p
0
t
medio
" D
p
= 0
!
2
!
1
D
p
" t
medio
= 0
! =
1
D
p
" t
medio
Coefficiente di diffusione
delle lacune L
p
! " # $ #
=
1
L
P
p ! p
0
= A" e
!
x
L
p
+ B" e
x
L
p
x !"
p
0
x = 0 p(0)
B = 0
A+ B = p(0) ! A = p(0) " p
0
#
$
%
p = p(0)! e
"
x
L
p
+ p
0
= p
0
! e
V
D
V
th
" p
0
#
$
%
&
'
(
! e
"
x
L
p
+ p
0
= p
0
e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
! e
"
x
L
p
+ p
0
J
D, p
= !q" D
p
"
dp
d!
Pagina 47


Ovvero ho una diminuzione esponenziale della densit di corrente (positiva, infatti le lacune
diffondono seguendo il verso dellasse e quindi la corrente concorde) dei minoritari. Se si
facesse lo stesso ragionamento sul lato p si otterrebbe una relazione simile. Si per interessati
alla corrente totale e questa ne compone solo una parte. Si dovrebbe conoscere la corrente del
maggioritario che molto pi complicata perch non pi trascurabile la corrente di drift. Se
per supponiamo che la zona di carica spaziale sia sufficientemente piccola, abbastanza per fare
in modo che non vi siano fenomeni di ricombinazione e generazione al suo interno. Se cos , la
corrente di lacune che ho nella zona n pari alla corrente di lacune nel lato sinistro della
giunzione, nella zona p, e lo stesso per la corrente di elettroni. La corrente totale lungo tutto il
dispositivo quindi uguale alla somma di corrente di elettroni e lacune in ogni sezione. Con
lapprossimazione appena detta, so quanto vale sia la corrente di lacune che quella di elettroni in
corrispondenza dei lati della giunzione e quindi la corrente totale la somma delle due ed
costante su tutto il dispositivo.


La relazione era gi stata trovata ma ora sono stati specificati i coefficienti e
Questa comunque frutto dellapprossimazione di ricombinazione o generazione nulla. Se non
fosse questo il caso, si dovrebbe aggiungere un contributo di corrente che semplicemente si
sommerebbe a quella trovata traslando in alto la caratteristica.

Data una regione neutra quindi la corrente dei minoritari al suo interno dovuta alla diffusione
perch il campo elettrico piccolo e questi sono in concentrazione molto bassa. La corrente dei
maggioritari invece sar composta in parte da una componente diffusiva e in parte da una di
J
D, p
= !q" D
p
"
d p
0
e
V
D
V
th
!1
#
$
%
&
'
(
" e
!
x
L
p
+ p
0
)
*
+
+
,
-
.
.
dx
= !q" D
p
" p
0
e
V
D
V
th
!1
#
$
%
&
'
(
" !
1
L
p
#
$
%
&
'
(
" e
!
x
L
p
= q" D
p
" p
0
e
V
D
V
th
!1
#
$
%
&
'
(
"
1
L
p
" e
!
x
L
p
J
tot
=
qD
p
p
0
L
p
+
qD
n
n
0
L
n
!
"
#
$
%
&
' e
V
D
V
th
(1
!
"
#
$
%
&
=
qD
p
n
i
2
L
p
' N
D
+
qD
n
n
i
2
L
n
' N
A
!
"
#
$
%
&
' e
V
D
V
th
(1
!
"
#
$
%
&
!
n
!
p
Pagina 48
deriva. La corrente totale in corrispondenza di un certo valore di x (per esempio nella zona p)
dovuta alla corrente di lacune





Ma se al primo ordine le componenti diffusive sono uguali, si elidono e rimane solo il termine
di deriva dei maggioritari!

Landamento delle derivate delle concentrazioni infatti al primo ordine uguale. Nella zona p
infatti abbiamo una carica distribuita (gli atomi ionizzati) compensata da altrettante lacune: se vi
una zona con pi lacune la carica netta tenderebbe a essere positiva attirando quindi pi
elettroni. quindi possibile calcolare il campo elettrico nelle zone neutre




La presenza di minoritari in eccesso nelle zone neutre porta un eccesso di maggioritari per
neutralit. Quanto vale la carica totale in eccesso? Basta integrare la densit






J
p
= qD
p
dp
dx
!Trascuro componente di deriva
J
n
= "qD
n
dn
dx
+ q#
n
# n# F
J
tot
= qD
p
dp
dx
" qD
n
dn
dx
+ q#
n
# n# F
F !
J
tot
qp
p
q'
ecc
= q! p
0
! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
( )
! e
"
x
L
p
dx
= q! p
0
! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
e
"
x
L
p
)
dx = "L
p
! q! p
0
! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
! e
"
x
L
p
x=0
x=*
= L
p
! q! p
0
! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
=
C
cm
2
+
,
-
.
/
0
Pagina 49


Se ora considero la carica per unit di area di minoritario e la densit di corrente del minoritario
alliniezione, pari a:



Il loro rapporto mi da



ma quindi


Riscrivendo lequazione appena trovata si ottiene:



cio la densit di corrente alla giunzione pari alla quantit di minoritari accumulatasi diviso il
tempo medio di vita di questi, cio che se la corrente costante allora la quantit di carica che
entra uguale a quella che esce e quindi la carica accumulata costante.

Lezione 9

Profilo dei minoritari nel diodo a base corta

Abbiamo ipotizzato che i minoritari si ricombinino tutti allinterno della zona neutra che questa
fosse quindi sufficientemente estesa. In realt non quasi mai cos e pu succedere che non
avvengano ricombinazioni prima di arrivare al contatto. Nei diodi reali si ha che la lunghezza
della zona neutra minore o comparabile con la lunghezza di diffusione. Se la distanza
molto minore della lunghezza di diffusione allora la probabilit che un portatore di ricombini in
quello spessore trascurabile. Nellequazione di continuit questo si traduce con (esempio
elettroni in zona p):



Il profilo degli elettroni iniettati nella zona p deve quindi essere una retta! Le condizioni al
contorno sono uguali, ovvero che in x =0 la concentrazione quella intrinseca aumentata
secondo lesponenziale di Boltzmann e in la concentrazione quella intrinseca di
J(0) = q! D
p
! p
0
e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
!
1
L
p
q'
ecc
J(0)
=
L
p
2
D
p
L
p
2
= t
medio
! D
p
q'
ecc
J(0)
=
L
p
2
D
p
= t
medio
J(0) =
q'
ecc
t
medio
W
D
n
!
d
2
n
dx
2
"
n " n
0
t
medio
# D
n
!
d
2
n
dx
2
= 0
x = W
p
Pagina 50
equilibrio. Se la giunzione polarizzata in inversa allora la concentrazione circa zero
(lesponenziale diventa molto piccolo).
Se il contatto allequilibrio la corrente nella zona di iniezione














La derivata della curva allorigine la derivata della retta e quindi vale



La densit di corrente diviene quindi:



Se W molto minore della larghezza di diffusione sto aumentando di molto la densit di
corrente! La carica in eccesso minoritaria facilmente calcolabile, essendo larea del triangolo



Il rapporto tra le due restituisce:

J
n
(0) = !qD
n
"
dn
dx
dn
dx
=
n(0)
W
=
n
i
2
! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
N
D
!W
J
n
(0) = !qD
n
"
n
i
2
" e
V
D
V
th
!1
#
$
%
&
'
(
N
D
"W
q'
ecc
=
n(0)!W
2
=
1
2
n
i
2
N
D
! q! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
!W
Pagina 51


Il rapporto ha dimensioni di un tempo ed chiamato tempo di transito. Se per il diodo a base
lunga questo indicava il tempo di vita medio della carica prima di ricombinarsi, questo indica il
tempo che la carica impiega ad attraversare la regione neutra. Essendo il profilo di
concentrazione una retta la densit di corrente rimane costante, ovvero tutti i portatori che
entrano dalliniezione escono dal contatto. Si imposto che la concentrazione appena prima del
contatto fosse uguale alla concentrazione intrinseca: ci dovuto al fatto che vicino al contatto
c un po di tungsteno che si diffonde nel reticolo, quindi come se fossero difetti. Ci
equivalente a dire che nella zona ci sono moltissimi difetti e quindi molte trappole per i
portatori e quindi il tasso di ricombinazione alla superficie altissimo (la vita media
brevissima), quindi non ci pu essere eccesso di carica.
Se la giunzione fosse polarizzata in inversa le equazioni non cambiano, avrei per delle
differenti condizioni al contorno: alliniezione infatti avrei una densit di minoritari minore della
densit di equilibrio e per tensioni nellordine di qualche volta la tensione termica questa diventa
trascurabile e non diminuisce ulteriormente aumentando la differenza di potenziale applicata e
per cui la corrente rimane costante (e trascurabile) ma di segno inverso.

Parametri di piccolo segnale del diodo

La conduttanza del diodo la derivata della corrente rispetto alla tensione diretta per piccole
variazioni di questa:



Parametri capacitivi del diodo, capacit di giunzione

Il diodo contiene della carica. Per avere un cambiamento della corrente deve trascorrere un
certo tempo e quindi pu essere visto come un condensatore (per piccolo segnale).

Se il diodo polarizzato in diretta c un dipolo elettrico nella zona di carica spaziale. Se cambia
la tensione cambia anche la carica: possiamo calcolare la capacit equivalente come :



La carica per unit di area nella zona di carica spaziale (approssimazione unilatera con zona p
molto drogata rispetto alla zona n, )

q'
ecc
J
n
(0)
=
1
2
n
i
2
N
D
! q! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
!W
"qD
n
!
n
i
2
! e
V
D
V
th
"1
#
$
%
&
'
(
N
D
!W
=
W
2
2D
n
= t
transito
1
g
m
=
dI
D
dV
D
=
d
qD
p
n
i
2
L
p
! N
D
+
qD
n
n
i
2
L
n
! N
A
"
#
$
%
&
'
! e
V
D
V
th
(1
"
#
$
%
&
'
)
*
+
+
,
-
.
.
dV
D
=
dI
S
e
V
D
V
th
(1
"
#
$
%
&
'
dV
D
=
I
S
! e
V
D
V
th
V
th
/
I
D
V
th
!Q
!V
= C
eq
N
A
>> N
D
Pagina 52


A parte il segno, questa la capacit di un condensatore a facce piane parallele a distanza W per
unit di area. Questo spiegabile fisicamente in quanto la variazione di carica avviene ai bordi
della zona gi svuotata. La carica che in mezzo non varia quindi non contribuisce alla
variazione di capacit. Se non avessi giunzione unilatera non cambierebbe nulla, solo che W
sarebbe dipendente da entrambe le concentrazioni di drogante. Generalmente si scrive anche




Con capacit di giunzione per unit di area con polarizzazione nulla. La capacit di
giunzione quindi variabile e dipende non linearmente dalla tensione applicata. Al primo
ordine in regione inversa il diodo un circuito aperto quindi approssimabile ad un
condensatore variabile.
Se elevo tutto al quadrato e riscrivo ottengo:



Sperimentalmente, se misuro la capacit del diodo con polarizzazione nota pi volte e la grafico
in funzione di ottengo una retta che per polarizzazione nulla fornisce il valore di .
Estrapolando i valori possibile misurare sperimentalmente la tensione di built in.

Parametri capacitivi del diodo, capacit di diffusione

C anche un altro effetto capacitivo del diodo dovuto alla variazione dei minoritari nelle regioni
neutre. Con un diodo in polarizzazione diretta il profilo stazionario delle lacune esponenziale
decrescente e dipende dalla tensione applicata. Cambiando la tensione diretta cambia
esponenzialmente la carica in eccesso immagazzinata, di una decade ogni 60 mV di tensione
applicata. La capacit associata alla variazione di carica minoritaria nella zona neutra detta
capacit di diffusione.
Prendendo sempre il caso unilatero come esempio, i minoritari in eccesso nella zona p sono
trascurabili. Rimane quindi la carica positiva nella zona n e la capacit di diffusione la derivata
dei minoritari nella zona n.

W =
2!
Si
! "
i
"V
D
( )
qN
D
Q
n
= qN
D
!W = qN
D
2!
Si
! "
i
"V
D
( )
#
$
%
%
&
%
%
dQ
n
dV
D
= "
qN
D
!
Si
2 !
i
"V
D
( )
= "
qN
D
!
Si
2W
2
!
qN
D
2!
Si
= "
!
Si
2
W
2
= "
!
Si
W
= C'
j ,eq
C'
j ,eq
= !
qN
D
!
Si
2 !
i
!V
D
( )
= !
qN
D
!
Si
2!
i
1!
V
D
!
i
"
#
$
%
&
'
=
C'
j 0
1!
V
D
!
i
C
j 0
C'
j ,eq
2
==
C'
j 0
2
1!
V
D
!
i
1!
V
D
!
i
=
C'
j 0
2
C'
j ,eq
2
V
D
!
i
Pagina 53


Se ci troviamo in giunzione unilatera lunga, la densit di corrente totale allinterno del diodo
data solo da uno dei due minoritari, nel nostro caso dato dalle lacune nella zona n


e siccome la densit di corrente dipende esponenzialmente dalla tensione si ha


Stesse considerazioni possono essere fatte per il diodo a base corta, con al posto di .
Da notare che per polarizzazioni inverse vi poca carica minoritaria accumulata, e cos anche
per piccole polarizzazioni dirette. La capacit di diffusione quindi diventa significativa per
marcate polarizzazioni dirette.

In un sistema capacitivo si ha sempre una carica positiva e una carica negativa. Quando si
calcola la capacit si osserva la variazione di una delle due. Nella capacit di giunzione si vede
subito come disposta la carica ma nella capacit di diffusione non cos chiaro. Se la carica
positiva dei minoritari varia in una zona, la carica positiva che varia data dallaumento dei
maggioritari! Se invece osserviamo una giunzione non unilatera allora si avranno due contributi,
uno dato dai minoritari (elettroni) nella zona p e uno dato dai minoritari (lacune) nella zona n.
Lezione 10

Q'
n
= p(0)! e
V
D
V
th
! q! L
p
= J(0)! t
medio
C'
d,eq
=
dQ'
n
dV
D
=
d J
tot
! t
medio
[ ]
dV
D
= t
medio
!
dJ
tot
dV
D
J
tot
= J
n
(0) + J
p
(0) ! J
p
(0)
C'
d,eq
= t
medio
!
dJ
tot
dV
D
= t
medio
!
J
tot
V
th
= t
medio
!
J
tot ,0
! e
V
D
V
th
V
th
C'
d,eq
= C'
d,0
! e
V
D
V
th
t
transito
t
medio
Pagina 54



Si vuole realizzare un triodo, applicando una differenza di potenziale tra due terminali si abbia
un passaggio di corrente sul terzo, modulata dalla tensione di controllo. La speranza di
realizzare quindi una resistenza di valore variabile dipendente da un potenziale applicato.
Supponiamo inizialmente di realizzare un sistema con un contatto metallico separato tramite un
ossido da un semiconduttore uniformemente drogato.
Si abbia inizialmente un potenziale di riferimento da applicare al gate per in quale non vengono
modificate le concentrazioni di drogante nel semiconduttore, non vi nessun campo elettrico e
non vi sono cariche ai capi dellisolante (il condensatore scarico. Nel semiconduttore avremo
quindi tante lacune libere e altrettanti ioni negativi. La differenza di potenziale tra gate e
substrato non pu per essere nulla perch c un contatto tra due materiali diversi e quindi un
potenziale di contatto. Questo avviene solo nella parte inferiore, perch il gate isolato dal
semiconduttore e non vi contatto tra i due. Al contatto metallo-semiconduttore vi quindi
una differenza di potenziale (gli elettroni vanno dal metallo a semiconduttore, quindi in
questultimo si accumula carica negativa e si instaura un campo elettrico che va dal metallo al
semiconduttore, e quindi una differenza di potenziale con segno negativo rispetto al senso
indicato in figura). La tensione di gate per cui il sistema sia neutro quindi pari a rispetto al
substrato.
!
ms
!
ms
Pagina 55


anche detta tensione di banda piatta.
Si immagini ora di polarizzare il gate negativamente rispetto al substrato. Giunger quindi carica
negativa sul gate e quindi dallaltra parte dellossido si accumuler carica positiva. Questa carica
positiva viene richiamata dal contatto di substrato. La concentrazione di lacune in superficie
maggiore di quella di substrato e quindi la conducibilit di lacune in superficie maggiore di
quella di substrato.



Si osservi invece cosa succede polarizzando il gate positivamente. Si accumula carica positiva sul
contatto di gate e dovrebbe accumularsi la stessa quantit di carica negativa allaltro capo
dellossido. Ma la carica negativa mobile nel semiconduttore drogato p minoritaria e non se ne
accumuler molta: piuttosto verr respinta la carica positiva mobile e la carica negativa sar
prevalentemente data da ioni negativi (carica fissa).


Ho quindi svuotato la parte sottostante lossido di carica positiva mobile.Si deve capire come la
tensione in eccesso applicata al gate si ripartisca nelle varie zone del dispositivo. Se ho cariche ai
capi dellossido ho un campo elettrico e quindi una differenza di potenziale. Vi sar un altro
campo elettrico dovuto alla zona di carica spaziale e quindi unulteriore differenza di potenziale.
Infine vi la differenza di potenziale di substrato.
Osservando la carica spaziale si nota che questa costante allontanandosi dallossido fino a una
lunghezza W (come gi visto per la giunzione pn). Per Gauss si ha che il flusso uscente da una
sezione (si prenda una sezione a ridosso dellossido dal lato del semiconduttore) pari alla
carica totale diviso la costante dielettrica:

!
ms
q!
p
! p
sup
> q!
p
! p
0
Pagina 56


Il teorema di Gauss indica il flusso uscente, per cui sapendo che il campo deve andare dal gate
al semiconduttore, se ci si pone nel punto x=0 e si considera la carica del semiconduttore il
flusso deve essere negativo. Inoltre la carica negativa (composta da ioni negativi). Quindi in
totale il campo positivo. Si per interessati alla differenza di potenziale che cade tra 0 e W:
questa sar data dallintegrale del campo e quindi dallarea del triangolo


e

.

La carica totale fissa per unit di area sar quindi data da



Come gi visto, per fare in modo che ci siano cariche esposte si deve generare nel
semiconduttore una differenza di potenziale.
Il campo elettrico nellossido costante ma non pari a . Infatti lossido ha costante
dielettrica relativa pari a 3.9 mentre il silicio 11.7: il vettore di induzione elettrostatica deve
mantenersi costante per cui:



La differenza di potenziale ai suoi capi quindi uguale allintegrale del campo rispetto alla
coordinata x ovvero:



Ma



Ovviamente si intende capacit per unit di area. Sostituendo si ha:

!F
max
" S =
Q
T
!
Si
=
!q" N
A
"W " S
!
Si
F
max
=
q" N
A
"W
!
Si
!
S
=
1
2
" F
max
"W =
1
2
"
q" N
A
"W
2
!
Si
W =
2!
Si
! "
S
qN
A
Q'
fissa
= !qN
A
"W = !qN
A
"
2!
Si
" #
S
qN
A
= ! qN
A
2!
Si
" #
S
F
max
F
max
! !
Si
= F
ox
! !
ox
F
ox
= F
max
!
!
Si
!
ox
= 3! F
max
!V
ox
= F
ox
dx
"t
ox
0
#
= F
max
$
!
Si
!
ox
$ t
ox
t
ox
!
ox
=
1
C'
ox
Pagina 57


Infatti dimensionalmente la tensione data dalla carica diviso la capacit. La carica in questione
non altro che la carica della zona svuotata.



Si ora in grado di scrivere il bilancio di tensioni:



costante e dipende solo da temperatura e materiale utilizzato, dipende solo da che
fissata e dipende a sua volta da che rimane quindi lunica incognita dellequazione.
Nella trattazione per si fatta una semplificazione: si assunto che applicando una tensione
positiva al gate il semiconduttore reagisse esponendo cariche negative (il potenziale positivo
respinge le lacune). Ci per non del tutto vero, in quanto nel semiconduttore drogato sono
presenti cariche mobili negative, seppur poche. Queste cariche, se arrivano nella zona di carica
spaziale vengono attirate dal potenziale positivo e arriveranno fino allinterfaccia con lossido.

Ci si aspetta quindi che se la concentrazione intrinseca di minoritari nel materiale , la
concentrazione allinterfaccia sar maggiore e generer un gradiente con un fenomeno diffusivo
di segno opposto alla derivata del profilo. Non necessario studiare in dettaglio il profilo ma
necessario sapere se la concentrazione di elettroni in superficie piccola rispetto alla carica fissa
presente oppure no: in questo caso si avrebbe un ulteriore carica negativa che aumenterebbe il
campo elettrico massimo. La concentrazione di elettroni stimabile con lequazione di
Boltzmann:



Se si ha una differenza di potenziale ai capi della zona svuotata allora c un accumulo ai capi di
questa. Se la concentrazione ricavata alta rispetto alla carica fissa allora lapprossimazione non
valida. Quando si stima il campo massimo si utilizza Gauss integrando la carica nella zona
svuotata: con gli elettroni presenti questa carica per maggiore e lulteriore contributo
dipende esponenzialmente dalla tensione. Per non sottostimare troppo il campo elettrico si
deve considerare trascurabile la concentrazione di elettroni fintanto che questa non diventa
uguale alla concentrazione di lacune (e quindi alla carica fissa). La maggior concentrazione di
!V
ox
= F
max
"
!
Si
!
ox
" t
ox
=
F
max
" !
Si
C'
ox
=
Q'
C'
ox
V
GB
= !
ms
+ !
s
+ "V
ox
!
ms
!
S
V
GB
!V
ox
!
S
n
i
2
N
A
n(0) = n
intrinseco
! e
"
E
p,0
"E
p,intrinseco
kT
= n
intrinseco
! e
"
"q(V
0
"V
intrinseco
)
kT
= n
intrinseco
! e
#
s
V
th
=
n
i
2
N
A
! e
#
s
V
th
Pagina 58
elettroni inoltre, decadendo esponenzialmente, avr un estensione molto piccola. Per cui la
soglia oltre la quale gli elettroni non sono pi trascurabili nel bilancio calcolabile ponendo
uguali le due concentrazioni:



Siccome tutti gli altri contributi del bilancio sono numeri, posso calcolare la tensione di soglia
sotto la quale il contributo degli elettroni minoritari nella zona di carica spaziale trascurabile.



Se si fa un conto con pari a si ottiene . Una tipica tensione di
contatto metallo-semiconduttore -1V. Con un ossido di 60 si ottiene una capacit
e calcolando la carica si ottiene che



Se il gate a massa ho gi il canale conduttivo con una tensione positiva.

Una volta superata la soglia la relazione trovata non pi valida: si dovr correggere il termine
di tensione sulla zona svuotata. Inoltre anche la tensione sullossido sar maggiore perch c
pi carica.



e la relazione di bilancio diventa:


Si pu fare una ragionevole approssimazione: la concentrazione dei portatori mobili ha
dipendenza esponenziale per cui una piccola variazione di fa aumentare di molto il numero
di elettroni (e quindi il termine ) rispetto agli altri termini nei quali la dipendenza meno
ripida. Si pu quindi approssimare, per tensioni di gate maggiori alla tensione di gate di soglia, il
termine con e considerarlo costante. Si ha quindi:



Si ottiene quindi una carica per unit di area pari a :



n
i
2
N
A
! e
"
s
V
th
= N
A
"
soglia
= 2V
th
ln
N
A
n
i
#
$
%
&
'
(
V
GB,soglia
= V
T
= !
ms
+ !
soglia
+ "V
ox
N
A
5!10
16
!
soglia
= 0.778V
5!10
"7
F
cm
2
V
GB,soglia
= !1+ 0.78 + 0.2 = !0.02V
!V
ox
=
Q'
fissa
+Q'
mobile
C'
ox
V
G
= !
ms
+ !
s
+
Q'
fissa
C'
ox
+
Q'
mobile
C'
ox
!
s
Q'
mobile
!
s
!
soglia
V
G
= !
ms
+ !
soglia
+
Q'
fissa,soglia
C'
ox
+
Q'
mobile
C'
ox
= V
T
+
Q'
mobile
C'
ox
Q'
mobile
= C'
ox
! (V
G
"V
T
)
Pagina 59
Si quindi supposto che la tensione ai capi della regione svuotata non vari di molto, ma che
questa piccola variazione faccia crescere esponenzialmente il termine della carica mobile.


Lezione 11

Si visto come aumentando la tensione di gate oltre la tensione di soglia la carica ulteriore
richiamata allinterfaccia con lossido sia solo composta da portatori mobili. La carica mobile
cresce quindi linearmente rispetto alla tensione di gate
In regione di sottosoglia la carica cresce secondo landamento esponenziale


mentre in regione di forte svuotamento ( ) la carica cresce in modo lineare.







Volendo essere precisi per, nella regione sottosoglia la carica dipende dal potenziale ai capi
della regione svuotata e non direttamente dal potenziale applicato al gate: questa comunque
dipendente dalla tensione di gate. Si pu stimare la pendenza della curva esponenziale (che nel
grafico semilog una retta). La pendenza della retta sar data dalla derivata della funzione
logaritmica rispetto a



Generalmente per si interessati alla relazione inversa, ovvero alla tensione necessaria per far
variare la quantit di un fattore 10

n(0) =
n
i
2
N
A
! e
"
s
V
th
V
G
>V
T
V
G
d logn(0) ( )
dV
G
=
d log
n
i
2
N
A
! e
"
s
V
th
#
$
%
&
'
(
dV
G
=
d log
n
i
2
N
A
+ loge
"
s
V
th
#
$
%
&
'
(
dV
G
=
d loge
"
s
V
th
#
$
%
&
'
(
dV
G
=
d
"
s
V
th
! loge
1
#
$
%
&
'
(
dV
G
=
log(e)
V
th
!
d"
s
dV
G
Pagina 60


siccome



si ha:



La tensione termica a temperatura ambiente 25 mV e il logaritmo naturale di 10 2.3. Il
prodotto da quindi 60mV. Il sistema pu essere visto come serie di due dielettrici: il primo
dato dallossido mentre il secondo dato dalla zona svuotata, che come nella giunzione pn pu
essere vista come una capacit equivalente. La caduta di tensione sulla zona svuotata pu essere
quindi vista come la differenza di potenziale che si crea ai capi di uno dei 2 condensatori in
serie.




per cui in totale si ha



Sopra soglia vi una carica minoritaria significativa controllata dalla tensione di gate nel canale:
sufficiente contattare i portatori in modo che questo diventi un resistore controllato e
applicando una differenza di potenziale scorre una corrente che dipende dalla tensione di
dV
G
d logn(0) ( )
=
V
th
log(e)
!
dV
G
d"
s
log
10
(e) =
log
e
(e)
log
e
(10)
=
1
ln(10)
dV
G
d logn(0) ( )
= V
th
! ln(10)!
dV
G
d"
s
!
s
=
C'
ox
C'
ox
+ C'
s
V
G
d!
s
dV
G
=
C'
ox
C'
ox
+ C'
s
dV
G
d logn(0) ( )
= Slope = 60!10
"3
C'
ox
C'
ox
+ C'
s
#
$
%
&
'
(
"1
mV
dec
)
*
+
,
-
.
Pagina 61
controllo. Per realizzare il contatto vengono creati due serbatoi di elettroni: vengono
realizzate due diffusioni di tipo n ai lati del canale .

Un triodo un dispositivo per cui, data una corrente principale tra i terminali di drain e source,
questa modulata dal terminale di controllo.Se il dispositivo va sotto soglia non vi (nella
nostra approssimazione) carica nel canale e quindi dovremmo avere corrente nulla. In realt
come visto una piccola carica mobile sempre presente anche in regione di sottosoglia e quindi
passa comunque una piccola corrente.
La carica per gate nullo responsabile della corrente di perdita, e la carica presente quando il
gate a tensione alta indica la massima corrente che pu attraversare il dispositivo.

Ponendo le due diffusioni a massa aumentiamo la tensione di gate: viene quindi a crearsi il
canale conduttivo ma nella struttura non scorre corrente. Vi sar per cui una zona di carica
negativa mobile e una sottostante zona di carica fissa negativa. Applicando Kirchoff vale
sempre:



Si applichi ora una tensione sul drain. Vi sar ora un potenziale che attrae gli elettroni
mobili e quindi scorrer una corrente tra drain e source. Il canale non pi equipotenziale ma
la differenza di potenziale applicata si distribuisce lungo tutto il percorso con un profilo da
determinare. Sicuramente partendo dal source e arrivando al drain si vedr un potenziale
crescente e nel punto x avr una tensione rispetto al source e quindi alla massa. Per cui



dove con L si intende la distanza tra drain e source. Osservando la figura si vede che per avere
un bilancio nullo necessario che in ogni punto del canale, la tensione tra il semiconduttore e il
contatto con lossido deve essere
. Questo vuol dire che a ridosso del drain si avr una zona svuotata pi estesa
rispetto al caso di tensione applicata nulla. Siccome inoltre il potenziale di gate fissato, la
carica non pu variare, quindi laumentare dellestensione della zona svuotata (e quindi della
carica fissa) comporta necessariamente una diminuzione della carica mobile. La carica di canale
non sar quindi uniforme. quindi possibile calcolare la corrente che scorre nel canale, ovvero
la resistenza di questo.
V
GB
= !
ms
+ !
s
+ "V
ox
V
DS
V
C
(x)
V
C
(0) = 0
V
C
(L) = V
D
!
s
+V
C
(x)
Pagina 62


Si consideri un infinitesimo tratto di canale dx entro il quale la densit di carica possa ritenersi
costante. Inoltre anche la corrente costante. Si calcoli la caduta di tensione ai capi
dellelemento:



dove con W in questo caso si intende lo spessore del transistore mentre laltezza del canale.
Non necessario calcolare analiticamente questo valore: infatti



ed ha dimensione di carica per unit di area. Applicando Taylor si ha



pu essere ricavato con le considerazioni fatte precedentemente: deve infatti sempre
essere



e ora contiene il contributo aggiuntivo di tensione del drain: quindi deve essere



Conoscendo lespressione della tensione di soglia si pu scrivere:
V
C
(x + dx) !V
C
(x) = R(x)" I
DS
= ! "
dx
S
" I
DS
=
dx
q"
n
" n(x)" S(x)
" I
DS
=
dx
q"
n
" n(x)"W " t
S
" I
DS
t
s
q! n(x)! t
s
= Q'
n
(x)
V
C
(x) +
dV
C
(x)
dx
! dx "V
C
(x) =
dx
q!
n
! n(x)!W ! t
S
! I
DS
dV
C
(x)
dx
=
1
Q'
n
(x)!
n
!W
! I
DS
Q'
n
(x)
V
G
= !
ms
+ !V
s
+
Q'
fissa
C'
ox
+
Q'
mobile
C'
ox
!V
s
V
G
= !
ms
+ !
s
+V
C
(x) +
Q'
fissa
C'
ox
+
Q'
n
C'
ox
= !
ms
+ !
s
+V
C
(x) +
2q!
Si
N
A
!
s
+V
C
(x) ( )
C'
ox
+
Q'
n
C'
ox
Q'
n
(x)
C'
ox
= V
G
"!
ms
" !
s
"V
C
(x) "
2q!
Si
N
A
!
s
+V
C
(x) ( )
C'
ox
Pagina 63



Generalmente si trascura il termine (che tiene conto della variazione della tensione
dellossido lungo il canale dovuta allallargamento della zona svuotata) e si ottiene



Quindi ritornando allespressione di partenza



Questa un equazione differenziale separabile:



Per tensioni di gate minori della soglia non si ha conduzione perch non c canale, per
basse la corrente sale linearmente con la tensione mentre per tensioni significative la corrente
aumenta non linearmente, perch c sempre meno carica disponibile sul lato di drain.
Landamento quindi parabolico e il valore massimo si ha per



Q'
n
(x)
C'
ox
= V
G
!!
ms
! "
s
+ !
2q!
Si
N
A
"
s
C'
ox
+
2q!
Si
N
A
"
s
C'
ox
#
$
%
&
'
(
!V
C
(x) !
2q!
Si
N
A
"
s
+V
C
(x) ( )
C'
ox
= V
G
!V
T
!V
C
(x) +
2q!
Si
N
A
"
s
C'
ox
!
2q!
Si
N
A
"
s
+V
C
(x) ( )
C'
ox
= V
G
!V
T
!V
C
(x) ! )V
T
!V
T
Q'
n
(x) = C'
ox
V
G
!V
T
!V
C
(x) ( )
dV
C
(x)
dx
=
1
Q'
n
(x)!
n
!W
! I
DS
=
1
C'
ox
V
G
"V
T
"V
C
(x) ( )!
n
!W
! I
DS
C'
ox
!
n
!W ! V
G
"V
T
"V
C
(x) ( )
I
DS
dV
C
(x) = dx
C'
ox
!
n
!W ! V
G
"V
T
"V
C
(x) ( )
I
DS
dV
C
(x) = dx
0
L
#
0
V
DS
#
C'
ox
!
n
!W ! V
G
"V
T
( )V
DS
"
V
DS
2
2
$
%
&
'
(
)
I
DS
= L
I
DS
= C'
ox
!
n
!
W
L
! V
G
"V
T
( )V
DS
"
V
DS
2
2
$
%
&
'
(
)
V
DS
V
DS
= V
G
!V
T
Pagina 64
Cosa succede oltre il valore massimo? Con lapprossimazione utilizzata, nel valore massimo di
corrente la carica uguale a zero sul lato di drain.
Lapprossimazione per trascura che la carica non nulla ma esiste (pur essendo molto piccola),
e si avr che il campo elettrico deve aumentare in corrispondenza delle zone con poca carica
(ovvero minor conducibilit) per mantenere costante la corrente in tutto il canale.
Aumentando la tensione oltre il valore di massima corrente, si avr comunque un gradiente del
potenziale lungo il canale, e quindi questo avr sicuramente una regione in cui il potenziale
compreso tra 0 e e una regione in cui il potenziale sar maggiore.

Per la regione con potenziale compreso tra zero e valgono le considerazioni fatte finora,
considerando per che la lunghezza sar ora . Inoltre lintegrazione sar ora tra zero e
. Se si conoscesse con precisione il risultato sarebbe esatto perch la corrente
uguale in tutti i punti del canale e quindi lintegrale sempre valido. per ragionevole pensare
che sia quasi uguale a L. Infatti il flusso di carica (corrente) deve essere uguale in tutte le
sezioni del canale e quindi la velocit (proporzionale al campo) deve aumentare con il diminuire
della densit di carica. Se la carica piccolissima come vicino al drain, il campo deve essere
elevato. Nelle vicinanze del drain, tra e , la caduta di potenziale e quindi il
campo sar



Se F deve essere altissimo allora vuol dire che molto vicino a L. Ci vuol anche dire che la
corrente, una volta raggiunto il vertice, rimane costante e il campo si aggiuster per far si che il
valore venga mantenuto. In zona di saturazione si avr quindi:



In realt la variazione di lunghezza esiste, e si avr quindi un aumento della corrente secondo la
. Di questo si tiene conto inserendo un termine lineare nellequazione:



Da notare che nei transistori a canale lungo leffetto della modulazione della lunghezza di canale
trascurabile e quindi hanno corrente praticamente costante; non cos per i transistori a
Q'
n
(x) = C'
ox
V
G
!V
T
!V
C
(x) ( )
V
G
!V
T
V
G
!V
T
L' < L
V
G
!V
T
L'
L'
L L' V
DS
! V
G
!V
T
( )
F =
V
DS
! V
G
!V
T
( )
L ! L'
L'
I
DS,sat
= C'
ox
!
n
!
W
L
!
1
2
V
G
"V
T
( )
2
V
DS
I
DS,sat
= C'
ox
!
n
!
W
L
!
1
2
V
G
"V
T
( )
2
1+ ! ! V
DS
"V
DS,sat
( ) ( )
Pagina 65
canale corto, dove anche una piccola diminuzione di L porta ad una bassa resistenza equivalente
e quindi una caratteristica con parecchia pendenza.

Lezione 12

Landamento della carica nel canale approssimabile come una spezzata: nulla prima della
soglia e lineare per tensioni maggiori di gate. Ci si aspetta che vi sia una dipendenza della
corrente da Vds : derivando rispetto alla tensione si ha



Si pu riconoscere ancora il termine della corrente:



Il segno negativo: se L aumenta la corrente diminuisce e ci corretto. Sar anche negativa la
derivata di L allaumentare di perch la lunghezza diminuisce. In totale si ha che
aumentando la tensione tra drain e source la corrente aumenta. Inoltre si definisce:



Dove detta tensione di Early.




ha dimensioni di conduttanza e il suo inverso, , la resistenza di uscita del transistore.

dI
DS,sat
dV
DS
=
dI
DS,sat
dL'
!
dL'
dV
DS
= C'
ox
!
n
!W !
1
2
V
G
"V
T
( )
2
d
1
L'
dL'
!
dL'
dV
DS
= C'
ox
!
n
!W !
1
2
V
G
"V
T
( )
2
! "
1
L'
2
#
$
%
&
'
(
!
dL'
dV
DS
dI
DS,sat
dV
DS
= C'
ox
!
n
!W !
1
2
V
G
"V
T
( )
2
! "
1
L'
2
#
$
%
&
'
(
!
dL'
dV
DS
= "
I
DS,sat
L'
!
dL'
dV
DS
V
DS
!
1
L'
"
dL'
dV
DS
=
1
V
A
V
A
dI
DS,sat
dV
DS
= !
I
DS,sat
L'
"
dL'
dV
DS
=
I
DS,sat
V
A
= !
! r
o
Pagina 66
Quando si derivato per ottenere da notare che la corrente indicata quella del punto di
pinch off. In questo punto di lavoro uguale a . La tensione di Early quindi data da un
numero (la derivata) moltiplicato per L. In realt non proprio corretto chiamare la tensione
tensione di Early, perch questo avviene solo nei transistori bipolari: leffetto equivalente
ma dipende da fenomeni diversi.

Il transistore un elemento che deve amplificare il segnale: una volta fissata la polarizzazione
sul gate (per far si che il punto di lavoro sia nella regione di saturazione) modulando il valore in
ingresso si ha una variazione di corrente in uscita. Se ho un carico collegato al drain ci sar
quindi una variazione di tensione su di esso che proporzionale al segnale di ingresso.

Si avr un guadagno quindi:



Dove il parametro la transconduttanza. La tensione di gate indicata in minuscolo perch
intesa come piccola variazione rispetto alla tensione di polarizzazione.



La differenza chiamata tensione di overdrive,
Fissati parametri del transistor, per aumentare il guadagno si deve aumentare la resistenza di
carico. Il limite massimo del guadagno dato dalla resistenza di uscita: infatti possibile vedere
il carico in parallelo con la resistenza di uscita, e quindi la resistenza totale sar sempre minore
della pi piccola tra le due.



Il guadagno massimo una figura di merito del transistore e dipende solo dai suoi parametri
intrinseci, infatti:



A parit di polarizzazione quindi il guadagno massimo dipende solo da . Se si osserva meglio
questo termine, si nota che per due transistori con lunghezza differente ma realizzati nella
stessa tecnologia, uguale nei due. La tensione di Early dipende quindi solo dalla
lunghezza del canale: i transistori corti hanno guadagno di tensione minore rispetto a quelli
!
L' L
V
A
V
out
v
g
=
dI
DS
dV
g
! R
L
= g
m
! R
L
g
m
dI
DS
dV
g
= k ! 2 V
G
"V
T
( ) = k ! 2
V
G
"V
T
( )
2
V
G
"V
T
( )
=
2I
DS,sat
V
G
"V
T
( )
k =
1
2

n
C'
ox
W
L
V
G
!V
T
V
ov
G
max
= g
m
! r
o
g
m
=
2I
DS,sat
V
ov
r
0
=
V
A
I
DS,sat
G
max
=
2I
DS,sat
V
ov
!
V
A
I
DS,sat
=
2V
A
V
ov
V
A
dL'
dV
DS
Pagina 67
lunghi (e quindi maggior pendenza della zona di saturazione). In generale si vorrebbe realizzare
i transistor pi corti possibile per aumentare le prestazioni: infatti a fronte di una modulazione
di tensione di gate vengono richiamate cariche nel canale, e passer un certo tempo prima che la
variazione venga avvertita dal drain. Il ritardo di propagazione tra ingresso e uscita dipende
dal tempo di transito nel canale e questo dipende dalla lunghezza.



E la massima frequenza alla quale pu operare il dispositivo



Lezione 13

Le relazioni ricavate per il transistore hanno per allinterno unapprossimazione: si infatti
trascurato il termine del cos detto Effetto Body.



Il termine indica che in realt la carica allinterno del canale minore di quanto stimato, e
quindi anche la corrente che vi scorrer sar minore di quella ricavata mediante lequazione
approssimata.
C per un altro effetto che fa si che la corrente reale si discosti da quella approssimata. In
transistori submicrometrici leffetto della saturazione di velocit non trascurabile. Si era
ipotizzato inizialmente che la mobilit delle cariche allinterno del canale fosse costante e che
quindi la velocit aumentasse proporzionalmente al campo elettrico. In realt per forti campi
elettrici (maggiori di 100 kV/cm) la velocit media di deriva dei portatori satura ad un valore
cm/s. Non vale quindi pi la legge di Ohm nel canale e anche la corrente satura. La
saturazione di velocit quindi il secondo effetto che porta la corrente a interrompere la sua
crescita ad un valore massimo.

Applicando una tensione scorre una corrente, ma la densit di elettroni lungo il canale
diminuisce e la velocit deve di conseguenza aumentare per mantenere costante la densit di
corrente. Se interviene leffetto di saturazione di velocit. Si supponga di avere un campo
elettrico al lato del drain tale per cui la velocit dei portatori satura, per esempio 50 kV/cm. Se
un transistor ha tensione di soglia di 0.4V e polarizzato al gate con 2.5V. Con 1V di tensione di
drain si ancora abbondantemente in zona ohmica (infatti ). Se per il transistor
lungo 0.25 , il campo elettrico medio pari a :

t
transito
=
L
v
=
L
! E
=
L
!
V
G
"V
T
L
=
L
2
!V
ov
f
max
=
1
2!t
transito
=
!V
ov
2! ! L
2
Q'
n
(x)
C'
ox
= V
G
!V
T
!V
C
(x) ! "V
T
"V
T
=
2q!
Si
N
A
#
s
+V
C
(x) ( )
C'
ox
!
2q!
Si
N
A
#
s
C'
ox
10
7
V
DS
V
DS
<V
G
!V
T
m
Pagina 68


Se il transistor fosse in tecnologia 28 nm si avrebbe:



Quindi ci si trova in regione di saturazione di velocit. Con forti campi elettrici lungo il canale la
saturazione di velocit interviene prima della saturazione al pinch-off. Inoltre il valore calcolato
quello medio del canale: in corrispondenza del drain a causa della minore densit il valore
ben pi elevato. Le cariche sul lato di drain viaggiano a velocit saturata.
Si ipotizzi che la tensione di 1 V sia quella necessaria a saturare la velocit solo in
corrispondenza del drain e si applichino ora 1.2V al drain. Con lulteriore aumento del campo
elettrico ora si in saturazione sul drain ma anche un po pi allinterno verso il canale. Come al
solito, si consideri il canale diviso in due zone: una zona a partire dal source in cui la densit di
carica diminuisca e la velocit dei portatori aumenti, e una zona a partire dal punto in cui il
campo raggiunge il valore critico per cui la velocit dei portatori satura e non vi ulteriore
aumento proseguendo nel canale. La corrente deve rimanere costante e la velocit anche: di
conseguenza anche la densit di carica deve rimanere costante, nonostante diminuisca la
tensione. Quindi vuol dire che la corrente satura prima che si presenti lo strozzamento del
canale. Comunque, prima che il canale raggiunga il campo elettrico critico la relazione della
corrente non varia, e una volta saturata la velocit la corrente diventa costante rispetto a e la
relazione diventa, per ogni valore di tensione:



Come al solito vi sar un effetto di modulazione di lunghezza di canale e quindi andr
moltiplicata per il termine lineare.

Un ultimo effetto di non idealit accade quando il source a tensione diversa dal bulk. Leffetto
una variazione del bilancio della tensione di source:



La tensione di soglia era data inizialmente da:



Se il source ha una tensione diversa dal bulk allora avr sul lato source del canale una tensione
pari a con una zona svuotata pi larga. In tuttel e equazioni si avr il termine
sommato.

F =
1V
0.25m
= 4 !10
6
V
m
= 40
kV
cm
F =
1
28n
= 350
kV
cm
V
DS
I
DS
= C'
ox
!
n
!
W
L
! V
G
"V
T
( )V
DS,sat
"
V
DS,sat
2
2
#
$
%
&
'
(
V
S
= 0,
V
GS
= !
ms
+ !
s
+ "V
ox
#Lato source
V
GS
= !
ms
+ !
s
+V
C
(x) + "V
ox
#Lungo il canale
V
GS
= !
ms
+ !
s
+V
DS
+ "V
ox
#Lato drain
$
%
&
'
&
V
T
= !
ms
+ !
soglia
+
Q'
fissa
C'
ox
= !
ms
+ !
soglia
+
2q!
Si
N
A
!
soglia
C'
ox
!
s
+V
SB
V
SB
Pagina 69


Vi quindi un aumento della tensione di soglia. Generalmente viene fornito il valore della
tensione di soglia per nulla e un coefficiente , coefficiente di effetto body.




Sommando e sottraendo si ha:






Si vuole ora osservare in dettaglio alcuni effetti, iniziando con la saturazione di velocit. Questa
avviene in tutti i materiali e porta in ogni caso a saturare ad una velocit uguale per tutti. Per
capire il fenomeno si deve ritornare allo studio del movimento della carica. Come detto, questa
ha una componente di velocit casuale (velocit termica) e una componente di velocit dovuta
ad un campo elettrico (velocit di deriva). Graficando la velocit di deriva si detto che il suo
andamento :
Ovvero un tratto ad accelerazione costante data dal campo con un successivo rallentamento
fino a ridurre la velocit a zero dovuto agli urti. Se il tempo di collisione medio si ha


E la velocit media stata definita uguale alla velocit massima a causa della variabilit del
fenomeno. Nella trattazione si ipotizzato che il tempo medio sia costante rispetto al campo
V '
T
= !
ms
+ !
soglia
+V
SB
+
Q'
fissa
C'
ox
= !
ms
+ !
soglia
+V
SB
+
2q!
Si
N
A
!
soglia
+V
SB
( )
C'
ox
V
SB
!
V '
T
= !
ms
+ !
soglia
+V
SB
+
2q!
Si
N
A
C'
ox
" !
soglia
+V
SB
( )
= !
ms
+ !
soglia
+V
SB
+" !
soglia
+V
SB
( )
V '
T
= !
ms
+ !
soglia
+
2q!
Si
N
A
!
soglia
C'
ox
"
2q!
Si
N
A
!
soglia
C'
ox
#
$
%
&
'
(
+V
SB
+! !
soglia
+V
SB
( )
= V
T 0
"
2q!
Si
N
A
!
soglia
C'
ox
+V
SB
+! !
soglia
+V
SB
( )
= V
T 0
"! !
soglia
+V
SB
+! !
soglia
+V
SB
( )
= V
T 0
+V
SB
+! !
soglia
+V
SB
( )
" !
soglia ( )
!
V
max
= a! t =
q! E
m
e
!!
Pagina 70
elettrico, ma in realt non cos. Il tasso medio di urto proporzionale attraverso un
coefficiente h a:



Lenergia cinetica media della carica non dipende dalla velocit di deriva, perch la velocit
termica molto maggiore e quindi la velocit impressa dal campo elettrico trascurabile. La
velocit moltiplicata per il tempo fornisce il cammino libero medio: in effetti la distanza media
percorsa da una carica a rimanere costante (regola di Fermi). Aumentando il campo elettrico, se
il cammino deve rimanere costante allora il tempo medio di collisione diminuisce. Per capire il
meccanismo dietro a questo fenomeno si deve fare un ulteriore passo: si osservi per una
particella la conservazione dellenergia e della quantit di moto media p.



e la forza nel nostro caso data da q*F




In media, per ogni la quantit di moto viene persa a causa degli urti. Si sta dicendo che la
quantit di moto persa tutta in media ogni :



Per lenergia vale:



Inoltre, ogni volta che avviene un urto la particella perde una certa energia, tutta oppure una
frazione. La particella urta per con un reticolo elastico: nel caso classico questa energia
potrebbe essere qualunque ma in realt secondo la meccanica quantistica lenergia deve essere
scambiata in pacchetti finiti. Per esempio lenergia elettromagnetica deve essere scambiata in
multipli di una certa quantit minima, cio il fotone. Per gli urti lenergia minima detta fonone.
Questa energia dipende dallelasticit del reticolo: ogni volta che la particella subisce un urto
(anelastico) trasferisce energia al reticolo, in quantit multipla del fonone . Un fonone ha
ordine di grandezza di circa 50 meV per qualsiasi cristallo (con piccole differenze). In
condizioni stazionarie :

! = h! E
k
= h!
1
2
! m
e
! v = h!
1
2
! m
e
! v
th
!p
!t
= Forza
!p
!t
= q" E
!
!
!p
!t
=
p
!
!E
!t
=
Lavoro
!t
=
Forza " Spostamento
!t
= q" E"
l
!t
= q" E" v
deriva
(E
p
)
Pagina 71


Ma p la quantit di moto nella direzione del campo e quindi:



Non dipende quindi pi dal campo ma solo dal rapporto tra lenergia del fonone e la massa
della particella. Siccome i parametri sono molto simili per vari cristalli, la velocit ricavata sar
circa uguale. Si osservano quindi 2 regimi: per campi bassi lenergia data dal campo elettrico
minore dellenergia del fonone e quindi ogni volta che avviene un urto questo si ferma. La sua
velocit media termica non cambia molto, e quindi la sua energia media. Il tempo medio rimane
circa costante e la relazione di mobilit e la legge di Ohm vale. La velocit salir quindi
proporzionalmente al campo elettrico.

Quando i campi diventano significativi (e quindi la particella ha molta energia) durante un urto
viene trasferito al reticolo solo un fonone. La particella urtando rimbalza e cambia direzione,
ma rimane in movimento. La sua velocit media quindi tende a saturare al valore .


Come detto allinizio del corso, un elettrone legato ad un atomo pu stare a livelli energetici
quantizzati, con un energia rispetto allelettrone libero dipendente dallorbitale di appartenenza.
Si dice quindi che vi sono delle buche di potenziale e gli elettroni (quelli pi esterni, quelli di
valenza) sono intrappolati. Perch in un cristallo alcuni elettroni riescono a saltare fuori dalle
buche di potenziale e possono essere considerati come liberi?

Si consideri un atomo di idrogeno con il suo elettrone. Si immagini anche un altro atomo di
idrogeno lontano da questo. Quando si avvicinano i due questi si perturbano a vicenda: un
elettrone che prima stava attorno ad un atomo ora ha la possibilit di muoversi anche attorno
allaltro. Si generano quindi degli stati elettronici che coinvolgono entrambi i nuclei: si devono
considerare gli orbitali che vengono creati attorno ai due atomi. Si dimostra che se esiste
unorbita stazionaria nellatomo isolato, quando si avvicina questo ad un altro atomo uguale per
ogni stato stazionario originario corrispondono due stati stazionari del sistema biatomico. Cio
lelettrone che si trova ad orbitare attorno ai due pu farlo su due orbite tra loro distinte: la
prima quella che coinvolge tutti e due gli atomi e la seconda che genera una forma di 8:
q! E =
p
!
q! E! v
deriva
=
E
p
!
"
#
$
$
%
$
$
! =
p
q! E
q! E! v
deriva
=
E
p
p
q! E
=
E
p
! q! E
p
& v
deriva
=
E
p
p
"
#
$
$
%
$
$
p = m
e
! v
deriva
v
deriva
=
E
p
m
e
! v
deriva
v
deriva
=
E
p
m
e
E
p
m
e
Pagina 72

Questi due orbitali hanno energie leggermente diverse tra loro: quella esterna leggermente pi
bassa.
Se al sistema di due atomi se ne aggiunge un terzo alla stessa distanza, si formano tre livelli
energetici corrispondenti a altrettanti orbitali distinti:

La separazione di energia dipende dalla distanza tra gli atomi: se questi sono lontani (al limite
non interagenti) i livelli energetici sono tutti gli stessi. Se vi sono N atomi disposti
periodicamente a distanza definita (il passo atomico) vi saranno quindi N livelli energetici creati
per ogni livello energetico originario. Si dice che questi N livelli energetici costituiscono una
banda.
In ogni atomo gli elettroni si dispongono quindi su livelli energetici distinti. Per ogni livello
energetico vi pu essere un numero variabile di elettroni: questo definito dai sotto orbitali. I
sotto orbitali (s,p,d,f) compongono quindi un livello energetico e dipendono dallo stesso: per il
livello energetico 1 (pi vicino al nucleo) si avr quindi solo il sotto orbitale 1s (numero
massimo di elettroni = 2), per il secondo orbitale si avranno i sotto orbitali 2s (2 elettroni) e 2p
(3 sottolivelli, 6 elettroni), per il terzo livello si avranno i sotto orbitali 3s,3p,3d (massimo 10
elettroni) e cos via. Il numero di elettroni quindi componente lorbitale pi esterno dipende
dalla posizione dellelemento nella tavola periodica. Il silicio un semiconduttore del terzo
periodo appartenente al quarto gruppo, avr quindi tre orbitali e configurazione elettronica:
I Orbitale: 1s (2 elettroni)
II Orbitale 2s2p (2 +6 elettroni)
III Orbitale 3s3p (2 + 2 elettroni).
Immaginando il cristallo di silicio, si ha che se zero il livello energetico dellelettrone libero, gli
elettroni legati sono in una vasca e c una buca di potenziale minore. In corrispondenza
dellorbitale 1s vi sar una banda di N stati 1s, cos come per i livelli 2s, 2p (questi orbitali hanno
3 elettroni, per cui vi saranno 3N livelli energetici nella banda),3s,3p (anche questi con 3N stati).
Siccome i livelli energetici nellatomo singolo sono quantizzati e tra di essi vi un gap, anche
nel cristalli vi saranno bande occupate e dei gap liberi.

Fino ad adesso si utilizzato lesempio della colonna isoterma e la relazione di Boltzmann.
Come si applica questa ai livelli energetici? Se si disponessero secondo la fisica classica tutti gli
elettroni dovrebbero stare nel livello pi basso: si sempre adottato questo schema per tutti i
casi visti, ma alla luce di quanto appena detto la questione non pi cos scontata. La statistica
di occupazione di un livello energetico differente rispetto a quella di Boltzmann: gli elettroni
Pagina 73
si dispongono in livelli energetici rispettando il principio di esclusione di Pauli. Sarebbe come
dire che nella colonna ci possono essere solo 2 particelle o nessuna per ogni altezza! La
statistica che regola la distribuzione nei livelli quella di Fermi: gli elettroni tenderanno a
saturare ogni stato di energia quantizzata quindi la concentrazione sar costante, e solo negli
ultimi livelli vi potr essere ancora spazio. Cio la probabilit di occupazione 1 per livelli
bassi e decresce per livelli pi alti. Se fossimo alla temperatura assoluta di 0 K allora si avrebbe
una distribuzione rettangolare: tutti i livelli disponibili sarebbero occupati con probabilit 1 e
tutti quelli superiori sarebbero vuoti (probabilit 0). Il livello energetico pi alto che si
otterrebbe in questo caso detto Energia di Fermi. Se la temperatura aumenta allora qualche
particella dellultimo livello potrebbe avere abbastanza energia da saltare in un livello superiore e
quindi la probabilit di occupazione non sarebbe pi nulla. La funzione matematica che
descrive questa probabilit di occupazione di un livello energetico :



Si nota per che per energie maggiori del livello di Fermi l1 al denominatore trascurabile e si
ottiene



Ci ragionevole: fino a che ho molte particelle per livello deve valere il principio di Pauli, ma
quando mi trovo in livelli con poche particelle queste possono spostarsi dove vogliono, e
allinterno della banda la distribuzione tende a quella di Boltzmann. Detto questo, nel silicio di
ha che

Gli orbitali 1s erano saturi, e avr quindi N livelli 1s saturi nel modello a bande.

Gli orbitali 2s erano saturi, quindi anche la banda 2s sar satura.

Gli orbitali 2p erano saturi, quindi anche la banda 2p sar satura.

Gli orbitali 3s erano saturi, quindi anche la banda 2p sar satura.

Gli orbitali 3p non erano saturi, quindi la banda corrispondente sar semi piena.

Se cos fosse il cristallo di silicio sarebbe conduttore: un conduttore, applicando una forza
esterna, vede le sue cariche muoversi. Un elettrone sotto lazione di una forza esterna si muove
per solo se lenergia fornitagli sufficiente per saltare al livello energetico superiore. Quando si
f (E) =
1
e
E!E
F
kT
+1
f (E > E
F
) = e
!
E!E
F
kT
Pagina 74
dice che lelettrone si muove quindi si sottintende che vi sia un livello energetico superiore sul
quale lelettrone si sposta sotto lazione del campo elettrico. Un cristallo quindi conduttore
quando il livello di Fermi cade in una banda semipiena: ci saranno dei livelli energetici molto
vicini liberi nel quale lelettrone pu saltare. Se il cristallo ha invece delle bande completamente
piene e delle bande completamente libere, il livello di Fermi cade sul bordo di una banda e
lenergia del campo non sufficiente per far saltare gli elettroni nella banda libera. Nello
schema semplificato ci corrisponde ad un atomo con lelettrone fortemente legato, e anche in
presenza di un campo elettrico questo permane nel suo stato. Osservando il comportamento di
un cristallo di silicio saremmo portati a pensare che questo sia un conduttore, ma cos non !.

Lezione 14

Quindi in relazione dello stato della banda elettronica pi esterna il materiale si classifica come
isolante o conduttore. Se il livello di Fermi allinterno di una banda, il sistema pu accettare
lenergia fornita dal campo elettrico, mentre se al bordo superiore della banda non c modo
di spostare gli elettroni e questi non accettano lenergia data dal campo.
La banda totalmente occupata detta banda di valenza, e la prima banda libera detta banda di
conduzione. Nei semiconduttori la distanza tra la banda di conduzione libera e la banda di
valenza tale che la probabilit che un elettrone abbia energia tale da saltare da una allaltra non
trascurabile.

Ma come si visto, il silicio ha lultimo sotto orbitale parzialmente riempito e quindi ci si
aspetterebbe che esso si comporti come un conduttore. La risposta si evince dal diagramma di
Shockley:

Pagina 75

Quando gli atomi sono molto distanti non vi sono bande e gli elettroni risiedono sugli orbitali
originali. La larghezza della banda quindi trascurabile. Quando la distanza diminuisce i livelli
cominciano a allontanarsi e a creare la banda: si nota che attorno ai 6 i livelli s e i livelli p
cominciano a sovrapporsi. A questa distanza si hanno 4N livelli energetici distinti ( N dello
stato s e 3N dello stato p). Avvicinando ulteriormente si ha un allontanamento delle bande. Nel
grafico rappresentato il diagramma per il diamante e si nota come il passo atomico sia
corrispondente al punto di minimo energetico. Per il silicio il minimo posto a circa 5 : si
nota come vi sia un piccolo gap tra la banda di valenza (a 0K completamente piena) e la banda
di conduzione (semi libera).

Si nota come la banda di valenza ha ora 2N stati (4 elettroni di valenza per ogni atomo) e
altrettanti ne ha la banda di conduzione. Una volta che si superata la distanza atomica per cui
le due bande si toccano, si vede come entrambe siano composte da livelli energetici sia s che p.
Quello che accade che il sistema si chiede se esista una configurazione energeticamente pi
conveniente ed effettivamente esiste: il fenomeno detto ibridizzazione s-p e accade quando
si combina il materiale in un cristallo tridimensionale. Ricordando che la struttura esterna
dellatomo di silicio , nel reticolo si avranno 4 elettroni in banda di valenza e la banda
di conduzione vuota e il gap tra le due circa 1.1 eV.

possibile fare una semplificazione: quando si parla di elettroni mobili nel cristallo si indica
quelli presenti in banda di conduzione e quando si parla di lacune evidentemente si intende
lassenza di elettroni in banda di valenza. Si introduce inoltre laffinit elettronica, ovvero la
distanza tra il fondo della banda di conduzione e lenergia del vuoto pari a 0, e nel silicio circa
4 eV.
A 0K ho che tutti i livelli inferiori sono occupati e quelli superiori liberi: lenergia di Fermi
star quindi in qualche punto allinterno del gap. Dato il livello di Fermi a 0 K, la probabilit
che un elettrone possa occupare il livello energetico E dipende dalla statistica di Fermi. Se c
una temperatura finita il livello di Fermi ha probabilit 0.5 di essere occupato e per livelli
energetici differenti segue il grafico mostrato precedentemente. Nei conti fatti per lo studio dei
dispositivi sono stati considerati solo gli elettroni a questo punto chiamati di conduzione non
considerando gli elettroni di valenza. Osservando il grafico della distribuzione di Fermi per si
intuisce che per livelli abbastanza distanti dal livello di Fermi la curva ha andamento
esponenziale e quindi ci si pu ricondurre alla statistica di Boltzmann.

Si deve quindi studiare il numero di elettroni in banda di conduzione: considerando uno
spessore energetico si ha

3s
2
3p
2
Pagina 76


Si dimostra che la distribuzione della densit di stadi ha un andamento parabolico: vicino al
fondo della banda zero e cresce poi secondo una iperbole.



Il numero di elettroni in banda di conduzione (dal fondo fino allinfinito) sar:


Se ci si trova con energie abbastanza maggiori del livello di Fermi (cio per )
lequazione si semplifica:



Con un cambio di variabile ( ) si ottiene:



una propriet intrinseca del materiale ed chiamato densit di stati
equivalente . Per il silicio vale



In sostanza quindi



Il numero di elettroni in banda di conduzione dipende quindi dalla temperatura, dalla posizione
del livello di Fermi e dalla densit di stati equivalenti. Lespressione pu anche essere vista in un
altro modo: si immagini di concentrare gli stati della banda di conduzione in

n! Volume = Numero stati energetici ! Probabilit di occupazione degli stati
n =
N
stati
(E, E + dE)
V
! f (E) = g(E)! dE! f (E)
g(E) = k ! E " E
C
#Conduzione
g(E) = k ! E
V
" E #Valenza
n =
g(E ! E
C
)
e
E!E
F
kT
+1
dE
E
C
"
#
E ! E
F
> kT
n = g(E ! E
C
)" e
!
E!E
F
kT
dE
E
C
#
$
x =
E ! E
C
kT
n = kT ! g(x)! e
"
E"E
F
+E
C
"E
C
kT
dx
0
#
$
= kT ! g(x)! e
"x
! e
"
"E
F
+E
C
kT
dx
0
#
$
= e
"
E
C
"E
F
kT
kT ! g(x)! e
"x
dx
0
#
$
kT ! g(x)! e
"x
dx
0
#
$
N
C
N
C
= 3.22!10
19
cm
"3
n = N
C
! e
"
E
C
"E
F
kT
E
C
Pagina 77

Il numero degli stati dipende dalla densit del materiale: il silicio ha atomi/cm3, quindi in
banda di conduzione ci saranno stati/cm^3. Per calcolare il numero di elettroni
disponibili per cm3 si pu immaginare di concentrare tutti gli stati in Ec e di occuparli con una
probabilit pari allenergia del fondo della banda di conduzione rispetto allenergia di Fermi.
Come per si immagina gli stati da concentrare al livello di conduzione dovranno essere minori
rispetto a quelli che si hanno in realt perch per gli stati posti in alto la probabilit minore. Si
utilizza quindi una densit di stati equivalente invece di quella reale. Posso quindi
approssimare la densit elettronica come:



Se si volesse fare lo stesso discorso per le lacune si dovrebbe considerare gli stati liberi, quindi il
numero di lacune totali P in una fascia compresa tra E ed E+dE sar dato da




Il livello di Fermi stato ipotizzato allinterno del gap. Da notare che essendo allinterno del
gap, allo 0 assoluto (funzione a gradino) questo potrebbe trovarsi a qualsiasi altezza: infatti
seppure la probabilit di occupazione degli stati pari a 1, fino allenergia della banda di valenza
non ci sono stati. Non appena per la temperatura sale, la posizione del livello deve essere
fissata ad un valore preciso: se la densit di stati equivalente fosse esattamente uguale per
elettroni e lacune allora avrei un livello di fermi al centro del gap, ma non essendo questo il caso
allora sar leggermente scostato.
Con le relazioni appena trovate possibile trovare il valore esatto, infatti per neutralit di carica
devo avere:



5!10
22
2! 5!10
22
N
C
n = N
C
! f (E
C
) " N
C
! e
#
E
C
#E
F
kT
P = Numero di stati in banda di valenza ! Probabilit che lo stato sia libero
=Numero di stati in banda di valenza ! (1-Prob. che lo stato sia occupato)
p = g(E
v
! E)
E
V
!"
#
$ 1! f (E
v
) ( )dE = g(E
v
! E)
E
V
!"
#
$ 1!
1
e
E
v
!E
f
kT
+1
%
&
'
'
(
)
*
*
dE
g(E
v
! E)
E
V
!"
#
$
e
E
v
!E
f
kT
e
E
v
!E
f
kT
+1
%
&
'
'
(
)
*
*
= g(E
v
! E)
E
V
!"
#
$ e
!
E
F
!E
v
kT
dE = N
v
$ e
!
E
F
!E
v
kT
n = p
N
C
! e
"
E
C
"E
F
kT
= N
V
! e
"
E
F
"E
V
kT
ln
N
C
N
V
#
$
%
&
'
(
= "
E
F
" E
V
kT
+
E
C
" E
F
kT
kT ! ln
N
C
N
V
#
$
%
&
'
(
= "2E
F
+ E
V
+ E
C
E
F
=
E
V
+ E
C
" kT ! ln
N
C
N
V
#
$
%
&
'
(
2
Pagina 78
Queste relazioni valgono per un semiconduttore puro. Cosa succede in un semiconduttore
drogato? Aggiungendo atomi droganti avr una corrispondente concentrazione di elettroni
e il livello di fermi si deve alzare per fare in modo che la probabilit di occupazione in
conduzione sia pi alta, e le lacune diminuiscono: non varr quindi pi quindi la relazione
perch la concentrazione di elettroni ora data dalla concentrazione di atomi di drogante:







Quindi ora il livello di Fermi dipende dal grado di drogaggio. Per un semiconduttore drogato p
sarebbe lo stesso discorso:



NB Siccome sto drogando con atomi del III e del V gruppo, la configurazione elettronica di
questi sar uguale e quindi la disposizione delle bande non viene variata!

Si immagini ora di avere una giunzione pn: allequilibrio termico si detto che si crea una zona
di svuotamento mentre ai lati di questa vi sono delle zone neutre. Nelle zone neutre deve valere
quanto scritto sopra: inoltre essendo in condizioni di equilibrio si deve avere un livello di Fermi
costante in tutto il semiconduttore. Vi sar quindi una flessione delle bande per adattare la
distanza del livello di Fermi dalla banda di conduzione e quella di valenza:
N
D
n = p
n = N
D
N
D
= N
c
! e
"
E
C
"E
F
kT
kT ! ln
N
c
N
D
#
$
%
&
'
(
= E
C
" E
F
p = N
A
N
A
= N
v
! e
"
E
F
"E
v
kT
kT ! ln
N
v
N
A
#
$
%
&
'
(
= E
F
" E
v
Pagina 79

Siccome laffinit elettronica (differenza di energia tra livello di vuoto e base della banda di
conduzione) costante deve essere variato il livello di vuoto.
Pagina 80