REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
DEPARTAMENTO DE COMUNICACIONES
PROYECTO N 1
MODULADOR AM ESTNDAR
Realizado por:
CAMELO, Carl!
DI YORIO, Carl! "Cr#$%a#r&
INFANTE, '(%%)
YEPEZ, L*%ar#
Caracas, 4 de febrero de 2005
INTRODUCCI+N
El siguiente proyecto se basa en el diseo de un Modulador de AM estndar
!Modulador AM "oble #anda $ateral con %rans&isi'n de portadora( ")#*C+, con la
finalidad de co&probar algunas caracter,sticas bsicas del circuito(
En dic-o diagra&a circuital, se obser.ar algunas etapas con funciones &uy
espec,ficas, y condiciones bsicas de funciona&iento( Entre ellas se tiene:
$a seal modulante(
$a seal portadora(
El transistor operando en clase C(
$a fuente de poder de corriente directa(
El a&plificador de acopla&iento inducti.o y doble sinton,a, o doble resonancia(
El uso de trans&isores de estado s'lido per&ite obtener potencias altas de salida, las
cuales estaban li&itadas para los pri&eros trans&isores de AM /uienes usaban tubos de
.ac,o para los dispositi.os acti.os(
0na de las etapas utilizadas para el diseo del Modulador de AM es el transfor&ador de
doble sinton,a, el cual tiene &uc-a i&portancia ya /ue se .er /ue sir.e co&o filtro de la
seal de la salida(
MODULADOR AM ESTNDAR
DESCRIPCI+N DEL FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
En la figura siguiente se &uestra un diagra&a es/ue&tico para un Modulador de AM
DSBFC !"oble #anda $ateral con %rans&isi'n de portadora !"ouble )ide1#and *or2ard
Carrier++( En dic-o es/ue&a, la seal de &odulaci'n se aplica al colector, por lo /ue el
circuito recibe el no&bre de modulador de colector.
3ara lograr una eficiencia de potencia alta, los &oduladores de AM operan en clase
C( Esto es, se tiene un a&plificador de clase C con dos entradas: una seal portadora !4C+ y
una seal modulante !4m+(
Figura 1. Diagrama esquemtico del Modulador de AM.
0
0
R 5
1 k
C 2
8 p
V 6
1 2 . 5
C 1
8 p
R 3
5
V
Q 1
Q 2 N 5 0 5 8
R 1
5 . 1 M e g a
V 5
F R E Q = 2 k
V A M P L = 1 2 . 5
V O F F = 0
0
T X 2
0
V 2
F R E Q = 2 0 0 k
V A M P L = . 7
V O F F = 0
0
T X 1
R 2
8 5 0 k
El circuito dado opera de la siguiente for&a:
Cuando la a&plitud de la portadora cruza la barrera de los 0,5 6
apro7i&ada&ente, se enciende el transistor 89 y per&ite el paso de corriente
por el colector( )i la a&plitud de la portadora cae deba:o de 0,5 6 , 89 se apaga
y cesa la corriente del colector(
El transistor 89 ca&bia entre la saturaci'n y el punto de corte controlado por la
seal de la portadora( Cada ciclo sucesi.o de la portadora enciende a 89 por un
instante y per&ite /ue la corriente corra por un corto tie&po, produciendo una
for&a de onda negati.a en el colector !Esta seal es se&e:ante a la seal
rectificada de &edia onda repetiti.a con una frecuencia funda&ental fC+(
Figura 2 . Forma de onda del colector sin seal modulante.
Cuando una seal &odulante se aplica al colector en serie con el .olta:e de la
fuente "C, se agrega y se resta de 6CC ( Cuando la &7i&a a&plitud pico de la
seal &odulante es igual a 6CC , la for&a de onda de .olta:e resultante ca&bia
de un &7i&o .alor de 26CC a apro7i&ada&ente 06 ;6CE sat<(
Figura 3. Forma de onda del colector con seal modulante.
$a for&a de onda del colector contiene las dos frecuencias de entradas !fC y f&+
y sus frecuencias de su&a y diferencia !fC = f&+( "ebido a /ue, ade&s
contiene la ar&'nica de orden &s alta y otras co&ponentes, entonces debe
li&itarse la banda a fC = f& antes de ser trans&itida( Esto se logra colocando
un circuito tan/ue en el colector de 89(
Figura 4 . Forma de onda de salida del circuito tanque.
"ebido a /ue el transistor est operando entre la saturaci'n y el punto de corte, la
corriente del colector no depende del .olta:e de e7citaci'n de la base( El .olta:e a
tra.>s del circuito tan/ue se deter&ina por la corriente del colector y la resistencia
del circuito tan/ue en resonancia, el cual depende del factor de calidad !8+ de la
bobina( Este .olta:e de salida es una seal AM ")#*C si&>trica con un .olta:e
pro&edio de 06 , 6&7 pico positi.a? 2 6CC y 6&7 pico negati.a ? 1 2 6CC (
Cuando 89 conduce, C9 se carga a 6CC @ 6& !un .alor &7i&o de 26CC y, cuando
89 est apagado, C9 se descarga por $9+( Cuando $9 descarga, C9 se carga a un .alor
&,ni&o de A 2 6CC(
$a frecuencia resonante del circuito tan/ue es igual a la frecuencia de la portadora y
el anc-o de banda se e7tiende desde fC A f& a fC @ f& ( 3or lo tanto, la seal
&odulante, las ar&'nicas y todos los productos de orden superior se eli&inan de la
for&a de onda, de:ando una onda AM ")#*C si&>trica, para cuando la &7i&a
a&plitud de la seal &odulante es 6CC(
Este circuito tan/ue es conectado al colector, con un transfor&ador doble
sintonizado a la frecuencia de la portadora !200 BCz+, y el &is&o nos sir.e co&o
filtro para /ue solo pase la seal ubicada en 200 BCz ,ade&s de las bandas
pasantes, ubicadas en 9DE BCz y 202 BCz(
Este amplificador de acoplamiento inductivo y doble sintona se lla&a de primario
sintonizado y secundario sintonizado, porue los devanados del primario y del
secundario del transformador %9 son circuitos tan/ues sintonizados( Este
transfor&ador tiene una cur.a de respuesta la cual depende del efecto del
acopla&iento !entre la resistencia refle:ada y la del pri&ario+ , de la 8 del circuito
tan/ue y del anc-o de banda(
CLCULOS REALIZADOS
3ri&era&ente, se realizaron los clculos para el diseo del *iltro con %ransfor&ador de
doble sinton,a, tal co&o se &uestra a continuaci'n(
T X 1
V 1
1 0 V a c
0 V c
V
C 1
8 p
0 0
C 2
8 p
R 2
1 M e g a R 1
5 . 1 M e g a
Figura 5. Filtro Prueba de Transormador de Doble !inton"a.
$os Clculos realizados se &uestran a continuaci'n !E:ecuci'n realizada en Maple
D+(
> restart;
> wo:=1/sqrt(L*C);
> Z2:=Rc/(1+j*w*Cs*Rl);
> Z1:=Ro/(1+j*w*Cp*Ro);
> eq1:=wo=2*Pi*200e;
> eq2:=sol!e(eq1"C);
> plot(eq2"L=#0e$%%100e$);
Figura #. $rica de % res&ecto a '..
!omando "#$% m&, C tendr' el valor de(
> s&'s(L=(0e$"eq2);
)tilizando C#$pF y " del !ransformador de $%m&, la nueva frecuencia de resonancia ser'(
> )r:=e!al)((s&'s(C=(e$12"L=(0e$"wo))/(2*Pi));
Se define *(
> *:=wo1*L1/r;
> *1:=s&'s(wo1=2*Pi*)r"L1=(0e$"r=R1"*);
*2:=s&'s(wo1=2*Pi*)r"L1=(0e$"r=R2"*);
> +*:=+*sqrt(*a**');
+or medio de ensayo y error, se fi,- la resistencia de salida en ../M, y fi,ando 0* en un valor mayor /, se
realizaron las si1uientes pruebas 2asta obtener un anc2o de banda suficiente para de,ar pasar la seal y
filtrar las otras componentes.
> +:=0%1; R2:=,%1e#;
(1)1e#
> +q1:=s&'s(*a=*1"*'=*2"+*);
> e!al)(s&'s(R1=10e#"+q1));
"o ue muestra ue se obtendr'n los 3 picos. +ara este diseo 4Diseo de Filtro de Doble Sintona5, se
colocaron los picos un poco separados para ue se pudieran apreciar los mismos. 6n el diseo del filtro del
modulador AM, el 0 ser' m's cercano a /, y por lo tanto ser' al1o complicado diferenciar los picos de
doble sintona.
A continuaci'n !*igura F+ se &uestra el resultado de la si&ulaci'n del circuito de la
*igura 9, utilizando Grcad Capture Cis D(9(
Figura *. !imulaci+n del %ircuito de la Figura 1.
3osterior&ente, se procedi' al diseo del &odulador AM con transistor en clase C y
con el *iltro con transfor&ador de doble sinton,a conectado, tal co&o se &uestra en la
*igura 9(
$os Clculos de los .alores de los co&ponentes para el &odulador AM fueron
e7tre&ada&ente sencillos y fcil&ente deducibles( 3ri&ero, se seleccion' un .alor para la
fuente "C tal /ue polarizara el circuito, y /ue su tensi'n no fuese e7cesi.a&ente alta tal
/ue /ue&ara los co&ponentes el>ctricosH este .alor pod,a ser escogido alrededor de 90 6
!El .alor seleccionado luego de si&ular di.ersas .eces el circuito en Grcad D(9 fue el de
92,5 6, ya /ue, generaba un .alor de tensi'n de la seal a la salida, en este caso el tono de
prueba de 2 ICz trasladado a 9DE ICz y 202 ICz, de apro7i&ada&ente 5 6+(
$uego, co&o un re/ueri&iento del proyecto es /ue el ,ndice de &odulaci'n fuera lo
&s cercano a 9, el .alor de la a&plitud de la *uente de 6olta:e lla&ada 65 ten,a /ue ser
igual al de la fuente "C, esto por/ue en algJn tie&po el .alor de la tensi'n a la salida ser
el de la fuente "C &enos el .alor &7i&o de la tensi'n a la salida del transfor&ador %K2
!9:9, y /ue presenta en el pri&ario la fuente en cuesti'n+(
)e seleccion' un #L% de seal tal /ue presentara un .alor de tensi'n colector1e&isor
&7i&a &ayor a unos F0 6 !2orst case o peor caso+, y /ue tu.iera un 6be cercano a 0,5H
debido a esto, se seleccion' el 2M505E, ya /ue es uno de los &uc-os transistores de seal
/ue cu&ple con las especificaciones &encionadas anterior&ente(
$a *uente 62 se seleccion' con una a&plitud de 0,5 6, esto con la finalidad de /ue
el circuito estu.iese polarizado en clase C !)olo se a&plifi/ue apenas una pe/uea porci'n
de los picos de la seal generada por 62+(
$a resistencia RF fue introducida en el circuito, debido a /ue el progra&a de
si&ulaci'n utilizado !Grcad D(9+ necesitaba una resistencia entre la fuente 65 y el
transfor&ador %K2 para poder funcionarH en otras palabras, la resistencia RF es un
re/ueri&iento del si&ulador, y se supuso &uy pe/uea para /ue no afectara el resultado del
circuito(
$a resistencia R5 representa la resistencia interna del generador, el Jnico re/uisito
de la &is&a es /ue no fuera &uy ele.ada para /ue la ca,da de tensi'n sobre la resistencia
fuese prctica&ente despreciable(
3or Jlti&o, el filtro con transfor&ador de doble sinton,a presentaba los .alores de
los co&ponentes para sintonizarlo a 200 ICz, lo Jnico /ue se .ari' fue la resistencia R2
dis&inuy>ndola de 9 MN a E50 IN, esto se -izo con la finalidad de reducir la distancia
entre los 2 picos y acercarlos a 200 ICz( Cabe destacar /ue la resistencia R2 pod,a ser de
un G-&ia:e &uc-o &enor para /ue la potencia entregada a la carga fuera &uc-o &s alta
de lo /ue se obtu.o, pero co&o no e7ist,a ningJn re/uisito sobre la potencia entregada a la
carga para el diseo del &odulador, por facilidad se de:' la resistencia cercana a 9 MN para
no .ariar ningJn otro par&etro del filtro con transfor&ador de doble sinton,a(
Al )i&ular el circuito de la *igura 4, se obtienen las siguientes )eales(
SE,AL EN LA RESISTENCIA DE CARGA EN FUNCI+N DEL TIEMPO
Figura ,. Diagrama de Tensi+n en la (esistencia de %arga en unci+n del Tiem&o.
SE,AL EN LA RESISTENCIA DE CARGA EN FUNCI+N DEL TIEMPO
Figura -. .s&ectro de Am&litud de la Tensi+n en la (esistencia de %arga.
Realizando algunos Ooo& cerca de 200 ICz para obser.ar &s detallada&ente la seal(
Figura 1/. Acercamiento con los lugares ms im&ortantes del .s&ectro de Am&litud de la Tensi+n en la (esistencia de %arga.
CONCLUSION
El diseo del &odulador AM estndar !Modulador AM "oble #anda $ateral con
%rans&isi'n de portadora( ")#*C+ fue cul&inado e7itosa&ente, debido a /ue todas y cada
una de las especificaciones e7igidas fueron alcanzadas(
Cabe &encionar /ue dentro de este con:unto de especificaciones, -ubo dos en
particular /ue tu.ieron &ayor trascendencia dentro del e/uipo de traba:o, estas fueron:
El uso del transistor bipolar #L% operando en &odo clase CH ya /ue dentro de los
cursos de electr'nica est> dispositi.o es usado co&Jn&ente en &odo clase A y en
ocasiones, en &odo clase A#(
El e&pleo del transfor&ador de acopla&iento inducti.o y de doble sinton,a, >l cual
tiene &uc-a i&portanciaH ya /ue se pudo apreciar /ue est> sir.i' para eli&inar todas
a/uellas co&ponentes de frecuencia /ue no estn dentro de la banda /ue se e7tiende
desde fc1f& -asta fc@f& !9DEB-z1202B-z+ siendo fc y f& las frecuencias de la
portadora y de la &odulante respecti.a&ente(
En lo /ue respecta, a la eficiencia del &odulador AM estndar .isto co&o siste&a, cabe
&encionar /ue no se -izo >nfasis alguno en la &is&a, ya /ue no e7ist,a ningJn re/uisito
sobre la potencia entregada a la carga del &odulador(