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Wg
(1)
Con el factor 1.24 la longitud de onda estara da-
da en micras cuando la energa de la banda prohi-
bida este dada en ev. En la tabla II se da una
lista de materiales semiconductores utilizados pa-
ra fabricar LEDs y su relacion con la energa de
la banda prohibida y la longitud de onda de la luz
emitida.
Los LEDs que se utilizan en los sistemas inalambri-
cos infrarrojos son construidos con GaAs y con AL-
GaAs, porque emiten luz con longitudes de onda
que caen dentro de una de las ventanas de trans-
mision atmosfericas alrededor de 850 nm.
Tpicamente estos LEDs tienen un ancho de lnea de
20 a 100m.
El ancho de banda de modulacion de un LED esta re-
lacionado con el tiempo de vida de los portadores de
carga en el semiconductor , el cual puede ser de-
nido como el tiempo promedio de recombinacion de
42 ContactoS 47, 35{45 (2003)
los portadores. La velocidad de modulacion electri-
ca debe ser menor que este tiempo. El ancho de ban-
da de banda (3dB) se puede calcular con la siguien-
te relacion.
f
3db
=
1
2
(2)
Las velocidades de modulacion que los LEDs pue-
den alcanzar van desde unas cuantas decenas de KHz
hasta mas de 100 MHz. La potencia optica emiti-
da se ve disminuida a medida que aumentamos la
velocidad de modulacion, y tambien cuando aumen-
ta la temperatura del dispositivo.
En el mercado estan disponibles dos tipos de LEDs,
los de emision de supercie y los de emision de arista.
Los primeros emiten luz con un patron lambertiano
con ancho de haz de 120 grados, en el segundo caso,
el ancho de haz en el plano paralelo es tambien de 120
grados y en el plano perpendicular es de 30 grados.
Debido a esto, la luz emitida por un LED, no implica
riesgo alguno para los ojos.
A medida que pasa el tiempo la potencia optica emi-
tida por un LED decrece para un cierto valor de co-
rriente de polarizacion. Sin embargo el tiempo de vi-
da de un LED puede ser hasta de 11 a~ nos.
Diodos Laser
Los Diodos Laser tienen funciones similares a los
de los LEDs, pero con algunas diferencias en cuan-
to a su funcionamiento y a sus caractersticas. Los
LEDs generan luz por emision espontanea, radiando-
la en todas direcciones por lo que su ancho de haz
es muy grande. El LD tiene construida internamen-
te una cavidad resonante tal, que cuando se exce-
de la corriente de umbral (despues de la emision es-
pontanea ) se tiene una emision estimulada, con gran
amplicacion de luz, que se genera con alta coheren-
cia, por lo que se tienen anchos de lnea peque~ nos en-
tre 1 y 5 nm. y anchos de haz muy angostos.
Al igual que en el caso de los LEDs , existen LDs
con emision de supercie y de arista. Los LDs con
emision de arista producen altos niveles de poten-
cia, hasta de 100 mW. a una velocidad de modu-
lacion de 1 GHz. y estan disponibles comercialmen-
te en el rango de 850 nm de longitud de onda. Su an-
cho de haz tpico es de 2035 grados. Los LDs de
emision de supercie producen mucho menos poten-
cia optica de salida, pero tienen un patron de emi-
sion casi simetrico con un angulo de divergencia tpi-
co de 12 grados.
Resumiendo un poco, el LD con respecto al LED
es mucho mas rapido, su potencia de salida es ma-
yor y su haz es coherente, pero, su construccion es
mas compleja, su potencia optica de salida depende
fuertemente de la temperatura, es bastante suscepti-
ble a transitorios, es mas costoso y requiere de un cir-
cuito de excitacion con compensacion de tempera-
tura, con compensacion contra envejecimiento y de
proteccion contra transitorios. En la tabla III se pre-
senta una comparacion entre LEDs y LDs.
Foto detectores.
Junto con la fuentes opticas, los foto detectores
son elementos importantes en el dise~ no de siste-
mas inalambricos infrarrojos. Tambien, al igual que
las fuentes opticas los foto detectores mas utiliza-
dos estan basados en semiconductores. Los facto-
res mas importantes para la seleccion de un foto
detector especco son: su responsividad, respues-
ta espectral, tiempo de subida, area activa y ruido
generado.
La responsividad de un foto detector dene la re-
lacion entre la corriente de salida y potencia opti-
ca de entrada. O sea:
=
1
Po
(3)
Sus unidades son Amperes / Watts (A/W).
La respuesta espectral de un foto detector se ree-
re a la sensibilidad que este presenta en una region
de longitudes de onda.
Esta nos provee de una gra-
ca que nos relaciona la cantidad de corriente produ-
cida en una longitud de onda especca, para ello se
asume que se proporciona la misma cantidad de po-
tencia optica en todas la longitudes de onda.
En la gura 5 se muestra la respuesta espectral de
los diferentes foto detectores semiconductores.
El tiempo de subida es el tiempo que le toma al
foto detector elevar su valor de corriente de salida
del 10 % al 90 % de su valor nal. El ancho de banda
de modulacion del foto detector esta relacionado con
este tiempo de subida tr:
f
3dB
=
0;35
tr
(4)
El area activa, es aquella region del semiconduc-
tor en donde se lleva a cabo el proceso de foto de-
teccion, entre mas grande sea esta, mas sensibili-
dad tendra el dispositivo. Pero tambien entre ma-
yor area activa, mas capacitancia parasita presen-
tara el foto detector, lo cual aumenta el tiempo de
subida y por lo tanto disminuye el ancho de ban-
da de operacion. Un foto detector con area acti-
va grande es idoneo en los casos en que la irradian-
cia es peque~ na como sucede en los sistemas infrarro-
jos difusos, en los cuales se sacrica ancho de banda
Sistemas infrarrojos de comunicaciones inalambricas. Jose Luis Zamorano. Gloria Fca. Serrano. 43
Caractersticas LEDs LDs
Anchos de lnea (nm) 20 { 100 1 { 5
Tiempo de Subida (ns) 2 { 250 0.1 { 1
Ancho de banda de <300 2000
modulacion (MHz)
Sensibilidad a la temperatura Baja Alta
Complejidad de los circuitos simple Compleja
Tiempo de vida (Horas) 10
5
10
4
{ 10
5
Costo Bajo Alto
Uso principal Enlaces cortos Enlaces de larga distancia,
Razones de datos y altas razones de datos
moderadas
Tabla III. Caractersticas de las fuentes opticas tpicas.
Figura 5. Respuesta espectral de los diferentes foto detectores
44 ContactoS 47, 35{45 (2003)
en aras de mayor sensibilidad. En los sistemas pun-
to a punto, se puede usar un foto detector de area ac-
tiva peque~ na, con lo cual se obtiene un gran ancho de
banda.
La se~ nal electrica de salida de un foto detector in-
cluye la se~ nal producida por la entrada y al ruido. El
ruido tiene diversas fuentes, el ruido optico en la en-
trada producido por las fuentes de luz ambiental, el
ruido en el detector, y en los componentes electroni-
cos del receptor.
El ruido producido por la luz ambiental, se puede
reducir empleando fuentes opticas de anchos de lnea
muy angosto en combinacion con ltros opticos de
rango tambien angosto.
Un detector ideal genera una se~ nal de salida que
solo depende de la potencia de luz en la entrada,
as que en la oscuridad no debe haber corriente de sa-
lida, sin embargo en cualquier foto detector se pro-
duce una corriente de oscuridad. Esta corriente mi-
de el ruido inherente al foto detector, el cual tambien
esta presente cuando en este incide luz. La corrien-
te de oscuridad depende de la temperatura, del vol-
taje de polarizacion y del tipo de foto detector.
La potencia optica necesaria para generar una co-
rriente igual a la raz cuadra del ruido en el foto de-
tector (o en el receptor) es conocida como poten-
cia equivalente de ruido (NEP). La NEP depende
de la velocidad de modulacion de la se~ nal de en-
trada, del ancho de banda sobre el cual el ruido
se mide, del area activa, y de la temperatura del
detector.
En los sistemas inalambricos infrarrojos se utilizan
dos tipos de foto detectores, los foto diodos PIN y los
fotodiodos de avalancha (APD). Al igual que con las
fuentes opticas, la eleccion del foto detector depen-
de de la aplicacion. Para aplicaciones de corta distan-
cia o sobre todo para dispositivos portatiles, la me-
jor opcion es el diodo PIN por su costo, por su faci-
lidad de uso, y por su compatibilidad con las fuen-
tes opticas de bajo costo.
Cuando se cubren grandes distancias, la atenuacion
es muy fuerte, por lo que la sensibilidad del foto
detector debe ser muy alta, siendo la mejor opcion
en este caso utilizar un APD. En la tabla IV se dan
las principales caractersticas de los diodos PIN y de
avalancha.
Conclusiones.
Los sistemas infrarrojos tienen caractersticas que
les dan ventajas respecto a los sistemas de RF, ta-
les como: potencial de ancho de banda muy gran-
de, no estar regulados por ning un gobierno, y ser in-
munes al ruido e interferencias de tipo radioelectrico.
Estas propiedades hacen de los sistemas infrarrojos
candidatos idoneos para comunicaciones inalambri-
cas multimedia de alta calidad. El desarrollo tec-
nologico de los sistemas IR difusos es obstaculiza-
do por: limitaciones de potencia, cuestiones de segu-
ridad ocular, y el ruido causado por la luz ambien-
tal. Sin embargo, estos sistemas han experimenta-
do cierto desarrollo en los ultimos diez a~ nos y se es-
pera que en el mediano plazo se conviertan en uno
de los principales sistemas de acceso inalambrico de
banda ancha, hacia redes alambradas de alto desem-
pe~ no. Y as contribuyan a hacer realidad la comuni-
cacion multimedia omnipresente en ambientes inte-
riores. Los factores que deben investigarse para ha-
cer una realidad a los sistemas de comunicaciones
infrarrojos son los arriba se~ nalados como limitacio-
nes y la degradacion por propagacion en m ultiples
trayectorias.
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Sistemas infrarrojos de comunicaciones inalambricas. Jose Luis Zamorano. Gloria Fca. Serrano. 45
Dispositivo Responsividad (A/W) Tiempo de Subida (ns) Corriente de Osc.(nA)
PIN (Ge) 0.4 0.1 { 1 100
PIN (Si) 0.5 0.1 { 5 1 { 10
PIN (InGaAs) 0.8 0.005 { 5 0.1 { 3
APD (Ge) Dependiente del Voltaje 0.3 { 1 400
APD(Si) 10 { 125 0.1 { 2 10 { 250
APD(InGaAs) 7 { 9 0.1 { 0.5 6 { 160
Tabla lV. Caractersticas de foto detectores tpicos
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cs