El CCD se invent a finales delos 60 por investigadores de Bell Laboratories. Originalmente se concibi como un nuevo tipo de memoria de ordenador pero pronto se observ que tena muchas ms aplicaciones potenciales, tales como el proceso de seales y sobretodo la captacin de imagen, esto ltimo debido a la sensibilidad a la luz que presenta el silicio.
Las siglas CCD provienen del ingls charge-coupled device, dispositivo de carga acoplada. Es una superficie slida sensible a la luz, dotada de unos circuitos que permiten leer y almacenar electrnicamente las imgenes que se proyectan sobre ella. El funcionamiento de los CCD se basa en el fenmeno fsico del efecto fotoelctrico. Ciertas sustancias tienen la propiedad de absorber cuantos de luz, o fotones, y liberar un electrn.
Tienen dos diferencias bsicas con los fotomultiplicadores:
Los sensores CCD son de menor tamao y estn construidos de semiconductores lo que permite la integracin de millones de dispositivos sensibles en un solo chip. La eficiencia cuntica de los CCD (sensibilidad) es mayor para los rojos. Los fotomultiplicadores son ms sensibles a los azules.
Para la fabricacin de los detectores CCD se utiliza el silicio, el cual es un material semiconductor. Una de las caras de una placa de silicio se recubre con una red de electrodos microscpicos cargados positivamente. En virtud del efecto fotoelctrico, la luz incidente genera electrones, de carga negativa, que son atrados por los electrodos y se acumulan a su alrededor. La imagen final captada por el detector CCD es un mosaico formado por tantos elementos, o teselas, como electrodos hay en la placa de silicio. Se suele llamar pxeles a las teselas de los mosaicos digitales.
Captacin y acumulacin de luz en un detector CCD.
Para una cmara CCD, el detector se coloca en el plano focal de un objetivo. A continuacin se abre el obturador y se permite que la luz incida sobre la superficie de silicio durante un cierto tiempo. Los fotones se convierten en electrones que se van acumulando alrededor de los minsculos electrodos. Cuando la exposicin ha acabado, la imagen est latente, convertida en electrones, en el interior del CCD. El siguiente paso necesario es su lectura y almacenamiento.
Proceso de lectura de la imagen en un detector CCD.
Lectura en el caso imaginario de tener un chip de 7x4 pxeles.
Inyeccin y deteccin de cargas:
La carga de seal en el CCD puede ser inyectado a travs de la inyeccin ptica y elctrica obtenida de dos maneras.
Inyeccin ptica es cuando la irradiacin de luz CCD oblea de silicio, cerca de la puerta del cuerpo semiconductor produce pares electrn - hueco, los portadores mayoritarios se han programado para abrir el voltaje de la puerta, portadores minoritarios se recogieron en la seal de potencial bien formado cargo. La inyeccin elctrica llamada, es la estructura de CCD a travs de la tensin de entrada o seal de corriente se realiza un muestreo, la seal de voltaje o corriente se convierte en una carga de seal. En slo discutir temas relacionados con el mtodo de inyeccin de la luz.
Circuito de deteccin:
Transferido a los cargos de la seal de salida del CCD del circuito de salida para lograr una carga / tensin (corriente) de la transformacin lineal, llamado detector de carga. Desde el punto de la solicitud de aplicacin del detector de carga es un detector lineal, el ruido detectado causado por la ganancia y la deteccin. Para los diferentes requisitos, hay varios circuitos de deteccin de uso comn, tales como puerta de carga de condensador integrador y el circuito diferencial con una puerta flotante y el circuito de salida del amplificador de distribucin de puerta flotante.
Mtodos de Inyeccin de electrones: (otra fuente de informacin)
Un procedimiento consiste en pulsar el electrodo del extremo de la entrada del dispositivo con un voltaje suficientemente elevada para originar una disrupcin por alud momentnea, donde la disrupcin tiene lugar en la regin de empobrecimiento bajo el electrodo, mandando a la superficie un paquete de electrones. Y cuya temporizacin debe ser tal que est presente un pozo potencial y comience su viaje de la entrada a la salida. La ausencia de pulso disruptivo almacena un cero en el pozo. Los huecos que se generan durante la disrupcin pasan al substrato neutro.
Otra tcnica consiste en aplicar un pulso luminoso a la regin superficial bajo el electrodo de entrada. En la capa de empobrecimiento se crean pares electrn-hueco y los electrones van a la superficie.
Un tercer mtodo que se emplea a menudo para suministrar carga a un pozo de potencial utiliza una regin PN. En el lado de entrada de la superficie hay una regin N fuertemente contaminada, polarizada en sentido directo respecto al substrato P. Se inyectan electrones desde la regin N y los que entran en la porcin de capa de empobrecimiento situada entre el substrato neutro y la superficie constituyen el paquete que se almacena como bit.
Para la deteccin (la salida) se puede hacer un proceso similar al anterior, slo que en el electrodo perteneciente a la salida.
Actualmente:
CCD: generacin y almacenamiento de carga:
Proceso de deteccin:
Los semiconductores absorben una gran cantidad de fotones incidentes, al contrario que los metales que los reflejan. La llegada de fotones de suficiente energa produce pares electrn-hueco ya que son capaces de comunicar esta energa a un electrn en la banda de valencia para que salte a la banda de conduccin.
Almacenamiento:
Los electrones son almacenados en pozos de potencial bajo cada pixel en la posicin ms cercana a su punto de impacto. La carga acumulada en cada pixel (seal) es directamente proporcional al nmero de fotones que impactaron durante la exposicin. La imagen electrnica se corresponde con la imagen ptica y slo queda leer la carga acumulada de forma que podamos construir la imagen.