Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo

termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.

En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos.
Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al
acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que este lo tocara. No
suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto que el
flujo de corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison redescubre el principio.
A su vez, Edison investigaba porque los filamentos de carbn de las bombillas se
quemaban al final del terminal positivo. El haba construido una bombilla con un
filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara,
elctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el confirm que una
corriente flua del filamento incandescente a travs del vaci a la lmina metlica,
pero esto solo suceda cuando la lmina estaba conectada positivamente.
Edison diseo un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un voltmetro
de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884. Aparentemente no tena
uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era probablemente para
precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor
de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto
Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el primer
diodo termoinico en Britain el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de conducir
por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el rectificador
de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio fueron desarrollados
para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.
El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar
un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de
seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de
cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 2006.
Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se us
ampliamente el mineralgalena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento
ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja de
ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal
semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el
cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una seal
ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los diodos
termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse
frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la dcada de
1950.
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores.
En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego dia, que significa
separado, y ode (de ), que significa camino.
Hasta aqu ya tenemos una idea del funcionamiento de un diodo; pero conviene que
profundicemos un poco ms en los conceptos elctricos que determinan este
funcionamiento. Para ello vamos a servirnos de la curva caracterstica tpica de un
diodo semiconductor imaginario, tal como podemos ver en el grfico, el cual nos va
a dar datos sobre el comportamiento de este componente electrnico.
El comportamiento de los diodos es ms o menos similar al proporcionado por esa
curva, pero los valores resultantes pueden cambiar segn la potencia del diodo.
Pasemos a explicar el grfico
entonces:
En primer lugar tenemos la corriente
en sentido directo (If) representada
en miliamperios (mA) que es la
corriente que puede circular por el
diodo cuando ste presenta la mnima
resistencia. Por otra parte, en la linea
horizontal derecha tenemos la escala
de las tensiones directas (Vf)
expresadas en voltios (V) a que puede
ser sometido el diodo para el paso de
la corriente. Todo eso contituye la
caracterstica directa, es decir, el
paso de la corriente en sentido de
paso. Un diodo que tuviera las
caractersticas representadas en este
grfico, al aplicarle una tensin de 20 V ya dejara pasar unos 10 mA, pero entre 20 y
35 V se 'disparara' y dejara pasar ms de 60 mA.
En la caracterstica inversa, que est representada por la izquierda y en la parte
baja del grfico, se trata de mostrar el funcionamiento del diodo en el sentido de
bloqueo. Obsrvese que aqu la tensin inversa (Vr) est en unidades de kilovoltios
(kV), es decir, fracciones de 1000 V; y la intensidad (Ir) en fracciones mucho ms
pequeas, de microamperios (uA), es decir, fracciones que equivalen a 1/1000000 de
amperio. Para que la corriente acceda a pasar en sentido contrario en un diodo
como el representado se precisara una tensin entre 500 a 600 voltios con lo cual se
producira el paso de corrientes del orden de los 0,50 miliamperios.
Los valores de la caracterstica inversa se llaman corrientes de fuga (Ir).