Transistores

Luis Hinestroza
Andrs Arrieta
Jose Tapias


Grupo:
BD1






DEFINICIN:
El transistor es un dispositivo electrnico inventado en 1951 semiconductor
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. 1
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de
transferencia) Tambin se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrnico.
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre
otros.
Estos dispositivos Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace
unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio
porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en
un par de segundos, televisores en color, etc. Antes de aparecer los transistores,
los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban
ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a
pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo
de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de
control.

En la imagen siguiente vemos a la derecha un
transistor real y a la izquierda el smbolo usado en
los circuitos electrnicos. Siempre tienen 3
patillas y se llaman emisor, base y colector. Es
muy importante saber identificar bien las 3 patillas
a la hora de conectarlo. En el caso de la figura, la
1 sera el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.









TIPOS:
Hay dos tipos bsicos de transistor:
a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar

Transistor Bipolar: Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de
silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos bsicos
de transistores bipolares.

Transistor NPN:

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la
terminal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.

Transistor PNP:
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Transistor de efecto de campo:
El transistor de efecto de campo de unin (JFET) fue el primer transistor de efecto
de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico,
tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta del surtidor, estableceremos una corriente a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo o FET por sus siglas en ingles que controla la
corriente en funcin a la tensin; tiene alta impedancia de entrada
El transistor de efecto de campo de unin , JFET Construido mediante una unin
PN
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET en el que la
compuerta se asla de canal mediante un dielctrico
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Oxido-
Semiconductor en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de oxido







FUNCIONAMIENTO:
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa.1 Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la
base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado
como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la
unin base-emisor est polarizada en
directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin
positiva es aplicada en la unin base-
emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones
"vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al
emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones
en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopadacion material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los
electrones






Usos:
Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos usos principales:
- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de mando.

- Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para
amplificar la pequea corriente de salida de un circuito integrado (IC) lgico de tal
forma que pueda manejar una bombilla, un rel u otro dispositivo de mucha
corriente.
Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima corriente,
o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador
(siempre conduciendo corriente).
La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, o hFE.

POLARIZACIN:
Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas que hay que
realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente.
Si se conectan dos bateras al transistor como se ve en la figura, es decir, con la
unin PN de la base-emisor polarizada directamente y la unin PN de la
base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensin de la base emisor
supere 0,7 V, diremos que el transistor est polarizado, es decir, que funciona
correctamente.


Este montaje se llama con emisor comn.
En este caso, el hecho de que el transistor est en funcionamiento significa que es
capaz de conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor.
Se cumplen dos expresiones para este caso:
La primera

IE= IB + IC

Donde:

IE es la corriente que recorre el terminal emisor.
IC es la corriente que recorre el terminal colector.
IB es la corriente que recorre el terminal base.

Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUEA, se puede decir que la
corriente del colector y la del emisor prcticamente coinciden.

IE IC

La segunda expresin dice

IC= IB

Donde es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que
puede valer entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000).
La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para amplificar la
corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, ms puede amplificar la
corriente.
Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional
a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente
en el colector.

Segn estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados
distintos de funcionamiento:

Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, IB = 0, por lo
tanto, IC= IB= 0 = 0 IC= 0
En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No est funcionando. Se dice
que el transistor se comporta como un interruptor abierto.

Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda
expresin (IC= IB). La corriente del colector es directamente proporcional a la
corriente de la base. Ejemplo: Si = 100, la corriente del colector es 100 veces
la corriente de la base. Por eso se dice que el transistor amplifica la corriente.

Saturacin: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como
un interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base (IB)
alcanza un valor alto. En este caso la expresin (IC= IB) ya no tiene sentido
pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de base (IB), no aumenta
el valor de la corriente de colector.

Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso,
la base del transistor debe protegerse SIEMPRE con una resistencia de una
valor alto.