UNIVERSIDAD AUTONOMA METROPOLITANA

UNIDAD IZTAPALAPA
CIENCIAS BASICAS E INGENIERIA
REPORTE DE PROYECTO TERMINAL I y II
"FRECUENCIA MODULADA Y AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE RF"
ALUMNO: ORTA PEREZ HECTOR MANUEL
MATRICULA. 92322637
ASESOR: PROF. FAUSTO CASCO SANCHEZ
MEXICO, D.F. ABRIL DE 2000
CONTENIDO
l. Introduccin
2. Sistemas
2.1 Definicin de sistema
2.2 Propiedades de los sistemas
2.2.1 Linealidad
2.2.2 Invariabilidad en el tiempo
2.2.3 Causalidad
2.3 Fenmenos no lineales
3. Frecuencia Modulada
3.1 Antecedentes tericos
3.2 Generacin de seales de FM
4. Conceptos bsicos de amplificadores
4.1 Definicin de amplificador
4.2 Parmetros de un amplificador
4.2.1 Ganancia
4.2.2 Ancho de banda y producto Ganancia-Ancho de banda
4.2.3 lmpedancias de entrada y salida
4.3 Punto de trabajo y Clases de Operacin
4.4 Ruido
5. Ampliticadores de Radio Frecuencia
5.1 Introduccin
5.2 Algunos aspectos de diseo en estado slido
5.3 Mtodo de diseo en RF propuesto por Motorola
5.4 Alternativas para la medicin de impedancias a seal grande
5.5 Algo sobre los tubos de vaco
6. Recomendaciones
7. Condusiones
8. Bibliografia
2
l. INTRODUCCION
El intervalo de frecuencias que va desde 1 O kHz aproximadamente hasta 300 GHz constituye el espectro de Radio
Frecuencia o RF; estas frecuencias han sido muy tiles en el campo de las comunicaciones desde principios del
siglo XX ya que desde esa poca el ingeniero italiano Guillermo Marconi empez a transmitir seales de radio a
travs del Ocano Atlntico.
El uso de las radio frecuencias se ha venido incrementando considerablemente dando como resultado que hoy en
da muchos sistemas de comunicacin basen su funcionamiento en estas frecuencias, como es el caso de la T V , la
Radio, lossistemas de Satlites, la tecnologa de Microondas, etc.
Por otra parte, uno de losprocesos ms importantes en Electrnica es la amplificacin de seales. Este proceso
consiste simplemente en aumentar la magnitud de una seal elctrica de tal forma que se pueda obtener una
replica de mayor tamao de la seal original. Prcticamente no hay un solo sistema electrnico que no tenga la
necesidad en algn punto de su estructura interna de amplificar una seal.
Un amplificador de RF es un circuito capaz de amplificar seales en una banda de frecuencias relativamente
estrecha la cual se ubica dentro del espectro de RF (10 kHz-300GHz). Los amplificadores de RF juegan un papel
muy importante en la electrnica ya que se encuentran en muchos sistemas electrnicos de comunicaciones como
transmisores y receptores para radio, televisin, telemetra, satlites, telefona celular, etc.
Podemos afirmar que el diseo y la construccin de amplificadores de RF es un proceso ms complicado que el
que representa el desarrollo de otros tipos de amplificadores (como de audio, por ejemplo) ya que algunos
factores adquieren importancia crtica como la longitud de los conductores, el aislamiento entre etapas y el tipo de
aislantes por mencionar algunos, pero todo el trabajo adicional que representa construir estos circuitos se ve
recompensado por las importantes aplicaciones que estos sistemas tienen.
Por otra parte la modulacin en frecuencia (FM) es uno de los mtodos para transmitir informacin ms
difundidos hoy en da ya que presenta atractivas ventajas tcnicas con respecto a otros esquemas de modulacin,
por ejemplo el sistema de AM. Estas ventajas se centran principalmente en la manera en que un sistema de FM
responde al ruido y en la riqueza espectral que es posible manejar.
De manera muy simple se puede decir que la modulacin en frecuencia consiste en alterar la frecuencia de una
seal senoidal de referencia (seal portadora) con relacin a la amplitud de una seal de entrada, la cual
representa informacin inteligente a transmitir. Mas adelante se explicar con mayor detalle en que consiste el
sistema FM.
A diferencia de otros avances tecnolgicos, la modulacin en frecuencia surgi primero como producto de
trabajos tericos y luego fue puesta en prctica. En 1922 Carson realiz un estudio terico en el que comparaba
los sistemas AM y FM a partir del cual demostr algunas ventajas del segundo mtodo.
3
Sus ideas fueron presentadas en la revista "Proceedings of IRE" (IRE son las siglas del Instituto de Ingenieros de
Radio hoy IEEE) y algunos especialistas de esa poca pensaron que no podran ser llevadas a la prctica ya que
con ese sistema se generaba un nmero infinito de bandas laterales, sin embargo esta situacin fue superada
exitosamente.
Posteriormente en 1936, el mayor Edwin H. Armstrong desarroll un sistema de FM prctico para tratar de
resolver algunos problemas de ruido que tena la AM y su trabajo tambin fue publicado en la revista antes
mencionada y al transcurrir los aos se consider a Armstrong como el padre de la FM.
Este trabajo pretende dar un panorama general de dos temas importantes como son la FM y el diseo de
amplificadores de potencia de RF con el fin de si bien no ser una gua de diseo completa si servir como resumen
de algunos conceptos tericos y a veces prcticos de ambos temas.
4
2. SISTEMAS
2.1 Definicin de sistema
Un sistema se puede considerar como un conjunto de elementos agrupados de tal modo que pueden interactuar
armnicamente para llevar a cabo una tarea especifica.
La representacin de un sistema puede hacerse mediante una regla u operacin matemtica que asigna una
funcin g(t) de salida a una funcin f(t) de entrada, es decir:
g(t)= %{f(t)) ... (2.1)
Un sistema a su vez puede ser una porcin de un sistema ms grande en cuyo caso se le denominar subsistema
y tambin podr conectarse en serie o paralelo con otros sistemas.
2.2 Propiedades de los sistemas
2.2.1 Linealidad
Supongamos que queremos saber si el sistema que se representa matemticamente por el operador %{1 es
lineal. Para hacer esto primero se aplican al sistema de manera independiente dos seales de entrada denotadas
por f,(t) y f4t). Estas seales provocan que el sistema genere las siguientes salidas:
Si ahora se considera como seal de entrada a la suma de las dos entradas individuales fl(t) y fz(t) entonces el
sistema debe responder con una seal de salida igual a la suma de las respuestas obtenidas de manera individual
para ser considerado como un sistema lineal, es decir:
%{aifl(t) +azfe(t))= algl(t) +azgz(t) ...( 2.3)
donde al y a2 son constantes.
Dicho de otra manera, el sistema debe cumplir con d principio de superposicin para ser un sistema lineal. Si un
sistema no satisface el principio anterior entonces es un sistema no lineal.
5
2.2.2 Invariabilidad en el tiempo.
Supngase que se excita a un sistema con una seal de entrada f(t) y se observa que el sistema responde
generando una seal de salida igual a:
g(t)=%i(f(t)) ... (2.4)
Ahora bien, si se repite el mismo experimento to unidades de tiempo despus y se cumple lo siguiente entonces el
sistema ser invariable en tiempo.
g(t-to)=%i(f(t-b)) ... (2.5)
Para que un sistema tenga invariabilidad en tiempo debe responder a una misma seal de entrada siempre de la
misma manera no importando el instante de tiempo en que se lleve a cabo el experimento. Cualquier sistema que
cumpla con lo anterior se denomina invariable en tiempo.
2.2.3 Causalidad
Para que un sistema sea causal o fsicamente realizable su salida en t=t o, es decir g(t0 ) debe depender de los
valores de la seal de entrada f(t) para t l to. Un sistema causal no debe producir una seal de salida antes de ser
excitado por una seal de entrada.
..
~ :o
..
,-
I :
' , .
2.3 Fenmenos no lineales
Cuando un sistema no es lineal genera una serie de fenmenos importantes entre los cuales se encuentra la
distorsin, que bsicamente es un cambio indeseado que produce un sistema al tratar de reproducir alguna
caracterstica de una seal como la amplitud, la fase, el retardo, etc.
La distorsin puede tomar distintas formas y sus causas principales son la no linealidad de la respuesta en
amplitud y la no uniformidad de la respuesta en fase. Algunos ejemplos son la distorsin armnica, la
intermodulacin y la modulacin cruzada que a continuacin se detallan.
a) Distorsin armnica total (Total Harmonic Distortion)
Sea un sistema no lineal que puede ser caracterizado (de manera aproximada) por la siguiente relacin
entradakalida:
6
donde y(t): salida del sistema
x(t): entrada del sistema
a1,2,3: constantes
Eneste caso resulta innecesario aplicar el principio de superposicin para comprobar que el sistema es no lineal
ya que la no linealidad es evidente por la presencia de los trminos a2x2(t) y a3x3(t).
Aplicando una seal de entrada igual a x(t)= A cosot tenemos:
desarrollando ...
Y(t)=~ I A COSot +(1/2)a2A2(1 +c0~20t) +(1/4)a3A3 COSO^+C OS ~O~) ... (2.8)
y agrupando ...
y(t)= a2A2/2 +(a1A +3a3A3/4) cosot +(a2A2/2)cos2ot +(a3A3/4)cos30t ... (2.9)
Como podemos notar, el sistema recibe una seal de frecuencia o y a su salida devuelve una seal de la misma
frecuencia conocida como fundamental pero tambin genera seales armnicas, es decir seales cuyas frecuencias
son mltiplos de la frecuencia de entrada.
La distorsin armnica total (THD: Total Harmonic Distortion) es un parmetro que indica el grado de distorsin
introducido por las armnicas. Podemos considerar que la THD se determina de manera muy bsica mediante la
siguiente expresin:
Potencia cuadrtica media de las armnicas
THD- x 100% ... (2.10)
Potencia cuadrtica media de la seal fundamental
b) Distorsin por intermodulaan
Existen casos en loscuales la medicin de la distorsin armnica total no permite obtener una informacin precisa
de la distorsin que produce un sistema. Un ejemplo es el de un filtro pasabajas cuya funcin de transferencia se
ilustra en la fig. 2.1
7
Fig. 2.1 Funcin de transferencia de un filtro pasabajas
En esta figura notamos la respuesta caracterstica de un filtro pasabajas comn y una serie de frecuencias que son
generadas por el mismo filtro al ser excitado por un tono de prueba de frecuencia 01. En este caso se escogi a 01
de tal forma que sus armnicas cayeran fuera de la banda de paso para enfatizar que el filtro 3 produce distorsin
armnica pero la naturaleza misma del sistema oculta ese hecho atenuando las armnicas de 01. Por 10 tanto es
necesario otro tipo de anlisis para medir la distorsin en situaciones semejantes a la del filtro pasabajas y la
intermodulacin es una alternativa.
El concepto de la distorsin por intermodulacion se apoya en el hecho de que un sistema no lineal al ser excitado
por dos tonos de frecuencias distintas genera componentes de frecuencia que no son armnicos de ninguna de las
seales de entrada.
Consideremos un sistema no lineal cuya relacin de entradalsalida aproximada es la misma que la ecuacin 2.6
y(t) =alx(t) +a2x2(t)+ap3(t)
donde y(t): salida del sistema
x(t): entrada del sistema
a1,2,3: constantes
Como deseamos determinar la distorsin por intermodulacin del sistema aplicamos una seal de entrada
compuesta de dos tonos:
x(t)=A cosolt +ACOS O~~ ... (2.1 1)
La respuesta del sistema a esta excitacin es:
8
desarrollando los binomios ...
y(t)= al(A cosalt +A COS W~~)+ a2(A2 COS201t +2A2cosolt COSOZ~ +A2 COS 0 2 t ) +013( A 3 ~~~3 0 1 t +3A3
cos201t COSO^^ +3A3 cosmlt cos2m2t +A3 C O S ~W ~~)
Para hacer ms daros los resultados que nos brinda esta ultima expresin se ignorarn los componentes de y(t)
que representan frecuencias de DC o frecuencias armnicas de 01 y 0 2 .
Haciendo la simplificacin anterior y aplicando algunas identidades trigonomtricas tenemos los siguientes
productos:
Productos a las frecuencias fundamentales 01 y 02:
y los siguientes productos de intermodulacin (IM):
~~ACOS(OI +02)t +O~~A~COS(WI -02)t
+(3/4)a3 A3 C OS ( ~O~+ 02)t +(3/4)013 A3 C OS ( ~O~ - 02)t
+(3/4)a3A3 COS(~CO~+COI)~ +(3/4)a3A3 C OS ( ~W- W) ~
Son de especial importancia los trminos que resultan de elevar x(t) a la tercera potencia y que dan origen a los
componentes en 201- 0 2 y 202 - 01 ya que si se escoge que 01 y 0 2 sean frecuencias cercanas se producir
la siguiente situacin:
Fig. 2.2 Productos de intermodulaan de tercer orden
Efectivamente, al estar 01 cerca de 0 2 se consigue que los productos de intermodulacin de tercer orden se
ubiquen en su vecindad y que de esta forma pueda ser medida la distorsin de sistemas como la del filtro
pasabajas que se puso de ejemplo en la seccin anterior. Ntese la diferencia fundamental que hay entre la
distorsin por intermodulacin y la THD, mientras que en la primera la distorsin se ubica cerca de las seales de
prueba, en la segunda la primera armnica se halla al doble de la frecuencia original.
9
La distorsin por intermodulacin (IMD lntermodulation distortion) se define como la relacin entre la amplitud de
los productos de tercer orden con respecto a la amplitud de la componente fundamental.
3a3 A3/4
IMD=~ ... (2.1 3)
a1A
por ejemplo, si para un sistema 3a3A3/4=1mV y alA=lV entonces la IMD es:
IMD=20 log (1 mV/lV) =-60 dBc
< I .-.$
d;..*I
La distorsin por intermodulacin es un problema grave que puede afectar a un sistema, un ejemplo es el *: $
siguiente:
c
Supngase que se tiene un sistema no lineal que es excitado por una seal de informacin que ocupa una banda (I 0
( - 1 3
limitada de frecuenaas. El problema surge cuando en la entrada aparece una interferencia consistente de dos : R
t : 0
frecuencias cercanas entre s que antes y despus de pasar por el sistema no invaden la banda de la seal til z,
pero que al ser procesadas por el sistema dan lugar a productos de intermodulacin de tercer orden que :,
distorsionan la informacin til.
. .
I . ! --
r (5
m z
Lj
TTt
Es de tal magnitud e importancia la distorsin por intermodulaan de tercer orden que se ha establecido un
parmetro llamado punto de interseccin de tercer orden (third intercept point en ingls) para cuantificar sus
efectos.
>y.
r: :,
;. y/
v;, , ,\
1 , ; n
,! 3
r -
- . ..I
Este parmetro denotado por lP3 se mide mediante una prueba con dos tonos cuya amplitud se mantiene lo
suficientemente pequea de modo tal que los productos de intermodulacin de ordenes ms altos se hagan
despreciables y que la ganancia al se mantenga relativamente constante.
Es importante mencionar que existe una ventaja al usar este parmetro y no una simple medida de la distorsin
por intermodulacin. Cuando se calcula la IMD forzosamente se tiene que especificar la amplitud de las seiiales de
prueba empleadas mientras que el punto de interseccin de tercer orden es una cantidad que no depende de esta
amplitud y que por si misma sirve para comparar la linealidad de diferentes circuitos.
La expresin que determina el nivel de la seal de entrada con el que se llega al IP3 es:
A I P~= [(4/3) [al / a 3 1 1 I / *... (2.14)
10
El parmetro IP3 solo caracteriza las no linealidades de tercer orden y establece un lmite para la amplitud de la
seal de entrada ya que cuando es alcanzado, otros productos de IM (intermodulacin) de orden ms alto
comienzan a ser significativos. De hecho en muchos arcuitos prcticos este punto queda fuera del alcance de la
seal de entrada.
La ltima expresin nos indica una manera de calcular el punto de interseccin de tercer orden pero para poder
hacerlo hay que tener las constantes a1,2,3, es decir hay que tener el polinomio que caracteriza al sistema.
Un mtodo prctico para determinar IP3 consiste en medir el comportamiento del sistema para pequeas
amplitudes de la entrada como se ilustra a continuacin:
Fig. 2.3 Determinacin de IPS mediante extrapolacin.
(Figura obtenida de la referencia no. 4 de la bibliografa)
En esta grfica se muestra el crecimiento de los componentes con frecuencia fundamental y los productos de
intermodulacin de tercer orden a medida que la amplitud de la seal de entrada aumenta. Una vez que se ha
hecho la medicin para niveles bajos de entrada se extrapolan esos datos para encontrar la interseccin de ambas
rectas (como lo indican las lneas punteadas).
El IP es un punto en un plano y como tal tiene dos componentes: la coordenada horizontal es el IP 3 de entrada o
IIP3 (Input IP 3) y la vertical es el IP 3de salida o OIP 3 (Output IP 3).
c) Modulacin azada.
Consideremos el mismo sistema no lineal de los prrafos anteriores para procesar la seal At cosmtt en presencia
de una fuerte seal de interferencia A2coso2t. Entonces la seal de entrada queda establecida por:
La salida del sistema ser entonces:
y(t)% ( ~I A I +(3/4)a3Ai3+ (3/2)a3h b2) cosot t +.... (2.16)
11
Si consideramos que Al <<AZ :
Hasta aqu podemos apreciar que la amplitud de la componente en 01 ya no es AI sino que esta afectada por la
amplitud de la seal fuerte. Si la seal fuerte desde un inicio estaba modulada en amplitud, es decir:
&,,(t)= A2 ( 1 +m cos omt) cos 0 2 t ... (2.18)
donde m es el ndice de modulacin de AM (mel ) y om es la frecuencia de modulacin.
Sustituyendo A2 por AZ( 1 +m cos Omt) en la ecuacin 2.1 7
y(t)= [a1 +( 3/ 2) a 3~1~2( ~ +m2 cos2 omt +2m cosomt) ] cosol t +...
y(t)= [at AI +(3/2)a3AlA~~( 1 +m2/2 +(m2/2) cos 20mt +2m cosomt) ] C0SCi)t t +... (2.19)
La seal deseada contiene modulacin en amplitud en las frecuencias om y 2om, es decir, la modulacin en
amplitud que tiene la seal fuerte, ya sea que represente una informacin til o ruido, modular tambin a la seal
dbil, este fenmeno es llamado modulacin cruzada y se da especialmente en sistemas que manejan varias
seales independientes de manera simultnea.
12
3. FRECUENCIA MODULADA
3.1 Antecedentes tericos.
A continuacin se expone un desarrollo sobre la generacin de seales de frecuencia modulada (FM) que servir
como respaldo para poder entender con mayor precisin todo lo relacionado con este esquema de modulacin.
Consideremos la siguiente seal senoidal continua en tiempo:
$(t)= A cos [act +y(t)] ... (3.1)
donde:
y(t) : ngulo de fase (en radianes)
A : amplitud de la seal (en volts)
oc : frecuencia de la seal portadora (constante dada en rad/seg)
Por otro lado, una seal senoidal de amplitud constante se puede representar en forma fasorial como:
=A cos O(t) +jA sen O(t) ... (3.2)
Si recordamos la teora de los fasores, la expresin 3.2 representa un vector de magnitud A girando en sentido
contrario a las manecillas del reloj a una velocidad angular oi y el ngulo barrido por el fasor en cada instante es
O(t) (figura 3.1).
t
Fig. 3.1 Relacin entre el ngulo y la velocidad angular de un fasor
La relacin que existe entre O(t) y wl es simple y establecida a partir de un concepto bsico de anemtica angular:
O(t)=oit +O0... (3.3)
con oi siendo una constante y O. es el ngulo en t =O.
13
Pero si 01 no fuera constante entonces 0(t) se determina mediante la siguiente expresin:
0(t)=f ~ ( t ) d-c +00 ... (3.4)
derivando ambos lados de la ecuacin ...
d O(t)
dt
ai(t)=- ... (3.5)
Es decir, la frecuencia instantnea de una seal senoidal es igual al ritmo con que cambia su fase con respecto al
tiempo.
Por otra parte se desea que mediante la variacin de alguna caracterstica de una seal senoidal de referencia, se
pueda insertar informacin til para ser procesada posteriormente.
Sea f(t) la seal de informacin que se quiere combinar con la seal senoidal de referencia (seal portadora).
Para hacer esto tenemos dos alternativas, las cuales son:
a) @(t) vara en forma lineal con f(t)
b) ai vara en forma lineal con f(t)
La primer alternativa da origen a la modulacin en fase (PM), por lo tanto el inters se centra en la segunda
opcin: acarnbia linealmente con respecto a la seal de informacin f(t).
coi : frecuencia instantnea de la seal senoidal (rad/seg)
ac: frecuencia de la seal senoidal cuando f(t)=O, es decir cuando no hay modulacin
kf : constante de modulacin en frecuencia (rad/seg*volt)
Integrando la ecuacin 3.6 podemos obtener la fase:
0(t)= m(z) dz +00
= [ oc +kf f ( ~) ] d ~ +00
=h d r +kf j (r)dr +00
14
=o, t +kf j(z)dr +00 ... (3.7)
siendo 00 una constante.
De la expresin anterior se puede notar que la fase 0(t) depende linealmente de la integral de la seal de
informacin f(t). Para simplificar el siguiente anlisis consideremos el caso en el que solo se quiere modular con un
tono (una soia frecuencia) en el esquema FM.
f(t) =A, COSO^t ... (3.8)
Anteriormente se haba establecido que
y sustituyendo f(t) por su valor actual ...
definiendo Ace A, kt ...
A Aose le conoce como la desviacin de frecuencia pico, y representa la mxima diferencia en frecuencia que
puede existir entre una portadora modulada y una sin modular. Para el sistema FM Am es de 75 kHz, por lo tanto
si la frecuencia portadora es o, entonces el rango de frecuencia que puede tomar la seal modulada en FM es
[oc - 2n*75kHz, o, +2n*75kHz]. Como se puede ver de la definicin anterior Am depende de la amplitud de la
seal de entrada y de la constante de modulacin en frecuencia kf.
Si se sustituye el resultado anterior en la expresin para @(t) y haciendo 00 =O llegamos a esta importante
ecuacin:
=act+psena,,t ... (3.10)
donde p es el ndice de modulacin para FM y es igual a Am/&.
A diferencia del sistema AM, el ndice de modulacin p depende tanto de la amplitud como de la frecuencia de la
seal moduladora. El pardmetro Bo indica que tanto se desva la frecuencia de la seal portadora de su valor
nominal mientras que om indica que tan seguido ocurre esta desviacin en la frecuencia. Ambas cantidades
repercuten fuertemente en el espectro de una seal modulada en frecuencia.
15
Retomando la expresin para una seal de FM Q(t) e incorporando las expresiones recientemente obtenidas
tenemos lo siguente ...
La funcin elp senwmt es peridica en el. dominio del tiempo con frecuencia fundamental wm rad/s y puede ser
representada por una serie exponencial de Fourier.
Los F, son nmeros que determinan la amplitud de cada componente espectral y se calculan con la siguiente
integral:
haciendo el siguiente cambio de variable: &=wmt=27ttlT
Esta integral es una funcin de n y p representada por L(P) o funcin Bessel de primera clase, de orden n y
argumento P. En este caso n es un entero y /3es una variable continua positiva.
16
Sustituyendo en la expresin de @FM (t):
00
=A CJn(p) COS(O~ +nm)t ... (3.16)
n=-m
y desarrollando parcialmente para apreciar mejor el resultado ...
A E... +J -,(~)cos ( ~- 2 m) t +J -,(~)cos (a-&)t +J O(~)COS a t +J ,(~)cos (Oc+Om)t +Jz(p)+
cos(oc+20,)t +...I
Un resultado muy importante se hace evidente a partir del anterior anlisis: una seal FM con modulacin senoidal
tiene un nmero infinito de bandas laterales lo que da lugar a un ancho de banda tericamente infinito, sin
embargo las magnitudes de las componentes espectrales de orden superior se hacen despreciables y para todo
propsito prctico la potencia de la seal a>FM(t) est contenida en un ancho de banda finito. Adems es muy
importante sealar que la magnitud de cada componente es una funcin del ndice de modulacin p.
3.2 Generacin de seales FM
En el diseo de sistemas FM es importante satisfacer 3 aspectos:
1. La componente de frecuencia portadora en la seal de FM debe permanecer invariable cuando la seal
moduladora es aplicada al sistema.
2. La desviacin de frecuencia pico debe ser directamente proporcional a la amplitud de la seal moduladora y
no a su frecuencia.
3. La amplitud de la seal FM debe permanecer siempre constante.
Existen bsicamente dos mtodos principales para generar FM: el mtodo indirecto y directo. En el primero
(mtodo de Armstrong) se obtiene la seal portadora mediante un oscilador a cristal, luego se modula con la seal
de entrada para producir la seal de FM. Posteriormente esa seal se pasa a travs de varias etapas
multiplicadoras de frecuencia hasta alcanzar la desviacin de frecuencia pico y el ndice de modulacin requeridos.
Este mtodo tiene la ventaja de tener una portadora muy estable ya que utiliza osciladores a cristal.
17
El mtodo directo se basa en obtener la seal de FM a partir de un VCO (oscilador controlado por voltaje) cuya
frecuencia depende de la amplitud de la seal de entrada. Recibe el nombre de directo porque el mismo oscilador
produce los cambios en frecuencia y no hay necesidad de generar primero la portadora y luego modularla en un
subsistema diseado para tal fin. La principal ventaja de este procedimiento es la ausencia de etapas
multiplicadoras de frecuencia pero a veces es necesario incorporar un control de estabilidad de la frecuencia
portadora.
Para implantar este mtodo se puede usar un modulador basado en un tubo de reactancia, de capacitancia o de
diodo. Esta ltima opcin es la que produce menos ruido y distorsin adems de que la desviacin de frecuencia
pico puede hacerse casi proporcional a la seal moduladora.
Dada la confiabilidad en el funcionamiento de los circuitos integrados (Cl) y la existencia de notas de aplicacin
sobre el uso de VCO se puede tomar como referencia este tipo de componentes para el diseo de moduladores de
FM. Un ejemplo es el siguiente:
UnVCO integrado como el MC1648P es una excelente alternativa para producir modulacin en frecuencia porque
posee una buena estabilidad y requiere de pocos ajustes y componentes externos. Su diagrama de conexin
aparece en la figura 3.2. Para una informacin ms precisa de la estructura, caractersticas y variantes de conexin
de este dispositivo se pueden consultar los manuales del fabricante (Motorola).
Fig. 3.2 Conexiones bsicas del VCO MC1648P de Motorola
(Figura tomada de la referencia no. 8 de la bibliografa)
4. CONCEPTOS BAslCOS DE AMPLIFICADORES.
La amplificacin es uno de los procesamientos de seales ms comunes y tiles que existen ya que se encuentra
en casi cualquier equipo electrnico. El proceso de amplificacin es necesario porque a menudo se tienen seales
que contienen informacin til pero cuya magnitud es muy dbil como para ser procesadas adecuadamente, un
ejemplo de esto es la dbil seal que un radio-receptor capta en su antena y que no tiene la intensidad suficiente
para excitar a una bocina y ser escuchada. Otro ejemplo es la transmisin de seales de radio que necesitan ser
amplificadas fuertemente para poder ser emitidas de forma inalmbrica y que as puedan alcanzar lugares
distantes.
A continuacin se exponen algunos conceptos bsicos sobre la amplificacin de seales, hay que aclarar que
estos conceptos son aplicables a cualquier tipo de amplificador (audio, video, RF, etc.).
4.1 Definicin de amplificador
Es un circuito electrnico capaz de procesar una seal de entrada de tal forma que entrega en su salida una
rplica ampliada o magnificada de la seal de entrada.
El smbolo adoptado para un amplificador se muestra en la figura 4.1 en la cual se puede apreciar que se trata de
una red de dos puertos (entrada y salida) claramente diferenciados por la forma del smbolo que se asemeja a una
flecha indicando la direccin de la seal procesada.
Fig. 4.1 Smbolo bsico de un amplificador
La relacin que existe entre las seales de entrada y salida para un amplificador es la siguiente:
Salida= G*Entrada ... (4.1)
Un amplificador que satisfaga la ecuacin anterior recibir el nombre de amplificador lineal ya que como puede
verse la ecuacin establece una relacin lineal entre salida y entrada. Cuando la ecuacin 4.1 contiene trminos
que son potencias de la seal de entrada entonces representa a un amplificador que no es lineal y que por Io
tanto tendr un cierto grado de distorsin.
19
4.2 Parrretros de un amplificador
Existen caractensticas comunes a todos los amplificadores no importando del tipo que sean, como son las
siguientes:
a) Todos deben basar su funcionamiento en un dispositivo activo como BJ T, FET, Tubo de Vaco, Circuitos
Integrados, etc.
b) Todos deben tener al menos un voltaje de alimentacin.
c) Su operacin puede resumirse especificando ganancia, impedancias de salida y entrada y la respuesta en
frecuencia.
Ahora veamos a detalle los pardmetros que determinan el comportamiento de cualquier amplificador como son la
ganancia, ancho de banda, impedanaas de entrada y salida, clases de operacin, etc.
4.2.1 Ganancia.
La ganancia de un amplificador se define como el cociente de la seal de salida entre la seal de entrada,
retomando la ecuacin 4.1 tenemos:
G= Salida/Entrada=G*Entrada/Entrada= G ... (4.2)
El valor de la ganancia indica que tan fuerte es el proceso de amplificacin efectuado. A mayor ganancia mayor
amplificacin pero tambin crece el consumo de energa por parte del amplificador.
M-
i
Entrada Salida
-
Fig. 4.2 Amplificador con cuatro variables fsicas representadas
En esta figura se distinguen cuatro cantidades fsicas cuyo valor est en funcin del tiempo: voltaje de entrada,
corriente de entrada, voltaje de salida y corriente de salida. Basndonos en estas seales podemos establecer 3
tipos de ganancias que a continuacin se describen.
20
Ganancia de voltqe
Consideremos el amplificador ilustrado en la figura 4.2. El amplificador recibe en su entrada la seal v,(t) y
genera la seal de salida vo(t) en su puerto de salida.
La ganancia de voltaje del amplificador Avse define como:
Av= VJVI ... (4.3)
225981
Ganancia de corriente.
Esta ganancia se define como:
Ai= iO/il ... (4.4)
donde il e io e son las corrientes de entrada y salida respectivamente.
Ganancia de potencia
Unamplificador es un circuito activo, es decir un circuito que es capaz de aumentar la potencia o la energa de una
seal a diferencia de un elemento pasivo como un transformador, el cual tambin puede elevar el voltaje de una
seal pero a expensas de una reduccin en la corriente o viceversa.
Si un amplificador aumenta la potencia de la seal de entrada, entonces es necesario definir una ganancia de
potencia.
$=Po(t)/Pl(t)=vo(t)*io(t)/vl(t) *il(t) ... (4.5)
A+,=A,*& ... (4.6)
Debido a varias razones, algunas de ellas de naturaleza histrica, las ganancias se expresan en forma logaritmica:
Ganancia de voltaje en dB= 20 log I A, I
Ganancia de corriente en dB= 20 log I A, I
Ganancia de potencia en dB= 1 O log I Ap 1
El valor absoluto que aparece en cada expresin debe ser respetado ya que la funcin logaritmo no esta definida
para argumentos negativos. Un valor negativo de A, por ejemplo, representar no una atenuacin sino un
desfasamiento de 180' entre los voltajes de entrada y salida de un amplificador.
21
4.2.2 Ancho de Banda (B) y producto Gananaa-Ancho de Banda.
La cantidad de ganancia que proporciona un amplificador no es constante para todas las frecuencias. Los
amplificadores se disean de tal manera que puedan responder solo dentro de un intervalo determinado de
frecuencias lo que provoca que cualquier seal cuya frecuencia no pertenezca a esta banda no ser amplificada.
Existe una grfica muy importante que muestra lo explicado anteriormente llamada respuesta en frecuencia. Un
ejemplo de esta grfica se muestra en la figura 4.3
t
+- Anchode banda +
I
I I 1 *
f, f2 f/Hz
Fig. 4.3 Grfica de la respuesta en frecuencia de un amplificador
Para encontrar el ancho de banda primero se tienen que encontrar las frecuencias que delimitan la regin en la
cual la ganancia es aceptable. Una forma de hacer esto es determinar la ganancia mxima del amplificador y
considerar como significativas todas las gananaas que a lo mucho estn 3 dB por debajo de ese valor mximo. El
ancho de banda (B) de un amplificador es la diferencia numrica entre fz y fl (llamadas frecuencias de corte) y
dependiendo de la ubicaan y tamao de esta banda dentro del espectro total de frecuencias podemos tener
amplificadores de audio, video, radiofrecuencia, etc.
El producto ganancia-ancho de banda es otra caracterstica importante de un amplificador y como su nombre lo
indica esta dado por:
donde:
Fa : figura de mriio
A, : ganancia de referencia
B : ancho de banda
Se llama figura de mrito a cualquier parmetro asociado con el desempeo de un sistema.
22
4.2.3 lmpedanaas de entrada y salida
Supngase que se tiene un amplificador con sus puertos de entrada y salida y una fuente de seal conectados de
como en la figura 4.2. La impedancia de entrada es la oposicin que presenta el amplificador al paso de la seal de
entrada Vi . Por ley de Ohmse puede calcular esta impedancia:
Z,=Vi/ 1, ... (4.8)
Es importante mencionar que la impedancia de entrada no solamente depende de la resistencia de entrada del
elemento activo sino tambin de los componentes que estn presentes en la entrada del amplificador tales como
inductores, capacitores, resistencias etc.
La impedancia de salida es la resistencia vista por la carga que recibe la seal amplificada. Para entender mejor
el concepto podemos ver la salida de un amplificador como el siguiente circuito:
Fuente de
sena1
L
Fig. 4.4 Etapa de salida de un amplificador conectado a una carga
(Figura tomada de la referencia no. 3 de la bibliografa)
En esta figura apreaamos que Z, (o Zout) es la impedancia que la resistencia de carga ve hacia la fuente de voltaje
y es precisamente esta impedancia la que impide que todo el voltaje de salida del amplificador llegue a la carga ya
que forma un divisor de voltaje junto con RL. Es importante mencionar que para que exista la mxima transferencia
de potencia del amplificador hacia la carga se debe satisfacer la siguiente relacin:
Z,=RL ... (4.9)
4.3 Punto de trabajo y clases de operacin.
La clase de operacin de un amplificador determina en primer lugar el ngulo de conduccin, es decir la porcin
angular de cada ciclo de la seal de entrada durante la cual fluye corriente por la salida del amplificador. Las clases
de operacin ms comunes son A, B, AB y C, cada una presenta diferentes ngulos de conduccin que van desde
360" para la clase A hasta ngulos menores a 180" para la dase C.
23
Existen tambin las clases de operacin D, E, F, G y H que son usadas principalmente en aplicaciones de audio y RF
en las cuales es necesario reducir las necesidades de voltaje de alimentacin y tener un buen desempeo en
disipacin de calor. Esimportante mencionar que la seleccin de la dase de operacin es independiente del tipo de
dispositivo activo empleado y de la configuracin del circuito. Ladase de operacin tambin determina la distorsin
y el rendimiento de un amplificador y cada dase presenta ventajas y desventajas y dependiendo de la aplicacin
ser la clase de operacin usada. Pero antes de explicar cada clase de operacin es necesario conocer el concepto
de punto de trabajo.
Punto de trabajo.
Como ya se haba mencionado, todos los amplificadores necesitan un voltaje de DC para activar al dispositivo
amplificador. Al estar polarizado un transistor (un BJT por ejemplo) obviamente fluyen corrientes en sus tres
terminales (emisor, base y colector) y asimismo existen voltajes en esos mismos puntos. Todas estas seales son
de DC, es decir son constantes y constituyen el punto de trabajo del amplificador. Cuando una seal de informacin
es inyectada al amplificador provoca que todas las seiiales antes mencionadas varen su valor alrededor del valor
que tenan en el punto de trabajo.
/ . .
P y
Existe una grfica que indica el concepto de punto de trabajo adems de que permite apreciar la relacin entre IC y
Vce (fig. 4.5)
' .
, \
I ( '
IS' LW
Fig. 4.5 Relacin entre IC y Vce y la recta de carga
(Figura tomada de la referencia no. 3 de la bibliografa)
La recta dibujada en la figura se denomina recta de carga y sus dos extremos nos indican dos situaciones
completamente distintas. Cuando Vce es mximo significa que no hay corriente circulando por el transistor o dicho
de otra forma que el transistor est en corte. Por el contrario cuando Vce es cero se est en la regin de
saturacin en la que IC es mxima.
El punto de operacin (Q) puede ser escogido entre todos lospuntos que componen la recta de carga. Es comn
especificar la pareja de valores Ic/Vce para determinar el punto de trabajo. La eleccin del punto de trabajo
determinar a su vez la clase de Operacin.
24
Clase de operacin A
Esta clase de operacin amplifica la totalidad del ciclo de la seal de entrada y proporciona corriente de salida
aunque no se aplique ninguna seal en la entrada del amplificador.
La explicacin de Io anterior se basa en el hecho de que el punto de trabajo se escoge en la mitad de la recta de
carga tal como se muestra en la figura 4.6
Fig. 4.6 Recta de carga para la clase A
(Figura tomada de la referencia no. 3 de la bibliografa)
En esta figura se nota que ambos semidclos de la seal de entrada alcanzan a ser amplificados en su totalidad sin
ser recortados (lo que provocara distorsin) y que an cuando no hay seal de entrada existe una corriente ICQ
en el colector.
Esta clase de operacin proporciona mxima linealidad y ganancia y tambin baja distorsin pero baja potencia
de salida y una pobre efiaencia del orden del 25 al 30%.
Clase de operacin B
Un amplificador en clase B tiene un ngulo de conduccin de 180 O por lo que slo trabaja durante la mitad de un
ciclo de la seal de entrada, esto obviamente introduce distorsin pero mejora notablemente la eficiencia ya que se
alcanzan valores prcticos del 50 al 60%.
Este ngulo de conduccin se puede obtener colocando el punto de operacin en cualquiera de losextremos de
la recta de carga (corte o saturacin), de esta forma el amplificador slo funcionar durante un semidclo de la
seal de entrada. Los amplificadores en clase B son utilizados principalmente en aplicadones de potencia en bajas
frecuencias.
Fig. 4.7 Recta de carga para la clase 6
(Figura tomada de la referencia no. 3 de la bibliografa)
25
Clase de operacin AB
Para trabajar en esta clase de operacin es necesario ubicar el punto de trabajo sobre la recta de carga de tal
manera que no quede en el centro como en la clase A, ni en uno de los extremos como para la dase B, sino en un
punto intermedio entre un extremo y el centro de la recta. De esta manera se obtienen ngulos de conduccin
mayores a 180 pero menores a 360'. Los amplificadores AB representan un punto intermedio entre la baja
distorsin y eficiencia de la clase A y el alto rendimiento y distorsin de la clase B.
4 IC
Clase de operacin C
V CE
Fig. 4.8 Recta de carga para la clase AB
(Figura tomada de la referencia no. 3 de la bibliografa)
Para trabajar en esta clase de operacin es necesario ubicar el punto de trabajo mas all del punto de corte o de
saturacin de tal manera que solo se amplifique menos de la mitad de un ciclo de la seal de entrada
Fig. 4.9 Recta de carga para la clase C
(Figura tomada de la referencia no. 3 de la bibliografa)
" if
i
Como puede verse, solo pequeas porciones de la seal de entrada son amplificadas ocasionando que la seal
de salida sea totalmente diferente a la de entrada. La clase C provoca una distorsin considerable y por lo tanto no
es adecuada en aplicaciones a bajas frecuencias o para amplificar seales cuyos cambios en amplitud contengan
informacin (como en AM) . Esta distorsin no es importante en la amplificacin de seales de FM ya que la
informacin esta contenida en loscambios de frecuencia de la seal portadora y no en su amplitud.
26
4.4 Ruido
El ruido se puede considerar como aquella seal de naturaleza aleatoria que afecta la correcta reproduccin de
una seal deseada en un sistema. El carcter de aleatorio distingue al ruido de fenmenos deterministas como la
distorsin armnica y la intermodulaan.
El ruido puede ser provocado por fuentes artificiales o naturales, ejemplos de las primeras son la captacin
electromagntica de otras seales o las vibraciones mecnicas que producen seales elctricas no deseadas. Las
fuentes artificiales de ruido tienen la caracterstica de poder ser atenuadas o eliminadas en el mejor de loscasos,
pero la interferencia producida por fuentes naturales no es tan controlable y se debe recurrir a la estadstica para
describir mejor sus caractersticas y estar en mejores condiciones de combatirla.
Por otra parte existen vanos tipos de ruido, uno de ellos es el ruido trmico que se produce por el movimiento
catico de los electrones libres que son excitados trmicamente dentro de un conductor. La trayectoria de cada
electrn es aleatoria debido a los choques que existen dentro del conductor y que en conjunto generan una
corriente elctrica con valor promedio cero. Este tipo de ruido esta presente en todos los circuitos y es generado,
por ejemplo, en la resistencia que hay entre la base y el emisor en un BJT o en las resistencias discretas.
Adems del ruido trmico los dispositivos activos pueden presentar otros tipos de ruido como el ruido de
disparo (shot noise) que es un ruido blanco2 que surge cuando existe una transferencia de carga a travs de una
barrera de energa por ejemplo en una unin PN.
Dado que el ruido es una seal aleatoria, resulta imprctico y ms an imposible tratar de especificar su
comportamiento en cualquier instante de tiempo de manera analtica. Resulta ms conveniente analizar los
promedios de este tipo de seales en lugar de las seales mismas. A continuacin se presentan algunas
expresiones importantes sobre ruido.
Sea n(t) una seal que representa una corriente o un voltaje de ruido (donde la letra n surge de la palabra
inglesa naseque significa ruido) y se desea encontrar el promedio en tiempo de esta seal.
Para hacer esto es necesario sumar todos los valores que adquiere n(t) en un ?tervalo de tiempo determinado,
luego dividir el resultado entre el ancho del intervalo y por ltimo hacer que ste tienda a infinito.
TI2
Promedio de n(t)=lm (In) j n(t) dt ... (4.10)
T4(4 -TI2
2Es un tipo de ruido cuyo espectro contiene todas las frecuencias adems de que cada una de ellas contiene la misma cantidad
potencia
27
El promedio de n(t) no revela como se comporta d ruido en cada instante pero proporciona el nivel de DC a partir
del cual la seal cambia de valor de manera aleatoria lo cual es un dato significativo considerando la naturaleza de
la seal analizada.
Una nocin de la potencia de una seal de ruido se puede determinar aplicando esta seal (ya sea un voltaje o
una corriente) a una resistencia R y a partir de la relacin voltaje-corriente de dicho componente utilizar las
ecuaciones P=V2/R o P=l2R para encontrar la potencia. El caso ms simple es el de una resistencia cuyo valor se
escoge de 1 ohm para simplificar los resultados de tal manera que la potencia de una seal de ruido n(t) es nz(t).
Como ya se haba mencionado antes, es adecuado y ms prctico considerar los valores promedios que las
seales de ruido mismas. El valor cuadrtico medio de n2(t) esta dado por:
TI2
La seal n(t) tiene una componente en DC que se calcula con la ecuacin 4.10 y una de AC que representa las
variaciones aleatorias del ruido. Esta ltima componente se deduce simplemente por:
o(t)= n(t) - promedio de n(t) ... (4.12)
Relacin seal a ruido (S/N)
Esta relaan nos indica que tan intenso es el ruido en comparacin con la seal litil y se define como:
S/N= promedio de s2(t)/promedio de n2(t) ... (4.1 3)
Se acostumbra expresar esta ecuacin en decibeles:
[S/NIde=10 log [promedio de s2(t)/promedio de n2(t)]
donde:
s2(t): valor cuadrtico de la seal
n2(t): valor cuadrtico del ruido
28
Factor de ruido (F)
Tambin existe un parmetro conocido como factor figura de ruido que es una medida de la cantidad de ruido
que un sistema adiciona a una seal de entrada. Este concepto utiliza la expresin de la relacin S/N para hacer
una comparacin entre el ruido en la entrada y en la salida de un sistema. El factor de ruido se ha definido de
varias formas pero la definicin mas aceptada es la siguiente:
SJNi
F = .,. (4.14)
S d N o
donde:
SdNi : relacin seal a ruido en la entrada
SJN, : relacin seal a ruido en la salida
Por definicin, a la potencia del ruido en la entrada del sistema (Ni ) se le ha asignado el valor de la potencia del
ruido trmico que una resistencia conectada en la entrada de ese mismo sistema producira a una temperatura de
290 OK.
Si la seal y el ruido de entrada son amplificados o atenuados en la misma medida y el sistema no adiciona ruido
entonces el sistema es ideal y tiene un factor de ruido igual a 1 de manera que la relacin S/N en la salida del
sistema es igual a la de entrada. Cuando F>1 significa que el sistema genera ruido que se aade a la seal til y
por lo tanto empobrece la relacin S/N de salida.
Factor de ruido encascada (F)
A menudo es necesario conectar ms de una etapa amplificadora en sene para conseguir determinados niveles de
ganancia. El factor de ruido que presenta la asociacin de dos amplificadores se puede conocer mediante el
siguiente parmetro:
donde:
FT=factor de ruido en cascada
FI = factor de ruido en la primera etapa
F2= factor de ruido en la segunda etapa
GA= ganancia de la primera etapa
Esta expresin puede ser generalizada para calcular el factor de ruido de m etapas o subsistemas conectados en
cascada.
29
5. AMPLIFICADORES DE RADIOFRECUENCIA.
5.1 IntroducCicKI
La tarea fundamental de un amplificador de radiofrecuenaa consiste en amplificar seales cuyo espectro esta
contenido en una banda relativamente estrecha de frecuencias ubicada en el intervalo que va desde unos 10 kHz
hasta 300 GHz (espectro de RF).
Considerando el ancho de banda, los amplificadores de RF pueden ser de banda ancha o de banda estrecha. Los
primeros son capaces de amplificar dentro de un ancho de banda de varios MHz y son aptos para aplicaciones de
video, mientras que losde banda estrecha son adecuados para seales de audio.
En cuanto al nivel de las seales que manejan, los amplificadores de RF se pueden clasificar en dos categoras:
a) Amplificadores de RF a pequea seal
b) Amplificadores de RF a seal grande o de potencia
Los amplificadores a pequea seal pueden trabajar con seales de entrada del orden de los microvolts o
microamperes, adems tienen circuitos de sintona que los hacen selectivos. La distorsin producida por estos
amplificadores no es considerable ya que generalmente trabajan en dase A.
Por el contrario, los amplificadores de potencia se disean para amplificar seales con amplitudes relativamente
altas y producir potencias de salida que permitan excitar a una antena o a otras etapas amplificadoras. Estos
amplificadores trabajan regularmente en dase C lo que provoca que generen distorsin pero tambin rendimientos
muy buenos.
Los amplificadores a pequea seal tienen aplicaciones en muchos sistemas electrnicos de la vida cotidiana, por
ejemplo en los receptores de TV en los cuales se encargan de elevar el nivel de la seal modulada de entrada para
que posteriormente otros subsistemas extraigan las seales de audio y video. Como este tipo de amplificadores
maneja seales de bajo nivel generalmente encuentran uso en sistemas receptores o en etapas de preamplificacin
5.2 Algunos aspectos de diseo en estado slido
El diseo de amplificadores de RF de potencia representa un problema difcil especialmente cuando se requiere una
operacin lineal con bajos niveles de voltaje de polarizacin. Supongamos que tenemos el siguiente amplificador
fuente comn (fig. 5.1) que entrega en una potencia de 1 W en su salida que es una antena con 50 C2 de
impedancia.
Haciendo un sencillo clculo encontramos que para que exista esta potencia debe haber un voltaje de 20 Vpp en
la antena y para que esto sea posible VOO debe ser ms grande que 20 V.
30
Fig. 5.1 Amplificador fuente comn
(Figura tomada de la referencia no. 4 de la bibliografa)
Este voltaje puede no ser tan grande para aplicadones en equipos fijos pero es demasiado para el diseo de
equipos porttiles que utilicen un amplificador con estas caractersticas. Una manera de reducir VOD es colocar en
lugar de RL un inductor de valor muy elevado llamado choque RFC (Radio Frequency Choke) como se ve en la
figura 5.2
T
Fig. 5.2 Sustitucin de RL por RFC para disminuir VW,
(Figura tomada de la referencia no. 4 de la bibliografa)
Con esta modificacin es posible disminuir VDD a la mitad ya que ahora el voltaje en el punto X puede variar su valor
desde casi cero hasta 2 VDD.
Podemos reducir an ms el nivel de Vx para sobrecargar menos al transistor pero para seguir teniendo 1 W en la
antena es necesario conectar una red de acoplamiento de impedancias (Fig. 5.3) que reduzca la impedancia que
ve el amplificador de manera que se compense la disminucin que ha sufrido el voltaje de polarizacin.
I O
.
Fig. 5.3 Insercin de una red de acoplamiento de impedancias para disminuir la impedancia de carga
(Figura tornada de la referencia no. 4 de la bibliografa)
31
A pesar de las reducciones conseguidas en VDD existen dificultades que surgen de las corrientes tan grandes que
tienen que soportar el dispositivo de salida y la red de acoplamiento. Esto repercute obviamente en el montaje de
los circuitos.
Es necesario hacer notar que la etapa de salida de los amplificadores de potencia normalmente solo tiene un
transistor ya que considerando la magnitud de las corrientes que se generan, un mayor nmero de transistores
provocara prdidas ms grandes de potencia.
Uno de los parmetros ms significativos de un amplificador de potencia es la efiaencia. Usualmente la eficiencia
se calcula diwdiendo la potencia que el amplificador entrega a la carga entre la potencia que la fuente de voltaje
entrega al amplificador. Otros parmetros que especifican el desempeo de un amplificador de potencia son los
siguientes:
a) Potencia de salida
b) Distorsin por intermodulacin
c) Voltaje de polarizacin
d) Ganancia
e) Nivel de seales espurias y armnicas
Como ya se ha visto, uno de los efectos de la carencia de linealidad de un sistema (en este caso un amplificador)
es la generacin de seales cuya frecuencia es diferente a la frecuencia de entrada, Io que trae como consecuencia
una seal de salida cuyo ancho de banda es mayor al de entrada. Cuando un amplificador tiene asignado un canal
para su operacin es muy importante no producir estas seales por lo menos atenuarlas lo suficiente para evitar
invadir canales vecinos.
Este comportamiento puede ser medido siguiendo el concepto de intermodulaan explicado al inicio de este
trabajo. Se introducen dos tonos de la misma amplitud y con frecuencias ligeramente distintas y se analiza la salida
del amplificador. Los productos de intermodulacin de tercer orden afectarn a los canales adyacentes mientras
que los de quinto orden harn lo mismo con los canales que siguen a los vecinos inmediatos. Sin embargo esta
prueba es adecuada sobre todo en las fases iniciales de un diseo ya que no muestra el compoltamiento del
amplificador cuando procesa una seal aleatoria modulada.
5.3 Mtodode diseiio en RF propuesto por Motorda
Dos de las tcnicas de diseo en RF a pequea seal son:
a) El uso de parmetros de dos puertos
b) El uso de algn tipo de circuito equivalente para el transistor.
Al existir la necesidad de disear amplificadores de RF se hizo necesario contar con procedimientos confiables
que sirvieran para tal fin, en primer lugar se trat de adaptar las dos tcnicas antes mencionadas al diseo en RF
de potencia pero los resultados fueron bastantes pobres.
A mediados de los aos 60s Motorola introdujo el diseo de amplificadores de potencia de RF en estado slido
el cual se basaba en las impedancias de entrada y salida de los transistores. A partir de entonces este mtodo ha
32
ganado amplia aceptacin por ser un procedimiento sistemtico de diseo y no un proceso de prueba y error. Para
entender mejor las ventajas de este procedimiento veamos las limitaciones que implica adaptar los mtodos de
diseo en pequea seal a seal grande.
Limitaciones de losparmetros a pequea seal.
Para mostrar estas limitaciones veamos algunos parmetros del transistor 2N3948. Se presenta el funcionamiento
de este transistor a 300 MHz en un amplificador a pequea seal Clase A y en un amplificador de potencia de 1W
Clase C.
Tabla 5.1 Cambio en las caractersticas de un transistor al trabajar en dos clases de operacin distintas
(Tabla tomada de la referencia no.8 de la bibliog,rafia)
Se aprecian algunas diferencias en cuanto a la magnitud de la resistencia de entrada y salida del transistor as
como en ta capadtancia de salida pero las diferencias ms significativas estn en la ganancia de potencia y sobre
todo en la reactancia de entrada ya que para el circuito a pequea seal es inductiva y para el circuito de potencia
es capacitiva. Estas diferencias en algunos parmetros de operacin muestran claramente lo inadecuado de tratar
de utilizar los parmetros de comportamiento a pequea seal en el diseo de amplificadores de potencia.
Importancia de los parmetms a seal grande.
La teora de circuitos para el diseo de amplificadores de potencia es bien conocida pero es intil si no se tienen
los datos de las impedancias de entrada y salida del transistor. Una vez que :e tienen estos datos adems de la
ganancia y potencia requeridas se est en condiciones de disear una red de amplificacin de potencia en RF.
Una parte importante del mtodo de diseo propuesto por Motorola se basa en la medicin directa de las
impedancias de entrada y salida de un transistor determinado. Es importante conocer a fondo las condiciones en
las que se hace la medicin de estas impedancias as como la manera en que san presentados los resultados.
Condiciones de prueba.
Los trminos impedancia de entrada e impedancia de salida a seal grande se refieren a las impedancias que
existen en las terminales del transistor cuando opera en un amplificador acoplado con un voltaje de DC a un nivel
de potencia determinado.
33
El trmino acoplado o acoplamiento se refiere a la condicin en la que las redes de entrada y salida del
amplificador de prueba representan el conjugado de las impedancias del transistor de tal forma que la impedancia
de entrada y salida del amplificador completo es de 50+jO ohms.
Las impedancias de entrada y salida no deben ser confundidas con los parmetros de dos puertos a pequea
seal ya que estos se miden a niveles de potencia bajos. La mayora de losdatos que aparecen en las fichas de
datos de transistores de potencia de RF de Motorola son medidos en amplificadores clase C con emisor comn, ya
que esta condicin abarca la mayora de las aplicaciones de estos dispositivos.
Una excepcin significativa a lo anterior son los transistores caracterizados para amplificadores lineales de
potencia clase B. Dado que estos transistores se disean especficamente para una operacin lineal sus
impedancias a seal grande son medidas en un amplificador lineal de prueba con una seal compuesta de dos
tonos en lugar de la seal convencional de un solo tono.
Formato de los datos.
Gran parte de la informacin de las fichas de datos se presenta por medio de un equivalente en paralelo de una
resistencia y una capacitancia. Los datos tambin pueden ser presentados por un equivalente en serie. No hay
diferencia si se usa una u otra forma mientras el diseador ponga atencin a la forma que esta empleando.
Otra forma de presentar los datos de impedancia utiliza el equivalente en sene dibujado en una carta de Smith
(fig. 5.4). Esta forma es muy comn en transistores de potencia de UHF debido al uso tan amplio que la carta de
Smith tiene en el diseo de circuitos con microantas.
Fig. 5.4 Impedancia compleja en serie representada en una carta de Smith
(Figura tomada de la referencia 8 de la bibliografia)
34
Diseo de amplificadores.
Despus de haber seleccionado un transistor con los requerimientos de funcionalidad necesarios, el siguiente paso
en el diseo de amplificadores de potencia es determinar las impedancias de entrada y salida a seal grande del
transistor.
Cuando se usan dispositivos cuyos datos estn disponibles esta etapa implica nicamente leer losvalores de las
impedancias en las fichas de datos. Si nicamente est la capacitancia de salida en las fichas entonces la
resistencia de carga de colector puede ser calculada como se explica en la seccin destinada a ese fin.
De nuevo es importante sealar que el diseador debe ser cuidadoso al determinar si los datos de impedancia
estn en su forma equivalente en serie o paralelo y usarlos adecuadamente. Si los datos no estn disponibles una
seccin posterior contiene la informacin necesaria para hacer las mediciones de impedancia. Una vez que se
determinaron las impedancias a seal grande el diseador selecciona una configuracin de circuito adecuada y
procede a su sntesis.
Resistencia de carga de colector.
Los datos de impedancia a seal grande en HF y VHF han sido publicados en su mayor parte por Motorola sin la
informacin de la resistencia de carga de colector. La razn es que esta resistencia puede ser calculada fcilmente
como a continuacin se detalla.
Si algunas simplificaciones son hechas, el voltaje de colector terico de un amplificador de potencia con una red
de salida sintonizada es una onda senoidal que toma valores desde cero hasta 2 Vcc.
Hacer estas suposiciones tambin implica que:
l . VceSt es cero.
2. La red de salida tiene un valor adecuado de Q para producir un voltaje senoidal sin importar el ngulo de
3. La cada de voltaje en la fuente de DCque alimenta al colector es cero.
4. Laimpedancia de carga del colector en todas las armnicas de la frecuencia de operacin es cero.
conduccin del transistor.
Obviamente ninguna de las suposiciones anteriores es verdadera y las discrepancias ms serias pueden surgir de
los puntos 1 y 4. Sin embargo las condiciones son suficientemente buenas como para produar resultados
satisfactorios.
Vamos a suponer por un momento que esta situacin terica eiste. Entonces el equivalente en paralelo de la
resistencia de carga del colector RL viene a ser una funcin de la potencia de salida de RF y de Vcc nicamente. La
expresin para RL es la siguiente:
R<=Vcc2/2P ... (5.1)
donde P es la potencia de salida en RF.
35
Por consiguiente, la impedancia de carga de colector para un diseo de un amplificador sena el conjugado del
equivalente paralelo de la capacitancia de salida y la resistencia de carga de colector calculada en la ecuacin 5.1
A pesar de las suposiciones que son requeridas, la experiencia con componentes concentrados en un punto
(lumped components) en HF y VHF, con amplificadores de potencia con voltajes de alimentacin desde 7 a 30 Vdc
y con niveles de potencia de salida desde unas decenas de watt hasta 300 watts ha demostrado que el uso de la
ecuacin 5.1 para calcular RL' produce buenos resultados.
Desde luego, si el valor de Vce, del transistor se conoce con precisin para la frecuencia de operacin y el
intervalo en el que vara la corriente de colector en un amplificador determinado la ecuacin 5.1 se modifica de la
siguiente forma:
RL'=(VCC- VC%~ )2/2P... (5.2)
El advenimiento de una gran cantidad de transistores de potencia de UHF y los problemas asociados de diseo
trajo como consecuencia la revisin de los mtodos de Motorola de presentar las impedancias a seal grande para
dispositivos de UHF. Algunas razones de estos cambios son la popularidad de las redes de acoplamiento con
microcintas y valores ms altos de VceSat en UHF.
La principal diferencia en el formato de los datos esti en la impedancia de salida, la cual es presentada en su
forma compleja completa en lugar de graficar nicamente el equivalente paralelo de la capaatancia de salida y
usar la ecuacin 5.1 5.2 para calcular la resistencia de carga.
Mas an, los dispositivos de UHF son medidos en un amplificador de prueba hecho a partir de microcintas con el
fin de determinar las impedancias del transistor en un medio que sea lo mas parecido posible a la mayora de las
aplicaciones actuales ms comunes del dispositivo. Y finalmente se usa una grfica en una carta de Smith ya que
representa una herramienta comn para el diseador de redes de microcintas.
Las futuras fichas de datos de Motorola podran incluir tambin losdatos de la resistencia de carga de colector
a frecuencias por debajo del rango de UHF. La informacin es automticamente generada por el circuito de prueba
que se est usando al medir Cin, Rin y Cout.
Medicin de parmetros
Aunque sea posible encontrar las impedancias a seal grande en las fichas de datos puede ser de ayuda saber
como fueron encontrados esos datos. El procedimiento de medicin de parmetros consiste en colocar el transistor
en un circuito de prueba que posea una buena capacidad de sintona. El diseo del amplificador de prueba se basa
en una estimacin de las magnitudes de las impedancias que se quieren conocer. Parece ser que se est ante un
problema sin salida ya que para determinar las impedancias es necesario disear un amplificador para lo cual se
requiere saber dichas impedancias. Esta situaan se resuelve utilizando la capaadad que tiene el amplificador
sintonizarse en un intervalo amplio permitiendo con esto que gradualmente pueda ser ajustado hasta encontrar los
datos deseados.
36
Sintonizar el amplificador de prueba para que produzca la potencia de salida mxima es vlido solamente si las
impedancias de carga y de la fuente son de 50 +j0 ohms. Generalmente se dispone de una carga de ese valor en
los laboratorios pero para el circuito de entrada existe un problema ya que los generadores de seal de RF no
tienen una impedanaa preasa de 50 ohms.
Una buena solucin es conectar un medidor de potencia direccional entre la entrada del amplificador y el
generador de seal. Si la impedancia del generador no es de 50 ohms entonces habr potenaa reflejada
proveniente del amplificador que ser detectada por el medidor de potencia y entonces ser necesario ajustar el
amplificador hasta que se obtenga una potencia reflejada igual a cero o a un valor mnimo.
En algunos casos el amplificador reflejar potencia generada por armnicos que impedir que se obtenga una
lectura de potencia reflejada mnima. Esto se puede solucionar colocando un filtro pasabanda centrado en la
frecuencia de la seal de prueba que atene la potencia de las armnicas. Un amplificador de prueba tpico para
mediaones en HF y VHF se muestra en la fig. 5.5
Fig. 5.5 Amplificador de prueba tpico para la medicin de las impedancias a seal grande
(Figura tomada de la referencia no. 8 de la bibliografia)
Una vez que el amplificador se sintoniza adecuadamente se procede a retirar el voltaje de polarizacin, la seal
de entrada, la resistencia de carga y el transistor del amplificador de prueba para poder medir las impedancias a
seal grande. La impedancia de entrada es el conjugado de la impedancia medida entre las terminales de base y
emisor y la impedancia de salida es el conjugado de la impedancia entre colector y emisor (Fig. 5.6)
Fig. 5.6 Puntos en los cuales son medidas las impedancias a seal grande
37
5.4 Altematias para lamedicin de irnpedancias a seal grande.
Una de los pasos ms importantes y decisivos en el diseo de amplificadores de potencia es la medicin de las
impedancias de entrada y salida de un dispositivo como un BIT, FET o tubo de vaco o de una etapa amplificadora
completa, por lo que es deseable contar con procedimientos alternos que brinden posibilidades de eleccin al
diseador segn sea el equipo y material con que se cuente en el laboratorio.
Existe un procedimiento sistemtico que ayuda a encontrar la red de acoplamiento a seal grande para un
amplificador mediante la implementacin del siguiente circuito.
Fig. 5.7 Circuito para medir impedancias con el mtodo de load-pull
(Figura tomada de la referencia no. 4 de la bibliografa)
El procedimiento que se sigue es bsicamente el siguiente:
$ f."!
Se inyecta la seal del generador al amplificador bajo prueba cuya salida est conectada a un sintonizador que & 9
mediante una seal de control vana su impedancia (ZI ) gradualmente y de manera automtica. El sintonizador i l c,
selecciona valores de impedancias que mantienen la lectura del medidor de potencia constante en un valor
predeterminado. Es importante tener un segundo sintonizador que mantenga fija la impedancia 2, ya que tiende a 2 : 12
cambiar cuando 21 se modifica. 5 - ;-. "
k; ..
m
('*
.' '
-
,., ,
Los resultados de esta prueba se pueden mostrar en una carta de Smith mediante contornos de potencia los
cuales son curvas cerradas compuestas de todos los valores de impedancia que producen un valor determinado de
potencia en la salida del amplificador. A travs de reiteradas mediciones, cada una de las cuales produce un
contorno de potencia ms cerrado es posible encontrar un punto, un nico valor de impedancia de carga que
produce la mxima potencia de salida.
Este mtodo conocido en ingls como "load-pull'' ha sido muy utilizado en el diseo de amplificadores de
potencia pero requiere el montaje de un circuito de medicin controlado por computadora que adems debe contar
con sintonizadores precisos y estables.
Tiene el inconveniente de que los datos obtenidos para un dispositivo de cierto tamao no pueden ser usados
para un dispositivo con un tamao distinto. Algo similar ocurre con ia frecuencia; los resultados obtenidos para una
frecuencia de prueba no son vlidos para otra frecuencia. Otra opcin que en algunas ocasiones puede eitar el
montaje de un circuito como el de la figura 5.7 es la simulacin de circuitos.
38
Existen programas de simulacin como SPICE que permiten determinar las impedancias a seal grande de un
dispositivo mediante una medicin de parmetros S a pequea seal y luego adaptar los resultados al caso de
seal grande. Hay que sealar que este mtodo requiere modelos precisos y confiables para hacer las simulaciones
y una manera de tenerlos es disear circuitos con ellos y ver que tan cercanos son los resultados obtenidos en el
laboratorio de los valores esperados. Algunos artculos que tratan este tema se encuentran en pginas WEB como
www.rfdesign.com.
5.5 Algosobrel o s tubos de vaco
El diseo basado en dispositivos de estado slido presenta varias ventajas interesantes, por ejemplo los equipos se
hacen ms compactos y su vida til se prolonga, adems la fabricacin de loscomponentes de estado slido se
simplifica cada vez ms. Sin embargo cuando es necesario manejar grand& cantidades de corriente y voltaje los
transistores son superados por los tubos de vao en varios aspectos, por ejemplo:
a) Los transistores de RF no pueden desarrollar por s solos mas de 150W de potencia.
b) Los transistores de RF no tienen la estructura interna que les permita soportar cantidades considerables de
calor sin daarse.
c) Los transistores son mucho menos tolerantes a abusos en el suministro del voltaje de alimentacin que los
tubos de vaco.
d) Los dispositivos de estado slido suelen ser muy sensibles a un dao ocasionado por electricidad
esttica.
Por todo lo anterior se consider importante abordar el tema de los tubos de vaco mostrando los principales
aspectos de su principio de operacin.
Principios de operackjn de un tubo de vaco
El funcionamiento de los tubos de vaco se basa en la teora termo-inica que establece que una forma de lograr
que los tomos dentro de un metal liberen electrones y formen una corriente elctrica es calentando dicho metal.
En un tubo de vaco existe una parte llamada ctodo que al calentarse comienza a despedir electrones los cuales
ingresan a una regin del tubo que est al vaco (de ah el nombre del dispositivo) y viajan en lnea recta hasta
alcanzar el otro extremo del tubo llamado placa.
1.
Los electrones son capaces de completar su recorrido gradas a que la placa tiene un potencial positivo
(conocido como voltaje de placa) que los atrae debido a la diferencia de signos en las cargas.
39
El calentamiento del ctodo lo hace un elemento conocido como filamento que en condiciones normales de
operacin es atravesado por una corriente alta de AC para producir el calor suficiente para que la emisin de
electrones sea posible. Los ctodos deben estar hechos con materiales que tengan la caracterstica de emitir la
mayor cantidad de electrones a la menor temperatura posible, ejemplos de estos materiales son el tungsteno y
algunos metales recubiertos de xido.
Es importante sealar que si se aumenta el voltaje de placa tambin aumentar el nmero de electrones que
salen del ctodo rumbo a &a, dando como resultado un incremento en la comente del dispositivo. Pero existe un
lmite para este fenmeno ya que todo tubo tiene un punto de saturacin que al ser rebasado provoca que
cualquier incremento adicional en el voltaje de placa no produzca un correspondiente aumento en la corriente.
Cuando un tubo de vaco solo tiene dos terminales (ctodo y placa) es llamado diodo y al igual que un diodo
semiconductor solo deja pasar corriente elctrica en una direccin. A continuacin se revisar algo sobre el
dispositivo que le sigue en complejidad a un diodo.
Un triodo es un tubo que como su nombre lo indica tiene tres terminales. La terminal adicional se conoce como
rejilla de control lo cual hace alusin a su forma debido a que fisicamente es una malla de alambre situada en
medio del ctodo y la placa. La funcin de la rejilla es controlar el flujo de electrones por medio del voltaje que le
sea aplicado. Por ejemplo si hay un voltaje positivo en la rejilla entonces habr una corriente de electrones fluyendo
de ctodo a placa porque este potencial favorece esta situacin pero cuando la rejilla tiene un voltaje negativo la
influencia del voltaje positivo de la placa sobre los electrones se ve opacada y la comente es inhibida. Dicho de otra
forma, la rejilla es una terminal de control de corriente antoga a la base de un BIT.
La construccin fsica de un tubo de vaco mediante dos conductores (ctodo y placa) separados por un
dielctrico (vaco) genera una capacitancia entre placa y ctodo, entre rejilla y ctodo y entre rejilla y placa. De
estas tres capacitancias es la ltima la que puede causar mas problemas.
Para combatir los efectos de esta capaatancia se intercala una segunda rejilla (rejilla pantalla) en medio de la
rejilla de control y la placa con lo cual se disminuye la capacitancia rejilla de control-placa. A este tipo de tubos se
les conoce como tetrodos.
Es probable que cuando fluye corriente a travs de un tetrodo algunos electrones en la placa sean desprendidos
de sus tomos debido a la fuerza con la que llegan loselectrones provenientes del dtodo. Cuando esto ocurre en
un triodo no hay ningn problema porque la rejilla de control generalmente tiene voltajes negativos que envan de
regreso esos electrones a la placa, pero en el caso de un tetrodo no ocurre as porque la rejilla de pantalla tiene
un voltaje positivo que atrae a esos electrones y que ayuda a establecer una corriente inversa placa-rejilla de
pantalla lo cual trae como consecuencia inmediata una disminucin en la potencia del dispositivo. Se puede colocar
una rejilla llamada supresora que tenga un potencial negativo y que est ubicada entre la placa y la rejilla pantalla.
Este nuevo dispositivo de cinco terminales es un pentodo.
40
6. RECOMENDACIONES
El diseo en RF es una rama de la electrnica que exige un cuidado y atencin considerables debido a que en
altas frecuencias surgen algunos fenmenos que adquieren gran importancia y que a frecuencias bajas son
despreciados.
225901
Por ejemplo es obligatorio que en los amplificadores de RF se utilice un punto de tierra nico para evitar
interferencias entre etapas distintas. Tambin la longitud de los conductores es crtica ya que si un amplificador
tiene conductores largos en lugar de amplificar puede producir oscilaciones auto-sostenidas o producir un efecto
mutuo capacitivo o inductivo con otras etapas. Considerando la longitud, un conductor demasiado largo en RF se
comporta como una lnea de transmisin.
Cuando se tienen circuitos sintonizados cuyos campos puedan inducir tensiones en otros circuitos es
necesario colocar blindajes que proporcionen un aislamiento entre etapas vecinas. El material ms apto para
hacer blindajes es la plata por ser el mejor conductor, pero debido a su costo es muy empleado el aluminio. Otra
alternativa es considerar que a altas frecuencias la corriente solo fluye en forma de pelcula dentro de un
conductor y por lo tanto es posible usar blindajes hechos de cobre pero recubiertos de plata.
Prcticamente todos los receptores de comunicaciones usan apantallamientos para las bobinas de RF y FI
(frecuencia intermedia) para evitar sintonas errticas y oscilaciones indeseables. Tambin la seal de AC que llega
a la fuente de voltaje puede provocar un zumbido en la seal modulada si no se aisla de manera correcta.
Otra consideracin importante es la disipacin de calor de los dispositivos amplificadores ya sean BITS, FETs o
tubos de vaco. Una disipacin de calor deficiente puede provocar la destruccin de los dispositivos especialmente
los de estado slido por Io que es recomendable utilizar los disipadores adecuados y un flujo de aire suficiente que
impida la concentracin excesiva de calor en los puntos sensibles de lossernicondudores. Enalgunos manuales de
los fabricantes se publican notas de aplicacin sobre la disipacin trmica necesaria para un adecuado desempeo
de los productos.
AI iniciar un diseo se debe plantear la disposicin de los componentes tomando en cuenta la longitud de los
conductores y el blindaje entre etapas de modo que desde las primeras pruebas y montajes se utilicen placas de
circuito impreso de fibra de vidrio y dependiendo de los resultados obtenidos se hagan las modificaciones
necesarias. El montaje en protoboard y la tcnica de wire-wrap no sirven en RF porque dan lugar a una gran
cantidad de capaatancias parsitas.
Tambin se debe tomar en cuenta la frecuencia y la potencia de las seales que se manejan en RF. En algunas
etapas donde fluyen corrientes considerables se deben emplear pistas anchas en lugar de pistas gruesas debido al
efecto pelicular de la corriente en altas frecuencias.
Otro aspecto muy importante para la realizacin exitosa de cualquier diseo electrnico es la adquisicin de
componentes. La falta de componentes adecuados puede afectar el desempeo de un diseo o en el peor de los
casos puede paralizar o cancelar la implementacin del mismo.
41
Es muy importante que la etapa de diseo no se haga de manera aislada para que se puedan hacer las
modificaciones necesarias en caso de que no sea imposible conseguir algunos componentes. Por lo tanto es
necesario verificar que los valores de los componentes que vayan surgiendo del diseo estn disponibles
comercialmente.
Los elementos necesarios en un diseo de RF deben tener caractersticas especiales que les permitan funcionar
confiablemente en determinadas condiciones de potencia y frecuencia. Se debe ser cuidadoso de seleccionar el
componente correcto tomando en cuenta las condiciones en las que va a funcionar pero adems se tiene que
considerar et material y la estructura Csica del componente. Por ejemplo supngase que se va a probar el
funcionamiento de un amplificador y es necesario poner una carga resistiva de 50 en la salida. Si se elige
colocar una resistencia de alambre, la prueba no producir resultados satisfactorios ya que la resistencia se
comportar como una inductancia en RF.'En este cak sera adecuado usar una carga fantasma o una resistencia * Y - .. ".
de carbn.
En nuestro pas existe una carencia de componentes especializados de RF y la mayoria de las veces es necesario e'
comprar los componentes en EU con la dificultad que esto implica ya que es necesario establecer contacto con las 8:
casas distribuidoras en idioma ingls, adems se debe considerar que el costo de los componentes se especifica c7 c
en dlares y que se debe pagar un impuesto aduana1 y una tarifa de mensajera internacional para contar con los
c: I
componentes en un tiempo razonable.
". S
11'1 2
I z
-3 c..
r :
T L
....
A pesar de lo exqlicado en el prrafo anterior, las posibilidades de llevar a buen trmino un proyecto de diseo
rn ;:
\3 (I
en RF son mayores que antes de la aparicin de Internet debido a que este medio permite acceder a la publicidad G. ;,
de muchas empresas especializadas en RF. De todos modos es recomendable buscar los componentes en
ri ; ;
compaas nacionales o en empresas extranjeras con sucursales en Mxico y en caso de no encontrarlos recurrir a
" -1.
Internet.
m;
o
.*.
-4 ;.
. S '
. i.
Por ltimo se puede decir que el equipo de prueba y medicin es algo fundamental en el diseo de
radiofrecuencia. Una breve lista del material requerido se presenta a continuacin:
1 .- Analizador de espectro
2.- Generador de RF
3.- Generador de audio
4.- Medidor de potencia y VSWR (relacin de ondas estacionarias)
5.- Cargas fantasma de 50 R
6.- Cables y conectores de buena calidad.
42
7. CONCLUSIONES
El diseo de un transmisor de FM que sea capaz de tener potencias de salida de varios watts representa una serie
de desafos para una persona que inicia en esta rea de la Ingeniera Electrnica. Entre los retos ms importantes
estn los siguientes:
1. Conseguir bibliografia adecuada y actualizada sobre estos temas.
2. Comprender todos los conceptos fundamentales que soportan la teora de la FM y la amplificacin de potencia
en RF para estar en condiciones de desarrollar adecuadamente el diseo.
3. Contar con un suministro suficiente de componentes y herramientas as como de un conjunto de equipo de
prueba y medicin que permita evaluar el desempeo del diseo.
Toda persona que incursione en estos temas debe contar con los recursos anteriormente descritos y con una
disponibilidad de tiempo para la experimentacin y el estudio. Ambos aspectos: experimentacin y estudio deben
complementarse si se desea obtener buenos resultados ya que si se exagera en la experimentacin y se descuida
la comprensin de conceptos es probable que se gaste demasiado tiempo en resolver una falla por no tener una
comprensin clara del funcionamiento de un circuito. En el otro extremo, si se dedica mucho tiempo a la teora hay
que recordar que los circuitos de RF son una cosa en los libros y otra en la vida real.
De manera general se puede dear que el diseo de un sistema de FM se hace en dos partes claramente
diferenciadas. La primera parte se encarga de acondicionar la seal que va a ser transmitida para pasarla despus
a la etapa en donde se modula en frecuencia la seal portadora. Esta parte del diseo trabaja con niveles muy
bajos de potencia por lo que no ofrece muchos problemas, aunque si es necesario tener cuidado en los blindajes
de algunos componentes como los que generan la portadora. Este tipo de etapas puede ser construida con
componentes discretos o incorporar algn tipo de circuito integrado que reduzca el tamao y las dificultades del
montaje.
En la siguiente parte del diseo se presentan situaciones ms difciles de resolver como el acoplamiento de
impedancias, la interferencia electromagntica, la eleccin del dispositivo amplificador y la disipacin de calor entre
otras dando como resultado una mayor inversin de tiempo y recursos materiales en esta parte del diseo.
De la experiencia tenida con este tipo de circuitos se puede afirmar que la etapa de modulacin puede ser
implementada a base de un circuito integrado. Para la etapa de potencia es recomendable, si no se tiene suficiente
experiencia, disear un amplificador de potencia que no rebase los 2Wpara no tener que incorporar varios pasos
de amplificacin lo que repercutira en la complejidad del diseo. Este amplificador podra hacerse con transistores
de costo no muy elevado y una alternativa interesante es emplear un tubo de vaco por las ventajas descritas en el
captulo 5 adems de la existencia de estos dispositivos en el mercado naaonal.
Posteriormente se podra intentar desarrollar ms potencia usando transistores de potencia como el 2N5590
( 1 OW) o bien con tubos ms grandes pero ya teniendo un cierto nivel de experiencia en aspectos como el
acoplamiento de impedancias, la disipacin de calor, los materiales empleados en RF, etc.
43
1. STREMLER, F.G. [1993]. Introduccin a los sistemas de comunicacin, 3a. Ed., Addison-Wesley Iberoamericana,
Delaware E.U.A.
Contiene conceptos importantes del tema de ruido, as como un desarrollo de las series de Fourier
(exponenaal y trigonomtrica) que permite una mejor comprensin de la distorsin armnica total (THD) en el
capitulo 2.
2. SEDRA, AS. y SMITH, K.C. [1990]. Microelectronic Circuits, 3a. Ed., Saunders College Publishing, Florida E.U.A.
En el capitulo 1 se abordan temas bsicos de electrnica de manera muy dara sin perder por esto precisin. Es
recomendable leer este capitulo sobre todo en las secciones que tratan sobre seales y amplificadores. Por otra
parte el capitulo 9 hace una buena revisin de las clases de operacin mediante el uso de grficas y circuitos
prcticos.
3. EDITORIAL CEKIT [1990]. Curso de Radio AM, FM, Banda Ciudadana y Radioaficin, Bogot, Colombia.
Trata de manera muy amena y clara aspectos como ganancia, impedancias, respuesta en frecuencia y otros en
su leccin 18.
Es buena practica abordar un tema primero en una publicacin como esta para despus pasar a un texto ms
riguroso.
4.
5.
6.
J.
8.
RAZAVI, B. [1998]. RF Microelectronics, Prentice Hall, Nueva J ersey E.U.A
Es una obra muy completa y rigurosa que se enfoca principalmente al diseo de RF basado circuitos
integrados y MOSFET's y en tcnicas de modulacin digital.
SHRADER, R. [1968]. Comunicacin Electrnica, 2a Ed., McGraw-Hill.
Contiene un buen contenido sobre el diseo de amplificadores de RF basados en tubos de vaco. Solo es
recomendable para el diseo con este tipo de dispositivos amplificadores.
THE ARRL'S HANDBOOK [1995].
Proporciona un conocimiento claro y aplicado de muchas reas de la electrnica en un estilo directo y
fcilmente entendible. Aunque deben hacerse las distinciones necesarias para encontrar el material deseado
ya que es una obra destinada a radioafiaonados es recomendable para cualquier persona afin a la Ingeniera
Electrnica.
BRUSS, H. Montajes de Radiofreamaa.
Es una gua de diseo en RF pero sobre todo relacionado con la construccin de transmisores para control a
distancia de modelos.
MOTOROLA [1989]. RF Device Data Vol. I y 11.
Contiene informacih sobre los componentes de RF fabricados por Motorola adems de una buena
coleccin de notas de aplicacin que ilustran muchos de los aspectos prcticos del diseo en RF. Es
necesario tomar en cuenta la fecha de edicin de este tipo de publicaciones para evitar hacer
diseos basados en dispositivos discontinuados. De todas maneras es muy recomendable tener
44
acceso a este tipo de materiales.
9. CLARKE, K. & HESS. Communication Circuits
10. HAYKIN, S. [1983]. Communication Systems, 2a Ed., John Wiley & Sons, Nueva York E.U.A.
1 1. PANTER, P.F. [1965]. Modulation, Noise and Spectral Analysis, McGraw-Hill, Nueva York E.U.A.
12. SCHWARTZ, M. [1980]. Information Transmission, Modulation and Noise, 3a Ed., McGraw-Hill, E.U.A.
13. CARLSON, A.B. [1986]. Communication Systems, 3a Ed., McGraw-Hill, Nueva York E.U.A.
45