UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO

FACULTAD DE INGENIERIA
LAB. DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE E/S
PREVIO #4 MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA SEMICONDUCTORAS


1- Explique la diferencia entre una memoria de acceso secuencial (SAM) y una memoria de acceso aleatorio
(RAM).

Memoria de Acceso Secuencial (SAM)
Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que vara segn la localidad de la
direccin.
Memoria de Acceso Aleatorio (RAM)
Memoria en la cual la localizacin fsica real de una palabra de la memoria no tiene efecto sobre el tiempo
que tarde en leer de esa localidad o bien escribir en ella.

2- Explique la diferencia entre una memoria RAM Esttica (SRAM) y una memoria RAM Dinmica (DRAM).

Dinmica RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-
energizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit
Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A
diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinmica y
esttica) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentacin.

La memoria de acceso esttico se tiene que es ms rpida y tiene un costo mayor, adems de necesitar una
energa mayor que la DRAM. El trmino esttica se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la
DRAM. Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit de RAM esttica se construye
con un circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cual de los dos
transistores es activado. Estas memorias no precisan no precisan de los complejos circuitos de refrescamiento
como sucede con las RAMs dinmicas, pero usan mucha ms energa y espacio. La misma es usada como
memoria cach.

3- Algunos CI`s RAM tienen terminales de entrada/salida comunes, Qu circuito nos permite lograr esto y
como lo hace?

Un BUS de datos bidireccional, con seales de activacin.

4- Qu quiere decir que una memoria es de lectura destructiva?
Se refiere cuando una memoria pierde los datos que se le han almacenado, en este caso como es el de la
memoria RAM, cuando ya no se le suministra energa para que siga guardando los datos que se le
introdujeron.





5- Simular con MAXPLUS II de Altera, la memoria RAM esttica con una organizacin de 2 x 2 que se
presenta en el diagrama esquemtico (abajo) donde analizaremos el comportamiento de las entradas y
salidas. Nota: Deber entregar el disco con la simulacin y el anlisis de tiempo para todas las posibles
entradas, en papel al instructor.



























Simulacin