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PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA 1/ FONDAMENTI DI ELETTRONICA A

19 FEBBRAIO 2014


1) Nel circuito in figura, il transistore MOS caratterizzato
dalla tensione di soglia VT e dal coefficiente n. Il diodo pu
essere descritto da un modello a soglia, con V= 0.75 V. Si
determini il margine dimmunit ai disturbi NM della rete.











Vdd = 3.3 V, n = 7 mA/V
2
, VT = 0.5 V, R1 = 1 k, R2 = 750 .




2) Nel circuito in figura, i transistori MOS sono caratterizzati dalle
tensioni di soglia VTn=|VTp|=VT e dai coefficienti n e p. Il segnale
di ingresso Vi abbia il seguente andamento:

< 0

= 0
> 0



Si determini:
- landamento del segnale di uscita Vu, trascurando i transitori;
- il tempo di propagazione Tp,HL associato alla transizione di
ingresso.


Vdd = 3.3 V, VT = 0.35 V, n = 1.2 mA/V
2
, p = 0.8 mA/V
2.
, C=25 fF, R=2.5 k.













Esame di ELETTRONICA AB (mod. B): svolgere lesercizio 1 (tempo disponibile 1h 15m).
Esame di ELETTRONICA DEI SISTEMI DIGITALI A: svolgere lesercizio 2 (tempo disponibile 1h 15m).
Esame di ELETTRONICA 1 / FONDAMENTI DI ELETTRONICA A: svolgere gli esercizi 1 e 2 (tempo disponibile 2h e 30m).
Indicare su ciascun foglio nome, cognome, data e numero di matricola
Non usare penne o matite rosse
Lelaborato deve essere contenuto in un unico foglio (4 facciate) protocollo

Esercizio 1 19.2.2014

Regione 1: vi<vt, allora M1 OFF, e D ON. Allora vu=vdd=3.3 V.
ir1=(vdd-vu)/r1
ir2=(vu-v)/r2
Ma ir1ir2, risolvendo si trova vu 1.843 V.



Regione 2: vi>vt, M1 ON e SAT sse vi<vu+vt , e D ON.
Cerco se in questa regione esistono punti della caratteristica statica di trasferimento a pendenza 1 (cio
cerco i punti tali che dvu/dvi=-1
ir1=(vdd-vu)/r1
id1sat=n /2*(vi-vt)^2
ir2=(vu-v)/r2
d(id1sat)/dvi=n *(vi-vt)
d(ir1)/dvi=1/r1
d(ir2)/dvi=-1/r2
Ma id1sat+ir2=ir1
d(id1sat)/dvi+d(ir2)/dvi d(ir1)/dvi
Risolvendo si ricava la seguente coppia di valori:
(vu1.676 V,vi0.833 V)
Tali valori soddisfano le HP fatte sulla regione di
funzionamento di M1 vi (=0.833 V) < vu+vt (=2.176V).
Allora, VILMAX=0.833 V, e VOHMIN=1.676V.

Regione 3:Pu accadere che M1 vada LIN oppure che D vada OFF .
I) D va OFF quando vu= v=0.75 V.
I) M1 va lin quando vu=vi-vt.
ir1=(vdd-vu)/r1
id1sat=n/2*(vi-vt)^2
ir2=(vu-v)/r2
e vuvi-vt
Ma id1sat+ir2=ir1
Risolvendo si trova che M1 va LIN (con D on)per
(vi-0.991 V, vu-1.491 V) e (vi1.324 V, vu0.824
V)
La prima soluzione da scartare.
Poich vu sta calando la condizione che avviene prima
il passaggio di M1 in zona lin.
Suppongo M1 LIN e D ON. Cerco se in questa regione esistono punti della caratteristica statica di
trasferimento a pendenza 1 (cio cerco i punti tali che dvu/dvi=-1).
ir1=(vdd-vu)/r1
id1lin=n *((vi-vt)*vu-0.5(vu)^2)
d(id1lin)/dvi==n *((vi-vt)*-1+vu-0.5*2*vu*-1)
d(ir1)/dvi=1/r1
ir2=(vu-v)/r2
d(ir2)/dvi=-1/r2
Ma
d(id1lin)/dvi+d(ir2)/dvi d(ir1)/dvi
id1lin+ir2=ir1
Risolvendo si ricavano le seguenti coppie di valori (vi,
vu):
(vi-1.113 V,vu-0.64 V) e (vi1.446 V, vu0.64 V).
La prima soluzione ovviamente da scartare, ma anche
la seconda non verificando lHp di accensione di D.


Regione 4: Al diminuire di vu, D andr OFF. M1 LIN, D OFF.
Cerco se in questa regione esistono punti della caratteristica statica di trasferimento a pendenza 1 (cio
cerco i punti tali che dvu/dvi=-1).
i ir1=(vdd-vu)/r1
id1lin=n *((vi-vt)*vu-0.5(vu)^2)
d(id1lin)/dvi==n *((vi-vt)*-1+vu-0.5*2*vu*-1)
d(ir1)/dvi=1/r1
Ma
d(id1lin)/dvi d(ir1)/dvi
id1lin = ir1

Risolvendo si ricavano le seguenti coppie di valori (vi,
vu):
(vi-0.764 V,vu-0.561 V),(vi1.478 V,vu0.561 V)
La prima soluzione ovviamente da scartare, mentre la
seconda verifica sia lHp di spegnimento di D, che di
linearit di M1 essendo vi (=1.478 V)>vu+vt (=1.061
V).
Quindi:VIHMIN=1.478 V, e VOLMAX=0.561 V.

Si ricava allora che:
NMH= VOHMIN - VIHMIN = 1.676V -1.478V = 0.198 V =NM
NML= VILMAX - VOLMAX = 0.833 V -0.561V = 0.272 V

Esercizio 2 19.2.2014



I transistori

costituiscono un invertitore CMOS.



< :

= 0

off,

on
Ipotizzando

in regione lineare e uguagliando la corrente di pull-up (nMOS) e di pull-down (resistenza R), si ottiene:

((

)(

)
(

)
2
2
)
}

= .

soddisfa le ipotesi.

> :

on,

off
Il condensatore si scarica quindi attraverso il pull-down costituito da

e, in parallelo, dal resistore R.


Per valori bassi di

<

),

lavora in regione lineare e riesce quindi a portare luscita al valore basso

=

Il tempo di propagazione
,
quindi relativo alla scarica del condensatore C, attraverso il parallelo fra R e

2
= 1.39 V
Poich

<

, durante lintero transitorio

si mantiene in regione lineare. Si ha quindi:


((

2
2
)

=(

+

)
=

((

2
2
)
=

((

+
1

2
2
)


E quindi:

,
0
=
,
=

((

+
1

2
2
)

(
,
)=1.39 V

(0)=

= .


Lintegrazione pu essere svolta con lo stesso metodo utilizzato per il calcolo dei transitori dellinvertitore CMOS (per
esempio tramite la scomposizione in fratti semplici), ovviamente tenendo conto del diverso coefficiente dovuto alla
presenza del resistore R.