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1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

ING. FERNANDO LOPEZ ARAMBURU
email: flopeza69@hotmail.com

INFORME DE LABORATORIO
Curso Laboratorio de Electrnica Seccin M
Ttulo de
Laboratorio

Resistencias Semiconductoras
LAB #: 0
Fecha de
Laboratorio

4 de septiembre de 2014


Integrantes
Nombres Cdigo Correo
Patricio Aramburu Reynaga 20112593H patricioaramburu95@gmail.com
David Huaman Flores 20092031J mugui.chan31j@gmail.com
Milton Mauico Salas 20112599F mmsaxd@gmail.com
Josepaulo Palomino Jauregui 20122080C



RESUMEN:Realizamos la experiencia de
laboratorio N0, Resistencias Semiconductoras, en la
cual armamos 3 circuitos. El primer circuito constituido
por 1 fuente de alimentacin, 1 resistencia y un foco. El
segundo circuito constituido por 2 fuentes de
alimentacin, 1 foco, 1 resistencia y un termistor. El
tercer circuito constituido por 2 fuentes de alimentacin,
1 foco, 1 resistencia y un LDR. En todos los circuitos se
midieron y anotaron los datos pedidos en la gua de
laboratorio.

PALABRAS CLAVE:
Gua de laboratorio, Termistor, LDR.


1 INTRODUCCION

El trmino semiconductor revela por s mismo una
idea de sus caractersticas. El prefijo semi suele
aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre
dos lmites.

El trmino conductor se aplica a cualquier material
que soporte un flujo generoso de carga, cuando una
fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs
de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy
bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de
voltaje aplicada.

Un semiconductor, por tanto, es un material que
posee un nivel de conductividad sobre algn punto entre
los extremos de un aislante y un conductor.

De manera inversa, y relacionada con la
conductividad de un material, se encuentra su
resistencia al flujo de carga o corriente. Esto es,
mientras ms alto es el nivel de conductividad,
menor es el nivel de resistencia.

Los semiconductores ms usados son el Si y el Ge,
ya que sus propiedades pueden alterarse en forma
significativa a travs de la aplicacin de calor o luz, una
consideracin importante en el desarrollo de dispositivos
sensibles al calor o a la luz.

Algunas cualidades del Ge y Si se deben a su
estructura atmica, ahora se examinara la estructura del
tomo en s y se observara como se pueden afectar las
caractersticas elctricas del material. El tomo se
compone de tres partculas bsicas: el electrn, el protn
y el neutrn. En la red atmica, los neutrones y los
protones forman el ncleo, mientras q los electrones se
mueven alrededor del ncleo.

El tomo de Ge tiene 32 electrones en rbita,
mientras que el Si tiene 14 electrones en rbita. En cada
caso, existen cuatro electrones en la rbita exterior
(valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se
requiere para movilizar cualquiera de estos cuatro
electrones de valencia, es menor que el requerido por
cualquier otro electrn dentro de la estructura. En un
cristal puro de Ge o Si estos cuatro electrones de
valencia se encuentran unidos a cuatro tomos adjuntos.
Tanto el Ge como el Si son referidos, como tomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones
de valencia.

Si bien la unin covalente generara una unin ms
fuerte entre los electrones de valencia y su tomo, an
es posible para los electrones de valencia


.


2
absorbersuficiente energa cintica por causas
naturales, para romper la unin covalente y asumir el
estado libre. El trmino libre revela que su
movimiento es muy sensible a los campos elctricos
aplicados, como los establecidos por las fuentes de
voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas
naturales incluyen efectos como la energa lumnica en
la forma de fotones y la energa trmica del medo que lo
rodea.

A los electrones libres localizados en el material
que se deben solo a causas naturales, se les conoce
como portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el
material intrnseco de germanio tendr
aproximadamente

transmisores libres por

centmetro cubico. La relacin del numero de portadores
en el germanio respecto al silicio es mayor de

e
indica que el germanio es un mejor conductor a
temperatura ambiente.

Un incremento en la temperatura de un
semiconductor puede generar un incremento sustancial
en el nmero de electrones libres de un material.

Segn aumenta la temperatura desde el cero
absoluto (0 K), un nmero mayor de electrones de
valencia absorben suficiente energa trmica como para
romper la unin covalente de los tomos del material y
contribuir as al nmero de portadores libres. Este mayor
nmero de portadores aumentara el ndice de
conductividad y generara un menor nivel de resistencia.

Se dice que los materiales semiconductores como
el Ge y el Si, que muestran una reduccin en resistencia
con el incremento en la temperatura, tienen un
coeficiente de temperatura negativo.



2 CONTENIDO

CUESTIONARIO

1. Hacer una introduccin terica del
fundamento de conduccin de los
semiconductores

La manera en la que un material conduce
corriente elctrica es muy importante para
comprender como operan los dispositivos
electrnicos. El funcionamiento de un
dispositivo como un diodo o como un transistor
no puede comprenderse completamente sin
conocer algo acerca del funcionamiento de la
corriente.










Corriente electrones y de huecos



Cuando se aplica un voltaje a una pieza de
silicio intrnseco, como se muestra en la figura,
los electrones libres generados trmicamente
en la banda de conduccin son fcilmente
atrados hacia el extremo positivo, este
movimiento de electrones libres es un tipo de
corriente en un material semiconductor
denominado corriente de electrones. Otro tipo
de corriente ocurre en el nivel de valencia
donde existen los huecos creados por los
electrones libres, los electrones que
permanecen en la banda de valencia
continan adheridos a sus tomos y no son
libres para moverse aleatoriamente en la
estructura cristalina.
Sin embargo un electrn de valencia puede
caer en un hueco prximo con poco cambio en
su nivel energtico, dejando as otro hueco en
su lugar de procedencia, el hueco se ha
movido de un lugar a otro en la estructura
cristalina, denominada corriente de huecos.

Semiconductores de tipo n y tipo p
(semiconductor extrnseco)

Los semiconductores se pueden dividir en
semiconductor intrnseco y semiconductor
extrnseco.
Los materiales semiconductores intrnsecos no
permiten bien el paso de la corriente por lo que
tienen muy poco valor en su estado intrnseco.
Lo anterior se debe al nmero limitado de
electrones en la banda de conduccin y
huecos en la banda de valencia.
El silicio (o el germanio) puro pueden
modificarse incrementando los electrones y
huecos libres a fin de aumentar su
conductividad y hacerlo til para su uso en
dispositivos electrnicos, lo anterior se lleva a
cabo adhiriendo impurezas al intrnseco.

Dopado

La conductividad del Si y Ge puede
incrementarse drsticamente mediante la


.


3
adicin controlada de impurezas al material
semiconductor puro. Este proceso denominado
dopado incrementa el nmero de portadores
de corriente (electrones o huecos) elevando
as la conductividad y disminuyendo la
resistividad. Las dos categoras de impurezas
son del tipo n y del tipo p.

Semiconductor tipo n

Para aumentar el nmero de electrones en la
banda de conduccin del silicio puro se aade
tomos de impurezas pentavalentes. Estos
son tomos con 5 electrones de valencia,
como Arsnico, Fosforo y Antimonio.
Cada tomo pentavalente forman enlaces
covalente con 4 tomos de silicio adyacente. 4
electrones de valencia del tomo de antimonio
se utiliza para formar los enlaces covalentes,
dejando un electrn adicional. Este electrn
adicional se convierte en un electrn de
conduccin, pues no est adherido a ningn
tomo.
El nmero de electrones de conduccin puede
controlarse mediante cantidad de impurezas
aadida al Si. Un electrn de conduccin
creado mediante este proceso de dopado no
deja ningn hueco en la banda de valencia.
En virtud de que casi todos los portadores de
corriente son electrones, el Si dopado de esta
manera es un material semiconductor tipo n,
en donde n representa la carga negativa en un
electrn. En un material tipo n, los electrones
se denominan portadores mayoritarios.
Aunque la mayor parte de los portadores de
corriente son electrones, cuando los pares
electrn-hueco se generan trmicamente se
forman algunos huecos. Tales huecos no son
producidos por la adicin de tomos de
impurezas pentavalentes. A los huecos en un
material tipo n se les denomina portadores
minoritarios.

Semiconductor tipo p

A fin de incrementar el nmero de huecos en
el silicio puro se aaden tomos de impurezas
trivalentes, se trata de tomos con 3
electrones de valencia como Aluminio, Boro y
Galio. Cada tomo trivalente forman enlaces
covalentes con 4 tomos de silicio adyacentes,
los 3 electrones de valencia del tomo de boro
se usa en los enlaces covalentes y ya que se
requiere 4 electrones, se forma un hueco en
cada tomo trivalente, el nmero de huecos
puede controlarse mediante la cantidad de
impurezas aadido al silicio.
Un hueco creado a travs de este proceso de
dopado no va acompaado con un electrn de
conduccin libre.
Debido a que casi todos los portadores de
corriente son huecos, entonces el silicio
dopado es esta manera se denomina material
semiconductor tipo p.
En el material de tipo p los huecos son
portadores mayoritarios, aunque la mayor
parte de los portadores son huecos tambin se
generan algunos electrones libres, tales
electrones libres no son producidos por la
adicin de impurezas de tomos trivalentes.
Los electrones en el material tipo p se
denominan portadores minoritarios.


2. Explicar la variacin de la resistencia del
filamento conductor en el foquito
incandescente.
En el caso del filamento no se puede expresar
de forma simplista el comportamiento de su
valor resistivo, diciendo que aumenta, por las
razones que se explican a continuacin:
El filamento de tungsteno de la lamparita
incandescente est formado por un alambre
extremadamente fino, mucho ms que el de un
cable cualquiera. Por ejemplo, en una lmpara
de 60 watt, el filamento puede llegar a medir
alrededor de 2 metros de longitud y de grueso
solamente 3 x 103 = 0,003 mm. Para que la
longitud total del filamento ocupe el menor
espacio posible, el alambre se reduce por
medio de un doble enrollado.
El filamento de tungsteno presenta un
problema y es que el metal se evapora al
alcanzar temperaturas tan altas como la que
produce la incandescencia. En ese estado,
algunos tomos de tungsteno se excitan tan
violentamente que saltan al vaco dentro de la
bombilla y se depositan en la pared interna del
cristal, ennegreciendo y volvindolo opaco a
medida que ms se utiliza la lmpara.
3. Enumerar las resistencias semiconductoras
y sus aplicaciones en
electrnica/electricidad.
Dentro de los semiconductores podemos definir
los siguientes componentes electrnicos:

TERMISTORES

Son dispositivos cuya resistencia vara en
funcin de la temperatura. Existen dos tipos de
termistores: - Termistores NTC.- (Coeficiente de
temperatura negativo) Son componentes en los
cuales disminuye su resistencia al aumentar la
temperatura.
+ TEMPERATURA - RESISTENCIA -
TEMPERATURA + RESISTENCIA
Smbolo: Aspecto fsico:





Tambin, en su aspecto fsico, pueden
presentar franjas de colores. En este caso,
para conocer su valor, se emplea el cdigo de
colores de resistencias, observando los


.


4
colores de abajo hacia arriba: Las franjas 1,
2 y 3 expresan el valor en ohmios a 25 C y
la franja 4 indica su tolerancia en %. -
Termistores PTC.- (Coeficiente de temperatura
positivo) Son componentes en los cuales
aumenta su resistencia al aumentar la
temperatura.
+ TEMPERATURA + RESISTENCIA -
TEMPERATURA - RESISTENCIA
Smbolo: Aspecto fsico:





Aplicaciones de los Termistores.- - Termostatos de
estufas, aire acondicionado, etc. - Detectores para
alarmas contra incendios. - Compensacin del
valor hmico en circuitos al variar la temperatura.
FOTO-RESISTORES O LDR ( Resistencia
Dependiente de la Luz )
Estos dispositivos electrnicos son capaces de
variar su resistencia en funcin de la luz que incide
sobre ellos. Estn compuestos por Sulfuro de
Cadmio, compuesto qumico que posee la
propiedad de aumentar la circulacin de electrones
a medida que aumenta la luz.
+ LUZ - RESISTENCIA
- LUZ + RESISTENCIA

Smbolo: Aspecto fsico:








Aplicaciones de la LDR.- - Como detector de
presencia, cuando se interrumpe la luz que incide
sobre el. - Como interruptor crepuscular,
encendiendo una lmpara cuando se hace de
noche. VARISTORES O VDR.- ( Resistencia
Dependiente del voltaje ) Son componentes cuya
resistencia aumenta cuando disminuye el voltaje
aplicado en sus extremos.
- VOLTAJE + RESISTENCIA
+ VOLTAJE - RESISTENCIA

Smbolo: Aspecto fsico:






Aplicaciones de la VDR.- - Compensacin del valor
hmico cuando varia la tensin en un circuito. -
Estabilizadores de tensin.
LOS DIODOS


Si unimos un semiconductor tipo "P" con uno tipo
"N", obtendremos un "DIODO". Existen los
siguientes tipos de Diodos: DIODO
RECTIFICADOR.- Estos diodos tienen su principal
aplicacin en la conversin de corriente alterna AC,
en corriente continua DC.
Smbolo: Aspecto fsico:







A significa nodo (+) y la K significa Ctodo (-). En
la imagen de su aspecto fsico observamos una
franja blanca, esta representa al ctodo.
Polarizacin directa y polarizacin inversa de un
diodo rectificador.-
A.- Polarizacin
directa. El positivo
de la batera va al
nodo y el negativo
al ctodo. El diodo
conduce
manteniendo en sus
extremos una cada
de tensin de 0.7
voltios.
B.- Polarizacin
inversa. El positivo
de la batera va al ctodo y el negativo al nodo. El
diodo no conduce. Toda la tensin cae en el .
Puede existir una pequea corriente de fuga del
orden de Amperios.

PUENTE RECTIFICADOR.- Los fabricantes han
incluido dentro de una misma cpsula cuatro
diodos rectificadores con montaje llamado "en
puente".
INGENIERA MECATRNICA JUAN CARLOS
GONZALES AROSTE
Smbolo: Aspecto fsico:





.


5
Observamos en el smbolo dos terminales de
entrada de corriente alterna y dos de salida de
corriente continua. Los terminales del puente
rectificador pueden cambiar, dependiendo del
fabricante. Vemos que pueden tener distintos
aspectos, que dependen sobre todo de la potencia
que sea necesaria en el circuito al que van
destinados. Aplicaciones .- - Se utilizan en fuentes
de alimentacin conectados a la salida de un
transformador para poder obtener en su salida,
indicada por las patillas + y -, una corriente
continua. DIODO DE SEAL.- Este tipo de diodo
se utiliza para la deteccin de pequeas seales, o
seales dbiles, por lo que trabaja con pequeas
corrientes. La tensin Umbral, o tensin a partir de
la cual el diodo, polarizado directamente, comienza
a conducir, suele ser inferior a la del diodo
rectificador. O sea la V.Umbral es
aproximadamente 0,3 voltios.

Smbolo: Aspecto fsico:






El material semiconductor suele ser el Germanio.
Aplicaciones.- Se emplean, sobre todo el la
deteccin de seales de Radio Frecuencia (RF). Se
utilizan en etapas moduladoras, demoduladoras,
mezcla y limitacin de seales.
INGENIERA MECATRNICA JUAN CARLOS
GONZALES AROSTE
DIODO PIN.- Este diodo tiene aplicaciones en
circuitos donde utilizan frecuencias muy altas como
VHF, UHF y circuitos de microondas.

Smbolo: Aspecto fsico:






Cuando se le aplica una polarizacin directa al
diodo PIN, conduce corriente y se comporta como
un interruptor cerrado. Si se le aplica una
polarizacin inversa se comporta como un
interruptor abierto, no dejando pasar la seal.
DIODO ZENER.- El diodo zener sirve para regular
o estabilizar el voltaje en un circuito. Esto quiere
decir que tiene la propiedad de mantener en sus
extremos una tensin constante gracias a que
aumenta la corriente que circula por el.
Smbolo: Aspecto fsico:






En el cuerpo del diodo suele venir indicada la
tensin a la que estabiliza, ejemplos: 5V1 Diodo
zener que estabiliza a 5,1 voltios. 6V2 Diodo zener
que estabiliza a 6,2 voltios. Segn el cdigo de
identificacin europeo ser: Ejemplo: B Z Y 79 - C
15 - BZY79.....Indica el tipo de diodo zener. - C
...........Indica la tolerancia, A= 1%, B= 2%, C= 5%,
D= 10%, E= 15% - 15 ..........Indica que el zener
estabiliza a 15 voltios Circuito ejemplo:
INGENIERA MECATRNICA JUAN CARLOS
GONZALES AROSTE
El diodo zener se utiliza en los circuitos, con
polarizacin inversa, es decir positivo en el ctodo
y negativo en el nodo. DIODO VARACTOR O
VARICAP.- Este dispositivo se fabrica con la
finalidad de obtener un condensador electrnico
compuesto a base de semiconductores. Smbolo:
Se utiliza con polarizacin inversa. Al aplicarle una
tensin en sus extremos se almacena una carga
elctrica como en un condensador. Cuanto mayor
sea el voltaje aplicado, menor ser la capacidad.
Aplicaciones .- - La aplicacin ms importante es
en los sintonizadores de canales, utilizados tanto
en videos, como en los televisores actuales. Las
bandas que se pueden sintonizar son: - BANDA


4. Dibujar las curvas de cada elemento y
explicar la dependencia. Utilizar el eje
horizontal con el voltaje del foco para todos
los casos y poder comparar las variaciones
con la tensin, proporcional a la
temperatura y a la luz.

CIRCUITO 1:






V1
Tecla = A
6.000V
R1
100
X1
LAMP


.


6
Tenemos la siguiente tabla de datos:

V (V) 2.1 4 6.1 8 10 11.9
VR
(V)
2.05 3.82 5.44 6.86 8.27 9.6
VF
(V)
0.09 0.24 0.75 1.15 1.76 2.35
I
(A)
0.020
5
0.038
2
0.054
4
0.068
6
0.082
7
0.096
R
()
4.39 6.282
13.78
6
16.78
6
21.28
1
24.47
9






Podemos observar la variacin de la tensin en el foco
respecto a la variacin de la fuente de tensin.




Se observa la variacin de la resistencia en el foco,
respecto a la variacin de la fuente de tensin.








CIRCUITO 2:



Tenemos la siguiente hoja de datos:

V (V) 0 2 4 6 8.1
VR (V) 6.8 6.84 6.94 6.96 6.97
VT (V) 5.45 5.28 5.25 5.18 5.15
I (A) 6.15 6.6 6.66 6.91 6.97
RT
(K)
0.99 0.836 0.803 0.756 0.738




Podemos observar la variacin en el voltaje del
termistor, cuando vara el voltaje del foco, que es
proporcional a la temperatura.



Se nota que la resistencia del termistor (K) varia
respecto a la temperatura dada por el foco.
0
2
4
6
8
10
12
14
0 1 2 3
Tensin
de la
fuente
Tensin del foco
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a


Tensin de la Fuente
V1
Tecla = A
6.000V
X1
LAMP
X2
RTD
R1
1k
V2
12 V
5.1
5.15
5.2
5.25
5.3
5.35
5.4
5.45
5.5
0 5 10
V
o
l
t
a
j
e

d
e
l

T
e
r
m
i
s
t
o
r

Voltaje de la Fuente
0
2000
4000
6000
8000
10000
0 5 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

d
e
l

T
e
r
m
i
s
t
o
r

Tension de la Fuente


.


7

CIRCUITO 3:



Tenemos la siguiente tabla de datos:

V (V) 0 2 4.1 6.1 8
VR (V) 2.15 2.49 3.4 4.61 5.92
VL (V) 10 9.65 8.7 7.18 5.67
I (mA) 2.3 2.4 3.3 4.6 6
RL
(K)
4.347 4.02 2.636 1.56 0.945




Variacin de la tensin en el LDR dependiente de la luz
emitida por el foco.



Variacin de la resistencia del LDR dependiente de la
luz emitida por el foco.




5. Dar algunas apreciaciones y conclusiones
de la experiencia realizada.


6. Investigar sobre circuitos integrados MOC
y Optoelectrnicos.

7. Indique sus observaciones y conclusiones.

Notamos que los dispositivos tratados en la
presente experiencia son NO LINEALES,
puesto que en las diversas graficas
observamos que la dependencia entre el foco,
el LDR y el termistor, respecto a la tensin, luz
y temperatura, respectivamente, no es lineal.
Tambin podemos notar una cierta regularidad
ascendente en la curva del foco, lo cual no se
da en el termistor, en el cual notamos que la
curva asciende hasta cierto punto, para luego
descender, y mantenerse en cierto nivel, lo cual
nos habla de la peculiaridad del
comportamiento que puede tener un termistor.
Podemos concluir que los distintos dispositivos
pueden tener comportamientos distintos
dependiendo de las condiciones a las que se
encuentren, factores como la TEMPERATURA,
HUMEDAD, influyen mucho a los dispositivos
semiconductores.
Debemos recalcar tambin que el uso de las
hojas de datos de los dispositivos cumple un
papel importante a la hora de manipularlos,
puesto que estas contienen las curvas
caractersticas que nos permitirn conocer el
comportamiento que presentara a ciertas
condiciones de temperatura, tensin y corriente.
Recomendamos usar de manera adecuada los
componentes, puesto que si no conocemos su
comportamiento de manera adecuada,
podramos malograrlos, o no cumpliran la
funcin que desearamos.















V1
Tecla = A
6.000V
X1
LAMP
LDR
RTD
R1
1k
V2
12 V
0
2
4
6
8
10
12
0 5 10
T
e
n
s
i

n

d
e
l

L
D
R

Tensin del Foco
0
1000
2000
3000
4000
5000
0 5 10
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

d
e
l

L
D
R

Tensin del foco


.


8























3 RESULTADOS

Los mrgenes para la segunda y las pginas
siguientes deben cumplir con los establecidos en el
punto 2.1.

4 CONCLUSIONES

Cualquier tipo de letra Arial es aceptada, Arial
Narrow o Arial Unicode MS pueden ser utilizadas. Si no
cuenta con stas en su procesador de textos, utilice por
favor el tipo de letra ms cercano en apariencia a Arial.

Nota: Por favor evite hacer uso de tipos de letra
del mapa de caracteres que no sean los autorizados.

5 REFERENCIAS

[1] Robert L. Boylestad y Louis Nashelsky, Electrnica: Teora de circuitos,
Sexta edicin. Pg. 3, 4 y 5.