APLICAES DE INVERSORES ELETRNICOS NA INDSTRIA

NACIONAL: A CONTRIBUIO BRASILEIRA

Fabio Meireles Gurgel
PROJETO SUBMETIDO AO CORPO DOCENTE DO DEPARTAMENTO DE
ENGENHARIA ELTRICA DA ESCOLA POLITCNICA DA UNIVERSIDADE
FEDERAL DO RIO DE JANEIRO, COMO PARTE DOS REQUISITOS
NECESSRIOS PARA A OBTENO DO GRAU DE ENGENHEIRO
ELETRICISTA.
Aprovado por:
___________________________________
Prof. Richard Magdalena Stephan, D. Sc.
(Orientador)
___________________________________
Gilson Santos Jr., M. Sc.
(Orientador)
___________________________________
Prof. Walter Issamu Suemitsu, Dr. Ing.
___________________________________
Tecg.
o
Rogrio Ferraz.
RIO DE JANEIRO, RJ BRASIL
AGOSTO DE 2009
ii
AGRADECIMENTOS
Primeiramente a Deus, por me dar fora para conseguir ultrapassar os grandes
desafios da vida.
minha famlia, minha me, meu pai, meus avs e meu irmo, pelo suporte
dado durante toda caminhada para chegar at aqui.
minha namorada Gisele, pelo amor, dedicao e orientaes durante os
ltimos cinco anos de minha vida.
Ao meu amigo Gilson Santos Jr., pelo grande apoio dado durante todos estes
anos de faculdade e tambm por ter aceito ser orientador deste projeto.
Ao meu companheiro de trabalho, Rogrio Ferraz, por todo apoio profissional
dispensado nestes ltimos dois anos e tambm por ter aceito participar da banca deste
projeto.
Ao Dr. Richard Stephan, por tambm ter aceito participar da banca deste
projeto e pelo apoio dado.
iii
Resumo do projeto de fim de curso, apresentado ao Departamento de
Engenharia Eltrica da UFRJ, para obteno do grau de Engenheiro Eletricista.
APLICAES DE INVERSORES ELETRNICOS NA INDSTRIA
NACIONAL: A CONTRIBUIO BRASILEIRA
Fabio Meireles Gurgel
AGOSTO DE 2009
Orientador (s): Dr. Richard Sthepan e Gilson Santos Jr.
Este trabalho apresenta aspectos tcnicos sobre os inversores eletrnicos e sua
aplicao nos diferentes ramos industriais nacionais, focando a discusso sobre o CFW-
09, conversor de frequncia comercial fabricado pela WEG Automao S/A, no Brasil.
O trabalho aborda ainda, aspectos tericos dos retificadores trifsicos a diodo e dos
inversores trifsicos, bem como do controle de disparo dos dispositivos conversores,
visando um melhor desempenho do equipamento.
iv
NDICE
C CA AP P T TU UL LO O 1 1 INTRODUO.............................................................................................. 1
1.1 Histrico ........................................................................................................................ 1
1.2 Histria da Indstria Nacional dos Inversores Eletrnicos.......................................... 4
1.3 Objetivos........................................................................................................................ 9
C CA AP P T TU UL LO O 2 2 FUNDAMENTOS TERICOS.................................................................... 11
2.1 Principais Chaves Semicondutoras.............................................................................. 11
2.2 Diodos .......................................................................................................................... 13
2.3 Tiristores ...................................................................................................................... 16
2.4 Gate Turn-off Thyristor (GTO) ................................................................................. 23
2.5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) .................................................................. 28
2.6 Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) ....................................................... 37
2.7 Retificadores a Diodo .................................................................................................. 37
2.8 Inversores ..................................................................................................................... 43
2.9 Acionamentos de Motores de Induo........................................................................ 48
2.10 Configuraes Alternativas para Reduo do Nvel Harmnico............................... 50
C CA AP P T TU UL LO O 3 3 DESCRIO DO CFW-09........................................................................... 56
3.1 Controle do Motor ...................................................................................................... 56
3.2 Frenagem...................................................................................................................... 64
3.3 Caractersticas Gerais................................................................................................... 65
3.4 Estatsticas de venda..................................................................................................... 73
C CA AP P T TU UL LO O 4 4 APLICAES............................................................................................... 76
4.1 Indstria Naval ............................................................................................................ 76
4.2 Indstria de Petrleo.................................................................................................... 79
4.3 Indstria de Cana de Aucar........................................................................................ 80
4.4 Siderurgia ..................................................................................................................... 80
4.5 Veculos Eltricos......................................................................................................... 81
4.6 Maglev Cobra............................................................................................................... 87
C CA AP P T TU UL LO O 5 5 CONCLUSO E PERSPECTIVAS FUTURAS........................................... 90
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS...................................................................................... 91
APNDICE ......................................................................................................................... 92
1
C CA AP P T TU UL LO O 1 1
INTRODUO
1.1 Histrico
As aplicaes industriais de velocidade varivel sempre foram ditadas pelos
requisitos dos processos, e, de acordo com sua poca de utilizao, suas limitaes eram
bem diversificadas, tais como as impostas pela tecnologia, pelo custo, pela eficincia e
pelos requisitos de manuteno dos componentes empregados.
Anteriormente dcada de 60, os sistemas mais utilizados para variao de
velocidade eram implementados com motores em corrente contnua (CC), conhecidos
como os primeiros dispositivos de converso de energia eltrica para energia mecnica.
Para obteno de velocidade varivel, o sistema necessitava de um segundo dispositivo
de converso de energia, que utilizava componentes mecnicos, hidrulicos ou
eletromagnticos. Os primeiros sistemas utilizados para se obter uma velocidade
diferente das impostas pelo campo magntico, utilizando motores de induo, foram os
sistemas mecnicos, pois eram os de maior simplicidade de construo e baixo custo.
Poder-se-a citar como exemplos desse tipo de sistema, o variador com polias
cnicas e correia, o variador com polias cnicas e corrente e o variador com discos de
frico. Estes equipamentos eram usados onde necessitava-se de uma reduo ou
ampliao de velocidade, com possibilidade de variao contnua de rotao. O
incoveniente era operacional, pois a troca constante de polias dificultava o andamento
do processo, e, alm disto, este tipo de equipamento geralmente oferecia um baixo
rendimento com o motor quase sempre operando na sua capacidade nominal,
independente das rotaes desejadas na sada. Os variadores mecnicos, como por
exemplo, os moto-redutores, foram um avano em relao aos anteriores, pois
permitiam a variao da rotao de sada atravs de um jogo de polias/engrenagens
variveis, embora alguns pontos devessem ser analisados. Com o motor ligado
2
diretamente rede eltrica, independetemente da rotao desejada na sada, o motor
poder girar na rotao e frequncia nominal, obtendo baixo rendimento.
J o sistema hidrulico, cujo funcionamento se baseia no projeto de um motor
hidrulico desenvolvido para converter a potncia de um fludo em potncia mecnica,
permitia variao contnua de velocidade. Esta converso era feita por meio de um
dispositivo de engrenagens planetrias ou atravs de acionamento de pistes com
controle efetuado por vlvulas. Para o acionamento dos motores hidrulicos,
logicamente necessrio que se tenha um sistema hidrulico disposio (tubulaes,
bombas e motores eltricos auxiliares), o que faz com que, em uma anlise global do
conjunto, o sistema tenha rendimento baixo e nvel de manuteno elevado pela
existncia de vrias partes mecnicas.
O variador hidrocintico tambm permitia variao contnua de velocidade.
Era composto de um eixo de entrada de rotao fixa e um eixo de sada, cuja rotao
podia variar linearmente de zero at uma rotao muito prxima do eixo de entrada.
Com os variadores eletromagnticos, mudou-se o conceito de variao
exclusivamente mecnica para variao eletromecnica, atravs de tcnicas baseadas no
princpio fsico das correntes de Foucault, utilizando um sistema de discos acoplados s
bobinas que podem ter o seu campo magntico varivel, alterando-se assim o torque (e
tambm a velocidade) na sada do variador. Algumas limitaes deviam ser observadas
para a aplicao deste equipamento:
A rotao mxima de sada era sempre a nominal do motor, nunca alm
desta;
Rendimento muito baixo, pois apresentava perdas por aquecimento e
rudo;
As manutenes preventivas e corretivas deviam ser frequentes, pois
existiam muitas partes girantes que necessitavam de ajustes constantes e
substituies peridicas.
3
Com a disponibilidade de semicondutores no mercado a partir dos anos 60, este
quadro mudou completamente. Mas foi apenas na dcada de 80, com o desenvolvimento
de semicondutores de potncia com capacidade de comando de conduo e bloqueio e
excelentes caractersticas de desempenho e confiabilidade, que foi possvel a
implementao de sistemas de variao de velocidade eletrnicos. O dispositivo de
converso de energia eltrica para mecnica continuou sendo o motor de induo, mas
agora sem a utilizao de dispositivos secundrios mecnicos, hidrulicos ou
eletromagnticos. Em muitos casos, a eficincia das instalaes equipadas com esses
novos dispositivos chegou a ser duplicada quando comparada com os sistemas antigos.
Estes equipamentos eletrnicos para variao de velocidade de motores de
induo so conhecidos como inversores de frequncia.
Na aplicao dos inversores de frequncia, o motor de induo, ao contrrio do
que acontece quando ligado diretamente rede de distribuio de energia eltrica,
alimentado com frequncia e tenso varivel. Isto possibilita, como ser visto neste
trabalho, obter velocidade varivel no eixo do prprio motor.
Com isso, torna-se importante para as aplicaes industriais conhecer melhor o
funcionamento deste sistema (motor + inversor), a fim de prevenir erros de aplicao
que poderiam reduzir os benefcios que estes dispositivos podem proporcionar.
Um dos representantes destes novos dispositivos que utilizam essa tecnologia
o CFW-09, um inversor de frequncia fabricado no Brasil, pela WEG AUTOMAO
S/A, e faz parte da famlia CFW.
A famlia CFW consiste em drives com a mais avanada tecnologia para
variao de velocidade em motores de induo trifsicos. Podem ser utilizados para
diversas aplicaes, tais como: Bombas centrfugas, bombas de carga, ventiladores,
exaustores, esteiras transportadoras, motores de propulso naval etc.
Alm de diversas empresas internacionais (como Siemens, ABB, Toshiba e etc.),
que atuam (ou atuaram) no Brasil, desde meados do final do sculo XIX / incio do
4
sculo XX, e alguns empreendimentos nacionais, so representativos da evoluo dos
acionamentos eltricos no Brasil: a Villares (pelo pioneirismo na indstria de bens de
capital, e vrios outros segmentos) e a WEG (pelo sucesso na internacionalizao de suas
atividades).
O incio do Grupo Villares remonta ao incio do sculo XX, sociedade de um
brasileiro e um escocs, na manuteno de elevadores. Expandiu-se ao longo das dcadas
seguintes em diversos segmentos, como siderurgia, automao industrial e bens de
capital (pontes rolantes, guindastes, motores diesel, laminadores, equipamentos de
extrao de petrleo, acionamentos eltricos e etc). Em 1987 chegou a ter receita de US$
181,4 milhes.
Em meados da dcada de 70, o Grupo Villares fundou, em trabalho conjunto
com a Westinghouse (EUA), a "General Control do Brasil", que posteriormente daria
origem "Eletro Controle Villares - EVL", produzindo, conversores AC/DC e
posteriormente Inversores de Frequencia e automao de processos, ainda sob licena da
Westinghouse, com objetivo de nacionalizar a tecnologia e desenvolver produtos
brasileiros, adequados s necessidades especficas de nosso pas.
Os principais clientes que utilizaram os acionamentos da EVL foram:
- Siderrgicas;
- Indstria Qumica e Petro-Qumica;
- Minerao;
- Cimento;
- Papel e Celulose;
- Trao Eltrica (Metrs, Trlebus, Locomotivas Diesel-Eltricas).
Com a abertura do mercado em 1990, o Grupo Villares deixou de atuar no
setor de bens de capital, desativando ou vendendo os ativos da empresa.
5
A seguir, tem-se uma breve introduo de uma das maiores empresas brasileiras
em atividade:
1.2 Histria da Indstria Nacional dos Inversores Eletrnicos
A WEG EQUIPAMENTOS ELTRICOS S.A. uma empresa multinacional
brasileira com sede em Jaragu do Sul /SC, possuindo 14 filiais de vendas no exterior e
representantes atuando em mais de 100 pases. Produzindo inicialmente motores
eltricos, a WEG comeou a ampliar suas atividades a partir da dcada de 80, com a
produo de componentes eletro-eletrnicos, produtos para automao industrial,
transformadores de fora e distribuio, tintas lquidas ou em em p e vernizes
eletroisolantes. Hoje, possui 75% do mercado de motores eltricos no Brasil, lder do
setor na Amrica Latina e figura entre os cinco maiores fabricantes do mundo.
Atualmente, a WEG EQUIPAMENTOS ELTRCIOS S.A. um grupo
formado por quatro unidades de negcios, alm da WEG S.A. (Diviso Corporativa),
cada uma com a sua especialidade:
6
WEG ENERGIA
WEG MOTORES
WEG AUTOMAO
WEG QUMICA
Possuindo departamentos de fundio, estamparia de chapas, injeo de
alumnio, usinagem, trefilao e esmaltao, a empresa capaz de fabricar a maior parte
dos componentes necessrios para a confeco de seus motores. Sua produo est
concentrada em sete parques fabris localizados no Brasil, trs na Argentina, um no
Mxico e um em Portugal, como mostrado na figura 1, abaixo:
Parque Fabril I
Jaragu do Sul / SC
Parque Fabril III
Guaramirim / SC
Parque Fabril II
7
Jaragu do Sul / SC
Parque Fabril IV
Blumenau / SC
Parque Fabril V
Itaja / SC
Parque Fabril VI
So Bernardo do Campo / SP
Parque Fabril VII
Manaus / AM
Parque Fabril VIII
Buenos Aires / Argentina
Parque Fabril IX
Crdoba / Argentina
Parque Fabril X
San Francisco / Argentina
Parque Fabril XI
Huehuetoca / Mxico
Figura 1 - Parques fabris WEG em territrio nacional e internacional [1]
Em seguida so apresentadas as unidades de negcio da WEG, (ilustradas por
fotos de seus produtos) com especial enfoque WEG AUTOMAO S/A, onde so
8
produzidos os inversores de frequncia da famlia CFW, assunto principal deste
trabalho:
WEG ENERGIA:
Tem o objetivo de oferecer solues industriais integradas em motores de corrente
contnua e alternada, motores de baixa, mdia e alta tenso, geradores e
transformadores. Concentra-se na fabricao de geradores de grande porte para
hidreltricas e usinas, motores de corrente contnua para siderrgicas e indstrias de
papel e celulose, motores de corrente alternada para rea martima e offshore,
transformadores, alm de uma nova gerao de motores de alta tenso.
A fbrica de transformadores est situada em Blumenau e responsvel pela
fabricao de:
- Transformadores Industriais e de Fora, a leo, trifsicos e com potncias de
311MVA e tenses de at 500kV;
- Transformadores de distribuio, a seco, trifsicos e com potncias de 300kVA
a 20MVA e tenses de at 34kV;
- Conserta e efetua repotenciaes em Transformadores WEG e de terceiros
com potncia de at 10.000kVA e classe 239kV;
- Realiza servio de superviso de montagem e start-up de Transformadores de
fora WEG.
As fbricas de motores e geradores de grande porte, situadas em Jaragu do Sul
/ SC e So Bernardo do Campo / SP, so responsveis pela fabricao de:
- Motores de alta tenso, da linha MGW, com trocador de calor Ar-r, Ar-
gua, na faixa de potncia de 100kW at 50MW e tenso de 220V at 13,8kV;
9
- Motores de baixa tenso, da linha HGF, MGW e WGM, com trocador de
calor Ar-r, Ar-gua, Jaqueta de gua (Water Jacket), na faixa de potncia de 850kW
at 3500kW e tenso de 220V at 13,8kV;
- Geradores de baixa e alta tenso na faixa de potncia de 12,5kVA at 25MVA
e tenso de 220V at 13,8kV;
- Turbo Geradores de alta tenso (at 13,8kV) e potncia at 62,5MW;
10
WEG MOTORES:
Produz mais de 30 mil motores por dia, monofsicos e trifsicos. Representa
mais de 55% do faturamento do grupo e possui mais de 7000 colaboradores. Produz
motores das mais diversas carcaas, de 0,12kW a 850kW nas tenses de 220V a 6,6kV,
atendendo s mais diversas normas, nacionais e internacionais. a maior empresa do
Grupo WEG.
WEG AUTOMAO S/A:
A WEG AUTOMAO S/A iniciou suas atividades no principio da dcada de
80 fabricando painis de baixa e mdia tenso e centro de controle de motores (CCMs).
No final da dcada, instalou-se no plo tecnolgico de Florianpolis com uma linha de
produtos voltada para servomecanismos e robs industriais e produzindo tambm o
primeiro inversor de freqncia desenvolvido totalmente com tecnologia nacional.
J no inicio da dcada de 90, a empresa foi transferida para Jaragu do Sul, onde
encontra-se a sede da WEG EQUIPAMENTOS ELTRICOS S/A, e assume a
fabricao, desenvolvimento e comercializao dos produtos WEG voltados para
automao industrial.
Atualmente, a empresa desenvolve uma linha completa de produtos em
automao industrial, painis eltricos e equipamentos para variao de velocidade.
Fornece controladores lgicos programveis (CLP) de pequeno, mdio e grande porte,
servoacionamentos CA e CC, alm de robs-manipuladores para automao da
manufatura e sistemas de controle de processos. Produz ainda toda uma gama de painis
para comando e proteo de motores ou cargas eltricas em baixa e mdia tenso, com
destaque para o CCM - Centro de Controle de Motores, CMC Cubculo de Manobra
e Controle de Mdia Tenso e quadros eltricos. Para a variao de velocidade de
motores em processos industriais, oferece uma linha completa de conversores CA/CC e
de freqncia, analgicos e microprocessados, abrangendo uma ampla faixa de potncia:
de 1 a 6000 kW.
11
Atravs de Centros de Negcios, que so setores integradores da WEG, oferece
pacotes eltricos completos, podendo incluir: painis eltricos, centro de controle de
motores, chaves de partida, sistemas de superviso e controle, motores de baixa, mdia e
alta tenso, geradores de baixa, mdia e alta tenso e transformadores. A WEG
Automao tambm presta servios de consultoria, projetos, software aplicativos,
funcionamento, treinamento e assistncia tcnica em automao industrial.
12
Atua tambm no ramo de comandos e proteo para motores eltricos
oferecendo:
-Contatores e Rels;
-Fusveis D e NH;
-Bancos de Capacitores para correo de fator de potncia;
-Rels de Sobrecarga;
-Rels temporizados e Superviso de fases;
-Disjuntores, Botoeiras e Sinaleiros.
WEG QUMICA:
Unidade responsvel pela produo de tintas e vernizes utilizados pelas outras
unidades da WEG. Sua produo est concentrada em:
Tintas Lquidas - As tintas lquidas desenvolvidas pela WEG seguem tendncias
mundiais, como as tintas com alto teor de slidos, alta espessura, base dgua, tintas de
secagem rpida, isentas de metais pesados, alm de atenderem s mais diversas aplicaes
e segmentos de mercado.
Tintas em P A WEG oferece uma diversificada gama de tintas em p com
tecnologia de ponta e adequadas s exigncias e necessidades de cada cliente. Alm dos
sistemas convencionais, a WEG desenvolve produtos especiais como o primer rico em
zinco, tintas isentas de metais pesados, tintas de baixa cura, alta camada, entre outras.
Vernizes Industriais - Os vernizes e resinas eletroisolantes da WEG so
produtos que oferecem excelentes propriedades dieltricas, flexibilidade, dureza,
resistncia qumica, aderncia e compatibilidade.
13
1.3 Objetivos
De forma resumida, o principal objetivo deste trabalho apresentar o estado da
arte dos inversores eletrnicos na indstria nacional. Para isso, no captulo 2 sero
apresentados os fundamentos tericos dos Inversores de Frequncia, incluindo uma
anlise das principais chaves semicondutoras diodos, tiristores, GTOs (Gate Turn-off
Thyristors) e IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors). Alm disto, ser feita uma
anlise dos retificadores a diodo, uma breve introduo aos inversores de frequncia e
aos acionamentos de motores de induo e tcnicas para reduo do nvel de harmnicas
gerados por este tipo de equipamento. J no captulo 3, ser feita a descrio do CFW-
09, que abordar o tipo de retificao e de inverso realizadas pelo equipamento, link
CC, o controle PWM, o controle vetorial dos inversores e uma resumida estatstica de
vendas do mesmo. No captulo 4, sero abordadas as aplicaes do CFW-09 nos
diferentes ramos industriais, tais como a indstria naval, indstria do Petrleo /
Offshore, indstria de cana de aucar, indstria siderrgica e, por fim, a indstria de
veculos eltricos. No captulo 5, sero apresentadas as concluses e perspectivas futuras.
14
C CA AP P T TU UL LO O 2 2
FUNDAMENTOS TERICOS
2.1 Principais Chaves Semicondutoras
As chaves so dispositivos semicondutores que, devido s suas caractersticas
intrnsecas ou modo de uso, apresentam completo bloqueio ou oferecem livre conduo
passagem de corrente eltrica. Estes componentes tambm so chamados de
semicondutores de potncia.
At o final da dcada de 70, diodos, transistores bipolares e tiristores eram os
componentes bsicos dos conversores. Desde ento, estes dispositivos tm passado por
grandes avanos e mudanas, tendo surgido novas chaves com caractersticas
semelhantes e ainda mais flexveis, dentre as quais destacam-se: MOSFETs (Metal Oxide
Field Effect Transistors); IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors); IGCTs
(Integrated Gate Commutated Thyristors) e GTOs (Gate Turn-off Thyristors).
A chave ideal deveria ser capaz de suportar uma tenso infinita quando no
estado de bloqueio e conduzir um valor infinito de corrente numa pequena rea, com
queda de tenso nula em conduo. Deveria ser capaz tambm de mudar do estado em
conduo para o estado de bloqueio (e vice-versa) instantaneamente. Como evidente,
entretanto, nenhuma das chaves reais possui estas caractersticas, sendo a pesquisa e o
desenvolvimento os responsveis por uma aproximao cada vez maior destes limites.
De acordo com a tecnologia empregada na fabricao, pode-se classificar os
atuais componentes semicondutores de potncia em quatro grandes grupos principais:
os tiristores (SCRs, GTOs e etc.), os transistores de juno bipolar (BJTs), os
transistores de efeito de campo (MOSFETs) e os transistores hbridos ou transistores
bipolares de gatilho isolado (IGBTs). Esta ordem de apresentao cronolgica, ou seja,
15
os tiristores inauguraram a era dos semicondutores de potncia, enquanto os IGBTs
consistem em uma tecnologia mais recente.
Os IGBTs substituram transistores bipolares em aplicaes industriais e tm
substitudo os tiristores em conversores de mdia e alta tenso. Alguns destes
componentes ocupam faixas bastante especficas de aplicaes e nveis de potncia. Os
tiristores, por exemplo, ainda reinam absolutos em aplicaes de alta potncia e baixa
freqncia, como na transmisso HVDC (alta tenso/corrente contnua). Os IGBTs
tm sido aplicados em freqncias intermedirias (menor que 50kHz) e em potncias
cada vez maiores (mdulos de 6,5kV, 600A). So usados hoje em conversores, em
acionamento de motores industriais de mdia e alta potncia e inversores para sistemas
de gerao distribuda.
Os IGCTs concorrem com os IGBTs em aplicaces de mdia potncia. Os
MOSFETs, por outro lado, tm sido utilizados em baixas potncias e altas freqncias
(50 a 600kHz), tipicamente em fontes chaveadas com comutao no dissipativa,
perifricos de computadores, eletrnica automotiva, fontes de potncia para
aquecimento indutivo e sistemas fotovoltaicos.
A tabela 1 abaixo rene um conjunto de informaes a respeito do estado da
arte dos componentes bsicos mencionados:
Componente
Tenso
(kV)
Corrente
(A)
Freqncia
(kHz)
Potncia
(kVA)
TRANSISTOR 1 300 20 200
MOSFET 6 20 100 120
GTO 6 6.000 10 36.000
TIRISTOR 12 1.500 1 18.000
IGCT 6,5 1.500 1 9.750
IGBT 6,5 600 20 3.900
Os valores desta tabela so aproximados, devendo ser usados apenas como
estimativa, j que a diversidade de fabricantes e tecnologias oferece um universo muito
amplo de alternativas. Deve-se observar tambm que nem sempre possvel encontrar
um componente capaz de operar simultaneamente com os valores mximos indicados
em uma mesma linha da tabela. A freqncia mxima de trabalho mostrada no
considera a possibilidade de circuitos de comutao suave, o que certamente ampliaria
16
os limites descritos. Os valores indicados consideram um limite aceitvel de perdas de
chaveamento em operao com comutao dissipativa.
2.2 Diodos
2.2.1 Princpio de funcionamento e caractersiticas
O diodo um dispositivo constitudo por uma juno de dois materiais
semicondutores (em geral silcio dopado), um do tipo n e o outro do tipo p, ou de um
material semicondutor e de um metal, sendo comumente representado pelo smbolo da
figura 2. Aos terminais A e K, do-se respectivamente os nomes de anodo e catodo.
Figura 2 - Smbolo do diodo [2]
Este dispositivo permite a passagem de corrente com facilidade num sentido e
oferece uma grande resistncia sua passagem no sentido contrrio.
Assim, quando o anodo (A) estiver a um potencial positivo em relao ao
catodo (K), aparecendo uma pequena tenso, o diodo conduz qualquer corrente, at a
nominal, e a mesma ter o sentido convencional indicado pela seta. Nestas condies,
diz-se que o diodo est diretamente polarizado. Quando o anodo (A) estiver a um
potencial negativo em relao ao catodo (C), apenas uma mnima corrente flui com
qualquer tenso negativa, desde que a zona de avalanche no seja atingida. Nesse caso, a
corrente ter o sentido contrrio ao da seta, e diz-se que o diodo est inversamente
polarizado.
17
Na figura 3, pode-se ver um grfico tpico da corrente no diodo em funo da
tenso nos seus terminais, que resulta do comportamento fsico da juno p-n.
Figura 3 - Caracterstica I(V) de um dodo de silcio [2]
A tenso e a corrente so consideradas positivas, quando o dispositivo encontra-
se diretamente polarizado. A variao da corrente do diodo semicondutor com a tenso
aos seus terminais, tem uma forma quase exponencial. Em boa aproximao a corrente I
dada por:
18

= 1 e
t
V
V
s
I I ;
q
kT
V
t
=
onde q a carga do eletron, V a tenso nos terminais do diodo, k a constante
de Boltzman, T a temperatura absoluta e Is uma constante designada por corrente de
saturao. temperatura ambiente (300K), tem-se:
mV
q
kT
V
t
25 = =
Este comportamento pode ser aproximado, em certas aplicaes, pelo de um
diodo ideal ou por uma caracterstica linearizada, como pode ser visto na figura 4.
Figura 4 - Curvas caractersticas e modelos eltricos correspondentes do diodo.
Da esquerda para a direita: diodo ideal; diodo com comportamento ideal, mas com uma
tenso limiar de conduo; diodo com caracterstica linearizada (VD - tenso limiar de
conduo ; RD resistncia de conduo direta) [2]
2.2.2 Tipos de Diodo
Existem atualmente diferentes tipos de diodos, que apesar de apresentarem
caractersticas eltricas semelhantes, tem-nas adaptadas execuo de determinadas
funes. O smbolo introduzido anteriormente (figura 2), representa o diodo
19
normalmente utilizado para retificao (transformao de corrente bidirecional em
corrente unidirecional) e processamento de sinal nela baseado. Pretende-se que a sua
zona de avalanche esteja suficientemente afastada para nunca ser atingida e que a sua
corrente de fuga inversa seja desprezvel.
Alm destes, outros tipos de diodos so utilizados usualmente:
Diodo Zener
Funciona na zona de avalanche e utilizado como referncia de tenso (a tenso
varia pouco com a corrente nessa zona).
Varistor ou Varicap
Todos os diodos apresentam uma capacitncia que varivel com a tenso
aplicada. Os varistores so diodos especialmente desenhados para se obter uma
capacitncia fortemente dependente da tenso. So usados em osciladores cuja
frequncia controlada por tenso (VCO).
Fotodiodo
Quando a zona da juno recebe luz, geram-se pares de portadores de carga
(eltron-lacuna) que geram uma tenso ou uma corrente no dispositivo. Existe assim,
converso opto-eletrnica. Estes dispositivos so utilizados como detectores de luz, nas
mais diversas aplicaes.
20
LED
Para certos tipos de materiais semicondutores, quando injetada uma corrente
na juno do diodo, gerada radiao eletromagntica na zona do visvel ou
infravermelho prximo (converso eletro-ptica). Existem componentes em que vrios
LEDs esto dispostos sob a forma de traos ou pontos numa matriz, permitindo a
apresentao de algarismos e letras (displays). Mais recentemente, LEDs com maior
potncia vm sendo empregados em iluminao.
Ultra-rpido
Pertencem a uma famlia melhorada dos diodos rpidos. So semelhantes a eles
no que diz respeito a queda de tenso em conduo, e por esse motivo so bastante
utilizados em altas tenses de bloqueio. Tambm so amplamente utilizados em fontes
chaveadas de alta frequncia e alta eficincia e posuem um tempo de recuperao baixo
(trr), da ordem de micro-segundos, em tenses e correntes que variam entre centenas de
volts e ampres.
2.3 Tiristores
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que
operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de quatro camadas
semicondutoras, apresentando um funcionamento biestvel.
O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio),
usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto,
possuem basicamente a mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), TRIAC
(tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional) e GTO (tiristor
comutvel pelo gate).
21
2.3.1 Princpio de funcionamento dos Tiristores
O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-
p-n, possuindo trs terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e o gate, no
qual somente a injeo de uma corrente faz com que se estabelea a corrente anodo-
catodo. A figura 5 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo:
Figura 5 - Funcionamento bsico do tiristor [3]
Se entre anodo e catodo houver uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro
diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No
haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a
ruptura da barreira de potencial em J2.
Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com
portadores negativos indo do catodo para o gate. Por construo, a camada P ligada ao
gate suficientemente estreita para que parte dos eltrons que cruzam J3 possua energia
cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento
atrada pelo anodo.
22
Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial
diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir
mesmo na ausncia da corrente de gate.
Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas,
enquanto J2 estar diretamente polarizada. Assim, o tiristor bloquear o fluxo de
portadores enquanto no for superada a tenso de ruptura das duas junes.
comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma
associao de dois transistores, conforme mostrado na figura 6.
23
Figura 6- Analogia entre tiristor e transistores [3]
Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1
conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at a
saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos
transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que,
aps o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido
um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir, necessrio que a corrente por ele caia
abaixo do valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira
de potencial em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma
tenso negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de
desligamento por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina,
mas no garante sozinha o desligamento.
Devido s caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma
polarizao reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um
comportamento dos GTOs, como se ver adiante.
24
2.3.2 Maneiras de disparar um Tiristor
H cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em conduo:
a) Tenso:
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao
aplicada sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de
transio tanto para o interior da camada do gate, quanto para a camada N adjacente.
Mesmo na ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas
livres que penetraro na regio de transio, as quais so aceleradas pelo campo eltrico
presente em J2. Para valores elevados de tenso, e consequentemente de campo eltrico,
possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas aceleradas, ao chocarem-se
com tomos vizinhos, provocam a expulso de novos portadores, os quais reproduzem
o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas pela
juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo de corrente pelo gate, de modo que, se
ao iniciar a passagem de corrente for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manter
em conduo.
b) Taxa de crescimento da tenso direta:
Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-
se de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial.
Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o
SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno
dada por:
( )
dt
dC
V
dt
dV
C
dt
A C d
I
j
Ak
Ak
j
k j
j
+ = = .
.
, onde Cj a capacitncia da juno.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio
aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente
elevada, a corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor
conduo.
25
Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observa-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak >
0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes
que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tm a capacidade de levar o
tiristor a um estado de conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores,
com o objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
c) Temperatura:
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente
polarizada dobra aproximadamente com o aumento de 8 C. Assim, a elevao da
temperatura pode levar a uma corrente, atravs de J2, suficiente para levar o tiristor
conduo.
d) Ao da corrente positiva de gate:
Sendo o disparo atravs da corrente de gate a maneira mais usual de se ligar o
tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk
e a corrente Ig, como mostrados na figura 7.
26
Figura 7 - Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela gate [3]
O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os
componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada.
O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de
um dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao.
A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em
conduo de qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura.
Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de
acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais
limites (tenso, corrente e potncia mximas).
e) Energia radiante:
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando
no cristal, produz considervel quantidade de pares eltrons-lacunas, aumentando a
corrente de fuga reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de
acionamento o utilizado nos LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que
operam em elevado potencial, onde a isolao necessria s obtida por meio de
acoplamentos ticos.
2.3.3 Parmetros bsicos de Tiristores
Sero apresentados a seguir alguns parmetros e valores tpicos de tiristores que
caracterizam condies limites para sua operao. Alguns j foram apresentados e
comentados anteriormente, por isso, sero apenas citados aqui.
27
a) Tenso direta de ruptura (VBO);
b) Mxima tenso reversa (VBR);
c) Mxima corrente de anodo (Ia mx): pode ser dada como valor RMS, mdio,
de pico e/ou instantneo;
d) Mxima temperatura de operao (Tj mx): temperatura acima da qual pode
haver destruio do cristal;
e) Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre dois pontos
especificados ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio
trmico. uma medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo;
f) Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt);
g) Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o
incio do processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de
silcio, ao redor da regio onde foi construda o gate, espalhando-se radialmente at
ocupar toda a superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente
crescer muito rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie
condutora, haver um excesso de dissipao de potncia na rea de conduo,
danificando a estrutura semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de
tecnologia mais avanada fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea
de contato, por exemplo, interdigitando o gate. A figura 8 ilustra este fenmeno.
28
Figura 8 - Expanso da rea de conduo do SCR a partir das vizinhanas da
regio de gate [3]
h) Corrente de manuteno de conduo (Ih): a mnima corrente de anodo
necessria para manter o tiristor em conduo;
i) Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado
desligado e atingir a plena conduo;
l) Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o
estado de conduo e o de bloqueio;
k) Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa
que ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.
Tratando-se dos tiristores em circulao no mercado atual, a faixa de valor de
tenso, quando o tiristor est em estado de bloqueio, varia desde 2800V a 6500V, j em
relao faixa de valor de corrente, quando ele est em estado de conduo varia desde
3500A a 5800A.
A figura 9 ilustra algumas destas caractersticas:
29
Figura 9 - Caractersticas gerais de um tiristor [3]
2.4 Gate Turn-off Thyristor (GTO)
O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de
fraco desempenho, foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de
dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais
componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas
de elevada potncia, uma vez que esto disponveis dispositivos para 5000V / 4000A.
2.4.1 Princpio de funcionamento
O GTO possui uma estrutura de quatro camadas, tpica dos componentes da
famlia dos tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em
conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate.
30
O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente
polarizado, quando a corrente de gate injetada, circula uma corrente entre o gate e o
catodo. Grande parte de tais portadores, por a camada de gate ser suficientemente fina,
desloca-se at a camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo
atrados pelo potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se
mantiver acima da corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate
para manter-se conduzindo.
A figura 10 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos
processos de entrada e sada de conduo do componente.
A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao
desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas), presentes nas camadas centrais do
dispositivo, so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o restabelecimento da
barreira de potencial na juno J2.
Figura 10 - Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO [3]
31
Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As
diferenas, no entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento
do GTO depende, por exemplo, de fatores como:
Facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate, isto possibilitado
pelo uso de dopantes com alta mobilidade;
Desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais devido ao uso de
dopante com baixo tempo de recombinao. Isto implica que um GTO, tem
uma maior queda de tenso quando em conduo, comparado a um SCR de
mesmas dimenses;
Suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche, isso
resulta em menor dopagem na camada de catodo;
Existem duas possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas
utilizando apenas uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma
caracterstica lenta de comutao, devido maior dificuldade de extrao dos
portadores, mas suportar tenses reversas na juno J2.
A outra alternativa, mostrada na figura 11, introduzir regies n+ que
penetrem na regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o
terminal de anodo. Isto, virtualmente, curto-circuita a juno J1 quando o GTO
polarizado reversamente. No entanto, torna-o muito mais rpido no desligamento (com
polarizao direta). Como a juno J3 formada por regies muito dopadas, ela no
consegue suportar tenses reversas elevadas. Caso um GTO deste tipo deva ser utilizado
em circuitos nos quais fique sujeito tenso reversa, ele deve ser associado em srie com
um diodo, o qual bloquear a tenso.
32
Figura 11 - Estrutura interna de GTO rpido (sem bloqueio reverso) [3]
2.4.2 Parmetros bsicos do GTO
Os smbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem, embora as grandezas
representadas sejam, quase sempre, as mesmas.
Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas, a
mxima tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no ultrapasse
o dv/dt mximo, aplicvel repetidamente ao GTO;
It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode
circular continuamente pelo GTO;
Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva,
cujo valor instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas
condies;
I2t - Escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com
respeito a um pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos
fusveis de proteo;
di/dt - Taxa de crescimento mxima da corrente de anodo;
33
Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea
permissvel aplicvel juno gate-catodo;
dv/dt - Mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo;
IH - Corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em
conduo mesmo na ausncia de corrente de gate;
IL - Corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em
conduo com o desligamento da corrente de gate;
tgt - Tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da
tenso Vak;
tgq - Tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa
de gate e a queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf);
ts - tempo de armazenamento;
2.4.3 Condies do sinal de gate para chaveamento
Desde que o GTO esteja submetido condies de alto di/dt, necessrio que
o sinal de gate tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico relativamente
elevado.
Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1) para que a tenso
Vak caia a seu valor de conduo direta. conveniente que se mantenha a corrente de
gate durante todo o perodo de conduo, especialmente se a corrente de anodo for
pequena, de modo a garantir o estado "ligado".
A figura 12 ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em
conduo, e tambm para o desligamento.
34
Figura 12 - Formas de onda tpicas do circuito de comando de gate do GTO [3]
Durante o intervalo "ligado", existe uma grande quantidade de portadores nas
camadas centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes
portadores, e ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao
anodo e ao catodo, de modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se
restabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de
crescimento desta corrente relaciona-se com o tempo de armazenamento, ou seja, o
tempo decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da
corrente de anodo. Quanto maior for a derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-
catodo cresce rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de
gate deve ser mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada
neste processo controlada pela prpria construo do dispositivo. Nesta situao, a
tenso Vak cresce e o GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de gate
pode ser mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo.
35
O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa
que, especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s,
envolve a manobra de elevadas correntes.
2.5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia
e elevada impedncia de entrada dos MOSFETs, o IGBT se torna cada vez mais
popular nos circuitos de controle de potncia de uso industrial e at mesmo em
eletrnica de consumo e embarcada.
Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que permitem sua
utilizao no controle de elevadas correntes com muitas vantagens, tais como baixas
perdas no estado de conduo. No entanto, as suas caractersticas de entrada exigem
correntes elevadas de base, j que operam como amplificadores de corrente trazendo
certas desvantagens em algumas aplicaes.
Por outro lado, os transistores de efeito de campo (MOS) de potncia podem
tambm controlar potncias elevadas com muitas vantagens pelo fato de exigirem
tenso para o disparo. Embora sejam dispositivos de alta impedncia, tm como
desvantagem uma baixa velocidade de comutao devida s capacitncias de gate, que
aumentam com a intensidade da corrente (largura do canal) que deve ser controlada. No
entanto, para baixas correntes de conduo atravs do canal, o MOSFET pode operar
com elevadas freqncias.
O IGBT rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua elevada
impedncia de entrada com as pequenas perdas em conduo dos TBP (Transistores
Bipolares de Potncia). Sua velocidade de chaveamento determinada, a princpio, pelas
caractersticas mais lentas, oriundas das caractersticas do TBP. Assim, a velocidade dos
IGBTs semelhante dos TBP, no entanto, nos ltimos anos, tem crescido
36
gradativamente permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de kHz nos
componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres.
Juntando o que h de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT um
componente que se torna cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta
corrente em regime de alta velocidade.
Abaixo, na figura 13, ser apresentado um grfico contendo uma comparao
entre os principais dispositivos semicondutores de potncia, quanto s suas
caractersticas de tenso, corrente e freqncia de operao. Nesta figura, v-se que os
tiristores so os dispositivos que conseguem suportar os maiores valores de corrente e
tenso, mas no podem operar em freqncias de chaveamento elevadas. Como tambm
pode-se ver a partir desta figura, os IGBTs possuem uma capacidade de suportar
maiores tenses e podem operar em mais altas freqncias que os transistores bipolares
de potncia e podem suportar maiores tenses e correntes que os MOSFETs de
potncia. Pode-se notar tambm, a partir desta figura, que a regio de operao segura
do IGBT maior que as regies reservadas ao MOSFET e ao transistor TBP, o que era
desejado. Apesar de mostrado na figura abaixo, os IGBTs atuais j conseguem operar em
tenses de at 6,5kV.
37
Figura 13 - Limites de operao de componente semicondutores de potncia [4]
2.5.1 Operao fsica do IGBT
Na figura 14, ser apresentada a estrutura de um tpico IGBT de canal tipo N.
Todas as discusses apresentadas aqui, esto relacionadas com o dispositivo de canal tipo
N, pois o canal tipo P anlogo e possui uma operao fsica dual aquela apresentada
para o de canal tipo N.
Abaixo da regio da gate, uma camada de inverso pode ser formada a partir da
aplicao de uma certa tenso entre a gate e o emissor, tal como feito em um
MOSFET para faz-lo entrar em conduo.
A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET a
incluso de um substrato P+ (O smbolo + foi colocado para indicar que esta regio
fortemente dopada, enquanto que o smbolo - indica que a regio fracamente
dopada) onde conectado o terminal de coletor. Esta mudana tem como efeito a
incluso de caractersticas bipolares ao dispositivo. Esta camada P+ tem como objetivo
a incluso de portadores positivos (lacunas) na regio de arrastamento como feito em
um transistor bipolar do tipo pnp.
Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de gate est
conectado a duas regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada
isolante de xido de silcio (SiO2), ao invs de ser apenas uma regio como costumamos
ver em MOSFETs. Assim, como ser visto, o IGBT apresenta formao de dois canais
ao invs de apenas um.
38
Figura 14 Estrutura fsica de um IGBT [4]
O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de
conduo (On-state) e corte (Off-state), os quais so controlados pela tenso de gate,
assim como em um MOSFET.
Se aplicarmos uma pequena tenso de gate positiva em relao ao emissor,
a juno J1 da figura anterior, ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir
circular atravs dessa juno. No entanto, a aplicao de uma tenso positiva no
terminal de gate far com que se forme um campo eltrico na regio de xido de silcio
responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de
eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo da gate.
Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos
terminais de gate, no haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a
juno J2 estar reversamente polarizada, bloqueando a corrente. A nica corrente que
poder fluir entre o coletor e o emissor ser a corrente de escape (leakage).
Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de breakdown,
determinada pela tenso breakdown da juno J2. Este um fator extremamente
importante, em particular para dispositivos de potncia onde grandes tenses e
correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown da juno J2 dependente da
poro mais fracamente dopada da juno, isto , a camada N-. Isto se deve ao fato de a
camada mais fracamente dopada resultar em uma regio de depleo desta juno mais
larga. Uma regio de depleo mais larga implica em um valor mximo de campo
39
eltrico na regio de depleo que o dispositivo poder suportar sem entrar em
breakdown mais baixo, o que implica no fato de o dispositivo poder suportar altas
tenses na regio de corte. Esta a razo pela qual a regio N- da regio de arrastamento
mais levemente dopada que a regio tipo P da regio de corpo. Os dispositivos
prticos geralmente so projetados para possurem uma tenso de breakdown entre
600 e 1200V.
Ao aplicarmos uma tenso entre o gate e emissor do dispositivo, fazendo
o gate possuir uma tenso positiva com relao ao emissor, uma corrente de pequena
intensidade e de curta durao circular pelo gate, de forma a carregar a capacitncia
parasita que existe entre o gate e a poro semicondutora logo abaixo do terminal de
gate. Como j foi dito, a tenso faz com que um campo eltrico aparea entre o terminal
de gate e a poro de semicondutor p logo abaixo da gate. Este campo eltrico atrai
alguns eltrons livres da prpria regio tipo p e alguns eltrons livres das pores n+
localizadas dentro desse substrato p, em virtude do fato dessa regio estar fortemente
dopada. Ao aumentarmos a tenso entre o gate e o emissor, conseqentemente,
aumentaremos esse campo eltrico e mais portadores negativos sero atrados para a
regio imediatamente abaixo do terminal de gate.
Quando a tenso entre o gate e o emissor atinge um determinado valor limite,
que depende do dispositivo, conhecida como tenso de limiar (threshold voltage),
simbolizada por Vth, a quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico
tamanha que a regio imediatamente abaixo do gate acaba por se transformar do tipo p
para o tipo n, fenmeno conhecido como inverso, sendo que a camada que sofreu o
processo, recebe o nome de camada de inverso, mais comumente conhecida como
canal.
Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo n entre a pequena
regio n+ e a regio de arrastamento. Tal canal permite a conduo de corrente atravs
de uma pequena regio na juno J1 que estava reversamente polarizada antes de a
tenso entre o gate e emissor atingir o valor limiar. Dessa forma, eltrons sero
transportados atravs deste canal at a regio de arrastamento, onde iro fazer parte da
40
corrente que circula pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo com que o
diodo formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a
camada p+ conectada ao coletor, injeta lacunas positivamente carregadas na regio de
arrastamento n-.
Essa injeo de lacunas da regio de arrastamento causa a modulao da
condutividade da regio de arrastamento, onde as densidades de ambos os portadores,
eltrons livres e lacunas atingam valores muito mais elevados que aquela que a regio n-
geralmente apresenta. esta modulao de condutividade que d ao IGBT sua baixa
tenso de conduo entre os terminais de coletor e emissor, por causa da reduzida
resistncia da regio de arrastamento, isto se deve ao fato de que a condutividade de um
material semicondutor proporcional densidade de portadores deste material. Assim,
o IGBT poder drenar correntes elevadas com poucas perdas de potncia, assim como
que ocorre em um transistor bipolar.
Algumas das lacunas injetadas na regio n- so recombinadas nesta mesma
regio com os eltrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que
alcanam a regio no se recombinam e alcanam a juno J2 que est reversamente
polarizada. Assim, as lacunas encontram um campo eltrico favorvel ao seu
movimento, justamente por causa da polarizao reversa da juno. Com este campo
eltrico da juno J2, as lacunas sero arrastadas por meio da corrente de difuso pela
regio de arrastamento atravessando a juno J2, at serem coletadas pela regio do tipo
p onde est conectado o terminal de coletor.
A operao fsica do IGBT descrita aqui ilustrada na figura 15, apresentada
abaixo:
41
Figura 15 Esquema da operao fsica de um IGBT [4]
Analisando a figura acima, e verificando como a operao fsica do IGBT,
pode-se facilmente deduzir um modelo para descrever o funcionamento do dispositivo
usando apenas componentes eletrnicos, conectados de forma a funcionar de modo
equivalente ao IGBT. Olhando a figura acima, v-se que tem-se ao longo do dispositivo
trs fatias de semicondutores formando uma juno PNP, que a mesma que forma um
transistor bipolar de potncia cuja base conectada regio central e os terminais de
coletor e emissor so conectados do mesmo modo que no TBP. Na parte de cima da
figura, temos uma estrutura que opera exatamente como um MOSFET de potncia cuja
corrente de dreno injetada na regio de arrastamento, que corresponde base do
transistor PNP de potncia que temos ao longo do IGBT. Essa corrente de dreno do
MOSFET atua como o disparo do transistor. Assim, podemos modelar o IGBT pelo
circuito equivalente da figura 16 abaixo.
42
Figura 16 (a) Um circuito equivalente simples para o modelamento do IGBT.
(b) Um modelo equivalente mais completo usando os transistores que modelam o efeito
do tiristor parasita [4]
A figura 16 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito equivalente
do IGBT que inclui o transistor parasita pela regio tipo n+ da fonte do MOSFET, a
regio de corpo do MOSFET do tipo p e a regio de arrastamento tipo n-. Neste
modelo tambm apresentada a resistncia lateral da regio tipo p da regio de corpo.
Se a corrente fluindo atravs dessa resistncia for elevada o suficiente, teremos uma
queda de tenso que ir polarizar diretamente a juno entre esta camada semicondutora
e a regio n+ ativando o transistor parasita, que forma um tiristor parasita juntamente
com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT. Uma vez que o tiristor tenha
sido disparado, h uma elevada injeo de eltrons livres oriundos da regio tipo n+ na
regio tipo p do substrato do MOSFET, fazendo com que a tenso de gate no influa
mais na operao do dispositivo, assim como ocorre com os tiristores, fazendo com que
o controle da operao do IGBT seja perdido. Este fenmeno, denominado latch-up,
quando ocorre, geralmente conduz destruio do dispositivo. Normalmente, os
fabricantes de IGBT constroem o molde da superfcie do emissor em forma de uma tira
43
estreita, enquanto que a geometria utilizada em MOSFETs baseada em clulas
concentradas. Tal fato permite que se evite o disparo do tiristor parasita existente na
estrutura do IGBT.
Na figura 17, apresentada a seguir, temos o smbolo utilizado em circuitos para
designar o IGBT. Neste smbolo, vemos detalhes que lembram tanto o smbolo usado
para transistores bipolares como o smbolo usado para MOSFETs.
Figura 17 Smbolo utilizado para designar o IGBT [4]
Os IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em
conversores de freqncia, inversores etc. Nestas aplicaes, normalmente uma carga
indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas elevadas,
contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteo feita com o uso de
diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor, para evitar que uma elevada
tenso reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente, o fluxo de
corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga
armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tenso. Isso
faz com que aparea uma corrente que se soma corrente de carga a qual chamada de
corrente reversa de recuperao do diodo IRR. O mximo de corrente IRR ocorre
quando a soma das tenses instantneas sobre o IGBT e o diodo, se iguala tenso de
alimentao. Quando o IGBT desliga, o resultado uma variao de corrente, e isso faz
com que o pico de sobretenso aparea devido variao de corrente nas indutncias
parasitas.
44
Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo
dispositivo de comutao o Efeito Miller.
O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletor-emissor
(VCE) atravs da capacitncia existente entre o gate e o coletor do dispositivo (CGC).
Isso quer dizer que uma variao da tenso entre o coletor e emissor (VCE) tem
o mesmo efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao, onde a
intensidade desta corrente dada pela expresso:
( )
t
ce
ce gc g
V
V C I

=
Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso entre
coletor e emissor. As maiores variaes de CCG ocorrem justamente com pequenas
tenses entre emissor e coletor. Em conseqncia disso temos explicaes para alguns
comportamentos do IGBT:
Quando o IGBT liga (turn-on), partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou
negativo, com uma corrente constante carregando o gate, um aumento linear da tenso
de gate obtido.
Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE, a corrente de polarizao
de gate usada para carregar CGC, e a tenso de gate permanece constante.
Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de
valor de tal forma que, uma pequena variao de VCE suficiente para levar a um
aumento da corrente de gate. Somente quando a corrente necessria carga se reduz
novamente que a tenso de gate aumenta.
Quando o IGBT desliga, partindo de Vce baixa, VGE positiva ou maior que a
tenso limiar Vth, a tenso de gate inicialmente decresce quase que linearmente (pela
fonte de corrente constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o aumento
45
da carga aumenta a tenso. Como existe uma fonte de polarizao que est drenando
corrente do gate, a tenso gate-emissor se mantm constante.
Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga do
gate usada para manter a tenso de gate constante. O processo de carga termina
quando VCE alcana a tenso de operao.
devido ao Efeito Miller que a corrente de gate durante a comutao (ligado
ou desligado) usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque,
carregando ou descarregando, o gate tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser
mencionado que as mudanas de CGC e VCC regulam por si prprias de tal forma que
apenas a corrente disponvel no gate usada. Isso esclarece porque um resistor de
grande valor ligado em srie com o gate faz com que todos os eventos que envolvam a
comutao de uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado.
2.6 Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT)
O IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) um dispositivo surgido no
final da dcada de 90 e pode-se dizer que um tipo de GTO onde o circuito de gatilho
integrado chave, permitindo assim maior velocidade de chaveamento, e,
consequentemente reduzindo o tempo em que a chave fica na regio instvel durante o
transitrio de desligamento. Um IGCT tpico mostrado na figura 18 abaixo, onde se
destacam o GCT e seu circuio de acionamento integrado.
46
D1
C
d
L
s
D3 D5
V
d
R
load
a
b
i
a
I
d
n
Figura 18 Smbolo utilizado para designar o IGBT [10]
2.7 Retificadores a Diodo
Nesta seo, ser feita uma abordagem dos retificadores a diodo, visto que o
enfoque principal deste trabalho detalhar o CFW-09, mas como a retificao deste
equipamento feita atravs de pontes de diodos, uma anlise mais criteriosa se faz
necessria tambm. Alm disso, tambm ser feita uma breve anlise sobre os
retificadores a IGBTs.
Um retificador tem a funo de converter tenses e correntes alternadas (CA)
em tenses e correntes contnuas (CC). O objetivo dessa converso gerar uma tenso
CC no capacitor, que ser posteriormente invertida pelo inversor de forma controlada
para a realizao da funo requerida, o controle do motor de induo. [5]
Esta converso pode ser obtida com um circuito eletrnico formado por trs
pernas de diodos, conforme figura 19 abaixo.
47
Figura 19 Retificador trifsico a ponte de diodo
Comeando por uma anlise de um circuito ideal, ser assumido que o valor da
indutncia do lado CA nula e que o capacitor e o resistor do lado CC sero
substitudos por uma fonte de corrente continua constante Id. Com isso, chega-se ao
retificador da figura 20.
48
D1 D3 D5
D4 D6 D2
v
d
I
d
I
d
n
a
b
c
P
N
Figura 20 Retificador trifsico ideal com fonte de corrente contnua
Neste circuito, a corrente Id flui sempre atravs de um diodo do grupo de cima
(D1, D3 ou D5) e um do grupo de baixo (D2, D4 ou D6). O diodo do grupo de cima
que estiver com o anodo em maior potencial, conduzir, enquanto os outros dois
estaro em estado de bloqueio. J para o grupo de baixo, o diodo que estiver com o
catodo em menor potencial, conduzir, enquanto os outros estaro bloqueados.
A forma de onda da tenso Vd, do circuito da figura 19, mostrada na figura 20,
onde VPn a tenso no ponto P com relao ao ponto neutro n do lado CA.
Similarmente, VNn a tenso no ponto negativo N do lado CC. A qualquer momento,
VPn e VNn podem ser obtidos em termos de uma tenso de entrada CA, que pode ser
igual a Van, Vbn ou Vcn, dependendo dos diodos em conduo. Aplicando-se a Lei de
Kirchhoff no circuito da figura 20, a tenso do lado CC ser dada pela seguinte equao:
Vd=VPn-VNn
49
Com isso, na figura 21 abaixo, tem-se a forma de onda do circuito da figura 20:
50
wt
V
L
L
2
V
d
0
V
d0
wt
V
an
V
bn V
cn
V
Pn
V
Nn
Figura 21 Formas de onda do circuito da figura 20
A forma de onda instantnea de Vd consiste em seis segmentos por ciclo de
linha de frequncia. Cada segmento pertence uma das seis combinaes de tenses de
linha, como pode ser visto na figura 22, e cada diodo conduzir por 120.
Figura 22 Formas de onda do circuito da figura 19
O valor mdio Vd0 da tenso Vd funo da tenso de linha na entrada do
retificador, dada pela expresso:
51
120
120
D4
D1 60
D4
D1
wt
D3
D6
D3
D6
D2
D5
D2
D5
D5
i
a
i
b
i
c
wt
wt
0
0
0
LL LL d
V V V = 35 , 1 2
3
0

Na prtica, a obteno de uma tenso constante e igual a Vd0 no lado CC est

condicionada a uma escolha adequada do capacitor que compe o link CC, a fim de
minimizar o ripple na tenso. Quanto maior for o valor do capacitor, maior ser sua
capacidade de armazenamento de energia e, portanto, menor ser o ripple ao redor do
valor mdio Vd0.
Considerando a forma de onda da corrente da fase a, para o circuito da figura
20, chega-se a:
ia= Id, quando o diodo 1 est conduzindo;
ia= -Id, quando o diodo 4 est conduzindo;
ia= 0, quando nem o diodo 1 ou o diodo 4 esto conduzindo;
A comutao da corrente de um diodo para o prximo instantnea, baseado
na premissa de que Ls=0.
Os diodos so numerados na figura 23 de acordo com sua ordem de entrada em
conduo:
52
Figura 23 Formas de onda do circuito da figura 20
Os resultados acima foram obtidos considerando-se um circuito ideal. Em
circuitos reais sempre existir impedncia Zs, e, por isso, na entrada do retificador,
aparecero tenses com contedo harmnio
1 6 n
, j que este um retificador 6
pulsos. Conforme ser visto na seo 2.10, o espectro harmnico poder ser melhorado
utilizando-se retificadores multipulsos, ou seja, 12, 18 ou 24 pulsos. Esse tipo de
retificao conseguida, utilizando-se um transformador especial na entrada do
retificador.
A potncia dos transformadores em questo definida segundo a equao
abaixo:
conversor sada al no conversor sada al no al no trafo
I V S
_ _ min _ _ min min _
3 =
Para um retificador a 12 pulsos, utiliza-se um transformador com duplo
secundrio, sendo que um enrolamento conectado em delta em fase com o primrio e
o outro conectado em estrela com defasagem de 30 em relao ao primrio. O
ponto neutro do enrolamento em estrela no conectado a nenhum ponto e, portanto,
no deve existir ponto de conexo disponvel.
Para um retificador a 18 pulsos, utiliza-se um transformador com triplo
secundrio, sendo que o primeiro enrolamento conectado em delta, em fase com o
primrio, o segundo enrolamento conectado em delta estendido (eletricamente),
defasado de + 20 em relao ao primrio e o terceiro enrolamento conectado em
delta estendido (eletricamente), defasado de 20 em relao ao primrio.
53
Para o retificador a 24 pulsos, utiliza-se um transformador com dois duplos
secundrios, sendo que o primeiro enrolamento conectado em delta, defasado de +
7,5 em relao ao primrio, o segundo enrolamento conectado em delta defasado de
7,5 em relao ao primrio, o terceiro enrolamento conectado em zig-zag, defasado
de + 22,5 em relao ao primrio e o quarto enrolamento conectado em zig-zag
defasado de + 37,5 tambm em relao ao primrio.
O retificador a diodo que compe a verso bsica do CFW-09 propicia um
fluxo de potncia cujo sentido vai do lado CA para o lado CC, tendo em vista que os
diodos no conduzem correntes no sentido inverso.
Entretanto, o modelo CFW-09RB (onde RB significa Regenerative Braking)
possui a funo de retificao regenerativa, na qual a rede alimentadora do conversor
pode receber energia em vez de entreg-la, em um fluxo reverso de potncia. O
retificador deste tipo de conversor, portanto, no pode ser composto por diodos, mas
sim por IGBTs.
Com os IGBTs no lugar dos diodos, o retificador pode operar nos quatro
quadrantes da caracterstica v x i, fornecendo ou recebendo potncia. No caso do fluxo
de potncia se dar do lado CA para o lado CC (motorizao), o ngulo entre os fasores
das tenses de fase e das correntes de linha no lado CA inferior a 90; durante a
regenerao, a defasagem angular superior a 90.
A ttulo ilustrativo, a figura 24 apresenta um exemplo de formas de onda da
tenso e da corrente na fase a de um retificador que pode trabalhar em regime
regenerativo, em funo do ngulo de disparo de suas chaves.
54
Figura 24 Motorizao e regenerao de retificadores
Mais detalhes sobre o conversor regenerativo CFW-09RB, incluindo seu
esquema bsico, podem ser encontrados no item 2.10.
2.8 Inversores
Retificadores a diodo proporcionam tenso CC constante. Para que se possa
produzir uma tenso CA, controlada em magnitude e freqncia, utiliza-se o controle
PWM (Pulse Width Modulation). Neste tipo de tcnica, necessrio o controle sobre a
insero e a retirada das chaves do circuito. Isto no possvel com tiristores, mas sim
com IGBTs.
De maneira simplificada, este tipo de tcnica de inverso PWM pode ser
entendida com a figura 25, abaixo:
V
an
wt
I
a1
V
an
= 0
I
a1
I
a
V
an
I
a1
= 60

wt
V
an
I
a1 = 120

wt
55
Vd/2
Vd/2
N
V
AN
TA+
TA-
A
V
s
V
t
t
0
Figura 25 Meia ponte conversora de tenso
A meia ponte mostrada na figura acima composta por TA+ e TA-, que so
comumente IGBTs, como no CFW-09.
composta tambm por um diodo em anti-paralelo com TA+ e outro diodo,
em anti-paralelo com TA-, onde o prefixo anti indica que o sentido de conduo do
diodo contrrio ao dos IGBTs.
Uma forma de criar o controle PWM com a comparao ente duas formas de
onda, por exemplo uma senoidal e outra triangular (PWM seno-tringulo), conforme
mostra a figura 26.
56
Vd/2
Amplitude
Figura 26 PWM seno-tringulo
Na figura anterior, a tenso de controle Vs tem frequncia fundamental, f1,
enquanto a onda triangular Vt tem frequncia fs (em geral na faixa dos kHz).
Tipicamente, definem-se os fatores de amplitude (ma) e de frequncia (mf), dados pelas
expresses:
peak t
peak s
a
v
v
m
,
,
=
1
f
f
m
s
f
=
Na figura 27 abaixo, tem-se o espectro harmnico da tenso de sada VA0 para
as condis de ma=0,8 e mf=15:
Figura 27 Espectro Harmnico do PWM Seno-tringulo [8]
O valor de ma est relacionado componente fundamental da tenso de sada
pela expresso
2
0
d
a A
V
m v = , enquanto mf define os harmnicos presentes em VA0. A
figura 28 apresenta um exemplo da tenso de sada para ma = 0,8 e mf = 15.
57
V
s
<V
t
V
A0
t 0
V
s
>V
t
Vd/2
Vd/2
0
TA+
TA-
A
+
-
+
-
Vd
+
-
DA+
DA-
TB+
TB-
B
DB+
DB-
TC+
TC-
C
DC+
DC-
i
d
Figura 28 Tenso de sada e seu contedo harmnico
Para o caso de Vs<Vt, o TA- estar fechado e TA+ estar aberto. J no caso de
Vs<Vt, TA+ estar fechado e TA- estar aberto. A obteno da componente
fundamental VA0 feita mediante o uso de um filtro passa-baixas um circuito LC, por
exemplo. O inversor trifsico, mostrado na figura 29, semelhante ao caso monofsico
apresentando, estendendo-se o conceito da tenso de controle a trs tenses vsa, vsb e vsc,
conforme mostra a figura 30.
Figura 29 Inversor trifsico
58
Figura 30 Tenses de controle trifsicas
O chaveamento dos IGBTs que compem os inversores pode ser feito com
vrias outras tcnicas alm do PWM senoidal apresentado anteriormente, visando a
reduo do contedo harmnico presente na sada CA. Duas dessas alternativas so
apresentadas para a concluso deste captulo do trabalho.
Uma alternativa interessante para cargas com neutro isolado como tpico
em casos de acionamentos de motores o Space-Vector PWM, baseado no conceito do
vetor espacial V , de mdulo Vm e com velocidade angular , formado a partir das
tenses de fase da carga:
( )

+ =

=
=
3
2
cos
3
2
cos
cos

t V v
t V v
t V v
m c
m b
m a
Uma ponte inversora trifsica possui 8 combinaes diferentes de estados de
suas chaves, que produzem tenses diferentes de sada, incluindo os estados-zero,
quando as chaves 1, 3 e 5 ou 2, 4 e 6 esto em conduo e as tenses nas trs fases so
nulas. A idia controlar os vetores espaciais de modo a gerar tenses PWM com
contedo mnimo de harmnicos.
59
Outra alternativa para a reduo de harmnicos o PWM com eliminao de
harmnicos especficos. Nesta tcnica, cria-se deliberadamente notches de tenso na
forma de onda quadrada, em ngulos de disparo determinados previamente, conforme
mostra a figura 31.
Figura 31 PWM com eliminao de harmnicos especficos [6]
Quanto maior o nmero de notches criados na onda quadrada, mais
harmnicos so eliminados do espectro de frequncias da tenso de sada. A
determinao dos ngulos de disparo feita a partir da srie de Fourier da onda
quadrada, dada pela expresso:
( ) ( ) t n b t n a t v
n
n
n
+ =

=
sin cos ) (
1
Considerando a presena somente dos harmnicos mpares (simetria em um
quarto de ciclo), tem-se:
60

=
2
0
) ( ) sin( ) (
4

t d t n t v b
n
Com o disparo de k chaves (notches), e levando em conta uma onda quadrada
entre os valores +1 e -1, bn passa a valer:

+ =

=
k
j
j
j
n
n
n
b
1
) cos( ) 1 ( 2 1
4

A expresso acima contm k variveis (1, 2,..., k), permitindo a eliminao

de k-1 harmnicos.
2.9 Acionamentos de Motores de Induo
Para um melhor entendimento de como funciona o acionamento de motores de
induo atravs de inversores de frquncia, ser feita uma breve anlise do
funcionamento de um motor de induo.
Para anlise de funcionamento, pode-se considerar o motor de induo como
um transformador, onde o enrolamento primrio deste formado pelo estator e o
enrolamento secundrio pelo rotor. O proprio nome motor de induo se deve ao
fato de que toda a energia requerida pelo rotor para gerao de torque induzida pelo
primrio do transformador (estator) no secundrio (rotor).
Como existem dois campos magnticos, um no estator e outro no rotor,
aparecer uma fora entre o rotor e o estator que far com que o rotor gire, j que o
nico que pode se movimentar, pois est montado sobre rolamentos, disponibilzando
assim energia mecnica (torque) no seu eixo.
Para facilitar esta anlise, trs casos sero demonstrados a seguir:
61
1) Neste caso ser considerado um motor de dois polos com o rotor
bloquedo, isto significa que atravs de algum dispositivo mecnico impediremos que o
eixo do motor (rotor) gire. Nesta condio, se aplicarmos tenso trifsica de 60Hz nos
terminais do bobinado do estator, este produzir um campo magntico girante com
velocidade de 3600rpm. As linhas de induo deste campo magntico cortaro as
espiras do rotor com velocidade mxima induzindo assim a mxima tenso nas espiras
do rotor, e como estas esto em curto-circuito, circular tambm a mxima corrente por
elas. Como toda a energia produzida no rotor tem de ser induzida pelo estator, circular
no bobinado do estator uma corrente elevada (seis a oito vezes maior que a corrente
nominal do motor).
Se esta condio for mantida por mais do que alguns segundos, os fios do
bobinado do estator iro esquentar de forma indevida, podendo at danific-lo, pois no
foram projetados para suportar esta corrente por um perodo de tempo grande.
2) Neste caso ser suposto que o rotor ir girar exatamente velocidade de
3600rpm. Assim as linhas de induo do campo magntico girante produzidas pelo
estator no cortaro as espiras do rotor, pois os dois esto girando com a mesma
velocidade. Sendo assim, no haver tenso induzida, nem corrente, nem gerao de
campo magntico. Para produo de energia mecnica (torque) no motor necessria a
existncia de dois campos magnticos, sendo assim, no haver torque no eixo do
motor.
3) Neste caso, vamos supor que, nas mesmas condies do caso dois, baixamos a
velocidade do rotor do motor para 3550rpm. O campo magntico girante tem uma
velocidade de 3600rpm, assim que as linhas de induo do campo magntico girante
do estator cortaro as espiras do rotor com uma velocidade de 50rpm, produzindo
uma tenso e uma corrente induzida no motor. A interao entre os dois campos
magnticos, o do estator e o do rotor, produzir uma fora, que pela sua vez produzir
torque no eixo do motor. A diferena entre a velocidade sncrona e a velocidade do
rotor conhecida como escorregamento.
62
De posse destas trs condies, pode-se imaginar o que acontece na prtica com
o motor de induo:
Na partida acontece algo similar ao descrito no caso 1, mas na prtica a
diferena do rotor bloqueado deste caso que o motor de induo pode girar
livremente. Sendo assim, circular no bobinado do estator uma corrente de seis a oito
vezes maior que a corrente nominal do motor, que diminuir a medida que a velocidade
do motor aumente.
Quando a velocidade do rotor se aproxima da velocidade sncrona, caso 2, o
torque produzido diminuir, fazendo diminuir tambm a velocidade do rotor. Existir
ento um ponto de equilbrio ente a carga do motor e a velocidade do rotor, caso 3.
Se a carga no eixo do motor aumenta, a velocidade do rotor tender a diminuir
e o escorregamento a aumentar. Se o escorregamento aumenta, a velocidade com que as
linhas de induo do campo magntico do rotor cortam o estator aumentar,
aumentando tambm a tenso e corrente induzidas no rotor. Se a corrente maior, o
campo magntico gerado por esta tambm ser maior, aumentando assim o torque
disponvel no eixo do motor, chegando novamente em uma condio de equilbrio. Se o
torque requerido pela carga maior que o nominal do motor, e se esta condio
mantida por muito tempo, a corrente do motor ser maior que a nominal e o motor
sofrer danos.
2.10 Configuraes Alternativas para Reduo do Nvel Harmnico
A configurao da retificao a 6 pulsos pode nem sempre atender aos limites impostos
pela IEEE 519, podendo no ser adequado e satisfatrio no que diz respeito ao nvel de
distoro harmnica apresentada por um sistema como esse, pois surgem harmnicas da
ordem 1 6 n .
Abaixo tem-se algumas alternativas para a reduo do nvel de harmnica:
63
Configurao 12 pulsos:
Com este tipo de soluo, reduz-se consideravelmente o nvel de distoro
harmnica, mas muito importante observar que com essa soluo, ser necessrio
instalar a bordo do navio um grande transformador defasador, com duplo secundrio,
para cada inversor de freqncia. O circuito tpico de potncia mostrado abaixo, na
figura 32:
Figura 32 Circuito tpico de potncia Retificador 12 pulsos [1]
A forma de onda aceitvel nesta soluo, mas o nvel de distoro harmnica
na corrente (THD-I), da ordem de 10 a 15%, continua sem atender s normas das
sociedades classificadoras, a menos que consideraes especiais sejam tomadas, o que
pode tornar o sistema extremamente dedicado, demandando equipamentos que no
esto sempre disponveis no mercado, ou ainda, pessoal extremamente bem treinado
para lhe dar com este tipo de equipamento. A figura 33 abaixo, mostra como so as
formas de onda da corrente no primrio do transformador defasador para esta soluo:
64
Figura 33 Forma de onda da corrente no primrio do transformador
defasador [1]
Configurao 18 pulsos:
Este tipo de soluo requer um transformador defasador com triplo secundrio,
extremamente grande. Os nveis de distoro harmnica (THD) so aceitveis pelas
sociedades certificadoras, mas devido ao espao requerido para instalao deste tipo de
transformador e o inversor de freqncia, uma anlise a fundo precisa ser feita para
verificar se esta soluo tem o melhor custo-benefcio. Abaixo, na figura 34, tem-se o
circuito tpico de potncia:
65
Figura 34 Circuito tpico de potncia Retificador 18 pulsos [1]
Abaixo, na figura 35, tem-se a forma de onda da corrente no primrio do
transformador defasador:
Figura 35 Forma de onda da corrente no primrio do transformador
defasador [1]
Para a soluo 12, 18 e 24 pulsos, o custo dos grandes transformadores
defasadores deve sempre ser levado em considerao, devido ao elevado valor.
Por exemplo, o valor de um transformador defasador com duplo secundrio
corresponde a aproximadamente 25% do painel de um invesor 12 pulsos para acionar
66
um motor de 2000kW. O tamanho bastante elevado outro ponto que deve ser
observado, uma vez que para cada inversor de freqncia usado um transformador.
Outro ponto importante para ser relembrado o fato que, tenses
desbalanceadas na gerao principal podem elevar o nvel de distoro harmnica THD,
afetando a confiana do sistema.
Para este caso, com soluo 18 pulsos, o nvel de distoro harmnica na
corrente (THD-I), por volta de 8%.
Alm dos inversores de frequncia 6, 12 e 18 pulsos, a WEG possui outro
sistema com alto nvel de confiana, o Inversor Regenerativo ou Active Front End
(AFE).
Com esta soluo, o nvel de distoro harmnica (THD) requerida pelas
sociedades certificadoras alcanado facilmente, alm do fato de no ser necessrio
nenhum tipo de transformador para o inversor de freqncia.
A figura 36 abaixo, mostra a configurao tpica de um inversor de freqncia
regenerativo ou AFE:
Figura 36 Circuito tpico de potncia Inversor Regenerativo [1]
Para este tipo de soluo, a forma de onda e o nvel de harmnica so aceitveis
em todas as normas internacionais, inclusive as navais, tendo em vista a aplicao do
filtro de entrada para eliminao dos harmnicos rede alimentadora.
67
Abaixo, na figura 37, tem-se a forma de onda da corrente na entrada do
inversor de frequncia:
Figura 37 Forma de onda da corrente na entrada do inversor de frequncia [1]
Para efeito de ilustrao, abaixo, na figura 38, tem-se uma figura de um painel
de inversor de frequncia regenerativo refrigerado a gua, com grande utilizao em
embarcaes atuais:
68
Figura 38 - Inversor de frequncia Active Front End 1500kW / 690V para
acionamento de um propulsor principal de uma embarcao Platform Supply Vessel,
PSV 3000 [1]
69
C CA AP P T TU UL LO O 3 3
DESCRIO DO CFW-09
Antes de apresentar as caractersticas gerais do CFW-09, conveniente
descrever duas de suas principais tecnologias: Vectrue Technology e Optimal Braking,
relacionadas respectivamente ao tipo de controle do motor e frenagem,
respectivamente.
3.1 Controle do Motor
3.1.1 Controle escalar
O funcionamento dos inversores de freqncia com controle escalar est
baseado numa estratgia de comando chamada V/f constante, que mantm o torque
do motor constante, igual ao nominal, para qualquer velocidade de funcionamento do
motor.
O estator do motor de induo possui um bobinado trifsico como mostrado
na figura 39 abaixo. Este bobinado tem dois parmetros que definem suas
caractersticas: Um deles a sua resistncia Ohmica R (Ohm) e o outro a sua
indutncia L (Henry). A resistncia depende do tipo de material (cobre) e do
comprimento do fio com o qual realizado o bobinado. J a indutncia depende
fundamentalmente da geometria do bobinado e da interao com o rotor.
70
Figura 39 Bobinado trifsico de um motor de induo [7]
Fazendo uma anlise muito simplificada, podemos dizer que a corrente que
circular pelo estator do motor ser proporcional ao valor da resistncia R e ao valor
da reatncia indutiva XL, que dependente da indutncia L e da frequncia f. Assim
temos:
.f.L 2. = X
L
e
1/2 2
L
2
) X V/(R I + =
Para valores de frequncia acima de 30Hz o valor da resistncia muito
pequeno quando comparado com o valor da reatncia indutiva, desta maneira podemos,
nesta aproximao, e para um mtodo de controle simples como o escalar, desprez-la.
Assim teremos que o valor da corrente ser proporcional a tenso de alimentao V,
indutncia L e frequncia f. O valor da indutncia L uma constante do motor, mas a
tenso e a frequncia so dois parmetros que podem ser controlados pelo inversor de
frequncia. Assim, se para variar a velocidade do motor de induo temos que variar a
71
frequncia da tenso de alimentao, a estratgia de controle V/f constante varia a
tenso proporcionalmente com a variao da frequncia de alimentao (e da reatncia
indutiva) do motor para obter no estator uma corrente constante da ordem da corrente
nominal do motor, como mostra a equao e a figura 40:
72
Figura 40 Grfico Corrente x Frequncia [7]
Como se pode observar na figura 40, acima de 60Hz a tenso no pode
continuar subindo, pois j foi atingida a tenso mxima (tenso de rede). assim que a
partir deste ponto a corrente, e consequentemente o torque do motor, diminuiro. Esta
regio (acima dos 60Hz) conhecida como regio de enfraquecimento de campo. A
figura 41 a seguir, mostra o grfico do torque em funo da frequncia, onde fica em
evidncia este comportamento.
73
Figura 41 Grfico Torque x Frequncia [7]
Para frequncias abaixo de 30Hz, o termo correspondente a resistncia R do
estator, que foi desprezado anteriormente, comea a ter influncia no clculo da
corrente. assim que, para baixas frequncias, mantendo-se a proporcionalidade entre a
frequncia e a tenso, a corrente e consequentemente o torque do motor diminuem
bastante. Para que isto seja evitado, a tenso do estator em baixas frequncias deve ser
aumentada atravs de um mtodo chamado compensao I x R, conforme figura 42 a
seguir:
74
Figura 42 Compensao I x R [7]
Podemos deduzir assim que o controle escalar em inversores de frequncia
utilizado em aplicaes normais que no requerem elevada dinmica (grandes
aceleraes e frenagens), nem elevada preciso e nem controle de torque. Um inversor
com controle escalar pode controlar a velocidade de rotao do motor com uma
preciso de at 0,5% da rotao nominal para sistemas sem variao de carga e de 3% a
5% com variao de carga, de 0 a 100% do torque nominal. Pelo princpio de
funcionamento e aplicao, so utilizados na maioria das vezes motores de induo
convencionais sem nenhum sistema de realimentao de velocidade (tacogerador de
pulsos acoplado ao motor) em malha fechada. A faixa de variao de velocidade
pequena e da ordem de 1:10 (ex de 6 a 60Hz).
Com estas caracterticas, o inversor de frequncia escalar o mais utilizado em
sistemas que no requerem alto desempenho. Este apresenta um custo relativo menor
75
quando comparado com outros tipos de inversores mais sofisticados, como por
exemplo, o inversor com controle vetorial.
3.1.2 Controle vetorial
Em aplicaes onde se faz necessria um alto desempenho dinmico, respostas
rpidas e alta preciso de regulao de velocidade, o motor eltrico dever fornecer
essencialmente um controle preciso de torque para uma faixa extensa de condies de
operao. Para tais aplicaes os acionamentos de corrente contnua sempre
representaro uma soluo ideal, pois a proporcionalidade da corrente de armadura, do
fluxo e do torque num motor de corrente contnua proporcionam um meio direto para
seu controle.
Contudo, a busca por avanos tecnolgicos significativos tem diminudo esta
hegemonia e gradativamente esto aparecendo opes de novas alternativas, como o uso
de acionamento em corrente alternada do tipo controle vetorial, cujas vantagens esto
explicitadas abaixo:
Elevada preciso de regulao de velocidade;
Alta performance dinmica;
Controle de torque linear para aplicaes de posio ou de trao;
Operao suave em baixa velocidade e sem oscilaes de torque, mesmo
com variao de carga.
No motor de induo, a corrente do estator responsvel por gerar o fluxo de
magnetizao e o fluxo de torque, no permitindo obter um controle direto do torque.
Basicamente, o circuito de potncia do inversor de frequncia vetorial no diferente de
um inversor de frequncia V/f, sendo composto dos mesmo blocos funcionais. No
inversor V/f a referncia de velocidade usada como sinal para gerar os parmetros
tenso/frequncia varivel e disparar os dispositivos de potncia. J o inversor vetorial
76
calcula a corrente necessria para produzir o torque requerido pela mquina, calculando
a corrente do estator e a corrente de magnetizao.
A palavra vetorial est sendo bastante utilizada atualmente para dar nome aos
novos inversores, algumas vezes de maneira no muito apropriada. Vamos tentar
esclarecer um pouco estes conceitos:
Um vetor uma representao matemtica de uma grandeza fsica que possui
magnitude e direo, um exemplo tpico a representao vetorial de uma fora ou uma
corrente eltrica.
Os inversores vetoriais recebem este nome devido aos seguintes fatores:
A corrente que circula no bobinado estatrico de um motor de induo
pode ser separada em duas componentes: Id, ou corrente de
magnetizao (produtora de fluxo) e Iq, ou corrente produtora de
torque;
A corrente total a soma vetorial destas duas componentes;
O torque produzido no motor proporcional ao produto vetorial das
duas componentes;
A qualidade com a qual estas componentes so identificadas e
controladas define o nvel de desempenho do inversor.
Tem-se abaixo uma figura ilustrativa do sistema de coordenadas dq para os
vetores de tenso e corrente:
77
Figura 43 Sistema de coordenadas dq para vetores de Tenso e Corrente [9]
Para calcular estas correntes necessrio resolver em tempo real uma equao
que representa matematicamente o comportamento do motor de induo (modelo
matemtico do motor). Tempo real significa que este clculo tem que ser feito muitas
vezes por segundo, tantas vezes quanto necessrio para poder contolar o motor. por
isso que este tipo de controle requer micropocessadores muito potentes que realizam
milhares de operaes matemticas por segundo.
Para resolver esta equao necessrio conhecer ou calcular os seguintes
parmetros do motor:
Resistncia do estator;
Resistncia do motor;
Indutncia do estator;
Indutncia do motor;
Indutncia de magnetizao;
Curva de saturao.
Muitos inversores vm com estes valores pr-programados para diferentes
motores, outros mais sofisticados utilizam uma rotina de autoajuste para calcular estes
parmetros, caracterstica muito til quando so utilizados motores rebobinados ou j
existentes.
O controle vetorial representa, sem dvida, um avano tecnolgico
significativo, aliando as performances dinmicas de um acionamento CC e as vantagens
de um motor CA. Porm, em alguns sistemas que utilizam controle vetorial
78
necessrio o uso de um encoder (tacogerador de pulsos) acoplado ao motor para que se
tenha uma melhor dinmica, o que torna o motor especial. Sendo assim, podemos dizer
que existem dois tipos de implementao de inversores vetoriais: o inversor sensorless
(sem sensores) e o inversor com realimentao por encoder (controle orientado pelo
campo).
O inversor com realimentao por encoder capaz de controlar a velocidade e
o torque no motor, pois calcula as duas componentes da corrente do motor. Estes tipos
de inversores conseguem excelentes caracterticas de regulao e resposta dinmica,
como por exemplo:
Regulao de velocidade de 0,01%;
Regulao de torque de 5%;
Faixa de variao de velocidade de 1:1000;
Torque de partida de 200% mx;
Torque mximo no contnuo de 200%.
O inversor sensorless tem um grau de desempenho menor que o anterior, mas
superior ao inversor V/f. A seguir, alguns valores tpicos para estes inversores:
Regulao de velocidade de 0,3%;
Regulao de torque de 5% (*);
Faixa de variao de velocidade de 1:100;
Torque de partida de 150% mx;
Torque mximo no contnuo de 150%.
(*) a regulao de torque somente possvel para rotaes acima de uma
determinada frequncia estatrica, que tipicamente 3Hz.
79
3.2 Frenagem
O inversor de frequncia da WEG, pode operar com diferentes tipos de
frenagem, tais como frenagem reosttica, frenagem CC e a chamada frenagem tima, ou
Optimal Braking. Para aplicaes que exijam tempo de parada reduzidas e / ou paradas
de cargas de elevada inrcia, os inversores tradicionais utilizam-se da frenagem
reosttica.
O conjugado de frenagem obtido atravs da aplicao de inversores de
frequncia sem resistores de frenagem reosttica, varia de 10% a 35% do conjugado
nominal do motor. Para se obter conjugados frenantes maiores, utiliza-se resistores para
a frenagem reosttica. Neste caso, a inrcia cintica da carga regenerativa ao link CC
do inversor e o excesso dissipado sob forma de calor em um resistor de frenagem,
montado externamente ao inversor, interligado ao circuito de potncia do mesmo. Este
tipo de frenagem utilizado em casos que so desejados tempos de desacelerao curtos
ou quando forem acionadas cargas de elevada inrcia.
A frenagem CC obtida atravs da desconexo do estator da rede de
alimentao e da posterior conexo uma fonte de corrente contnua, atravs de
contatores auxiliares. A corrente contnua enviada ao enrolamento estatrico estabelece
um fluxo magntico estacionrio cuja curva de distribuio, tem uma fundamental de
forma senoidal. A rotao do rotor em seu campo produz um fluxo de corrente
alternada no mesmo, o qual tambm estabelece um campo magntico estacionrio com
respeito ao estator. Devido interao do campo magntico resultante e da corrente
rotrica, o motor desenvolve um torque de frenagem cuja magnitude depende da
intensidade do campo, da resistncia do circuito rotrico e da velocidade do rotor.
Os inversores CFW-09 incorporam a funo Optimal Braking para o modo
vetorial, o qual possibilita uma frenagem tima capaz de atender a muitas aplicaes at
ento somente atendidas pela mtodo da frenagem reosttica. Esta inovao tecnolgica
permite obter acionamentos de altas performances dinmicas, com torques frenantes da
ordem de cinco vezes o torque caracterstico de uma frenagem CC, alm da grande
80
vantagem de dispensar o uso do resistor de frenagem. No grfico da figura 44,
comprovam-se as vantagens deste novo mtodo de frenagem Optimal Braking,
assegurando assim uma soluo ideal, otimizada e de custo reduzido para as aplicaes
com frenagem.
Figura 44 Grfico Torque x Rotao [7]
81
3.3 Caractersticas Gerais
Os inversores de freqncia WEG, srie CFW-09, incorporam a mais avanada
tecnologia disponvel mundialmente para acionamento de motores CA de induo
trifsicos. A tecnologia Vectrue representa um avano significativo permitindo nova
gerao de inversores WEG incorporarem em um nico produto, tcnicas de controle
escalar, Vetorial Sensorless e Vetorias com Encoder, sendo facilmente programvel via
parmetro, pelo prprio usurio. Inovaes tambm foram introduzidas para atender
aplicaes que exigam frenagem, onde um novo recurso denominado Optimal
Braking pode ser utilizado sem a necessidade de instalao de resistor de frenagem,
tornando a soluo simples, compacta e mais econmica.
Vectrue Technology Tecnologia desenvolvida pela WEG para inversores
destinados aplicaes de variao de velocidade em motores CA de induo trifsicos,
apresentando as seguintes vantagens:
Controle escalar ou vetorial programveis no mesmo produto;
Controle vetorial com sensorless ou opcionalmente com encoder;
Controle vetorial sensorless permitindo alto torque e rapidez na
resposta, mesmo em velocidades muito baixas ou na partida;
Alto-ajuste adaptando automaticamente o controle vetorial ao motor e
carga.
Vantagens adicionais:
Microcontrolador de alta performance, tipo RISK 32 BITS;
Controle vetorial e escalar selecionvel via parmetro;
Interface Homem-Mquina destacvel com duplo display, LEDs (sete
segmentos) e LCD (duas linhas de dezesseis caracteres), que permite
82
tima visualizao a distncia alm de incorporar uma descrio
detalhada de todos os parmetros de mensagens via display LCD
alfanumrico;
Dimensionamentos para torques constantes e torques variveis;
Grau de proteo NEMA 1 / IP-20 padro at 200CV IP-20 at 500CV e
NEMA 4X / IP-56 em ao inox at 10CV;
Elevada compactao;
Instalao e programao simplificadas;
Posta em marcha (Start-Up) orientado. Inversores de frequencia so
equipamentos destinados ao acionamento de motores de induo, cuja
adaptao e desempenho esto diretamente relacionados s caractersticas
do mesmo, assim como da rede eltrica de alimentao. Os inversores da
linha CFW-09 incorporam um recurso de programao especialemte
desenvolvido com a finaliade de facilitar e agilizar a inicializao da
posta em marcha (Start-Up) do produto, atravs de um roteiro orientado
e automtico, o qual guia o usurio para introduo sequencial das
caracterticas mnimas necessrias a uma perfeita adaptao do invesor
ou motor acionado;
Possibilidade de fixao via flange, com dissipador atrs da placa de
montagem;
Programao e monitorao via micro-computador PC em ambiente
Windows com software SUPERDRIVE (opcional) para parametrizao,
comando e monitorao dos inversores CFW-09. Permite editar
parmetros Online diretamente no inversor ou editar arquivos de
parmetros Offline, armazenados no microcomputador. possvel
armazenar arquivos de parmetros de todos os inversores CFW-09
existentes na instalao. O software tambm incorpora funes para
83
transferir o conjunto de parmetros do microcomputador para o
inversor, como tambm do inversor para o microcomputador. A
comunicao entre o inversor feita via interface serial RS-232 (ponto a
ponto) ou RS-485 para interligao em rede;
Link CC acessvel para alimentao em CC ou retificador regenerativo;
Comunicao FIELDBUS: os inversores CFW-09 podem ser
interligados em redes de comunicao rpidas FIELDBUS atravs dos
protocolos padronizados mais difundidos mundialmente, podendo ser:
PROFIBUS DP (opcional)
DEVICE NET (opcional)
DEVICE NET DRIVE PROFILE (opcional)
MODBUS RTU (software incorporado)
Destinados principalmente a integrar grandes plantas de automao
industrial, as redes de comunicao rpidas conferem vantagens na
superviso, monitorao e controle, Online e total, sobre os
inversores, proporcionando elevada performance de atuao e grande
flexibilidade operacional, caractersticas estas exigidas em aplicaes de
sistemas complexos e / ou integrados. Para interligao em redes de
comunicao do tipo FIELDBUS, PROFIBUS DP OU DEVICE NET,
os inversores CFW-09 permitem incorporar internamente um carto de
rede, de acordo com o protocolo desejado. Para interligao em redes de
comunicao FIELDBUS MODBUS RTU dever ser utilizado
conexo via interface RS-232 (opcional) ou RS-485 (disponvel nos
cartes EBA ou EBB);
Certificaes internacionais UL e Cul, CE, C-Tick e IRAM.
Tipos de montagem:
84
Os inversores CFW-09 permitem montagem flexvel, sendo possvel, alm do
modo de fixao tradicional pela base, tambm o modo de fixao pela flange,
possibilitande desta forma montar o dissipador de calor para atrs da placa de
montagem. Esta opo de montagem resultar um uma canalizao do ar quente gerado
pelos componentes de potncia dentro do painl, facilitando assim sua conduo para
fora do mesmo e ainda permitir minimizar o sobreaquecimento do invesor de corrente
das fontes geradoras de calor perifricas dentro do painel.
No circuito da figura 45, abaixo, tem-se um blocodiagrama do inversor CFW-
09, onde podem ser observados os circuitos de potncia e controle:
85
86
Figura 45 Blocodiagrama CFW-09 [7]
Na parte de potncia, tem-se a tenso de entrada oriunda da rede trifsica que
alimenta uma ponte de retificao. A tenso retificada e filtrada por um banco de
capacitores alimenta a ponte inversora com IGBTs. A tenso resultante e controlada
usada para variar a velocidade do motor de induo.
Na tabela abaixo, figura 46, tem-se as especificaes tcnicas do CFW-09, tais
como, tenso, modelo bsico, transistor para frenagem reosttica, corrente nominal,
modelo adequado para torque constante ou torque varivel e o tipo de mecnica.
87
88
89
Figura 46 Caracterticas tcnica do CFW-09 [7]
Alm do CFW-09, a WEG j disponibiliza para o mercado os modelos CFW-10
e CFW-11.
O CFW-10 geralmente utilizado em aplicaes que necessitem de baixa
potncia e pouca tecnologia incorporada, pois s chega a 10cv de potncia em 220V. A
grande vantagem deste conversor que consegue-se converter tenso de entrada
monofsica em tenso de sada trifsica. utilizado em pequenas bombas dgua e etc.
J o CFW-11 um produto que est em fase inicial, porm em rpida evoluo
e foi criado para substituir o CFW-09. Contempla tecnologia Plug & Play, seus
componente so em blocos com cores diferenciadas de acordo com seus contatos para
que sua montagem e desmontagem seja facilitada, tem entrada USB, tem IHM com
mltiplas linhas, j vem com micro clp incorporado e com bobina no link CC, evitando
a necessidade de uma reatncia de entrada. Atinge a potncia mxima de 220cv em
440V.
3.4 Estatsticas de venda
Para ilustrar o grande crescimento dos inversores CFW-09 no mercado atual,
tem-se abaixo grficos que ilustram este fato:
90
Primeiramente, ser mostrado o grfico da variao de preo do inversor de
frequncia padro da WEG, em 220V, em funo de sua potncia em cavalos.
Inversor 220V - Potncia x Preo
1
4
7
10
13
16
19
22
25
0 20 40 60 80 100 120 140
Potncia (CV)
P
r
e

o

(
p
u
)
Abaixo tem-se o grfico da variao de preo do inversor de frequncia padro
da WEG, em 380V, em funo de sua potncia em cavalos.
Inversor 380V - Potncia x Preo
1
4
7
10
13
16
19
22
25
28
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
Potncia (CV)
P
r
e

o

(
p
u
)
Abaixo tem-se o grfico da variao de preo do inversor de frequncia padro
da WEG, em 440V, em funo de sua potncia em cavalos.
91
Inversor 440V - Potncia x Preo
1
4
7
10
13
16
19
22
25
28
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
Potncia (CV)
P
r
e

o

(
p
u
)
Para se ter uma noo da grande evoluo e introduo deste tipo de
equipamento na indstria nacional, abaixo tem-se o grfico do crescimento de venda do
CFW-09 ao longo de 5 anos, comeando-se pelo ano de 2006.
Crescimento de vendas ao longo de 5 anos
(Acumulado)
0
500.000
1.000.000
1.500.000
2.000.000
2006 2007 2008 2009 2010 2011
Ano
U
n
i
d
a
d
e
s

v
e
n
d
i
d
a
s

a
o

l
o
n
g
o

d
e

5

a
n
o
s
Pela anlise dos grficos acima, podemos concluir que existe uma grande
variao de preo de acordo com a potncia dos inversores e, alm disso, que a projeo
de venda para o futuro bastante promissora, mesmo com a crise mundial instalada no
mercado mundial.
Resumidamente, 1 p.u. corresponde ao preo do CFW-09 de 220V e 1,5 cv, que
no ser mencionado por questes de confidencialidade.
92
93
C CA AP P T TU UL LO O 4 4
APLICAES
4.1 Indstria Naval
Os inversores de frequncia so amplamente utilizados em vrias aplicaes na
indstria naval, seja para acionamento de motores de bombas de carga ou para
acionamento de motores de propulso principal e ou de tnel das embarcaes, fora
outras aplicaes. Como exemplo, podemos citar algumas embarcaes com sistema
eltrico WEG, onde os motores que fazem girar os propulsores azimutais so acionados
com Inversores de Frequncia Regenerativo e refrigerados a gua, os chamados Active
Front End - Water Cooled. Neste caso, o inversor precisa ser refrigerado a gua, pois o
compartimento onde ele instalado no tem um sistema de troca de calor adequado,
ultrapassando os limites de temperatura aceitveis para operao de inversores de
frequncia WEG, refrigerados a ar.
Chegando a potncias relativamente altas em baixa tenso, os inversores de
frequncia da WEG podem acionar motores de at 2500kW em 690V.
Como as plantas eltricas de embarcaes requerem alguns detalhes especiais,
foram criadas sociedades classificadoras que certificam os projetos e inspecionam os
equipamentos presentes na mesma. Aps esse processo, diz-se que o barco classificado,
e adquire um certo grau de confiana por isso. Por este motivo, alguns cuidados com
relao a qual tipo de inversor de frequencia dever ser utilizado tem que ser tomados,
principalente no que diz respeito ao nvel de distoro harmnica que este tipo de
equipamento gera na rede eltrica, ou seja, o nvel de THD (Total Harmonic
Distorcion).
94
Abaixo tem-se uma breve explanao sobre os inversores de frequncia padres
da WEG, 6 pulsos, e seus nveis de THD:
a soluo padro para todos os inversores de freqncia do mercado. O
circuito tpico de potncia mostrado abaixo, na figura 47:
95
Figura 47 Circuito tpico de potncia para inversor padro WEG [1]
Para este tipo de soluo, o nvel de THD muito alto. A forma de onda da
corrente muito afetada como mostrado na figura 48, abaixo:
Figura 48 Forma de onda da corrente na entrada do inversor padro WEG [1]
Seguem algumas caractersticas tcnicas deste tipo de inversor:
400V: 380-480V;
500V: 500-600V;
600V: 660-690V
300 at 2500kW;
Suportam sobrecarga de 110% durante 1 minuto;
96
So plug and play;
Funes de monitaremto e diagnose completa.
O inversor padro da WEG - CFW-09, 6 pulsos, na realidade para rea naval,
utilizado apenas para acionamento dos motores de bombas de carga, ventiladores,
outras cargas com baixa potncia que necessitem de variao de velociadade e no
estejam conectadas diretamente ao barramento principal, pois geram alto nvel de
distoro harmnica e, como geralmente os equipamentos mais sensveis da embarcao
(navegao, GPS, sonares e etc.) esto conectados a ele, as certificadoras no permitem
este tipo de operao.
Quando a carga necessita estar ligada ao barramento principal e tem potncia
elevada, utilizam-se os inversores com retificadores 12, 18 ou 24 pulsos, ou ainda os
inversores regenerativos, pois possuem menor nvel de distoro harmnica do que o
inversor 6 pulsos, no afetando assim, os equipamentos mais sensveis da embarcao.
Dessa forma, o barco classificado pelas sociedades classificadoras sem maiores
problemas.
Para efeito de ilustrao, segue abaixo, a Figura 49 que mostra claramente uma
planta eltrica padro para embarcaes com sistema de propulso Diesel-Eltrica:
97
Fgura 49 Planta eltrica tpica de embarcaes Diesel-Eltricas [1]
Na figura acima, tem-se os quatros grupo-geradores protegidos e controlados
pelo Quadro Eltrico Principal (QEP). O QEP ainda alimenta os motores de propulso
principal e de tunel da embarcao, alimenta os primrios de dois transformadores
abaixadores (redundantes), que por sua vez, atravs de seus secundrios, alimentam o
Quadro Eltrico de Distribuio (QED). O QED alimenta, geralmente, as cargas no
essenciais da embarcao e o Quadro Eltrico de Emergncia (QEE). O QEE
geralmente protege e controla o gerador de emergncia e alimenta algumas cargas no
essenciais tambm.
A primeira embarcao que est navegando com sistema eltrico da WEG o
Saveiro Fragata, um PSV 3000, que conta com os seguintes equipamentos WEG
instalados:
04 x Geradores principais 1375kVA / 690V;
01 x Gerador de emergncia 250kVA / 690V
02 x Motores 600kW / 690V acionados por Soft-Starter SSW06, para
propulso lateral da embarcao;
02 x Motores 1500kW / 690V acionados por Soft-Starter SSW06, para
propulso principal da embarcao;
Quadros Eltricos Principais, de distribuio, de emergncia e de
iluminao;
Sistema de automao Gerenciamento de energia;
98
Sistema de automao Alarmes.
A indstria naval Brasileira est em alta atualemente. Em 2006, teve um
faturamento de US$3 bilhes e foram gerados 36 mil empregos diretos. Tem um futuro
bastante promissor, pois a transpetro ainda tem encomenda para 26 petroleiros, 146
embarcaes de apoio plataforma (PSV) e 28 plataformas para explorao da camada
do pr-sal, todas encomendas provavelmente sero construdas nos Estaleiros
Brasileiros.
4.2 Indstria de Petrleo
Os inversores de frequncia CFW-09 so bastante utilizados em cargas de baixa
potncia para a indstria de Petrleo, tais como pequenas bombas, ventildores e etc. Em
sua grande maioria, as cargas com maiores potncias, que necessitam de vairao de
velocidade, so alimentadas em mdia tenso, da surge a necessidade de se utilizar outra
linha de inversores da WEG, a linha MVW.
Dependendo do tipo de plataforma, uma importante utlizao para acionar os
motores das bombas de combate a incndio, pois geralamente estes motores so
alimentados pelo gerador de emergncia, em baixa tenso, e necessitam de uma partida
suave ou o prprio inversor de frequncia para controle da velocidade do motor, no
exigindo assim, alta demanda de corrente na partida do mesmo, poupando o gerador.
4.3 Indstria de Cana de Aucar
J para a indstria de cana de aucar, os inversores da famlia CFW so utilizads
em praticamente todos os processos para fabricao do alcool.
99
Desde bombas, ventilzadores da caldeira, esteira transportadora, picadores,
desfibrador, moenda, mesa alimentadora, centrfugas, guincho hilo e etc.
Os valores de potcnia e tenso para os inversores de frequncia esto na faixa
de 1cv a 2500cv e 380 a 690V, respectivamente.
4.4 Siderurgia
J para a rea de siderurgia, variadores de velocidade so utilizados para
controle de trens de laminao, mesa de rolos, sistemas de lingotamento, e diversos
outros sistemas deste segmento. Aplicaes como estas tm grande variao de
velocidade e exigem torque contnuo em toda a faixa de operao, por este motivo, at
poucos anos atrs, os acionamentos eram baseados em variadores de velocidade tipo
conversores de tenso, pois, para obter tal resultado de controle, era necessrio a
aplicao de motores de corrente contnua (CC).
Somente com o aparecimento dos inversores de freqncia com controle
vetorial foi possvel a utilizao de motores de corrente alternada (CA), que possuem
baixo custo de compra e operao, quando comparados ao motores de corrente
contnua.
A faixa de potncia nestas aplicaes podem variar bastante, partindo de
motores de 10kW at motores de 5000kW, sendo os de maior potncia, normalmente
em mdia tenso para reduzir a corrente dos mesmos, fator este que define os custos da
instalao e dos acionamentos destes motores. As tenses podem variar de 380Vac
6.6kV.
100
4.5 Veculos Eltricos
No sculo XIX, mais precisamente antes de 1830, a era das mquinas a vapor
imperava no mundo inteiro para fornecer propulso mecnica. A partir daquele ano,
comea a revoluo tecnolgica que chega aos dias de hoje com os veculos eltricos,
algo um tanto quanto impensvel h algum tempo atrs.
Tem-se abaixo, em ordem cronolgica, um resumo da evoluo tecnolgica no
que diz respeito trao dos meios de transporte:
1831 Inveno do motor de corrente contnua;
1834 Carro a bateria no recarregvel, usado em pequenos circuitos;
1851 Carro eltrico a bateria no recarregvel chega a atingir 30km/h;
1859 Primeira bateria de chumbo recarregvel;
1870 Produo de energia por dnamos;
1874 Carruagem movida a bateria;
1885 Carro tipo triciclo movido a gasolina;
1900 4200 carros vendidos (40% a vapor, 38% eltricos, 22% a
gasolina);
1911 Inveno do motor de arranque para motores a combusto;
1960 Ressurge a pesquisa em veculos eltricos devido a poluio dos
veculos combusto;
1970 O cenrio mundial comea a voltar-se em favor dos veculos
eltricos devido ao preo do petrleo;
1980 a 1990 Tremendo avano nos semicondutores de alta potncia e
freqncia de chaveamento viabiliza controle;
101
Situao atual Apelo ecolgico, elevado preo dos combustveis,
elevados nveis de poluio aceleram a pesquisa mundial sobre veculos
eltricos.
Uma das mais importantes razes para se investir e comear a pensar na
utilizao dos veculos eltricos, a utilizao de energia limpa, diferente dos motores
de combusto, que lanam resduos poluentes diariamente no ar, aumentando
efetivamente o aquecimento global:
Atualmente, a rea dos veculos eltricos vem crescendo demais no mundo
inteiro, por isso a WEG no poderia deixar de investir em um mercado to promissor
como este, motivo pelo qual j tem em funcionamento em sua fbrica em Jaragu do
Sul, uma saveiro com trao eltrica . Esse veculo eltrico funciona com um conjunto
de 20 baterias Ltio-Ion de 12Vcc, ligadas em srie, que funciona como elemento
acumulador e fornecedor de energia. Um motor de induo trifsico de 220V e 20cv
converte energia eltrica em mecnica transmitindo trao para as rodas do veculo
atravs da caixa de marchas. Um inversor trifsico de 220V e 45A converte a energia das
baterias em tenso alternada para o motor quando o veculo est em trao. O mesmo
inversor converte a energia eltrica proveniente do motor em tenso CC quando o
veculo est em frenagem. Uma placa PLC embutida no inversor monitora o pedal do
acelerador, freio e embreagem executando as rotinas do software de controle.
Externamente existe ainda um carregador que usado para completar a carga do banco
de baterias sempre que necessrio.
Abaixo, na figura 50, tem-se uma foto da saveiro em questo:
102
Figura 50 - Veculo eltrico WEG [1]
Outro exemplo de veculo eltrico para testes de produtos da WEG o VEW-
T1 (figura 51), que transporta pequenas cargas no ptio fabril da WEG e cuja estrutura
extremamente leve, como pode-se ver na figura 52, abaixo:
103
Figura 51 Veculo VEW-T1 [1]
104
Figura 52 Estrutura leve [1]
Abaixo, na figura 53, tem-se a foto dos tipos de baterias utilizadas, no caso,
baterias Ltio-on:
Figura 53 Baterias Ltio-on [1]
Abaixo, na figura 54, tem-se a foto do inversor de frequncia WEG, especial
para este tipo de aplicao:
Figura 54 Inversor de frequncia especial [1]
105
Abaixo, na figura 55, tem-se a foto do motor de im permanente que foi
utilizado para o veculo VEW-T1. Nota-se que, para este caso, so utilizados motores de
im permanente ao invs de motores de induo. Isso acontece, pois o espao dentro de
um automvel sempre reduzido, e com motores de im permanente, consegue-se
atingir a potncia necessria para a trao do veculo, com o dimensional reduzido:
106
Figura 55 Motor de im permanente [1]
Podemos citar como algumas vantagens dos veculos com trao eltrica, as
seguintes condies:
Soluo compacta;
Eficincia superior a 90%;
Poluio reduzida a valores mnimos;
Perspectivas futuras na rea em questo:
O conjunto ser modular de tamanho e peso semelhante s rodas atuais
porm de preo elevado;
A trao ser puramente eltrica aproveitando 96% da energia
armazenada contra os 30% do motor de combusto interna (MCI);
Os discos de freios sero acionados eletricamente e a regenerao de
energia ir recarregar as baterias;
A suspenso ser ativa com sensores eletrnicos e amortecedores
motorizados para melhorar aderncia;
107
O sistema de direo passa a ser todo eletrnico e motorizado abolindo
conexes mecnicas.
Abaixo, na figura 56, tem-se a foto da roda dos carros eltricos do futuro. O
motor, direo, suspenso e freio sero instalados dentro de cada roda, ou seja, o sistema
ser independente para cada roda:
Figura 56 Roda do carro eltrico do futuro [1]
Nos dias atuais, essa tecnologia est sendo bastante estudada e j pode ser
considerada como uma grande alternativa a falta de combustvel barato e de qualidade
para um futuro bem prximo. Abaixo temos alguns dados de pesquisas feitas
mundialmente:
Toyota Prius;
108
Figura 57 Veculo Eltrico Toyota Prius [1]
Produo acumulada de 97 a 03: 200.000 unidades;
Produo acumulada em 04 e 05: 500.000 unidades;
J so 5 modelos diferentes disposio do pblico;
Carro comum faz 10km/l (autonomia 600km);
Prius faz 23km/l (autonomia 900km).
TESLA;
109
Figura 58 Veculo Eltrico TESLA [1]
100% eltrico;
0 a 96Km/h em cerca de 4s;
Equivalente a 57Km/l;
400Km por recarga;
Cerca de U$0,01 por milha;
200km/h.
4.6 Maglev Cobra
Assim como j citado anteriormente, atualmente existe uma grande necessidade
de se ter um transporte, principalmente o pblico, que utilize energia limpa,
diferentemente dos transportes j utilizados hoje em dia, que utilizam motores a
combusto altamente poluentes. Uma excelente alternativa para contornar essa situao
a criao do trem com levitao magntica supercondutora.
Vamos abordar aqui, resumidamente, os sistemas de levitao e trao do trem.
No que diz respeito levitao supercondutora, esta se baseia na propriedade
diamagntica dos supercondutores para excluso do campo magntico do interior dos
supercondutores. No caso dos supercondutores do tipo II, esta excluso parcial, o que
diminui a fora de levitao, mas conduz a estabilidade da levitao, dispensando
sistemas de controle sofisticados ou rodas. Esta propriedade, que representa o grande
diferencial em relao aos mtodos EDL (Eletrodynamic Levitation) e EML
(Eletromagnetic Levitation), s pde ser devidamente explorada a partir do final do
110
sculo XX com o advento de novos materiais magnticos e pastilhas supercondutoras de
alta temperatura crtica, como o YBa2Cu3OX (YBCO).
Como sabido, uma placa de cermica supercondutora ao ser resfriada com
nitrognio lquido, produz o efeito de levitao sobre um m de terras raras.
Este o tipo de levitao mais recente, pois ele se d graas aos supercondutores
de alta temperatura crtica.
Por se tratar da tecnologia mais moderna, ainda no existe linha de teste em
escala real. Em outros pases, como no Brasil, construram-se linhas em modelo
reduzido. No prottipo brasileiro, o formato oval tem 30 metros de extenso, com guia
linear formada por ims permanentes de Neodmio-Ferro-Boro (NdFeB) compondo o
circuito magntico (interagindo com os supercondutores) para levitao.
esta a tecnologia de levitao passiva, que vem sendo aperfeioada para a
aplicao no sistema Maglev Cobra. Ela apresenta um grande nmero de vantagens:
Baixo custo global
Rapidez de aplicao e implantao
Leveza
Baixo custo de obras civis
No poluente
Racionalizao energtica
No que diz respeito trao, esta ser dada por um motor linear assncrono, de
primrio curto, alimentado por um inversor de freqncia de fabricao nacional WEG.
Na subestao do Maglev Cobra, a rede trifsica alimenta o primrio de um
transformador trifsico, ligado em estrela-delta, e a tenso do secundrio ser retificada
111
por um retificador trifsico, que por fim alimentar diretamente o link CC do inversor
de freqncia. A figura 59, abaixo, ilustra com melhor clareza o sistema em questo:
Figura 59 Alimentao do veculo MagLev-Cobra [1]
112
C CA AP P T TU UL LO O 5 5
CONCLUSO E PERSPECTIVAS FUTURAS
Este trabalho abordou o estado da arte da aplicao de inversores de frequncia
na indstria nacional, focando a discusso sobre o CFW-09, conversor de frequncia
comercial fabricado pela WEG Automao S/A no Brasil.
Trata-se de um conversor para o acionamento de motores de induo cuja
topologia bsica apresenta um retificador trifsico a diodo e um inversor trifsico a
IGBTs, unidos por um capacitor formando o link CC. Configuraes alternativas
permitem a operao regenerativa, devolvendo energia para a rede em situaes
especficas.
Aplicados a motores cujas tenses e potncias variam desde 220 V a 690 V e de
1,5 cv a 1500 cv, estes conversores so encontrados principalmente na indstria naval,
siderrgica e, mais recentemente, em veculos eltricos.
O trabalho abordou ainda aspectos tericos dos retificadores trifsicos a diodo e
dos inversores trifsicos, bem como do controle de disparo das chaves desses
conversores, visando um melhor desempenho quanto introduo de harmnicos nas
grandezas da rede eltrica.
Por fim, dados importantes como a crescente utilizao deste tipo de
conversores para acionamento de motores foram apresentados. Modelos subsequentes
do CFW-09 j vm sendo desenvolvidos pela WEG, tais como o CFW-10 e o CFW-11
Modular Drive. Este ltimo permite o acionamento de motores de 2500 kW em 690 V.
Aps a realizao deste trabalho, estudos futuros poderiam se concentrar no
desenvolvimento de um modelo digital dos conversores comerciais em simuladores de
transitrios eletromagnticos como o ATP ou PSCAD/EMTDC, aproveitando-se das
linguagens de programao destes para a modelagem do circuito digital de controle das
chaves.
113
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] Arquivo interno WEG.
[2] Site Universidade do Algarve: www.ualg.pt.
Acesso em 25 de Junho de 2009.
[3] Site Universidade de Campinas: www.dsce.fee.unicamp.br.
Acesso em 19 de Junho de 2009.
[4] Site Universidade Federal do Rio de Janeiro: www.gta.ufrj.br.
Acesso em 15 de Julho de 2009.
[5] MOHAN, N., UNDELAND, T. M., ROBBINS, W. P. Power Electronics
Converters, Application and Design, Second Edition. John Wiley & Sons, Inc.
1995.
[6] Bose, BIMAL K., Modern Power Electronics and AC Drives, Prentice Hall,
2002.
[7] Guia de aplicao de Inversores de Freqncia, 3 Edio, WEG, 2005.
[8] Richard M. Stephan - Acionamento, Comando e Controle de Mquinas
Eltricas, 1 edio, UFRJ, 2007.
[9] Site Scientific Electronic Library Online: www.scielo.br.
114
Acesso em 10 de Agosto de 2009.
[10] Site Departamento de Engenharia Eltrica - UFC: www.dee.ufc.br.
Acesso em 18 de Agosto de 2009.
115
APNDICE