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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESIME ZACATENCO
INGENIERA EN COMUNICACIONES Y
ELECTRNICA
DISPOSITIVOS
PRACTICA 05
TRANSISTOR BIPOLAR
MONROY MARN ADRIN
Grupo 5CV3
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Pr!"#!$ No% 5
Transistor Bipolar
Objetivos:
1. Identificar las terminales del transistor.
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
. O!tener y medir el volta"e de ruptura de la unin !ase # emisor y de colector # !ase de un
transistor de silicio.
$. O!tener la curva caracter%stica de entrada del transistor !ipolar en configuracin de emisor&
com'n o!servar su variacin con el volta"e de colector emisor.
(. O!tener las curvas caracter%sticas de salida en configuracin de emisor com'n. O!servar
su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin corte) saturacin y
activa directa.
Desarrollo Experimental:
Conceptos B*sicos+
Tr$&'#'"or B#po($r%
,l transistor es un dispositivo electrnico semiconductor -ue cumple funciones de
amplificados) oscilador) conmutador o rectificador. ,l t.rmino transistor es la contraccin en ingles
de transfer resistor /resistencia de transferencia0.
1os transistores son componentes esenciales para nuestra civili2acin por-ue toda la
electrnica moderna los utili2a) ya sea en forma individual /discreta0 como tam!i.n formando parte
de circuitos integrados) analgicos o digitales) de todo tipo+ microprocesadores) controladores de
motores el.ctricos) procesador de se3al) reguladores de volta"e) etc.
4ctualmente se los encuentra pr*cticamente en todos los enseres dom.sticos de uso
diario+ radios) televisores) gra!adores) reproductores de audio y video) 5ornos de microondas)
lavarropas autom*ticas) automviles) e-uipo de refrigeracin) alarmas) relo"es de cuar2o)
computadoras) calculadores) impresoras) l*mparas fluorescentes) e-uipo de rayos 6) tomgrafos)
ecgrafos) etc.
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7ustituto de la v*lvula termoinica de tres electrodos o tr%odo) el transistor !ipolar fue
inventado en losla!oratorios Bell de ,,88 en diciem!re de 19$2 por :o5n Bardeen) ;alter
<ouserBrattain y ;illiam Bradford 75oc=ley) los cuales fueron galardonados con el premio >o!el
de ?%sica en 19(@.
7us inventores lo llamaron as% por la propiedad -ue tiene el transistor de cam!iar su
resistencia al paso de la corriente el.ctrica -ue lo atraviesa entrando por uno de los terminales
/el emisor0 y saliendo por otro /el colector0 en funcin de la mayor o menor corriente el.ctrica
-ue) para eAcitarlo) se inyecte en el tercero /la !ase0.
,l transistor !ipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente -ue
forman dos uniones !ipolares) el emisor -ue emite portadores) el colector -ue los reci!e o
recolecta y la tercera) -ue est* intercalada entre las dos primeras) modula el paso de dic5os
portadores/!ase0. 4 diferencia de las v*lvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente
y del -ue se o!tiene corriente amplificada. ,n el dise3o de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo) a diferencia de los resistores) capacitores e inductores -ue son
elementos pasivos. 7u funcionamiento solo puede eAplicarse mediante mec*nica cu*ntica) luego
en realidad el transistor es un dispositivo cu*ntico.
,l transistor !ipolar es el m*s com'n de los transistores y como los diodos) puede ser de
germanio o silicio.
,Aisten dos tipos de transistores+ el >B> y el B>B y la direccin del flu"o de la corriente en
cada caso) lo indica la flec5a -ue se ve en el gr*fico de cada tipo de transistor.
,l transistor es un dispositivo de patillas con los siguientes nom!res+ !ase /B0) colector
/C0 y emisor /,0) coincidiendo siempre) el emisor) con la patilla -ue tiene la flec5a en el gr*fico de
transistor.
,l transistor es un amplificador de corriente) esto -uiere decir -ue si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas /!ase0) el entregara por otra /emisor0) una cantidad
mayor a esta) en una factor -ue se llama amplificacin.
,ste factor se llama C /!eta0 y es un dato propio de cada transistor.
,ntonces+
IC /corriente -ue pasa por la patilla colector0 es igual a C /factor de amplificacin0
por IB /corriente -ue pasa por la patilla !ase0.
IC D CEIB
IB /corriente -ue pasa por la patilla emisor0 es del mismo valor -ue IC) slo -ue la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro casa sale de .l o viceversa.
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7eg'n la formula anterior las corrientes no dependen del volta"e -ue alimenta el circuito
/Fcc0) pero en la realidad si lo 5ace y la corriente IB cam!ia ligeramente cuando se cam!ia Fcc. Fer
figura.
,n el gr*fico las corrientes de !ase /IB0 son e"emplos para poder entender -ue a m*s
corriente la curva es m*s alta.
Material:
Osciloscopio de do!le tra2o
Generador de se3ales
Mult%metro analgico yHo digital
8na pin2a de punta
8na pin2a de corte
@ ca!les caim*n # caim*n de (Icm.
@ ca!les caim*n # !anana de (Icm.
@ ca!les !anana # !anana de (Icm.
$ ca!les coaAiales -ue tengan en un eAtremo terminacin B>C y en el otro caimanes
Ta!lilla de coneAiones /proto!oard0
?uente de volta"e CJ /varia!le0
?uente de corriente CJ /varia!le0
1 transistor de germanio >B> 4C12K
$ transistor de silicio >B> BC($K
$ resistor de 1=L a M Natt
1 resistor de 1II=L a M Natt
1 encendedor
Experimentos:
1. ,s re-uisito -ue para antes de reali2ar la pr*ctica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y !reve los siguientes puntos so!re el transistor !ipolar+
a) 7%m!olo
b) Construccin interna
c) Jiagrama t%pico de uniones
d0 Modelo matem*tico
e0 Comportamiento gr*fico de entrada y salida
f) Bar*metros principales y su definicin
g0 Circuitos e-uivalentes
5
50 Bar*metro 5
i) Bolari2acin t%pica
,l profesor de!er* revisar -ue el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
la!oratorio) as% como -ue se presente con los circuitos correspondientes de!idamente armados) de
>O satisfacer estas indicaciones el alumno >O tendr* derec5o a -uedarse en el la!oratorio y se le
considerara como falta al mismo.
2. Identificar las terminales del transistor !ipolar.
,Aisten diversas formas -ue nos permiten identificar las terminales de un transistor !ipolar
y si este es >B> o B>B) sin em!argo se recomienda -ue siempre se consulten las 5o"as de
especificaciones -ue proporciona el fa!ricante y -ue nos indican cmo est*n u!icadas las
terminales de emisor colector y !ase.
,n el la!oratorio es conveniente compro!ar -ue esta u!icacin es correcta y -ue el
dispositivo este en !uen estado.
,n el caso -ue no se cuete con la informacin suficiente) mediante algunas mediciones
reali2adas en el la!oratorio) es posi!le identificar las terminales de los transistores !ipolares y el
tipo de transistor >B> o B>B de -ue se trate.
2.1. 8sar el mult%metro en su funcin de 5metro y aplicar la prue!a conocida como
prue!a de amplificador e identificar las terminales del transistor.
a0 8se un mult%metro analgico en su funcin de 5metro. Mida el efecto rectificante entre
las uniones emisor & !ase y colector # !ase /para el caso de un transistor >B>) cuando se coloca
el positivo de la fuente interna del 5metro en la !ase /B0 y el negativo en cual-uiera de las otras
dos terminales de!er* medirse !a"a resistencia) al invertir la polaridad) la resistencia medida
de!er* de ser alta /use la misma escala del mult%metro para la reali2acin de estas prue!as0. ,ntre
las terminales de colector # emisor se o!servar* alta resistencia sin importar como se colo-ue la
polaridad de las terminales de las uniones certificantes en el transistor !ipolar y el tipo de transistor
>B> o B>B. Bara distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor ser* necesario aplicar
la prue!a del amplificador.
!0 <a!iendo identificado la terminal de !ase de las otras dos terminales y el tipo de
transistor >B> o B>B la prue!a del amplificador consiste en lo siguiente+ Bara el caso del >B>)
conectar el positivo del 5metro a la terminal -ue supuestamente es el colector y el negativo al
emisor) la lectura -ue de!e de aparecer en el 5metro es de alta resistencia) en seguida 5acer
contacto con el dedo entre colector y la !ase /esto es e-uivalente a colocar entre estas terminales
una resistencia de orden de M o5ms0 y o!servar la disminucin de la resistencia medida entre
colector # emisor) cuando la terminal -ue se elige como colector es la correcta esta disminucin en
el valor de la resistencia es considera!le) si la terminal elegida como colector no es tal) sino la de
emisor al efectuar dic5a prue!a la disminucin de la resistencia no ser* tan importante. Bara estar
seguro de cual es cual) de!er* reali2arse am!os casos y comparar las resistencias medidas.
2.2. Otra forma -ue permite identificar las terminales de este dispositivo es mediante el uso
de un mult%metro digital -ue nos permite medir la !eta de transistor. ,sto es -ue
elegimos en el mult%metro digital la funcin de medicin de la !eta colocamos las
terminales del transistor como creamos -ue est*n correctas y medimos la !eta) cuando
el dispositivo est* correctamente colocando la !eta medida) generalmente es grande
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/en la mayor%a de los casos mayor a (I0) cuando no est* !ien colocados la !eta -ue se
mide es pe-ue3a /en la mayor%a de los casos menores a 2I y en algunos cosos indica
circuito a!ierto.
2.3. Jespu.s de identificar las terminales de sus transistores !ipolares. Ji!'"elos en
isom.trico en la figura 1) indicando donde est* el colector) el emisor y la !ase.
BC($K 4C12K
)#*ur$ +% Ji!u"o isom.trico del Transistor Bipolar indicando la !ase) el emisor y el colector en un
>B> y en un B>B.
)#*ur$ ,% 7%m!olo del transistor.
. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
4l igual -ue en los diodos /uniones rectificante0 se tuvo le presencia de corrientes de fuga
/generadas por los portadores minoritarios0 en los transistores !ipolares tam!i.n se presentan de
tal forma si polari2amos inversamente en cual-uier per de terminales del transistor se podr*n medir
estas corrientes. 7eg'n el par de terminales -ue eli"a) la corriente tendr* valores diferentes aun-ue
del mismo orden de magnitud) es importante recordar -ue estas corrientes son muy pe-ue3as
comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y -ue adem*s para el caso del silicio
son muc5os menores -ue para el germanio. ,n la eApresin matem*tica -ue se usa para la
corriente de saturacin inversa colector # !ase con el emisor a!ierto en la figura se propone un
circuito para medir esta corriente y o!servar como varia con la temperatura. Bara esta medicin
usaremos el transistor de germanio 4C12K.
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)#*ur$ 3% Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variacin con la temperatura usando
el transistor de germanio.
ICBO D ICOD $.@( m4 a temperatura am!iente.
ICBO1 D ICO1D $.O m4 a temperatura mayor -ue la am!iente.
Bara aumentar la temperatura acer-ue un cerillo encendido por cinco segundos.
$. O!servar y medir el volta"e de ruptura de la unin !ase # emisor y de la unin colector #
!ase de un transistor !ipolar con tecnolog%a planar.
4ctualmente la gran mayor%a de los transistores !ipolares est*n construidos con tecnolog%a
planar) en ellos las regiones del emisor) !ase y colector presentan diferentes concentraciones de
impure2as y tama3os de!ido a las caracter%sticas de construccin -ue se tienen en las uniones
emisor # !ase y colector & !ase) el volta"e de ruptura -ue se presenta en la unin emisor # !ase es
menor -ue el -ue se presenta en la unin colector # !ase) lleg*ndose en la pr*ctica a generali2ar
diciendoP -ue launin emisor # !ase de un transistor !ipolar de silicio se comporta como un diodo
2ener.
4rme el circuito de la figura $ y o!tenga la curva del diodo emisor # !ase posteriormente
desconecte en emisor) conecte el colector y o!tenga la curva del diodo colector # !ase) use una
se3al senoidal con volta"e pico entre 1I y 12F a una frecuencia entre @I<2 y 1Q<2.
?igura $.a. Circuito propuesto para o!tener la curva del diodo emisor !ase y colector !ase de un
transistor !ipolar.
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?igura$.!. Curva del diodo emisor&!ase.
Reporte el volta"e al cual rompe la unin emisor # !ase F,B D 9 F.
?igura $.c. Curva del diodo colector # !ase.
)#*ur$ -
(. O!tener las curvas caracter%sticas de entrada del transistor !ipolar en configuracin emisor
com'n. O!servar su variacin con el volta"e de colector # emisor.
4rmar el circuito de la figura ( /o!servar -ue este circuito es seme"ante al de la figura $)
solo 5aga los cam!ios necesarios0) el cual permite o!tener el comportamiento de la unin emisor #
!ase del transistor !ipolar y o!servar su variacin con el volta"e de colector # emisor.
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?igura (.a Circuito propuesto para o!tener el comportamiento del diodo emisor # !ase en un
transistor !ipolar y su variacin con el volta"e colector # emisor.
?igura (.!. Curvas caracter%sticas de entrada del transistor !ipolar.
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)#*ur$ 5
Reporte en la ta!la 1 los valores medidos de corriente en la !ase para los diferentes
volta"es de !ase # emisor.
IB ./A0 123#3$ 'o4r2
($ !ur5$ 32( 3#o3o
21#'or 6 4$'2
VBE .V0 123#3o 'o4r2
($ !ur5$ 32( 3#o3o
21#'or 6 4$'2
!u$&3o VCE70V
VBE .V0 123#3o 'o4r2
($ !ur5$ 32( 3#o3o
21#'or 6 4$'2
!u$&3o VCE70%5V
VBE .V0 123#3o 'o4r2
($ !ur5$ 32( 3#o3o
21#'or 6 4$'2
!u$&3o VCE75V
,0 I.K I.OI I.K@
+00 I.K I.O1 I.O1
+50 I.K I.KO I.K(
T$4($ +%
@. O!tener las curvas caracter%sticas de salida del transistor !ipolar en configuracin de
emisor com'n. O!servar y reportar su variacin con la temperatura. 4rmar el cuito de la
figura @ y o!tener una a una las curvas caracter%sticas de salida del transistor !ipolar
emisor # com'n) para diferentes corrientes en la !ase.
?igura @.a circuito propuesto para o!tener las curvas caracter%sticas de salida del transistor !ipolar.
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?igura @.!. Curvas caracter%sticas de salida del transistor !ipolar u!icando las regiones de corte)
saturacin y activa directa
?igura @.c. Curvas caracter%sticas del transistor !ipolar.
)#*ur$ 8
Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de volta"e colector #
emisor solicitado en la ta!la 2) eli"a los valores adecuados para la corriente de !ase) tal -ue la IB)
5aga -ue el transistor !ipolar tra!a"e en la regin de corte) los valores de IB2 y IB lo 5agan tra!a"ar
en la regin activa directa /de amplificacin0 y la corriente IB$ lo lleve a la regin de saturacin.
Corr#2&"2 2& ($
4$'2
M23#r (o' 5$(or2' 32 !orr#2&"2 32 !o(2!"or IC .1A0 p$r$ !$3$ u&o 32 (o'
5$(or2'%
FC, D
IF
FC, D
2F
FC, D
$F
FC, D
@F
FC, D
OF
FC, D
1IF
FC, D
12F
IB+ Cor"2 I I.I2 I.I I.I$ I.I@ I.1I I.1
IB, A!"#5$ I.I1 I.IK I.I9 I.I$ I.1I I.11 I.1
IB3 A!"#5$ I.I1 I.IO I.I9 I.I9 I.11 I.1 I.11
IB-S$"ur$!#9& I.I$ I.I9 I.I9 I.I9 I.I9 I.1I I.91
T$4($ ,
?i"e la corriente de !ase en el valor de IB /regin 4ctiva0) acer-ue un cerillo encendido al
transistor !ipolar por (seg. S o!serve -ue le pasa a la corriente de colector. Jigas si aumento o
disminuye la corriente.
De 4.23 mA a Temperatura ambiente pasa a 4.83 mA con una temperatura ambiente mayor por lo
tanto aumenta .
Reporte en la gr*fica de a!a"o la curva caracter%stica de salida del transistor !ipolar para la
IB a temperatura am!iente y a mayor temperatura. Ilustre so!re la misma grafica el cam!io con
diferentes colores de tinta.
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)#*ur$ :% Curva caracter%stica de salida en configuracin de emisor com'n para el transistor !ipolar
a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la !ase constante.
uestionario
1.- Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor base
este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin cero.
8nin ,misor # Base.
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8nin Colector # Base.
2.- Determinar el valor de la alfa ( para las lecturas !ue se realizaron en el circuito de la
figura 2.
R+
".- #scriba la e$presin matem%tica !ue se usa para determinar el aumento de la corriente
de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura& '%galo tanto para el caso
del silicio como para el germanio.
Bara el silicio
Bara el germanio
(.- Defina !ue otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un
transistor bipolar e indi!ue con !ue literales se conocen.
1a corriente de fuga con la terminal de emisor a!ierta IC.
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).- *roponga un circuito !ue permita obtener la corriente de fuga de la unin emisor
base con el colector corto circuitado.
+.- ,De !u- orden es el voltaje de ruptura colector emisor en el transistor de silicio
./)(01
,s de segundo orden.
0.- 2 partir de la tabla 2 obtenga las curvas caracter3sticas de salida del transistor
bipolar en emisor com4n.
5.-*roponga el circuito e!uivalente de par%metros 6'7 para el transistor bipolar en
emisor com4n y defina cada uno de los par%metros 6'7.
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5ieD 1a impedancia de entrada del transistor /correspondiente a la resistencia del emisor re0.
5re D Representa la dependencia de la curva IB # FB, del transistor en el valor de FC,. ,s
usualmente un valor muy pe-ue3o y es generalmente despreciado /se considera cero0.
5fe D 1a ganancia de corriente del transistor. ,ste par*metro es generalmente referido como 5fe o
como la ganancia de corriente continua /C0 en las 5o"as de datos.
5oe D 1a impedancia de salida del transistor. ,ste t.rmino es usualmente especificado como una
admitancia) de!iendo ser invertido para convertirlo a impedancia.
18.- 2 partir de las curvas caracter3sticas de la pregunta 0 obtenga los par%metros
'fe& 'oe& para la gr%fica !ue obtuvo con la corriente de 9." y un :/# ; (: respectivamente.
11.- /uando la corriente en la base es cero& ,/u%nto debe de valer la corriente de
colector1
,s cero ya -ue
12.- <sando los datos de la tabla 1& obtenga las curvas caracter3sticas de entrada del
transistor bipolar en emisor com4n.
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1".- Determine los par%metros '3bridos 'fe& 're& usando las gr%ficas de la pregunta
anterior para una corriente de base de (8=2
1(.- 2note sus conclusiones.
,n esta pr*ctica pudimos o!servar la configuraciones de un transistor !ipolar adem*s de
su funcionamiento el cual pude emplearse en cual-uier *m!ito de la electrnica digital y la
electrnica analgica as% mismo pudimos o!servar la corriente fuga y su variacin con la
temperatura con la cual se pudo o!tener las curvas caracter%sticas de entrada y salida del transistor
!ipolar lo cual nos llev a ver las regiones de corte) saturacin y activa directa.