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1) O documento descreve o funcionamento de lasers semicondutores, especificamente diodos laser.
2) Um laser semicondutor funciona quando há uma inversão de população nos átomos de um material semicondutor, fazendo com que a emissão estimulada supere a espontânea e gere um feixe coerente de luz.
3) Os lasers semicondutores, também chamados de diodos laser, usam junções p-n em semicondutores como zona ativa, diferentemente de outros lasers que usam sólidos ou gases
1) O documento descreve o funcionamento de lasers semicondutores, especificamente diodos laser.
2) Um laser semicondutor funciona quando há uma inversão de população nos átomos de um material semicondutor, fazendo com que a emissão estimulada supere a espontânea e gere um feixe coerente de luz.
3) Os lasers semicondutores, também chamados de diodos laser, usam junções p-n em semicondutores como zona ativa, diferentemente de outros lasers que usam sólidos ou gases
1) O documento descreve o funcionamento de lasers semicondutores, especificamente diodos laser.
2) Um laser semicondutor funciona quando há uma inversão de população nos átomos de um material semicondutor, fazendo com que a emissão estimulada supere a espontânea e gere um feixe coerente de luz.
3) Os lasers semicondutores, também chamados de diodos laser, usam junções p-n em semicondutores como zona ativa, diferentemente de outros lasers que usam sólidos ou gases
Relatrio para apresentao em sala de aula Eletrnica e Instrumentao LASER SEMICONDUOR Lorena 2010 Murilo Parodi Ricci Grilo 07M012 5866691 R!a! "rir 07M0#8 58669#0 Introduo ao semicondutor: Semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica intermediria entre condutores e isolantes. Os elementos semicondutores podem ser tratados quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica. Seu emprego importante na fabricao de componentes eletrnicos tais como diodos, transistores e outros de diversos graus de complexidade tecnolgica, microprocessadores, e nanocircuitos usados em nanotecnologia. ortanto atualmente o elemento semicondutor primordial na ind!stria eletrnica e confeco de seus componentes. "iodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto de cristal semicondutor de sil#cio ou germ$nio numa pel#cula cristalina cu%as faces opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao. & o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado como retificador de corrente eltrica. ossui uma queda de tenso de ',( ) e ',* ) dependendo do material que utili+ado. O diodo um componente eltrico que permite que a corrente atravesse,o num sentido com muito mais facilidade do que no outro. Tipos de diodo: Os diodos so pro%etados para assumir diferentes caracter#sticas- diodos retificadores so capa+es de condu+ir altas correntes eltricas em baixa freq./ncia, diodos de sinal caracteri+am,se por retificar sinais de alta freq./ncia, diodos de c0aveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos c0aveados. "ependendo das caracter#sticas dos materiais e dopagem dos semicondutores 0 uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo- Diodo Diodo zener Diodo Schottky Diodo tnel Diodo emissor de luz Fotodiodo Varicap SCR Introduo ao laser: Laser 1cu%a sigla em ingl/s significa Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, ou se%a, 2mplificao da 3u+ por 4misso 4stimulada de 5adiao6 um dispositivo que produ+ radiao eletromagntica com caracter#sticas muito especiais- ela monocromtica 1possui freq./ncia muito bem definida6 e coerente 1possui rela7es de fase bem definidas6, alm de ser colimada 1propaga,se como um feixe6. O efeito f#sico por trs de seu funcionamento a emisso estimulada, descoberta pelo f#sico 2lbert 4instein, como condio necessria ao equil#brio trmico da radiao com a matria. 4instein descobriu, atravs de considera7es tericas, que no apenas um tomo absorve um fton 1a partcula de luz6 incidente e o reemite ao acaso aps certo tempo 1emisso espont$nea6, mas que tambm este mesmo tomo deve reemitir seu fton absorvido se um segundo fton interage com ele. O fton reemitido tem a mesma freq./ncia do fton que o estimulou e, igualmente importante, tem a mesma fase. 8m laser funciona desde que se consiga excitar um n!mero m#nimo de tomos de determinado material para um n#vel de energia superior, de modo a se obter uma inverso de populao 1quando existem mais tomos excitados do que tomos no estado fundamental6. 9uando isso ocorre, a emisso espont$nea de ftons, que acontece naturalmente a todo tempo, amplificada pelos tomos vi+in0os, que vo emitir ftons estimulados pelos primeiros. 4stes ftons, por sua ve+, estimulam a emisso de outros, num efeito cascata. ara que tudo isso funcione, entretanto, necessria uma realimentao, ou se%a, sempre manter ftons emitidos estimuladamente interagindo com os tomos. :sso obtido com uma cavidade ptica, uma regio do espao em que se confina lu+ por algum tempo com o uso de espel0os altamente refletores e convenientemente alin0ados. ; tambm os lasers super radiantes, como o laser de nitrog/nio e alguns lasers de corante que no precisam de espel0os para funcionar. 4ntretanto, para se compreender perfeitamente um laser, fa+,se necessrio o uso da mec$nica qu$ntica. Tipos de laser- 3asers de gs 3asers qu#micos 4xcimer lasers 3asers de estado slido <iber Histrico do laser semicondutor: 2 primeira demonstrao de emisso de lu+ coerente por parte de um diodo foi feita no centro de pesquisa da =eneral 4lectric por 5obert >. ;all e pela sua equipe. O primeiro laser vis#vel foi constru#do por >ic? ;olon@a? nos finais do mesmo ano. Aomo qualquer tipo de laser, o laser semicondutor produ+ lu+ fortemente monocromtica, coerente, com polari+ao e direo bem definidas. O funcionamento do laser semicondutor similar ao funcionamento do diodo. 2 diferena est na gerao de ftons que, para o caso do diodo, tem origem na emisso espont$nea enquanto que no laser semicondutor tem origem na emisso estimulada. "a# se utili+ar muito o termo laser diodo para descrever o laser semicondutor. 4m ve+ de meios ativos slidos ou gasosos, o laser diodo utili+a uma %uno p,n para este efeito. 2s %un7es p,n podem ser por sua ve+ %un7es do tipo Bp,p,nB c0amadas de 0etero%un7es. 4ste novo tipo de %un7es confina a +ona ativa do laser numa regio muito pequena. Outra diferena entre o laser diodo e os lasers do estado slido e gasosos reside na fonte de energia. Os lasers do estado slido e gasosos utili+am lu+ como fonte de energia 1l$mpadas com espectro de emisso largo6. O laser diodo utili+a por sua ve+ corrente eltrica atravs de %un7es p,n para in%etar eltrons na +ona de conduo e lacunas na +ona de val/ncia. O coeficiente de gan0o deste tipo de laser situa,se entre os C''' e D'''' m E D. O mtodo de produo mais utili+ado na ind!stria semicondutora para a produo destas %un7es p,n o FG4 1molecular beam epitax@6. 2s cavidades utili+adas no laser semicondutor so tipicamente cavidades de <abr@,erot. 4stas caracter#sticas gerais deste tipo de laser fa+ com que se%a um dispositivo extremamente pequeno 1pode atingir dimens7es da ordem dos '.D mm6 para implement,lo na tecnologia eletrnica. & de referir com algum destaque que a maioria dos dispositivos eletrnicos que utili+am lu+, por exemplo, para transmisso de informao, funcionam com base neste tipo de laser. Princpio de funcionamento: Hodos os diodos laser semicondutores prticos t/m uma 0etero%uno dupla 1";6, cu%o diagrama da banda de energia est na figura I.I(. O diagrama de banda de energia de um diodo laser polari+ado est na figura I.I(a e I.I(b. >este caso os semicondutores so 2l=a2s com 4g J e) e =a2s com 4g D,K e). 2 regio p,=a2s uma fina camada, normalmente entre ',D,',J Lm, e constitui a camada ativa onde a emisso estimulada acontece. 2mbos os semicondutores p,=a2s e p,2l=a2s so profundamente dopados pM 1NburacosO6. 9uando uma grande polari+ao direta aplicada, a energia de conduo 14c6 do semicondutor n,2l=a2s se aproxima muito da 4c do p, =a2s que leva a uma grande in%eo de eltrons da banda de conduo do n, 2l=a2s para a do p,=a2s. 4sta in%eo de eltrons fica confinada na banda de conduo do p,=a2s, pois existe uma barreira P4c entre os semicondutores p, =a2s e p,2l=a2s, devido Q mudana na banda de =2. 2 camada p,=a2s profundamente dopada. 2ssim o topo da sua banda de val/ncia est repleto de NburacosO, isso quer di+er que todos os estados eletrnicos acima do 4 fp esto va+ios na camada. "evido Q grande polari+ao direta aplicada uma grande concentrao de eltrons do n,2l=a2s entra na banda de conduo da camada p,=a2s. Aonseq.entemente, como mostrado na figura I.I(c, existe uma grande concentrao de eltrons na banda de conduo e estados eletrnicos totalmente va+ios no topo da sua banda de val/ncia, o que significa que existe uma inverso de populao. 8m fton que entra com energia 0.v o acima da 4g pode estimular um eltron de conduo na camada p,=a2s a decair da banda de conduo para a banda de val/ncia e assim emite um fton por emisso estimulada como mostrado na figura I.I(c. 4sta transio c0amada Np0oton,stimulated electron,0ole recombinationO ou N3asing recombinationO. 8ma avalanc0e de emiss7es estimuladas na camada ativa prev/ uma amplificao ptica dos ftons com energia 0.v o nesta camada. 2 amplificao depende da extenso da inverso de populao e, portanto, da corrente aplicada. O dispositivo funciona como um amplificador ptico semicondutor que amplifica um sinal ptico que atravessa a camada ativa. 4xiste um valor baixo de corrente onde no 0 emiss7es estimuladas e amplificao ptica. ara se construir um laser semicondutor com uma emisso de laser sustentvel necessrio incorporar Q camada ativa dentro de uma cavidade ptica, que se refere a espel0os seletivos que somente refletem o comprimento de onda dese%ado, desta maneira a cavidade ptica acumula oscila7es pticas no comprimento de onda requerido. 2 cavidade ptica refle os ftons coerentes para frente e para trs o que os leva a interfer/ncias construtivas dentro da cavidade, como na figura I.IK. :sto leva a uma oscilao eletromagntica de alta energia na cavidade. 8ma parte desta energia eletromagntica lanada para fora como radiao de sa#da e outra parte refletida. or exemplo, um tipo de cavidade ptica, mostrado na figura I.IK, tem um refletor especial, c0amado refletor de Gragg distribu#do 1G5"6, de um lado reflete apenas comprimentos de onda espec#ficos de volta a cavidade. O G"5 uma estrutura peridica ondulada, como uma grade de reflexo, colocada em um semicondutor que reflete apenas um comprimento de onde espec#fico relacionado com a periodicidade da ondulao no refletor. 4ste refletor de Gragg tem uma periodicidade da ondulao de tal forma que apenas reflita um comprimento de onda dese%vel, que se insere no gan0o ptico da regio ativa. 4sta reflexo seletiva do comprimento de onda leva a um !nico modo de radiao eletromagntica existente na cavidade, o que leva a um espectro de sa#da muito estreito- c0amado Nsingle-mode outputO, que se caracteri+a como um pico estreito, mostrado na figura I.IC, a largura da lin0a espectral deste laser tipicamente de R ',D nm. 2 0etero%uno dupla tem muitas vantagens. Semicondutores com banda de =2 maior geralmente tem menores #ndices de refrao, o que significa 2l=a2s tem um #ndice de refrao menor do que =a2s. 2 mudana entre os #ndices de refrao define um guia de onda dieltrico ptico que confina os ftons na regio ativa da cavidade ptica e assim redu+ as perdas de ftons e aumenta a concentrao de ftons. 4ste aumento na concentrao dos ftons aumenta a taxa de emiss7es estimuladas e a efici/ncia do laser. ara alcanar o numero necessrio de emiss7es estimuladas de um diodo laser e acumular as oscila7es pticas necessrias dentro da cavidade 1para superar todas as perdas pticas6 a corrente aplicada deve exceder certo limiar de corrente 1H t0 6 como mostrado na figura I.ICa. 2baixo desta corrente existe uma fraca energia ptica, que causada pela recombinao de eltrons in%etados e NburacosO na camada ativa, o comportamento do diodo laser nesta condio se parece com o de um 34" fraco. 2 lu+ de sa#da de um 34", entretanto aumenta quase que na proporo da corrente do diodo. 2 lu+ de sa#da de um diodo laser uma radiao coerente, enquanto a de um 34" um raio de lu+ de ftons incoerentes. Materiais utilizados 2 maioria dos lasers atuais utili+a quatro tipos de materiais. 2 utili+ao destes quatro tipos de materiais depende da +ona do espectro que se pretende utili+ar. Hr/s destes tipos de materiais so formados pelos c0amados semicondutores do tipo :::,). O outro formado pelos semicondutores do tipo ::, ):. 4stes quatro tipos so c0amados- 2rseneto de =lioS fosfeto de #ndioS seleneto de +incoS nitreto de glio. Os lasers baseados no AsGa operam na gama dos I(C nm , T*' nm 1vermel0o e infravermel0o prximo6. "entro deste espectro temos AlGaInP 1I(C nm ,*T' nm6, AlGaAs 1*T' nm , T(' nm6 e InGaAs 1UK' nm6. 2tualmente os leitores de disco compacto utili+am o AlGaAs como material base do laser. 4m contraste aos A"s os ")"s utili+am o AlGaInP como material base. 2 diferena entre estes dois tipos de tecnologias est relacionada com a capacidade de arma+enamento 1a escrita depende fortemente do comprimento de onda6. Os lasers baseados no fosfeto de #ndio operam no infravermel0o 1D.CC Vm6. 4ste tipo de material muito utili+ado na transmisso em fibras pticas a longas dist$ncias. O nitreto de glio deve ser o semicondutor mais importante a seguir ao sil#cio. 4ste material consegue operar na +ona do a+ul e ultravioleta. 8ma das tecnologias mais promissoras na atualidade precisa de lasers nesta +ona. O Glu, ra@ consegue arma+enar cerca de J' gigab@tes recorrendo a esta +ona do espectro fa+endo com que este material ten0a um futuro garantido a curto e mdio pra+o. Os tr/s tipos de materiais discutidos so baseados nos semicondutores :::,). Aomo foi dito o seleneto de +inco o !nico semicondutor do tipo ::,): e produ+ lu+ na +ona do a+ul e do verde 1KI' nm , CJ' nm6. Aomo o comprimento de onda pequeno na gama destes dois !ltimos materiais os efeitos qu$nticos t/m de ser tomados em conta e a teoria dos poos qu$nticos tem de ser considerada para tratar o dispositivo devidamente Aplicaes na tecnologia: O laser d#odo o tipo de laser mais comum na tecnologia atual. 4m J''K este tipo de laser superou as *(( mil07es de vendas em comparao com as D(' mil vendas de outros tipos de lasers. 2 utili+ao desta tecnologia est em quase toda na eletrnica atual. 4m telecomunica7es o laser d#odo usado para enviar sinais pticos nas fibras pticas. 2pontadores lasers vermel0os e verdes tambm so fabricados com base nesta tecnologia semicondutora assim como as impressoras a laser, leitores de cdigos de barras, scanners, lasers de cirurgia, etc. Os leitores de A"s e ")"s usam lasers d#odos na +ona do infravermel0o e vermel0o do espectro enquanto que os leitores de ;" ")" e Glu,ra@ utili+am,na na +ona do violeta e ultravioleta. 2 espectroscopia de absoro laser tambm utili+a este tipo de tecnologia. Aomo os semicondutores so relativamente baratos 1por serem mais abundantes6 em comparao com os materiais de outras tecnologias, podemos di+er que o d#odo laser o dispositivo mais competitivo no mercado eletrnico. O fato de no necessitar de grande manuteno como outros tipos de lasers como o laser gasoso 1troca de gases periodicamente6 fa+ com que ten0a mais uma vantagem em relao aos outros. 2s dimens7es tambm colocam o laser d#odo entre os lasers favoritos nos nossos dispositivos eletrnicos 1atualmente menores do que o mil#metro6. i!liografia: Wasap, S. O., rinciples of eletronic materials and devices, ( a 4d. Xernec?, Farcelo Fartins, Hransdutores e :nterfaces, 3HA. Xi?ipdia