UNIVERSIDAD PERUANA LOS ANDES

FACULTAD DE INGENIERA
MEMORIA FLASH
FACULTAD : Ing. Sistemas y Computacin
CATEDRA : Arquitectura de Computadoras
CATEDRATICO : Ing. Hugo Vilchez Misayauri
ALUMNA : Roco !elina "al#n $o%ar
CODIGO : A&''()&
Huancayo Per
2!
El presente trabajo dedicado a mis compaeros
de estudios que me apoyan incondicionalmente
LA AUTORA
2
INTRODUCCION
*l presente tra#a+o monogr,-ico trata de incrementar los conocimientos acerca de la Me"or#a
F$a%&' Son memorias e%olucionadas de las **.R/M 0chips de memorias programa#les y
#orra#les el1ctricamente23 en las que se accede a la in-ormacin por #loques. .ara gra#ar un
#loque de una -lash3 es necesario primero #orrarlo completamente3 y luego escri#ir los unos3
donde los haya.4 5os #loques suelen ser de 6'7 #ytes a 6& 8". 0*n esencia las **.R/M son CI
similares a las RAM. 5a di-erencia est, en que cada celda 0transistor2 contiene una capa de
material conductor rodeada de material aislante 09puerta -lotante:23 en la que con una
relati%amente alta tensin se pueden inyectar electrones que quedan all inde-inidamente
atrapados3 manteniendo la in-ormacin 0cero o uno2 de la celda3 a pesar de que se desconecte la
alimentacin del circuito. ;urante la gra#acin se cargan o descargan de electrones las puertas
-lotantes de cada celda 0dependiendo de la si se escri#e un ( o un '2 es por ello que el ca()*u$o I
hacemos una descripcin y -unciones de la memoria -lash3 el ca()*u$o II tratamos so#re las
nue%as generaciones de dispositi%os de almacenamiento3 en el ca()*u$o III la tecnologa <lash3 la
operacin de lectura es m,s sencilla y r,pida3 necesit,ndose ni%eles de tensin menores.
;e#emos de tener en cuenta que las pantallas a colores y c,maras se est,n %ol%iendo el est,ndar
en los tel1-onos celulares3 y cada %ez m,s usuarios est,n adoptando las capacidades de
na%egacin en la =e# en alta %elocidad3 de %ideo y m>sica. *stas tendencias est,n lle%ando a la
industria a e?igir soluciones de memoria con me+or desempe@o3 precio y consumo de energa que
antes. 5a Memoria de Celular Intel Strata<lash M'A atiende a estas necesidades con mayor
desempe@o de lectura y gra#acin3 mayor densidad y menor consumo de energa3 todo esto a un
e?celente precio y en la tecnologa M5C de B( nm. Intel tam#i1n est, #uscando e?pandir sus
o-recimientos de memoria -lash por medio de la nue%a empresa que -orm con Micron3 que
-a#ricar, memoria -lash CAC; para uso en electrnicos de consumo3 almacenamiento remo%i#le y
dispositi%os de comunicacin de mano. 5a produccin inicial de la empresa de#er, ocurrir a inicios
de 7((&.
3
INDICE
DEDICATORIA
INTRODUCCION
CAPITULO I
MEMORIA FLASH
+,+, -ue e% $a "e"or#a F$a%&.
+,2, Re%e/a &#%*0r#ca
+,2, Carac*er)%*#ca% Genera$e%
+,1, La% a($#cac#one% "2% &a3#*ua$e% %on:
+,4, For"a*o% 5e *ar6e*a 5e "e"or#a 7$a%&
+,8, Par*e% 5e una "e"or#a US9
+,:, Co"(onen*e% a5#c#ona$e% 5e un US9
CAPITULO II
NUEVAS GENERACION DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO
2,+, Me"or#a F$a%&: I"(u$%ar una nue;a <enerac#0n 5e 5#%(o%#*#;o% 5e a$"acena"#en*o
F$a%&
2,2, D#%(o%#*#;o% (ara e$ con%u"#5or
2,1, Ca(ac#5a5 5e $a *ar6e*a F$a%& o 5e $a un#5a5 F$a%& US9
2,4, Carac*er)%*#ca% 5e $o% (ro5uc*o% 5e a$"acena"#en*o F$a%& 5e =#n<%*on
CAPITULO III
TECNOLOG>AS FLASH
1,+, Tecno$o<)a% F$a%& no ;o$2*#$e% NOR y NAND
1,2, Me"or#a F$a%& Nor
4
1,1, Me"or#a F$a%& Nan5
1,4, Tecno$o<)a% F$a%& MLC?M9C y a(#$a"#en*o 5e "o$5e% @5#eA%*acB#n<C
1,8, A(#$a"#en*o 5e Mo$5e%
1,:, Tecno$o<)a% F$a%& 5e Ce$5a% M$c @Ce$5a% De N#;e$ M$*#($eC
1,D, Tecno$o<)a F$a%& 5e Ce$5a% M3c @Ce$5a% De 9#*% M$*#($e%C
1,!, De%e"(e/o 5e 5#%(o%#*#;o% 5e a$"acena"#en*o F$a%&
1,E, L)nea% 5e (ro5uc*o% 5e *ar6e*a% F$a%&
1,E,+, Un#5a5e% F$a%& US9
1,E,2, Tar6e*a% C7 @Co"(ac*7$a%&C
1,E,1,Tar6e*a% Secure D#<#*a$ @S5' M#n#%5' M#cro%5C
1,E,4, Tar6e*a% Mu$*#"e5#acar5 @M"c' M"c($u%' M"c"o3#$eC
1,E,8, Lec*ore% 5e "e5#o% F$a%& 5e =#n<%*on
1,E,:, A5a(*a5ore% Co"(ac*F$a%& a *ar6e*a PC
CONCLUSIONES
SUGERENCIAS
9I9LIOGRAFIA
5
CAPITULO I
MEMORIA FLASH
+,D, -ue e% $a "e"or#a F$a%&.
.ro%iene de Universal Serial Bus3 en ingl1s pendri%e o DS" -lash dri%e2 son utilizadas para
almacenar -,cil y r,pidamente grandes cantidades de in-ormacin en dispositi%os tales como
c,maras y consolas de %ideo+uegos port,tiles. *n los >ltimos a@os3 se ha popularizado su uso
6
como dispositi%o de almacenamiento masi%o3 tarea histricamente desempe@ada por los
discos duros. *n e-ecto3 podemos considerar a las memorias <5ASH como un dispositi%o de
almacenamiento de estado slido. *sto quiere decir que carece por completo de partes
m%iles3 lo que otorga %arias %enta+as3 so#re todo en lo re-erido la dura#ilidad y consumo
el1ctrico.
Algunos e+emplos del uso de memorias del tipo <5ASH pueden ser el "I/S del ordenador3
tar+etas Compact<lash utilizadas por lo general en maquinas de -otos3 al igual que StarMedia y
Memory SticE. .CMCIA tipo I y II pueden encontrarse en algunas note#ooEs como discos
duros de estado slido. .or ultimo3 muchas consolas de %ideo+uegos utilizan memorias <5ASH
en sus cartuchos.
*n una memoria **.R/M3 cada #it esta almacenado en dos transistores que se u#ican en la
cada interseccin de una grilla de -ilas y columnas. Cada con+unto de transistores 0o cada #it3
realmente2 esta separado de los dem,s mediante una capa delgada de o?ido. Dno de los
transistores reci#e el nom#re de 9puerta -lotante:3 y el otro act>a como 9puerta de control:.
*stos transistores -uncionan como un ga%etero electrnico donde se puede poner un cero o
un uno. *s -,cil calcular la cantidad de estos ga%eteros que se necesitan para construir una
memoria <5ASH de por e+emplo 6'7M#F.simplemente de#emos multiplicar 6'7M" por A 0A
#its por cada #yte23 luego por '(7) 0'(7) 8# en cada mega#yte23 nue%amente por '(7) 0'(7)
#ytes en cada Eilo#yte2 y por ultimo por 7 0dos transistores por cada #yte2. *sta cuenta da la
#onita suma de A.6AB.BG).6B7 transistores para por e+emplo disponer de un penHdri%e de
mediano tama@o. .or supuesto3 aun -altara sumar los transistores correspondientes a la
lgica de control de todas estas celdas.
Dna caracterstica curiosa3 y que hace algo lento el #orrado de la in-ormacin contenida en
una memoria del tipo <5ASH es que dado que los datos se encuentran agrupados en
sectores3 hay impedimentos t1cnicos que impiden el #orrado de #its 0y hasta de #ytes2
indi%iduales3 por lo que se de#e #orrar un #loque completo3 y luego reescri#ir la in-ormacin
que no se desea#a #orrar. *ste e?tra@o 0pero como di+imos3 ine%ita#le2 procedimiento hace
que toda%a resulten algo lentas en algunas aplicaciones.
7
*n e-ecto3 e?iste un matrimonio per-ecto entre estas dos tecnologas3 dado que cada aumento
en la resolucin de las c,maras -otogr,-icas 0el numero de mega p?eles2 aumenta
proporcionalmente el espacio necesario para almacenar las tomas3 que generalmente se
guardan en tar+etas de memorias <5ASH de distintos -ormatos3 y que hacen las %eces de
9pelcula: de la c,mara.
+,2, Re%e/a &#%*0r#ca
5as unidades -lash DS" -ueron in%entadas en 'BB6 por I"M como un reemplazo de las
unidades de disquete para su lnea de productos $hinE.ad. Aunque -ue un in%ento de I"M3
1sta no lo patent. I"M contrat m,s tarde a MHSystems para desarrollarlo y -a#ricarlo en
-orma no e?clusi%a. MHSystems mantiene la patente de este dispositi%o3 como tam#i1n otras
pocas relacionadas.
5as primeras unidades -lash -ueron -a#ricadas por MHSystems #a+o la marca I;isgoI en
tama@os de A M"3 '& M"3 G7 M" y &) M". *stos -ueron promocionados como los I%erdaderos
reemplazos del disqueteI3 y su dise@o continu hasta los 76& M". 5os -a#ricantes asi,ticos
pronto -a#ricaron sus propias unidades m,s #aratas que las de la serie ;isgo.
5as modernas unidades -lash poseen conecti%idad DS" 7.( y almacenan hasta &)J# de
memoria.
.resentado en el a@o 7((A. Aunque est, listo para su uso3 es pro#a#le que pase entre uno o
dos a@os3 para ser incluido en dispositi%os de uso masi%o3 lo que sit>a la aparicin de
productos con esta nue%a especi-icacin a partir del a@o 7((B o 7('(.
5a principal no%edad t1cnica del puerto DS" G.(. ser, la inclusin de -i#ra ptica3 lo cual ele%a
a ).A giga#itsKs la capacidad de trans-erencia que en la actualidad es de )A( M#Ks. Se
mantendr, el ca#leado interno de co#re para asegurarse la compati#ilidad con la tecnologas
DS" '.( y 7.(.
8
Si en DS" 7.( el ca#le dispone de cuatro lineas3 un par para datos3 una de corriente y una de
toma de tierra3 en DS" G.( se a@ade cinco lneas. ;os de ellas se usar,n para el en%o de
in-ormacin y otras dos para la recepcin3 de -orma que se permite el tr,-ico #idireccional3 en
am#os sentidos al mismo tiempo. *l aumento del n>mero de lneas permite incrementar la
%elocidad de transmisin desde los )A( M#Ks hasta los )3A J#Ks. ;e aqu se deri%a el nom#re
que tam#i1n reci#e esta especi-icacin: DS" Superspeed.
5a cantidad de energa que transporta un ca#le DS" resulta insu-iciente en muchas ocasiones
para recargar algunos dispositi%os3 especialmente si utilizamos concentradores donde hay
conectados %arios de ellos. *n DS" G.(3 se aumenta la intensidad de la corriente de '((
miliamperios a B(( miliamperios3 con lo que pueden ser cargados m,s dispositi%os o hacerlo
m,s r,pido. *ste aumento de la intensidad podra traer consigo un menor rendimiento
energ1tico. .ero pensando en ello3 DS" G.( utiliza un nue%o protocolo #asado en
interrupciones3 al contrario que el anterior que se #asa#a en consultar a los dispositi%os
peridicamente.
*l aumento de lneas en DS" G.( pro%oca que el ca#le sea m,s grueso3 un incon%eniente
importante. Si hasta ahora los ca#les eran -le?i#les3 con el nue%o est,ndar estos tienen un
grueso similar a los ca#les que se usan en redes *thernet3 siendo por tanto m,s rgidos.
A-ortunadamente3 igual que pasa entre DS" 7.( y DS" '.' la compati#ilidad est, garantizada
entre DS" G.( y DS" 7.(3 gracias al uso de conectores similares3 cuyos contactos adicionales
se sit>an en paralelo3 de -orma que no a-ectan en caso de usar alg>n puerto que no sea del
mismo tipo.
+,1, Carac*er)%*#ca% Genera$e%
5as memorias -lash son de tipo no ;o$2*#$3 esto es3 la in-ormacin que almacena no se pierde
en cuanto se desconecta de la corriente3 una caracterstica muy %alorada para la multitud de
usos en los que se emplea este tipo de memoria.
9
5os principales usos de este tipo de memorias son peque@os dispositi%os #asados en el uso
de #ateras como tel1-onos m%iles3 .;A3 peque@os electrodom1sticos3 c,maras de -otos
digitales3 reproductores port,tiles de audio3 etc.
5as capacidades de almacenamiento de estas tar+etas que integran memorias -lash
comenzaron en A M" pero actualmente se pueden encontrar en el mercado tar+etas de
hasta '& J".
5a %elocidad de trans-erencia de estas tar+etas3 al igual que la capacidad de las mismas3 se ha
ido incrementando progresi%amente. 5a nue%a generacin de tar+etas permitir, %elocidades de
hasta 2 M9?%.
*l coste de estas memorias es muy #a+o respecto a otro tipo de memorias similares como
eeprom y o-rece rendimientos y caractersticas muy superiores. *conmicamente ha#lando3 el
precio en el mercado ronda los 6( L para dispositi%os con '37 J" de almacenamiento3
aunque3 e%identemente3 se pueden encontrar dispositi%os e?clusi%amente de almacenamiento
de unas pocas M"s por precios realmente #a+os3 y de hasta &(( L para la gama m,s alta y de
mayores prestaciones. Co o#stante3 el coste por M" en los discos duros son muy in-eriores a
los que o-rece la memoria -lash y3 adem,s los discos duros tienen una capacidad muy
superior a la de las memorias -lash.
/-recen3 adem,s3 caractersticas como gran re%#%*enc#a a $o% <o$(e% y es realmente muy
%#$enc#o%o3 ya que no contiene ni actuadores mec,nicos ni partes m%iles. Su peque@o
tama@o tam#i1n es un -actor determinante a la hora de escoger para un dispositi%o port,til3 as
como su ligereza y %ersatilidad para todos los usos hacia los que est, orientado.
Sin em#argo3 todos los tipos de memoria -lash slo permiten un n"ero $#"#*a5o 5e
e%cr#*ura% y 3orra5o%3 generalmente entre +, y un "#$$0n3 dependiendo de la celda3
de la precisin del proceso de -a#ricacin y del %olta+e necesario para su #orrado.
*ste tipo de memoria est, -a#ricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los (Ms
'Ms correspondientes. Actualmente hay una gran di%isin entre los -a#ricantes de un tipo u
10
otro3 especialmente a la hora de elegir un sistema de archi%os para estas memorias. Sin
em#argo se comienzan a desarrollar memorias #asadas en ORNAND.
5os sistemas de archi%os para estas memorias est,n en pleno desarrollo aunque ya en
-uncionamiento como por e+emplo FFFS originalmente para C/R3 e%olucionado a FFSS2 para
soportar adem,s CAC; o GAFFS3 ya en su segunda %ersin3 para CAC;. Sin em#argo3 en la
pr,ctica se emplea un sistema de archi%os FAT por compati#ilidad3 so#re todo en las tar+etas
de memoria e?tra#le.
/tra caracterstica es la resistencia t1rmica de algunos encapsulados de tar+etas de memoria
orientadas a las c,maras digitales de gama alta. *sto permite -uncionar en condiciones
e?tremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas
soportado a#arca desde los H76 NC hasta los A6 NC.
+,4, La% a($#cac#one% "2% &a3#*ua$e% %on:
O *l lla%ero DS" que3 adem,s del almacenamiento3 suelen incluir otros ser%icios como radio
<M3 gra#acin de %oz y3 so#re todo como reproductores port,til de M.G y otros -ormatos de
audio.
O 5as .C Card
O 5as tar+etas de memoria -lash que son el sustituto del carrete en la -otogra-a digital3 ya que
en las mismas se almacenan las -otos.
O *?isten %arios est,ndares de encapsulados promocionados y -a#ricados por la mayora de
las multinacionales dedicadas a la produccin de hardPare.
11
+,8, For"a*o% 5e *ar6e*a 5e "e"or#a 7$a%&
Compact<lash 0C<2 I y II

Memory SticE 0MS2

MicroS;
MiniS;
Multi Media Card 0MMC2

Secure ;igital 0S;2
SmartMedia Card 0SMKSMC2
?;H.icture Card
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+,:, Par*e% 5e una "e"or#a US9
Dn conector DS" macho tipo A 0'2: .ro%ee la inter-az -sica con la
computadora.
Controlador DS" de almacenamiento masi%o 072: Implementa el controlador
DS" y pro%ee la inter-az homog1nea y lineal para dispositi%os DS" seriales
orientados a #loques3 mientras oculta la comple+idad de la orientacin a
#loques3 eliminacin de #loques y #alance de desgaste. *ste controlador
posee un peque@o microprocesador RISC y un peque@o n>mero de circuitos
de memoria RAM y R/M.
Circuito de memoria <lash CAC; 0)2: Almacena los datos.
/scilador de cristal 062: .roduce la se@al de relo+ principal del dispositi%o a '7
MHz y controla la salida de datos a tra%1s de un #ucle de -ase cerrado
0phaseHlocEed loop2
+,D, Co"(onen*e% a5#c#ona$e% 5e un US9
Dn dispositi%o tpico puede incluir tam#i1n:
.uentes y .untos de prue#a 0G2: Dtilizados en prue#as durante la -a#ricacin
de la unidad o para la carga de cdigo dentro del procesador.
5*;s 0&2: Indican la trans-erencia de datos entre el dispositi%o y la
computadora.
Interruptor para proteccin de escritura 0Q2: Dtilizado para proteger los datos
de operaciones de escritura o #orrado.
*spacio 5i#re 0A2: Se dispone de un espacio para incluir un segundo circuito
de memoria. *sto le permite a los -a#ricantes utilizar el mismo circuito
impreso para dispositi%os de distintos tama@os y responder as a las
necesidades del mercado.
$apa del conector DS": Reduce el riesgo de da@os y me+ora la apariencia del
dispositi%o. Algunas unidades no presentan una tapa pero disponen de una
cone?in DS" retr,ctil. /tros dispositi%os poseen una tapa giratoria que no
se separa nunca del dispositi%o y e%ita el riesgo de perderla.
Ayuda para el transporte: *n muchos casos3 la tapa contiene una a#ertura
adecuada para una cadena o collar3 sin em#argo este dise@o aumenta el
riesgo de perder el dispositi%o. .or esta razn muchos otros tiene dicha
a#ertura en el cuerpo del dispositi%o y no en la tapa3 la des%enta+a de este
dise@o est, en que la cadena o collar queda unida al dispositi%o mientras
est, conectado. Muchos dise@os traen la a#ertura en am#os lugares.
CAPITULO II
NUEVAS GENERACION DE DISPOSITIVOS DE
ALMACENAMIENTO
2,+, Me"or#a F$a%&: I"(u$%ar una nue;a <enerac#0n 5e 5#%(o%#*#;o% 5e
a$"acena"#en*o F$a%&
$oshi#a in%ent la memoria <lash en los a@os A( como una nue%a tecnologa de
memoria que permiti almacenar datos incluso cuando el dispositi%o de memoria
estu%iera desconectado de su -uente de energa. ;esde ese momento3 la tecnologa
de memoria <lash ha e%olucionado hasta con%ertirse en los medios de
almacenamiento pre-eridos para gran %ariedad de dispositi%os para consumidores y
empresas.
2,2, D#%(o%#*#;o% (ara e$ con%u"#5or
5a memoria -lash se utiliza ampliamente en:
Computadoras port,tiles
Asistentes digitales personales 0.;A2
Sistemas de posicionamiento glo#al 0J.S2
Reproductores de m>sica de estado slido3 como los reproductores M.G
Computadores personales
5a memoria <lash tam#i1n se usa en con-ia#ilidad y la retencin de datos en
requisitos cla%e3 como en:
Sistemas de seguridad
Computadoras integradas
.roductos de redes y comunicacin
.roductos comerciales de administracin 0por e+emplo3 esc,neres de
mano2
C,maras digitales
$el1-onos celulares
Instrumentos musicales electrnicos
Ca+as SetH$op de tele%isin
5ocalizadores
Muchas aplicaciones industriales donde la situaciones de descone?in de
energa son
Sistemas militares
Dnidades de disco de estado slido
;ispositi%os de comunicacin inal,m#ricos
.roductos m1dicos
2,1, Ca(ac#5a5 5e $a *ar6e*a F$a%& o 5e $a un#5a5 F$a%& US9
.arte de la capacidad mencionada de algunos de los dispositi%os de
almacenamiento <lash se usa para -ormatear y para otras -unciones3 por lo tanto no
est, disponi#le para almacenamiento de datos.
Cuando se -a#rica un dispositi%o de almacenamiento <lash3 se toman medidas para
asegurar que el dispositi%o opere de manera con-ia#le y permita al dispositi%o host
0computadora3 c,mara digital3 .;A3 tel1-ono celular3 etc.2 que tenga acceso a las
celdas de memoria: es decir3 que almacene y recupere datos en el dispositi%o de
almacenamiento <lash. *stas medidas R que en general se llaman 9-ormatear: R
utilizan parte de las celdas de memoria dentro del dispositi%o y de esta -orma
reducen la capacidad disponi#le para almacenamiento de datos por parte del
usuario -inal.
*l -ormateado incluye las siguientes operaciones:
0'2 .ro#ar cada celda de memoria en el dispositi%o de almacenamiento <lash.
072 Identi-icar todas las celdas y tomar medidas para asegurar que no se
escri#an o se lean datos de una celda de-ectuosa.
(3)Las tarjetas CompactFlash de Kingston tienen una especifcacin de
margen de error menor a un (1) bit en 1.000.000.000.000.000 bits
de lectura es decir un
(!)bit por cada 101" bits de lectura.
062 Reser%ar algunas celdas para que sir%an como 9repuestos.: 5as celdas de la
memoria <lash tienen un tiempo de %ida largo3 pero limitado. .or lo tanto3
algunas celdas se mantienen como reser%a para reemplazar cualquier celda
de memoria que pueda -allar con el tiempo.
0&2 Crear una $a#la de asignacin de archi%os 0<A$2 u otro directorio. .ara
ha#ilitar los dispositi%os de almacenamiento <lash para almacenar y tener
acceso de manera con%eniente a los archi%os del cliente3 se de#e crear un
sistema de administracin de archi%os que permita que cualquier dispositi%o
o computadora identi-ique los archi%os almacenados en el dispositi%o de
almacenamiento <lash. *l tipo m,s com>n del sistema de administracin de
archi%os para los dispositi%os de almacenamiento <lash es la $a#la de
asignacin de archi%os 0<A$23 que tam#i1n se usa en unidades de disco duro.
0Q2 Reser%ar algunas celdas para que las use el controlador del dispositi%o de
almacenamiento3 por e+emplo3 para almacenar actualizaciones de -irmPare u
otra in-ormacin espec-ica del controlador.
0A2 &. Cuando sea aplica#le3 reser%ar algunas celdas para -unciones especiales.
.or e+emplo3 la especi-icacin para las tar+etas Secure ;igital 0S;2 requiere
que tengan ,reas reser%adas que admitan -unciones especiales de
proteccin contra copia y seguridad.
2,4, Carac*er)%*#ca% 5e $o% (ro5uc*o% 5e a$"acena"#en*o F$a%& 5e =#n<%*on
5os dispositi%os de almacenamiento <lash de 8ingston o-recen muchas %enta+as
para las aplicaciones de consumidor e industriales:
Jaranta del dispositi%o de almacenamiento <lash: 8ingston garantiza que
sus dispositi%os de almacenamiento <lash est,n li#res de de-ectos de
material y mano de o#ra durante el periodo que se especi-ica a continuacin:
$ar+etas <lash S;3 MMC3 C<: ;e por %ida
Dnidades <lash DS" ;ata$ra%eler
S
y 5ector '6 en ': 6 a@os
5ector $ra%el5ite S;KMMC: ' a@o.

*stado slido: 5os dispositi%os de almacenamiento <lash3 as como los

dispositi%os de almacenamiento de semiconductor3 no tienen partes m%iles y
por eso no est,n su+etos a pro#lemas de -allas mec,nicas de unidades de disco
duro. Su con-ia#ilidad general de datos les permite dominar el mercado de
productos de memoria port,tiles orientados a la comodidad3 operando de
manera silenciosa con un ni%el de ruido de cero deci#eles.
$ama@o -sico 0o <actor de -orma2 peque@o: 5os dispositi%os de almacenamiento
<lash est,n dise@ados para transportarse de manera -,cil. 5a comodidad es un
criterio importante3 especialmente para aplicaciones de consumidor y
corporati%as.
Alta con-ia#ilidad de datos: 5a memoria <lash es muy con-ia#le y muchos de los
tipos de dispositi%os de almacenamiento <lash tam#i1n incluyen la %eri-icacin
del Cdigo de
$ecnologa de ni%elacin de desgaste: 5os dispositi%os de almacenamiento
<lash de 8ingston incorporan controladores que usan tecnologa a%anzada de
ni%elacin de desgaste que distri#uye ciclos de escritura a lo largo de la tar+eta
<lash. .or lo tanto3 la ni%elacin de desgaste e?tiende la %ida >til de una tar+eta
de memoria <lash 0para mayores detalles3 por -a%or consulte la seccin de
;uracin de las celdas <lash de 8ingston3 a continuacin2.
;ura#ilidad de las celdas <lash: Hasta '(.((( ciclos de escritura por sector
-sico en el <lash de celdas ni%el m>ltiple 0M5C2. Hasta '((.((( ciclos de
escritura por sector -sico de celda de un solo ni%el 0<lash S5C2.
;e acuerdo con $oshi#a3 el in%entor de la memoria <lash: 9los '(.((( ciclos de M5C
CAC; son m,s que su-icientes para una amplia gama de aplicaciones para el
consumidor3 desde almacenamiento de documentos hasta -otos digitales. .or
e+emplo3 si una tar+eta con #ase en <lash MC5 CAC; de 76& M" normalmente
puede almacenar 76( -otos de una c,mara de ) megap?eles 0estimacin
conser%adora23 sus '(.((( ciclos de lecturaK escritura3 com#inados con los
algoritmos de ni%elacin de desgaste en el controlador3 permitir,n al usuario
almacenar yKo %er apro?imadamente 736 millones de -otos durante la %ida >til
esperada de la tar+eta.:
'
.ara las unidades <lash DS"3 $oshi#a calcul que una duracin de ciclo de
escritura de
'(.((( podra permitir a los consumidores 9escri#ir completamente y #orrar el
contenido completo una %ez al da durante 7Q a@os3 #astante m,s que la %ida del
hardPare.:
5os productos #asados en <lash S5C3 que normalmente se encuentran en las
tar+etas *lite .ro
T
y Dltimate y las unidades ;ata $ra%eler II3 II .lus R *dicin Migo y
<lash DS" de alta %elocidad de 8ingston3 o-recen alto desempe@o y larga
dura#ilidad.
Reasignacin autom,tica de sectores de-ectuosos: 5os controladores <lash de
8ingston #loquean autom,ticamente las secciones con celdas de memoria
da@adas 09#loques de-ectuosos:2 y mue%en los datos a otras secciones
09#loques de repuesto:2 para e%itar la corrupcin de datos. ;urante el -ormateo
de -,#rica 0como se descri#e en la seccin 723 los #loques de repuesto se aslan
en el dispositi%o de almacenamiento <lash para %ol%er a asignar los sectores
da@ados con el tiempo y as e?tender la %ida >til y la con-ia#ilidad del dispositi%o
de almacenamiento <lash.
Conectores de alta calidad: 5os dispositi%os de almacenamiento <lash de
8ingston tienen conectores de capacidades mayores a '(.((( inserciones.
$emperatura y humedad operacional: (U C a &(U C3 6V a B6V de humedad
0tpico2
1
Comunicado de prensa de Toshiba, Toshiba America Electronic Components, Inc.
Releases er!ormance Research on "#C $A$% &lash "emory !or Consumer
Applications,' 1( de mayo de )((*
W Alta capacidad: 5os dispositi%os de almacenamiento <lash pueden proporcionar
grandes capacidades de almacenamiento en un -actor de -orma muy peque@o. *sta
-le?i#ilidad los hace ideales para usos del consumidor3 tales como pelcula digital o
almacenamiento para m>sica en M.G3 donde la porta#ilidad y la comodidad son
importantes.
Recuerde: Algunas de las capacidades mencionadas se usan para -ormatear y otras
-unciones3 y por lo tanto no est,n disponi#les para almacenamiento de datos. .or
-a%or3 consulte la Seccin 7 para m,s detalles.
Alto desempe@o: 5as tar+etas <lash DS" *lite .roKDltimate y las unidades <lash
DS" de alta %elocidad ;ata$ra%eler de 8ingston son m,s r,pidas que muchos
productos <lash est,ndar y muchos productos competiti%os. 5os ingenieros de
8ingston prue#an y seleccionan con troladores de alto desempe@o para
asegurar que las tar+etas <lash de 8ingston se encuen tren entre las lderes en
desempe@o. .or -a%or consulte el Ap1ndice para m,s in-ormacin so#re el
desempe@o de DS" y de DS" de alta %elocidad. 5os productos <lash est,ndar
de 8ingston o-recen ni%eles de desempe@o moderado para aplicaciones de uso
general.
"a+o consumo de energa: A di-erencia de la memoria ;RAM est,ndar3 que
necesita tener energa constante para mantener sus datos3 la memoria <lash no
es %ol,til y no requiere energa para mantener sus datos. *l #a+o consumo de
energa de la memoria <lash da como resultado una %ida de #atera m,s larga
para el dispositi%o host.
Soporte de plug and play: 5a lnea de memoria <lash de 8ingston admite plug
and play. Con la tecnologa plug and play y sistemas operati%os de
computadoras compati#les3 es posi#le insertar un dispositi%o de almacenamiento
<lash en una computadora o en un lector de medios <lash y que la computadora
lo reconozca y acceda a 1l r,pidamente.
#oporte de intercambio r$pido% &l intercambio r$pido permite conectar
o desconectar los dispositi'os de almacenamiento Flash en una
computadora o lector compatible sin necesidad de apagar ( reiniciar la
computadora. &sta caracter)stica mejora la portabilidad ( comodidad
de los dispositi'os de almacenamiento Flash para trans*erir datos
im$genes o m+sica entre dos computadoras o dispositi'os.
CAPITULO III
TECNOLOGAS FLASH
1,+, Tecno$o<)a% F$a%& no ;o$2*#$e% NOR y NAND
, di*erencia de la -emoria .in$mica de ,cceso ,leatorio (./,-) la
memoria Flash no es 'ol$til. La memoria no 'ol$til mantiene los datos
incluso cuando est$ desconectada. 0or ejemplo cuando se apaga una
computadora todos los datos 1ue estaban en la memoria ./,- se
pierden. #in embargo cuando se retira un dispositi'o de almacenamiento
Flash de una c$mara digital todos los datos (e im$genes) permanecen
guardados en el dispositi'o de almacenamiento Flash. La capacidad de
mantener datos es cla'e para las aplicaciones de memoria Flash tales
como pel)cula digital para c$maras digitales tel2*onos celulares 0., (
otros dispositi'os port$tiles. 3a( dos tecnolog)as importantes de memoria
Flash% 45/ ( 4,4.. Cada tecnolog)a tiene sus *ortale6as lo 1ue las hace
ideales para di*erentes clases de aplicaciones tal como se resume en la
tabla a continuacin%
1,2, Me"or#a F$a%& Nor
C/R3 as llamada en consideracin a la tecnologa de asignacin de datos
espec-icos 0Co /R23 es una tecnologa <lash de alta %elocidad. 5a memoria <lash
C/R proporciona capacidades de acceso aleatorio de alta %elocidad3 pudiendo leer
y escri#ir datos en u#icaciones espec-icas de la memoria sin tener que acceder a la
memoria en modo secuencial. A di-erencia de la memoria <lash CAC;3 <lash C/R
permite la recuperacin de datos de tama@o tan peque@o como el de un solo #yte.
<lash C/R es e?celente en aplicaciones donde los datos se recuperan o se
escri#en de manera aleatoria. C/R se encuentra m,s -recuentemente integrada en
tel1-onos celulares 0para almacenar el sistema operati%o del tel1-ono2 y .;AX
tam#i1n se usa3 en computadoras para almacenar el programa de "I/S que se
e+ecuta para proporcionar la -uncionalidad de arranque.
1,1, Me"or#a F$a%& Nan5
5a memoria <lash CAC; se in%ent despu1s de la memoria <lash C/R y tom su
nom#re de la tecnologa de asignacin espec-ica utilizada para datos 0Co AC;2. 5a
memoria <lash CAC; lee y escri#e a alta %elocidad3 en modo secuencial3
mane+ando datos en tama@os de #loque peque@os 09p,ginas:2. 5a memoria <lash
CAC; puede recuperar o escri#ir datos como p,ginas sencillas3 pero no puede
recuperar #ytes indi%iduales como la memoria <lash C/R.
5a memoria <lash CAC; se encuentra com>nmente en unidades de disco duro de
estado slido3 dispositi%os de medios digitales de audio y %ideo3 ca+as setHtop3
c,maras digitales3 tel1-onos celulares 0para almacenamiento de datos2 y otros
dispositi%os donde los datos se escri#en o leen3 generalmente3 de manera
secuencial.
.or e+emplo3 la mayora de las c,maras digitales usan pelcula digital #asada en
memoria <lash CAC;3 ya que las im,genes generalmente se toman y se
almacenan de manera secuencial. 5a memoria <lash CAC; tam#i1n es m,s
e-iciente cuando se leen las -otos3 ya que trans-iere p,ginas completas de datos
muy r,pidamente. Como medio secuencial de almacenamiento3 la memoria <lash
CAC; es ideal para el almacenamiento de datos.
5a memoria <lash CAC; es m,s econmica que la memoria <lash C/R y puede
acomodar mayor capacidad de almacenamiento en el mismo tama@o de molde.
5a memoria <lash que almacena un solo #it por celda 0por e+emplo3 el %alor de 9(:
9': por celda23 se llama <lash de celda de un solo ni%el 0S5C2.
1,4, Tecno$o<)a% F$a%& MLC?M9C y a(#$a"#en*o 5e "o$5e% @5#eA%*acB#n<C
.ara incrementar econmicamente la cantidad de almacenamiento de #its que
puede alo+ar un chip de memoria <lash3 los -a#ricantes con -recuencia utilizan
apilamiento de moldes y tecnologas de celdas de ni%el m>ltiple 0M5C2 o celdas de
#its m>ltiples 0M"C2. *stas tecnologas dan como resultado un chip de memoria
<lash que tiene la capacidad de almacenar m,s datos en un solo chip.
1,8, A(#$a"#en*o 5e Mo$5e%
Muchos -a#ricantes de semiconductores usan una t1cnica de 9apilamiento de
moldes: para duplicar la capacidad del chip de la memoria <lash. ;espu1s del
proceso de -a#ricacin del Pa-er del semiconductor3 cortan el silicio de la memoria
<lash y despu1s unen o apilan dos moldes que esta#an separados.
.or e+emplo3 cuando un -a#ricante de semiconductor apila dos moldes de '7A
mega#its3 -orman un solo chip de memoria <lash de 76& mega#its.
*l apilamiento de moldes tiene en cuenta alternati%as de chip de menor costo que
los chips de un solo molde de mayor capacidad 0llamados chips 9monolticos:2. *l
apilamiento de dos chips de ' giga#it3 por e+emplo3 normalmente cuesta mucho
menos que comprar un chip de 7 giga#its monoltico de #a+o %olumen. *l chip de 7
giga#its se puede usar3 posteriormente3 para construir una tar+eta <lash de 76& M"
0tar+eta de un solo chip2 o una tar+eta <lash de 6'7 M" 0dos chips en una tar+eta2.
*l apilamiento de moldes es similar a la tecnologa de apilamiento de chips ;RAM
que 8ingston utiliza para producir mdulos de ser%idor para uso superior 0highHend
ser%er2. Como resultado de esto3 las tar+etas <lash con moldes apilados son
con-ia#les y proporcionan alto desempe@o.
1,:, Tecno$o<)a% F$a%& 5e Ce$5a% M$c @Ce$5a% De N#;e$ M$*#($eC
5os chips de memoria <lash CAC; y C/R normalmente almacenan el %alor de un
0'2 #it 0un Y(M o un Y'M2 en cada celda. *n tecnologas <lash de ni%el m>ltiple3 se
almacenan dos 072
o m,s %alores en cada celda.
Intel Corporation ha presentado la memoria <lash C/R Strata<lashX
T
AM; ha
presentado la memoria <lash C/R Mirror"it.
T
/tros -a#ricantes de semiconductores
tam#i1n -a#rican sus propias tecnologas de celdas de ni%el m>ltiple.
5as tecnologas <lash CAC; M5C se introdu+eron a -inales de 7((7 y 8ingston ha
incorporado la memoria <lash M5C en su lnea de tar+etas <lash est,ndar y en la
lnea de unidades <lash DS" ;ata$ra%eler 0;$IKZZZ2.
1,D, Tecno$o<)a F$a%& 5e Ce$5a% M3c @Ce$5a% De 9#*% M$*#($e%C
5a tecnologa de #its m>ltiples es una tecnologa que compite con la de la celda de
ni%el m>ltiple 0M5C2 y cumple con la misma meta almacenando 7 #its por celda 0 )
%alores por celda2. 5a tecnologa M"C se usa actualmente en la memoria
$Pin<lash
T
de In-ineon.
5as unidades de memoria <lash DS" o-recen una -orma sencilla de trans-erir
archi%os de un dispositi%o digital a una computadora.
1,!, De%e"(e/o 5e 5#%(o%#*#;o% 5e a$"acena"#en*o F$a%&
*l desempe@o de dispositi%os de almacenamiento de tar+etas <lash depende de los
siguientes tres -actores:
5os chips de memoria <lash espec-icos utilizados: Jeneralmente3 e?iste un
equili#rio entre los chips <lash de alta %elocidad y los de Celda de un solo
ni%el 0S5C2 m,s caros3 y los chips <lash de %elocidad est,ndar y de celda de
ni%el m>ltiple 0M5C2 o de celda de #its m>ltiples 0M"C2 m,s accesi#les. 5as
tar+etas <lash de alto desempe@o de 8ingston 0*lite .roKDltimate2 y las
unidades <lash DS" ;ata $ra%eler II3 II .lus R *dicin Migo y *lite3 utilizan
todas3 la memoria <lash S5C de alto desempe@o.
*l controlador del dispositi%o de almacenamiento <lash: 5os dispositi%os de
almacenamiento <lash de hoy en da tienen un controlador de memoria <lash
integrado. *ste chip especial mane+a la inter-az con el dispositi%o host y
mane+a todas las lecturas y escrituras en los chips <lash del dispositi%o de
almacenamiento <lash. Si el controlador del host puede soportar %elocidades
m,s altas de trans-erencia de datos3 el uso de controladores <lash
optimizados puede dar como resultado ahorros de tiempo importantes al leer
o escri#ir datos en una memoria <lash. .or e+emplo3 8ingston usa
controladores <lash de alto desempe@o en sus tar+etas <lash *lite
.roKDltimate y en las unidades <lash DS" de alta %elocidad ;ata$ra%elers.
&l dispositi'o host al 1ue se conecta el dispositi'o de
almacenamiento Flash% #i el dispositi'o host (computadora c$mara
digital tel2*ono celular etc.) se limita a 'elocidades espec)fcas de
lectura ( escritura el uso de dispositi'os de almacenamiento Flash
m$s r$pidos no proporcionar$ un desempe7o m$s alto. 0or ejemplo
el uso de una unidad Flash 8#9 de alta 'elocidad en una
computadora 1ue soporta solamente las 'elocidades m$s bajas de
8#9 no dar$ como resultado trans*erencias m$s r$pidas. ,dem$s
es necesario confgurar las computadoras de manera adecuada
para 1ue admitan trans*erencias m$s r$pidas en hard:are (
so*t:are. &n el caso de una 0C la tarjeta del sistema necesitar$
conectores 8#9 ;.0 de alta 'elocidad ( el sistema operati'o (por
ejemplo <indo:s) tambi2n necesitar$ tener los controladores
adecuados de 8#9 ;.0 instalados para poder admitir trans*erencias
8#9 de alta 'elocidad.
Algunos -a#ricantes de productos de memoria <lash proporcionan clasi-icaciones de
9%elocidadH?.: Sin em#argo3 de#ido a la -alta de normas industriales3 la comparacin
de di-erentes productos <lash puede ser di-cil para los consumidores. .ara m,s
detalles3 consulte B#n<%*on,co"?$a*a"?7$a%&,
8ingston tra#a+a de cerca y continuamente con -a#ricantes glo#ales de
semiconductores y controladores para asegurar que las tar+etas <lash de 8ingston
proporcionen una relacin precioKdesempe@o superior a sus clientes. .ara los
entusiastas y los clientes a%anzados que e?igen el desempe@o m,s alto3 8ingston
o-rece la lnea *lite .roKDltimate de tar+etas Compact<lash y S; y las unidades
<lash DS" ;ata$ra%eler de alta %elocidad.
*l ;ata$ra%eler *lite de 8ingston o-rece seguridad que es considerada lder en la
industria3 en una unidad <lash DS" con%eniente y ultra r,pida.
1,E, L)nea% 5e (ro5uc*o% 5e *ar6e*a% F$a%&
*?isten %arios tipos disponi#les de dispositi%os de almacenamiento <lash de
8ingston:
A Un#5a5e% F$a%& US9 @Da*aTra;e$er%C ATar6e*a% Secure D#<#*a$ @SD' "#n#SD'
"#croSDC
ATar6e*a% Co"(ac*F$a%&
H
ATar6e*a% Mu$*#Me5#aCar5% @MMC' MMC($u%'
MMC"o3#$eC
1,E,+, Un#5a5e% F$a%& US9
.resentadas en 7((73 las unidades <lash DS" o-recen una incre#le
com#inacin de alta capacidad de almacenamiento3 altas %elocidades de
trans-erencia de datos y gran -le?i#ilidad3 todo en la palma de su mano.
.roclamadas como una alternati%a a la unidad de C; o de disco -le?i#le3 las
unidades <lash DS" tienen una capacidad de almacenamiento mucho mayor
que una unidad de C;HR/M o disco -le?i#le est,ndar. [stas proporcionan un
m1todo -,cil para descargas r,pidas y trans-erencia de archi%os digitales
desde y hacia su computadora
o dispositi%o.
5as unidades <lash DS" incorporan <lash CAC; y un controlador en una
ca+a encapsulada. 5a memoria DS" tra#a+a con la gran mayora de las
computadoras y dispositi%os que incorporan la Inter-az de #us serie uni%ersal3
incluyendo la mayora de las .C3 .;A y los reproductores M.G.
1,E,2, Tar6e*a% C7 @Co"(ac*7$a%&C
5as tar+etas Compact<lash o C<3 -ueron las primeras tar+etas <lash de -actor
de -orma peque@o presentadas en 'BB). 5as tar+etas C< incorporan un
controlador y tienen apro?imadamente el tama@o de una ca+a de -s-oros.
5as tar+etas Compact<lash incorporan una Inter-az electrnica de dispositi%os
integrada 0I;*2 similar a las de los discos duros y las tar+etas .C A$A.
8ingston es un miem#ro de Compact<lash Association3 que esta#lece las
especi-icaciones para las tar+etas C<.
5as tar+etas Compact<lash *lite .roKDltimate de 8ingston se encuentran
entre las m,s r,pidas disponi#les en la industria. 5a %elocidad de
trans-erencia alta es ideal para su uso en los dispositi%os m,s nue%os3 como
las c,maras digitales de alta resolucin en megap?eles3 para asegurar que
las c,maras guarden -otos m,s r,pidamente y est1n listas en menor tiempo
para la siguiente -oto.
5as tar+etas Compact<lash %ienen en un -actor de -orma $ipo I:
5a MMCplus de 8ingston est, #asada en la %ersin
).( de la m,s reciente especi-icacin del sistema de MultiMediaCard3 que en
t1rminos de desempe@o es cinco %eces me+or en relacin a los est,ndares de
MMC pre%ios.
1,E,1,Tar6e*a% Secure D#<#*a$ @S5' M#n#%5' M#cro%5C
5a tar+eta Secure ;igital3 presentada a -inales de 7(('3 es una segunda
generacin y un deri%ado de la tar+eta est,ndar MultiMediaCard 0MMC2 0%er
la seccin Q.)2
*l -ormato Secure ;igital incluye %arios a%ances tecnolgicos importantes
so#re MMC. *stos incluyen la adicin de proteccin de seguridad
criptogr,-ica para datos K m>sica con derechos de autor. 5a S; Card
Association3 de la cual 8ingston es un miem#ro e+ecuti%o3 esta#lece las
especi-icaciones para las tar+etas Secure ;igital.
5as tar+etas S; son ligeramente m,s anchas que las tar+etas MMC originales.
*sto signi-ica que los dispositi%os dise@ados para que admitan las tar+etas S;
tam#i1n pueden aceptar tar+etas MMC 0si el dispositi%o host no se encuentra
limitado estrictamente a medios S; por razones de seguridad de datos2. Sin
em#argo3 los dispositi%os dise@ados e?clusi%amente para tar+etas MMC no
admitir,n las tar+etas S; m,s anchas por el momento.
8ingston o-rece tar+etas S; est,ndar3 as como tar+etas S; *lite .ro y
Dltimate de alto desempe@o. MiniS; 0S;M2 y microS; 0S;C2 son los
-actores de -orma de plata-orma m%il de la tar+eta S; para su uso en
tel1-onos celulares y otros dispositi%os port,tiles. MiniS; y microS; son una
-raccin del tama@o de una tar+eta S; est,ndar y3 cuando se usan con el
adaptador suministrado por 8ingston3 pueden ser usadas en ranuras para
dispositi%os S; est,ndar 0por e+emplo3 en lectores <lash de medios2.
INTERFAI VOLTAFE NUMERO DE
CONTACTOS
@(#n%C
TAMAJO ""
Secure ;igital 7.Q R G.G Volts B G7 ? 7) ? 7.'
miniS; 7.Q R G.G Volts '' 7( ? 7'.6 ? '.)
microS; 7.Q R G.G Volts A '6 ? '' ? '
1,E,4, Tar6e*a% Mu$*#"e5#acar5 @M"c' M"c($u%' M"c"o3#$eC
$al como las tar+etas S;3 las tar+etas MultiMediaCards3 son de las tar+etas
<lash m,s peque@as disponi#les3 apro?imadamente del tama@o de un sello
postal. Se presentaron en 'BBQ y se usaron inicialmente en los mercados de
tel1-onos m%iles y de localizadores. Hoy en da3 se usan con m,s -recuencia
en c,maras digitales3 tel1-onos m%iles y reproductores M.G. 5as tar+etas
MMC son compati#les con %ersiones anteriores de tar+etas S; 0para que
puedan ser conectadas a ranuras de S;2 si la -uncin que administra la
proteccin de copiar de la tar+eta S; no es requerido por el dispositi%o host.
5a MultiMediaCard Association3 en la cual 8ingston tiene un miem#ro que
act>a como director en su +unta directi%a3 esta#lece las especi-icaciones para
las tar+etas MMC.
Adem,s3 las tar+etas MMC %ienen en -actores de -orma m,s peque@os3
originalmente llamados RSHMMC 0MMC de tama@o reducido2 o RSHMMC ;V
0MMC de tama@o reducido
R Volta+e do#le2.
;ise@ados espec-icamente para la trans-erencia de im,genes a alta
%elocidad3 los lectores de medios <lash de 8ingston son la solucin ideal
para %isualizar r,pidamente sus im,genes digitales en su .C.
5a especi-icacin original MMC -ue recientemente actualizada de G.? a ).?.
5as nue%as tar+etas MMC ).? son llamadas MMCplus 0que reemplaza la
denominacin anterior de MMC2 y MMCmo#ile 0que reemplaza la
denominacin anterior de RSHMMC ;V2.
5a %ersin m,s reciente de tar+etas MMC3 presentadas en 7((6 por la
MultiMediaCard Association3 es compati#le con la especi-icacin de la
re%isin ).? y es compati#le con %ersiones de tar+etas anteriores MMC G.? y
RSHMMC G.? 0ahora descontinuada2.
5as tar+etas MMCplus y MMCmo#ile o-recen un desempe@o mayor que las
tar+etas anteriores MMC3 y las tar+etas MMCmo#ile soportan el uso de
aplicaciones de menos %olta+e para reducir el consumo de energa en los
tel1-onos celulares. 8ingston ha descontinuado las tar+etas anteriores MMC y
MMCHRS G.? y solo o-rece las tar+etas MMCplus y MMCmo#ile3 m,s nue%as y
compati#les con %ersiones anteriores. A principios de 7((&3 se espera el
lanzamiento de una nue%a tar+eta MMC3 llamada MMCmicro3 del tama@o de
un dedo pulgar.
INTERFAI VOLTAFE NUMERO DE
CONTACTOS
@(#n%C
TAMAJO ""
MultiMediaCard G.G Volts Q G7 ? 7) ? '.)
MMCplus 7.Q R G.G Volts 'G G7 ? 7) ? '.)
MMCmo#ile '.A R G.G Volts A 'A ? 7) ? '.)
Las tarjetas --C *ueron dise7adas para su uso en dispositi'os
port$tiles populares. Las tarjetas --Cmobile son el *actor de *orma
de plata*orma m'il dise7ados para su uso en tel2*onos celulares (
en otros dispositi'os port$tiles. &llas son una *raccin del tama7o de
una tarjeta --Cplus est$ndar ( cuando se usan con el adaptador
suministrado por Kingston pueden ser usadas en ranuras para
dispositi'os --Cplus est$ndar (por ejemplo en lectores Flash de
medios).
3.9.5. Lectores de medios Flash de Kinston
5os lectores de medios <lash permiten que se usen dispositi%os de
almacenamiento <lash como almacenamiento port,til para computadoras3 as
como para cargar y descargar im,genes3 m>sica y otros datos sin que se
requiera el dispositi%o host original 0como la c,mara digital o el reproductor
M.G2 y sin ninguna p1rdida adicional en sus #ateras.
5os lectores de medios <lash pueden permitir la carga y descarga de datos a
las %elocidades m,s altas que puede admitir un dispositi%o del hostX por
e+emplo3 un lector DS" ser, mucho m,s r,pido que un dispositi%o del host
0como una c,mara digital2 usando una inter-az serial. Si un dispositi%o del
host no admite trans-erencias a alta %elocidad3 el lector m,s r,pido %a a
reducir de manera signi-icati%a los tiempos de trans-erencia de datos.
Kingston o*rece 'arios lectores de medios Flash para la cone=in
con'eniente de dispositi'os de almacenamiento Flash a
computadoras personales o port$tiles..
0ara medios Flash Kingston recomienda las unidades 1" en 1
>e=ibles ( cmodas (1uince *actores de *orma admitidos por un solo
lector) 1ue pueden acomodar la ma(or)a de los *actores de *orma de
tarjetas Flash disponibles ho( en d)a ( se pueden conectar a
cual1uier computadora port$til a tra'2s de un puerto 8#9 ;.0 de
alta 'elocidad. Kingston tambi2n o*rece dispositi'os de lectura
con'eniente ( port$til como el Lector ?ra'elLite #.@--C para
trans*erencia de datos de alto desempe7o para sistemas 1ue
soportan 8#9 ;.0 de alta 'elocidad.
1,E,:, A5a(*a5ore% Co"(ac*F$a%& a *ar6e*a PC
5os adaptadores de tar+eta <lash son marcos de recepcin de -,cil
integracin que permiten que una tar+eta Compact<lash se con%ierta en un
dispositi%o de almacenamiento de tar+eta .C A$A 0$ipo II2.
Muchas computadoras port,tiles y otros dispositi%os que admiten las tar+etas
A$A .C $ipo II tam#i1n admiten tar+etas Compact<lash cuando se insertan
tar+etas C< en un adaptador de tar+etas <lash C<HA$A.
Tecno$o<)a 5e c&#( 5e "e"or#a
F$a%& Celda de un solo ni%el 0S5C2
%s. Celda de ni%el m>ltiple 0M5C2 y
Celda de #its m>ltiples 0M"C2
*n general3 los dispositi%os de
almacenamiento <lash -a#ricados con el
<lash CAC; de celda de un solo ni%el
0S5C23 como las tar+etas <lash *lite
.roKDltimate de 8ingston o las unidades
;ata$ra%eler II3 II .lus R *dicin Migo o
*lite <lash DS" de alta %elocidad3
proporcionar,n un desempe@o mayor que
las tar+etas #asadas en <lash CAC; de
celda de ni%el m>ltiple est,ndar 0M5C2 o
<lash CAC; de celda de #its m>ltiples
0M"C2 o ;ata$ra%eler. 5as tar+etas <lash
est,ndar o las unidades <lash DS"
;ata$ra%eler proporcionan el me+or %alor
de relacin precioKdesempe@o para la
mayor parte de los usuarios de c,maras
digitales3 .;A3 tel1-onos celulares y otros
dispositi%os electrnicos. 5as tar+etas
<lash *lite .roKDltimate o las unidades
<lash DS" ;ata$ra%eler 7.( de alta
%elocidad proporcionar,n lecturas y
escrituras m,s r,pidas3 ideal para
usuarios a%anzados3 pro-esionales de la
-otogra-a y entusiastas. .or supuesto3
para lograr el #ene-icio de desempe@o de
tar+etas <lash m,s r,pidas o unidades
<lash DS"3 los usuarios de#en tener
dispositi%os de alta %elocidad compati#les
y computadoras con-iguradas
adecuadamente.Algunas c,maras
digitales y otros dispositi%os requieren
tar+etas <lash de alto desempe@o con
#ase en <lash S5C CAC; para que
-uncionen de manera adecuada.
D#%(o%#*#;o% 5e con%u"#5or 5e$
&o%* C,maras digitales3 tel1-onos
m%iles3 .;A y otros dispositi%os
*l controlador integrado que hace inter-az
con las tar+etas <lash o las unidades
<lash DS" en muchos dispositi%os de
consumidor puede tener un ancho de
#anda limitado. .or -a%or consulte su
manual del usuario o pngase en
contacto con el -a#ricante del dispositi%o
para m,s detalles. Aunque todo lo dem,s
es igual3 el ni%el de desempe@o que se
puede alcanzar ser, el ni%el de
trans-erencia mnimo de datos que
admita el controlador del host o la tar+eta
<lash o la unidad <lash DS".
W Cone?in de tar+etas <lash a
computadoras a tra%1s de lectores
'6 en ' y $ra%el5ite. W Cone?in de
unidades <lash DS" directamente a
la ranura DS" de la computadora.
5a especi-icacin DS" 7.( tam#i1n
incluye la especi-icacin DS" '.' anterior
por razones de compati#ilidad con
%ersiones anteriores. 5as unidades <lash
DS" y los dispositi%os de lecturaKescritura
de medios digitales requieren los
siguientes logotipos para indicar los
ni%eles de desempe@o: 5ogotipo DS":
trans-iere datos a un m,?imo de '7
mega#its por segundo 0'7 M#Ks '.6
M"Ks2. $am#i1n se conoce como DS"
original o DS" '.' y tam#i1n es
compati#le con DS" 7.( de %elocidad
completa 0con una %elocidad m,?ima de
'7 M#Ks '36 M"Ks2. 5ogotipo de DS" de
alta %elocidad: trans-iere datos a un
m,?imo de )A( mega#its por segundo
0)A( M#Ks &( M"Ks2. $am#i1n se llama
DS" 7.( de alta %elocidad. *l DS" de alta
%elocidad es hasta )( %eces m,s r,pido
que el DS" y tiene compati#ilidad total
con DS" a tra%1s de su modo DS" 7.(
de %elocidad completa 0con una %elocidad
m,?ima de '7 M#Ks '36 M"Ks2. Si tanto
el lector <lash de medios como la
computadora son compati#les con el DS"
de alta %elocidad3 las tar+etas <lash *lite
.roKDltimate de alto desempe@o de
8ingston proporcionar,n un mayor
desempe@o con respecto a las tar+etas
<lash est,ndar. ;e manera similar3 la
-amilia de productos ;ata$ra%eler de
8ingston proporcionar, un mayor
desempe@o en una computadora que
admita trans-erencias DS" de alta
%elocidad.
CONCLUSIONES
*l -uturo de la tecnologa de la memoria -lash pasa por seguir aumentando la
capacidad de los dispositi%os sin aumentar el tama@o. Con la capacidad
actual de las tar+etas se podran usar como soporte para pelculas en los
%ideoclu#. Adem,s e?isten ya modelos de tar+eta 0memory sticE3 S;2 que
incluyen circuitera adicional destinada a la proteccin de los derechos del
contenido de las tar+etas lo cual sera muy util en este hipot1tico caso.
*l aumento de la capacidad de los mdulos de memoria -lash pasa seg>n los
t1cnicos de Intel por un cam#io en la tecnologa aplicada. *llos desarrollan ya
un modelo de memoria capaz de almacenar cuatro estados di-erentes
0((3('3'(3''2 en cada celda de memoria en lugar de los dos estados de las
memorias -lash con%encionales 0(3'2.
;e#ido a la cantidad de in-ormacin que mane+amos actualmente3 los
dispositi%os de almacenamiento han e%olucionado en su capacidad para
permitirnos el rango de memoria que necesitemos para lograr cu#rir con la
demanda de almacenamiento de los di-erentes tipos de archi%o.
5as di%ersas compa@as -a#ricantes de memoria secundaria han desarrollado
este a%ance constante en la tecnologa so#re todo por razones econmicas
de %encer a la competencia3 por lo que estas compa@as se superan una y
otra %ez en %elocidad3 capacidad y almacenamiento.
.ersonalmente3 este tra#a+o in%estigati%o me ha ayudado a ampliar mis
conocimientos so#re este tema3 lo cual no solo ayuda para desarrollarme
como Ingeniera en Sistemas3 sino que tam#i1n para mi %ida propia.
SUGERENCIAS
.ara adquirir alg>n tipo de dispositi%o de almacenamiento es
importante tener en cuenta las necesidades que se desea satis-acer
para as lograr escoger por medio de las caractersticas 0precio3
capacidad de almacenamiento3 compati#ilidad3 %elocidad3 etc.2 el
dispositi%o adecuado.
Se de#e de in%estigar muy #ien el dispositi%o que desee comprar ya
que muchas %eces cuando se desea adquirir un dispositi%o3 a lo me+or
este solo durar, alg>n tiempo en el mercado o que por el a%ance de la
tecnologa3 sea me+or comprarlo despu1s de un tiempo3 ya que los
costos #a+an3 o se de#era de apro%echar la oportunidad de in%ertir
realmente en lo m,s no%edoso.
$odo usuario de un .C de#e de conocer al menos las medidas de
mantenimiento de su equipo3 ya que esto le permitir, darle dura#ilidad
y un me+or -uncionamiento mientras es utilizado.
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