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Curso de Formao de Professores

Tema 3: Partculas Elementares


Condutores e semicondutores: os slidos e a mecnica quntica.
Detetores de barreira de suerfcie.
Fsica, volume 4, tica e Fsica Moderna; Paul Tipler , terceira edio traduzida , Guanabara Kooan, !""#$
Propriedades dos s%lidos, como por e&emplo, a e&ist'ncia de randes cristais isolados e raros, aluns
considerados como pedras preciosas, intriaram as pessoas e os cientistas ao lono do tempo$ ( mec)nica *u)ntica
propiciou a interpretao das propriedades observadas nesses materiais e +o,e, os con+ecimentos destas propriedades
contribuem para o desenvolvimento tecnol%ico na -rea das comunica.es, no processamento de dados e nos mais
variados aparel+os eletr/nicos$
0abe se *ue bons condutores de eletricidade tamb1m so bons condutores t1rmicos 2o cobre por e&emplo3$
Propriedades como a resistividade el1trica e a condutividade t1rmica podem ser e&plicadas *ualitativamente atrav1s da
teoria cl-ssica$ 4ntretanto, *uando se passa para uma an-lise *uantitativa o mesmo no ocorre$ 5s valores obtidos para
diversos par)metros macrosc%picos como a resistividade e a capacidade t1rmica no so e&plicadas pela teoria
cl-ssica, *uando envolve sini6icativas varia.es com a temperatura$
7ma das di6iculdades da teoria cl-ssica 1 *ue se admite *ue os el1trons livres t'm uma eneria m1dia de 89:
;T, onde ; 1 a constante de <oltzmann e T a temperatura absoluta 2medida em Kelvin3$ 4ssa 1 uma decorr'ncia do
teorema de e*=ipartio de eneria, onde os sistemas de partculas seuem a distribuio de Ma&>ell?<oltzmann$
Pela teoria *u)ntica e o Princpio de 4&cluso de Pauli no pode +aver mais *ue dois el1trons 2com spins
opostos3 em um mesmo estado de eneria, nem mesmo no estado de menor eneria, ou se,a , com T@A$ 5s el1trons vo
ocupar di6erentes estados possveis e discretos de eneria, de 6orma compatvel com o Princpio de 4&cluso de Pauli$
Mesmo em T@A, a eneria do el1tron no 1 nula$ (ssim como no caso do -tomo de +idro'nio, e&istem nveis
possveis de eneria para -tomos de muitos el1trons$ 4sses nveis vo sendo preenc+idos com el1trons, de acordo com
reras ,- estabelecidas$ ( eneria do Bltimo nvel preenc+ido 2ou semi preenc+ido3 1 a 4C4DGE( F4 F4DME 4F em
T@A para esse -tomo$
Densidade num!rica de el!trons li"res e ener#ia de Fermi a T$ %&
ara al#uns elementos.
0mbolo 4G4M4CT5 C9H 2 el1trons por cm
8
3 4F 2 eH 3
(l alumnio !I,! & !A
::
!!,J
( prata #,IK & !A
::
#,#
(u ouro #,"A & !A
::
#,#8
Lu cobre I,4J & !A
::
J,A4
Fe 6erro !J,A & !A
::
!!,:
K pot-ssio !,4 & !A
::
:,!!
Gi ltio 4,J & !A
::
4,J#
M man1sio I,K & !A
::
J,!!
Mn manan's !K,# & !A
::
!!,A
Ca s%dio :,K# & !A
::
8,:4
0n estan+o !4,I & !A
::
!A,:
Mn zinco !8,: & !A
::
",4K
( eneria de Fermi 4F depende da densidade num1rica C9H onde C 1 o nBmero de el1trons e H o volume do
metal$ ( eneria de Fermi 1 representada no r-6ico *ue mostra a probabilidade F de encontrar uma partcula, F 1
c+amado 6ator de Fermi$ ( probabilidade de encontrar uma partcula abai&o da eneria de Fermi 1 sempre ! e a
probabilidade de encontrar uma partcula com eneria acima da eneria de Fermi 1 zero para T@A$
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( 6uno de distribuio de eneria de Fermi
n243 *ue aparece em 2c3 na 6iura 1 o produto
da densidade de estados 243 *ue aparece em
2a3 e o 6ator de Fermi F *ue aparece em 2b3$ (
curva trace,ada em 2b3 e 2c3 mostra o 6ator de
Fermi e a distribuio de eneria em T@A$ 4m
temperaturas mais elevadas aluns el1trons
com suas enerias nas vizin+anas da eneria
de Fermi so e&citados,como se mostra pelas
rei.es sombreadas em 2b3 e 2c3$
(penas el1trons *ue ocupam a reio sombreada participam de eventos como o do calor espec6ico dos
s%lidos, por*ue apenas esses conseuem eneria su6iciente para mudar de nvel de eneria dentro das possibilidades$
Fessa 6orma +- concord)ncia entre valores esperados teoricamente e observados na pr-tica para o calor espec6ico de
s%lidos$ 7ma nova de6inio da eneria de Fermi se 6az necess-riaN
4C4DGE( F4 F4DME 1 a eneria para a *ual a probabilidade do estado estar ocupado 1 O , isto 1, a eneria
para a *ual o 6ator de Fermi 1 O$
Teoria 'untica da conduo el!trica.
Ca 6sica cl-ssica 6azemos uma comparao do movimento de um el1tron numa rede cristalina como se 6osse
de uma bolin+a contra os -tomos per6ilados ordenadamente no cristal$ 4m vez disso, na mec)nica *u)ntica deve ser
considerada a natureza ondulat%ria do el1tron$ (ssim, consideramos uma onda do el1tron se envolvendo com uma rede
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cristalina$ 5 espal+amento das ondas do el1tron 1 causado pelas impurezas ou pelos deslocamentos de -tomos do
cristal, causados pela vibrao t1rmica desses -tomos$ 5 e6eito 6inal, 1 *ue embora classicamente no +a,a
concord)ncia entre teoria e medi.es e&perimentais, a concord)ncia com c-lculos *u)nticos 1 relativamente boa em
ordem de randeza, necessitando de pe*uenas corre.es do modelo do -tomo, em cada caso espec6ico$
( 6iura acima mostra a resist'ncia relativa em 6uno da temperatura em K no caso de tr's amostras de s%dio$
(s tr's curvas t'm a mesma depend'ncia em relao P temperatura, mas os valores so lieiramente di6erentes,
con6orme o teor de impureza nas amostras$
Teoria das bandas.
Co -tomo de +idro'nio, *ue tem apenas um el1tron, a estrutura dos nveis discretos de eneria 1 bem
de6inida e bem con+ecida$ 4m -tomos maiores tamb1m aparecem nveis discretos de eneria *ue so caracterizados
por spin e paridade
!
, e *ue devem ser preenc+idos seundo certos princpios$ Qtomos com muitos el1trons t'm tamb1m
os nveis de eneria, *ue vo sendo preenc+idos como ,- 6oi dito, de modo *ue as caractersticas *umicas aparecem
RautomaticamenteS con6orme o nBmero de el1trons *ue 6icam em camadas mais e&ternas e *ue 6icam desacoplados e,
portanto, Rmais livresS 2embora este,am em um estado liado3$ 5s nveis de eneria so identi6icados pelo spin
seundo a nomenclatura s para spin A, para spin !, d para spin :, seundo reras estabelecidas por
espectroscopistas
:
, *ue estudaram e identi6icaram os espectros de di6erentes -tomos, desde os 6ins do s1culo TET
2ainda *ue no associados aos spins dos nveis3$ 5s nBmeros *ue antecedem cada letra indicam a ordem dos nveis,
assim !s corresponde a um spin A e 1 o primeiro nvel de eneria, :s corresponde tamb1m a spin A, mas ao seundo
nvel, isto 1, de eneria maior$
Cum s%lido os -tomos esto localizados pr%&imos um do outro e a estrutura de lin+as espectrais 6ica alterada
de acordo com o nBmero de R-tomos vizin+osS caracterizado na *umica como a val'ncia do -tomo, *ue representa a
pro&imidade na 6ormao das mol1culas e resulta na estrutura tri dimensional das mesmas$
Ca 6iura! vemos o desdobramento de nveis !s e :s con6orme a dist)ncia entre seis -tomosN
!
( paridade de um estado pode ser positiva ou neativa e 1 mais um nBmero *u)ntico$
:
s? s+arp; p?principal e d?di6use$ 4stas eram as caractersticas observadas visualmente nas lin+as espectrais$
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Fiura!?0eparao dos nveis de eneria !s e :s em sub?niveis, no caso de seis -tomos, em 6uno da separao entre
eles$
Cum s%lido em vez de nveis desdobrados aparecem bandas de eneria permitidas e bandas proibidas$ (
6iura : mostra *uatro bandas di6erentes *ue correspondem a 2a3?condutor tpico, 2b3? isolante, 2c3? condutor em *ue +-
superposio de bandas, 2d3 semicondutor$ ( velocidade dos el1trons na rede cristalina depende se a banda em *ue ele
se encontra est- c+eia ou meio c+eia$ 4m bandas c+eias no +- mobilidade de el1trons$
Fiura :?Uuatro estruturas de bandas possveis nos s%lidos$ 2a3 Londutor tpicoN a banda de val'ncia est- parcialmente
c+eia, de modo *ue os el1trons podem ser 6acilmente e&citados at1 estados de eneria vizin+os$ 2b3 Esolante tpico$ V-
uma banda de eneria proibida com uma di6erena rande entre a banda de conduo e a banda de val'ncia
completamente c+eia$ 2c3 Londutor em *ue +- superposio de bandas de eneria permitidas$ 2d3 0emicondutor$ (
lacuna de eneria entre a banda de val'ncia c+eia e a de conduo 1 muito pe*uena, de modo *ue aluns el1trons
podem ser e&citados nas temperaturas ambiente at1 a banda de conduo, dei&ando buracos na banda de val'ncia$
Cum condutor tpico a banda de val'ncia est- parcialmente c+eia de modo *ue os el1trons podem ser
6acilmente e&citados para estados vizin+os permitidos$ ( vac)ncia de um nvel de eneria, por sua vez, propicia a
ocupao por outro el1tron e assim sucessivamente causando a movimentao dos el1trons; dessa 6orma se entende
como se d- a conduo el1trica$ 4sse processo mostra como os el1trons t'm a mobilidade esperada nos condutores$
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W- no caso do isolante a banda de val'ncia est- preenc+ida e a reio de eneria proibida 1 su6icientemente
lara de modo *ue di6icilmente um el1tron conseue passar para alum nvel permitido de eneria$ ( mobilidade dos
el1trons 6ica inibida o *ue resulta no comportamento dos materiais isolantes de eletricidade$
Cos materiais semicondutores a banda proibida 1 bem estreita de modo *ue pode +aver el1tron com eneria
su6iciente para passar de uma banda a outra, causando o comportamento tpico do material$ 4sses so os
semicondutores intrnsecos como o silcio e o erm)nio$ ( 6iura 8 mostra como so os nveis de eneria de
elementos *ue tem nveis de eneria com el1trons :s, 8s ou 4s ,unto com os de nvel :p, 8p ou 4p em 6uno da
dist)ncia D em nm 2!nm@!A
?"
m3, a pro&imidade dos -tomos$
Fiura 8? (laramento em eneria dos estados :s e :p do carbono, ou 8s e 8p do silcio, ou dos estados 4s e 4p do
erm)nio, em 6uno da separao entre os -tomos$ ( lacuna de eneria entre os estados completamente c+eios e os
estados vazios 1 cerca de J eH para o carbono, mas apenas !eH para o silcio e erm)nio$
Co caso do carbono a dist)ncia tpica 1 de A,!#nm *ue corresponde a JeH de eneria, como pode ser visto na
6iura, por isso 1 um isolante$ W- para o erm)nio Ge e para o silcio 0i a dist)ncia tpica 1 A,:4nm, e$ para essas
dist)ncias as bandas se sobrep.em$ 5 Ge e o 0i so semicondutores intrnsecos$
( estrutura do silcio se 6orma pela liao covalente com *uatro el1trons de val'ncia, representado num
modelo bidimensional como mostrado na 6iura 4$
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Fiura 4? Modelo es*uem-tico
bidimensional do silcio s%lido$ Lada
-tomo 6orma uma liao covalente
com *uatro -tomos vizin+os,
compartil+ando el1trons de val'ncia
com cada um dos vizin+os$
(E)*C+,D-T+.E( E/T.0,(EC+(
4&istem semicondutores e&trnsecos, *ue so os componentes como diodos e transistores utilizados em lara
escala em aparel+os miniaturizados, *ue se v' cada vez menor a cada nova erao$ Cesses semicondutores so
adicionados de 6orma controlada alum elemento espec6ico como o ars'nio e o -lio num processo denominado
dopaem$
5 ars'nio tem val'ncia # $ (ssim # el1trons so usados nas lia.es com outros -tomos$ Fopando o silcio 0i
2val'ncia 43 com ars'nio (s 2val'ncia #3 obt1m?se um es*uema como mostra a 6iura #$ 5 ars'nio 6ica preso numa
rede rodeado de silcio, todos com 4 el1trons covalentes$ 7m el1tron do ars'nio 6ica sobrando e 6ica assim livre na rede
21 o portador neativo3, en*uanto *ue o ars'nio, inicialmente neutro, parece um elemento positivo preso na rede, pois
tem um pr%ton Rno 6ortemente acopladoS$ Co es*uema de nveis de eneria aparecem conse*=entemente aluns
nveis intermedi-rios na banda at1 ento proibida e bem pr%&imo da banda de conduo como mostra o es*uema
abai&o$ 4sses semicondutores so os semicondutores do tio n e tem um portador neativo$
Fiura # ? 0ilcio dopado com ars'nio$ 5 ars'nio 1 pentavalente 2#3 e tem assim um el1tron a mais para 6azer as
lia.es covalentes$ 4sse el1tron a mais 6ica livre na rede como mostrado em 2a3$ 4le pode ocupar alum nvel de
eneria *ue esto representados, no es*uema da banda de eneria, como os nveis dos doadores localizados bem
pr%&imos da banda de conduo vazia, ve,a 2b3$ 4ste semicondutor 1 c+amado de semicondutor tipo n$ Lomo o
ars'nio 6ica com um el1tron a menos, considerando a reio por perto de onde ele est- liado na rede cristalina, 1
como se na rede estivesse presa uma cara positiva$ (compan+ando essa cara positiva presa na rede 6ica um portador
negativo, semicondutor tipo n$ 5 el1tron 6ica RlivreS na rede, isto 1, pode ir para a outra banda 6acilmente$
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7m outro tipo de semicondutor 1 conseuido dopando o silcio com -lio, *ue 1 trivalente, e na liao
covalente com o silcio 6ica 6altando um el1tron, dizemos *ue 6ica um buraco ou vac)ncia$ 5 es*uema bidimensional
da rede cristalina est- mostrado na 6iura K, ,unto ao es*uema correspondente de nveis de eneria$
Fiura K? 0ilcio dopado com -lio$
5 -lio 1 trivalente de modo *ue 6alta um el1tron para 6azer as lia.es covalentes$ X como se +ouvesse um
buraco na rede *ue ae como se 6osse uma cara positiva$ (lum el1tron pode ocupar essa posio, o *ue 1
representado no es*uema de nveis de eneria como os nveis *ue aparecem na reio antes proibida, loo acima da
banda de val'ncia c+eia$ (ssim, diminui a *uantidade de eneria necess-ria para +aver trans6er'ncia de um el1tron$ 5
buraco 1 c+amado de portador positivo e o semicondutor de tipo p$ Ca rede 1 como se tivesse uma cara neativa
presa e o portador livre positivo 6ica possibilitando a trans6er'ncia mais 6-cil de um el1tron$
Co es*uema de bandas, um el1tron da banda de val'ncia c+eia pode passar para um desses nveis
intermedi-rios, *ue apareceram com o acr1scimo da impureza, com uma eneria menor *ue a necess-ria para vencer
todo o gap antes proibido$
Fiura J? Ca ,uno de dois semicondutores
juno pn , do lado p 6icam presos na rede
caras neativas e do lado n caras positivas
como mostra a 6iura$ (parece assim uma
reio com uma di6erena de potencial, 1 a
regio de depleo, como se 6osse um
capacitor$ 4ssa reio pode ser aumentada por
polarizao e&terna reversa ou diminuda pela
polarizao e&terna direta$ 4ntende?se assim o
comportamento assim1trico do diodo *ue 1
uma ,uno pn, *uando se aplica uma
polarizao e&terna$
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Fiura I ? es*uema dos nveis de eneria numa
,uno pn no polarizada e&ternamente$
Fiura " ? Fiodo de ,uno pn, polarizado diretamente 2a3 e reversamente em 2b3$ 5s buracos esto
representados por crculos com borda re6orada e os el1trons so os crculos claros$
Ca 6iura " est- representado o e6eito da polarizao e&terna da ,uno de semicondutores pn, com a
polarizao direta 2a3, 6avorecendo a passaem de buracos do lado p para o n dando a corrente E$ ( polarizao reversa
2b3 ao contr-rio inibe a di6uso de buracos e de el1trons e no +- conduo el1trica$ Fessa 6orma, a ,uno pn tem uma
caracterstica peculiar *ue est- mostrada na 6iura !A onde se v' a curva caracterstica de um diodo comercial, muito
utilizado em circuitos eletr/nicos os mais diversos$ Cote a di6erena das escalas para valores positivos e neativos da
corrente e da tenso aplicada$ Uuando a polarizao 1 reversa a corrente *ue atravessa a ,uno 1 muito pe*uena
apenas de aluns Y( 2!Y(@!A
?K
(3 at1 a polarizao *ue causa a ruptura do diodo em 4A H$ Por outro lado, com a
polarizao direta ,- com apenas A,K H a corrente *ue atravessa a ,uno 1 de !Am( 2!m( @!A
?8
(3$ Cos diodos a
conduo el1trica ocorre na pr-tica apenas em uma direo e so muito utilizados em circuitos reti6icadores de tenso
e ou para cortar sinais de determinada polaridade$
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Fiura !A ? curva caracterstica de um diodo comercial
<asta comparar, por e&emplo, o som de um disco comum de JI rota.es em ampli6icadores P v-lvula e a
diodos e transistores$ Procurem saber com pessoas mais vel+as *ue certamente sabem a di6erena$ Co 1 s% o taman+o
dos aparel+os *ue mudaram 1 tamb1m a *ualidade e 6idelidade dos e*uipamentos transistorizados 2no os
e*uipamentos diitalizados3$ 5 nvel de rudo de 6undo diminui em muito, o *ue torna a reproduo mais 6iel$ 5
aper6eioamento correspondente em detetores de partculas 1 observado *uando se compara um detetor a -s tipo
proporcional com um de barreira de super6cie$ Cos detetores a -s so necess-rios da ordem de 8AeH para a criao
de um par de ons$ 5 con,unto dos pares dei&ados no -s do detetor devidamente coletados 6orma o sinal el1trico, *ue
traz a in6ormao da eneria da partcula$ Co caso de um detetor semicondutor, como o de barreira de super6cie
necessita de apenas da ordem de 8 eH, o *ue certamente mel+ora a estatstica
8
na 6ormao de pares resultando uma
mel+or resoluo de eneria, al1m de maior e6ici'ncia$
5s pares 6ormados nos detetores semicondutores denominados enericamente de detetores de barreira de
super6cie ocorrem na reio de contacto de dois semicondutores tipo p e tipo n$ Cas vizin+anas dessa super6cie
6orma?se a re#io de deleo onde as caras livres do semicondutor se recombinam causando uma distribuio de
cara como se 6osse um capacitor atrav1s das caras presas P rede cristalina como mostra 6iura J$ 4ssa reio pode
ser aumentada e&ternamente atrav1s de polarizao reversa de uma 6onte de tenso au&iliar$ Uuanto maior a reio de
depleo maior ser- a reio disponvel para a deteo e6iciente de eneria e partculas de eneria maior podem ser
detetadas$ Partculas carreadas so detetadas por esse tipo de detetor com ampla vantaem em e6ici'ncia e resoluo
em eneria$ ( boa resoluo permite a di6erenciao de rupos de partculas com eneria bem pr%&imas$
5 termo barreira de super6cie vem do 6ato *ue esses detetores so 6abricados com a 6ace dianteira como -rea
sensvel, de modo *ue apenas uma super6cie delada de um dos semicondutores 1 colocada em contato com o
semicondutor do outro tipo, esse sim com espessura su6iciente para detetar ade*uadamente a partcula carreada$ (
descontinuidade da super6cie delada produz a reio de depleo$ ( 6ace sensvel do detetor deve ser su6icientemente
delada a 6im de evitar perda de eneria desnecess-ria, *ue a6etaria a sua de6inio, o *ue 1 obtido por essa eometria
ade*uada$ ( 6iura !! mostra 6otos de detetores de barreira de super6cie, do lado es*uerdo um detetor de :AAA e P
direita um de !"KA$
8
( estatstica tem como erro intrnseco o valor C
!9:
, onde C 1 o nBmero de eventos, o *ue a6eta diretamente a resoluo
de um detetor, pois a resoluo est- liada ao erro relativo C
!9:
9 C, *ue diminui com C$ Por outro lado, o nBmero C de
eventos est- relacionado com a eneria total da partcula detetada$
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Fiura !!? 6otos de detetores de barreira de super6cie comerciais$
7m outro dispositivo muito utilizado 1 a c!lula solar, 6iura!:, *ue 1 uma ,uno pn *ue tem as caras da
reio de depleo aumentadas pela incid'ncia de luz solar$ 4sse e&cesso de caras 6unciona como uma pil+a, *ue na
pr-tica c+ea a at1 A,KH de di6erena de potencial$ ( luz solar pode e&citar um el1tron da banda de val'ncia para a
banda de conduo dei&ando um buraco e&tra na banda de val'ncia$ (luns buracos podem recombinar, mas 6orma?se
uma *uantidade su6iciente de buracos *ue se acumulam na reio de depleo para ocorrer o dese*uilbrio citado$ 7m
G4F 2Git+ 4mission Fiode3 1 basicamente o oposto da c1lula solar$
4&iste ainda dispositivos como o GFD li+t dependent resistors, *ue como diz o nome tem a sua resist'ncia
el1trica dependente da intensidade luminosa incidente na 6ace sensvel$ 7m *uantum de luz tem eneria su6iciente para
*ue um el1tron mude de camada e torne assim um material isolante em condutor$ Fependendo do nBmero de el1trons
e&citados a resistividade do material pode se modi6icar$
Fiura !: ? Wuno pn 6uncionando como c1lula solar$ Uuando a luz incide sobre a reio tipo p, cria?se pares el1tron?
buraco, o *ue provoca uma corrente E atrav1s da resist'ncia de cara DG$
)E*+( DE C+)-,*C123+
Fesde o s1culo TET ,- se con+ecia a transmisso de ondas eletroman1ticas pelo espao, o *ue 6oi
amplamente utilizado e aper6eioado ao lono dos tempos a 6im de tornar os meios de comunicao cada vez mais
e6iciente$ <asicamente o *ue deve ser 6eito com as ondas de r-dio e TH 1 ampli6icar apenas as ondas cu,as 6re*='ncias
correspondam P estao *ue se *uer sintonizar$ 5utras 6re*='ncias so consideradas rudos eletr/nicos *ue devem ser
minimizados sem diminuir a ampliao da amplitude da 6re*='ncia sintonizada$ Muitos circuitos 6oram desenvolvidos
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ainda com a tecnoloia a v-lvulas *ue astam muita eneria e tomam um espao enorme, com bai&a e6ici'ncia na
ampli6icao apenas nas 6re*='ncias de interesse$
Tudo isso pode ser 6eito atrav1s de di6erentes circuitos eletr/nicos, *ue utilizam diodos e transistores, +o,e em
dia ,- incorporados em circuitos interados promovendo a miniaturizao cada vez maior e de mel+or *ualidade$
<asicamente o *ue 1 6eito se resume em ampli6icar o sinal na 6re*='ncia correta diminuindo o sinal de rudo sempre
presente em *ual*uer ambiente$ 5 desenvolvimento tecnol%ico est- associado aos modelos e&istentes para consumo
tanto em -udio como em vdeo al1m da tele6onia sem 6io$
D*+D+(
7ma ,uno pn 1 a base do componente amplamente utilizado em circuitos eletr/nicos, os assim c+amados
diodos$ ( reti6icao de uma onda senoidal, por e&emplo, 1 6eita utilizando o comportamento assim1trico do diodo$ X
assim *ue uma tenso (L 1 trans6ormada em tenso FL$
5s nveis de eneria correspondentes Ps rei.es p e n sem polarizao e&terna est- representada na 6iura I
2 a*ui repetida para 6acilitar a compreenso3$ 4 representa o RapS de eneria, isto 1 a reio de eneria onde no pode
+aver el1trons$ 0o as enerias proibidas *uanticamente$ Ca 6iura !8 os nveis de eneria da ,uno pn pesadamente
dopada de um diodo tBnel$ 4m 2a3 sem polarizao e&terna, +- um pe*ueno tunelamento de el1trons nas duas dire.es$
4m 2b3 com uma pe*uena voltaem de polarizao e&terna, a corrente de tunelamento 1 aumentada numa das dire.es,
e 6az uma contribuio sini6icativa P corrente total$ 4m 2c3 com maior aumento de polarizao a corrente de
tunelamento diminui drasticamente$
Fiura I Z Cveis de eneria numa ,uno pn
polarizada, onde se v' a eneria de Fermi 24F3 e a
eneria do ap 243, reio proibida$
Fiura !8 Z Cveis de eneria na ,uno pn pesadamente dopada de um diodo tBnel$ 4m 2a3 sem voltaem de
polarizao e&terna, pode +aver o tunelamento de aluns el1trons nas duas dire.es$ 2b3 Lom uma pe*uena
polarizao a corrente de tunelamento 1 aumentada numa direo, e 6az uma contribuio ponder-vel na corrente
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total$ 2c3 Lom maior polarizao a corrente de tunelamento diminui drasticamente$
Cos detectores semicondutores descritos acima aplica?se uma polarizao reversa de modo *ue a
reio de depleo, isto 1, a reio do RapS de eneria 1 aumentada por polarizao e&terna$ 7ma vez
*ue uma partcula carreada passa nessa reio, 6ormam?se pares el1trons?lacunas em *uantidade
proporcional P eneria depositada$ (s caras 6ormadas so coletadas, ampli6icadas de modo a determinar
com preciso a eneria da partcula$ Cos detectores de barreira de super6cie a 6ace do detector ,- 1 a
reio de depleo no +avendo assim perda desnecess-ria de eneria loo na incid'ncia da partcula a
ser detectada$

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