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Tema 6. Metales
Propiedades generales de los metales
Las propiedades fsicas ms caractersticas de los metales son:
1 Son buenos conductores del calor y la electricidad.
2 Tienen lustre metlico.
3 Dctiles y maleables.
4 Sus estructuras ms frecuentes son la cbica centrada en el cuerpo y las estructuras
compactas.
5 Forman aleaciones.
Conductividad
La conduccin elctrica proviene del movimiento de los electrones. La conductividad de los compuestos
inicos en estado fundido o disueltos se debe al movimiento de iones. En estado slido la semiconduccin
se debe a los defectos reticulares. Hay una gran diferencia entre la conductividad de los metales y los
dems slidos (conductividad en S cm
-1
o
-1
cm
-1
):
Ag(6,3x10
5
), Cu(6,0x10
5
). Na(2,4x10
5
), NaCl (10
-7
), diamante o cuarzo(10
-14
)
La conductividad de los metales decrece con la temperatura. Muestran cierto grado de paramagnetismo
lo que indica presencia de electrones desapareados.
Conductividad elctrica de varios slidos
SUSTANCIA CONDUCTIVIDAD ENLACE
Plata 6,310
5
S/cm metlico
Cobre 6,010
5
S/cm metlico
Sodio 2,410
5
S/cm metlico
Cinc 1,710
5
S/cm metlico
NaCl ~10
-7
S/cm inico
Diamante ~10
-14
S/cm Covalente
Cuarzo ~10
-14
S/cm Covalente
Lustre metlico
La superficie limpia de un metal aparece brillante y como un espejo. El lustre aparece desde cualquier
ngulo de observacin a diferencia del lustre que aparece a pequeos ngulos en cristales de yodo o
azufre. Pulverizados son grises o negros.
se debe a que los electrones libres del metal absorben energa de la luz y la vuelven a emitir a
continuacin cuando el electrn cae al nivel inicial. Como se absorben y emiten prcticamente todas las
longitudes de onda; toda la luz se refleja en la prctica, originando el aspecto lustroso. el color rojizo y
dorado del cobre y oro se debe a la distinta rapidez en la absorcin de algunos colores.
Algunos metales emiten electrones cuando se exponen a la luz (efecto fotoelctrico), cuando son
irradiados con longitudes de onda corta o al ser calentados (emisin termoinica).
Maleabilidad y fuerza cohesiva
Los metales tienen la propiedad mecnica de ser dctiles y maleables. Esto conduce a la deformacin del
slido en lminas o hilos y es tanto ms difcil cuanto mayor sea la fuerza de cohesin de los tomos en
la estructura. Esta fuerza de cohesin puede ser medida mediante la entalpa de vaporizacin o calor
necesario para evaporar o atomizar el metal
M(cristal) + H
v
= M(gas)
Los valores de disminuyen a medida que descendemos en una familia o grupo de metales
Li(162), Na(108), K(90), Rb(82) y Cs (78); en kJ/mol.
Los valores de aumentan desde el grupo 1 al 2 y 3. Esto sugiere que la fuerza del enlace metlico aumenta
a medida que aumentan los electrones de valencia. La energa de cohesin aumenta al principio en las
series de transicin conforme aumenta el nmero de electrones desapareados, alcanzando mximos
valores en el Sc, Ti y V. Continuando en la serie de transicin el nmero de electrones implicados en el
enlace metlico va disminuyendo y adems los electrones se van apareado, no estando ya disponibles
74
para formar enlaces, con lo que las fuerzas de cohesin disminuyen y alcanzan un mnimo en el Zn. Los
puntos de fusin y ebullicin crecen a medida que aumentan las fuerzas cohesivas.
Estructura de los metales
Existen tres tipos principales de estructuras en los metales.
a) Cbica centrada en el cuerpo. Cada esfera o tomo metlico se rodea de ocho dispuestas en
los vrtices de un cubo. El nmero de coordinacin es ocho.
b) Cbica compacta centrada en las caras. Una disposicin repetida de capas ABC de esferas.
c) Hexagonal compacta. Capas AB.
La coordinacin en estas dos ltimas es doce. Slo queda un 24% del espacio vaco en forma de huecos.
La maleabilidad y ductilidad depende de la existencia de planos de deslizamiento en la estructura. La
estructura ABC es ms simtrica, posee cuatro planos perpendiculares a las diagonales del cubo, que son
planos de deslizamiento. Los metales que adoptan esta estructura son frecuentemente blandos y
fcilmente deformables mecnicamente (metales de acuacin). La estructura hexagonal compacta slo
posee un plano de deslizamiento y son en general ms duros.
Las impurezas causan dislocaciones en la red metlica y el enlace localizado que se forma por causa de
estas impurezas hace ms duro al metal. Tambin las dislocaciones incrementan la dureza y as un metal
blando como el cobre al doblarlo o trabajarlo por segunda vez se vuelve ms duro debido a la friccin
causada por las dislocaciones de planos originadas al someter la pieza metlica a un primer trabajo.
75
Metales s y p
Li
ccc
ecc, ehc
Na
ccc
ecc, ehc
K
ccc
Rb
ccc
Be
ehc
ccc
Cs
ccc
Mg
ehc
Ca
ecc
ccc
Sr
ecc
ccc
Ba
ccc
Al
ecc
Si
d
ccc = empaquetamiento cbico centrado en el cuerpo
ecc = empaquetamiento cbico centrado en las caras
ehc = empaquetamiento hexagonal compacto
d = estructura de diamante
Ga
x
In
x
Tl
ehc
Ge
d
Sn
d
Pb
d
x = estructura compleja
La estructura reseada en primer lugar es la
ms estable a temperatura ambiente
Metales de transicin, d
Sc
ehc
ccc
Y
ehc
ccc
La
ehc
ecc, ccc
Ti
ehc
ccc
Zr
ehc
ccc
Hf
ehc
ccc
V
ccc
Nb
ccc
Ta
ccc
Cr
ccc
Mo
ccc
W
ccc
Tc
ehc
Re
ehc
Mn
ccc
ecc
Fe
ccc
ehc
Ru
ehc
Os
ehc
Co
ccc
Rh
ccc
Ir
ccc
Ni
ccc
Pd
ccc
Pt
ccc
Cu
ccc
Ag
ccc
Au
ccc
Zn
ehc
Cd
ehc
Hg
x
Metales de transicin interna, f
La
ehc
ecc
ccc
Ce
ehc
ecc
ccc
Pr
ehc
ecc
ccc
Nd
ehc
ecc
ccc
Pm
-
Sm
-
ccc
Eu
ccc
Gd
ehc
ccc
Yb
ecc
ccc
ehc
Tb
ehc
ccc
Dy
ehc
ccc
Ho
ehc
ccc
Er
ehc
ccc
Tm
ehc
ccc
Ac
ecc
Th
ecc
ccc
Pa
ccc
ecc
U
-
ccc
76
Teoras del enlace metlico
Las teoras deben tener en cuenta que el enlace es no direccional ya que las propiedades metlicas
permanecen incluso en estado lquido como es el caso del mercurio o en las disoluciones de sodio en
amoniaco lquido. Tambin las teoras deben interpretar el enlace de las aleaciones y explicar la alta
movilidad de los electrones.
Teora del electrn libre
Es la teora de Drude y contempla a un metal como una red en la que se mueven electrones de la misma
manera que lo hara un gas. esta idea es concretada por Lorentz en 1923 al suponer a un metal como una
serie de esferas cargadas positivamente y situadas en una red rgida, embebida en un gas electrnico
formado por electrones de valencia que se mueven en los intersticios de la red. Este modelo explica la
alta movilidad y conductividad de los electrones y la cohesin que resulta de la atraccin electrosttica
entre el gas y los restos positivos.
Teora del enlace de valencia
Consideremos al Li que tiene una estructura cbica centrada en el cuerpo, con ocho tomos prximos y
otros seis a una distancia un poco mayor. Un tomo de Li tiene un nico electrn por lo que slo puede
formar un enlace con un tomo vecino, para formar un enlace con dos electrones. se puede unir a cualquiera
de los ocho vecinos. Tambin se puede ionizar y producir dos enlaces covalentes. De estas posibilidades
se pueden formular varias . La energa mnima se puede obtener como contribucin de todas estas formas,
de modo que la fuerza cohesiva del Li metlico es superior a la de la molcula Li
2
que solo posee una
manera de enlazarse.
Entalpa de sublimacin o atomizacin de Li metal = 161 kJ/mol
Mitad de la entalpa de disociacin de Li
2
= 54 kJ/mol
La energa cohesiva aumenta en los grupos 1, 2 y 3 debido a la posibilidad de formar ms enlaces debido
a que hay ms electrones disponibles. La presencia de iones puede explicar la conduccin elctrica pero
no el brillo metlico.
Teora de los orbitales moleculares o teora de bandas
Veamos la aplicacin para el metal ms sencillo. La estructura electrnica del tomo de litio es 1s
2
, 2s
1
,
2p
0
. La molcula diatmica existe en estado de vapor y tiene un enlace formado al solaparse los OA 2s.
El enlace tiene lugar mediante un orbital enlazante 2s. El correspondiente OM antienlazante *2s,
queda vaco. Suponemos que se renen ahora tres tomos de Li para formar Li
3
. Tres OA 2s se van a
combinar para dar tres OM, uno enlazante, otro antienlazante y el tercero no enlazante y situado a la
misma energa que el OA de partida. Los tres electrones se colocan dos en el OM enlazante y otro en el no
enlazante. Para Li
4
se forman dos OM enlazantes y dos antienlazantes, ocupando los cuatro electrones los
dos OM de menor energa, es decir los enlazantes. A medida que aumenta el nmero de tomos en este
cluster o agregado metlico, aumenta el nmero de electrones de valencia y tambin el nmero de OM.
Pero la separacin entre estos OM es cada vez ms pequea, debido a que los tomos que interaccionan
estn cada vez ms alejados; por lo que la separacin energtica ente OM enlazante y antienlazante es
cada vez menor.
Un tomos de litio puede unirse
a cualquiera de los ocho tomos
vecinos (a, b); o puede unirse a
dos vecinos si uno de ellos tiene
carga negativa (c, d).
d
c
b
a
Li
+
Li
-
Li
-
Li
Li Li
Li
Li Li
Li
Li Li
Li
Li
Li Li
Li Li
Li
Li Li
Li
Li
Li
Li
Li
Li
Li
Li
Li
Li
+
Li
77
Si tomamos un nmero de tomos suficientemente grande (p.e N
A
), obtendremos un continuum de OM,
que va a constituir una banda de OM con muy pequea diferencia energtica entre ellos. La mitad de esta
banda estar formada por OM enlazantes.
En el caso del Li metlico, con N
A
tomos tenemos N
A
OM y N
A
electrones 2s
1
de valencia. Como cada
OM puede albergar a dos electrones, se ocupa la mitad de la banda de OM (banda 2s). se necesita un
mnimo de energa para excitar a los electrones a OM vacos prximos dentro de la propia banda.
Se ha considerado una sola dimensin en la construccin anterior de OM. En la red del metal es preciso
considerar las tres dimensiones; en ellas podrn tener gran movilidad los electrones de los ltimos OM
ocupados, los cuales se extienden por todo el espacio del cristal. Esta libertad de movimiento electrnico
explicara la conduccin trmica y elctrica. Si calentamos un extremo de una pieza metlica, la energa
comunicada promociona a los electrones a OM ms energticos o superiores y pueden as viajar
rpidamente al otro extremo de la pieza, la cual se calentar por este efecto. La conduccin elctrica
tambin consiste, mediante una perturbacin, en la promocin de electrones a niveles no ocupados. en
ausencia de campo elctrico igual nmero de electrones se mueven en ambas direcciones. Al aplicar un
campo elctrico, el electrodo positivo, colocado en un extremo y el negativo en el otro; da como resultado
que, hacia el polo positivo se muevan ms rpidamente los electrones en comparacin a los que viajan en
la direccin opuesta.
La conduccin tiene lugar debido a la no existencia de una discontinuidad energtica entre los OM
ocupados y vacos, como ocurre con el Li y cualquier otro alcalino con banda semillena.
En el berilio hay dos electrones de valencia por tomo, por lo que se llena la banda 2s. En un tomo
aislado de Be la diferencia de energa entre 2s y 2p es de 160kJ/mol. De la misma manera se puede
construir una banda 2p que estara vaca, al igual que sucede en el tomo aislado. Ahora sucede que la
parte superior de la banda 2s se solapa o superpone con la parte inferior de la banda 2p. Debido a este
solapamiento se ocupa en cierto grado la banda 2p, con objeto de situar a los electrones en OM de mnima
energa. Pero queda una gran proporcin de banda 2p vaca y por lo tanto disponible para la conduccin.
El brillo caracterstico de los metales puede ser explicado por la teora de bandas. Cuando un metal se
ilumina con luz blanca, formada por todas las longitudes de onda del espectro visible, se produce la
excitacin de los electrones a niveles superiores vacos dentro de la banda de conduccin. Al volver los
electrones al estado fundamental, devuelven la energa recibida en forma de luz reflejada responsable
del brillo.
...
Li
2
Li
3
Li
4
Li
n
e
a
ne
a
e
a
e
b)
c)
d)
a)
78
Conductores aisladores y semiconductores
En un conductor elctrico o bien la banda de valencia est parcialmente llena o bien se solapa con otra
banda vaca o banda de conduccin. No hay una discontinuidad energtica apreciable entre OM llenos y
vacos.
En los aisladores (no metales), la banda de valencia est llena y adems hay una diferencia de energa
apreciable entre la banda llena y la banda vaca prxima. Los electrones en esta situacin no pueden
moverse libremente.
Entre aisladores y conductores se sitan los semiconductores que muestran una conductividad intermedia.
Los semiconductores intrinsecos (Si, Ge), son bsicamente aisladores cuya diferencia de energa entre
banda llena y vaca es pequea, de modo que comunicando energa trmica se promociona a un pequeo
nmero de electrones responsables de la conductividad. Los electrones promovidos a la banda de
conduccin y los electrones que, por la promocin, quedan desapareados en la banda de valencia
contribuyen todos a la conduccin. La conductividad de estos materiales aumenta con la temperatura ya
que con ella aumenta el nmero de electrones promovidos.
Los semiconductores de impurezas o extrnsecos se fabrican dopando un aislador con una determinada
impureza, de manera que la banda de la impureza se site entre la banda llena y vaca del aislador
actuando como puente de manera que los electrones de la banda del aislador pueden ser promovidos por
excitacin a la banda de la impureza o viceversa
Los semiconductores extrnsecos se obtienen por sustitucin en la red del aislador alrededor de 10
14
tomos/cm
3
por tomos de impurezas. As, el Si dopado con As (5 e de valencia) proporciona un e extra
a la estructura que va a ser responsable de la conduccin (semiconductor tipo n, negativo, debido a la
corriente generada por exceso de electrones). Si al silicio se le agrega In (3 electrones de valencia), se
produce un defecto de electrones en la estructura o un hueco positivo (semiconductores tipo p o positivo).
Por lo tanto es posible hacer un semiconductor extrnseco a partir de otro intrnseco como hemos expuesto
con el ejemplo del silicio.

OA = orbital atmico
banda
banda
OA
OA
(Li)
(Be)
Sustancias conductoras. Banda
parcialmente ocupada (Li) y dos
bandas solapadas (Be)
E
n
e
r
g

a
E
n
e
r
g

a
79
Superconductividad
Los metales son buenos conductores de la electricidad, aumentando la conductividad de los mismos a
medida que bajamos la temperatura. En 1911 Heike Kamerlingh Onnes observ que metales como el Pb o
Hg se comportan como superconductores cerca del cero absoluto, es decir mostraban resistencia elctrica
prcticamente nula. De esta manera se puede disponer de una corriente elctrica con prdida de energa
nula. Hay una temperatura crtica a la cual la resistencia alcanza el valor cero. Algunos materiales
superconductores no permiten que un campo magntico los penetre, de manera que situados sobre un imn
pueden levitar o flotar (efecto Meissner). Algunas aleaciones como Nb
3
Sn y Nb
3
Ge son superconductoras
por debajo de 22 y 24K respectivamente. La principal aplicacin de los superconductores se relacionan
con la fabricacin de las bobinas para potentes electroimanes que van a encontrar aplicaciones en:
aceleradores lineales de partculas, en la fisin nuclear para confinar el plasma, usos militares y en
resonancia magntica nuclear de imagen en radiodiagnstico mdico.
Los primeros superconductores no metlicos fueron xidos mixtos de estructura tipo perovskita: ABO
3
. A
y B son metales cuya suma de valencias es 6. Tambin se han preparado sustancias orgnicas con estas
propiedades.
Otro sistema interesante relacionado con la perovskita* es el YBa
2
Cu
3
O
7-x
(abreviadamente, YBaCu o
123), que tiene una temperatura crtica de 93K con lo que se puede enfriar en N
2
lquido (77K), en vez de
utilizar he lquido, mucho ms caro.
La celda elemental de la estructura consiste en un apilamiento de tres perovskitas
CuBaO
3
/CuYO
3
/CuBaO
3
El objetivo actual es obtener materiales superconductores que trabajen a temperatura ambiente.
* El nombre proviene del mineral denominado perovskita, CaTiO
3
, y su estructura aparece en compuestos de frmula
ABX
3
. El Ca est en el centro de un cubo, rodeado por ocho tomos de titanio (en los vrtices del cubo) y por doce
tomos de oxgeno (en los centros de las doce aristas.

Aleaciones
Cuando un metal se hace reaccionar con otro o con un no metal, puede obtenerse los siguientes compuestos:
a) Un compuesto inico.
b) Una simple mezcla.
c) Una aleacin intersticial.
c) Una aleacin sustitucional.
Aleaciones intersticiales y compuestos afines
Se debe considerar el tamao de los tomos que van a formar la aleacin. La estructura de muchos
metales es una red de empaquetamiento compacto de esferas o de iones, con muchos huecos tetradricos y
octadricos vacantes. Si el elemento aadido al metal es de pequeo tamao, sus tomos pueden
acomodarse en estos huecos, no alterando prcticamente la estructura del metal original. El hidrgeno es
lo suficientemente pequeo para ocupar los huecos tetradricos, pero tomos mayores pueden ocupar los
huecos octadricos. As, los tomos incorporados ocupan posiciones intersticiales en vez de sustituir a los
tomos de la red metlica original. la composicin qumica de estos compuestos puede variar en un
amplio rango de composiciones dependiendo del grado de ocupacin de los intersticios. estas aleaciones
se les denomina tambin disoluciones slidas intersticiales. Se forman a partir de un amplio nmero de
metales con hidrgeno, boro, carbono y nitrgeno principalmente. el factor determinante en su formacin
es el radio del tomo invasor. Para los huecos octadricos la relacin de radios del tomo pequeo con el
grande deber estar en el intervalo 0.414-0.732. No vara la estructura y la aleacin sigue teniendo el
brillo y propiedades conductoras propias del metal puro. S se alteran la dureza, maleabilidad y
ductilidad debido a que las impurezas impiden el deslizamiento de las capas de tomos en la estructura.
Los carburos, boruros y nitruros son extremadamente duros. Los carburos de hierro como la cementita Fe
3
C,
conducen a la formacin de diversos tipos de acero.
Aleaciones sustitucionales
Si dos metales son completamente miscibles pueden formar una serie de soluciones en un rango continuo.
los tomos sustituyen aleatoriamente al oro tomo en la red. Ejemplos son. Ni/Cu, Cu/Au, K/Rb, K/Cs y
Rb/Cs. Pocos metales cumplen esta completa miscibilidad y deben cumplir las reglas de Hume-Rothery:
80
1 Los metales deben tener tomos de tamaos similares (diferencia de radios no mayor de
15%).
2 Ambos metales han de tener la misma estructura.
3 Similares propiedades qumicas, en particular debern tener el mismo nmero de
electrones de valencia.
En el caso de Cu/Au los radios difieren en 12,5%. Ambos son de empaquetamiento cbico compacto, y son
del mismo grupo.
Los elementos del grupo 1 tienen estructura cbica centrada en el cuerpo. Li/Na y Na/K tienen
diferencias de radio del 22%, por lo que no forman estas aleaciones.
Si solamente se satisfacen algunas de estas reglas, la formacin de estas aleaciones tendr lugar en un
intervalo de composiciones limitado. Veamos el Pb y Sn, con una diferencia de radios del 8%,
pertenecientes al mismo grupo 14 pero con diferentes estructuras, lo que hace que sean slo parcialmente
solubles.
Existen otras aleaciones que muestran unos rangos de solubilidad estrechos o miscibilidad parcial,
apareciendo una acusada tendencia a formar compuestos intermetlicos, como es el caso de los latones
(aleaciones Cu/Zn), en los cuales pueden existir varias fases intermetlicas denominadas , , , y .
El Cu y Zn tienen unos radios atmicos que se diferencian en slo un 7%, pero son de diferente familia o
grupo y cristalizan en distinto sistema cristalino (ABC para el Cu AB para el Zn). Cada fase existe
dentro de un determinado rango de composicin, aunque responde a una frmula ideal. Hume-Rothery
estudiaron estas fases encontrando que la relacin entre los electrones de valencia o ltima capa y el
nmero de tomos era siempre 3/2 para las fases . para las fases y las relaciones encontradas eran
de 21/13 y 7/4. Las razones no estn totalmente esclarecidas pero parece que estn relacionadas con la
estructura y llenado de las bandas de orbitales moleculares.
Ejemplo: Fases intermetlicas en latones (Cu/Zn)
Fase 0-35 % de Zn Disolucin slida de Zn en Cu aleatoriamente.
Fase 45-50 % Zn. Compuesto intermetlico de composicin aproximada ZnCu [(2+1)/2 = 3/2]. Estructura
cbica centrada en el cuerpo.
Fase , 60-65 % de Zn. Compuesto intermetlico de composicin aproximada Zn
8
Cu
5
[(8x2+5x1)/(5+8)
=21/13]. Estructura cbica compleja.
Fase , 82-88 % Zn. Compuesto intermetlico CuZn
3
[(1+3x2)/4 = 7/4]. Hexagonal compacto.
Fase , 97-100 % Zn. Disolucin slida de Cu en Zn con distribucin aleatoria.
banda llena
banda vaca
C)
banda llena
banda vaca
banda de la
impureza
B)
banda llena
banda vaca
E
n
e
r
g

a
A)
Sustancia aisladora (A), semiconductores extrnseco o de impurezas (B) y semiconductor intrinseco
(C). Las sustancias no conductoras tienen una gran distancia o discontinuidad
energtica entre las bandas. En los semiconductores esta distancias es pequea.
81
Ti
O
Estructura de la perovskita, CaTiO
3
. El Ca
2+
est
situado en el centro de la celda coordinado a 8 Ti
4+

situados en los vrtices y rodeado de 12 O
2-
colocados
en las mitades de las aristas.
Aleaciones de
Cu/Zn (Latones)