Transistores de potencia

El transistor de potencia
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de
los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas
potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de ampo!.
"#$T.
Parmetros MOS Bipolar
Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin) Media alta !a"a
Resistencia O## (corte) Alta Alta
$olta"e aplica%le Alto (1000 $) Alto (1&00 $)
M'(ima temperatura de operacin Alta (&00)*) Media (1+0)*)
#recuencia de tra%a"o Alta (100-+00 ,h-) !a"a (10-.0 ,h-)
*oste Alto Medio
El "#$T ofrece a los usuarios las %enta&as de entrada '(), m*s la capacidad
de car+a en corriente de los transistores bipolares:
Traba&a con tensin.
Tiempos de conmutacin ba&os.
,isipacin muc-o mayor (como los bipolares!.
.os interesa que el transistor se parezca, lo m*s posible, a un elemento ideal:
/eque0as fu+as.
1lta potencia.
$a&os tiempos de respuesta (ton , toff!, para conse+uir una alta
frecuencia de funcionamiento.
1lta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
2ue el efecto a%alanc-a se produzca a un %alor ele%ado ( 3E m*xima
ele%ada!.
2ue no se produzcan puntos calientes (+randes di4dt !.
5na limitacin importante de todos los dispositi%os de potencia y
concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a
conduccin y %ice%ersa no se -ace instant*neamente, sino que siempre -ay un
retardo (ton , toff!. 6as causas fundamentales de estos retardos son las
capacidades asociadas a las uniones colector 7 base y base 7 emisor y los
tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
Principios bsicos de funcionamiento
6a diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el
modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar -ay que
inyectar una corriente de base para re+ular la corriente de colector, mientras
que en el FET el control se -ace mediante la aplicacin de una tensin entre
puerta y fuente. Esta diferencia %ienen determinada por la estructura interna de
ambos dispositi%os, que son substancialmente distintas.
Es una caracterstica com8n, sin embar+o, el -ec-o de que la potencia que
consume el terminal de control (base o puerta! es siempre m*s peque0a que la
potencia mane&ada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar "
$
controla la ma+nitud de "

.
En un FET, la tensin 3
#)
controla la corriente "
,
.
En ambos casos, con una potencia peque0a puede controlarse otra
bastante mayor.
Tiempos de conmutacin
uando el transistor est* en saturacin o en corte las prdidas son
despreciables. /ero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de
conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia
disipada, ya que en esos instantes el producto "

x 3
E
%a a tener un %alor
apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor %a a ser
mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de traba&o, debido a que al
aumentar sta, tambin lo -ace el n8mero de %eces que se produce el paso de
un estado a otro.
/odremos distin+uir entre tiempo de excitacin o
encendido (ton! y tiempo de apa+ado (toff!. 1 su
%ez, cada uno de estos tiempos se puede di%idir
en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo
que transcurre desde el instante en que se
aplica la se0al de entrada en el dispositi%o
conmutador, -asta que la se0al de salida
alcanza el 9:; de su %alor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que
emplea la se0al de salida en e%olucionar entre
el 9:; y el <:; de su %alor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la
se0al de salida ba&a al <:; de su %alor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la se0al de salida en
e%olucionar entre el <:; y el 9:; de su %alor final.
/or tanto, se pueden definir las si+uientes relaciones :
Es de -acer notar el -ec-o de que el tiempo de apa+ado (toff! ser* siempre
mayor que el tiempo de encendido (ton!.
6os tiempos de encendido (ton! y apa+ado (toff! limitan la frecuencia m*xima a
la cual puede conmutar el transistor:
Otros parmetros importantes
Corriente media: es el %alor medio de la corriente que puede circular por un
terminal (e&. "
13
, corriente media por el colector!.
Corriente mxima: es la m*xima corriente admisible de colector ("
'
! o de
drenador ("
,'
!. on este %alor se determina la m*xima disipacin de potencia
del dispositi%o.

C!"
: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est* en
circuito abierto.

#!"
: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.
Tensi$n mxima: es la m*xima tensin aplicable entre dos terminales del
dispositi%o (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y
fuente en los FET!.
#stado de saturaci$n: queda determinado por una cada de tensin
pr*cticamente constante. 3
Esat
entre colector y emisor en el bipolar y
resistencia de conduccin =
,)on
en el FET. Este %alor, &unto con el de corriente
m*xima, determina la potencia m*xima de disipacin en saturacin.
Relaci$n corriente de salida % control de entrada: -
FE
para el transistor bipolar
(+anancia est*tica de corriente! y +
ds
para el FET (transconductancia en
directa!.
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. ,ependiendo del sentido o
si+no de los %olta&es de polarizacin en cada una de las uniones del transistor
pueden ser :
Regi$n acti&a directa: orresponde a una polarizacin directa de la
unin emisor 7 base y a una polarizacin in%ersa de la unin colector 7
base. Esta es la re+in de operacin normal del transistor para
amplificacin.
Regi$n acti&a in&ersa: orresponde a una polarizacin in%ersa de la
unin emisor 7 base y a una polarizacin directa de la unin colector 7
base. Esta re+in es usada raramente.
Regi$n de corte: orresponde a una polarizacin in%ersa de ambas
uniones. 6a operacin en sta re+in corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo apa+ado, pues el transistor act8a como un
interruptor abierto (" :!.
Regi$n de saturaci$n: orresponde a una polarizacin directa de ambas
uniones. 6a operacin en esta re+in corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo encendido, pues el transistor act8a como un
interruptor cerrado (3E :!.
Avalancha secundaria. Curvas SOA.
)i se sobrepasa la m*xima tensin permitida entre colector y base con el
emisor abierto (3
$(
!, o la tensin m*xima permitida entre colector y emisor con
la base abierta (3
E(
!, la unin colector 7 base polarizada en in%erso entra en
un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado a%alanc-a
primaria.
)in embar+o, puede darse un caso de a%alanc-a cuando estemos traba&ando
con tensiones por deba&o de los lmites anteriores debido a la aparicin de
puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base!, que se produce
cuando tenemos polarizada la unin base 7 emisor en directo. En efecto, con
dic-a polarizacin se crea un campo ma+ntico trans%ersal en la zona de base
que reduce el paso de portadores minoritarios a una peque0a zona del
dispositi%o (anillo circular!.6a densidad de potencia que se concentra en dic-a
zona es proporcional al +rado de polarizacin de la base, a la corriente de
colector y a la 3
E
, y alcanzando cierto %alor, se produce en los puntos
calientes un fenmeno de+enerati%o con el consi+uiente aumento de las
prdidas y de la temperatura. 1 este fenmeno, con efectos catastrficos en la
mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de a%alanc-a secundaria
(o tambin se+unda ruptura!.
El efecto que produce la a%alanc-a secundaria sobre las cur%as de salida del
transistor es producir unos codos bruscos que des%an la cur%a de la situacin
pre%ista (%er +r*fica anterior!.
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la a%alanc-a
secundaria durante cortos inter%alos de tiempo sin que se destruya. /ara ello el
fabricante suministra unas cur%as lmites en la zona acti%a con los tiempos
lmites de traba&o, conocidas como cur%as F$)(1.
/odemos %er como existe una cur%a para corriente continua y una serie de
cur%as para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo
concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositi%o. ,urante el
toff, con polarizacin in%ersa de la unin base 7 emisor se produce la
focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de )i, en un *rea m*s
peque0a que en polarizacin directa, por lo que la a%alanc-a puede producirse
con ni%eles m*s ba&os de ener+a. 6os lmites de "

y 3
E
durante el toff %ienen
refle&ado en las cur%as =$)(1 dadas por el fabricante.
Efecto producido por cara inductiva. Protecciones.
6as car+as inducti%as someten a los transistores a las condiciones de traba&o
m*s desfa%orables dentro de la zona acti%a.
En el dia+rama superior se -an representado los diferentes puntos idealizados
de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. /ara una car+a resisti%a,
el transistor pasar* de corte a saturacin. /ara una car+a resisti%a, el transistor
pasar* de corte a saturacin por la recta que %a desde 1 -asta , y de
saturacin a corte desde a 1. )in embar+o, con una car+a inducti%a como en
el circuito anterior el transistor pasa a saturacin recorriendo la cur%a 1$,
mientras que el paso a corte lo -ace por el tramo ,1. /uede %erse que este
8ltimo paso lo -ace despus de una profunda incursin en la zona acti%a que
podra f*cilmente sobrepasar el lmite de a%alanc-a secundaria, con %alor 3E
muy superior al %alor de la fuente (3cc!.
/ara prote+er al transistor y e%itar su de+radacin se utilizan en la pr*ctica
%arios circuitos, que se muestran a continuacin :
a! ,iodo >ner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner -a de ser
superior a la tensin de la fuente 3cc!.
b! ,iodo en antiparalelo con la car+a =6.
c! =ed = polarizada en paralelo con el transistor (red snubber!.
6as dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de
saturacin a corte, proporcionando a tra%s de los diodos un camino para la
circulacin de la intensidad inducti%a de la car+a.
En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inducti%a si+ue
pasando por el diodo y por el condensador ), el cual tiende a car+arse a una
tensin 3cc. ,ise0ando adecuadamente la red = se consi+ue que la tensin
en el transistor durante la conmutacin sea inferior a la de la fuente, ale&*ndose
su funcionamiento de los lmites por disipacin y por a%alanc-a secundaria.
uando el transistor pasa a saturacin el condensador se descar+a a tra%s de
=).
El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en
la fi+ura ad&unta, donde %emos que con esta red, el paso de saturacin (punto
1! a corte (punto $! se produce de forma m*s directa y sin alcanzar %alores de
3
E
superiores a la fuente 3cc.
/ara el c*lculo de ) podemos suponer, despreciando las prdidas, que la
ener+a almacenada en la bobina 6 antes del bloqueo debe -aberse transferido
a ) cuando la intensidad de colector se anule. /or tanto :
de donde :
/ara calcular el %alor de =) -emos de tener en cuenta que el condensador -a
de estar descar+ado totalmente en el si+uiente proceso de bloqueo, por lo que
la constante de tiempo de =) y ) -a de ser menor (por e&emplo una quinta
parte! que el tiempo que permanece en saturacin el transistor :
Clculo de potencias disipadas en conmutacin con cara
resistiva
6a +r*fica superior muestra las se0ales idealizadas de los tiempos de
conmutacin (ton y toff! para el caso de una car+a resisti%a.
)upon+amos el momento ori+en en el comienzo del tiempo de subida (tr! de la
corriente de colector. En estas condiciones (: t tr! tendremos :
donde "

m*s %ale :
Tambin tenemos que la tensin colector 7 emisor %iene dada como :
)ustituyendo, tendremos que :
.osotros asumiremos que la 3
E
en saturacin es despreciable en
comparacin con 3cc.
1s, la potencia instant*nea por el transistor durante este inter%alo %iene dada
por :
6a ener+a, ?r, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est* dada
por la inte+ral de la potencia durante el inter%alo del tiempo de cada, con el
resultado:
,e forma similar, la ener+a (?f! disipada en el transistor durante el tiempo de
cada, %iene dado como:
6a potencia media resultante depender* de la frecuencia con que se efect8e la
conmutacin:
5n 8ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no
cometeramos un error apreciable si finalmente de&amos la potencia media, tras
sustituir, como:
Clculo de potencias disipadas en conmutacin con cara
inductiva
1rriba podemos %er la +r*fica de la i

(t!, 3
E
(t! y p(t! para car+a inducti%a. 6a
ener+a perdida durante en ton %iene dada por la ecuacin:
,urante el tiempo de conduccin (t@! la ener+a perdida es despreciable,
puesto que 3
E
es de un %alor nfimo durante este tramo.
,urante el toff, la ener+a de prdidas en el transistor %endr* dada por la
ecuacin:
6a potencia media de prdidas durante la conmutacin ser* por tanto:
)i lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo
el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo
lar+o del periodo (conmutacin A conduccin!. 6a ener+a de prdidas en
conduccin %iene como:
Ata!ue " proteccin del transistor de potencia
omo -emos %isto anteriormente, los tiempos de conmutacin limitan el
funcionamiento del transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la
medida de lo posible.
6os tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin
en la se0al de base, tal y como se muestra en la fi+ura anterior.
/uede %erse como el semiciclo positi%o est* formado por un tramo de mayor
amplitud que ayude al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton!
y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este
modo la potencia disipada no ser* excesi%a y el tiempo de almacenamiento no
aumentar*!. El otro semiciclo comienza con un %alor ne+ati%o que disminuye el
toff, y una %ez que el transistor est* en corte, se -ace cero para e%itar prdidas
de potencia.
En consecuencia, si queremos que un transistor que act8a en conmutacin lo
-a+a lo m*s r*pidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar
la base del dispositi%o con una se0al como el de la fi+ura anterior. /ara esto se
puede emplear el circuito de la fi+ura si+uiente.
En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr* la forma indicada a
continuacin:
,urante el semiperiodo t9, la tensin de entrada (3e! se mantiene a un %alor 3e
(m*x!. En estas condiciones la 3
$E
es de unos :.B % y el condensador se
car+a a una tensin 3

de %alor:
debido a que las resistencias =9 y =C act8an como un di%isor de tensin.
6a cte. de tiempo con que se car+ar* el condensador ser* aproximadamente
de:
on el condensador ya car+ado a 3

, la intensidad de base se estabiliza a un

%alor "
$
que %ale:
En el instante en que la tensin de entrada pasa a %aler 73e(min!, tenemos el
condensador car+ado a 3

, y la 3
$E
D:.B %. 1mbos %alores se suman a la
tensin de entrada, lo que produce el pico ne+ati%o de intensidad "
$
(mn!:
1 partir de ese instante el condensador se descar+a a tra%s de =C con una
constante de tiempo de %alor =C.
/ara que todo lo anterior sea realmente efecti%o, debe cumplirse que:
con esto nos ase+uramos que el condensador est* car+ado cuando
apliquemos la se0al ne+ati%a. 1s, obtendremos finalmente una frecuencia
m*xima de funcionamiento :
5n circuito m*s serio es el de ontrol 1ntisaturacin:
El tiempo de saturacin (t)!ser* proporcional a la intensidad de base, y
mediante una sua%e saturacin lo+raremos reducir t) :
"nicialmente tenemos que:
En estas condiciones conduce ,C, con lo que la intensidad de colector pasa a
tener un %alor:
)i imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo ,9 se mayor
que la del diodo ,C, obtendremos que "

sea mayor que "

6
:
En lo que respecta a la proteccin por red snubber, ya se -a %isto
anteriormente.
J. Domingo Aguilar Pea: jaguilar@ujaen.es
Miguel ngel Montejo Rez: radastan@swin.net